JP4908112B2 - 光検出素子 - Google Patents
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Description
略とする。
なお、本発明は上述の実施形態に係る光検出素子3aに限るものではなく詳細構成等の変更は可能である。例えば、本発明の実施形態としては図4に示す光検出素子3bであってもよい。光検出素子3bは、下記に示す相違を除けば、光検出素子3aと同様の構成を有する。光検出素子3bは、凹部S3bの底部に反射部39が設けられておらず、反射部39に替えて反射部41が設けられた構成となっている。反射部41は、光を反射する反射面41aを有しており、この反射面41aは、フォトダイオード1bの反射防止膜27bに面している。フォトダイオード1a、フォトダイオード1b及び反射部41は、光検出領域14a、光検出領域14b及び反射面41aが順に重なるように配置されている。以上が、光検出素子3bの光検出素子3aに対する主な相違点である。従って、この光検出素子3bは、上述の光検出素子3aと同様の作用・効果を有する。
また、本発明の実施形態としては図5に示す光検出素子3cであってもよい。光検出素子3cは、下記に示す相違を除けば、光検出素子3aと同様の構成を有する。光検出素子3cは、入射光Lの入射する向きに凹部S3bが面するように、フォトダイオード1bが設けられた構成となっている。フォトダイオード1bは、フォトダイオード1aと同様に、半田や接着剤等を介して支持部材33に設けられている。この場合、フォトダイオード1bの電極29bが支持部材33に接続されている。更に、光検出素子3cは、フォトダイオード1bの表面S1b上に反射部43が設けられた構成となっている。反射部43は、光を反射する反射面43aを有しており、この反射面43aは、フォトダイオード1bの反射防止膜19bに面している。フォトダイオード1a、フォトダイオード1b及び反射部43は、光検出領域14a、光検出領域14b及び反射面43aが順に重なるように配置されている。反射部43は、フォトダイオード1bの表面S1bに設けられていてもよいし、図示しない支持部により支持されていてもよい。以上が、光検出素子3cの光検出素子3aに対する主な相違点である。従って、光検出素子3cは、上述の光検出素子3aと同様の作用・効果を有する。
また、本発明の実施形態としては図6に示す光検出素子3dであってもよい。
光検出素子3dは、下記に示す相違を除けば、光検出素子3aと同様の構成を有する。光検出素子3dにおいて、フォトダイオード1aは、入射光Lの入射する向きに凹部S3aが面するように設けられている。すなわち、この構成において、フォトダイオード1aの凹部S3aと、フォトダイオード1bの光検出領域14bとは、共に入射光Lの入射する向きに面している。光検出素子3dにおいて、フォトダイオード1aは、フォトダイオード1bと同様に、半田や接着剤等を介して支持部材33に設けられている。この場合、フォトダイオード1aの電極21aはバンプボンディング51及び導体部51aを介して支持部材33に接続されている。光検出素子3dにおいて、フォトダイオード1a、フォトダイオード1b及び反射部39は、入射光Lの入射方向からみて、反射防止膜27a、光検出領域14a、光検出領域14b、反射防止膜27b及び反射部39が順に重なるように配置されている。光検出素子3dにおいて、導電路W1は、導体部34a及びバンプボンディング34を介して電極21bに電気的に接続されており、導体部51a及びバンプボンディング51を介して電極21aに電気的に接続されている。光検出素子3dにおいて、導電路W2は、導体部38a及びバンプボンディング38を介して電極23bに電気的に接続されている。以上が、光検出素子3dの光検出素子3aに対する主な相違点である。
また、本発明の実施形態としては図7に示す光検出素子3eであってもよい。光検出素子3eは、下記に示す相違を除けば、光検出素子3dと同様の構成を有する。光検出素子3eにおいて、フォトダイオード1bは、入射光Lの入射する向きに凹部S3bが面するように設けられている。すなわち、フォトダイオード1bは、図5に示す光検出素子3cの場合と同様に配置されている。この構成において、フォトダイオード1aの凹部S3aと、フォトダイオード1bの凹部S3bとは、共に入射光Lの入射する向きに面している。光検出素子3eにおいて、フォトダイオード1bは、フォトダイオード1aと同様に、半田や接着剤を介して支持部材33に設けられている。この場合、フォトダイオード1bの電極29bが支持部材33に接続されている。
また、本発明の実施形態としては図8に示す光検出素子3fであってもよい。光検出素子3fは、下記に示す相違を除けば、光検出素子3eと同様の構成を有する。光検出素子3fにおいて、支持部材33aは支持部材33上に設けられており、この支持部材33aは、支持部材33と同様の形状を有する。光検出素子3fにおいて、支持部材33にはフォトダイオード1bが接続されており、この支持部材33上に設けられた支持部材33aには、フォトダイオード1aが接続されている。光検出素子3fにおいて、フォトダイオード1aは半田や接着剤等を介して支持部材33aに設けられており、フォトダイオード1bも半田や接着剤等を介して支持部材33に設けられている。この場合、フォトダイオード1bの電極29bが支持部材33に接続されており、フォトダイオード1aの電極29aが支持部材33aに接続されている。この構成において、フォトダイオード1aの凹部S3aと、フォトダイオード1bの凹部S3bとは、共に入射光Lの入射する向きに面している。以上が、光検出素子3fの光検出素子3eに対する主な相違点である。
Claims (3)
- 入射光を検出する第1の光検出領域を有する第1のフォトダイオードと、
前記第1のフォトダイオードと電気的に並列接続されており、入射光を検出する第2の光検出領域を有する第2のフォトダイオードと、
光を反射する反射面を有する反射部と
を備え、
前記第1のフォトダイオード、前記第2のフォトダイオード及び前記反射部は、前記第1の光検出領域、前記第2の光検出領域及び前記反射面が、前記入射光の光入射方向に対し順に重なるように配置されており、
前記第1のフォトダイオード及び前記第2のフォトダイオードの各々は、アバランシェフォトダイオードである、ことを特徴とする光検出素子。 - 前記第1の光検出領域と前記第2の光検出領域とは、前記光入射方向に対する前記第1の光検出領域の光感度分布と前記第2の光検出領域の光感度分布とを合成した合成光感度分布が略均一となるように重なっている、ことを特徴とする請求項1に記載の光検出素子。
- 前記第1のフォトダイオードは、第1の反射防止膜及び第2の反射防止膜を有し、
前記第1の反射防止膜及び前記第2の反射防止膜は、当該第1の反射防止膜、前記第1の光検出領域及び当該第2の反射防止膜が、前記光入射方向に対し順に重なるように配置されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光検出素子。
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