JP4906258B2 - Wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本願発明は、例えば、半導体素子などの電気素子を搭載する、特に、生産性に優れた配線基板およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a wiring board on which an electrical element such as a semiconductor element is mounted, and particularly excellent in productivity, and a manufacturing method thereof.

近年、配線基板の配線層を低抵抗化するために配線層の配線層材料として、銀、銅などの低抵抗金属導体が用いられ、絶縁層として、これらの金属の融点以下で焼成が可能なガラスセラミックが使用されている。また、最近では将来電子部品で取り扱う情報量が増えることから伝送信号が高周波化するため、高周波の伝送損失の小さい配線基板の製品化が求められている。高周波信号は表皮効果により配線の外周表面に集中する為、高周波を伝送する配線基板においては、配線層の外周部の低抵抗化を行うことで効率的に伝送損失を低減できる。   In recent years, low-resistance metal conductors such as silver and copper have been used as wiring layer materials for wiring layers in order to reduce the resistance of wiring layers of wiring boards, and the insulating layer can be fired below the melting point of these metals. Glass ceramic is used. Recently, since the amount of information handled by electronic components will increase in the future, the transmission signal becomes higher in frequency, and therefore, it is required to commercialize a wiring board with low transmission loss at high frequency. Since the high-frequency signal is concentrated on the outer peripheral surface of the wiring due to the skin effect, in the wiring board that transmits high frequency, the transmission loss can be efficiently reduced by reducing the resistance of the outer peripheral portion of the wiring layer.

また、通信機器用の電子部品では高周波信号を処理すると同時に高出力の直流や低周波の電力を処理する部品の需要が高まっており、さまざまな周波数で伝送損失の低い配線基板が求められている。   In addition, in electronic components for communication equipment, there is a growing demand for components that process high-frequency DC and low-frequency power at the same time as processing high-frequency signals, and wiring boards with low transmission loss at various frequencies are required. .

そして、銀、銅などの低抵抗金属導体を用いた配線基板において、更に配線層の低抵抗化を図る手法として、金属粉で配線層を形成し、これを焼結させて配線層を作製する方法に変えて、緻密な金属箔で予め配線層を形成しこれをセラミックのグリーンシートの間に積層し、焼成して配線層を形成する方法が紹介されている(例えば、特許文献1参照)。   Then, in a wiring board using a low-resistance metal conductor such as silver or copper, as a technique for further reducing the resistance of the wiring layer, the wiring layer is formed with metal powder and sintered to produce the wiring layer. Instead of the method, a method of forming a wiring layer in advance by forming a wiring layer with a dense metal foil, laminating it between ceramic green sheets, and firing it has been introduced (for example, see Patent Document 1). .

また、導体ペーストを粒径が1〜4μmの金属粉で作製し、この金属粉を焼成により融合一体化させて、大径化することで配線層を緻密な金属組織にすることが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2001−68852号 特開平7−082041号
In addition, it has been proposed that the conductor paste is made of metal powder having a particle size of 1 to 4 μm, the metal powder is fused and integrated by firing, and the wiring layer is formed into a dense metal structure by increasing the diameter. (For example, refer to Patent Document 2).
JP 2001-68852 A JP 7-082041 A

しかし、特許文献1で提案されている方法では、配線層の形成にフォトリソ法、エッチング法等を利用する為、大掛かりな設備投資が必要となるなどの問題がある。   However, the method proposed in Patent Document 1 has a problem that a large capital investment is required because a photolithography method, an etching method, or the like is used for forming a wiring layer.

また、特許文献2で提案されている方法では配線層の金属粒子の融合一体化により粒界は減少し、抵抗を低減することが可能で有るものの、酸素含有窒素、水蒸気含有窒素、あるいは水蒸気含有水素窒素混合気雰囲気でグリーンシート積層体の脱バインダーあるいは焼成を行う工程で配線層を構成する金属粒子が酸化され、焼成後の配線層の抵抗値が増加したり、焼結性が不安定になるなどの問題がある。   Further, in the method proposed in Patent Document 2, although the grain boundary is reduced by the fusion and integration of the metal particles in the wiring layer and the resistance can be reduced, oxygen-containing nitrogen, water-vapor containing nitrogen, or water-vapor containing The metal particles constituting the wiring layer are oxidized in the process of debinding or firing the green sheet laminate in a hydrogen-nitrogen mixture atmosphere, increasing the resistance value of the wiring layer after firing or making the sinterability unstable. There are problems such as becoming.

そのため、配線基板の焼成は高度に精密な制御が必要で、一般的には非常に時間がかかるものであり、配線基板の生産性を低下させ、コストを上昇させる要因となっている。   Therefore, the firing of the wiring board requires highly precise control and is generally very time consuming, which causes the productivity of the wiring board to be reduced and the cost to be increased.

従って、本願発明は、焼成雰囲気の変化に鈍感な生産しやすい安価な配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an inexpensive wiring board that is insensitive to changes in the firing atmosphere and that is easy to produce, and a method for manufacturing the wiring board.

本願発明の配線基板は、配線層となる導体ペーストが被着された絶縁層となるグリーンシートを複数積層して焼成することにより得られた、前記配線層を具備する前記絶縁層の
積層体からなる配線基板において、前記配線層中の金属としてのPの平均含有量が160〜430×10−4質量%であることを特徴とする。
The wiring board of the present invention is obtained by laminating and firing a plurality of green sheets serving as insulating layers coated with a conductive paste serving as a wiring layer, from the laminate of the insulating layers including the wiring layer. In the resulting wiring board, the average content of P as a metal in the wiring layer is 160 to 430 × 10 −4 mass%.

また、本願発明の配線基板は、前記配線層中の金属としてのPの平均含有量が160〜250×10−4質量%であることが望ましい。
Moreover, as for the wiring board of this invention, it is desirable for the average content of P as a metal in the said wiring layer to be 160-250 * 10 < -4 > mass%.

また、本願発明の配線基板は、前記配線層の断面において、前記配線層の表面部における金属としてのPの含有量が80〜200×10−4質量%であることが望ましい。
In the wiring board of the present invention, it is desirable that the content of P as a metal in the surface portion of the wiring layer is 80 to 200 × 10 −4 mass% in the cross section of the wiring layer.

また、本願発明の配線基板は、前記配線層が、銅又は銀を主成分とすることが望ましい。
In the wiring board of the present invention, the wiring layer is preferably composed mainly of copper or silver.

本願発明の配線基板の製造方法は、金属としてのPを500〜1000×10 −4 質量%含有する金属粉末と樹脂とを含有する導体ペーストを用いて、グリーンシートの主面に回路成形体を形成する工程と、該回路成形体が形成された前記グリーンシートを複数積層して積層体を作製する工程と、該積層体を850〜1000℃で焼成する工程と、を具備することを特徴とする。
The method for manufacturing a wiring board according to the present invention uses a conductive paste containing a metal powder containing 500 to 1000 × 10 −4 mass% of P as a metal and a resin, and a circuit molded body on the main surface of the green sheet. A step of forming, a step of producing a laminate by laminating a plurality of the green sheets on which the circuit molded bodies are formed, and a step of firing the laminate at 850 to 1000 ° C. To do.

また、本願発明の配線基板の製造方法は、前記金属粉末が、銅又は銀を主成分とすることが望ましい。   In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, the metal powder is preferably composed mainly of copper or silver.

本願発明者らは、配線基板の生産性を向上させる方法を鋭意工夫した結果、導体ペーストの原料としてPを含有する金属粉末を用いることで、金属粉末の酸化を抑制することができるため、配線層の酸化による抵抗の増大を抑制することができることを見出し、本発明に至った。   As a result of diligently devising a method for improving the productivity of the wiring board, the inventors of the present application can suppress the oxidation of the metal powder by using the metal powder containing P as the raw material of the conductor paste. The inventors have found that an increase in resistance due to oxidation of the layer can be suppressed, and have reached the present invention.

即ち、本願発明の配線基板は、配線層となる導体ペーストが被着された絶縁層となるグリーンシートを複数積層して焼成することにより得られた、前記配線層を具備する前記絶縁層の積層体からなる配線基板において、前記配線層中の金属としてのPの平均含有量が160〜430×10−4質量%であることを特徴とする。
That is, the wiring board of the present invention is a laminate of the insulating layers provided with the wiring layer obtained by laminating and firing a plurality of green sheets serving as insulating layers coated with a conductive paste serving as a wiring layer. In the wiring board comprising a body, the average content of P as a metal in the wiring layer is 160 to 430 × 10 −4 mass%.

また、前記配線層中の金属としてのPの平均含有量が160〜250×10−4質量%であることで、信号の伝送損失を低減することができる。
Moreover, the transmission loss of a signal can be reduced because the average content of P as a metal in the wiring layer is 160 to 250 × 10 −4 mass%.

また、前記配線層の断面において、前記配線層の表面部における金属としてのPの含有量が80〜200×10−4質量%であることで、低抵抗で、高周波信号の伝送損失が小さい配線基板とすることができる。なお、配線層の表面部とは、配線層と絶縁層との界面
から2μmの範囲のことを意味する。
Further, in the cross section of the wiring layer, the content of P as a metal in the surface portion of the wiring layer is 80 to 200 × 10 −4 mass%, so that the wiring has low resistance and low transmission loss of high-frequency signals. It can be a substrate. The surface portion of the wiring layer means a range of 2 μm from the interface between the wiring layer and the insulating layer.

また、配線層を形成する金属として、銅や銀を主成分とする金属を用いることで、低抵抗で高周波特性に優れた配線層を具備する配線基板となる。   In addition, by using a metal mainly composed of copper or silver as a metal for forming the wiring layer, a wiring substrate having a wiring layer having low resistance and excellent high-frequency characteristics can be obtained.

また、本願発明の配線基板の製造方法によれば、金属としてのPを500〜1000×10 −4 質量%含有する金属粉末と樹脂とを含んだ導体ペーストを用いて、グリーンシートの主面に回路成形体を形成する工程と、該回路成形体が形成された前記グリーンシートを複数積層して積層体を作製する工程と、該積層体を850〜1000℃で焼成する工程と、を具備することで、本願発明の配線基板を容易に作製することができる。
Further, according to the method of manufacturing the wiring substrate of the present invention, by using the inclusive conductor paste and the metal powder and a resin containing 500 to 1000 × 10 -4 wt% of P as a metal, the main surface of the green sheet A step of forming a circuit molded body, a step of stacking a plurality of the green sheets on which the circuit molded body is formed to produce a laminated body, and a step of firing the laminated body at 850 to 1000 ° C. Thus, the wiring board of the present invention can be easily manufactured.

また、金属粉末として、銅や銀を主成分とする金属を用いることで、低抵抗で高周波特性に優れた配線層を具備する配線基板を容易に作製することができる。   In addition, by using a metal mainly composed of copper or silver as the metal powder, a wiring substrate having a wiring layer having a low resistance and excellent high-frequency characteristics can be easily manufactured.

以下、本願発明の配線基板について、図面に基づいて説明する。   Hereinafter, the wiring board of the present invention will be described with reference to the drawings.

本願発明の配線基板1によれば、絶縁基板3は、複数の絶縁層3a〜3cを積層してなる積層体から構成され、その絶縁層3a〜3c間および絶縁基板3表面には配線層5が被着形成されている。さらに、各絶縁層3a〜3cには、厚み方向を貫くように形成された直径が50〜300μmの貫通導体7が形成され、これにより、配線層5間を接続し所定回路を達成するための回路網が形成される。   According to the wiring substrate 1 of the present invention, the insulating substrate 3 is constituted by a laminated body formed by laminating a plurality of insulating layers 3a to 3c, and the wiring layer 5 is provided between the insulating layers 3a to 3c and on the surface of the insulating substrate 3. Is deposited. Further, each insulating layer 3a to 3c is formed with a through conductor 7 having a diameter of 50 to 300 μm formed so as to penetrate the thickness direction, thereby connecting the wiring layers 5 to achieve a predetermined circuit. A network is formed.

そして、このような配線基板1の一方の主面には、半導体素子などの電気素子(図示せず)が搭載され、電気素子の接続端子と配線基板1の表面に形成された配線層5とが接続される。また、配線基板1の他方の主面に形成された配線層5は、外部回路基板(図示せず)の接続端子と接続される。   An electrical element (not shown) such as a semiconductor element is mounted on one main surface of such a wiring board 1, and a connection layer of the electrical element and a wiring layer 5 formed on the surface of the wiring board 1 are provided. Is connected. Further, the wiring layer 5 formed on the other main surface of the wiring board 1 is connected to a connection terminal of an external circuit board (not shown).

このような配線基板1において、例えば、図2に示すように、配線層5は金属9と無機酸化物11などにより形成されている。そして、配線層5は、W、Mn、Cu、Agなどの金属粉末を含有する導体ペーストと、絶縁層3となるグリーンシートと同時焼成して形成されるものである。   In such a wiring substrate 1, for example, as shown in FIG. 2, the wiring layer 5 is formed of a metal 9 and an inorganic oxide 11. The wiring layer 5 is formed by simultaneously firing a conductor paste containing metal powder such as W, Mn, Cu, and Ag and a green sheet to be the insulating layer 3.

また、さらに配線層5を構成する金属9として、Ag、Cuといった低抵抗な金属を用いることで、さらに信号の伝送特性に優れた配線層5を具備する配線基板1となる。   Further, by using a low-resistance metal such as Ag or Cu as the metal 9 constituting the wiring layer 5, the wiring substrate 1 having the wiring layer 5 further excellent in signal transmission characteristics is obtained.

本願発明においては、この配線層5が絶縁層3となるグリーンシートと同時焼成されて形成されるものであり、配線層5を構成する金属がPを含有することが重要である。   In the present invention, the wiring layer 5 is formed by co-firing with the green sheet to be the insulating layer 3, and it is important that the metal constituting the wiring layer 5 contains P.

すなわち、本願発明の配線層5は、Pを含有する金属粒子を含む導体ペーストを絶縁層3となるグリーンシートと同時焼成して形成されたものである。   That is, the wiring layer 5 of the present invention is formed by simultaneously firing a conductive paste containing metal particles containing P with a green sheet that becomes the insulating layer 3.

このような配線層5を構成する金属9に金属としてのPを含有させることで、焼成雰囲気の変化に鈍感で、幅広い条件で焼成しても配線層5の焼結性や抵抗値にほとんど変化がなく、容易に特性ばらつきの抑制された配線基板1が得られるのである。
By including P as a metal in the metal 9 constituting such a wiring layer 5, the sinterability and resistance value of the wiring layer 5 are hardly changed even when fired under a wide range of conditions. Therefore, the wiring board 1 in which the characteristic variation is easily suppressed can be obtained.

通常、セラミック配線基板はグリーンシートに金属ペーストを配置し、これを複数枚積層した後、酸素含有窒素、水蒸気含有窒素、あるいは水蒸気含有水素窒素混合気雰囲気で300℃以上に加熱して脱バインダーした後、金属ペースト及びグリーンシートを焼結させて得る。この脱バインダーの過程で微弱な酸化雰囲気を用いるのは脱バインダーの過程でバインダーが分解し、すすの炭素が残るのを防ぐためである。しかし、この時、金属9は酸化するため配線層5の電気抵抗は増加する。しかし、予め金属ペーストにPを加えておくことによりこの過程における配線層5の金属9の酸化を防止することができるのである。
Usually, a ceramic wiring board is made of a metal paste placed on a green sheet and laminated, and then debindered by heating to 300 ° C. or higher in an oxygen-containing nitrogen, water-vapor containing nitrogen, or water vapor-containing hydrogen-nitrogen mixture atmosphere. Thereafter, a metal paste and a green sheet are sintered. The reason why the weak oxidizing atmosphere is used in the process of removing the binder is to prevent the soot- like carbon from remaining due to the decomposition of the binder in the process of removing the binder. However, since the metal 9 is oxidized at this time, the electrical resistance of the wiring layer 5 increases. However, by previously adding P to the metal paste, it is possible to prevent the metal 9 of the wiring layer 5 from being oxidized during this process.

ただし、Pの含有量が多すぎる場合には、配線層5の抵抗が増加する傾向にあるため、配線層5の金属9に含まれるPの平均含有量は、160〜430×10 −4 質量%、さらには160〜250×10−4質量%以下とすることが望ましく、配線層5の金属9におけるPの平均含有量を160〜250×10−4質量%とした場合には、配線層5全体の抵抗を小さくすることができ、例えば、直流の信号や低周波の信号であっても伝送特性を向上させることができる。
However, since the resistance of the wiring layer 5 tends to increase when the P content is too large, the average content of P contained in the metal 9 of the wiring layer 5 is 160 to 430 × 10 −4 mass. %, More preferably 160 to 250 × 10 −4 mass% or less, and when the average content of P in the metal 9 of the wiring layer 5 is 160 to 250 × 10 −4 mass % , the wiring layer The overall resistance can be reduced. For example, even a DC signal or a low-frequency signal can improve transmission characteristics.

特に、配線層5の抵抗を小さくする点から、配線層5の金属9におけるPの平均含有量は、160〜200×10−4質量%、さらに、160〜180×10−4質量%とすることが望ましい。
In particular, from the viewpoint of reducing the resistance of the wiring layer 5, the average content of P in the metal 9 of the wiring layer 5 is set to 160 to 200 × 10 −4 mass %, and further to 160 to 180 × 10 −4 mass % . It is desirable.

なお、導体ペーストに含まれる金属成分のPの含有量は、焼成工程において、減少するため、導体ペーストに含まれる金属成分のPの含有量は、焼成過程を経た配線層5として、160〜430×10−4質量%となればよい。
In addition, since content of P of the metal component contained in the conductor paste decreases in the firing step, the content of P of the metal component contained in the conductor paste is 160 to 43 as the wiring layer 5 that has undergone the firing process. 0 × 10 -4% by weight and not good if.

特に、配線層5を構成する金属9の中心部9aと表面部9bのうち表面部9bの抵抗は、いわゆる表皮効果により、高周波の信号の伝送特性に大きく影響するため、配線層5の表面部9bの金属9に含まれるPの量は80〜200×10−4質量%とすることが望ましい。
In particular, the resistance of the surface portion 9b of the central portion 9a and the surface portion 9b of the metal 9 constituting the wiring layer 5 greatly affects the transmission characteristics of high-frequency signals due to the so-called skin effect. The amount of P contained in the metal 9 of 9b is desirably 80 to 200 × 10 −4 mass % .

なお、表面部9bとは、配線層5と絶縁層3との界面から2μmの範囲のことを意味する。   The surface portion 9 b means a range of 2 μm from the interface between the wiring layer 5 and the insulating layer 3.

また、配線層5の表面部9bの金属におけるPの含有量は、さらに80〜150×10−4質量%とすることが、高周波特性を向上させる点で望ましい。
Further, the P content in the metal of the surface portion 9b of the wiring layer 5 is preferably 80 to 150 × 10 −4 mass % in terms of improving high frequency characteristics.

いずれにしても、配線基板1の構成部材としての配線層5の表面部9bにおいて、Pの含有量を80〜200×10−4質量%とすることで、特に、高周波特性に優れた配線層5を具備する配線基板1となるのである。
In any case, in the surface portion 9b of the wiring layer 5 as the constituent member of the wiring substrate 1, the P content is set to 80 to 200 × 10 −4 mass %, so that the wiring layer particularly excellent in high frequency characteristics. Thus, the wiring board 1 having 5 is obtained.

これらの配線層5の金属9となる金属粉末は、平均粒径0.1〜20μmのものが好適に用いられる。特に、配線層5を緻密化し、電気抵抗をさせるという点では、平均粒径5μm以下の金属粉末を用いることが望ましい。また、同様の観点から、0.2〜2.0m/gの比表面積の金属粉末を用いることが望ましい。 A metal powder having an average particle diameter of 0.1 to 20 μm is preferably used as the metal powder 9 serving as the metal 9 of these wiring layers 5. In particular, it is desirable to use a metal powder having an average particle size of 5 μm or less in terms of densifying the wiring layer 5 and causing electric resistance. From the same viewpoint, it is desirable to use a metal powder having a specific surface area of 0.2 to 2.0 m 2 / g.

また、配線層5に含まれる無機酸化物11としては、アルミナ、シリカ、ガラス等が挙げられ、平均粒径0.1〜5μmの範囲のものが好適に用いられる。また、配線層5における無機酸化物11の含有量は、配線層5と絶縁層3との接着力を向上させるという観点から1体積%以上とすることが望ましく、配線層5の抵抗を下げるという観点からは15体積%以下とすることが望ましい。   Examples of the inorganic oxide 11 contained in the wiring layer 5 include alumina, silica, glass, and the like, and those having an average particle size in the range of 0.1 to 5 μm are preferably used. In addition, the content of the inorganic oxide 11 in the wiring layer 5 is desirably 1% by volume or more from the viewpoint of improving the adhesive force between the wiring layer 5 and the insulating layer 3, and the resistance of the wiring layer 5 is reduced. From a viewpoint, it is desirable to set it as 15 volume% or less.

本願発明では、絶縁層3a〜3cからなる絶縁基板3は、ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物を焼成してなるガラスセラミックスによって形成されたものであることが望ましく、特に、ガラス成分10〜70重量%と、セラミックフィラー成分30〜90重量%の割合からなる組成物を焼成したものであることが望ましい。このようなガラスセラミックスは、焼成温度が800〜1050℃と低いために、後述する低抵抗導体との同時焼成が可能である点で有利であり、また、概して誘電率が低いために、高周波信号などの伝送損失を低減することができる。   In the present invention, the insulating substrate 3 composed of the insulating layers 3a to 3c is preferably formed of glass ceramics formed by firing glass powder or a mixture of glass powder and ceramic filler powder. It is desirable to fire a composition comprising 10 to 70% by weight of the component and 30 to 90% by weight of the ceramic filler component. Such a glass ceramic is advantageous in that the firing temperature is as low as 800 to 1050 ° C., so that it can be co-fired with a low-resistance conductor, which will be described later, and because the dielectric constant is generally low, Transmission loss such as can be reduced.

ここで、用いられるガラス成分としては、少なくともSiOを含み、Al、B、ZnO、PbO、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも1種を含有したものであって、例えば、SiO−B系、SiO−B−Al系−MO系(但し、MはCa、Sr、Mg、BaまたはZnを示す)等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ba系ガラス、Pb系ガラス、Bi系ガラス等が挙げられる。 Here, the glass component used includes at least SiO 2 and contains at least one of Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, PbO, alkaline earth metal oxide, and alkali metal oxide. For example, SiO 2 —B 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 system—MO system (where M represents Ca, Sr, Mg, Ba or Zn), etc. Borosilicate glass, alkali silicate glass, Ba glass, Pb glass, Bi glass and the like.

これらのガラスは、焼成処理することによっても非晶質のままである非晶質ガラス、また焼成処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも1種類を析出する結晶化ガラスのいずれでも用いられる。   These glasses are amorphous glass that remains amorphous when fired, and lithium silicate, quartz, cristobalite, cordierite, mullite, anorthite, serdian, spinel, garnite, willemite by firing. Any crystallized glass that precipitates at least one kind of crystals of dolomite, petalite, and substituted derivatives thereof.

また、セラミックフィラーとしては、クォーツ、クリストバライト等のSiOや、Al、ZrO、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア、ジルコン酸カルシウム、珪酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、等が好適に用いられる。 As the ceramic filler, quartz, and SiO 2 of cristobalite, Al 2 O 3, ZrO 2 , mullite, forsterite, enstatite, spinel, magnesia, calcium zirconate, strontium silicate, calcium titanate, barium titanate , Etc. are preferably used.

また、本願発明の配線基板1において、表面の配線層5は、ICチップなどの各種電子部品5を搭載するためのパッドとして、シールド用導体膜として、さらには、外部回路と接続する端子電極として用いられ、各種電子部品が配線層5に半田や導電性接着剤などを介して接合される。尚、図示していないが、必要に応じて、配線基板1の表面には、さらに珪化タンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜や配線層保護膜などを形成しても構わない。   In the wiring board 1 of the present invention, the wiring layer 5 on the surface is used as a pad for mounting various electronic components 5 such as an IC chip, as a conductor film for shielding, and further as a terminal electrode connected to an external circuit. Used, various electronic components are joined to the wiring layer 5 via solder, conductive adhesive, or the like. Although not shown, a thick film resistor film such as tantalum silicide or molybdenum silicide, a wiring layer protective film, or the like may be further formed on the surface of the wiring substrate 1 as necessary.

以下に、本願発明の配線基板1を作製する方法について1例を用いて説明する。   Hereinafter, a method for producing the wiring board 1 of the present invention will be described with reference to an example.

まず、上述したような非結晶ガラス又は結晶化ガラスと前記のセラミックフィラー成分を混合してセラミック組成物を調製し、その混合物に有機バインダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などによりシート状に成形して厚さ約20〜300μmのグリーンシートを作製する。   First, a non-crystalline glass or crystallized glass as described above and the ceramic filler component are mixed to prepare a ceramic composition. After adding an organic binder to the mixture, the doctor blade method, rolling method, pressing method A green sheet having a thickness of about 20 to 300 μm is formed by forming into a sheet shape by the above.

そして、このグリーンシートにレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径50〜300μmの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填して貫通導体を形成する。導体ペーストは、Pを含有する金属粉末に、アクリル樹脂などからなる有機バインダーとトルエン、イソプロピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを混合して形成されるものである。   A through hole having a diameter of 50 to 300 μm is formed in the green sheet by laser, micro drilling, punching or the like, and a conductive paste is filled therein to form a through conductor. The conductive paste is formed by mixing P-containing metal powder with an organic binder made of an acrylic resin and an organic solvent such as toluene, isopropyl alcohol, and acetone.

この金属粉末は、銀、銅を主成分とする金属粉末を用いることが、配線層5の低抵抗化を計る上で望ましい。   As the metal powder, it is desirable to use a metal powder mainly composed of silver and copper in order to reduce the resistance of the wiring layer 5.

また、金属成分100質量部に対して、有機バインダーは2〜15質量部、有機溶剤は3〜20質量部の割合で添加されることが望ましい。   Moreover, it is desirable that 2 to 15 parts by mass of the organic binder and 3 to 20 parts by mass of the organic solvent are added to 100 parts by mass of the metal component.

なお、この導体ペースト中には若干のガラス成分やセラミックフィラー等を添加してもよい。これにより貫通導体とセラミックとの接続信頼性が向上するとともに、貫通導体の基板表面での突き出し、くぼみを容易にコントロールすることができる。ガラスやセラミックフィラーとしては例えばグリーンシートを成形する場合に使用できる前述のものを使用することが可能である。   A slight glass component or ceramic filler may be added to the conductor paste. As a result, the connection reliability between the through conductor and the ceramic is improved, and the protrusion and depression of the through conductor on the substrate surface can be easily controlled. As the glass or ceramic filler, for example, those described above that can be used when forming a green sheet can be used.

次に、このグリーンシートの表面に導体ペーストを、例えば、スクリーン印刷等の方法により印刷形成することで、任意の形状のパターンをグリーンシート表面に形成することができる。印刷の方法としてはスクリーン印刷以外にオフセット印刷やインクジェット等の方法で行ってももちろんかまわない。   Next, a pattern of an arbitrary shape can be formed on the surface of the green sheet by printing the conductor paste on the surface of the green sheet by, for example, a method such as screen printing. Of course, the printing method may be offset printing, ink jet, or the like other than screen printing.

導体ペースト中の金属粉末は、平均粒径が0.01〜10μm、好ましくは平均粒径が0.1〜0.5μmの球状粉で5001000×10 −4 質量のPを含有する。
Metal powder in the conductive paste have an average particle size of 0.01 to 10 [mu] m, preferably contains an average particle size of 500 ~ 1000 × 10 -4 wt% spherical powder 0.1 to 0.5 [mu] m P .

なお、金属粉末へのPの添加は、金属粉末の形成中に金属粉末中に取り込ませる方法、あるいは金属粉末形成前の地金に添加する方法、あるいはそのほかにも粉末形成後に表面処理する方法等のいずれの方法でもかまわない。また、金属粉末の形成後に表面処理する方法としてはペーストの作製工程で同時に行うことも可能である。   In addition, the addition of P to the metal powder is a method of incorporating into the metal powder during the formation of the metal powder, a method of adding to the metal before the metal powder formation, or a method of performing a surface treatment after the powder formation, etc. Either method is acceptable. Moreover, as a method of performing the surface treatment after the formation of the metal powder, it is possible to carry out simultaneously in the paste production process.

さらに、導体ペーストに添加するバインダーとしては、窒素雰囲気中での熱分解性に優れたメタクリル酸樹脂、具体的には、ポリメタクリル酸イソブチル、ポリメタクリル酸ノルマルブチル等を使用するのが望ましい。また、前記導体ペーストに使用する溶剤としては、フタル酸ジブチル、αテルピネオール等が好適であり、バインダーは、前記銅粉末100質量部に対して2〜15質量部が適当であり、溶剤は、10〜50質量部が適当である。   Further, as the binder added to the conductor paste, it is desirable to use a methacrylic acid resin excellent in thermal decomposability in a nitrogen atmosphere, specifically polybutyl methacrylate, polybutyl normal, or the like. Moreover, as a solvent used for the conductor paste, dibutyl phthalate, α-terpineol and the like are suitable, and the binder is suitably 2 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the copper powder. -50 mass parts is suitable.

次に、上記と同様にして作製された複数のグリーンシートを積層圧着して積層体を形成する。グリーンシートの積層には、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。次にこの積層体を所望の大きさに切断する。   Next, a plurality of green sheets produced in the same manner as described above are laminated and pressed to form a laminate. For the lamination of green sheets, a method of applying heat and pressure to the stacked green sheets and thermocompression bonding, a method of applying an adhesive composed of organic binder, plasticizer, solvent, etc. between the sheets, and thermocompression bonding are adopted. Is possible. Next, this laminate is cut into a desired size.

この様にして得られた未焼成の配線基板となる積層体を酸素含有窒素、水蒸気含有窒素、あるいは水蒸気含有水素窒素混合気雰囲気下、300〜850℃の温度で2時間脱溶剤及び脱バインダーを行う。この時、バインダーが分解してすす状となった炭素まで含めて完全に除去する。次に、850〜1000℃でセラミックを焼結させる。この時の雰囲気は先ほどの酸素含有窒素、水蒸気含有窒素、あるいは水蒸気含有水素窒素混合気雰囲気であってもかまわず、また非酸化雰囲気であっても構わない。
The laminated body to be an unfired wiring board thus obtained was subjected to solvent removal and binder removal at a temperature of 300 to 850 ° C. for 2 hours in an oxygen-containing nitrogen, water-vapor containing nitrogen, or water vapor-containing hydrogen-nitrogen mixed atmosphere. Do. At this time, the carbon including the soot-like material decomposed by the binder is completely removed. Next, the ceramic is sintered at 850 to 1000 ° C. Atmosphere at this time the previous oxygen-containing nitrogen, a water vapor-containing nitrogen or water vapor-containing hydrogen-nitrogen mixed gas atmosphere, no matter, also not adversely structure be a non-oxidizing atmosphere.

これらの熱処理の過程で金属粉末は酸化雰囲気にさらされるが、本発明によれば金属粉末に添加したPには還元作用があるため、酸化雰囲気が強くなったとしても配線層の金属の酸化を抑制することができるのである。   During the heat treatment, the metal powder is exposed to an oxidizing atmosphere. However, according to the present invention, P added to the metal powder has a reducing action, so even if the oxidizing atmosphere becomes stronger, the metal in the wiring layer is oxidized. It can be suppressed.

そして、配線層5の金属に含まれるPは配線基板1の焼成終了後に160〜250×10−4質量%とすることが配線層5の伝送損失を低減する上では望ましい。 Then, P contained in the metal of the wiring layer 5 is preferably 160 to 250 × 10 −4 mass % after the completion of the baking of the wiring substrate 1 in order to reduce the transmission loss of the wiring layer 5.

以下、本願発明の配線基板について、実施例に基づき具体的に詳述する。   Hereinafter, the wiring board of the present invention will be described in detail based on examples.

まず、結晶性ガラス粉末として、SiO:40質量部、Al:30質量部、MgO:15質量部、ZnO:5質量部、B:10質量部の結晶性ガラス粉末:80質量部と、セラミックフィラーとしてアルミナ20質量部の組み合わせからなるガラスセラミック原料粉末100質量部に対して、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂を固形分で14質量部、可塑剤としてフタル酸ジブチルを7質量部添加し、トルエンを溶剤として添加したスラリーを用いて、ドクターブレード法により、焼成後の厚みが0.15mmとなるようなグリーンシートを作製した。 First, as a crystalline glass powder, SiO 2: 40 parts by weight, Al 2 O 3: 30 parts by weight, MgO: 15 parts by weight, ZnO: 5 parts by weight, B 2 O 3: 10 parts by weight of the crystallizable glass powder: 80 parts by mass and 100 parts by mass of a glass ceramic raw material powder consisting of 20 parts by mass of alumina as a ceramic filler, 14 parts by mass of an isobutyl methacrylate resin as a solid binder and 7 parts of dibutyl phthalate as a plasticizer A green sheet having a thickness after firing of 0.15 mm was prepared by a doctor blade method using a slurry in which parts by mass were added and toluene was added as a solvent.

次に、表1に示すP含有量の平均粒径2μmのCu粉末、Ag粉末を準備し、これらの金属粉末100質量部に対してポリメタクリル酸イソブチルからなるバインダーを7質量部と、テルピネオール15質量部、フタル酸ジブチル5質量部を加え導体ペーストを作製した。   Next, Cu powder and Ag powder having an average particle size of 2 μm having a P content shown in Table 1 were prepared, and 7 parts by mass of a binder made of polyisobutyl methacrylate and 100 parts by mass of these metal powders, and terpineol 15 A conductor paste was prepared by adding 5 parts by mass of dibutyl phthalate.

次に、これらのグリーンシート、導体ペーストを用いて、マイクロストリップラインを具備する伝送損失測定用の基板を作製した。   Next, using these green sheets and conductor paste, a transmission loss measurement substrate having a microstrip line was prepared.

まず、グリーンシート上に先の導体ペーストを用いて焼成後の幅が0.1mm、厚み10μm、長さが30mmのパターンをスクリーン印刷にて印刷した。このグリーンシートには予め所定の位置にグランド層と接続するために導体ペーストを埋め込んだVIAを準備してある。また、このグリーンシートの裏面にはグランドとなるパターンを導体ペーストで印刷した。   First, a pattern having a width after firing of 0.1 mm, a thickness of 10 μm, and a length of 30 mm was printed on a green sheet by screen printing using the above conductor paste. In this green sheet, a VIA in which a conductive paste is embedded is prepared in advance for connection to a ground layer at a predetermined position. Also, a ground pattern was printed on the back surface of the green sheet with a conductive paste.

更にグリーンシートの裏面に5枚のグリーンシートを加熱圧着した。   Further, five green sheets were heat-pressed on the back surface of the green sheet.

こうして得られた積層体を、表1に示す量の酸素を含む窒素雰囲気下で700℃×2時間脱バインダーを行った後、表1に示す量の酸素を含む窒素雰囲気下で950℃×1時間の焼成を行った。   The thus obtained laminate was debindered at 700 ° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere containing the amount of oxygen shown in Table 1, and then 950 ° C. × 1 in a nitrogen atmosphere containing the amount of oxygen shown in Table 1. Time firing was performed.

このようにして得られた配線基板の配線抵抗と30GHzにおける透過係数S21をネットワークアナライザーで測定した。また、配線層のPの平均含有量は配線層を削ぎ落としてICP発光分光分析法で測定した。また、配線層表面部のP含有量は配線層を断面方向に研磨し、絶縁層との界面から1μm内側の所をSIMS(二次イオン質量分析法)で測定し、検量線より求めた。これらの結果を表1に示す。

Figure 0004906258
The transmission coefficient S 21 of the wiring resistance and 30GHz the wiring substrate obtained in this way was measured with a network analyzer. Further, the average content of P in the wiring layer was measured by ICP emission spectroscopic analysis after scraping off the wiring layer. Further, the P content in the surface portion of the wiring layer was obtained by polishing the wiring layer in the cross-sectional direction, measuring the location 1 μm inside from the interface with the insulating layer by SIMS (secondary ion mass spectrometry), and calculating from the calibration curve. These results are shown in Table 1.
Figure 0004906258

本発明の範囲外である金属粉末にPを含有せず、配線層にPを含有しない試料No.1〜5、23〜27では、配線層の抵抗、透過係数がともに高くなり、一部の限られた焼成条件で処理した場合のみ、実用に耐えるものであった。特に、Cu粉末を用い、酸素濃度が1×10−4質量%の試料No.2〜5では、配線層が酸化され、絶縁層から剥離し、配線層の抵抗及び透過係数S21の測定はできなかった。 Sample No. which does not contain P in the metal powder outside the scope of the present invention and does not contain P in the wiring layer. In 1-5 and 23-27, both the resistance and the transmission coefficient of the wiring layer were high, and it was practical only when processed under some limited firing conditions. In particular, sample No. 1 using Cu powder and having an oxygen concentration of 1 × 10 −4 mass%. In 2-5, the wiring layer is oxidized, and peeled off from the insulating layer, it was not the resistance and measurement of the transmission coefficient S 21 of the wiring layer.

一方、本発明の試料No.6〜22、28〜42では、酸素濃度が変化しても抵抗、透過係数の変化は、十分に実用に耐える程度であり、焼成工程において、精密な制御を無用とするものであった。   On the other hand, sample no. In 6-22 and 28-42, even if the oxygen concentration changed, the resistance and the permeability coefficient changed sufficiently to withstand practical use, and precise control was unnecessary in the firing process.

本願発明の配線基板の断面図である。It is sectional drawing of the wiring board of this invention. 本願発明の配線層の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the wiring layer of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・配線基板
3a、3b、3c・・・配線層
3・・・絶縁基板
5・・・配線層
7・・・貫通導体
9a・・・中心部
9b・・・表面部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board 3a, 3b, 3c ... Wiring layer 3 ... Insulating substrate 5 ... Wiring layer 7 ... Through conductor 9a ... Center part 9b ... Surface part

Claims (6)

配線層となる導体ペーストが被着された絶縁層となるグリーンシートを複数積層して焼成することにより得られた、前記配線層を具備する前記絶縁層の積層体からなる配線基板において、前記配線層中の金属としてのPの平均含有量が160〜430×10−4質量%であることを特徴とする配線基板。 In a wiring board comprising a laminate of the insulating layers provided with the wiring layer, obtained by laminating and firing a plurality of green sheets serving as insulating layers coated with a conductive paste serving as a wiring layer, the wiring The wiring board, wherein an average content of P as a metal in the layer is 160 to 430 × 10 −4 mass%. 前記配線層中の金属としてのPの平均含有量が160〜250×10−4質量%であることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 The wiring board according to claim 1, wherein an average content of P as a metal in the wiring layer is 160 to 250 × 10 −4 mass%. 前記配線層の断面において、前記配線層の表面部における金属としてのPの含有量が80〜200×10−4質量%であることを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。 3. The wiring board according to claim 1, wherein, in a cross section of the wiring layer, a content of P as a metal in a surface portion of the wiring layer is 80 to 200 × 10 −4 mass%. 前記配線層が、銅又は銀を主成分とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の配線基板。   4. The wiring board according to claim 1, wherein the wiring layer contains copper or silver as a main component. 金属としてのPを500〜1000×10−4質量%含有する金属粉末と樹脂とを含有する導体ペーストを用いて、グリーンシートの主面に回路成形体を形成する工程と、該回路成形体が形成された前記グリーンシートを複数積層して積層体を作製する工程と、該積層体を850〜1000℃で焼成する工程と、を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。 A step of forming a circuit molded body on the main surface of the green sheet using a conductive paste containing a metal powder containing 500 to 1000 × 10 −4 mass% of P as a metal and a resin; A method for manufacturing a wiring board, comprising: a step of producing a laminate by laminating a plurality of the formed green sheets; and a step of firing the laminate at 850 to 1000 ° C. 前記金属粉末が、銅又は銀を主成分とすることを特徴とする請求項5に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 5, wherein the metal powder contains copper or silver as a main component.
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