JP4925147B2 - 陰極 - Google Patents
陰極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4925147B2 JP4925147B2 JP2009534419A JP2009534419A JP4925147B2 JP 4925147 B2 JP4925147 B2 JP 4925147B2 JP 2009534419 A JP2009534419 A JP 2009534419A JP 2009534419 A JP2009534419 A JP 2009534419A JP 4925147 B2 JP4925147 B2 JP 4925147B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- cathode
- heat
- electron affinity
- oxidizing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
2 第一導電形CVDダイヤエピタキシャル膜
3 第二導電形CVDダイヤエピタキシャル膜
4 第一電極
5 第二電極
6 電子放出表面
11 第一導電形ダイヤモンド基板
12 第二導電形CVDダイヤエピタキシャル膜
13 第一電極
14 第二電極
15 電子放出表面
まず、負の電子親和力の構造について説明する。電磁気学から一般に、電子親和力は図1に示すように、表面の電気二重層の形成によって生じると考えられており、表面側に正電荷が生じる図1右側の双極子の配列構造に負の電子親和力は由来すると考えられている。このような構造は、実際にはダイヤモンドの水素終端表面において安定であると考えられており、水素終端したダイヤモンドの特異な物性として認知されている。内部の自由電子はこの双極子からなる電気二重層の作るエネルギー利得(外部へのポテンシャルドロップ)によって容易に外部に放出されると考えられる。一方、ダイヤモンドの酸素終端表面や炭素が表面に現れる清浄表面又は再構成表面では、逆の図1左側の状態となっており、正の電子親和力が生じて、容易に外部に放出されないと考えられる。そして、図1左側が一般的な材料の表面構造となっている。
図2では、室温でのダイヤモンドのバンドギャップ5.47eVに対し、1eV以上低い4.4eV付近から急激に光電子放出率が立ち上がるのがわかる。さらに、5.27eVから2桁以上立ち上がる。
図3に、この図2のバンドギャップ励起付近の詳細図を示す。四つの立ち上がりが確認できる。すなわち、低い励起光エネルギーから、5.26eV、5.315eV、5.485eV、5.54eVである。最大値と最小値、中央の二値、それぞれの平均は5.40eVであり、丁度ダイヤモンド中の自由励起子の基底状態と一致する。また、両組み合わせに対するエネルギー差はそれぞれ0.14eVと0.085eVで、これらは丁度、それぞれダイヤモンド中のTOフォノン、およびTAフォノンの、ダイヤモンド伝導帯底の運動量空間位置(X点方向0.76)における値と一致する。すなわち、ここで得られている放出された光電子は、光吸収の際に自由励起子生成を伴っていることを意味する。
現在、その発現機構については不明な点も多いが、本発明の実施例ではその存在についての結果も合わせて示し、本発明の特徴として関与していることを明らかにする。なお、表面伝導層の存在は抵抗値のみで決定されるものではない。半導体結晶本来の電気特性としての電荷密度が一桁以上増加し、かつ電荷の移動度が減少し、かつ大気中の吸着物によってこれら一連の現象が発現する場合に、表面伝導層が存在すると定義できる。
縦軸はエネルギーレベルE(eV)、横軸は結晶内部から真空に向けての空間位置を表す。自由励起子あるいはそれに相当するエネルギーを持った光が、結晶外部あるいは内部からダイヤモンドの負の電子親和力表面に到達すると、負の電子親和力表面固有の4.4eVのエネルギーギャップを超えたエネルギーを持つ電子状態間で自由励起子あるいは相当するエネルギーを持つ光の吸収が起こり、価電子帯に相当する表面占有準位から伝導帯に相当する表面非占有準位に電子が励起され、これが真空準位以上であるので外部に放出される原理を説明している。
図4に示す原理図より、ダイヤモンドから成る電子放出表面が負の電子親和力を持つ陰極では、該ダイヤモンドの伝導帯に自由電子を形成する、あるいは該ダイヤモンド内部に自由励起子を形成することができれば、陰極として動作する。
したがって、該ダイヤモンドが、pn接合を、又はpin接合を、又は金属ダイヤモンド接合を、又は単層を形成している陰極でよい。該ダイヤモンドへの電流注入、あるいは光照射、あるいは電子線照射により、該ダイヤモンド内部に自由電子あるいは自由励起子を形成することができ、陰極として動作する。
上記の実施の形態を踏まえつつ、以下に本発明の実施例を示し、さらに詳細に説明する。
1.ダイヤモンドIb(111)基板1上に第一導電型CVDダイヤエピタキシャル膜2を成長し、さらに第二導電型CVD膜3をエピタキシャル成長させる(図6A)。
2.膜3と膜2に段差を有するようにプラズマ加工する(図6B)。
3.全体に沸騰洗浄処理で酸化処理する。
4.膜2上に第一電極4を蒸着し、膜3上に第二電極5を蒸着する(図6C)。
5.膜3を真空中で熱処理し、電子放出表面6を形成する(図6D)。
図7において、「a」は−1.0(eV)[surface reconstruction(表面再構成によるエネルギー変化)]、「b」は+1.4(eV)[C−OH or C−O−C(水酸基との結合またはエーテル結合によるエネルギー変化)]、「c」は+2.9(eV)[C=O(カルボニル基との結合によるエネルギー変化)]となる。
横軸がPhoton Energy(励起光エネルギー)(eV)、縦軸がTotal Photoelectron Yield(全光電子放出率の測定値を対数でとったもの)(rel.units(相対値))で、6.2〜6.3eV付近に光電子が放出されるエネルギー閾値が存在することがわかる。これまでの知見から、これは価電子帯からの励起であることがわかる(非特許文献1、2、3)。したがって、バンドギャップエネルギー5.47eVを考慮すると、0.5±0.1eVの電子親和力が得られていることがわかる。誤差はフィッティングとフォノンエネルギーを考慮している。つまり、電子親和力は正である。
処理温度は600℃で処理時間は30分である。横軸が励起光エネルギー、縦軸が全光電子放出率の測定値を対数でとったもので、バンドギャップエネルギー5.47eVより低い励起光エネルギーに光電子が放出されるエネルギー閾値が存在することがわかる。
また、バンドギャップエネルギー付近で、スペクトルに幾つか立ち上がる閾値が存在しており、光電子放出率が二桁以上大きくなっていることがわかる。図2〜4で示したように、これは負の電子親和力の状態であることがわかる。
図10は、ダイヤモンド(111)表面をCVD処理し、熱混酸処理した後、Ar雰囲気中で420°CでRTA処理した後の特性を表す。「矢印g」は負の電子親和力χ<0eVを意味する。
不活性ガスとしてアルゴン(Ar)を使用し、5sccmの流量で圧力は200Pa、処理温度は420℃で30分である。横軸が励起光エネルギー、縦軸が全光電子放出率の測定値を対数でとったもので、バンドギャップエネルギー5.47eVより低い励起光エネルギーに光電子が放出されるエネルギー閾値が存在することがわかる。また、バンドギャップエネルギー付近で、スペクトルに幾つか立ち上がる閾値が存在しており、光電子放出率が二桁以上大きくなっていることがわかる。図2〜4で示したように、これは負の電子親和力の状態であることがわかる。
図7と同様に、炭素原子(C)のsp3電子に相当するエネルギー位置を0eVとした場合、+1.4eVと+2.9eVにピークが観測されている。それぞれ、C−OHまたはC−O−C結合、およびC=O結合の炭素原子のK殻電子の状態に相当すると考えられている。酸素(O)の量はほぼ0.26分子層(0.26ML)に相当し、図7の0.66MLが半分以下程度に減少している。また、再構成した炭素量は0.09分子層(0.09ML)であり、0.35MLが水素以外の終端状態として存在している。
横軸のWO(混酸による沸騰洗浄処理)、
WO−AN(混酸による沸騰洗浄処理後の熱処理)、
AO(1st)(大気中熱処理)、
AO−有機洗浄−AN(大気中熱処理後に、有機溶媒で洗浄してから、窒素雰囲気中で熱処理)、
AO(2nd)(AO−有機洗浄−AN処理後の二回目の大気中熱処理)、
AO−AN(大気中熱処理後にそのまま窒素雰囲気中で熱処理)、を表す。
図12より、請求項1の表面伝導層を兼ね備えた、負の電子親和力を持つ表面が、WO−ANによって得られたことがわかる。
つまり、段落0043又は段落0049に記載の製造方法により、請求項1の電子放出面がダイヤモンドから成る陰極で、該表面が表面伝導層を持ち、かつ該表面の酸素被覆率が0.2〜0.5MLであり、かつ負の電子親和力を持つ陰極が得られた。
図13左が水素終端表面、および熱処理によって水素が部分的に脱離した表面に対応し、図13右は酸化により得られた表面と熱処理によって得られた表面を示す。図13の左下と右上で、水素(H)および酸素(O)いずれも終端していない部分は、表面欠陥の存在を示している。
図14に水素終端を熱処理した場合に現れる表面欠陥準位に対応した全光電子放出率分光スペクトルの一例を示す。
図14はIIa(001)(IIa型は真性半導体程度の高純度ダイヤモンド結晶を表し、(001)は結晶面方位を表す)の特性を示し、図14(A)は超高真空中、600°Cで1時間のアニールを行った特性、図14(B)は超高真空中、670°Cで1時間のアニールを行った特性、図14(C)は超高真空中、830°Cで1時間のアニールを行った特性、を表す。
しかし本請求項に記載の熱処理によって、SCおよびNEAとも回復する。つまり、熱処理によって酸素終端は部分的に残っているが、残りの部分は水素終端が回復していると言える。つまり水素終端表面は熱処理等によってNEAは不安定であるが、酸素終端表面を熱処理して得られる安定な表面でNEAを発現できることが、本発明の原理であるといえる。なお、部分的水素終端表面である図12左下の状態からNEAを回復するには、酸化処理しても右上の状態にとどまるだけであるので、有効ではない。水素プラズマ処理等で再水素化処理という完全初期化プロセスで左上にすれば、NEAが回復することは自明である。
図17に図16の陰極の製造方法を示す。本実施例で得られる陰極の高温高圧法で合成されるp形IIb(100)基板を用意した。大きさは、2.5mm×2.5mmで厚さ0.5mmである。この基板上に、メタンガスと水素ガスの流量比1%とした。全ガス流量400sccmで、圧力75Torr、マイクロ波750W、基板温度900℃でマイクロ波プラズマCVD合成により、n形CVD(100)ダイヤモンド薄膜を作製した。成長直後は水素終端表面を有し、負の電子親和力を持つ。これを硝酸と硫酸を1:3の比とする混酸中で、230℃で1時間煮沸させる。
1.第一導電型ダイヤモンド(001)基板11上に第二導電型CVDダイヤエピタキシャル膜12を成長させる(図17A)。
2.全体に沸騰洗浄処理で酸化処理する。
3.膜12上に第一電極13を蒸着し、膜1上に第二電極14を蒸着する(図17B)。
4.真空中で熱処理し、電子放出表面15を形成する(図17C)。
p形であるがこの表面と同じCVD(001)ダイヤモンド薄膜の光電子放出率の分光スペクトルでは、7.5 eV付近まで明瞭な光電子放出は観測されなかった。バンドギャップエネルギー5.47eVを考慮すると、2.0eV以上の電子親和力が得られていることがわかる。つまり、電子親和力は正である。
真空度は10-7Pa台で、処理温度は800℃、処理時間30分である。横軸が励起光エネルギー、縦軸が全光電子放出率の測定値を対数でとったもので、バンドギャップエネルギー5.47eVより低い励起光エネルギーに光電子が放出されるエネルギー閾値が存在することがわかる。また、バンドギャップエネルギー付近で、スペクトルに立ち上がる閾値が存在しており、光電子放出率が5倍程度大きくなっていることがわかる。図2〜4で示したように、これは負の電子親和力の状態であることがわかる。
図19中、混酸による沸騰洗浄処理後が黒四角、200℃での真空中熱処理後が実線、600℃での処理後が白三角、900℃での処理後が白丸である。明らかに、600℃での処理後以外は負の電子親和力が得られていない。ただし900℃の結果ではバンドギャップ付近からまだ光電子放出率スペクトルの成分が残っていることを踏まえて、この比較例から、熱処理温度範囲は200℃より高く、900℃以下であることがわかる。
図20は、ダイヤモンド(001)表面のWOにおける、C1sコアレベルシフトのスペクトルである。
図20において、「p」は−1.1(eV)、「q」は+1.3(eV)[C−OH or C−O−C]、「r」は+2.6(eV)[C=O]となる。
炭素原子(C)のsp3電子に相当するエネルギー位置を0eVとした場合、の+1.3eVと+2.6eVにピークが観測されている。それぞれ、C−OHまたはC−O−C結合、およびC=O結合の炭素原子のK殻電子の状態に相当すると考えられている。表面は、水素終端表面の2x1再構成から1x1再構成している。酸素(O)の量はほぼ0.55分子層(0.55ML)に相当し試料表面は酸化された。また、再構成した炭素量は0.17分子層(0.17ML)であり、0.72MLが水素以外の終端状態に変化した。全反射赤外吸収フーリエ変換赤外分光(ATR−FTIR)スペクトルからもC−H結合は観測されず、水素終端はほぼ除去されたと言える。
図21において、「s」は−1.1(eV)、「t」は+1.3(eV)[C−OH or C−O−C]、「u」は+2.6(eV)[C=O]となる。
不活性ガスとしてアルゴン(Ar)を使用し、5sccmの流量で圧力は200Pa、処理温度は420℃で30分である。図7、9、20と同様に、炭素原子(C)のsp3電子に相当するエネルギー位置を0eVとした場合、+1.4eVと+2.9eVにピークが観測されている。それぞれ、C−OHまたはC−O−C結合、およびC=O結合の炭素原子のK殻電子の状態に相当すると考えられている。酸素(O)の量はほぼ0.51分子層(0.51ML)に相当し、図20の0.55MLとほぼ同程度である。また、再構成した炭素量は0.25分子層(0.25ML)であり、0.76MLが水素以外の終端状態として存在している。
Claims (12)
- 電子放出表面がダイヤモンドから成っており、該ダイヤモンド表面が表面伝導層を持ち、かつ該表面の酸素被覆率が0.2〜0.5MLであり、かつ負の電子親和力を持つことを特徴とする陰極。
- 前記ダイヤモンドが単結晶であることを特徴とする請求項1記載の陰極。
- 前記ダイヤモンド単結晶表面が(111)面、又は(100)面、又は(110)面のいずれか一つであることを特徴とする請求項2記載の陰極。
- 前記ダイヤモンドが多結晶であることを特徴とする請求項1記載の陰極。
- 前記ダイヤモンド多結晶表面が(111)面、又は(100)面、又は(110)面のいずれか一つに配向していることを特徴とする請求項4記載の陰極。
- 前記ダイヤモンドが、pn接合、pin接合、金属ダイヤモンド接合、および単層のうちのいずれか1つを形成し、前記ダイヤモンドから成る電子放出表面が負の電子親和力を持ち、該ダイヤモンド内部に自由電子あるいは自由励起子を形成することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の陰極。
- 電子放出表面がダイヤモンドから成っており、該ダイヤモンド表面を混酸による沸騰洗浄処理で酸化処理する工程と、前記酸化処理されたダイヤモンド表面を真空中で200℃より高く900℃以下で熱処理する工程とを備えたことを特徴とする陰極の製造方法。
- 前記酸化処理する工程を、ダイヤモンド表面を混酸による沸騰洗浄処理で酸化処理する工程の代わりに、前記ダイヤモンド表面を大気中で200℃より高く900℃以下の熱処理で酸化処理する工程としたことを特徴とする請求項7記載の陰極の製造方法。
- 前記酸化処理する工程を、ダイヤモンド表面を混酸による沸騰洗浄処理で酸化処理する工程の代わりに、前記ダイヤモンド表面を酸素プラズマ中で酸化処理する工程としたことを特徴とする請求項7記載の陰極の製造方法。
- 前記熱処理する工程を、酸化処理されたダイヤモンド表面を真空中で200℃より高く900℃以下で熱処理する工程の代わりに、前記酸化処理されたダイヤモンド表面を不活性ガス中で200℃より高く900℃以下で熱処理する工程としたことを特徴とする請求項7記載の陰極の製造方法。
- 前記酸化処理する工程を、ダイヤモンド表面を混酸による沸騰洗浄処理で酸化処理する工程の代わりに、前記ダイヤモンド表面を大気中で200℃より高く900℃以下の熱処理で酸化処理する工程とし、
前記熱処理する工程を、酸化処理されたダイヤモンド表面を真空中で200℃より高く900℃以下で熱処理する工程の代わりに、前記酸化処理されたダイヤモンド表面を不活性ガス中で200℃より高く900℃以下で熱処理する工程としたことを特徴とする請求項7記載の陰極の製造方法。 - 前記酸化処理する工程を、ダイヤモンド表面を混酸による沸騰洗浄処理で酸化処理する工程の代わりに、前記ダイヤモンド表面を酸素プラズマ中で酸化処理する工程とし、
前記熱処理する工程を、酸化処理されたダイヤモンド表面を真空中で200℃より高く900℃以下で熱処理する工程の代わりに、前記酸化処理されたダイヤモンド表面を不活性ガス中で200℃より高く900℃以下で熱処理する工程としたことを特徴とする請求項7記載の陰極の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009534419A JP4925147B2 (ja) | 2007-09-27 | 2008-09-26 | 陰極 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007251548 | 2007-09-27 | ||
JP2007251548 | 2007-09-27 | ||
JP2009534419A JP4925147B2 (ja) | 2007-09-27 | 2008-09-26 | 陰極 |
PCT/JP2008/067482 WO2009041612A1 (ja) | 2007-09-27 | 2008-09-26 | 陰極及び陰極の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009041612A1 JPWO2009041612A1 (ja) | 2011-01-27 |
JP4925147B2 true JP4925147B2 (ja) | 2012-04-25 |
Family
ID=40511492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009534419A Expired - Fee Related JP4925147B2 (ja) | 2007-09-27 | 2008-09-26 | 陰極 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4925147B2 (ja) |
WO (1) | WO2009041612A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1667188A4 (en) * | 2003-09-16 | 2008-09-10 | Sumitomo Electric Industries | DIAMONDELECTRONIC MIXER AND ELECTRON BEAM SOURCE WITH IT |
CN113046722B (zh) * | 2021-05-27 | 2021-10-22 | 武汉大学深圳研究院 | 面向nv色心的氧覆盖金刚石表面结构及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09320450A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出素子及びその製造方法 |
JP2001068011A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Japan Science & Technology Corp | n型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイス |
-
2008
- 2008-09-26 JP JP2009534419A patent/JP4925147B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-26 WO PCT/JP2008/067482 patent/WO2009041612A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09320450A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出素子及びその製造方法 |
JP2001068011A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Japan Science & Technology Corp | n型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009041612A1 (ja) | 2009-04-02 |
JPWO2009041612A1 (ja) | 2011-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Nan et al. | Recent advances in plasma modification of 2D transition metal dichalcogenides | |
James et al. | A review of surface functionalisation of diamond for thermionic emission applications | |
Ebaid et al. | Water splitting to hydrogen over epitaxially grown InGaN nanowires on a metallic titanium/silicon template: reduced interfacial transfer resistance and improved stability to hydrogen | |
Kalish | Diamond as a unique high-tech electronic material: difficulties and prospects | |
US8617651B2 (en) | Low work function diamond surface and radiation energy converters using same | |
US9748581B2 (en) | Functionalized graphene-Pt composites for fuel cells and photoelectrochemical cells | |
Chiang et al. | Bifunctional monolayer WSe2/graphene self-stitching heterojunction microreactors for efficient overall water splitting in neutral medium | |
WO2009119179A1 (ja) | 電子放出素子 | |
Hwang et al. | Growth of β-Ga2O3 and GaN nanowires on GaN for photoelectrochemical hydrogen generation | |
Sim et al. | Double-layer graphene outperforming monolayer as catalyst on silicon photocathode for hydrogen production | |
WO2020116151A1 (ja) | 窒化物半導体光電極の製造方法 | |
JP2018204044A (ja) | 半導体電極とその製造方法 | |
Reddeppa et al. | Hydrogen passivation: a proficient strategy to enhance the optical and photoelectrochemical performance of InGaN/GaN single-quantum-well nanorods | |
JP6715172B2 (ja) | 半導体光電極の製造方法 | |
JP4925147B2 (ja) | 陰極 | |
WO2016147603A1 (ja) | 熱電子発電素子及びその製造方法 | |
JP5083874B2 (ja) | 電子源 | |
Han et al. | Photoelectrochemical water-splitting using GaN pyramidal dots and their long-term stability in the two-electrode configuration | |
WO2007129610A1 (ja) | ダイヤモンド表面処理方法及びそのダイヤモンド薄膜を用いたデバイス | |
JP2014227563A (ja) | 二酸化炭素還元用光化学電極、二酸化炭素還元装置、及び二酸化炭素の還元方法 | |
US20160222525A1 (en) | Water splitting method | |
Yavuz et al. | Ag nanowire coated reduced graphene oxide/n-silicon Schottky junction based solar cell | |
JP2010189227A (ja) | 光応答性を有する半導体材料、光電極材料及びその製造方法 | |
Grodzicki et al. | Sb layers on p-GaN: UPS, XPS and LEED study | |
Ngamprapawat et al. | Current Injection into Single-Crystalline Carbon-Doped h-BN toward Electronic and Optoelectronic Applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4925147 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |