JP2014179473A - Method for manufacturing ceramic substrate and conductor material - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress silver from diffusing from a conductor material during burning in a step of manufacturing a wiring circuit which uses a silver-based conductor material.SOLUTION: A method for manufacturing a ceramic substrate comprises the steps of: preparing a green sheet which is an unburned ceramic substrate (step S10); manufacturing a conductor paste added with a transition metal material including hydrogen atoms discharged during burning as an unburned silver-based conductor material (step S20); configuring an unburned laminate by laminating the green sheet in which a wiring pattern is formed using the conductor paste (step S30); and acquiring an LTCC substrate by burning the unburned laminate at a low temperature (step S40).

Description

本発明は、銀系導体材料を用いた配線基板に関する。   The present invention relates to a wiring board using a silver-based conductor material.

銀系導体材料を用いた配線基板としては、低温焼成セラミック多層基板(以下、「LTCC基板」とも呼ぶ。「LTCC」は、Low Temperature Co-fired Ceramicsの略語である。)が知られている。LTCC基板は、通常、未焼成のセラミック基板であるグリーンシートに、未焼成の銀系導体材料を配置して配線パターンを作製し、当該グリーンシートを複数積層して焼成することによって製造される。   As a wiring board using a silver-based conductive material, a low-temperature fired ceramic multilayer board (hereinafter also referred to as “LTCC board”. “LTCC” is an abbreviation for Low Temperature Co-fired Ceramics) is known. The LTCC substrate is usually manufactured by arranging an unsintered silver-based conductor material on a green sheet, which is an unsintered ceramic substrate, to produce a wiring pattern, and laminating and firing a plurality of the green sheets.

ところで、LTCC基板に限らず、銀系導体材料を用いた配線基板の製造工程では、焼成中に導体材料中の銀が基板中に拡散してしまうという問題があった。導体材料中の銀が基板中に拡散すると、導体によって形成された配線パターンと基板との間にボイドとも呼ばれる空隙や、基板の変形、変色などの不具合が生じてしまう。従来から、銀系導体材料を用いる配線基板の製造技術においては、焼成中の銀の拡散に起因する不具合の発生を抑制するための技術が提案されてきた(下記特許文献1−12)。   By the way, in the manufacturing process of the wiring board which used not only the LTCC board | substrate but the silver-type conductor material, there existed a problem that the silver in a conductor material would diffuse in a board | substrate during baking. When the silver in the conductive material diffuses into the substrate, there are problems such as voids called voids between the wiring pattern formed by the conductor and the substrate, and deformation and discoloration of the substrate. Conventionally, in a manufacturing technique of a wiring board using a silver-based conductor material, a technique for suppressing the occurrence of defects due to silver diffusion during firing has been proposed (Patent Documents 1-12 below).

特許第3528037号公報Japanese Patent No. 3528037 特開第3121822号公報Japanese Patent No. 3121822 特開平6−20516号公報JP-A-6-20516 特開平9−246722号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-246722 特開2003−162962号公報JP 2003-162962 A 特開2008−288076号公報JP 2008-288076 A 特公平7−19964号公報Japanese Patent Publication No. 7-19964 特開平10−338546号公報JP-A-10-338546 特開平11−217260号公報JP-A-11-217260 特開2007−81321号公報JP 2007-81321 A 特開2002−80274号公報JP 2002-80274 A 特開2007−81324号公報JP 2007-81324 A

特許文献1では、導体材料に、焼成温度において銀よりも容易に酸化物を形成する金属を添加しておくことによって、焼成中における銀の酸化を抑制し、銀がガラスセラミック絶縁材料へと拡散することを抑制する。また、特許文献2では、導体ペーストに、基板材料中のガラスよりも軟化点が高いガラスを添加しておき、焼成中に導体ペースト中に添加されているガラスと銀とを反応させることによって基板材料中への銀の拡散を抑制する。しかし、特許文献1,2の技術では、導体中に生成される酸化物や銀を含むガラスによって導体の抵抗が増大してしまう可能性がある。   In Patent Document 1, by adding a metal that forms an oxide more easily than silver at the firing temperature to the conductive material, the oxidation of silver during firing is suppressed, and silver diffuses into the glass ceramic insulating material. To suppress. Further, in Patent Document 2, glass having a softening point higher than that of the glass in the substrate material is added to the conductor paste, and the glass added to the conductor paste during firing is reacted with silver. Suppresses the diffusion of silver into the material. However, in the techniques of Patent Documents 1 and 2, there is a possibility that the resistance of the conductor is increased by the glass containing oxide or silver generated in the conductor.

特許文献3では、導体組成物に含有させておいた、低温焼成基板の焼結を遅延させる焼結制御剤(クロムやクロム化合物)によって、焼成中に銀の拡散によって促進される導体組成物と低温焼成基板との界面における低温焼成基板の収縮を抑制する。しかし、特許文献3の技術では、焼成中における導体材料からの銀の拡散自体は抑制されていない。また、導体組成物中に残留した焼結制御剤によって導体抵抗が増大する可能性がある。さらに、導体組成物と低温焼成基板との界面に移動した焼結制御剤の影響によって、当該界面の性状が基板の他の部位と異なってしまい、強度の低下などの不具合が生じる可能性もある。   In Patent Document 3, a conductor composition that is contained in a conductor composition and that is promoted by silver diffusion during firing by a sintering control agent (chromium or chromium compound) that delays the sintering of a low-temperature fired substrate, The shrinkage of the low-temperature fired substrate at the interface with the low-temperature fired substrate is suppressed. However, in the technique of Patent Document 3, the diffusion of silver itself from the conductor material during firing is not suppressed. In addition, the conductor resistance may increase due to the sintering control agent remaining in the conductor composition. Furthermore, due to the influence of the sintering control agent that has moved to the interface between the conductor composition and the low-temperature fired substrate, the properties of the interface may differ from other parts of the substrate, which may cause problems such as a decrease in strength. .

特許文献4では、導体ペーストに、焼成中に基板のガラスセラミックス材料中のガラス粉末より先に軟化して溶融し、導体配線の周囲に被膜を形成するガラス粉末を添加しておき、当該被膜によって導体金属が基板へと拡散してしまうことを防止する。しかし、特許文献4の技術では、導体中にガラス粉末が残留することによって、導体の抵抗が増大する可能性がある。また、焼成中に導体配線の周囲に形成された被膜によって、当該部位の性状が基板の他の部位と異なってしまう可能性がある。   In Patent Document 4, glass powder that softens and melts prior to the glass powder in the glass ceramic material of the substrate during firing to the conductor paste and forms a film around the conductor wiring is added to the conductor paste. The conductive metal is prevented from diffusing into the substrate. However, in the technique of Patent Document 4, the resistance of the conductor may increase due to the glass powder remaining in the conductor. Moreover, the property of the said site | part may differ from the other site | part of a board | substrate by the film formed around the conductor wiring during baking.

特許文献5では、銀電極に遷移金属や白金族金属、それらの酸化物を配置しておくことによって、焼成中にガラス基板や誘電体層に銀イオンが拡散してしまうことを抑制する。しかし、特許文献5の技術では、焼成中の銀の酸化の発生は抑制されないため、銀の導体材料からの拡散を十分に抑制することができない。   In Patent Document 5, by disposing a transition metal, a platinum group metal, or an oxide thereof on a silver electrode, silver ions are prevented from diffusing into a glass substrate or a dielectric layer during firing. However, in the technique of Patent Document 5, since the occurrence of oxidation of silver during firing is not suppressed, diffusion from silver conductor material cannot be sufficiently suppressed.

特許文献6では、低温焼成基板用導体ペーストに熱分解性のアルカリ金属化合物を含有させておき、焼成中にアルカリ金属化合物の分解物にグリーンシートへの銀の拡散を抑制させる。しかし、特許文献6の技術では焼成中に導体材料中で分解されたアルカリ金属がグリーンシートへと拡散するため、当該アルカリ金属によって基板の絶縁性が低下してしまう可能性がある。   In Patent Document 6, a thermally decomposable alkali metal compound is contained in the conductor paste for low-temperature fired substrate, and the diffusion of silver to the green sheet is suppressed in the decomposed product of the alkali metal compound during firing. However, in the technique of Patent Document 6, since the alkali metal decomposed in the conductor material is diffused into the green sheet during firing, the alkali metal may reduce the insulating property of the substrate.

特許文献7では、セラミック絶縁層に銀を含有させておくことによって、焼成中に導体から当該セラミック絶縁層へと銀が拡散することを抑制する。特許文献8では、ガラスセラミックス中にCuOを導入しておき、焼成中にCuOから銀に電子を付与させることによって、内層導体の銀がガラスセラミックス中に拡散することを抑制する。特許文献9では、ガラスセラミックス中のガラス粉末にCeO2を含有させておくことによって、内層導体である銀の拡散を抑制する。特許文献10では、ガラスセラミックス層のガラス成分に銀を溶け込ませておくことによって、内部導体周囲における熱収縮挙動の相違を解消させる。 In Patent Document 7, silver is suppressed from diffusing from a conductor to the ceramic insulating layer during firing by containing silver in the ceramic insulating layer. In Patent Document 8, CuO is introduced into glass ceramics, and electrons are imparted from CuO to silver during firing, thereby suppressing silver in the inner layer conductor from diffusing into the glass ceramics. In Patent Document 9, CeO 2 is contained in the glass powder in the glass ceramic, thereby suppressing the diffusion of silver as the inner layer conductor. In patent document 10, the difference in the thermal contraction behavior around the inner conductor is eliminated by dissolving silver in the glass component of the glass ceramic layer.

しかし、特許文献7−10の技術のように、基板材料中に銀の拡散を抑制するための物質を添加すると、当該物質によって、焼成後の基板の絶縁性が低下してしまう可能性がある。また、当該物質によって、焼成による基板の収縮率が変動してしまい、基板と導体との乖離が促進されてしまう可能性がある。さらに、基板材料への当該物質の添加によって、基板の製造コストが増加してしまう可能性がある。   However, if a substance for suppressing the diffusion of silver is added to the substrate material as in the technique of Patent Documents 7 to 10, the substance may reduce the insulating properties of the substrate after baking. . Moreover, the shrinkage | contraction rate of the board | substrate by baking changes with the said substance, and the detachment | leave of a board | substrate and a conductor may be accelerated | stimulated. Furthermore, the addition of the substance to the substrate material may increase the manufacturing cost of the substrate.

特許文献11では、銀を含有する導電ペーストが塗布された誘電体基板の焼成処理を、酸素濃度が制御された雰囲気下や、窒素や窒素と水素の混合気体雰囲気下で実行することによって、導電ペーストからの銀の拡散を抑制する。特許文献12では、焼成中において、温度がガラスセラミックスグリーンシートに含まれるガラス成分の軟化点に到達する前に焼成雰囲気を、窒素雰囲気などの非酸化雰囲気に切り替えることにより、導電ペーストからの銀の拡散を抑制する。しかし、特許文献11,12の技術のように大気雰囲気以外での焼成を実行すると、焼成工程におけるコストが著しく増加する可能性がある。   In Patent Document 11, the dielectric substrate coated with a conductive paste containing silver is subjected to a conductive treatment by performing an oxygen concentration controlled atmosphere or a mixed gas atmosphere of nitrogen, nitrogen, and hydrogen. Suppresses the diffusion of silver from the paste. In Patent Document 12, during firing, before the temperature reaches the softening point of the glass component contained in the glass ceramic green sheet, the firing atmosphere is switched to a non-oxidizing atmosphere such as a nitrogen atmosphere, so that Suppresses diffusion. However, if the firing is performed in an atmosphere other than the atmosphere as in the techniques of Patent Documents 11 and 12, the cost in the firing process may increase significantly.

以上のように、銀系の導体材料を用いる配線基板の製造技術においては、焼成中の銀の拡散に起因する不具合の発生を抑制することについて依然として改良の余地があった。そのため、上述したような従来技術とは異なる方法によって焼成中における銀の拡散の発生を抑制することが望まれていた。そのほか、銀系の導体材料を用いる配線基板の製造技術においては、従来から、製造装置の小型化や簡易化、使い勝手の向上、あるいは、製造工程の容易化や簡易化、低コスト化、省資源化が望まれていた。   As described above, in the manufacturing technique of the wiring board using the silver-based conductor material, there is still room for improvement in suppressing the occurrence of defects due to silver diffusion during firing. Therefore, it has been desired to suppress the occurrence of silver diffusion during firing by a method different from the above-described prior art. In addition, in the manufacturing technology of wiring boards using silver-based conductor materials, it has been conventional to reduce the size and simplification of manufacturing equipment, improve usability, or simplify and simplify manufacturing processes, reduce costs, and save resources. It was hoped that

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and can be realized as the following forms.

[1]本発明の一形態によれば、銀系導体が配置されたセラミック基板の製造方法が提供される。この形態の製造方法は、銀系導体の未焼成材料を未焼成セラミック層に配置して焼成する焼成工程を備え、前記銀系導体の未焼成材料が、焼成中に放出される水素原子を備える遷移金属材料を含有することを特徴とする。この形態の製造方法によれば、焼成中に導体材料から放出される水素によって銀系導体材料近傍に存在する酸素を消費させることができ、導体材料に含まれる銀の酸化が抑制され、セラミック層への銀の拡散が抑制される。 [1] According to one aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a ceramic substrate on which a silver-based conductor is disposed. The manufacturing method of this embodiment includes a firing step in which an unsintered material of a silver-based conductor is disposed in an unsintered ceramic layer and fired, and the unsintered material of the silver-based conductor includes hydrogen atoms released during firing. It contains a transition metal material. According to the manufacturing method of this embodiment, oxygen present in the vicinity of the silver-based conductor material can be consumed by hydrogen released from the conductor material during firing, and oxidation of silver contained in the conductor material is suppressed, and the ceramic layer Diffusion of silver into is suppressed.

[2]上記形態の製造方法において、前記遷移金属材料は、水素原子の放出温度が前記未焼成セラミック層に含まれるガラスの軟化温度よりも低くても良い。この形態の製造方法によれば、焼成工程において、未焼成セラミック層に含まれるガラスが軟化する前に、銀系導体の未焼成材料から水素を放出させることができる。従って、焼成中における銀の酸化を、より確実に抑制することができ、セラミック層への銀の拡散が抑制される。なお、未焼成セラミック層に含まれるガラスは、通常、未焼成セラミック層全体の30〜60重量%程度の含有率を占める。 [2] In the manufacturing method of the above aspect, the transition metal material may have a hydrogen atom release temperature lower than a softening temperature of glass contained in the unfired ceramic layer. According to the manufacturing method of this embodiment, in the firing step, hydrogen can be released from the unfired material of the silver-based conductor before the glass contained in the unfired ceramic layer is softened. Therefore, the oxidation of silver during firing can be more reliably suppressed, and the diffusion of silver into the ceramic layer is suppressed. In addition, the glass contained in the unfired ceramic layer usually occupies a content of about 30 to 60% by weight of the entire unfired ceramic layer.

[3]上記形態の製造方法において、前記遷移金属材料を構成する金属は、チタンであっても良い。この形態の製造方法によれば、セラミック基板における銀の拡散を抑制することができる。 [3] In the manufacturing method of the above aspect, the metal constituting the transition metal material may be titanium. According to the manufacturing method of this embodiment, silver diffusion in the ceramic substrate can be suppressed.

[4]上記形態の製造方法において、前記遷移金属材料を構成する金属は、パラジウム、または、銀パラジウム合金であっても良い。この形態の製造方法によれば、セラミック基板における銀の拡散を抑制することができる。 [4] In the manufacturing method of the above aspect, the metal constituting the transition metal material may be palladium or a silver-palladium alloy. According to the manufacturing method of this embodiment, silver diffusion in the ceramic substrate can be suppressed.

[5]本発明の他の形態によれば、セラミック基板に配置される電極を形成し、未焼成の前記セラミック基板と同時に焼成される導体材料が提供される。この形態の導体材料は;未焼成の銀系導体と;焼成中に放出される水素原子を備える遷移金属材料と;を含有する。この形態の導体材料によれば、焼成工程において導体成分である銀がセラミック基板に拡散してしまうことを抑制することができる。 [5] According to another aspect of the present invention, there is provided a conductor material that forms electrodes arranged on a ceramic substrate and is fired simultaneously with the unfired ceramic substrate. This form of conductor material contains: an unsintered silver-based conductor; and a transition metal material with hydrogen atoms released during firing. According to the conductor material of this form, it can suppress that silver which is a conductor component diffuses in a ceramic substrate in a baking process.

上述した本発明の各形態の有する複数の構成要素はすべてが必須のものではなく、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、適宜、前記複数の構成要素の一部の構成要素について、その変更、削除、新たな他の構成要素との差し替え、限定内容の一部削除を行うことが可能である。また、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、上述した本発明の一形態に含まれる技術的特徴の一部又は全部を上述した本発明の他の形態に含まれる技術的特徴の一部又は全部と組み合わせて、本発明の独立した一形態とすることも可能である。   A plurality of constituent elements of each aspect of the present invention described above are not indispensable, and some or all of the effects described in the present specification are to be solved to solve part or all of the above-described problems. In order to achieve the above, it is possible to appropriately change, delete, replace with another new component, and partially delete the limited contents of some of the plurality of components. In order to solve part or all of the above-described problems or to achieve part or all of the effects described in this specification, technical features included in one embodiment of the present invention described above. A part or all of the technical features included in the other aspects of the present invention described above may be combined to form an independent form of the present invention.

本発明は、上記の製造方法や導体材料以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、上記の製造方法で製造されたセラミック基板、上記導体材料を用いて製造されたセラミック基板、セラミック基板の製造装置等の形態で実現することができる。また、上記製造方法や製造装置の制御方法を実現するコンピュータプログラム、そのコンピュータプログラムを記録した一時的でない記録媒体等の形態で実現することもできる。   The present invention can be realized in various forms other than the above manufacturing method and conductor material. For example, it can be realized in the form of a ceramic substrate manufactured by the above-described manufacturing method, a ceramic substrate manufactured using the above-mentioned conductor material, a ceramic substrate manufacturing apparatus, or the like. The present invention can also be realized in the form of a computer program that realizes the above manufacturing method or manufacturing device control method, a non-temporary recording medium that records the computer program, or the like.

LTCC基板の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of a LTCC board | substrate. LTCC基板の製造工程の手順を示す説明図。Explanatory drawing which shows the procedure of the manufacturing process of a LTCC board | substrate. 実施例または比較例としてのサンプルごとの製造条件と、各サンプルの焼結性の評価とをまとめた表を示す説明図。Explanatory drawing which shows the table | surface which put together the manufacturing conditions for every sample as an Example or a comparative example, and evaluation of the sinterability of each sample. 実施例または比較例としてのサンプルの製造条件と焼結性の評価とをまとめた表を示す説明図。Explanatory drawing which shows the table | surface which put together the manufacturing conditions and sinterability evaluation of the sample as an Example or a comparative example. 導体材料に対するTiH2の添加の有無によるセラミック材料の組成の変化の相違を示すSEM画像を示す説明図。Explanatory view showing an SEM image showing the difference in the change in the composition of the ceramic material with or without the addition of TiH 2 for conductive materials. 導体材料に対するTiH2の添加の有無によるセラミック材料の組成の変化の相違を示す画像を示す説明図。Explanatory view showing an image showing the difference in the change in the composition of the ceramic material with or without the addition of TiH 2 for conductive materials.

A.実施形態:
図1は、本発明の一実施形態としてのLTCC基板10の構成を示す概略図である。LTCC基板10は、コンピュータや通信機器等で用いられる高周波モジュールやICパッケージに用いられる回路基板である。LTCC基板10は、配線パターンが形成された複数のセラミック絶縁層1を積層させた多層構造を有している。配線パターンは、ビア電極2と、内層電極3と、外装電極4と、によって構成される。セラミック絶縁層1は、1000℃以下の低温焼成によって生成される。各セラミック絶縁層1には、ビア電極2を配置するための貫通孔(いわゆるビア)が形成されている。
A. Embodiment:
FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of an LTCC substrate 10 as an embodiment of the present invention. The LTCC substrate 10 is a circuit substrate used for a high-frequency module or IC package used in a computer, a communication device, or the like. The LTCC substrate 10 has a multilayer structure in which a plurality of ceramic insulating layers 1 on which wiring patterns are formed are laminated. The wiring pattern includes the via electrode 2, the inner layer electrode 3, and the exterior electrode 4. The ceramic insulating layer 1 is produced by low-temperature firing at 1000 ° C. or lower. Each ceramic insulating layer 1 is formed with a through hole (so-called via) for arranging the via electrode 2.

ビア電極2は、上記の各セラミック絶縁層1に設けられたビア内に配置されている電極である。ビア電極2は、各セラミック絶縁層1の両面に形成されている配線パターンと電気的に接続されており、LTCC基板10において、各セラミック絶縁層1の厚み方向の導電経路として機能する。内層電極3は各セラミック絶縁層1の間に配置されている配線パターンを構成する電極であり、外装電極4はLTCC基板10の最外表面に配置されている配線パターンを構成する電極である。本実施形態では、各電極2〜4は、銀を主成分とする銀系の導体材料によって構成される。本明細書において「主成分」とは、混合物における全体の50重量%以上の含有率を占める材料成分を意味する。なお、LTCC基板10の最外表面には、外装電極4に接続される抵抗体などが配置されるが、その図示および詳細な説明は省略する。   The via electrode 2 is an electrode disposed in a via provided in each ceramic insulating layer 1 described above. The via electrode 2 is electrically connected to the wiring pattern formed on both surfaces of each ceramic insulating layer 1 and functions as a conductive path in the thickness direction of each ceramic insulating layer 1 in the LTCC substrate 10. The inner layer electrode 3 is an electrode constituting a wiring pattern arranged between the ceramic insulating layers 1, and the exterior electrode 4 is an electrode constituting a wiring pattern arranged on the outermost surface of the LTCC substrate 10. In this embodiment, each electrode 2-4 is comprised by the silver-type conductor material which has silver as a main component. In the present specification, the “main component” means a material component occupying a content of 50% by weight or more of the entire mixture. In addition, although the resistor etc. which are connected to the exterior electrode 4 are arrange | positioned at the outermost surface of the LTCC board | substrate 10, the illustration and detailed description are abbreviate | omitted.

図2は、LTCC基板の製造工程の手順を示すフローチャートである。LTCC基板は、未焼成のセラミック層と未焼成の銀系導体材料とを低温(例えば1000℃以下)によって同時焼成して製造される。ステップS10では、未焼成のセラミック層であるグリーンシートが準備される。グリーンシートは、ガラス粉末と、無機フィラーと、バインダー成分と、可塑剤と、溶剤と、を混合した混合したセラミックスラリーを、ドクターブレード法などによってシート状に成形することによって作製される。   FIG. 2 is a flowchart showing the procedure of the manufacturing process of the LTCC substrate. The LTCC substrate is manufactured by simultaneously firing an unfired ceramic layer and an unfired silver-based conductor material at a low temperature (for example, 1000 ° C. or less). In step S10, a green sheet that is an unfired ceramic layer is prepared. The green sheet is produced by forming a ceramic slurry obtained by mixing glass powder, an inorganic filler, a binder component, a plasticizer, and a solvent into a sheet by a doctor blade method or the like.

ステップS20では、電極2〜4を構成する銀系導体の未焼成材料である導体ペーストが準備される。導体ペーストは、導電成分である銀系材料の粉末と、樹脂と、有機溶剤とを混合して作製される。本実施形態では、導体ペーストに、さらに、水素原子を備える遷移金属材料が添加される。この遷移金属材料は、焼成中に水素を放出する還元剤として機能する。なお、水素原子を備える遷移金属材料としては、例えば、二水素化チタン(TiH2)などのチタンの水素化物や、パラジウムまたは銀パラジウム合金の水素化物を用いても良い。 In step S20, a conductor paste that is an unsintered material of a silver-based conductor constituting the electrodes 2 to 4 is prepared. The conductive paste is produced by mixing a silver-based material powder, which is a conductive component, a resin, and an organic solvent. In the present embodiment, a transition metal material including hydrogen atoms is further added to the conductor paste. This transition metal material functions as a reducing agent that releases hydrogen during firing. In addition, as a transition metal material provided with a hydrogen atom, for example, a hydride of titanium such as titanium dihydride (TiH 2 ), or a hydride of palladium or silver palladium alloy may be used.

ステップS30では、上記の導体ペーストをグリーンシートに配置して配線パターンが作製される。具体的には、グリーンシートにパンチ加工によってビアが形成され、当該ビアに導体ペーストが充填される。また、スクリーン印刷法などによって、グリーンシートの各面に導体ペーストが印刷される。グリーンシートに配線パターンが形成された後には、各グリーンシートが積層された未焼成積層体が構成される。ステップS40では、その未焼成積層体が、例えば、750〜950℃程度の温度で焼成される。その後、外装電極4に接続される抵抗体などが配置され、LTCC基板10が完成する。   In step S30, the conductive paste is placed on a green sheet to produce a wiring pattern. Specifically, vias are formed in the green sheet by punching, and the vias are filled with a conductive paste. Further, a conductor paste is printed on each surface of the green sheet by a screen printing method or the like. After the wiring pattern is formed on the green sheet, an unfired laminated body in which the green sheets are laminated is configured. In step S40, the unfired laminate is fired at a temperature of about 750 to 950 ° C., for example. Thereafter, a resistor or the like connected to the exterior electrode 4 is disposed, and the LTCC substrate 10 is completed.

ここで、前記したとおり、本実施形態の導体材料には、導電成分として銀系材料が用いられている。一般に、銀系の導体材料が用いられている配線基板の焼成工程においては、導体材料からの銀の拡散によって、導体近傍における基板材料の状態が変化してしまい、種々の不具合が生じることが知られている。具体的には、基板材料中に拡散した銀によって、基板の絶縁性が低下してしまう可能性がある。また、銀の拡散によって導体近傍における基板材料の組成が変化して、基板の局所的な変色や、基板の局所的な強度の低下が生じる場合がある。その他に、導体近傍のみの焼成収縮の進行が促進されてしまい、配線パターンと基板との間に空隙(ボイド)が生じたり、配線パターンの近傍において基板の変形が生じたりする場合もある。   Here, as described above, the conductive material of the present embodiment uses a silver-based material as a conductive component. In general, in the firing process of a wiring board using a silver-based conductor material, it is known that the state of the substrate material in the vicinity of the conductor changes due to the diffusion of silver from the conductor material, causing various problems. It has been. Specifically, there is a possibility that the insulating property of the substrate is lowered by silver diffused in the substrate material. Further, the composition of the substrate material in the vicinity of the conductor may change due to the diffusion of silver, which may cause local discoloration of the substrate and a decrease in local strength of the substrate. In addition, the progress of firing shrinkage only in the vicinity of the conductor may be promoted, and a void may be generated between the wiring pattern and the substrate, or the substrate may be deformed in the vicinity of the wiring pattern.

しかし、本実施形態の製造工程では、焼成中に導体ペーストに添加された遷移金属材料から水素が放出される。そのため、導体ペーストの配置領域の近傍に存在している酸素がその水素との反応によって消費されるため、導体ペーストに含まれる銀の酸化が抑制される。従って、導体ペーストからグリーンシート中への銀の拡散が抑制され、銀の拡散に起因するセラミック絶縁層の不具合の発生が抑制される。   However, in the manufacturing process of this embodiment, hydrogen is released from the transition metal material added to the conductor paste during firing. For this reason, oxygen present in the vicinity of the region where the conductor paste is arranged is consumed by the reaction with the hydrogen, so that oxidation of silver contained in the conductor paste is suppressed. Therefore, the diffusion of silver from the conductor paste into the green sheet is suppressed, and the occurrence of defects in the ceramic insulating layer due to the diffusion of silver is suppressed.

図3,図4は、本発明の発明者が作製した本発明の実施例または比較例としてのサンプルの製造条件と焼結性の評価とをまとめた表を示す説明図である。本発明の発明者は、本発明の実施例としての、ビア電極を有するLTCC基板のサンプルT1〜T3と、本発明の比較例としての、ビア電極を有するLTCC基板のサンプルT4,T5と、を作製した(図3)。また、本発明の発明者は、本発明の実施例としての、内層電極を有するLTCC基板のサンプルT6と、本発明の比較例としての、内層電極を有するLTCC基板のサンプルT7,T8と、を作製した(図4)。各サンプルT1〜T8の具体的な製造条件は以下の通りである。   3 and 4 are explanatory diagrams showing tables summarizing the manufacturing conditions and the evaluation of sinterability of samples as examples or comparative examples of the present invention prepared by the inventors of the present invention. The inventor of the present invention provides samples T1 to T3 of LTCC substrates having via electrodes as examples of the present invention, and samples T4 and T5 of LTCC substrates having via electrodes as comparative examples of the present invention. It produced (FIG. 3). In addition, the inventor of the present invention provides a sample T6 of an LTCC substrate having an inner layer electrode as an embodiment of the present invention, and samples T7 and T8 of an LTCC substrate having an inner layer electrode as a comparative example of the present invention. It produced (FIG. 4). Specific production conditions for each of the samples T1 to T8 are as follows.

<グリーンシート>
各サンプルT1〜T8のグリーンシートを以下のように作製した。
1.材料:
(1)ガラス粉末:酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al23)、酸化ホウ素(B23)を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末
(2)無機フィラー:アルミナ粉末(平均粒径2μm,比表面積1.0m2/g)
(3)バインダー成分:アクリル系バインダー
(4)可塑性分:ジオクチルフタレート(DOP)
(5)溶剤:メチルエチルケトン(MEK)
<Green sheet>
Green sheets of samples T1 to T8 were produced as follows.
1. material:
(1) Glass powder: borosilicate glass powder mainly composed of silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and boron oxide (B 2 O 3 ) (2) Inorganic filler: alumina powder (average Particle size 2μm, specific surface area 1.0m 2 / g)
(3) Binder component: Acrylic binder (4) Plastic content: Dioctyl phthalate (DOP)
(5) Solvent: Methyl ethyl ketone (MEK)

2.製法:
(1)ホウケイ酸系ガラス粉末と、アルミナ粉末と、を重量比50:50となるように秤量して(総量1kg)、アルミナ製ポットに投入した。
(2)アルミナ製ポットに、さらに、アクリル樹脂(120g)と、MEKおよびDOP(所望のスラリー粘度とシート強度とを確保できる量)と、を投入した。
(3)アルミナ製ポットに投入された上記の材料を5時間混合してセラミックスラリーを得た。
(4)セラミックスラリーを用いて、ドクターブレード法により、厚み0.15mmのグリーンシートを作製した。
2. Manufacturing method:
(1) A borosilicate glass powder and an alumina powder were weighed so as to have a weight ratio of 50:50 (total amount: 1 kg) and put into an alumina pot.
(2) An acrylic resin (120 g) and MEK and DOP (amount capable of securing a desired slurry viscosity and sheet strength) were further charged into an alumina pot.
(3) The above materials put in an alumina pot were mixed for 5 hours to obtain a ceramic slurry.
(4) Using the ceramic slurry, a green sheet having a thickness of 0.15 mm was produced by a doctor blade method.

<導体ペースト>
各サンプルT1〜T8用の導体ペーストを以下の材料によって作製した。
(1)導電成分:銀
(2)樹脂、有機溶剤等:導体ペーストの作製に用いられる一般的な材料を一般的な配合比で使用した。
(3)遷移金属材料:
(3.1)サンプルT1〜T3,T6用の導体ペーストにはそれぞれ、TiH2を、0.05重量%、0.10重量%、0.50重量%、0.10重量%添加した。
(3.2)サンプルT4,T7用の導体ペーストには、遷移金属材料は添加しなかった。
(3.3)サンプルT5,T8用の導体ペーストにはそれぞれ、酸化チタン(TiO2)を、0.10重量%ずつ添加した。
<Conductor paste>
The conductor paste for each sample T1-T8 was produced with the following materials.
(1) Conductive component: Silver (2) Resin, organic solvent, etc .: A general material used for producing a conductive paste was used at a general blending ratio.
(3) Transition metal material:
(3.1) 0.05%, 0.10%, 0.50%, and 0.10% by weight of TiH 2 were added to the conductor pastes for samples T1 to T3 and T6, respectively.
(3.2) No transition metal material was added to the conductor paste for samples T4 and T7.
(3.3) Titanium oxide (TiO 2 ) was added by 0.10% by weight to each of the conductor pastes for samples T5 and T8.

<未焼成積層体の作製と焼成>
(1)上記の導体ペーストによってビア電極および内層電極を含む配線パターンが形成されたグリーンシートを積層して、各サンプルT1〜T8の未焼成積層体を作製した。なお、未焼成積層体の最外層には、セラミック絶縁層の収縮を抑制するための拘束シート(厚さ0.30mm)を配置した。拘束シートは、セラミック原料粉末としてアルミナ粉末を使用した点以外は、上記のグリーンシートと同様な方法で作製した。
(2)各サンプルT1〜T8の未焼成積層体を、焼成温度850℃程度で焼成した。
<Preparation and firing of unfired laminate>
(1) A green sheet on which a wiring pattern including a via electrode and an inner layer electrode was formed by the above-mentioned conductor paste was laminated to produce an unfired laminated body of each sample T1 to T8. In addition, the restraint sheet | seat (thickness 0.30mm) for suppressing shrinkage | contraction of a ceramic insulating layer was arrange | positioned in the outermost layer of a non-baking laminated body. The constraining sheet was produced by the same method as the above green sheet except that alumina powder was used as the ceramic raw material powder.
(2) The unfired laminates of the samples T1 to T8 were fired at a firing temperature of about 850 ° C.

<焼結性評価>
各サンプルT1〜T8について、ビア電極または内層電極の形成部位の断面研磨面を組織観察によって評価した。
1.変色:
(1)ビア電極:
TiH2が添加された導体ペーストによって形成されたビア電極の近傍では、銀の拡散に起因するセラミック絶縁層の変色はほとんど生じなかった(サンプルT1〜T3)。
遷移金属材料が添加されなかった導体ペーストまたはTiO2が添加された導体ペーストによって形成されたビア電極の近傍では、銀の拡散に起因するセラミック絶縁層の局所的な変色が多く生じた(サンプルT4,T5)。
(2)内層電極:
TiH2が添加された導体ペーストによって形成された内層電極の近傍では、銀の拡散に起因するセラミック絶縁層の変色はほとんど生じなかった(サンプルT6)。
遷移金属材料が添加されなかった導体ペーストまたはTiO2が添加された導体ペーストによって形成された内層電極の近傍では、銀の拡散に起因するセラミック絶縁層の局所的な変色が多く生じた(サンプルT7,T8)。
<Sinterability evaluation>
About each sample T1-T8, the cross-section grinding | polishing surface of the formation part of a via electrode or an inner layer electrode was evaluated by structure | tissue observation.
1. discoloration:
(1) Via electrode:
In the vicinity of the via electrode formed by the conductive paste to which TiH 2 was added, the ceramic insulating layer was hardly discolored due to silver diffusion (samples T1 to T3).
In the vicinity of the via electrode formed by the conductor paste to which the transition metal material was not added or the conductor paste to which TiO 2 was added, many local discolorations of the ceramic insulating layer due to silver diffusion occurred (Sample T4). , T5).
(2) Inner layer electrode:
In the vicinity of the inner layer electrode formed by the conductor paste to which TiH 2 was added, the ceramic insulating layer was hardly discolored due to silver diffusion (sample T6).
In the vicinity of the inner layer electrode formed by the conductor paste to which the transition metal material was not added or the conductor paste to which TiO 2 was added, many local discolorations of the ceramic insulating layer due to silver diffusion occurred (Sample T7). , T8).

2.収縮不整合による欠陥:
(1)ビア電極:
TiH2が添加された導体ペーストによって形成されたビア電極の近傍には、銀の拡散によって電極近傍のみの焼成収縮が促進されてしまうことによって生じる局所的なセラミック絶縁層の変形は生じなかった(サンプルT1〜T3)。
遷移金属材料が添加されなかった導体ペーストによって形成されたビア電極の近傍では、ボイドが生じていた(サンプルT4)。また、TiO2が添加された導体ペーストによって形成されたビア電極の近傍では、ボイドとともに、ビア電極の周りにおいてセラミック絶縁層の厚みが局所的に増大して形成される突起部(突き上げ)が生じていた。この突起部は、導体材料からの銀の拡散によってビア電極の周りのセラミック材料の固化が他の部位より早まり、他の部位よりも収縮量が小さくなったために生じたものである。
(2)内層電極:
TiH2が添加された導体ペーストによって形成された内層電極の近傍では、銀の拡散に起因する局所的なセラミック絶縁層の変形は生じなかった(サンプルT6)。
遷移金属材料が添加されなかった導体ペーストまたはTiO2が添加された導体ペーストによって形成された内層電極の近傍では、内層電極の焼成収縮が始まるタイミングと、内層電極近傍のセラミック材料の焼成収縮が始まるタイミングのずれに起因するセラミック絶縁層の反りが生じていた(サンプルT7,T8)。
2. Defects due to shrinkage mismatch:
(1) Via electrode:
In the vicinity of the via electrode formed by the conductive paste to which TiH 2 was added, there was no local deformation of the ceramic insulating layer caused by the fact that the baking shrinkage only in the vicinity of the electrode was promoted by the diffusion of silver. Samples T1-T3).
In the vicinity of the via electrode formed by the conductive paste to which the transition metal material was not added, a void was generated (sample T4). Further, in the vicinity of the via electrode formed of the conductive paste to which TiO 2 is added, a protrusion (push-up) is formed along with the void, and the ceramic insulating layer is locally increased in thickness around the via electrode. It was. This protrusion is caused by the solidification of the ceramic material around the via electrode being accelerated by the diffusion of silver from the conductor material, and the contraction amount being smaller than the other part.
(2) Inner layer electrode:
In the vicinity of the inner layer electrode formed by the conductive paste to which TiH 2 was added, local deformation of the ceramic insulating layer due to silver diffusion did not occur (Sample T6).
In the vicinity of the inner layer electrode formed by the conductor paste to which the transition metal material is not added or the conductor paste to which TiO 2 is added, the firing contraction of the inner layer electrode and the firing contraction of the ceramic material in the vicinity of the inner layer electrode start. The warp of the ceramic insulating layer due to the timing shift occurred (samples T7 and T8).

図5は、導体材料に対するTiH2の添加の有無によるセラミック材料の組成の変化の相違を示す走査型電子顕微鏡(SEM)画像を示す説明図である。本発明の発明者は、TiH2が添加された導体材料を用いた未焼成のLTCC基板のサンプルと、TiH2が添加されていない導体材料を用いた未焼成のLTCC基板のサンプルと、を作製した。そして、焼成工程において、焼成温度が750℃に到達した時点で、各サンプルを炉から取り出し、各サンプルのビア電極近傍の断面研磨面を撮影した。TiH2が添加された導体材料を用いたサンプルではビア電極近傍にボイドが生じていなかったが(紙面左側のSEM画像)、TiH2が添加されていない導体材料を用いたサンプルではビア電極の近傍にボイドが生じていた(紙面右側のSEM画像)。 FIG. 5 is an explanatory view showing a scanning electron microscope (SEM) image showing the difference in the composition change of the ceramic material depending on whether or not TiH 2 is added to the conductor material. The inventor of the present invention produces an unfired LTCC substrate sample using a conductive material to which TiH 2 is added and an unfired LTCC substrate sample using a conductor material to which no TiH 2 is added. did. In the firing step, when the firing temperature reached 750 ° C., each sample was taken out of the furnace, and a cross-sectional polished surface in the vicinity of the via electrode of each sample was photographed. In the sample using the conductive material to which TiH 2 was added, no void was generated in the vicinity of the via electrode (SEM image on the left side of the paper), but in the sample using the conductive material to which no TiH 2 was added, the vicinity of the via electrode was used. There was a void (SEM image on the right side of the paper).

図6は、導体材料に対するTiH2の添加の有無によるセラミック材料の組成の変化の相違を示す画像を示す説明図である。図6の上段の2つのSEM画像はそれぞれ、図5で説明した焼成途中における2つのサンプルの内層電極近傍の断面研磨面を撮影したものである。図6の下段の2つの画像はそれぞれ、上段のSEM画像に基づいて作製された組成分布を示すマッピング画像である。TiH2が添加された導体材料を用いて作製された未焼成のLTCC基板のサンプルでは、内層電極近傍において、銀の拡散が少なく、セラミック絶縁層における局所的な緻密化が生じていた(紙面左側)。TiH2が添加されていない導体材料を用いて作製された未焼成のLTCC基板のサンプルでは、内層電極近傍において、銀の拡散が多く、セラミック絶縁層における局所的な緻密化が生じていた(紙面右側)。 FIG. 6 is an explanatory view showing an image showing a difference in the composition change of the ceramic material depending on whether or not TiH 2 is added to the conductor material. Each of the two SEM images in the upper part of FIG. 6 is a photograph of a cross-sectional polished surface in the vicinity of the inner layer electrode of the two samples in the course of firing described in FIG. Each of the lower two images in FIG. 6 is a mapping image showing a composition distribution created based on the upper SEM image. In a sample of an unfired LTCC substrate manufactured using a conductive material to which TiH 2 was added, there was little silver diffusion near the inner layer electrode, and local densification occurred in the ceramic insulating layer (left side of the paper) ). In a sample of an unfired LTCC substrate manufactured using a conductor material to which no TiH 2 was added, silver diffusion was large in the vicinity of the inner layer electrode, and local densification occurred in the ceramic insulating layer (paper surface). Right).

なお、セラミック絶縁層における局所的な緻密化は、導体材料から電極近傍の部位に拡散した銀が、当該部位の周囲のセラミック材料の組成の一部を取り込み結晶化することによって生じたものである。このような局所的な緻密化が生じた部位ではその強度が向上するが、その周囲のセラミック材料の組成の一部が奪われた部位ではその強度が低下してしまう。即ち、セラミック絶縁層における局所的な緻密化の発生はセラミック絶縁層の強度の不均一性を増大させる原因となる。しかし、TiH2が添加された導体材料を用いることによって、そうしたセラミック絶縁層における局所的な緻密化が抑制される。 Note that the local densification in the ceramic insulating layer is caused by the fact that silver diffused from the conductive material to the site in the vicinity of the electrode takes in a part of the composition of the ceramic material around the site and crystallizes. . The strength is improved at a site where such local densification occurs, but the strength is reduced at a site where a part of the composition of the surrounding ceramic material is removed. That is, the occurrence of local densification in the ceramic insulating layer causes an increase in strength non-uniformity of the ceramic insulating layer. However, by using a conductive material to which TiH 2 is added, local densification in the ceramic insulating layer is suppressed.

以上のように、本実施形態の製造工程によれば、焼成中に、銀系の導体材料に含まれる遷移金属材料から放出される水素原子によって当該導体材料の近傍に存在する酸素が消費されるため、焼成中の当該導体材料からの銀の拡散が抑制される。従って、LTCC基板における焼成中の銀の拡散に起因するセラミック絶縁層の不具合の発生が抑制される。   As described above, according to the manufacturing process of this embodiment, oxygen existing in the vicinity of the conductor material is consumed by hydrogen atoms released from the transition metal material contained in the silver-based conductor material during firing. Therefore, the diffusion of silver from the conductor material during firing is suppressed. Therefore, the occurrence of defects in the ceramic insulating layer due to the diffusion of silver during firing in the LTCC substrate is suppressed.

B.変形例:
B1.変形例1:
上記各実施形態では、銀系導体材料に添加される水素原子を備える遷移金属材料として、チタンの水素化物や、パラジウムまたは銀パラジウム合金の水素化物が用いられていた。しかし、銀系導体材料に添加される水素原子を備える遷移金属材料としては、チタンの水素化物や、パラジウムまたは銀パラジウム合金の水素化物に限定されることはない。銀系導体材料に添加される水素原子を備える遷移金属材料としては、焼成中に水素原子を放出する遷移金属材料であれば良く、例えば、ジルコニウム水素化物(ZrH2)や、その他の水素吸蔵合金であっても良い。なお、銀系導体材料に添加される水素原子を備える遷移金属材料としては、水素原子の放出温度がグリーンシートに含まれるガラスの軟化温度よりも低いことが望ましい。水素原子の放出温度がグリーンシートに含まれるガラスの軟化温度よりも低ければ、焼成中にグリーンシートに含まれるガラスの焼成収縮が始まる前に水素が放出されるため、銀の拡散による不具合の発生をより確実に抑制することができる。
B. Variations:
B1. Modification 1:
In each of the above embodiments, titanium hydride or palladium or silver palladium alloy hydride is used as the transition metal material having hydrogen atoms added to the silver-based conductor material. However, the transition metal material having hydrogen atoms added to the silver-based conductor material is not limited to titanium hydride or palladium or silver palladium alloy hydride. The transition metal material having hydrogen atoms added to the silver-based conductor material may be any transition metal material that releases hydrogen atoms during firing. For example, zirconium hydride (ZrH 2 ) and other hydrogen storage alloys It may be. In addition, as a transition metal material provided with the hydrogen atom added to a silver-type conductor material, it is desirable that the discharge | release temperature of a hydrogen atom is lower than the softening temperature of the glass contained in a green sheet. If the hydrogen atom release temperature is lower than the softening temperature of the glass contained in the green sheet, hydrogen will be released before the firing shrinkage of the glass contained in the green sheet during firing. Can be more reliably suppressed.

B2.変形例2:
上記実施形態では、LTCC基板の製造工程において、焼成中に水素原子を放出する遷移金属化合物を添加した銀系導体材料を用いていた。しかし、LTCC基板の製造工程に限らず、種々の配線基板の製造工程において、焼成中に水素原子を放出する遷移金属化合物を添加した銀系導体材料を用いても良い。即ち、本発明は、LTCC基板の製造工程に限らず、銀系導体材料を用いる種々の配線基板の製造工程に適用することができる。
B2. Modification 2:
In the said embodiment, the silver-type conductor material which added the transition metal compound which discharge | releases a hydrogen atom during baking was used in the manufacturing process of the LTCC board | substrate. However, not only the manufacturing process of the LTCC substrate, but also a silver-based conductor material to which a transition metal compound that releases hydrogen atoms during firing is added may be used in the manufacturing process of various wiring substrates. That is, the present invention is not limited to the manufacturing process of the LTCC substrate, but can be applied to manufacturing processes of various wiring boards using a silver-based conductor material.

本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, examples, and modifications, and can be realized with various configurations without departing from the spirit thereof. For example, the technical features in the embodiments, examples, and modifications corresponding to the technical features in each embodiment described in the summary section of the invention are to solve some or all of the above-described problems, or In order to achieve part or all of the above effects, replacement or combination can be performed as appropriate. Further, if the technical feature is not described as essential in the present specification, it can be deleted as appropriate.

1…セラミック絶縁層
2…ビア電極
3…内層電極
4…外装電極
10…LTCC基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic insulating layer 2 ... Via electrode 3 ... Inner layer electrode 4 ... Exterior electrode 10 ... LTCC board | substrate

Claims (5)

銀系導体が配置されたセラミック基板の製造方法において、
銀系導体の未焼成材料を未焼成セラミック層に配置して焼成する焼成工程を備え、
前記銀系導体の未焼成材料が、焼成中に放出される水素原子を備える遷移金属材料を含有することを特徴とする、製造方法。
In the method of manufacturing a ceramic substrate on which silver-based conductors are arranged,
It comprises a firing step of placing and firing the unfired material of the silver-based conductor in the unfired ceramic layer,
The method for producing a non-fired material of the silver-based conductor contains a transition metal material having hydrogen atoms released during firing.
請求項1記載の製造方法であって、
前記遷移金属材料は、水素原子の放出温度が前記未焼成セラミック層に含まれるガラスの軟化温度よりも低い、製造方法。
The manufacturing method according to claim 1,
The transition metal material is a manufacturing method in which a release temperature of hydrogen atoms is lower than a softening temperature of glass contained in the green ceramic layer.
請求項1または2記載の製造方法であって、
前記遷移金属材料を構成する金属は、チタンである、製造方法。
The manufacturing method according to claim 1 or 2,
The manufacturing method whose metal which comprises the said transition metal material is titanium.
請求項1または2記載の製造方法であって、
前記遷移金属材料を構成する金属は、パラジウム、または、銀パラジウム合金である、製造方法。
The manufacturing method according to claim 1 or 2,
The metal which comprises the said transition metal material is a manufacturing method which is palladium or a silver palladium alloy.
セラミック基板に配置される電極を形成し、未焼成の前記セラミック基板と同時に焼成される導体材料であって、
未焼成の銀系導体と、
焼成中に放出される水素原子を備える遷移金属材料と、
を含有することを特徴とする、導体材料。
A conductive material that forms electrodes arranged on a ceramic substrate and is fired simultaneously with the unfired ceramic substrate,
Unsintered silver-based conductor,
A transition metal material comprising hydrogen atoms released during firing;
A conductor material comprising: a conductor material.
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