JP4920844B2 - 絶縁体上シリコンの基板上の光スイッチの構造体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信システムにおける伝送路交換に用いられるミラー構造体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信システムでは、光の伝送経路の交換（switch）がしばしば必要とされ、種々のアプローチが提案されている。微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）ミラーに基づく光交換は、通信システムにとって特に魅力的な方法である。反射ＭＥＭＳミラーを用いた光スイッチは、自由空間光伝送が利用できるとともに大規模の光クロスコネクトシステムに対してスケーリング可能であるために有用である。このアプローチは、約１０００ｘ１０００規模の光クロスコネクトシステムが現在要求されているために重要である。光クロスコネクトシステムにおけるＭＥＭＳミラーの運動は、通常、静電的、電磁的、圧電的または熱による作動力によって行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このように、反射ＭＥＭＳミラーを用いた光スイッチが求められている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の１実施形態による光クロスコネクトシステムは、一般的な概念として、ＭＥＭＳチルトミラー（tilt mirror）の２次元アレイを使用して、第１の光ファイバからの光を第２の光ファイバに向ける。２次元アレイの各ＭＥＭＳチルトミラーは、そのｘ軸及びｙ軸を中心に回転可能で、絶縁体上シリコン（Silicon on insulator）基板に取付けられた複数のサスペンションアームにより吊られて（suspendedされて）いる。
【０００５】
【発明の実施の形態】
図１には、本発明による光クロスコネクトシステム１００の１実施形態が示されている。ＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４を使用して、光ファイバ１１０の２次元アレイ１０８から入射する光ビーム１０１を、光ファイバ１１１の２次元アレイ１１２に向ける。各ミラーは、一般に２つの非同一線上軸の周りをそれぞれ回転可能になっている。チルトミラー１０６の通常の直径（diameter）は、３００μｍから１０００μｍの範囲である。例えば、光ファイバ１１０から発生した光ビーム１０１は、一般に約５０μｍ以上の直径を有する小型レンズ１１５を用いてコリメート（視準；collimate）され、チルトミラー１０６に投射される。チルトミラー１０６は、光ビーム１０１を小型レンズ（lenslet）１１６に向け、小型レンズ１１６はこの光ビーム１０１を光ファイバ１１１に収束（forcus）させる。このように、光クロスコネクトシステム１００により、２次元アレイ１０８状の光ファイバ１１０の任意の１つから発生した光ビーム１０１を、２次元アレイ１０４状のチルトミラー１０６のいずれかによって、２次元アレイ１１２中の選択された光ファイバ１１１に向けることができる。なお、チルトミラー１０６の数は、入光側の光ファイバ１１０の数に等しく、光ファイバ１１０の数は光クロスコネクトシステム１００の出力側の光ファイバ１１１の数に等しい。
【０００６】
図１の光ビーム１０１は、一般に正面から光ファイバ１１１に入射しないので、これが光ファイバ１１１の開口の問題（aperture issue）を招く可能性がある。特に、光ファイバの２次元アレイがより大きい場合または光伝送路（システム内の光の行路）がより短い場合には、走査角度が大きくなる。図２には、本発明による光クロスコネクトシステム１２５が示されている。この光クロスコネクトシステム１２５では、光ビーム１０１は正面から光ファイバ１１１に入射可能である。光クロスコネクトシステム１２５は、チルトミラー１０７の２次元アレイ１０５を含み、光ビーム１０１が確実に正面から光ファイバ１１１に入射するようにしている。光ファイバ１１０から発した光ビーム１０１はまずチルトミラー１０６に当たり、チルトミラー１０７に反射する。チルトミラー１０７は光ビーム１０１を反射して正面から光ファイバ１１１に入射させる。しかしながら、光クロスコネクトシステム１２５では、光クロスコネクトシステム１００で必要なチルトミラーの２倍の数のチルトミラーが必要である。最大ミラーチルト角度は、チルトミラー１０６または１０７が２次元アレイ１０５、１０４の最も離れたミラーに達するために必要な最大角度変位である。ビームの半径を１８０μｍとし、光伝送路の長さを８ｃｍとした場合、この構成における通常の最大ミラーチルト角度は、２次元アレイ１０４及び１０５で、約３．２５゜である。
【０００７】
図３には、光回路交換のためのｎ×１光スイッチの、本発明による１実施形態が示されている。光ビーム１０１は、２次元アレイ１０８の光ファイバ１１０のいずれかから出射し、小型レンズ１１５の２次元アレイを通過してチルトミラーの２次元アレイ１０４に収束され、チルトミラー１０６によってチルトミラー１１７上に反射する。チルトミラー１１７は光ビーム１０１を小型レンズ１１７を通過させて光ファイバ１１４の所望の一つに向ける。ｎ×１の光スイッチを用いると、２次元アレイ１０８中のｎ個（ｎ≧ｍ）の互いに異なる光ファイバ１１０から発せられたものから選択可能なｍ個の互いに異なる波長のサブセットを、光ファイバ１１４の所望の１つに多重送信（multiplex）する。
【０００８】
図４には、光回路交換（optical circuit switching）のための１×ｎ光スイッチの、本発明による１実施形態が示されている。光ファイバ１１９から出射した光ビーム１０１は、小型レンズ１０８を通過し、チルトミラー１７７に収束され、チルトミラー１７７によりチルトミラーの２次元アレイ１０５の所望のチルトミラー１０７に反射する。チルトミラー１０７は、光ビーム１０１に小型レンズ１１６の２次元アレイを通過させ、光ファイバの２次元アレイ１１２の所望の１つの光ファイバ１１１に収束させる。１×ｎ光スイッチを用いると、光ファイバ１１９からの光ビーム１０１の経路を、光ファイバ１１１の任意の１つに振り分け（route）る。
【０００９】
本発明による別の実施形態が図５に示されている。光クロスコネクトシステム１５０は、チルトミラー１０６及び１０７の２次元アレイと、入光側光ファイバ１１０と出光側光ファイバ１１２から構成される２次元アレイとを有する。光クロスコネクトシステム１５０は、さらに反射板１８０を備える。光ビーム１０１は光ファイバ１１０から出射して、小型レンズ１１５により集光され、チルトミラー１０６によって反射板１８０に反射する。反射板１８０で反射した光ビーム１０１は、チルトミラー１０７により小型レンズ１１５に反射し、小型レンズ１１５は光ビーム１０１を光ファイバ１１２に正面から入射させる。
【００１０】
ミラーの形状は、円形、楕円形、または多角形に調節（adjust）できる。例えば、楕円形のミラー形状により、ある角度で入射する円形ビームの投射（projection）を捉えることができる。図６には、円形ビーム３００の放射線（rays）に対して角度ｂで楕円形ミラー３１０に入射する円形ビーム３００を示す。楕円形ミラー３１０の最適なアスペクト比は、角度ｂから求めることができる。
【００１１】
図７には、本発明の１実施形態によるチルトミラー１０６及びチルトミラー１０７の基本構造が示されている。チルトミラーの構造体には別のジオメトリを用いてもよいが、サスペンションアーム４５０に代わる構成を用いた場合でも、チルトミラー構造体がアンカーポイント４４０のあいだで長く延びていなければならない。そうでないと、解放層(release layer）エッチング後にミラー構造体を持ち上げさせることができない。
【００１２】
図７のミラー４０５の表面は、正確な光学ポインティング（optical pointing）を可能にすべく、実質的に平坦で応力のかけられていない（stress free）金属である。ミラー４０５は、曲げヒンジ（flexture hinges）によりサスペンションアーム４５０に取付けられている。サスペンションアーム４５０は通常ニッケルで形成され、電極４１０の作動によりミラー４０５が軸４７６及び４７５を中心に回転するための隙間（ゆとり）を提供している。以下に説明する解放エッチング（release etch）の間、ミラー４０５は自動的に持ち上がり、基板４９９（図１０参照のこと）からの持ち上がった時にはミラーはそれ自身の平面においてわずかに回転する。直径が約３００〜１０００μｍのミラー４０５の通常の高さは、およそ２０〜１００μｍである。４つのサスペンションアームにそれぞれ関連する４つの作動電極４１０を、一般に約１０〜５０ボルトの作動電圧で個別に充電し、ミラー４０５を軸４７５及び軸４７６を中心にチルト回転させてもよい。さらに、図７に示すように、電極はミラー４０５の下部に延びてもよい。
【００１３】
作動電極４１０は、ＤＣまたはＡＣ駆動のいずれによっても作動できる。ＡＣ作動を用いる場合、ＡＣ駆動の周波数は、作動対象である機械システムの応答時間に比べ、かなり高くなければならない。ＡＣ駆動は、作動電極４１０の間またはこれに近接して設けられた誘電材料における潜在的な電荷の蓄積を回避する。作動電極４１０は、正電圧と、これにほぼ等しい負電圧とで交替するバイポーラ信号で駆動するのが効果的である。この交替波形は、立上がり及び立下がり時間が例えばチルトミラー１０６及び１０７の機械応答時間より実質的に短かければ、一般的に矩形シヌソイド（square shaped sinusoidal）でも、三角形でも、または他の適当な形状でもよい。
【００１４】
例えば波形が矩形の場合、チルトミラー１０６及び１０７の機械的応答周波数が約１ｋＨｚであれば、通常の駆動周波数は１ｋＨｚ以上である。作動力は作動電圧の二乗に比例するので、電圧の符号には影響されない。作動力が変化するのは、電圧が逆の符号の電圧に遷移するときのみである。よって、この遷移時間を、例えばチルトミラー１０６及び１０７の共振時間（resonance period）に比べて短くする必要がある。バイポーラ信号は誘電材料における電荷の蓄積を低減するが、これは誘電材料に蓄積された正味電荷が平均すると、ほぼ「０」になるからである。ＤＣ信号で作動する場合には、誘電材料中に正味電荷がある時間蓄積する可能性があり、この作用により印加された作動電圧がスクリーニングあるいは干渉されることがある。
【００１５】
図７に示される、本発明によるチルトミラー１０６及び１０７の基本構造は、応力処理された（stress-engineered）金属フィルムに基づいている。すなわち、ミラー４０５及び曲げヒンジ４１５は、応力を受けないよう設計され、ミラー４０５の周囲に沿って設けられたサスペンションアーム４５０はニッケルで形成され、応力勾配（stress gradient）を組込んだＭｏＣｒ層を有する。サスペンションアーム４５０は、アンカーポイント４４０にて基板に固定されている。曲げヒンジ４１５は、ミラー４０５をサスペンションアーム４５０に取付けると共に、ミラー４０５から応力及びひずみ（strain）を分離することにより正確な光学ポインティングのための平坦性を維持し、かつミラーの持ち上げ及び作動に必要な軸を中心にした回転を柔軟にする。
【００１６】
軸４７５及び軸４７６に対する作動力は、基板及びサスペンションアーム４５０の間に位置する電極４１０間の引力により生成される。本発明による別の実施形態では、電極４１０はサスペンションアーム４５０の下部だけでなく、図７に示すようにミラー４０５の各四分円の下部にも延びることで総作動力を高めている。作動電極４１０をサスペンションアーム４５０の下部領域に限定すると、アンカーポイント４４０付近から作動を開始した場合、単位面積当たりの力が大きくなる。すなわち、アンカーポイント４４０では、電極とサスペンションアーム４５０の最初の隔たりが最小で、その後、サスペンションアームが電極４１０に向かって引きつけられると、この隔たりがサスペンションアーム４５０の長さに沿って「ジッパーを閉めるように」減少し始める。
【００１７】
２つ以上、通常は４つのサスペンションアーム４５０がチルトミラー１０６及び１０７の構造において使用できる。サスペンションアーム４５０の作動力だけでミラーを作動する場合には、２つの非同一線上軸を中心にチルト回転できるよう、最低３つのサスペンションアーム４５０が必要である。電極４１０をミラー４０５の下部に延びるようにしてミラーを１傾斜軸を中心に作動する場合には、２つのサスペンションアーム４５０によって２軸を中心にしたチルト回転を実現できる。
【００１８】
本発明による別の実施形態も可能である。例えば、全てのサスペンション構造に対する要件として、サスペンションアーム４５０または４５５（図９参照）と曲げヒンジ４１５の少なくともいずれかがアンカーポイント４４０の間で変形可能である。図７及び図８に示される実施形態では、ミラー４０５を包囲するサスペンションアーム４５０を用いることにより変形を実現する。図９に示される実施形態では、サスペンションアーム４５５の長さ方向の屈曲部（flextures）４５６によって変形が行われる。変形が可能なその他の実施形態も、当業者には明白である。
【００１９】
図１０は、図７に示される基本構造の断面図であり、ここでは電極４１０はサスペンションアーム４５０の下部にのみ配置されている例を示す。
【００２０】
光伝送路の長さ（入力光ファイバの２次元アレイ１０８の出射表面と、出力側光ファイバの２次元アレイ１１２の入射表面との間の距離として決定する）は、多数のデザインパラメータに影響する。一般的な光伝送路の長さは約５ｃｍ〜１０ｃｍの範囲である。図１から図３に示す実施形態のより長い光学伝送路は、チルトミラー１０６及び１０７が光ファイバの２次元アレイ１０８及び１１２にそれぞれ到達するために必要な走査角度を減少できるため効果的である。走査角度の減少により、チルトミラー１０６及び１０７が所与の共振周波数またはスイッチ速度を得るために必要な作動電圧が減少し、あるいは作動電圧が一定であればスイッチ速度を高めることができる。また、走査角度が減少することで、曲げヒンジ４１５及び長さ方向の屈曲部４５６などの曲げ要素に作用する機械的応力を低減することができる。機械的応力が減少すれば、金属疲労またはヒステリシスの潜在的な問題を低減することができる。
【００２１】
しかしながら、光学伝送路を長くすると、光ビームのコリメート（視準）の必要が高まる。コリメート（視準）光学系は、入光側光ファイバの２次元アレイ１０８の出射表面および出光側光ファイバの２次元アレイ１１２の入射表面の付近に配置する必要がある。通常、小型レンズ１１５及び１１６の２次元アレイにより実現するが、屈折率分布型（ＧＲＩＮ）コリメータ、ボールレンズ、または視準に適した他の光学要素を使用することもできる。コリメート（視準）光学系では、光ビーム中に、限定された残留発散（residual divergence）が必ず生じる。例えば、市販のＧＲＩＮファイバコリメータは、一般に、０．１〜０．２５度の残留発散角度を残す。この発散角度と光伝送路の長さとの組み合わせにより、チルトミラー１０６及び１０７に必要な大きさが決定する。強度損失を避けるために、チルトミラー１０６及び１０７は、最大光ビーム直径より大きくなければならない。所与の発散角度に対し、光伝送路が長いほど大きいチルトミラー１０６及び１０７が必要であり、この結果、より大きいチルトミラー１０４，１０５及び１６５の２次元アレイ、及びより大きいアレイピッチが要求される。そして、アレイピッチが大きいほど、大きい走査角度が必要になる。
【００２２】
一般的な光ビームの直径は、約０．３ｍｍ〜０．５ｍｍである。視準及び拡張光学系の後のビームの直径によりデザインの自由度が提供される。光ビームの直径が拡張すると、全光学要素の位置的公差が緩和され、この結果パッケージングが簡単になるが、ミラーに要求されるサイズは増加する。一般的なミラーの直径は、通常約３００μｍから１ｍｍの範囲である。ミラーサイズが大きくなると、ミラー表面を光学的に平坦に保つのが難しくなる。ミラーの厚さを厚くすれば、ミラー表面を光学的に平坦に保つ能力が強化される。チルトミラー１０６及び１０７の一般的な厚さは、１μｍから１５μｍの範囲である。
【００２３】
チルトミラー１０６及び１０７は、残留コリメータ発散とともに光ビーム発散に寄与する反り（bow）を有してもよい。図１１は、曲率半径Ｒ、直径ｗ、反りｘ、入射視準ビーム直径ｄ０を有する凹ミラー６００の断面図であり、直径ｄ２は、凹ミラー６００の表面から距離Ｌ隔てた光学伝送路における反射ビームの直径である。反り角度
【数１】
は、反りｘによる発散半角（divergence half angle）である。反りｘが曲率半径Ｒよりはるかに小さい場合、光伝送路の長さＬの関数としてのビーム直径は、次式によりおおよそ求められる。
Ｌ＜２Ｒであれば、
【数２】
ｄ（Ｌ）〜ｄ０−８ｘＬ／ｗ （１）
Ｌ＞２Ｒであれば、
【数３】
ｄ（Ｌ）〜ｄ０＋８ｘＬ／ｗ−２ｗ （２）
そして、Ｌ〜Ｒであれば
【数４】
ｄ（Ｌ）〜０
である。ここで、記号「〜」は、左辺のｄ（Ｌ）が右辺の式により近似的に表されることを意味する。
【００２４】
図１２は、光伝送路がＬの凸ミラー６１０に対し、光伝送路の長さＬの関数としてのビーム直径が次式により求められることが示される。
【数５】
ｄ（Ｌ）〜ｄ０＋８ｘＬ／ｗ
上記の式から、反り角度αに起因する光ビームの発散は、許容可能なミラーサイズを維持するために、コリメート（視準）光学系による残留コリメート角度（resudual collimation angle）に起因する光ビームの発散に対して小さく維持しなければならない。例えば、ミラー直径ｗが３００μｍ、光伝送路長Ｌが１０ｃｍ、ｄ０が２５０μｍであれば、１０ｎｍの反りｘは許容できるが、１００ｎｍの反りｘは許容できない。ミラー直径ｗを５００μｍまで増加させれば、反りｘを１００ｎｍにすることができる。
【００２５】
一定のサスペンション剛性の場合、厚さまたは直径が大きくなるほど、チルトミラー１０６及び１０７は、所与の作動電圧に対する反応が遅くなる。そして、より高いサスペンション剛性での応答を早めるには、より高い作動電圧が必要である。
【００２６】
例えば、チルトミラー１０６及び１０７の直径が大きくなると、所与の走査角度に対し、基板との間により大きい空隙が必要になる。チルトミラー１０６及び１０７に用いられる作動力は、下向きの偏向が一定ポイントを超えると不安定になる。この不安定状態は、一般に、サスペンションアーム４５０と電極４１０との間の空隙が非作動状態での空隙の約３０％から５０％の間に減少すると発生する。チルトミラー１０６及び１０７の動作において、最大要求チルト角度で動作する場合には、このような不安定領域を避けることが望ましい。安定した領域を増やすためには、電極４１０を、本発明の１実施形態にしたがって形成するのが効果的である。例えば、アンカーポイント４４０からの距離の関数として、電極４１０を先細にすることができる。一般的な形状は三角形である。作動電極４１０の幅をその長さに沿って減少させることにより、サスペンションアーム４５０が作動電極４１０に向かって下向きに曲がる際に、一定電圧での作動力を徐々に減らすことができる。このような作動力の減少は、サスペンションアーム４５０と作動電極４１０との間の次第に減少する空隙により増加する作動力を相殺する。この減少する空隙により、前記不安定状態は開始する。
【００２７】
したがって、ミラー直径、要求される走査角度、及び不安定領域のサイズの組み合わせにより、チルトミラー１０６及び１０７に対する基板４９９からの最低空隙が決定する。空隙は、例えばサスペンションアーム４５０の長さ、及びサスペンションアーム４５０に導入される応力勾配の大きさを適当に選択して調整される。チルトミラー１０６及び１０７に対する一般的な空隙は、通常、基板４９９から２０μｍ〜２００μｍの範囲である。
【００２８】
サスペンションシステムの剛性及びチルトミラー１０６及び１０７の質量が、チルトミラー１０６及び１０７の共振周波数を決定する。例えば、図７においては、サスペンションシステムの剛性は、サスペンションアーム４５０及び曲げヒンジ４１５の幅、長さ、厚さ、及び材料により決定する。剛性が高いほど、共振周波数が高く、その結果、スイッチ速度も速まるが、より高い作動電圧が必要である。さらに、剛性が高いほど、同一の応力勾配及び幾何学構造に対し、基板４９９上方におけるミラー４０５の空隙が減少する。サスペンションアーム４５０の剛性に対する曲げヒンジ４１５の剛性の比率により、作動力の何分の一が、ミラー４０５の下降に対してミラー４０５のチルト回転を生成するかが決定する。ミラー４０５のチルト回転及び下降のいずれもが存在するので、曲げヒンジ４１５の剛性はサスペンションアーム４５０の剛性より小さくすることが望ましい。
【００２９】
ＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４などの２次元マイクロミラーアレイは、種々の方法で組み立てることができる。そして、種々の基板、例えば、ガラス、バルクシリコン、絶縁体上シリコンなどが使用できる。
【００３０】
図１３から図１８に例示されるフォトレジストリフトオフマスク（lift-0ff mask）を含むフォトレジストマスク７０１〜７０６は、２×２のマイクロミラーアレイに対して示されているが、任意のマイクロミラーアレイサイズ、あるいは単一ミラー構造にも適応できる。図２６から図４０には、ガラスを基板に用いた、本発明の参考実施形態によるＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４の組立てステップが示されている。図２６〜図４０は、図４１のほぼライン８−８に沿って切断した断面図である。リフトオフに用いるフォトレジストマスク７０１の適用に先立ち、高品質の非アニールガラス基板８０１を洗浄する。基板に適用されたフォトレジストマスク７０１は、アンカーポイント４４０、作動電極４１０及び電気接点（図示せず）を形成すべく、図２６に示すようにパターニングされている。通常、１００ｎｍのクロム８１３をフォトレジストマスク７０１上にスパッタリングする。図２７においては、フォトレジストマスク７０１及びフォトレジストマスク７０１上に付着したクロム層８１３の部分がアセトンによる浸漬を用いて除去され、作動電極４１０（図７参照）及びアンカーポイント４４０が適所に残されている。続いて、低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）を用いて、通常約１５０ｎｍの厚さを有するＳｉ3Ｎ4層８０３を、図２８に示されるように、基板８０１、作動電極４１０（図７）及びアンカーポイント４４０上に設ける。
【００３１】
図２９において、Ｓｉ3Ｎ4層８０３上に、アモルファスシリコン層８０４を通常約５００ｎｍの厚さまでＬＰＣＶＤにより形成する。このアモルファスシリコン層８０４上にフォトレジストマスク７０２を設け、図１４に示すようにパターニングする。そして、Ｏ2／ＳＦ6プラズマを用いて、開口部８９０をアンカーポイント４４０及び電気接点（図示せず）までドライエッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジストマスク７０２を除去した後、図３０に示すように、アモルファスシリコン層８０４、電気接点（図示せず）及びアンカーポイント４４０上に、シード層となる銅層８０５を通常約２００ｎｍの厚さに形成する。
【００３２】
図３１においては、ニッケル層８０６の電気メッキに備え、図１５に示すようにパターニングされた電気メッキ用のフォトレジストマスク７０３を銅層８０５上に適用する。そして、図３２に示すように、ニッケル層８０６を、銅層８０５上に通常約１μｍの厚さまで電気メッキする。ニッケル層８０６は、ミラー４０５及びサスペンションアーム４５０に対する構造支持層として機能する（図７及び図４１参照のこと）。その後、フォトレジストマスク７０３を除去する。次に、図１６に示すようにパターニングされた電気メッキ用のフォトレジストマスク７０４を適用する。すなわち、ミラー４０５の領域のみを露出する。電気メッキ用のフォトレジストマスク７０４は、図３３に示すように、ミラー４０５を約２〜３μｍの厚さにニッケル電気メッキするためのマスクである。フォトレジスト層７０４を除去し、図３４に示される構造が生成される。
【００３３】
次に、ミラー４０５及び銅層８０５上に、図３５に示されるように、ＭｏＣｒリフトオフ用のフォトレジストマスク７０５を適用する。このフォトレジストマスク７０５は図１７に示すようにパターニングされ、ＭｏＣｒ層８１０をスパッタリングによりフォトレジストマスク７０５上に配する。ＭｏＣｒ層８１０を蒸着するための一般的なスパッタリングパラメータが下記の表１に示され、この結果、ＭｏＣｒ層８１０全体で約３．０Ｇｐａの内部応力勾配が得られる。トータルリフト（全体持ち上げ）は、米国特許第５，９１４，２１８号などの従来のマイクロスプリング法を用いてデザインできる。
【表１】
アセトン浸漬により、フォトレジストマスク７０５及びフォトレジストマスク７０５を覆うＭｏＣｒ層８１０の部分を除去し、図３６に示される構造を得る。
【００３４】
続いて、露出した銅層８０５、露出したニッケル層８０６及びＭｏＣｒ層８１０の残りの部分上にリフトオフ用のフォトレジストマスク７０６を適用する。フォトレジストマスク７０６は図１８に示されるようにパターニングされ、ミラー４０５の表面のみを露出する。次に、金層８１５をスパッタリングにより蒸着してミラー４０５に金をコーティングする。金層８１５の蒸着後、アセトン浸漬により、フォトレジストマスク７０６と、フォトレジストマスク７０６に覆った金層８１５部分とを共に除去する。この結果、図３８に示される構造が形成される。図３９に示される構造を得るには、アルカリエッチング剤（alkaline etch）、通常は５Ｈ2Ｏ：５ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2の混合物を使用して、露出した銅層８０５を除去する。このエッチング剤は、露出したニッケルのダメージを防ぐ。
【００３５】
最後に、犠牲層となるアモルファスシリコン層８０４を除去する二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を使用し、図３９に示される構造を解放（release）する。なお、銅層８０５の残留は構造体８９９に設けられたままである。アモルファスシリコン層８０４の除去により、構造体８９９が図４０に示すように解放される。構造体８９９は、ＭｏＣｒ層８１０の内部応力勾配により基板８０１から持ち上げられる。ＭｏＣｒ層８１０はサスペンションアーム４５０の表面層なので（図７も参照のこと）、ＭｏＣｒ層８１０の内部応力勾配の作用により４つのサスペンションアームすべてが持ち上げられ、これによりミラー４０５が上昇する。図４２は、ガラス基板８０１に設けられたＭＥＭＳチルトミラー１０６の部分切断図であり、光ビーム１０１０及び１０２０がさらに示されている。光ビーム１０２０は、ガラス基板８０１を通過することによりミラー４０５に到達する。
【００３６】
図４３〜図５３には、バルクシリコンを基板に用いた、本発明の参考実施形態によるＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４の組立てステップが示されている。バルクシリコン基板１１０１の通常の厚さは、エッチングを容易にするために、約１００μｍである。図４３から図５３は、図５４のライン１２−１２で切断した断面図である。図４３には、誘電層、通常はＳｉ3Ｎ4層１１０２及び１１０３が両側に設けられたバルクシリコン基板１１０１が示されている。図２１に示されるようにパターニングされたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０９を誘電層１１０３上に適用する。次に、フォトレジストマスク７０９及び露出した誘電層１１０３上にＣｒ層１１０５をスパッタリングにより蒸着する。続いて、フォトレジストマスク７０９及びこれに被ったＣｒ層１１０５部分を、アセトン浸漬により除去する。
【００３７】
アセトン浸漬に続いて、図４４において、誘電層１１１１を、電極４１０の電気的絶縁のために電極４１０上に設ける。誘電層１１１１は、Ｓｉ3Ｎ4でもよいし、他の誘電材料でもよい。次に、ＳｉＯ2層１１０６を、解放の目的で誘電層１１１１上に設ける。図４５には、ＳｉＯ2層１１０６上に適用され、図２２に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７１０が示されている。続いて、誘電層１１１１及びＳｉＯ2層１１０６の露出部分をドライエッチングにより除去する。図４６において、図２２に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７１０を適用する。そして、図４７に示すように、ＭｏＣｒ層１１０８を、上記の表１に詳細に示した条件により、フォトレジストマスク７１０上に通常約５００ｎｍの厚さにスパッタリングする。
【００３８】
続いて、リフトオフ用のフォトレジストマスク７１０及びこれに被ったＭｏＣｒ層１１０８部分を、アセトン浸漬により除去し、図４８の構造を得る。そして、図４９に示すように、図２０に示すようにパターニングされたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０８をＳｉＯ 2 層１１０６及びＭｏＣｒ層１１０８上に適用する。次に、このフォトレジストマスク７０８上に、金層１１０９を、スパッタリングにより通常約１００ｎｍの厚さに設ける。さらに、フォトレジストマスク７０８及びこれに被った金層１１０９部分をアセトン浸漬により除去する。そして、図５０に示すように、構造の上部全面を約５〜１０μｍの厚さにフォトレジスト層１１１０で覆い、約１２０℃でほぼ２０分間ハードベーキングを施すことにより構造の上部を次の処理ステップに備えて保護する。
【００３９】
続いて、図５１において、図１９に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０７を誘電層１１０２に適用する。フォトレジストマスク７０７は、ディープ反応イオンエッチング（ＤＲＩＥ）のための領域を露出させ、ＤＲＩＥにより誘電層１１０２及びこれに重複するバルクシリコン基板１１０１の露出部分、誘電層１１０３及びＳｉＯ 2 層１１０６が除去されて、サスペンデットミラー（suspended mirror）４０５を形成する。図５２には、ディープ反応イオンエッチングの深さが示されている。さらに、ＭｏＣｒサスペンションアーム４５０（図７参照）がＳｉＯ 2 層１１０６から解放されている。最後に、図５３に示すように、ドライエッチングまたはアセトン浸漬のいずれかを使用し、続いてフォトレジストストリッパにエッチング剤を用いて、フォトレジストマスク７０７及び１１１０を除去する。こうして完成したＭＥＭＳチルトミラー構造が図５５に示されている。図５５において、矢印１３１０及び１３２０は、ミラー４０５の底部にも金をコーティングするように処理ステップ４３から５２をわずかに変更すれば、ミラー４０５の上部面と同様に底部面によっても光を反射できることを示している。
【００４０】
図５６から図６７には、絶縁体上シリコン（絶縁体上にシリコンを設けた）基板を用いた、本発明の実施形態によるＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４の組立てステップが示されている。図５６から図６７は、図５４のライン１２−１２で切断した断面図である。図５６には、誘電層、通常はＳｉ3Ｎ4層１４０２及び１４０３が両側に設けられた絶縁体上シリコン基板１４０１が示されている。図２１に示されるようにパターニングされたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０９を誘電層１４０３上に適用する。次に、パターニングされたフォトレジストマスク７０９上にＣｒ層１４０５を通常約１００ｎｍの厚さにスパッタリングする。続いて、図５７に示すように、フォトレジストマスク７０９及びこれに被ったＣｒ層１４０５部分を、アセトン浸漬または標準リフトオフ技術により除去する。図５８において、誘電層１４１１を電極４１０上に設け、電極４１０を電気的に絶縁する。誘電層１４１１は、Ｓｉ3Ｎ4でもよいし、他の誘電材料でもよい。通常、この誘電層１４１１上に、ＳｉＯ2層１４０６を解放の目的で設ける。図５９には、ＳｉＯ2層１４０６上に設けられ、図２３に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７１１が示されている。ＳｉＯ2層１４０６及び下層の誘電層１４１１の露出部分がドライエッチングにより除去される。図６０において、フォトレジストマスク７１０をＳｉＯ2層１４０６の残りの部分及び誘電層１４１１の露出部分に設け、図２２に示すようにパターニングする。そして、図６１に示すように、ＭｏＣｒ層１４０８を、上記表１の詳細に従い、フォトレジストマスク７１０上に通常約５００ｎｍの厚さにスパッタリングする。
【００４１】
リフトオフ用のフォトレジストマスク７１０及びこれに重複するＭｏＣｒ層１４０８の部分を、アセトン浸漬または他のリフトオフ技術により除去し、図６２の構造を得る。そして、図６３に示すように、図２０に示すようにパターニングされたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０８をＳｉＯ 2 層１４０６及びＭｏＣｒ層１４０８上に適用する。次に、このフォトレジストマスク７０８上に、金層１４０９を、スパッタリングにより通常約１００ｎｍの厚さに設ける。そして、フォトレジストマスク７０８及びこれに被った金層１４０９部分をアセトン浸漬または他のリフトオフ技術により除去する。図６４に示すように、構造の上部全面を約５〜１０μｍの厚さにフォトレジスト層１４１０で覆い、約１２０℃でほぼ２０分間ハードベーキングすることにより構造の上部を次の処理ステップに対して保護する。さらに、誘電層１４０２上にフォトレジストマスク７１３を設け、図２５に示すようにパターニングする。そして、誘電層１４０２の露出部分を、バッファード・フッ化水素酸エッチング（buffered hydrofluoric acid etch）により除去し、次の水酸化ナトリウムエッチングを可能にする。続いて、アセトン浸漬により、フォトレジストマスク７１３も除去する。
【００４２】
続いて、図６５に示すように、絶縁体上シリコン基板１４０１を、埋込まれた酸化物層１４７５に達するまで、約６０℃で４５％の水酸化ナトリウムを使って裏面からエッチングする。埋込まれた酸化物層１４７５はエッチングストップとして機能する。誘電層１４０２の残りの部分及び埋込まれた誘電層１４７５の露出部分を、図１９に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０７でコーティングする。さらに、キャビティ１４５０内の露出した側壁をフォトレジスト層１４５１でコーティングする。そして、露出した領域にディープ反応イオンエッチングを施し、埋設された誘電層１４７５の露出部分、ならびに絶縁体上シリコン基板１４０１、誘電層１４０３及びＳｉＯ 2 層１４０６の、埋設誘電層１４７５の露出部分に重なる部分を除去する。この結果、図６６に示される構造が形成される。
【００４３】
最後に、図６７に示すように、ドライエッチングまたはアセトン浸漬のいずれかを使用し、続いてフォトレジストストリッパにエッチング剤を用いて、フォトレジストマスク７０７ならびにフォトレジスト層１４１０及び１４５１を除去する。こうして完成したＭＥＭＳチルトミラー構造１５００が図６８に示されている。図６８において、矢印１３１０及び１３２０は、ミラー４０５の底部にも金をコーティングするように処理ステップ５６から６７をわずかに変更すれば、ミラー４０５の上部面と同様に底部面によっても光が反射できることを示している。
【００４４】
図６９から図７７は、本発明の参考実施形態による、メカニカルミラー材料としてポリシリコンを使用し、前述の基板のいずれか一つを用いたＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４の組立てステップを示している。図６９から図７７は、図４１のライン８−８で切断した断面図である。図６９において、リフトオフ用のフォトレジストマスク７０１を基板１６０１上に適用する。基板に設けられたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０１は、アンカーポイント４４０、作動電極４１０及び電気的コンタクト（図示せず）を形成すべく、図１３に示されるようにパターニングされている。続いて、クロム層１６１３をフォトレジストマスク７０１上に通常約１００ｎｍの厚さに配する。図７０において、フォトレジストマスク７０１及びフォトレジストマスク７０１に被ったクロム層１６１３部分をアセトンによる浸漬または他のリフトオフ技術を用いて除去し、作動電極４１０（図７参照）及びアンカーポイント４４０を適所に残す。続いて、低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）を用いて、Ｓｉ3Ｎ4層１６０３を、図７１に示されるように、基板１６０１、アンカーポイント４４０、及び作動電極４１０（図７）上に通常約２００ｎｍの厚さに蒸着し、その後、Ｓｉ3Ｎ4層１６０３上に、多孔性ＳｉＯ2層１６０４を通常約１５０ｎｍの厚さまで形成する。
【００４５】
図７２において、ＳｉＯ 2 層１６０４に、図１４に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０２を適用する。そして、Ｏ2／ＳＦ6プラズマを用いて、開口部１６９０をアンカーポイント４４０及び電気接点（図示せず）までドライエッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジストマスク７０２を除去した後、ポリシリコン層１６０５を通常約６μｍの深さまで設け、ミラー４０５の機械層として機能させる。続いて、ポリシリコン層１６０５にケミカルメカニカルポリッシングを施してポリシリコン層１６０５の上部表面を平坦化し、図７３に示される構造を得る。
【００４６】
ポリシリコン層１６０５上にフォトレジストマスク１６１１を適用し、図１５に示されるフォトレジストマスク７０３のフォトネガティブ（photo negative）としてパターニングする。ポリシリコン層１６０５の露出部分をドライエッチングにより除去することにより、図７４に示される構造を得る。その後、フォトレジストマスク１６１１を、アセトン浸漬またはドライエッチングのいずれかを用いて除去する。次に、露出したＳｉＯ2層１６０４及び残りのポリシリコン層１６０５上にリフトオフ用のフォトレジストマスク７０５を設ける。図７５において、図１７に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０５を適用し、その後ＭｏＣｒ層１６１０を、表１に示す条件で、フォトレジストマスク７０５及びポリシリコン層１６０５の露出部分にスパッタリングする。そして、アセトン浸漬または他のリフトオフ技術により、リフトオフ用のフォトレジストマスク７０５及びこれに被ったＭｏＣｒ層１６１０部分を除去する。次に、図７６に示されるように、フォトレジストマスク７０６上に通常約１００ｎｍの厚さに金層１６１５をスパッタリングする。続いて、リフトオフ用のフォトレジストマスク７０６及びこれに被った金層１６１５部分を、アセトン浸漬または他のリフトオフ技術を用いて除去し、ミラー４０５に金層１６１５を残す。最後に、４９％のフッ化水素酸を用いて約１５分間多孔性ＳｉＯ2層にウェットエッチング（wet etch）を施し、図７７に示すようにミラー４０５を解放する。この結果得られる構造は、図４２の部分斜視図に示される構造と同様である。
【００４７】
チルトミラー１０６の平滑性は、逆の応力勾配を有する、隣接する２つの応力金属層（stress metal layor）からチルトミラー１０６を生成することで得られる。図７８から図８９には、互いに反対の応力を生成する、本発明の実施形態による、ガラスを基板に用いたＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４の組立てステップが示されている。図７８〜図８９は、図４１のほぼライン８−８に沿って切断した断面図である。リフトオフ用のフォトレジストマスク７０１の適用に先立ち、高品質の非アニールガラス基板８０１をクリーニングする。基板に適用されたフォトレジストマスク７０１は、アンカーポイント４４０、作動電極４１０及び電気的コンタクト（図示せず）を形成すべく、図７８に示されるようにパターニングされる。通常、１００ｎｍのクロム８１３をリフトオフ用のフォトレジストマスク７０１上にスパッタリングする。図７９においては、フォトレジストマスク７０１及びフォトレジストマスク７０１に被ったクロム層８１３部分をアセトンによる浸漬を用いて除去し、作動電極４１０（図７参照）及びアンカーポイント４４０を適所に残す。続いて、低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）を用いて、通常約１５０ｎｍの厚さを有するＳｉ3Ｎ4層８０３を、図８０に示されるように、ガラス基板８０１、作動電極４１０（図７）及びアンカーポイント４４０上に形成する。
【００４８】
Ｓｉ3Ｎ4層８０３上に、アモルファスシリコン層８０４を通常約５００ｎｍの厚さにＬＰＣＶＤにより形成する。図８１において、このアモルファスシリコン層８０４上に図１４に示すようにパターニングしたフォトレジストマスク７０２を適用する。そして、Ｏ2／ＳＦ6プラズマを用いて、開口部８９０をアンカーポイント４４０及び電気接点（図示せず）までドライエッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジストマスク７０２を除去した後、図８２に示すように、アモルファスシリコン層８０４、電気接点（図示せず)及びアンカーポイント４４０上に、チタン接着層１７０１を通常約５０ｎｍの厚さに形成し、続いて、チタン接着層１７０１上に金反射層１７０５を蒸着する。
【００４９】
図８３において、ＭｏＣｒ層１７１０の形成に備え、図１５に示すようにパターニングしたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０３を金反射層１７０５上に適用する。図８４には、５つのＭｏＣｒサブ層をスパッタリング蒸着し、その結果、通常全体で１μｍの厚さのＭｏＣｒ層１７１２が形成されている。ＭｏＣｒ層１７１２を蒸着するための一般的なスパッタリングパラメータは上記表１に示され、この結果、ＭｏＣｒ層１７１２は約３．０Ｇｐａの内部応力勾配を有することになる。
【００５０】
次に、ＭｏＣｒ層１７１２上にリフトオフ用のフォトレジストマスク７０４を設ける。フォトレジストマスク７０４は図１６に示すようにパターニングされ、ミラー領域のみが露出する。続いて、図８５に示すように、ＭｏＣｒ層１７１２と逆の応力勾配に設計されたＭｏＣｒ層１７１４をフォトレジストマスク７０４上にスパッタリングする。この結果、ミラー４０５における正味の力は実質的にゼロである。アセトン浸漬を行い、フォトレジストマスク７０４及びフォトレジストマスク７０４に被ったＭｏＣｒ層１７１４部分を除去する。そして、トランジーン金エッチング剤（ＴＲＡＮＳＥＮＥ gold etchant）を用い、続いてＨＦ：Ｈ2Ｏの混合物を用いて金反射層１７０５の露出部分を除去することにより、図８６に示すように、チタン接着層１７１２の露出部分を除去する。
【００５１】
次に、ＭｏＣｒ層１７１４の残りの部分及びＭｏＣｒ層１７１２の露出部分上にリフトオフ用のフォトレジストマスク７０６を適用する。フォトレジストマスク７０６は図１８に示されるようにパターニングされ、ミラー４０５の表面のみを露出する。続いて、図８７に示すように、金層８１５をスパッタリングして、ミラー４０５を金でコーティングする。金層８１５の蒸着後、フォトレジストマスク７０６と、金層８１５のフォトレジストマスク７０６に被った部分をアセトン浸漬により除去する。この結果、図８８に示される構成が得られる。最後に、犠牲アモルファスシリコン層８０４を除去する二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を用いて、図８９に示される構造を解放する。アモルファスシリコン層８０４を除去することにより、構造体１７５０が解放される。構造体１７５０は、ＭｏＣｒ層１７１２の内部応力勾配により基板８０１から上昇する。ＭｏＣｒ層１７１２はサスペンションアーム４５０（図７も参照のこと）を形成するので、ＭｏＣｒ層１７１２の内部応力勾配が４つのサスペンションアームすべてを持上げるべく作用し、ミラー４０５を上昇させる。
【００５２】
チルトミラー１０６の平滑性は、応力勾配が互いに逆の隣接する２つの応力ポリシリコン層からチルトミラー１０６を形成することによっても得ることができる。ＬＰＣＶＤ処理中の蒸着温度（ＭｏＣｒの場合の圧力に対して）を調節することによりポリシリコンに応力を与えることができる。ケースウェスタンリザーブ大学のアーサー・ヒューア（Arthur Heuer）氏により示されるように、およそ５００ｍＰａの応力を簡単に得ることができる。
【００５３】
図９０から図１０２には、互いに反対の応力を生成する、本発明の参考実施形態による、ガラスを基板に用いたＭＥＭＳチルトミラー１０６の組立てステップが示されている。図９０〜図１０２は、図４１のほぼライン８−８に沿って切断した断面図である。リフトオフ用のフォトレジストマスク７０１の適用に先立ち、高品質の非アニールガラス基板８０１をクリーニングする。基板に供給されたフォトレジストマスク７０１は、アンカーポイント４４０、作動電極４１０及び電気接点（図示せず）を形成すべく、図９０に示されるようにパターニングされる。通常、１００ｎｍのクロム８１３をフォトレジストマスク７０１上にスパッタリングする。図９１においては、フォトレジストマスク７０１及びフォトレジストマスク７０１に被ったクロム層８１３部分をアセトンによる浸漬を用いて除去し、作動電極４１０（図７参照）及びアンカーポイント４４０を適所に残す。続いて、低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）を用いて、通常約１５０ｎｍの厚さを有するＳｉ3Ｎ4層８０３を、図９２に示されるように、ガラス基板８０１、作動電極４１０（図７）及びアンカーポイント４４０上に形成する。
【００５４】
図９３において、Ｓｉ3Ｎ4層８０３上に、アモルファスシリコン層８０４を通常約５００ｎｍの厚さにＬＰＣＶＤにより形成する。このアモルファスシリコン層８０４上に、後に供給されるポリシリコン構造体のために、ＸｅＦ2に抗する第１の絶縁層として、Ｓｉ3Ｎ4層１８０３をＬＰＣＶＤにより形成する。図１４に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０２をＳｉ3Ｎ4層１８０３に適用する。そして、Ｏ2／ＳＦ6プラズマを用いて、開口部８９０をアンカーポイント４４０及び電気接点（図示せず）までドライエッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジストマスク７０２を除去した後、応力ポリシリコン層１８０４をＬＰＣＶＤによって形成し、このポリシリコン層１８０４上にフォトレジスト層２００４を適用し、図１５に示されるフォトレジストマスク７０３の反転パターンにパターニングする。Ｏ2／ＳＦ6プラズマエッチャーにおいてポリシリコン層１８０４の露出部分をドライエッチングし、フォトレジスト層２００４を除去することにより、図９５に示される構造体が得られる。
【００５５】
続いて、ポリシリコン層１８０４上にフォトレジスト層２００５を適用し、図１５に示されるフォトレジストマスク７０３の反転パターンにパターニングするが、この時わずかな光学的に拡大することにより約１μｍの張出し部（overhang）を生成する。そして、ＨＦ溶液を用いて、図９６に示すように露出したＳｉ3Ｎ4層１８０３に所定時間ウェットエッチングを行う。そして、フォトレジスト層２００５をアセトン浸漬により除去する。次に、Ｓｉ3Ｎ4層１８０９を設けてポリシリコン層１８０４を被包する。図９７に示すように、Ｓｉ3Ｎ4層１８０９上に図１６に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０４を適用してミラー領域を露出する。その後、ＨＦエッチング剤によりＳｉ3Ｎ4層１８０９をエッチングする。
【００５６】
アセトン浸漬によってフォトレジストマスク７０４を除去した後、ポリシリコン層１８０５を、ポリシリコン層１８０４の応力勾配と逆の応力で設ける。次に、図９８に示すように、ポリシリコン層１８０５上にフォトレジスト層２００６を適用し、図１６に示されるフォトレジストマスク７０４の反転パターンにパターニングする。そして、ポリシリコン層１８０５の露出部分をＳｉ3Ｎ4層１８０９までドライエッチングする。その後、アセトン浸漬を用いてフォトレジスト層２００６を除去する。そして、図９９に示すように、ポリシリコン層１８０５及び露出したＳｉ3Ｎ4層１８０９にフォトレジスト層２００７を適用し、図１５に示すフォトレジストマスク７０３の反転パターンとしてパターニングする。そして、露出したＳｉ3Ｎ4層１８０９を図９９に示すようにエッチングする。続いて、フォトレジスト層２００７をアセトン浸漬により除去する。
【００５７】
ポリシリコン層１８０５の露出部分、アモルファスシリコン層８０４及びＳｉ3Ｎ4層１８０９に図１６に示されるようにパターニングされたフォトレジストマスク７０４を適用する。そして、図１００に示されるように、金層１８２５をフォトレジストマスク７０４に配する。続いて、リフトオフ処理を用いてフォトレジストマスク７０４を除去し、図１０１に示される構造体を残す。なお、後続の二フッ化エッチングに備えてすべてのポリシリコン層は被包されている。最後に、犠牲アモルファスシリコン層８０４を除去する二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を用いて、図１０２に示す構造体を解放する。アモルファスシリコン層８０４の除去により構造体１８５０が解放される。構造体１８５０は、ポリシリコン層１８０４の内部応力勾配により基板８０１から上昇する。ポリシリコン層１８０４はサスペンションアーム４５０（図７も参照のこと）を形成するので、ポリシリコン層１８０４の内部応力勾配が４つのサスペンションアームすべてを持ち上げるべく作用し、ミラー４０５を上昇させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による、ｎ×ｍ光クロスコネクトシステムの１実施形態を示す図である。
【図２】 本発明による、２ミラーアレイ光クロスコネクトシステムの１実施形態を示す図である。
【図３】 本発明による、光スイッチシステムの１実施形態を示す図である。
【図４】 本発明による、光スイッチシステムの１実施形態を示す図である。
【図５】 本発明による、ｎ×ｍ光クロスコネクトシステムの１実施形態を示す図である。
【図６】 角度のある入射に対するミラー形状の依存性を示す図である。
【図７】 本発明によるチルトミラー構造体の１実施形態を示す図である。
【図８】 本発明によるチルトミラー構造体の１実施形態を示す図である。
【図９】 本発明によるチルトミラー構造体の１実施形態を示す図である。
【図１０】 本発明の１実施形態によるチルトミラー構造体の１実施形態を示す側面図である。
【図１１】 光ビームの発散度に対するミラー曲率（mirror curvature）の影響を示す図である。
【図１２】 光ビームの発散度に対するミラー曲率（mirror curvature）の影響を示す図である。
【図１３】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１４】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１５】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１６】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１７】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１８】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１９】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２０】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２１】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２２】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２３】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２４】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２５】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２６】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図２７】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図２８】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図２９】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３０】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３１】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３２】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３３】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３４】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３５】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３６】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３７】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３８】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３９】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４０】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４１】 本発明の参考実施形態の上面図である。
【図４２】 本発明の参考実施形態の側面図である。
【図４３】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４４】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４５】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４６】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４７】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４８】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４９】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５０】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５１】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５２】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５３】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５４】 本発明の実施形態の上面図である。
【図５５】 本発明の実施形態の側面図である。
【図５６】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５７】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５８】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５９】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６０】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６１】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６２】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６３】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６４】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６５】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６６】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６７】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６８】 本発明の実施形態の側面図である。
【図６９】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７０】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７１】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７２】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７３】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７４】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７５】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７６】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７７】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７８】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７９】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８０】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８１】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８２】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８３】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８４】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８５】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８６】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８７】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８８】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８９】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９０】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９１】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９２】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９３】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９４】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９５】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９６】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９７】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９８】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９９】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図１００】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図１０１】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図１０２】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【符号の説明】
１００ 光クロスコネクトシステム、１０１ 光ビーム、１０６，１０７ チルトミラー、１１０，１１１ 光ファイバ、４０５ ミラー、４１０ 作動電極、４４０ アンカーポイント、４５０ サスペンションアーム、４７５，４７６ 軸、４９９ 基板、７０１，７０２，７０３，７０４，７０５，７０６，７０８，７０９，７１０，７１１，７１３ フォトレジストマスク、８０１ ガラス基板、１１０１ バルクシリコン基板、１４０１ 絶縁体上シリコン基板、１６０１ 基板。
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信システムにおける伝送路交換に用いられるミラー構造体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信システムでは、光の伝送経路の交換（switch）がしばしば必要とされ、種々のアプローチが提案されている。微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）ミラーに基づく光交換は、通信システムにとって特に魅力的な方法である。反射ＭＥＭＳミラーを用いた光スイッチは、自由空間光伝送が利用できるとともに大規模の光クロスコネクトシステムに対してスケーリング可能であるために有用である。このアプローチは、約１０００ｘ１０００規模の光クロスコネクトシステムが現在要求されているために重要である。光クロスコネクトシステムにおけるＭＥＭＳミラーの運動は、通常、静電的、電磁的、圧電的または熱による作動力によって行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このように、反射ＭＥＭＳミラーを用いた光スイッチが求められている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の１実施形態による光クロスコネクトシステムは、一般的な概念として、ＭＥＭＳチルトミラー（tilt mirror）の２次元アレイを使用して、第１の光ファイバからの光を第２の光ファイバに向ける。２次元アレイの各ＭＥＭＳチルトミラーは、そのｘ軸及びｙ軸を中心に回転可能で、絶縁体上シリコン（Silicon on insulator）基板に取付けられた複数のサスペンションアームにより吊られて（suspendedされて）いる。
【０００５】
【発明の実施の形態】
図１には、本発明による光クロスコネクトシステム１００の１実施形態が示されている。ＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４を使用して、光ファイバ１１０の２次元アレイ１０８から入射する光ビーム１０１を、光ファイバ１１１の２次元アレイ１１２に向ける。各ミラーは、一般に２つの非同一線上軸の周りをそれぞれ回転可能になっている。チルトミラー１０６の通常の直径（diameter）は、３００μｍから１０００μｍの範囲である。例えば、光ファイバ１１０から発生した光ビーム１０１は、一般に約５０μｍ以上の直径を有する小型レンズ１１５を用いてコリメート（視準；collimate）され、チルトミラー１０６に投射される。チルトミラー１０６は、光ビーム１０１を小型レンズ（lenslet）１１６に向け、小型レンズ１１６はこの光ビーム１０１を光ファイバ１１１に収束（forcus）させる。このように、光クロスコネクトシステム１００により、２次元アレイ１０８状の光ファイバ１１０の任意の１つから発生した光ビーム１０１を、２次元アレイ１０４状のチルトミラー１０６のいずれかによって、２次元アレイ１１２中の選択された光ファイバ１１１に向けることができる。なお、チルトミラー１０６の数は、入光側の光ファイバ１１０の数に等しく、光ファイバ１１０の数は光クロスコネクトシステム１００の出力側の光ファイバ１１１の数に等しい。
【０００６】
図１の光ビーム１０１は、一般に正面から光ファイバ１１１に入射しないので、これが光ファイバ１１１の開口の問題（aperture issue）を招く可能性がある。特に、光ファイバの２次元アレイがより大きい場合または光伝送路（システム内の光の行路）がより短い場合には、走査角度が大きくなる。図２には、本発明による光クロスコネクトシステム１２５が示されている。この光クロスコネクトシステム１２５では、光ビーム１０１は正面から光ファイバ１１１に入射可能である。光クロスコネクトシステム１２５は、チルトミラー１０７の２次元アレイ１０５を含み、光ビーム１０１が確実に正面から光ファイバ１１１に入射するようにしている。光ファイバ１１０から発した光ビーム１０１はまずチルトミラー１０６に当たり、チルトミラー１０７に反射する。チルトミラー１０７は光ビーム１０１を反射して正面から光ファイバ１１１に入射させる。しかしながら、光クロスコネクトシステム１２５では、光クロスコネクトシステム１００で必要なチルトミラーの２倍の数のチルトミラーが必要である。最大ミラーチルト角度は、チルトミラー１０６または１０７が２次元アレイ１０５、１０４の最も離れたミラーに達するために必要な最大角度変位である。ビームの半径を１８０μｍとし、光伝送路の長さを８ｃｍとした場合、この構成における通常の最大ミラーチルト角度は、２次元アレイ１０４及び１０５で、約３．２５゜である。
【０００７】
図３には、光回路交換のためのｎ×１光スイッチの、本発明による１実施形態が示されている。光ビーム１０１は、２次元アレイ１０８の光ファイバ１１０のいずれかから出射し、小型レンズ１１５の２次元アレイを通過してチルトミラーの２次元アレイ１０４に収束され、チルトミラー１０６によってチルトミラー１１７上に反射する。チルトミラー１１７は光ビーム１０１を小型レンズ１１７を通過させて光ファイバ１１４の所望の一つに向ける。ｎ×１の光スイッチを用いると、２次元アレイ１０８中のｎ個（ｎ≧ｍ）の互いに異なる光ファイバ１１０から発せられたものから選択可能なｍ個の互いに異なる波長のサブセットを、光ファイバ１１４の所望の１つに多重送信（multiplex）する。
【０００８】
図４には、光回路交換（optical circuit switching）のための１×ｎ光スイッチの、本発明による１実施形態が示されている。光ファイバ１１９から出射した光ビーム１０１は、小型レンズ１０８を通過し、チルトミラー１７７に収束され、チルトミラー１７７によりチルトミラーの２次元アレイ１０５の所望のチルトミラー１０７に反射する。チルトミラー１０７は、光ビーム１０１に小型レンズ１１６の２次元アレイを通過させ、光ファイバの２次元アレイ１１２の所望の１つの光ファイバ１１１に収束させる。１×ｎ光スイッチを用いると、光ファイバ１１９からの光ビーム１０１の経路を、光ファイバ１１１の任意の１つに振り分け（route）る。
【０００９】
本発明による別の実施形態が図５に示されている。光クロスコネクトシステム１５０は、チルトミラー１０６及び１０７の２次元アレイと、入光側光ファイバ１１０と出光側光ファイバ１１２から構成される２次元アレイとを有する。光クロスコネクトシステム１５０は、さらに反射板１８０を備える。光ビーム１０１は光ファイバ１１０から出射して、小型レンズ１１５により集光され、チルトミラー１０６によって反射板１８０に反射する。反射板１８０で反射した光ビーム１０１は、チルトミラー１０７により小型レンズ１１５に反射し、小型レンズ１１５は光ビーム１０１を光ファイバ１１２に正面から入射させる。
【００１０】
ミラーの形状は、円形、楕円形、または多角形に調節（adjust）できる。例えば、楕円形のミラー形状により、ある角度で入射する円形ビームの投射（projection）を捉えることができる。図６には、円形ビーム３００の放射線（rays）に対して角度ｂで楕円形ミラー３１０に入射する円形ビーム３００を示す。楕円形ミラー３１０の最適なアスペクト比は、角度ｂから求めることができる。
【００１１】
図７には、本発明の１実施形態によるチルトミラー１０６及びチルトミラー１０７の基本構造が示されている。チルトミラーの構造体には別のジオメトリを用いてもよいが、サスペンションアーム４５０に代わる構成を用いた場合でも、チルトミラー構造体がアンカーポイント４４０のあいだで長く延びていなければならない。そうでないと、解放層(release layer）エッチング後にミラー構造体を持ち上げさせることができない。
【００１２】
図７のミラー４０５の表面は、正確な光学ポインティング（optical pointing）を可能にすべく、実質的に平坦で応力のかけられていない（stress free）金属である。ミラー４０５は、曲げヒンジ（flexture hinges）によりサスペンションアーム４５０に取付けられている。サスペンションアーム４５０は通常ニッケルで形成され、電極４１０の作動によりミラー４０５が軸４７６及び４７５を中心に回転するための隙間（ゆとり）を提供している。以下に説明する解放エッチング（release etch）の間、ミラー４０５は自動的に持ち上がり、基板４９９（図１０参照のこと）からの持ち上がった時にはミラーはそれ自身の平面においてわずかに回転する。直径が約３００〜１０００μｍのミラー４０５の通常の高さは、およそ２０〜１００μｍである。４つのサスペンションアームにそれぞれ関連する４つの作動電極４１０を、一般に約１０〜５０ボルトの作動電圧で個別に充電し、ミラー４０５を軸４７５及び軸４７６を中心にチルト回転させてもよい。さらに、図７に示すように、電極はミラー４０５の下部に延びてもよい。
【００１３】
作動電極４１０は、ＤＣまたはＡＣ駆動のいずれによっても作動できる。ＡＣ作動を用いる場合、ＡＣ駆動の周波数は、作動対象である機械システムの応答時間に比べ、かなり高くなければならない。ＡＣ駆動は、作動電極４１０の間またはこれに近接して設けられた誘電材料における潜在的な電荷の蓄積を回避する。作動電極４１０は、正電圧と、これにほぼ等しい負電圧とで交替するバイポーラ信号で駆動するのが効果的である。この交替波形は、立上がり及び立下がり時間が例えばチルトミラー１０６及び１０７の機械応答時間より実質的に短かければ、一般的に矩形シヌソイド（square shaped sinusoidal）でも、三角形でも、または他の適当な形状でもよい。
【００１４】
例えば波形が矩形の場合、チルトミラー１０６及び１０７の機械的応答周波数が約１ｋＨｚであれば、通常の駆動周波数は１ｋＨｚ以上である。作動力は作動電圧の二乗に比例するので、電圧の符号には影響されない。作動力が変化するのは、電圧が逆の符号の電圧に遷移するときのみである。よって、この遷移時間を、例えばチルトミラー１０６及び１０７の共振時間（resonance period）に比べて短くする必要がある。バイポーラ信号は誘電材料における電荷の蓄積を低減するが、これは誘電材料に蓄積された正味電荷が平均すると、ほぼ「０」になるからである。ＤＣ信号で作動する場合には、誘電材料中に正味電荷がある時間蓄積する可能性があり、この作用により印加された作動電圧がスクリーニングあるいは干渉されることがある。
【００１５】
図７に示される、本発明によるチルトミラー１０６及び１０７の基本構造は、応力処理された（stress-engineered）金属フィルムに基づいている。すなわち、ミラー４０５及び曲げヒンジ４１５は、応力を受けないよう設計され、ミラー４０５の周囲に沿って設けられたサスペンションアーム４５０はニッケルで形成され、応力勾配（stress gradient）を組込んだＭｏＣｒ層を有する。サスペンションアーム４５０は、アンカーポイント４４０にて基板に固定されている。曲げヒンジ４１５は、ミラー４０５をサスペンションアーム４５０に取付けると共に、ミラー４０５から応力及びひずみ（strain）を分離することにより正確な光学ポインティングのための平坦性を維持し、かつミラーの持ち上げ及び作動に必要な軸を中心にした回転を柔軟にする。
【００１６】
軸４７５及び軸４７６に対する作動力は、基板及びサスペンションアーム４５０の間に位置する電極４１０間の引力により生成される。本発明による別の実施形態では、電極４１０はサスペンションアーム４５０の下部だけでなく、図７に示すようにミラー４０５の各四分円の下部にも延びることで総作動力を高めている。作動電極４１０をサスペンションアーム４５０の下部領域に限定すると、アンカーポイント４４０付近から作動を開始した場合、単位面積当たりの力が大きくなる。すなわち、アンカーポイント４４０では、電極とサスペンションアーム４５０の最初の隔たりが最小で、その後、サスペンションアームが電極４１０に向かって引きつけられると、この隔たりがサスペンションアーム４５０の長さに沿って「ジッパーを閉めるように」減少し始める。
【００１７】
２つ以上、通常は４つのサスペンションアーム４５０がチルトミラー１０６及び１０７の構造において使用できる。サスペンションアーム４５０の作動力だけでミラーを作動する場合には、２つの非同一線上軸を中心にチルト回転できるよう、最低３つのサスペンションアーム４５０が必要である。電極４１０をミラー４０５の下部に延びるようにしてミラーを１傾斜軸を中心に作動する場合には、２つのサスペンションアーム４５０によって２軸を中心にしたチルト回転を実現できる。
【００１８】
本発明による別の実施形態も可能である。例えば、全てのサスペンション構造に対する要件として、サスペンションアーム４５０または４５５（図９参照）と曲げヒンジ４１５の少なくともいずれかがアンカーポイント４４０の間で変形可能である。図７及び図８に示される実施形態では、ミラー４０５を包囲するサスペンションアーム４５０を用いることにより変形を実現する。図９に示される実施形態では、サスペンションアーム４５５の長さ方向の屈曲部（flextures）４５６によって変形が行われる。変形が可能なその他の実施形態も、当業者には明白である。
【００１９】
図１０は、図７に示される基本構造の断面図であり、ここでは電極４１０はサスペンションアーム４５０の下部にのみ配置されている例を示す。
【００２０】
光伝送路の長さ（入力光ファイバの２次元アレイ１０８の出射表面と、出力側光ファイバの２次元アレイ１１２の入射表面との間の距離として決定する）は、多数のデザインパラメータに影響する。一般的な光伝送路の長さは約５ｃｍ〜１０ｃｍの範囲である。図１から図３に示す実施形態のより長い光学伝送路は、チルトミラー１０６及び１０７が光ファイバの２次元アレイ１０８及び１１２にそれぞれ到達するために必要な走査角度を減少できるため効果的である。走査角度の減少により、チルトミラー１０６及び１０７が所与の共振周波数またはスイッチ速度を得るために必要な作動電圧が減少し、あるいは作動電圧が一定であればスイッチ速度を高めることができる。また、走査角度が減少することで、曲げヒンジ４１５及び長さ方向の屈曲部４５６などの曲げ要素に作用する機械的応力を低減することができる。機械的応力が減少すれば、金属疲労またはヒステリシスの潜在的な問題を低減することができる。
【００２１】
しかしながら、光学伝送路を長くすると、光ビームのコリメート（視準）の必要が高まる。コリメート（視準）光学系は、入光側光ファイバの２次元アレイ１０８の出射表面および出光側光ファイバの２次元アレイ１１２の入射表面の付近に配置する必要がある。通常、小型レンズ１１５及び１１６の２次元アレイにより実現するが、屈折率分布型（ＧＲＩＮ）コリメータ、ボールレンズ、または視準に適した他の光学要素を使用することもできる。コリメート（視準）光学系では、光ビーム中に、限定された残留発散（residual divergence）が必ず生じる。例えば、市販のＧＲＩＮファイバコリメータは、一般に、０．１〜０．２５度の残留発散角度を残す。この発散角度と光伝送路の長さとの組み合わせにより、チルトミラー１０６及び１０７に必要な大きさが決定する。強度損失を避けるために、チルトミラー１０６及び１０７は、最大光ビーム直径より大きくなければならない。所与の発散角度に対し、光伝送路が長いほど大きいチルトミラー１０６及び１０７が必要であり、この結果、より大きいチルトミラー１０４，１０５及び１６５の２次元アレイ、及びより大きいアレイピッチが要求される。そして、アレイピッチが大きいほど、大きい走査角度が必要になる。
【００２２】
一般的な光ビームの直径は、約０．３ｍｍ〜０．５ｍｍである。視準及び拡張光学系の後のビームの直径によりデザインの自由度が提供される。光ビームの直径が拡張すると、全光学要素の位置的公差が緩和され、この結果パッケージングが簡単になるが、ミラーに要求されるサイズは増加する。一般的なミラーの直径は、通常約３００μｍから１ｍｍの範囲である。ミラーサイズが大きくなると、ミラー表面を光学的に平坦に保つのが難しくなる。ミラーの厚さを厚くすれば、ミラー表面を光学的に平坦に保つ能力が強化される。チルトミラー１０６及び１０７の一般的な厚さは、１μｍから１５μｍの範囲である。
【００２３】
チルトミラー１０６及び１０７は、残留コリメータ発散とともに光ビーム発散に寄与する反り（bow）を有してもよい。図１１は、曲率半径Ｒ、直径ｗ、反りｘ、入射視準ビーム直径ｄ０を有する凹ミラー６００の断面図であり、直径ｄ２は、凹ミラー６００の表面から距離Ｌ隔てた光学伝送路における反射ビームの直径である。反り角度
【数１】
Ｌ＜２Ｒであれば、
【数２】
ｄ（Ｌ）〜ｄ０−８ｘＬ／ｗ （１）
Ｌ＞２Ｒであれば、
【数３】
ｄ（Ｌ）〜ｄ０＋８ｘＬ／ｗ−２ｗ （２）
そして、Ｌ〜Ｒであれば
【数４】
ｄ（Ｌ）〜０
である。ここで、記号「〜」は、左辺のｄ（Ｌ）が右辺の式により近似的に表されることを意味する。
【００２４】
図１２は、光伝送路がＬの凸ミラー６１０に対し、光伝送路の長さＬの関数としてのビーム直径が次式により求められることが示される。
【数５】
ｄ（Ｌ）〜ｄ０＋８ｘＬ／ｗ
上記の式から、反り角度αに起因する光ビームの発散は、許容可能なミラーサイズを維持するために、コリメート（視準）光学系による残留コリメート角度（resudual collimation angle）に起因する光ビームの発散に対して小さく維持しなければならない。例えば、ミラー直径ｗが３００μｍ、光伝送路長Ｌが１０ｃｍ、ｄ０が２５０μｍであれば、１０ｎｍの反りｘは許容できるが、１００ｎｍの反りｘは許容できない。ミラー直径ｗを５００μｍまで増加させれば、反りｘを１００ｎｍにすることができる。
【００２５】
一定のサスペンション剛性の場合、厚さまたは直径が大きくなるほど、チルトミラー１０６及び１０７は、所与の作動電圧に対する反応が遅くなる。そして、より高いサスペンション剛性での応答を早めるには、より高い作動電圧が必要である。
【００２６】
例えば、チルトミラー１０６及び１０７の直径が大きくなると、所与の走査角度に対し、基板との間により大きい空隙が必要になる。チルトミラー１０６及び１０７に用いられる作動力は、下向きの偏向が一定ポイントを超えると不安定になる。この不安定状態は、一般に、サスペンションアーム４５０と電極４１０との間の空隙が非作動状態での空隙の約３０％から５０％の間に減少すると発生する。チルトミラー１０６及び１０７の動作において、最大要求チルト角度で動作する場合には、このような不安定領域を避けることが望ましい。安定した領域を増やすためには、電極４１０を、本発明の１実施形態にしたがって形成するのが効果的である。例えば、アンカーポイント４４０からの距離の関数として、電極４１０を先細にすることができる。一般的な形状は三角形である。作動電極４１０の幅をその長さに沿って減少させることにより、サスペンションアーム４５０が作動電極４１０に向かって下向きに曲がる際に、一定電圧での作動力を徐々に減らすことができる。このような作動力の減少は、サスペンションアーム４５０と作動電極４１０との間の次第に減少する空隙により増加する作動力を相殺する。この減少する空隙により、前記不安定状態は開始する。
【００２７】
したがって、ミラー直径、要求される走査角度、及び不安定領域のサイズの組み合わせにより、チルトミラー１０６及び１０７に対する基板４９９からの最低空隙が決定する。空隙は、例えばサスペンションアーム４５０の長さ、及びサスペンションアーム４５０に導入される応力勾配の大きさを適当に選択して調整される。チルトミラー１０６及び１０７に対する一般的な空隙は、通常、基板４９９から２０μｍ〜２００μｍの範囲である。
【００２８】
サスペンションシステムの剛性及びチルトミラー１０６及び１０７の質量が、チルトミラー１０６及び１０７の共振周波数を決定する。例えば、図７においては、サスペンションシステムの剛性は、サスペンションアーム４５０及び曲げヒンジ４１５の幅、長さ、厚さ、及び材料により決定する。剛性が高いほど、共振周波数が高く、その結果、スイッチ速度も速まるが、より高い作動電圧が必要である。さらに、剛性が高いほど、同一の応力勾配及び幾何学構造に対し、基板４９９上方におけるミラー４０５の空隙が減少する。サスペンションアーム４５０の剛性に対する曲げヒンジ４１５の剛性の比率により、作動力の何分の一が、ミラー４０５の下降に対してミラー４０５のチルト回転を生成するかが決定する。ミラー４０５のチルト回転及び下降のいずれもが存在するので、曲げヒンジ４１５の剛性はサスペンションアーム４５０の剛性より小さくすることが望ましい。
【００２９】
ＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４などの２次元マイクロミラーアレイは、種々の方法で組み立てることができる。そして、種々の基板、例えば、ガラス、バルクシリコン、絶縁体上シリコンなどが使用できる。
【００３０】
図１３から図１８に例示されるフォトレジストリフトオフマスク（lift-0ff mask）を含むフォトレジストマスク７０１〜７０６は、２×２のマイクロミラーアレイに対して示されているが、任意のマイクロミラーアレイサイズ、あるいは単一ミラー構造にも適応できる。図２６から図４０には、ガラスを基板に用いた、本発明の参考実施形態によるＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４の組立てステップが示されている。図２６〜図４０は、図４１のほぼライン８−８に沿って切断した断面図である。リフトオフに用いるフォトレジストマスク７０１の適用に先立ち、高品質の非アニールガラス基板８０１を洗浄する。基板に適用されたフォトレジストマスク７０１は、アンカーポイント４４０、作動電極４１０及び電気接点（図示せず）を形成すべく、図２６に示すようにパターニングされている。通常、１００ｎｍのクロム８１３をフォトレジストマスク７０１上にスパッタリングする。図２７においては、フォトレジストマスク７０１及びフォトレジストマスク７０１上に付着したクロム層８１３の部分がアセトンによる浸漬を用いて除去され、作動電極４１０（図７参照）及びアンカーポイント４４０が適所に残されている。続いて、低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）を用いて、通常約１５０ｎｍの厚さを有するＳｉ3Ｎ4層８０３を、図２８に示されるように、基板８０１、作動電極４１０（図７）及びアンカーポイント４４０上に設ける。
【００３１】
図２９において、Ｓｉ3Ｎ4層８０３上に、アモルファスシリコン層８０４を通常約５００ｎｍの厚さまでＬＰＣＶＤにより形成する。このアモルファスシリコン層８０４上にフォトレジストマスク７０２を設け、図１４に示すようにパターニングする。そして、Ｏ2／ＳＦ6プラズマを用いて、開口部８９０をアンカーポイント４４０及び電気接点（図示せず）までドライエッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジストマスク７０２を除去した後、図３０に示すように、アモルファスシリコン層８０４、電気接点（図示せず）及びアンカーポイント４４０上に、シード層となる銅層８０５を通常約２００ｎｍの厚さに形成する。
【００３２】
図３１においては、ニッケル層８０６の電気メッキに備え、図１５に示すようにパターニングされた電気メッキ用のフォトレジストマスク７０３を銅層８０５上に適用する。そして、図３２に示すように、ニッケル層８０６を、銅層８０５上に通常約１μｍの厚さまで電気メッキする。ニッケル層８０６は、ミラー４０５及びサスペンションアーム４５０に対する構造支持層として機能する（図７及び図４１参照のこと）。その後、フォトレジストマスク７０３を除去する。次に、図１６に示すようにパターニングされた電気メッキ用のフォトレジストマスク７０４を適用する。すなわち、ミラー４０５の領域のみを露出する。電気メッキ用のフォトレジストマスク７０４は、図３３に示すように、ミラー４０５を約２〜３μｍの厚さにニッケル電気メッキするためのマスクである。フォトレジスト層７０４を除去し、図３４に示される構造が生成される。
【００３３】
次に、ミラー４０５及び銅層８０５上に、図３５に示されるように、ＭｏＣｒリフトオフ用のフォトレジストマスク７０５を適用する。このフォトレジストマスク７０５は図１７に示すようにパターニングされ、ＭｏＣｒ層８１０をスパッタリングによりフォトレジストマスク７０５上に配する。ＭｏＣｒ層８１０を蒸着するための一般的なスパッタリングパラメータが下記の表１に示され、この結果、ＭｏＣｒ層８１０全体で約３．０Ｇｐａの内部応力勾配が得られる。トータルリフト（全体持ち上げ）は、米国特許第５，９１４，２１８号などの従来のマイクロスプリング法を用いてデザインできる。
【表１】
【００３４】
続いて、露出した銅層８０５、露出したニッケル層８０６及びＭｏＣｒ層８１０の残りの部分上にリフトオフ用のフォトレジストマスク７０６を適用する。フォトレジストマスク７０６は図１８に示されるようにパターニングされ、ミラー４０５の表面のみを露出する。次に、金層８１５をスパッタリングにより蒸着してミラー４０５に金をコーティングする。金層８１５の蒸着後、アセトン浸漬により、フォトレジストマスク７０６と、フォトレジストマスク７０６に覆った金層８１５部分とを共に除去する。この結果、図３８に示される構造が形成される。図３９に示される構造を得るには、アルカリエッチング剤（alkaline etch）、通常は５Ｈ2Ｏ：５ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2の混合物を使用して、露出した銅層８０５を除去する。このエッチング剤は、露出したニッケルのダメージを防ぐ。
【００３５】
最後に、犠牲層となるアモルファスシリコン層８０４を除去する二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を使用し、図３９に示される構造を解放（release）する。なお、銅層８０５の残留は構造体８９９に設けられたままである。アモルファスシリコン層８０４の除去により、構造体８９９が図４０に示すように解放される。構造体８９９は、ＭｏＣｒ層８１０の内部応力勾配により基板８０１から持ち上げられる。ＭｏＣｒ層８１０はサスペンションアーム４５０の表面層なので（図７も参照のこと）、ＭｏＣｒ層８１０の内部応力勾配の作用により４つのサスペンションアームすべてが持ち上げられ、これによりミラー４０５が上昇する。図４２は、ガラス基板８０１に設けられたＭＥＭＳチルトミラー１０６の部分切断図であり、光ビーム１０１０及び１０２０がさらに示されている。光ビーム１０２０は、ガラス基板８０１を通過することによりミラー４０５に到達する。
【００３６】
図４３〜図５３には、バルクシリコンを基板に用いた、本発明の参考実施形態によるＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４の組立てステップが示されている。バルクシリコン基板１１０１の通常の厚さは、エッチングを容易にするために、約１００μｍである。図４３から図５３は、図５４のライン１２−１２で切断した断面図である。図４３には、誘電層、通常はＳｉ3Ｎ4層１１０２及び１１０３が両側に設けられたバルクシリコン基板１１０１が示されている。図２１に示されるようにパターニングされたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０９を誘電層１１０３上に適用する。次に、フォトレジストマスク７０９及び露出した誘電層１１０３上にＣｒ層１１０５をスパッタリングにより蒸着する。続いて、フォトレジストマスク７０９及びこれに被ったＣｒ層１１０５部分を、アセトン浸漬により除去する。
【００３７】
アセトン浸漬に続いて、図４４において、誘電層１１１１を、電極４１０の電気的絶縁のために電極４１０上に設ける。誘電層１１１１は、Ｓｉ3Ｎ4でもよいし、他の誘電材料でもよい。次に、ＳｉＯ2層１１０６を、解放の目的で誘電層１１１１上に設ける。図４５には、ＳｉＯ2層１１０６上に適用され、図２２に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７１０が示されている。続いて、誘電層１１１１及びＳｉＯ2層１１０６の露出部分をドライエッチングにより除去する。図４６において、図２２に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７１０を適用する。そして、図４７に示すように、ＭｏＣｒ層１１０８を、上記の表１に詳細に示した条件により、フォトレジストマスク７１０上に通常約５００ｎｍの厚さにスパッタリングする。
【００３８】
続いて、リフトオフ用のフォトレジストマスク７１０及びこれに被ったＭｏＣｒ層１１０８部分を、アセトン浸漬により除去し、図４８の構造を得る。そして、図４９に示すように、図２０に示すようにパターニングされたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０８をＳｉＯ 2 層１１０６及びＭｏＣｒ層１１０８上に適用する。次に、このフォトレジストマスク７０８上に、金層１１０９を、スパッタリングにより通常約１００ｎｍの厚さに設ける。さらに、フォトレジストマスク７０８及びこれに被った金層１１０９部分をアセトン浸漬により除去する。そして、図５０に示すように、構造の上部全面を約５〜１０μｍの厚さにフォトレジスト層１１１０で覆い、約１２０℃でほぼ２０分間ハードベーキングを施すことにより構造の上部を次の処理ステップに備えて保護する。
【００３９】
続いて、図５１において、図１９に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０７を誘電層１１０２に適用する。フォトレジストマスク７０７は、ディープ反応イオンエッチング（ＤＲＩＥ）のための領域を露出させ、ＤＲＩＥにより誘電層１１０２及びこれに重複するバルクシリコン基板１１０１の露出部分、誘電層１１０３及びＳｉＯ 2 層１１０６が除去されて、サスペンデットミラー（suspended mirror）４０５を形成する。図５２には、ディープ反応イオンエッチングの深さが示されている。さらに、ＭｏＣｒサスペンションアーム４５０（図７参照）がＳｉＯ 2 層１１０６から解放されている。最後に、図５３に示すように、ドライエッチングまたはアセトン浸漬のいずれかを使用し、続いてフォトレジストストリッパにエッチング剤を用いて、フォトレジストマスク７０７及び１１１０を除去する。こうして完成したＭＥＭＳチルトミラー構造が図５５に示されている。図５５において、矢印１３１０及び１３２０は、ミラー４０５の底部にも金をコーティングするように処理ステップ４３から５２をわずかに変更すれば、ミラー４０５の上部面と同様に底部面によっても光を反射できることを示している。
【００４０】
図５６から図６７には、絶縁体上シリコン（絶縁体上にシリコンを設けた）基板を用いた、本発明の実施形態によるＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４の組立てステップが示されている。図５６から図６７は、図５４のライン１２−１２で切断した断面図である。図５６には、誘電層、通常はＳｉ3Ｎ4層１４０２及び１４０３が両側に設けられた絶縁体上シリコン基板１４０１が示されている。図２１に示されるようにパターニングされたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０９を誘電層１４０３上に適用する。次に、パターニングされたフォトレジストマスク７０９上にＣｒ層１４０５を通常約１００ｎｍの厚さにスパッタリングする。続いて、図５７に示すように、フォトレジストマスク７０９及びこれに被ったＣｒ層１４０５部分を、アセトン浸漬または標準リフトオフ技術により除去する。図５８において、誘電層１４１１を電極４１０上に設け、電極４１０を電気的に絶縁する。誘電層１４１１は、Ｓｉ3Ｎ4でもよいし、他の誘電材料でもよい。通常、この誘電層１４１１上に、ＳｉＯ2層１４０６を解放の目的で設ける。図５９には、ＳｉＯ2層１４０６上に設けられ、図２３に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７１１が示されている。ＳｉＯ2層１４０６及び下層の誘電層１４１１の露出部分がドライエッチングにより除去される。図６０において、フォトレジストマスク７１０をＳｉＯ2層１４０６の残りの部分及び誘電層１４１１の露出部分に設け、図２２に示すようにパターニングする。そして、図６１に示すように、ＭｏＣｒ層１４０８を、上記表１の詳細に従い、フォトレジストマスク７１０上に通常約５００ｎｍの厚さにスパッタリングする。
【００４１】
リフトオフ用のフォトレジストマスク７１０及びこれに重複するＭｏＣｒ層１４０８の部分を、アセトン浸漬または他のリフトオフ技術により除去し、図６２の構造を得る。そして、図６３に示すように、図２０に示すようにパターニングされたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０８をＳｉＯ 2 層１４０６及びＭｏＣｒ層１４０８上に適用する。次に、このフォトレジストマスク７０８上に、金層１４０９を、スパッタリングにより通常約１００ｎｍの厚さに設ける。そして、フォトレジストマスク７０８及びこれに被った金層１４０９部分をアセトン浸漬または他のリフトオフ技術により除去する。図６４に示すように、構造の上部全面を約５〜１０μｍの厚さにフォトレジスト層１４１０で覆い、約１２０℃でほぼ２０分間ハードベーキングすることにより構造の上部を次の処理ステップに対して保護する。さらに、誘電層１４０２上にフォトレジストマスク７１３を設け、図２５に示すようにパターニングする。そして、誘電層１４０２の露出部分を、バッファード・フッ化水素酸エッチング（buffered hydrofluoric acid etch）により除去し、次の水酸化ナトリウムエッチングを可能にする。続いて、アセトン浸漬により、フォトレジストマスク７１３も除去する。
【００４２】
続いて、図６５に示すように、絶縁体上シリコン基板１４０１を、埋込まれた酸化物層１４７５に達するまで、約６０℃で４５％の水酸化ナトリウムを使って裏面からエッチングする。埋込まれた酸化物層１４７５はエッチングストップとして機能する。誘電層１４０２の残りの部分及び埋込まれた誘電層１４７５の露出部分を、図１９に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０７でコーティングする。さらに、キャビティ１４５０内の露出した側壁をフォトレジスト層１４５１でコーティングする。そして、露出した領域にディープ反応イオンエッチングを施し、埋設された誘電層１４７５の露出部分、ならびに絶縁体上シリコン基板１４０１、誘電層１４０３及びＳｉＯ 2 層１４０６の、埋設誘電層１４７５の露出部分に重なる部分を除去する。この結果、図６６に示される構造が形成される。
【００４３】
最後に、図６７に示すように、ドライエッチングまたはアセトン浸漬のいずれかを使用し、続いてフォトレジストストリッパにエッチング剤を用いて、フォトレジストマスク７０７ならびにフォトレジスト層１４１０及び１４５１を除去する。こうして完成したＭＥＭＳチルトミラー構造１５００が図６８に示されている。図６８において、矢印１３１０及び１３２０は、ミラー４０５の底部にも金をコーティングするように処理ステップ５６から６７をわずかに変更すれば、ミラー４０５の上部面と同様に底部面によっても光が反射できることを示している。
【００４４】
図６９から図７７は、本発明の参考実施形態による、メカニカルミラー材料としてポリシリコンを使用し、前述の基板のいずれか一つを用いたＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４の組立てステップを示している。図６９から図７７は、図４１のライン８−８で切断した断面図である。図６９において、リフトオフ用のフォトレジストマスク７０１を基板１６０１上に適用する。基板に設けられたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０１は、アンカーポイント４４０、作動電極４１０及び電気的コンタクト（図示せず）を形成すべく、図１３に示されるようにパターニングされている。続いて、クロム層１６１３をフォトレジストマスク７０１上に通常約１００ｎｍの厚さに配する。図７０において、フォトレジストマスク７０１及びフォトレジストマスク７０１に被ったクロム層１６１３部分をアセトンによる浸漬または他のリフトオフ技術を用いて除去し、作動電極４１０（図７参照）及びアンカーポイント４４０を適所に残す。続いて、低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）を用いて、Ｓｉ3Ｎ4層１６０３を、図７１に示されるように、基板１６０１、アンカーポイント４４０、及び作動電極４１０（図７）上に通常約２００ｎｍの厚さに蒸着し、その後、Ｓｉ3Ｎ4層１６０３上に、多孔性ＳｉＯ2層１６０４を通常約１５０ｎｍの厚さまで形成する。
【００４５】
図７２において、ＳｉＯ 2 層１６０４に、図１４に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０２を適用する。そして、Ｏ2／ＳＦ6プラズマを用いて、開口部１６９０をアンカーポイント４４０及び電気接点（図示せず）までドライエッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジストマスク７０２を除去した後、ポリシリコン層１６０５を通常約６μｍの深さまで設け、ミラー４０５の機械層として機能させる。続いて、ポリシリコン層１６０５にケミカルメカニカルポリッシングを施してポリシリコン層１６０５の上部表面を平坦化し、図７３に示される構造を得る。
【００４６】
ポリシリコン層１６０５上にフォトレジストマスク１６１１を適用し、図１５に示されるフォトレジストマスク７０３のフォトネガティブ（photo negative）としてパターニングする。ポリシリコン層１６０５の露出部分をドライエッチングにより除去することにより、図７４に示される構造を得る。その後、フォトレジストマスク１６１１を、アセトン浸漬またはドライエッチングのいずれかを用いて除去する。次に、露出したＳｉＯ2層１６０４及び残りのポリシリコン層１６０５上にリフトオフ用のフォトレジストマスク７０５を設ける。図７５において、図１７に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０５を適用し、その後ＭｏＣｒ層１６１０を、表１に示す条件で、フォトレジストマスク７０５及びポリシリコン層１６０５の露出部分にスパッタリングする。そして、アセトン浸漬または他のリフトオフ技術により、リフトオフ用のフォトレジストマスク７０５及びこれに被ったＭｏＣｒ層１６１０部分を除去する。次に、図７６に示されるように、フォトレジストマスク７０６上に通常約１００ｎｍの厚さに金層１６１５をスパッタリングする。続いて、リフトオフ用のフォトレジストマスク７０６及びこれに被った金層１６１５部分を、アセトン浸漬または他のリフトオフ技術を用いて除去し、ミラー４０５に金層１６１５を残す。最後に、４９％のフッ化水素酸を用いて約１５分間多孔性ＳｉＯ2層にウェットエッチング（wet etch）を施し、図７７に示すようにミラー４０５を解放する。この結果得られる構造は、図４２の部分斜視図に示される構造と同様である。
【００４７】
チルトミラー１０６の平滑性は、逆の応力勾配を有する、隣接する２つの応力金属層（stress metal layor）からチルトミラー１０６を生成することで得られる。図７８から図８９には、互いに反対の応力を生成する、本発明の実施形態による、ガラスを基板に用いたＭＥＭＳチルトミラー１０６の２次元アレイ１０４の組立てステップが示されている。図７８〜図８９は、図４１のほぼライン８−８に沿って切断した断面図である。リフトオフ用のフォトレジストマスク７０１の適用に先立ち、高品質の非アニールガラス基板８０１をクリーニングする。基板に適用されたフォトレジストマスク７０１は、アンカーポイント４４０、作動電極４１０及び電気的コンタクト（図示せず）を形成すべく、図７８に示されるようにパターニングされる。通常、１００ｎｍのクロム８１３をリフトオフ用のフォトレジストマスク７０１上にスパッタリングする。図７９においては、フォトレジストマスク７０１及びフォトレジストマスク７０１に被ったクロム層８１３部分をアセトンによる浸漬を用いて除去し、作動電極４１０（図７参照）及びアンカーポイント４４０を適所に残す。続いて、低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）を用いて、通常約１５０ｎｍの厚さを有するＳｉ3Ｎ4層８０３を、図８０に示されるように、ガラス基板８０１、作動電極４１０（図７）及びアンカーポイント４４０上に形成する。
【００４８】
Ｓｉ3Ｎ4層８０３上に、アモルファスシリコン層８０４を通常約５００ｎｍの厚さにＬＰＣＶＤにより形成する。図８１において、このアモルファスシリコン層８０４上に図１４に示すようにパターニングしたフォトレジストマスク７０２を適用する。そして、Ｏ2／ＳＦ6プラズマを用いて、開口部８９０をアンカーポイント４４０及び電気接点（図示せず）までドライエッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジストマスク７０２を除去した後、図８２に示すように、アモルファスシリコン層８０４、電気接点（図示せず)及びアンカーポイント４４０上に、チタン接着層１７０１を通常約５０ｎｍの厚さに形成し、続いて、チタン接着層１７０１上に金反射層１７０５を蒸着する。
【００４９】
図８３において、ＭｏＣｒ層１７１０の形成に備え、図１５に示すようにパターニングしたリフトオフ用のフォトレジストマスク７０３を金反射層１７０５上に適用する。図８４には、５つのＭｏＣｒサブ層をスパッタリング蒸着し、その結果、通常全体で１μｍの厚さのＭｏＣｒ層１７１２が形成されている。ＭｏＣｒ層１７１２を蒸着するための一般的なスパッタリングパラメータは上記表１に示され、この結果、ＭｏＣｒ層１７１２は約３．０Ｇｐａの内部応力勾配を有することになる。
【００５０】
次に、ＭｏＣｒ層１７１２上にリフトオフ用のフォトレジストマスク７０４を設ける。フォトレジストマスク７０４は図１６に示すようにパターニングされ、ミラー領域のみが露出する。続いて、図８５に示すように、ＭｏＣｒ層１７１２と逆の応力勾配に設計されたＭｏＣｒ層１７１４をフォトレジストマスク７０４上にスパッタリングする。この結果、ミラー４０５における正味の力は実質的にゼロである。アセトン浸漬を行い、フォトレジストマスク７０４及びフォトレジストマスク７０４に被ったＭｏＣｒ層１７１４部分を除去する。そして、トランジーン金エッチング剤（ＴＲＡＮＳＥＮＥ gold etchant）を用い、続いてＨＦ：Ｈ2Ｏの混合物を用いて金反射層１７０５の露出部分を除去することにより、図８６に示すように、チタン接着層１７１２の露出部分を除去する。
【００５１】
次に、ＭｏＣｒ層１７１４の残りの部分及びＭｏＣｒ層１７１２の露出部分上にリフトオフ用のフォトレジストマスク７０６を適用する。フォトレジストマスク７０６は図１８に示されるようにパターニングされ、ミラー４０５の表面のみを露出する。続いて、図８７に示すように、金層８１５をスパッタリングして、ミラー４０５を金でコーティングする。金層８１５の蒸着後、フォトレジストマスク７０６と、金層８１５のフォトレジストマスク７０６に被った部分をアセトン浸漬により除去する。この結果、図８８に示される構成が得られる。最後に、犠牲アモルファスシリコン層８０４を除去する二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を用いて、図８９に示される構造を解放する。アモルファスシリコン層８０４を除去することにより、構造体１７５０が解放される。構造体１７５０は、ＭｏＣｒ層１７１２の内部応力勾配により基板８０１から上昇する。ＭｏＣｒ層１７１２はサスペンションアーム４５０（図７も参照のこと）を形成するので、ＭｏＣｒ層１７１２の内部応力勾配が４つのサスペンションアームすべてを持上げるべく作用し、ミラー４０５を上昇させる。
【００５２】
チルトミラー１０６の平滑性は、応力勾配が互いに逆の隣接する２つの応力ポリシリコン層からチルトミラー１０６を形成することによっても得ることができる。ＬＰＣＶＤ処理中の蒸着温度（ＭｏＣｒの場合の圧力に対して）を調節することによりポリシリコンに応力を与えることができる。ケースウェスタンリザーブ大学のアーサー・ヒューア（Arthur Heuer）氏により示されるように、およそ５００ｍＰａの応力を簡単に得ることができる。
【００５３】
図９０から図１０２には、互いに反対の応力を生成する、本発明の参考実施形態による、ガラスを基板に用いたＭＥＭＳチルトミラー１０６の組立てステップが示されている。図９０〜図１０２は、図４１のほぼライン８−８に沿って切断した断面図である。リフトオフ用のフォトレジストマスク７０１の適用に先立ち、高品質の非アニールガラス基板８０１をクリーニングする。基板に供給されたフォトレジストマスク７０１は、アンカーポイント４４０、作動電極４１０及び電気接点（図示せず）を形成すべく、図９０に示されるようにパターニングされる。通常、１００ｎｍのクロム８１３をフォトレジストマスク７０１上にスパッタリングする。図９１においては、フォトレジストマスク７０１及びフォトレジストマスク７０１に被ったクロム層８１３部分をアセトンによる浸漬を用いて除去し、作動電極４１０（図７参照）及びアンカーポイント４４０を適所に残す。続いて、低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）を用いて、通常約１５０ｎｍの厚さを有するＳｉ3Ｎ4層８０３を、図９２に示されるように、ガラス基板８０１、作動電極４１０（図７）及びアンカーポイント４４０上に形成する。
【００５４】
図９３において、Ｓｉ3Ｎ4層８０３上に、アモルファスシリコン層８０４を通常約５００ｎｍの厚さにＬＰＣＶＤにより形成する。このアモルファスシリコン層８０４上に、後に供給されるポリシリコン構造体のために、ＸｅＦ2に抗する第１の絶縁層として、Ｓｉ3Ｎ4層１８０３をＬＰＣＶＤにより形成する。図１４に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０２をＳｉ3Ｎ4層１８０３に適用する。そして、Ｏ2／ＳＦ6プラズマを用いて、開口部８９０をアンカーポイント４４０及び電気接点（図示せず）までドライエッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジストマスク７０２を除去した後、応力ポリシリコン層１８０４をＬＰＣＶＤによって形成し、このポリシリコン層１８０４上にフォトレジスト層２００４を適用し、図１５に示されるフォトレジストマスク７０３の反転パターンにパターニングする。Ｏ2／ＳＦ6プラズマエッチャーにおいてポリシリコン層１８０４の露出部分をドライエッチングし、フォトレジスト層２００４を除去することにより、図９５に示される構造体が得られる。
【００５５】
続いて、ポリシリコン層１８０４上にフォトレジスト層２００５を適用し、図１５に示されるフォトレジストマスク７０３の反転パターンにパターニングするが、この時わずかな光学的に拡大することにより約１μｍの張出し部（overhang）を生成する。そして、ＨＦ溶液を用いて、図９６に示すように露出したＳｉ3Ｎ4層１８０３に所定時間ウェットエッチングを行う。そして、フォトレジスト層２００５をアセトン浸漬により除去する。次に、Ｓｉ3Ｎ4層１８０９を設けてポリシリコン層１８０４を被包する。図９７に示すように、Ｓｉ3Ｎ4層１８０９上に図１６に示すようにパターニングされたフォトレジストマスク７０４を適用してミラー領域を露出する。その後、ＨＦエッチング剤によりＳｉ3Ｎ4層１８０９をエッチングする。
【００５６】
アセトン浸漬によってフォトレジストマスク７０４を除去した後、ポリシリコン層１８０５を、ポリシリコン層１８０４の応力勾配と逆の応力で設ける。次に、図９８に示すように、ポリシリコン層１８０５上にフォトレジスト層２００６を適用し、図１６に示されるフォトレジストマスク７０４の反転パターンにパターニングする。そして、ポリシリコン層１８０５の露出部分をＳｉ3Ｎ4層１８０９までドライエッチングする。その後、アセトン浸漬を用いてフォトレジスト層２００６を除去する。そして、図９９に示すように、ポリシリコン層１８０５及び露出したＳｉ3Ｎ4層１８０９にフォトレジスト層２００７を適用し、図１５に示すフォトレジストマスク７０３の反転パターンとしてパターニングする。そして、露出したＳｉ3Ｎ4層１８０９を図９９に示すようにエッチングする。続いて、フォトレジスト層２００７をアセトン浸漬により除去する。
【００５７】
ポリシリコン層１８０５の露出部分、アモルファスシリコン層８０４及びＳｉ3Ｎ4層１８０９に図１６に示されるようにパターニングされたフォトレジストマスク７０４を適用する。そして、図１００に示されるように、金層１８２５をフォトレジストマスク７０４に配する。続いて、リフトオフ処理を用いてフォトレジストマスク７０４を除去し、図１０１に示される構造体を残す。なお、後続の二フッ化エッチングに備えてすべてのポリシリコン層は被包されている。最後に、犠牲アモルファスシリコン層８０４を除去する二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を用いて、図１０２に示す構造体を解放する。アモルファスシリコン層８０４の除去により構造体１８５０が解放される。構造体１８５０は、ポリシリコン層１８０４の内部応力勾配により基板８０１から上昇する。ポリシリコン層１８０４はサスペンションアーム４５０（図７も参照のこと）を形成するので、ポリシリコン層１８０４の内部応力勾配が４つのサスペンションアームすべてを持ち上げるべく作用し、ミラー４０５を上昇させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による、ｎ×ｍ光クロスコネクトシステムの１実施形態を示す図である。
【図２】 本発明による、２ミラーアレイ光クロスコネクトシステムの１実施形態を示す図である。
【図３】 本発明による、光スイッチシステムの１実施形態を示す図である。
【図４】 本発明による、光スイッチシステムの１実施形態を示す図である。
【図５】 本発明による、ｎ×ｍ光クロスコネクトシステムの１実施形態を示す図である。
【図６】 角度のある入射に対するミラー形状の依存性を示す図である。
【図７】 本発明によるチルトミラー構造体の１実施形態を示す図である。
【図８】 本発明によるチルトミラー構造体の１実施形態を示す図である。
【図９】 本発明によるチルトミラー構造体の１実施形態を示す図である。
【図１０】 本発明の１実施形態によるチルトミラー構造体の１実施形態を示す側面図である。
【図１１】 光ビームの発散度に対するミラー曲率（mirror curvature）の影響を示す図である。
【図１２】 光ビームの発散度に対するミラー曲率（mirror curvature）の影響を示す図である。
【図１３】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１４】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１５】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１６】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１７】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１８】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図１９】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２０】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２１】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２２】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２３】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２４】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２５】 処理に使用するパターニングされたフォトレジストマスクの上面図である。
【図２６】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図２７】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図２８】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図２９】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３０】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３１】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３２】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３３】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３４】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３５】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３６】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３７】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３８】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図３９】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４０】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４１】 本発明の参考実施形態の上面図である。
【図４２】 本発明の参考実施形態の側面図である。
【図４３】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４４】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４５】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４６】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４７】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４８】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図４９】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５０】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５１】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５２】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５３】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５４】 本発明の実施形態の上面図である。
【図５５】 本発明の実施形態の側面図である。
【図５６】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５７】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５８】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図５９】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６０】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６１】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６２】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６３】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６４】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６５】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６６】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６７】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図６８】 本発明の実施形態の側面図である。
【図６９】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７０】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７１】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７２】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７３】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７４】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７５】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７６】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７７】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７８】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図７９】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８０】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８１】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８２】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８３】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８４】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８５】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８６】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８７】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８８】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図８９】 本発明の実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９０】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９１】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９２】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９３】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９４】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９５】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９６】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９７】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９８】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図９９】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図１００】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図１０１】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【図１０２】 本発明の参考実施形態による処理ステップを示す図である。
【符号の説明】
１００ 光クロスコネクトシステム、１０１ 光ビーム、１０６，１０７ チルトミラー、１１０，１１１ 光ファイバ、４０５ ミラー、４１０ 作動電極、４４０ アンカーポイント、４５０ サスペンションアーム、４７５，４７６ 軸、４９９ 基板、７０１，７０２，７０３，７０４，７０５，７０６，７０８，７０９，７１０，７１１，７１３ フォトレジストマスク、８０１ ガラス基板、１１０１ バルクシリコン基板、１４０１ 絶縁体上シリコン基板、１６０１ 基板。
Claims (6)
- 予め定めた第１面に表面を有し、絶縁体上にシリコンを設けた絶縁体上シリコン基板と、
それぞれが内部応力勾配層を備え、それぞれが第１の端部及び第２の端部を有し、前記第１の端部が前記絶縁体上シリコン基板に取付けられた複数の金属サスペンションアームと、
反射表面層を有し、前記複数の金属サスペンションアームの前記第２の端部に、前記金属サスペンションアームの剛性より小さい剛性を有する曲げヒンジを介して、一体的に取付けられることで、平坦で応力のかけられていない状態で、予め定められた２つの非同一線上軸を中心にチルト回転可能に前記複数の金属サスペンションアームによって吊られるシリコン領域と、
前記複数の金属サスペンションアームに隣接して前記絶縁体上シリコン基板上に設けられる電極であって、前記金属サスペンションアームとの間に電界をかけることによって、その間の引力により前記２つの非同一線上軸に対する作動力を生成させる複数の電極と、
を備え、
前記内部応力勾配層は、
前記各金属サスペンションアームの表面層として、それぞれが互いに異なる予め定められた成膜条件で形成された複数層のＭｏＣｒ層で構成されることで応力勾配が組み込まれ、予め設けられた犠牲層または解放層を除去することで、前記絶縁体上シリコン基板から前記複数の金属サスペンションアームを分離して、前記組み込まれた応力勾配を解放し、これによって前記各金属サスペンションアームの前記第１の端部に対し第２の端部を持ち上げ、前記シリコン領域を前記第１面と異なる第２面に上昇させることを特徴とする作動可能なミラー構造体。 - 予め定めた第１面に表面を有し、絶縁体上にシリコンを設けた絶縁体上シリコン基板と、
それぞれが内部応力勾配層を備え、それぞれが第１の端部及び第２の端部を有し、前記第１の端部が前記絶縁体上シリコン基板に取付けられた４つの金属サスペンションアームと、
反射表面層を有し、前記４つの金属サスペンションアームの前記第２の端部に、前記金属サスペンションアームの剛性より小さい剛性を有する曲げヒンジを介して、一体的に取付けられることで、平坦で応力のかけられていない状態で、予め定められた２つの非同一線上軸を中心にチルト回転可能に前記４つの金属サスペンションアームによって吊られるシリコン領域と、
前記４つの金属サスペンションアームにそれぞれ隣接して前記絶縁体上シリコン基板上に設けられる電極であって、前記金属サスペンションアームとの間に電界をかけることによって、その間の引力により前記２つの非同一線上軸に対する作動力を生成させる４つの電極と、
を備え、
前記内部応力勾配層は、
前記各金属サスペンションアームの表面層として、それぞれが互いに異なる予め定められた成膜条件で形成された複数層のＭｏＣｒ層で構成されることで応力勾配が組み込まれ、予め設けられた犠牲層または解放層を除去することで、前記絶縁体上シリコン基板から前記４つの金属サスペンションアームを分離して、前記組み込まれた応力勾配を解放し、これによって前記各金属サスペンションアームの前記第１の端部に対し第２の端部を持ち上げ、前記シリコン領域を前記第１面と異なる第２面に上昇させることを特徴とする作動可能なミラー構造体。 - 絶縁体上にシリコンを設けた絶縁体上シリコン基板であって、予め定めた第１面に表面を有する周辺部と周辺部から切り抜かれた切抜き部とを含む絶縁体上シリコン基板と、
それぞれが内部応力勾配層を備え、それぞれが第１の端部及び第２の端部を有し、前記第１の端部が前記絶縁体上シリコン基板の前記周辺部に取付けられた複数の金属サスペンションアームと、
前記切抜き部の上に位置し、前記複数の金属サスペンションアームの前記第２の端部に、前記金属サスペンションアームの剛性より小さい剛性を有する曲げヒンジを介して、一体的に取付けられることで、平坦で応力のかけられていない状態で、予め定められた２つの非同一線上軸を中心にチルト回転可能に前記複数の金属サスペンションアームによって吊られるシリコン領域であって、反射表面層を有するシリコン領域と、
前記複数の金属サスペンションアームに隣接して前記絶縁体上シリコン基板の前記周辺部上に設けられる電極であって、前記金属サスペンションアームとの間に電界をかけることによって、その間の引力により前記２つの非同一線上軸に対する作動力を生成させる複数の電極と、
を備え、
前記内部応力勾配層は、
前記各金属サスペンションアームの表面層として、それぞれが互いに異なる予め定められた成膜条件で形成された複数層のＭｏＣｒ層で構成されることで応力勾配が組み込まれ、予め設けられた犠牲層または解放層を除去することで、前記絶縁体上シリコン基板から前記複数の金属サスペンションアームを分離して、前記組み込まれた応力勾配を解放し、これによって前記各金属サスペンションアームの前記第１の端部に対し第２の端部を持ち上げ、前記シリコン領域を前記第１面と異なる第２面に上昇させることを特徴とする作動可能なミラー構造体。 - 予め定めた第１面に表面を有し、絶縁体上にシリコンを設けた絶縁体上シリコン基板を用い、
それぞれが内部応力勾配層を備え、それぞれが第１の端部及び第２の端部を有し、前記第１の端部が前記絶縁体上シリコン基板に取付けられた複数の金属サスペンションアームを設けるステップと、
反射表面層を有し、前記複数の金属サスペンションアームの前記第２の端部に、前記金属サスペンションアームの剛性より小さい剛性を有する曲げヒンジを介して、一体的に取付けられることで、平坦で応力のかけられていない状態で、予め定められた２つの非同一線上軸を中心にチルト回転可能に前記複数の金属サスペンションアームによって吊られるシリコン領域を設けるステップと、
前記複数の金属サスペンションアームに隣接して前記絶縁体上シリコン基板上に電極を設けるステップであって、前記金属サスペンションアームとの間に電界をかけることによって、その間の引力により前記２つの非同一線上軸に対する作動力を生成させる複数の電極を設けるステップと、
を含み、
前記複数の金属サスペンションアームを設けるステップは、
前記各金属サスペンションアームの表面層として、それぞれが互いに異なる予め定められた成膜条件で形成されることで応力勾配が組み込まれる前記内部応力勾配層を備える複数層のＭｏＣｒ層を形成するステップと、
その後に、予め設けられた犠牲層または解放層を除去することで、前記絶縁体上シリコン基板から前記複数の金属サスペンションアームを分離して前記組み込まれた応力勾配を解放し、これによって前記各金属サスペンションアームの前記第１の端部に対し第２の端部を持ち上げて前記シリコン領域を前記第１面と異なる第２面に上昇させるステップと、
を有することを特徴とする作動可能なミラー構造体の製造方法。 - 予め定めた第１面に表面を有し、絶縁体上にシリコンを設けた絶縁体上シリコン基板を用い、
それぞれが内部応力勾配層を備え、それぞれが第１の端部及び第２の端部を有し、前記第１の端部が前記絶縁体上シリコン基板に取付けられた４つの金属サスペンションアームを設けるステップと、
反射表面層を有し、前記４つの金属サスペンションアームの前記第２の端部に、前記金属サスペンションアームの剛性より小さい剛性を有する曲げヒンジを介して、一体的に取付けられることで、平坦で応力のかけられていない状態で、予め定められた２つの非同一線上軸を中心にチルト回転可能に前記４つの金属サスペンションアームによって吊られるシリコン領域を設けるステップと、
前記４つの金属サスペンションアームにそれぞれ隣接して前記絶縁体上シリコン基板上に電極を設けるステップであって、前記金属サスペンションアームとの間に電界をかけることによって、その間の引力により前記２つの非同一線上軸に対する作動力を生成させる４つの電極を設けるステップと、
を含み、
前記４つの金属サスペンションアームを設けるステップは、
前記各金属サスペンションアームの表面層として、それぞれが互いに異なる予め定められた成膜条件で形成されることで応力勾配が組み込まれる前記内部応力勾配層を備える複数層のＭｏＣｒ層を形成するステップと、
その後に、予め設けられた犠牲層または解放層を除去することで、前記絶縁体上シリコン基板から前記４つの金属サスペンションアームを分離して前記組み込まれた応力勾配を解放し、これによって前記各金属サスペンションアームの前記第１の端部に対し第２の端部を持ち上げて前記シリコン領域を前記第１面と異なる第２面に上昇させるステップと、
を有することを特徴とする作動可能なミラー構造体の製造方法。 - 絶縁体上にシリコンを設けた絶縁体上シリコン基板であって、予め定めた第１面に表面を有する周辺部と周辺部から切り抜かれた切抜き部とを含む絶縁体上シリコン基板を用い、
それぞれが内部応力勾配層を備え、それぞれが第１の端部及び第２の端部を有し、前記第１の端部が前記絶縁体上シリコン基板の前記周辺部に取付けられた複数の金属サスペンションアームを設けるステップと、
前記切抜き部の上に位置し、前記複数の金属サスペンションアームの前記第２の端部に、前記金属サスペンションアームの剛性より小さい剛性を有する曲げヒンジを介して、一体的に取付けられることで、平坦で応力のかけられていない状態で、予め定められた２つの非同一線上軸を中心にチルト回転可能に前記複数の金属サスペンションアームによって吊られるシリコン領域であって、反射表面層を有するシリコン領域を設けるステップと、
前記複数の金属サスペンションアームに隣接して前記絶縁体上シリコン基板の前記周辺部上に電極を設けるステップであって、前記金属サスペンションアームとの間に電界をかけることによって、その間の引力により前記２つの非同一線上軸に対する作動力を生成させる複数の電極を設けるステップと、
を含み、
前記複数の金属サスペンションアームを設けるステップは、
前記各金属サスペンションアームの表面層として、それぞれが互いに異なる予め定められた成膜条件で形成されることで応力勾配が組み込まれる前記内部応力勾配層を備える複数層のＭｏＣｒ層を形成するステップと、
その後に、予め設けられた犠牲層または解放層を除去することで、前記絶縁体上シリコン基板から前記複数の金属サスペンションアームを分離して前記組み込まれた応力勾配を解放し、これによって前記各金属サスペンションアームの前記第１の端部に対し第２の端部を持ち上げて前記シリコン領域を前記第１面と異なる第２面に上昇させるステップと、
を有することを特徴とする作動可能なミラー構造体の製造方法。
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