JP2009231122A

JP2009231122A - Organic electroluminescent device

Info

Publication number: JP2009231122A
Application number: JP2008076527A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Takei; 周一武井; Tsugunari Kojima; 嗣也小島
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2008-03-24
Filing date: 2008-03-24
Publication date: 2009-10-08

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent device increasing an effective aperture ratio and preventing deterioration of display quality due to gas generated from a flattened layer. <P>SOLUTION: The organic EL device 1 includes power source wiring 103, the organic flattened layer 10 covering the power source wiring 103, a partition wall 14 with an opening 14a through which an upper surface of a first electrode 11 is exposed, a function layer 15 provided in the opening 14 in the partition wall and a second electrode 18 covering the function layer 15. An auxiliary second electrode 28 conducting to the second electrode 18 is provided on the organic flattened layer 10 above the power source wiring 103 in parallel with the power source wiring 103. The partition wall 14 has an inorganic partition wall 12 covering a part directly above the power source wiring 103. Inorganic partition wall through-holes 12c piercing the inorganic partition wall 12 and the auxiliary second electrode 28 to reach the organic flattened layer 103 positioned directly above the power source wiring 103 are formed in the inorganic partition wall 12 and the auxiliary second electrode 28. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、有機エレクトロルミネセンス装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence device.

従来、基板上に多数の有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）を備えた有機エレクトロルミネセンス装置（有機ＥＬ装置）が知られている。このような有機ＥＬ装置では、特にトップエミッション構造の有機ＥＬパネルとして用いる場合、開口率を高めるべく、画素開口部を形成するための平坦領域を十分に広く確保することが重要となっている。特に、塗布型プロセスであるインクジェット法を用いる場合には、どれだけ平坦化領域を確保できるかが重要になる。 Conventionally, an organic electroluminescence device (organic EL device) including a large number of organic electroluminescence elements (organic EL elements) on a substrate is known. In such an organic EL device, particularly when used as an organic EL panel having a top emission structure, it is important to secure a sufficiently wide flat region for forming a pixel opening in order to increase the aperture ratio. In particular, when an ink jet method that is a coating type process is used, how much a flattened region can be secured becomes important.

トップエミッション構造の場合、画素開口部を形成する陽極（画素電極）の下方には、通常は駆動素子となるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が配置され、さらにこれに接続するデータ線や走査線も、陽極の下方に配置される。一方、前記ＴＦＴに電流を供給するための電源配線は、前記のデータ線や走査線と同一面上に形成されることから、前記ＴＦＴの側方、つまり画素開口部の側方に配置されることになる。そして、これら電源配線やデータ線、走査線の上には、これらを覆って平坦化層が設けられ、この平坦化層上に、前記陽極が形成されるようになる。
また、トップエミッション構造では、陰極として透明電極を用いている。しかし、透明導電材料は例えばＡｌなどに比べて抵抗値が高いことから、このような透明電極の導電性を高めるため、画素開口部以外の場所に補助陰極を設け、この補助陰極を透明電極に導通させることで、透明電極と補助陰極とからなる陰極の導電性を高めている。 In the case of the top emission structure, a TFT (thin film transistor), which is usually a driving element, is disposed below the anode (pixel electrode) that forms the pixel opening, and the data lines and scanning lines connected thereto are also connected to the anode. It is arranged below. On the other hand, since the power supply wiring for supplying current to the TFT is formed on the same plane as the data line and the scanning line, it is arranged on the side of the TFT, that is, on the side of the pixel opening. It will be. A planarizing layer is provided on the power supply wiring, data line, and scanning line so as to cover them, and the anode is formed on the planarizing layer.
In the top emission structure, a transparent electrode is used as the cathode. However, since the transparent conductive material has a higher resistance value than Al, for example, in order to increase the conductivity of such a transparent electrode, an auxiliary cathode is provided in a place other than the pixel opening, and this auxiliary cathode is used as the transparent electrode. By conducting, the conductivity of the cathode composed of the transparent electrode and the auxiliary cathode is enhanced.

ところで、有機ＥＬパネルが大型化すると、パネルの中央部にも周辺部と同じに均一に電流を供給する必要上、電圧降下による影響を避けるべく、配線抵抗を下げる必要がある。そこで、従来では、配線幅を増やして容量を確保していた。その結果、電源配線や補助陰極を形成する領域が広くなり、画素開口部の形成領域を十分に広く確保するのが困難になってきた。 By the way, when the organic EL panel is increased in size, it is necessary to supply the current to the central portion of the panel as well as the peripheral portion, and it is necessary to reduce the wiring resistance in order to avoid the influence of the voltage drop. Therefore, conventionally, the wiring width has been increased to ensure the capacity. As a result, the area for forming the power supply wiring and the auxiliary cathode is widened, and it has become difficult to ensure a sufficiently wide area for forming the pixel opening.

そこで、特に電源配線と補助陰極とを、画素開口部の非形成領域において上下に並行させることにより、画素開口部の非形成領域を狭くし、相対的に画素開口部の形成領域を十分に広くすることが考えられる。ところが、このように電源配線と補助陰極とを上下に並行させて形成すると、これら配線は互いに対極となることから、これらの間でショートし易いといった問題がある（例えば、特許文献１参照）。そこで、これら配線間の耐圧を確保するべく、これらの間に形成する絶縁層、すなわち平坦化層を十分に厚くする必要がある。
特開２００６−５８８１５号公報 Therefore, in particular, the power supply wiring and the auxiliary cathode are vertically aligned in the non-formation region of the pixel opening, thereby narrowing the non-formation region of the pixel opening and relatively widening the formation region of the pixel opening. It is possible to do. However, when the power supply wiring and the auxiliary cathode are formed in parallel in the vertical direction as described above, these wirings become counter electrodes with each other, so that there is a problem that they are easily short-circuited (for example, see Patent Document 1). Therefore, in order to ensure a withstand voltage between these wirings, it is necessary to sufficiently thicken an insulating layer formed between them, that is, a planarizing layer.
JP 2006-58815 A

ところが、平坦化層は樹脂材料（有機材料）で形成されることから、内部に溶媒等のガスを発生させる残留物や不純物を多く含有している。したがって、発光層等の機能層を乾燥する工程などで加熱処理を行うと、前記の残留物などがガス化して平坦化層中から外に出ようとする。しかし、このようなガスは、平坦化層上に気密性の高い層、例えば、ＩＴＯ等からなる陽極や珪素酸化物（ＳｉＯ_２）等からなる無機隔壁を形成した後にも、前記したように機能層形成時などに発生する。そのため、発生したガスが外部に排出されず、平坦化層と陽極との間などに蓄積されてしまうことがある。 However, since the planarization layer is formed of a resin material (organic material), it contains a large amount of residues and impurities that generate a gas such as a solvent. Therefore, when heat treatment is performed in a process of drying a functional layer such as a light-emitting layer, the residue or the like is gasified and tends to go out of the planarization layer. However, such a gas functions as described above even after a highly airtight layer such as an anode made of ITO or an inorganic partition made of silicon oxide (SiO ₂ ) is formed on the planarizing layer. Occurs during layer formation. For this reason, the generated gas may not be discharged to the outside and may be accumulated between the planarization layer and the anode.

すると、このようなガスの蓄積がダークスポットを発生させる原因となり、表示品質を低下させてしまうことになる。すなわち、このようなダークスポットは有機ＥＬ装置の製造後も時間とともに成長し、複数の画素を含む領域が非発光領域となってしまうからである。そして、特に前記したように平坦化層を厚くすると、このようなガスの発生に起因する表示品質の低下がより顕著になってしまうおそれがある。 Then, such accumulation of gas causes dark spots to occur, which degrades display quality. That is, such a dark spot grows with time even after the manufacture of the organic EL device, and a region including a plurality of pixels becomes a non-light emitting region. In particular, when the planarizing layer is thickened as described above, there is a possibility that the deterioration of display quality due to the generation of such gas becomes more remarkable.

本発明は前記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、開口率を高め、しかも平坦化層から発生するガスによる表示品質の低下を防止した、有機エレクトロルミネセンス装置を提供することにある。 The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an organic electroluminescence device that has an increased aperture ratio and prevents deterioration in display quality due to gas generated from the planarization layer. It is to provide.

本発明の有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板上に設けられた電源配線と、前記電源配線を覆って設けられた有機平坦化層と、前記有機平坦化層上において前記電源配線上を避けた位置に設けられた第１電極と、前記有機平坦化層上において前記第１電極を区画しかつ該第１電極の上面を露出させる開口部を有して設けられた隔壁と、前記隔壁の開口部内に設けられた、少なくとも有機発光層を有してなる機能層と、前記機能層を覆って設けられた第２電極と、を備え、
前記有機平坦化層上には、前記電源配線の上方に、該電源配線に並行して前記第２電極に導通する補助第２電極が設けられ、
前記隔壁は、前記電源配線の直上部を覆うようにして設けられた無機隔壁を有してなり、
前記無機隔壁及び前記補助第２電極には、これら無機隔壁及び補助第２電極を貫通して前記電源配線の直上に位置する前記有機平坦化層に到達する、無機隔壁貫通孔が形成されていることを特徴としている。 The organic EL device of the present invention avoids the substrate, the power supply wiring provided on the substrate, the organic planarization layer provided to cover the power supply wiring, and the power supply wiring on the organic planarization layer. A first electrode provided at a position, a partition provided on the organic planarization layer with an opening that partitions the first electrode and exposes an upper surface of the first electrode, and A functional layer provided in the opening and having at least an organic light emitting layer; and a second electrode provided to cover the functional layer,
On the organic planarization layer, an auxiliary second electrode that is connected to the second electrode in parallel with the power supply wiring is provided above the power supply wiring,
The partition wall includes an inorganic partition wall provided so as to cover an upper portion of the power supply wiring.
The inorganic partition wall and the auxiliary second electrode are formed with an inorganic partition wall through-hole that penetrates the inorganic partition wall and the auxiliary second electrode and reaches the organic planarization layer located immediately above the power supply wiring. It is characterized by that.

この有機エレクトロルミネセンス装置によれば、電源配線の上方に、該電源配線に並行して補助第２電極が設けられているので、これら電源配線や補助陰極が形成される領域、すなわち画素開口部の非形成領域を狭くし、相対的に画素開口部の形成領域を十分に広くすることができる。よって、開口率を高めてより良好な表示が可能になる。
また、機能層形成時などに有機平坦化層からガスが発生しても、このガスは無機隔壁貫通孔を通って無機隔壁や第１電極、さらに補助第２電極の外側に排出される。したがって、有機平坦化層を厚くしても、この有機平坦化層から発生するガスが外部に良好に排出されるため、有機平坦化層から発生するガスに起因してダークスポットが発生し、表示品質が低下してしまう不都合が防止される。
さらに、電源配線の直上に位置する有機平坦化層は、電源配線による凸部を平坦化するといった平坦化層としての機能上、他の部位より厚さが薄くなる。したがって、このように膜厚が相対的に薄くなっていることにより、有機平坦化層内部で発生したガスは、この電源配線の直上部分でより外側に抜け易くなっている。よって、この直上部分に到達するように無機隔壁貫通孔を形成しているので、有機平坦化層内部で発生したガスが有機平坦化層中を通って無機隔壁貫通孔に移動し、より良好に外部に排出されるようになる。
また、このように平坦化層を厚くしても支障がないため、平坦化層を十分に厚くすることにより、電源配線と補助第２電極との間の耐圧を十分に確保することができる。 According to this organic electroluminescence device, since the auxiliary second electrode is provided in parallel with the power supply wiring above the power supply wiring, the region where the power supply wiring and the auxiliary cathode are formed, that is, the pixel opening portion The non-formation region can be made narrower and the formation region of the pixel opening can be made relatively wide. Therefore, a better display can be achieved by increasing the aperture ratio.
Further, even when a gas is generated from the organic planarization layer at the time of forming the functional layer, this gas passes through the inorganic partition wall through hole and is discharged to the outside of the inorganic partition wall, the first electrode, and the auxiliary second electrode. Therefore, even if the organic flattening layer is made thick, the gas generated from the organic flattening layer is exhausted well to the outside. Therefore, dark spots are generated due to the gas generated from the organic flattening layer. The inconvenience that quality deteriorates is prevented.
Furthermore, the organic flattening layer located immediately above the power supply wiring is thinner than other portions in terms of the function as a flattening layer, such as flattening the convex portion by the power supply wiring. Therefore, since the film thickness is relatively thin as described above, the gas generated inside the organic planarization layer is more likely to escape to the outside at the portion directly above the power supply wiring. Therefore, since the inorganic partition wall through-hole is formed so as to reach the portion directly above, the gas generated inside the organic planarization layer moves to the inorganic partition wall through-hole through the organic planarization layer, and is improved. It will be discharged to the outside.
In addition, since there is no problem even if the planarizing layer is thickened in this way, by sufficiently increasing the planarizing layer, a sufficient withstand voltage between the power supply wiring and the auxiliary second electrode can be ensured.

また、前記有機エレクトロルミネセンス装置においては、前記無機隔壁貫通孔が、前記補助第２電極の長さ方向に沿って溝状に形成されていてもよい。
このようにすれば、無機隔壁貫通孔の開口面積が広くなり、また、無機隔壁貫通孔が広い範囲に亘って開口を有するようになるので、有機平坦化層内部で発生したガスがより良好に排出されるようになり、ダークスポットの発生がより確実に防止される。 In the organic electroluminescence device, the inorganic partition wall through-hole may be formed in a groove shape along the length direction of the auxiliary second electrode.
In this way, the opening area of the inorganic partition wall through-hole is increased, and the inorganic partition wall through-hole has an opening over a wide range, so that the gas generated inside the organic planarization layer is better. As a result, the generation of dark spots is more reliably prevented.

また、前記有機エレクトロルミネセンス装置においては、前記無機隔壁貫通孔が、前記補助第２電極の長さ方向に沿って複数形成されていてもよい。
このようにすれば、無機隔壁貫通孔が広い範囲に亘って開口を有するようになるので、有機平坦化層内部で発生したガスがより良好に排出されるようになり、ダークスポットの発生がより確実に防止される。 In the organic electroluminescence device, a plurality of the inorganic partition wall through holes may be formed along the length direction of the auxiliary second electrode.
In this way, since the inorganic partition wall through-hole has an opening over a wide range, the gas generated inside the organic planarization layer can be discharged better, and the generation of dark spots is more It is surely prevented.

また、前記有機エレクトロルミネセンス装置においては、前記隔壁は、前記無機隔壁上に設けられ、かつ前記補助第２電極を覆った状態に設けられた有機隔壁を有し、該有機隔壁には、前記補助第２電極と前記第２電極とを導通させるコンタクト部が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、第２電極を形成する前において、平坦化層内部で発生したガスや有機隔壁内部で発生したガスが前記コンタクト部を構成するコンタクトホールを通って排出され易くなる。 In the organic electroluminescence device, the partition wall includes an organic partition wall provided on the inorganic partition wall and covering the auxiliary second electrode. It is preferable that a contact portion for conducting the auxiliary second electrode and the second electrode is formed.
In this way, before the second electrode is formed, the gas generated inside the flattening layer and the gas generated inside the organic partition are easily discharged through the contact hole constituting the contact portion.

また、前記有機エレクトロルミネセンス装置においては、前記無機隔壁は親液性を有し、前記有機隔壁は撥液性を有しているのが好ましい。
このようにすれば、隔壁の開口部内に液状材料を配し、乾燥して機能層を形成する際に、有機隔壁によって液状材料が開口部外に流出するのが防止される。また、有機隔壁が撥液性になっているので、有機隔壁の上面部上に配された液状材料が開口部内に流れ落ち、これによって機能層が開口部内に良好に形成されるようになる。
また、無機隔壁は親液性を有しているので、開口部内に配された液状材料が無機隔壁に濡れ拡がるようになり、したがって液状材料で形成される機能層の厚さが開口部内でより均一になる。 In the organic electroluminescence device, the inorganic partition wall is preferably lyophilic, and the organic partition wall is preferably lyophobic.
In this way, when the liquid material is disposed in the opening of the partition and dried to form the functional layer, the organic partition prevents the liquid material from flowing out of the opening. Further, since the organic partition wall is liquid repellent, the liquid material disposed on the upper surface portion of the organic partition wall flows down into the opening portion, whereby the functional layer is favorably formed in the opening portion.
In addition, since the inorganic partition wall is lyophilic, the liquid material disposed in the opening portion spreads into the inorganic partition wall, so that the thickness of the functional layer formed of the liquid material is larger in the opening portion. It becomes uniform.

また、前記有機エレクトロルミネセンス装置においては、前記有機隔壁に、前記無機隔壁貫通孔に連通し、あるいは前記無機隔壁貫通孔を通って前記有機平坦化層に到達する有機隔壁貫通孔が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、平坦化層内部で発生したガスが無機隔壁貫通孔を通り、さらに有機隔壁貫通孔を通ることでより排出され易くなる。 Further, in the organic electroluminescence device, the organic partition wall is formed with an organic partition wall through hole that communicates with the inorganic partition wall through hole or reaches the organic planarization layer through the inorganic partition wall through hole. It is preferable.
If it does in this way, it will become easier to discharge | emit the gas generated inside the planarization layer through an inorganic partition wall through-hole, and also through an organic partition wall through-hole.

また、前記有機エレクトロルミネセンス装置においては、前記有機平坦化層は、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂からなり、前記電源配線の直上部の厚さが１μｍ以上に形成されているのが好ましい。
このようにすれば、電源配線と補助第２電極との間の耐圧が良好に確保される。 In the organic electroluminescence device, the organic planarization layer is preferably made of an acrylic resin or a polyimide resin, and a thickness immediately above the power supply wiring is preferably 1 μm or more.
In this way, a good breakdown voltage between the power supply wiring and the auxiliary second electrode is ensured.

以下、本発明の有機エレクトロルミネセンス装置（有機ＥＬ装置）について、図面を参照して詳しく説明する。なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, the organic electroluminescence device (organic EL device) of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following drawings, the scale is appropriately changed for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing.

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の有機ＥＬ装置の第１実施形態の、概略構成を示す側断面図であり、図１中符号１は有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置１は、基板２上に形成された多数の有機ＥＬ素子３０の機能層１５から射出された光を、有機ＥＬ素子３０が形成された基板２とは反対側の封止基板２０から取り出す、トップエミッション方式のものである。 <First Embodiment>
FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of a first embodiment of the organic EL device of the present invention, and reference numeral 1 in FIG. 1 denotes the organic EL device. The organic EL device 1 uses the light emitted from the functional layers 15 of a large number of organic EL elements 30 formed on the substrate 2 as the sealing substrate 20 on the side opposite to the substrate 2 on which the organic EL elements 30 are formed. This is a top emission type that is taken out from

基板２は、ガラスや石英、樹脂、あるいは金属等の反射性を有する材料からなるもので、その表面（内面）には、例えばＳｉＯ_２（シリコン酸化物）からなる絶縁膜３が形成されている。絶縁膜３上には、個々の有機ＥＬ素子３０に対応して駆動用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）４が設けられている。駆動用ＴＦＴ４は、絶縁膜３上に形成されたポリシリコン等からなる半導体層５と、半導体層５のチャネル領域にゲート絶縁膜（図示略）を介して対向配置されたゲート電極６と、を備えている。そして、ゲート絶縁膜及びゲート電極６を覆って、ＳｉＯ_２やＳｉＮからなる層間絶縁膜７が形成されている。 The substrate 2 is made of a reflective material such as glass, quartz, resin, or metal, and an insulating film 3 made of, for example, SiO ₂ (silicon oxide) is formed on the surface (inner surface) thereof. . On the insulating film 3, driving TFTs (thin film transistors) 4 are provided corresponding to the individual organic EL elements 30. The driving TFT 4 includes a semiconductor layer 5 made of polysilicon or the like formed on the insulating film 3, and a gate electrode 6 disposed opposite to the channel region of the semiconductor layer 5 via a gate insulating film (not shown). I have. An interlayer insulating film 7 made of SiO ₂ or SiN is formed so as to cover the gate insulating film and the gate electrode 6.

層間絶縁膜７上にはソース電極８及びドレイン電極９が形成され、それぞれ、コンタクトホール７ａ，７ｂを介して半導体層５のソース領域（図示せず）及びドレイン領域（図示せず）に接続されている。また、ソース電極８は、層間絶縁膜７上に形成された電源配線１０３に接続されている。電源配線１０３は、後述するように画素開口部の開口率を高めるべく、この画素開口部の側方、すなわち前記駆動用ＴＦＴ４の側方に配置されたもので、Ａｌ等によって厚さ０．５μｍ〜１．０μｍ程度に形成されたものである。 A source electrode 8 and a drain electrode 9 are formed on the interlayer insulating film 7 and are connected to a source region (not shown) and a drain region (not shown) of the semiconductor layer 5 through contact holes 7a and 7b, respectively. ing. The source electrode 8 is connected to a power supply wiring 103 formed on the interlayer insulating film 7. As will be described later, the power supply wiring 103 is disposed on the side of the pixel opening, that is, on the side of the driving TFT 4 in order to increase the aperture ratio of the pixel opening, and is 0.5 μm thick by Al or the like. It is formed in about -1.0 micrometer.

これら駆動用ＴＦＴ４及び電源配線１０３を覆って、基板２上を平坦化する平坦化層（有機平坦化層）１０が形成されている。平坦化層１０は、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の耐熱性及び絶縁性を有する有機材料によって形成されている。この平坦化層１０は、前記層間絶縁膜７上において、前記駆動用ＴＦＴ４や電源配線１０３によって形成された凸部を平坦化し、これによって全体の凹凸を小さくするべく、形成されたものである。したがって、このような機能上、平坦化層１０は、特に電源配線１０３の直上に位置する部位１０Ａが、他の部位、すなわち層間絶縁膜７上に直接形成された部位に比べ、厚さが薄くなっている。ただし、後述するようにこの電源配線１０３の直上に補助陰極（補助第２電極）が形成されることから、これら電源配線１０３と補助陰極との間の耐圧を確保するべく、平坦化層１０は、前記の部位１０Ａにおいて、その厚さが１μｍ以上になっているのが好ましい。したがって、本実施形態では、２μｍ〜６μｍ程度に形成されている。 A flattening layer (organic flattening layer) 10 for flattening the substrate 2 is formed so as to cover the driving TFT 4 and the power supply wiring 103. The planarization layer 10 is formed of an organic material having heat resistance and insulation, such as an acrylic resin or a polyimide resin. The flattening layer 10 is formed on the interlayer insulating film 7 so as to flatten the convex portions formed by the driving TFT 4 and the power supply wiring 103 and thereby reduce the overall concave and convex portions. Therefore, in this function, the planarization layer 10 is thinner in the portion 10A particularly located immediately above the power supply wiring 103 than the other portion, that is, the portion directly formed on the interlayer insulating film 7. It has become. However, since the auxiliary cathode (auxiliary second electrode) is formed immediately above the power supply wiring 103 as will be described later, the planarization layer 10 is formed to ensure a withstand voltage between the power supply wiring 103 and the auxiliary cathode. In the part 10A, the thickness is preferably 1 μm or more. Therefore, in this embodiment, it is formed to be about 2 μm to 6 μm.

また、この平坦化層１０上には、前記駆動用ＴＦＴ４の直上及びその近傍部に、有機ＥＬ素子３０の陽極である画素電極（第１電極）１１が形成されている。この画素電極１１は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＭｏ（モリブデン）等の反射性を有する導電性材料で形成されている。あるいは、仕事関数を調整するため、上層を透明なＩＴＯとし、下層をＡｌ等の反射性導電材料とする、積層構造の電極としてもよい。画素電極１１は、平坦化層１０を貫通してドレイン電極９に到達するコンタクトホール１０ａを介して、ドレイン電極９に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ４のゲート電極６は、後述するスイッチング用ＴＦＴ１１２に接続されて、画素信号を保持する保持容量ｃａｐと電気的に接続されている。 A pixel electrode (first electrode) 11 that is an anode of the organic EL element 30 is formed on the planarizing layer 10 immediately above the driving TFT 4 and in the vicinity thereof. The pixel electrode 11 is made of a conductive material having reflectivity such as Al (aluminum) or Mo (molybdenum). Alternatively, in order to adjust the work function, an electrode having a laminated structure in which the upper layer is made of transparent ITO and the lower layer is made of a reflective conductive material such as Al may be used. The pixel electrode 11 is connected to the drain electrode 9 through a contact hole 10 a that passes through the planarization layer 10 and reaches the drain electrode 9. The gate electrode 6 of the driving TFT 4 is connected to a switching TFT 112 described later, and is electrically connected to a storage capacitor cap that stores a pixel signal.

画素電極１１の周縁部上、及びその周囲には、無機隔壁１２と、無機隔壁１２上に形成された有機隔壁１３とからなる隔壁１４が形成されている。隔壁１４には、画素電極１１を有機ＥＬ素子３０ごとに区画し、かつ画素電極１１の上面（基板２と反対側の面）を露出させる開口部（画素開口部）１４ａが形成されている。また、有機隔壁１３の端部（開口部１４ａを規定する部分）は、無機隔壁１２の端部（開口部１４ａを規定する部分）より、開口部１４ａから見て外側となるように形成されている。これによって開口部１４ａ内に露出した隔壁１４には、開口部１４ａ内の有機隔壁１３と無機隔壁１２との境界部分に、無機隔壁１２の上面を露出させた階段状の段差部が形成されている。 A partition wall 14 including an inorganic partition wall 12 and an organic partition wall 13 formed on the inorganic partition wall 12 is formed on and around the periphery of the pixel electrode 11. In the partition wall 14, an opening (pixel opening) 14 a that partitions the pixel electrode 11 for each organic EL element 30 and exposes the upper surface (surface opposite to the substrate 2) of the pixel electrode 11 is formed. The end of the organic partition wall 13 (the part defining the opening 14a) is formed so as to be outside the end of the inorganic partition wall 12 (the part defining the opening 14a) when viewed from the opening 14a. Yes. As a result, the barrier rib 14 exposed in the opening 14 a is formed with a stepped stepped portion with the upper surface of the inorganic barrier rib 12 exposed at the boundary between the organic barrier rib 13 and the inorganic barrier rib 12 in the opening 14 a. Yes.

無機隔壁１２は、ＳｉＯ_２等の絶縁性の無機材料によって形成されたもので、その表面に親液化処理が施され、濡れ性が向上させられたことにより、親液性を有したものとなっている。有機隔壁１３は、例えば平坦化層１０と同じ有機材料によって形成されたもので、その表面に撥液化処理が施されたことにより、撥液性を有したものとなっている。 The inorganic partition wall 12 is formed of an insulating inorganic material such as SiO ₂ and has a lyophilic property because its surface has been subjected to lyophilic treatment and wettability has been improved. ing. The organic partition wall 13 is made of, for example, the same organic material as that of the planarization layer 10 and has a liquid repellency by the liquid repellency treatment on the surface thereof.

無機隔壁１２には、該無機隔壁１２を貫通し、前記平坦化層１０における前記電源配線１０３の直上に位置する部位１０Ａに到達する、開口１２ｂが形成されている。この開口１２ｂは、前記電源配線１０３の長さ方向に沿って溝状に形成されたものである。また、本実施形態では、この開口１２ｂ内に、補助陰極（補助第２電極）２８が形成されている。 An opening 12b is formed in the inorganic partition wall 12 so as to penetrate the inorganic partition wall 12 and reach a portion 10A located in the planarization layer 10 immediately above the power supply wiring 103. The opening 12 b is formed in a groove shape along the length direction of the power supply wiring 103. In the present embodiment, an auxiliary cathode (auxiliary second electrode) 28 is formed in the opening 12b.

補助陰極２８は、Ａｌ等の比抵抗の小さい導電材料によって形成されたもので、前記電源配線１０３の直上に配置され、したがって該電源配線１０３に並行して配設され、すなわち、平面視した状態で全部あるいは一部が電源配線１０３に重ねって形成されたものである。また、この補助陰極２８は、本実施形態では前記開口１２ｂの幅より狭い幅で形成されている。このような構成のもとに、平坦化層１０上に形成された無機隔壁１２及び補助陰極２８には、前記開口１２ｂ内に、無機隔壁１２及び補助陰極２８を貫通して前記平坦化層１０の前記部位１０Ａに到達する無機隔壁貫通孔１２ｃが、補助陰極２８の両側にそれぞれ形成されている。 The auxiliary cathode 28 is formed of a conductive material having a small specific resistance such as Al, and is disposed immediately above the power supply wiring 103, and thus is disposed in parallel with the power supply wiring 103, that is, in a plan view. In this case, all or part of the power supply wiring 103 is overlapped. The auxiliary cathode 28 is formed with a width narrower than the width of the opening 12b in this embodiment. Under such a configuration, the inorganic barrier 12 and the auxiliary cathode 28 formed on the flattening layer 10 penetrate the inorganic barrier 12 and the auxiliary cathode 28 in the opening 12b and the flattening layer 10. The inorganic partition wall through-holes 12c reaching the part 10A are formed on both sides of the auxiliary cathode 28, respectively.

有機隔壁１３は、無機隔壁貫通孔１２ｃ及び補助陰極２８を覆って形成されたもので、特に無機隔壁貫通孔１２ｃ内において平坦化層１０に接して形成されたものである。ここで、補助陰極２８は、図２に示すように、平面視したときに前記開口部１４ａの周囲に格子状に形成されており、したがって無機隔壁貫通孔１２ｃも、この補助陰極２８に沿ってその両側に溝状に形成されている。 The organic partition wall 13 is formed so as to cover the inorganic partition wall through-hole 12c and the auxiliary cathode 28, and is formed in particular in contact with the planarization layer 10 in the inorganic partition wall through-hole 12c. Here, as shown in FIG. 2, the auxiliary cathode 28 is formed in a lattice shape around the opening 14 a when seen in a plan view. Therefore, the inorganic partition wall through-hole 12 c also extends along the auxiliary cathode 28. Grooves are formed on both sides.

開口部１４ａの内部には、図１に示すように機能層１５が設けられている。機能層１５は、画素電極１１側に形成された正孔注入・輸送層１６と、その上に積層されて形成された発光層（有機発光層）１７と、を備えて形成されたものである。正孔注入・輸送層１６は、例えば、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）の分散液、すなわち、ポリスチレンスルフォン酸を分散媒として、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液等の液状材料を乾燥することによって形成されている。また、発光層１７は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料により形成されている。特にフルカラー表示を行う場合には、赤色、緑色、青色の各波長域に対応する光を発光する材料が用いられる。 A functional layer 15 is provided inside the opening 14a as shown in FIG. The functional layer 15 includes a hole injection / transport layer 16 formed on the pixel electrode 11 side, and a light emitting layer (organic light emitting layer) 17 formed by being laminated thereon. . The hole injection / transport layer 16 is, for example, a 3,4-polyethylenedioxythiophene-polystyrene sulfonic acid (PEDOT-PSS) dispersion, that is, 3,4-polyethylenedioxythiophene using polystyrene sulfonic acid as a dispersion medium. And a liquid material such as a dispersion obtained by dispersing this in water is dried. The light emitting layer 17 is formed of a known light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence. In particular, when full-color display is performed, a material that emits light corresponding to each wavelength range of red, green, and blue is used.

ここで、発光層１７の形成材料としては、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。さらに、Ｉｒ（ｐｐｙ）３などの燐光材料を用いることもできる。 Here, examples of the material for forming the light emitting layer 17 include (poly) fluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), and polyvinylcarbazole. Polysilanes such as (PVK), polythiophene derivatives, and polymethylphenylsilane (PMPS) are preferably used. In addition, these polymer materials include polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, and quinacridone. It can also be used by doping a low molecular weight material such as. Further, a phosphorescent material such as Ir (ppy) 3 can also be used.

機能層１５上には、機能層１５及び隔壁１４を覆って、有機ＥＬ素子３０の陰極である透明な共通電極（第２電極）１８が設けられている。この共通電極１８は、低仕事関数の金属であるアルカリ金属やアルカリ土類金属によって形成され、あるいは、ＭｇＡｇやＬｉＦ、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などによって形成されたものである。この共通電極１８は、前記隔壁１４の有機隔壁１３上において、この有機隔壁１３に形成されたコンタクトホール（コンタクト部）１３ｂを介して、前記補助陰極２８に接続し導通している。
また、共通電極１８上には、光透過性を有する接着層１９を介して、例えば、ガラスや石英等の透明な材料で形成された封止基板２０が貼着されている。 On the functional layer 15, a transparent common electrode (second electrode) 18 that is a cathode of the organic EL element 30 is provided so as to cover the functional layer 15 and the partition wall 14. The common electrode 18 is formed of an alkali metal or alkaline earth metal that is a low work function metal, or is formed of MgAg, LiF, ITO (indium tin oxide), or the like. The common electrode 18 is connected to the auxiliary cathode 28 through the contact hole (contact portion) 13b formed in the organic partition wall 13 and is conductive on the organic partition wall 13 of the partition wall 14.
In addition, a sealing substrate 20 made of a transparent material such as glass or quartz is attached on the common electrode 18 via a light-transmitting adhesive layer 19.

図３は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の配線構造を示す模式図である。図３に示すように有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源配線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａを形成したものである。 FIG. 3 is a schematic diagram showing a wiring structure of the organic EL device 1 of the present embodiment. As shown in FIG. 3, the organic EL device 1 includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction intersecting the scanning lines 101, and a plurality of power supply wirings 103 extending in parallel to the signal lines 102. Are respectively wired, and pixel regions A are formed in the vicinity of the intersections of the scanning lines 101 and the signal lines 102.

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。また、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極６（図１参照）に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極６に供給される駆動用ＴＦＴ４と、この駆動用ＴＦＴ４を介して電源配線１０３に電気的に接続したときに、電源配線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１と、この画素電極１１と共通電極１８との間に挟み込まれた機能層１５とが、設けられている。
そして、画素電極１１と共通電極１８と機能層１５とにより、有機ＥＬ素子３０が構成されている。 Connected to the signal line 102 is a data side driving circuit 104 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch. A scanning side driving circuit 105 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101. Further, each of the pixel regions A is supplied with a switching TFT 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode 6 (see FIG. 1) via the scanning line 101, and is supplied from the signal line 102 via this switching TFT 112. When the storage capacitor cap that holds the pixel signal, the driving TFT 4 to which the pixel signal held by the holding capacitor cap is supplied to the gate electrode 6, and the power supply wiring 103 through the driving TFT 4 are electrically connected Further, a pixel electrode 11 into which a driving current flows from the power supply wiring 103 and a functional layer 15 sandwiched between the pixel electrode 11 and the common electrode 18 are provided.
The pixel electrode 11, the common electrode 18, and the functional layer 15 constitute an organic EL element 30.

このような構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ４のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ４のチャネルを介して、電源配線１０３から画素電極１１に電流が流れ、さらに機能層１５を介して共通電極１８に電流が流れる。すると、機能層１５はこれを流れる電流量に応じて発光する。 According to such a configuration, when the scanning line 101 is driven and the switching TFT 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor cap, and the driving line is driven according to the state of the holding capacitor cap. The on / off state of the TFT 4 is determined. Then, current flows from the power supply wiring 103 to the pixel electrode 11 through the channel of the driving TFT 4, and further current flows to the common electrode 18 through the functional layer 15. Then, the functional layer 15 emits light according to the amount of current flowing through it.

このような構成の有機ＥＬ装置１を製造するには、まず、図４（ａ）に示すように、基板２上に絶縁膜３を形成し、絶縁膜３上に駆動用ＴＦＴ４、スイッチング用ＴＦＴ１１２及び前述の配線や回路等を形成する。すなわち、絶縁膜３上にポリシリコン等の半導体層５と、半導体層５を覆うゲート絶縁膜（図示略）とを形成し、その上にゲート電極６を形成する。次いで、半導体層５に不純物をドープしてソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を形成する。そして、これらを覆って層間絶縁膜７を形成し、さらにフォトリソグラフィ法によって層間絶縁膜７を貫通し、半導体層５のソース領域及びドレイン領域に到達するコンタクトホール７ａ，７ｂを形成する。 In order to manufacture the organic EL device 1 having such a configuration, first, as shown in FIG. 4A, an insulating film 3 is formed on a substrate 2, and a driving TFT 4 and a switching TFT 112 are formed on the insulating film 3. And the above-mentioned wirings and circuits are formed. That is, a semiconductor layer 5 such as polysilicon and a gate insulating film (not shown) covering the semiconductor layer 5 are formed on the insulating film 3, and a gate electrode 6 is formed thereon. Next, the semiconductor layer 5 is doped with impurities to form a source region, a drain region, and a channel region. Then, an interlayer insulating film 7 is formed so as to cover them, and contact holes 7a and 7b reaching the source region and the drain region of the semiconductor layer 5 through the interlayer insulating film 7 by photolithography are formed.

次に、図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜７上に電源配線１０３を形成する。次いで、層間絶縁膜７上にソース電極８およびドレイン電極９を形成する。
次いで、図４（ｃ）に示すように、スピンコート法等によってこれらを覆うようにアクリル樹脂等を成膜し、平坦化層１０を形成する。その際、その厚さについては、本実施形態では前記したように電源配線１０３の直上に位置する部位１０Ａにおいて、その厚さが２μｍ程度となるように形成する。このようにして平坦化層１０を形成すると、特に前記の部位１０Ａでは、他の部位、すなわち層間絶縁膜７上に直接形成された部位に比べ、その厚さが薄くなる。
次いで、フォトリソグラフィ法により、平坦化層１０を貫通し、ドレイン電極９に到達するコンタクトホール１０ａを形成する。 Next, as shown in FIG. 4B, the power supply wiring 103 is formed on the interlayer insulating film 7. Next, a source electrode 8 and a drain electrode 9 are formed on the interlayer insulating film 7.
Next, as shown in FIG. 4C, an acrylic resin or the like is formed so as to cover them by a spin coating method or the like, and the planarization layer 10 is formed. At this time, the thickness is formed so as to be about 2 μm in the portion 10A located immediately above the power supply wiring 103 as described above in the present embodiment. When the planarizing layer 10 is formed in this way, the thickness of the portion 10A becomes thinner than that of the other portion, that is, the portion directly formed on the interlayer insulating film 7.
Next, a contact hole 10 a that penetrates the planarization layer 10 and reaches the drain electrode 9 is formed by photolithography.

次に、図５（ａ）に示すように、平坦化層１０上に画素電極１１を形成し、コンタクトホール１０ａを介してドレイン電極９に接続する。
次いで、図５（ｂ）に示すように、画素電極１１及び平坦化層１０を覆ってＳｉＯ_２等からなる絶縁性の無機材料層１２０を形成する。そして、フォトリソグラフィ法等を用いて無機材料層１２０をパターニングし、画素電極１１を区画するとともに画素電極１１の上部を露出させる開口部１２ａと、無機材料層１２０を貫通して平坦化層１０の前記部位１０Ａに到達する溝状（格子状）の開口１２ｂとを形成し、これによって無機隔壁１２を形成する。
このとき、平坦化層１０は、その内部にガスを発生させる残留物や不純物が多く含まれた状態になっている。また、パターニング後のレジスト剥離時に、用いられたレジスト剥離液にさらされ、したがってこれによってもガスが発生し易くなっている。 Next, as shown in FIG. 5A, the pixel electrode 11 is formed on the planarization layer 10 and connected to the drain electrode 9 through the contact hole 10a.
Next, as shown in FIG. 5B, an insulating inorganic material layer 120 made of SiO ₂ or the like is formed so as to cover the pixel electrode 11 and the planarization layer 10. Then, the inorganic material layer 120 is patterned by using a photolithography method or the like to partition the pixel electrode 11 and expose the upper portion of the pixel electrode 11 and the planarizing layer 10 through the inorganic material layer 120. A groove-like (lattice-like) opening 12b reaching the portion 10A is formed, and thereby the inorganic partition wall 12 is formed.
At this time, the planarization layer 10 is in a state in which many residues and impurities that generate gas are contained therein. Further, when the resist is stripped after patterning, it is exposed to the resist stripping solution used, and accordingly, gas is easily generated.

次に、図５（ｃ）に示すように、前記無機隔壁１２の開口１２ｂ内に該開口１２ｂの長さ方向に沿って、すなわち、前記電源配線１０３と並行に、補助陰極２８をマスク蒸着法等によって形成する。また、マスク蒸着法に代えて、インクジェット法等の液滴吐出法により、導電性インクを選択的に配し、その後乾燥することにより、補助陰極２８を形成してもよい。その際、開口１２ｂの幅方向全域を補助陰極２８で充填することなく、開口１２ｂの両側部を開口させた状態にする。これにより、この補助陰極２８の両側の開口１２ｂ内を、平坦化層１０の前記部位１０Ａに到達する無機隔壁貫通孔１２ｃとする。 Next, as shown in FIG. 5C, the auxiliary cathode 28 is mask-deposited in the opening 12 b of the inorganic partition wall 12 along the length direction of the opening 12 b, that is, in parallel with the power supply wiring 103. Etc. are formed. Further, the auxiliary cathode 28 may be formed by selectively disposing conductive ink by a droplet discharge method such as an ink jet method instead of the mask vapor deposition method and then drying it. At that time, the entire widthwise direction of the opening 12b is not filled with the auxiliary cathode 28, and both sides of the opening 12b are opened. Thus, the openings 12b on both sides of the auxiliary cathode 28 are formed as the inorganic partition wall through-holes 12c that reach the portion 10A of the planarization layer 10.

次いで、図５（ｄ）に示すように、画素電極１１、無機隔壁１２、補助陰極２８、及び前記無機隔壁貫通孔１２ｃ内を覆ってスピンコート法等によりアクリル樹脂等を成膜し、有機材料層１３０を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法等によって有機材料層１３０をパターニングし、画素電極１１を露出させる開口部１３ａを形成するとともに、補助電極２８の上面の一部を露出させるコンタクトホール１３ｂを形成する。これにより、有機隔壁１３を形成する。
このとき、開口部１３ａについては、無機隔壁１２の開口部１２ａよりも一回り大きく形成する。これにより、無機隔壁１２と有機隔壁１３とを備え、無機隔壁１２の開口部１２ａと有機隔壁１３の開口部１３ａからなる開口部１４ａを有した、隔壁１４が形成される。 Next, as shown in FIG. 5D, an acrylic resin or the like is formed by spin coating or the like so as to cover the inside of the pixel electrode 11, the inorganic partition wall 12, the auxiliary cathode 28, and the inorganic partition wall through hole 12c. Layer 130 is formed. Subsequently, the organic material layer 130 is patterned by a photolithography method or the like to form an opening 13 a that exposes the pixel electrode 11 and a contact hole 13 b that exposes a part of the upper surface of the auxiliary electrode 28. Thereby, the organic partition wall 13 is formed.
At this time, the opening 13 a is formed to be slightly larger than the opening 12 a of the inorganic partition wall 12. As a result, the partition wall 14 is formed which includes the inorganic partition wall 12 and the organic partition wall 13 and has an opening portion 14 a including the opening portion 12 a of the inorganic partition wall 12 and the opening portion 13 a of the organic partition wall 13.

次に、画素電極１１の表面を洗浄処理し、続いて、画素電極１１と無機隔壁１２と有機隔壁１３とを形成した側の面に酸素プラズマ処理を行う。これにより、表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、基板２を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ_２プラズマ処理）を行う。 Next, the surface of the pixel electrode 11 is cleaned, and then oxygen plasma treatment is performed on the surface on which the pixel electrode 11, the inorganic partition wall 12, and the organic partition wall 13 are formed. Thereby, contaminants, such as an organic substance adhering to the surface, are removed and wettability is improved. Specifically, the substrate 2 is heated to a predetermined temperature, for example, about 70 to 80 ° C., and then plasma processing (O ₂ plasma processing) using oxygen as a reaction gas under atmospheric pressure is performed.

次いで、撥液化処理を行うことにより、特に有機隔壁１３の上面及び内面の濡れ性を低下させる。具体的には、大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ_４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基板２を室温まで冷却することで、有機隔壁１３の上面及び側面を撥液化し、その濡れ性を低下させる。
なお、このＣＦ_４プラズマ処理においては、画素電極１１の露出面および無機隔壁１２についても多少の影響を受けるが、画素電極１１の材料である金属等や無機隔壁１２の構成材料であるＳｉＯ_２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、酸素プラズマ処理で濡れ性が向上した面は濡れ性がそのままに保持される。
次に、基板２を、例えば、２００℃程度の温度に加熱してアニール処理を行う。 Next, the wettability of the upper surface and the inner surface of the organic partition wall 13 is lowered by performing a liquid repellent treatment. Specifically, plasma treatment (CF ₄ plasma treatment) using tetrafluoromethane as a reaction gas under atmospheric pressure is performed, and then the substrate 2 heated for the plasma treatment is cooled to room temperature, whereby organic The upper surface and side surfaces of the partition wall 13 are made liquid repellent, and the wettability is lowered.
In this CF ₄ plasma treatment, the exposed surface of the pixel electrode 11 and the inorganic partition wall 12 are also somewhat affected, but the metal that is the material of the pixel electrode 11 and the like, SiO ₂ that is the constituent material of the inorganic partition wall 12 and the like. Has poor affinity for fluorine, so that the wettability of the surface improved by the oxygen plasma treatment is maintained.
Next, the substrate 2 is heated to, for example, a temperature of about 200 ° C. to perform an annealing process.

次いで、図１に示したように、隔壁１４に囲まれた開口部１４ａ内に正孔注入・輸送層１６を形成する。この正孔注入・輸送層１６の形成工程では、スピンコート法や液滴吐出法が採用されるが、本実施形態では、開口部１４ａ内に正孔注入・輸送層１６の形成材料を選択的に配する必要上、特に液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。このインクジェット法により、正孔注入・輸送層１６の形成材料であるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの分散液を画素電極１１の露出面上に配し、その後、熱処理（乾燥・焼成処理）を、例えば、２００℃で１０分間程度行うことにより、厚さ２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の正孔注入・輸送層１６を形成する。 Next, as shown in FIG. 1, the hole injection / transport layer 16 is formed in the opening 14 a surrounded by the partition wall 14. In the step of forming the hole injection / transport layer 16, a spin coating method or a droplet discharge method is employed. In this embodiment, a material for forming the hole injection / transport layer 16 is selectively used in the opening 14a. In particular, an inkjet method that is a droplet discharge method is preferably employed. By this inkjet method, a dispersion of PEDOT-PSS, which is a material for forming the hole injection / transport layer 16, is disposed on the exposed surface of the pixel electrode 11, and then heat treatment (drying / firing treatment) is performed at, for example, 200 ° C. For about 10 minutes, the hole injection / transport layer 16 having a thickness of about 20 nm to 100 nm is formed.

次いで、この正孔注入・輸送層１６上に、発光層１７を形成する。この発光層１７の形成工程でも、上記の正孔注入・輸送層１６の形成と同様に、液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、インクジェット法により、発光層１７の形成材料を正孔注入・輸送層１６上に吐出し、その後、窒素雰囲気中にて１３０℃で３０分間程度熱処理を行い、隔壁１４に形成された開口部１４ａ内、すなわち画素領域Ａ上に厚さ５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の発光層１７を形成する。なお、発光層１７の形成材料中に用いる溶媒としては、正孔注入・輸送層１６を再溶解させないもの、例えば、キシレンなどが好適に用いられる。また、この発光層１７の形成方法については、正孔注入・輸送層１６の形成の場合と同様に、スピンコート法を採用することもできる。 Next, a light emitting layer 17 is formed on the hole injection / transport layer 16. In the formation process of the light emitting layer 17, as in the formation of the hole injection / transport layer 16, an ink jet method that is a droplet discharge method is preferably employed. That is, the material for forming the light emitting layer 17 is ejected onto the hole injecting / transporting layer 16 by an inkjet method, and then heat treatment is performed at 130 ° C. for about 30 minutes in a nitrogen atmosphere, so that the opening formed in the partition 14 A light emitting layer 17 having a thickness of about 50 nm to 200 nm is formed in 14a, that is, on the pixel region A. As the solvent used in the material for forming the light emitting layer 17, a solvent that does not re-dissolve the hole injection / transport layer 16, such as xylene, is preferably used. As for the formation method of the light emitting layer 17, a spin coating method can be adopted as in the case of forming the hole injection / transport layer 16.

次いで、発光層１７及び有機隔壁１３を覆ってＭｇＡｇなどの透明導電材料を成膜し、共通電極１８を形成する。この共通電極１８の形成では、正孔注入・輸送層１６や発光層１７の形成とは異なり、真空蒸着法等で行うことにより、画素領域Ａにのみ選択的に形成するのでなく、基板２のほぼ全面に共通電極１８を形成する。そして、これにより、前記有機隔壁１３のコンタクトホール１３ｂ内において、ここに露出する補助陰極２８に共通電極１８を導通させる。
その後、共通電極１８上に接着剤を用いて接着層１９を形成し、さらにこの接着層１９によって封止基板２０を接着し、封止を行う。 Next, a transparent conductive material such as MgAg is formed to cover the light emitting layer 17 and the organic partition wall 13 to form the common electrode 18. Unlike the formation of the hole injection / transport layer 16 and the light emitting layer 17, the formation of the common electrode 18 is not performed selectively only in the pixel region A by performing a vacuum deposition method or the like, A common electrode 18 is formed on almost the entire surface. As a result, the common electrode 18 is conducted to the auxiliary cathode 28 exposed in the contact hole 13b of the organic partition wall 13.
Thereafter, an adhesive layer 19 is formed on the common electrode 18 using an adhesive, and the sealing substrate 20 is further adhered by the adhesive layer 19 to perform sealing.

本実施形態の有機ＥＬ装置１によれば、前述したように、電源配線１０３の上方に、該電源配線１０３に並行して補助陰極２８を形成しているので、これら電源配線１０３や補助陰極２８が形成される領域、すなわち開口部（画素開口部）１４ａ以外の領域（非形成領域）を狭くし、相対的に開口部１４ａの形成領域を十分に広くすることができる。よって、開口率を高めてより良好な表示を行うことができる。 According to the organic EL device 1 of the present embodiment, as described above, the auxiliary cathode 28 is formed above the power supply wiring 103 in parallel with the power supply wiring 103. Therefore, the power supply wiring 103 and the auxiliary cathode 28 are formed. In other words, the region other than the opening (pixel opening) 14a (non-forming region) can be narrowed, and the formation region of the opening 14a can be made relatively wide. Therefore, a better display can be performed by increasing the aperture ratio.

また、平坦化層１０に通じる無機隔壁貫通孔１２ｃを形成しているので、発光層１７等の機能層１５の形成時、すなわちその熱処理時などに、平坦化層１０からガスが発生しても、このガスは無機隔壁貫通孔１２ｃを通って無機隔壁１２や画素電極１１、補助陰極２８の外側に抜け、さらに有機隔壁１３内を通り抜けて外部に排出される。したがって、平坦化層１０を例えば２μｍ以上に厚くしても、この平坦化層１０から発生するガスが外部に良好に排出されるため、平坦化層１０から発生するガスに起因してダークスポットが発生し、表示品質が低下してしまうといった不都合を防止することができる。 Further, since the inorganic partition wall through-hole 12c leading to the planarization layer 10 is formed, even if gas is generated from the planarization layer 10 during the formation of the functional layer 15 such as the light emitting layer 17, that is, during the heat treatment. The gas passes through the inorganic partition wall through-holes 12c to the outside of the inorganic partition wall 12, the pixel electrode 11, and the auxiliary cathode 28, and further passes through the organic partition wall 13 and is discharged to the outside. Therefore, even if the planarizing layer 10 is thickened to, for example, 2 μm or more, the gas generated from the planarizing layer 10 is well discharged to the outside, so that dark spots are generated due to the gas generated from the planarizing layer 10. It is possible to prevent the inconvenience that the display quality is deteriorated.

さらに、平坦化層１０の、電源配線１０３の直上に位置する部位１０Ａは、電源配線１０３による凸部を平坦化するといった平坦化層１０としての機能上、他の部位より厚さが薄くなっている。したがって、このように膜厚が相対的に薄くなっていることにより、平坦化層１０の内部で発生したガスは、前記部位１０Ａでより外側に抜け易くなっている。よって、この部位Ａに到達するように無機隔壁貫通孔１２ｃを形成しているので、平坦化層１０の内部で発生したガスが平坦化層１０中を通って無機隔壁貫通孔１２ｃに移動し、ここからより良好に外部に排出されるようになる。
また、このように平坦化層１０を厚くしても支障がないため、平坦化層１０を例えば１μｍ以上、好ましくは２μｍ以上と十分に厚くすることにより、電源配線１０３と補助陰極２８との間の耐圧を十分に確保することができる。 Further, the portion 10A of the flattening layer 10 located immediately above the power supply wiring 103 is thinner than the other portions in terms of the function as the flattening layer 10 such as flattening the convex portion by the power supply wiring 103. Yes. Therefore, since the film thickness is relatively thin in this way, the gas generated inside the planarization layer 10 is more likely to escape to the outside at the portion 10A. Therefore, since the inorganic partition wall through-hole 12c is formed so as to reach this part A, the gas generated inside the planarization layer 10 moves through the planarization layer 10 to the inorganic partition wall through-hole 12c, From here, it will be better discharged to the outside.
Further, there is no problem even if the thickness of the planarizing layer 10 is increased in this way, so that the planarizing layer 10 is sufficiently thick, for example, 1 μm or more, preferably 2 μm or more, so A sufficient withstand voltage can be secured.

また、隔壁１４の開口部１４ａ内に液状材料を配し、乾燥させて機能層１５を形成する際に、隔壁１４によって開口部１４ａ外部への液状材料の流出を防止することができる。また、開口部１４ａ内の有機隔壁１３と無機隔壁１２との境界部に無機隔壁１２を段差状に露出させているので、この境界部における無機隔壁１２の表面積を拡大して濡れ性を向上することができる。よって、液状材料が乾燥して体積が減少し、液面が有機隔壁１３と無機隔壁１２との境界部に近づくと、無機隔壁１２の濡れ性により液状材料の厚さが均一化され、機能層１５を平坦に形成することができる。 In addition, when the liquid material is disposed in the opening 14a of the partition wall 14 and dried to form the functional layer 15, the partition wall 14 can prevent the liquid material from flowing out of the opening 14a. In addition, since the inorganic partition wall 12 is exposed in a stepped manner at the boundary between the organic partition wall 13 and the inorganic partition wall 12 in the opening 14a, the surface area of the inorganic partition wall 12 at the boundary portion is increased to improve the wettability. be able to. Therefore, when the liquid material is dried and the volume is reduced, and the liquid surface approaches the boundary between the organic partition wall 13 and the inorganic partition wall 12, the thickness of the liquid material is made uniform by the wettability of the inorganic partition wall 12, and the functional layer 15 can be formed flat.

また、開口１２ｂを有する無機隔壁１２を形成した後に、プラズマ処理やアニール処理等により基板２を加熱することで、平坦化層１０の温度が上昇し、平坦化層１０の内部で発生したガスが開口部１２ａから排出されるようになる。したがって、平坦化層１０中の残留物や不純物が減少する。よって、有機ＥＬ素子３０を封止基板２０により封止した後の、平坦化層１０からのガスの発生を良好に防止し、ダークスポットの発生をより良好に防止することができる。 Moreover, after the inorganic partition wall 12 having the opening 12b is formed, the temperature of the planarization layer 10 is increased by heating the substrate 2 by plasma treatment, annealing treatment, or the like, and the gas generated in the planarization layer 10 is generated. It is discharged from the opening 12a. Therefore, residues and impurities in the planarizing layer 10 are reduced. Therefore, after the organic EL element 30 is sealed with the sealing substrate 20, the generation of gas from the planarization layer 10 can be prevented satisfactorily, and the generation of dark spots can be prevented better.

また、無機隔壁貫通孔１２ｃを、補助陰極２８の長さ方向に沿って溝状に形成したので、その開口面積を広くし、さらに、この無機隔壁貫通孔１２ｃを広い範囲に亘って開口させることができる。よって、平坦化層１０の内部で発生したガスをより良好に排出させることができ、ダークスポットの発生をより確実に防止することができる。 Further, since the inorganic partition wall through-hole 12c is formed in a groove shape along the length direction of the auxiliary cathode 28, the opening area thereof is widened, and the inorganic partition wall through-hole 12c is opened over a wide range. Can do. Therefore, the gas generated inside the planarizing layer 10 can be discharged more favorably, and the generation of dark spots can be more reliably prevented.

＜第２実施形態＞
図６は、本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態の、概略構成を示す要部側断面図である。図６に示した有機ＥＬ装置が図１に示した有機ＥＬ装置１と異なるところは、電源配線１０３上に配置される補助陰極と、無機隔壁貫通孔との位置にある。すなわち、図６に示したように本実施形態では、補助陰極２８は、無機隔壁１２の開口１２ｂの一方の側部側に偏って形成され、その一部が無機隔壁１２上に乗り上がって形成されている。したがって、開口１２ｂの他方の側部側が無機隔壁貫通孔１２ｃとなっており、ここから平坦化層１０内部で発生したガスが、この上に形成された有機隔壁１３を通って外部に排出されるようになっている。
よって、本実施形態の有機ＥＬ装置にあっても、平坦化層１０から発生するガスに起因してダークスポットが発生し、表示品質が低下してしまうといった不都合を防止することができる。 Second Embodiment
FIG. 6 is a side sectional view of an essential part showing a schematic configuration of a second embodiment of the organic EL device of the present invention. The organic EL device shown in FIG. 6 is different from the organic EL device 1 shown in FIG. 1 in the positions of the auxiliary cathode disposed on the power supply wiring 103 and the inorganic partition wall through hole. That is, as shown in FIG. 6, in the present embodiment, the auxiliary cathode 28 is formed to be biased toward one side of the opening 12 b of the inorganic partition wall 12, and a part of the auxiliary cathode 28 is formed on the inorganic partition wall 12. Has been. Accordingly, the other side of the opening 12b is an inorganic partition wall through-hole 12c, from which the gas generated inside the planarization layer 10 is discharged to the outside through the organic partition wall 13 formed thereon. It is like that.
Therefore, even in the organic EL device according to the present embodiment, it is possible to prevent a disadvantage that a dark spot is generated due to the gas generated from the planarization layer 10 and the display quality is deteriorated.

＜第３実施形態＞
図７は、本発明の有機ＥＬ装置の第３実施形態の、概略構成を示す要部側断面図である。図７に示した有機ＥＬ装置が図１に示した有機ＥＬ装置１と異なるところは、電源配線１０３上に配置される補助陰極と、無機隔壁貫通孔との位置、及び有機隔壁１３に有機隔壁貫通孔が形成されている点にある。すなわち、図７に示したように本実施形態では、補助陰極２８は、無機隔壁１２の開口１２ｂの両側部にそれぞれ形成され、それぞれの一部が無機隔壁１２上に乗り上がって形成されている。したがって、開口１２ｂの中央部が無機隔壁貫通孔１２ｃとなっており、ここから平坦化層１０内部で発生したガスが、この上に形成された有機隔壁１３を通って外部に排出されるようになっている。 <Third Embodiment>
FIG. 7 is a side sectional view showing a schematic configuration of a third embodiment of the organic EL device of the present invention. The organic EL device shown in FIG. 7 is different from the organic EL device 1 shown in FIG. 1 in that the position of the auxiliary cathode disposed on the power supply wiring 103 and the inorganic partition wall through-hole, and the organic partition wall 13 include the organic partition wall. The through hole is formed. That is, as shown in FIG. 7, in this embodiment, the auxiliary cathodes 28 are formed on both sides of the opening 12 b of the inorganic barrier 12, and a part of each is formed on the inorganic barrier 12. . Therefore, the central portion of the opening 12b is an inorganic partition wall through-hole 12c so that the gas generated inside the planarization layer 10 is discharged outside through the organic partition wall 13 formed thereon. It has become.

また、有機隔壁１３には、共通電極１８を補助陰極２８に導通させるためのコンタクホール１３ｂが形成されている。したがって、無機隔壁貫通孔１２ｃは、有機隔壁１３に覆われることなく、コンタクトホール１３ｂ内に露出することになる。つまり、コンタクトホール１３ｂは、前記無機隔壁貫通孔１２ｃに連通し、あるいはこれを通って平坦化層１０に到達する有機隔壁貫通孔となっているのである。
このような有機隔壁貫通孔（コンタクトホール１３ｂ）を形成したことにより、平坦化層１０の内部で発生したガスが無機隔壁貫通孔１２ｃを通り、さらに有機隔壁貫通孔を通ることで、外部により容易に排出されるようになる。
よって、本実施形態の有機ＥＬ装置にあっても、平坦化層１０から発生するガスに起因してダークスポットが発生し、表示品質が低下してしまうといった不都合を防止することができる。 In addition, a contact hole 13 b for conducting the common electrode 18 to the auxiliary cathode 28 is formed in the organic partition wall 13. Therefore, the inorganic partition wall through-hole 12 c is exposed in the contact hole 13 b without being covered with the organic partition wall 13. That is, the contact hole 13b is an organic partition wall through hole that communicates with the inorganic partition wall through hole 12c or reaches the planarization layer 10 through the contact hole 13b.
By forming such an organic partition wall through hole (contact hole 13b), the gas generated inside the planarization layer 10 passes through the inorganic partition wall through hole 12c, and further passes through the organic partition wall through hole. Will be discharged.
Therefore, even in the organic EL device according to the present embodiment, it is possible to prevent a disadvantage that a dark spot is generated due to the gas generated from the planarization layer 10 and the display quality is deteriorated.

なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、図１に示した実施形態では、開口１２ｂ内において補助陰極２８を格子状に形成し、この補助陰極２８の両側部を無機隔壁貫通孔１２ｃとしたが、この補助陰極２８中にも複数の貫通孔を形成し、これら貫通孔を前記無機隔壁貫通孔１２ｃと同様に機能させてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the embodiment shown in FIG. 1, the auxiliary cathodes 28 are formed in a lattice shape in the openings 12b, and both side portions of the auxiliary cathodes 28 are inorganic partition wall through holes 12c. These through holes may be made to function in the same manner as the inorganic partition wall through holes 12c.

その場合、開口１２ｂの幅方向の全域に補助陰極２８を形成し、この補助陰極２８中に形成した複数の貫通孔のみを、無機隔壁貫通孔１２ｃとして機能させてもよい。このようにしても、貫通孔（無機隔壁貫通孔１２ｃ）が広い範囲に亘って開口を有するようになるので、平坦化層１０の内部で発生したガスをより良好に排出することができ、したがってダークスポットの発生をより確実に防止することができる。 In that case, the auxiliary cathode 28 may be formed in the entire width direction of the opening 12b, and only the plurality of through holes formed in the auxiliary cathode 28 may function as the inorganic partition wall through holes 12c. Even in this case, since the through-hole (inorganic partition wall through-hole 12c) has an opening over a wide range, the gas generated inside the planarization layer 10 can be discharged better, and therefore Generation of dark spots can be prevented more reliably.

また、前記実施形態では、無機隔壁１２の開口１２ｂ内に少なくとも補助陰極２８の一部を形成するようにしたが、開口１２ｂ内に形成することなく、無機隔壁１２上に補助陰極２８を形成するようにしてもよい。このように構成すれば、前記開口１２ｂが本発明の無機隔壁貫通孔１２ｃとしてそのまま機能するようになる。 In the above embodiment, at least a part of the auxiliary cathode 28 is formed in the opening 12b of the inorganic barrier 12, but the auxiliary cathode 28 is formed on the inorganic barrier 12 without being formed in the opening 12b. You may do it. If comprised in this way, the said opening 12b will function as an inorganic partition through-hole 12c of this invention as it is.

また、前記実施形態ではトップエミッション方式の有機ＥＬ装置について説明したが、本発明を前記実施形態とは反対側から光を取り出すボトムエミッション方式の有機ＥＬ装置に適用できることは言うまでもない。
また、ＴＦＴなどを用いるアクティブマトリクスではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。 Although the top emission type organic EL device has been described in the above embodiment, it is needless to say that the present invention can be applied to a bottom emission type organic EL device that extracts light from the opposite side to the above embodiment.
Further, the same effect can be obtained at a low cost even when the present invention is implemented using an element substrate for a simple matrix instead of an active matrix using a TFT or the like and simple matrix driving is performed.

本発明の有機ＥＬ装置の第１実施形態の概略構成を示す側断面図である。1 is a side sectional view showing a schematic configuration of a first embodiment of an organic EL device of the present invention. 本発明の第１実施形態に係る貫通孔の開口の配置を示す模式平面図である。It is a schematic plan view which shows arrangement | positioning of the opening of the through-hole which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the wiring structure of the organic electroluminescent apparatus of this invention. （ａ）〜（ｃ）は本発明の有機ＥＬ装置の製造工程説明図である。(A)-(c) is manufacturing-process explanatory drawing of the organic electroluminescent apparatus of this invention. （ａ）〜（ｄ）は本発明の有機ＥＬ装置の製造工程説明図である。(A)-(d) is manufacturing-process explanatory drawing of the organic electroluminescent apparatus of this invention. 本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態を示す要部側断面図である。It is a principal part sectional side view which shows 2nd Embodiment of the organic electroluminescent apparatus of this invention. 本発明の有機ＥＬ装置の第３実施形態を示す要部側断面図である。It is a principal part sectional side view which shows 3rd Embodiment of the organic EL apparatus of this invention.

Explanation of symbols

１…有機ＥＬ装置、２…基板、１０…平坦化層（有機平坦化層）、１１…画素電極（第１電極）、１２…無機隔壁、１２ａ…開口部、１２ｂ…開口、１２ｃ…無機隔壁貫通孔、１３…有機隔壁、１３ａ…開口部、１３ｂ…コンタクトホール（コンタクト部、有機隔壁貫通孔）、１４…隔壁、１４ａ…開口部、１５…機能層、１７…発光層（有機発光層）、１８…共通電極（第２電極）、２８…補助陰極（補助第２電極）、１０３…電源配線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL device, 2 ... Substrate, 10 ... Planarization layer (organic planarization layer), 11 ... Pixel electrode (first electrode), 12 ... Inorganic partition, 12a ... Opening, 12b ... Opening, 12c ... Inorganic partition Through hole, 13 ... organic partition, 13a ... opening, 13b ... contact hole (contact part, organic partition through hole), 14 ... partition, 14a ... opening, 15 ... functional layer, 17 ... light emitting layer (organic light emitting layer) , 18 ... common electrode (second electrode), 28 ... auxiliary cathode (auxiliary second electrode), 103 ... power supply wiring

Claims

A substrate,
Power supply wiring provided on the substrate;
An organic planarization layer provided to cover the power supply wiring;
A first electrode provided on the organic planarization layer at a position avoiding the power supply wiring;
A partition wall provided with an opening that partitions the first electrode on the organic planarization layer and exposes an upper surface of the first electrode;
A functional layer having at least an organic light emitting layer provided in the opening of the partition;
A second electrode provided to cover the functional layer,
On the organic planarization layer, an auxiliary second electrode that is connected to the second electrode in parallel with the power supply wiring is provided above the power supply wiring,
The partition wall includes an inorganic partition wall provided so as to cover an upper portion of the power supply wiring.
The inorganic partition wall and the auxiliary second electrode are formed with an inorganic partition wall through-hole that penetrates the inorganic partition wall and the auxiliary second electrode and reaches the organic planarization layer located immediately above the power supply wiring. An organic electroluminescence device.

2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the inorganic partition wall through-hole is formed in a groove shape along a length direction of the auxiliary second electrode.

2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein a plurality of the inorganic partition wall through holes are formed along a length direction of the auxiliary second electrode.

The partition wall has an organic partition wall provided on the inorganic partition wall and covering the auxiliary second electrode, and the organic partition wall includes the auxiliary second electrode and the second electrode. The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 3, wherein a contact portion for conducting is formed.

5. The organic electroluminescent device according to claim 4, wherein the inorganic partition wall has lyophilicity, and the organic partition wall has liquid repellency.

5. The organic partition wall through-hole communicating with the inorganic partition wall through-hole or reaching the organic planarization layer through the inorganic partition wall through-hole is formed in the organic partition wall. 5. The organic electroluminescent device according to 5.

The said organic planarization layer consists of an acrylic resin or a polyimide resin, and the thickness of the just upper part of the said power supply wiring is formed in 1 micrometer or more, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. Organic electroluminescence device.