JP4905541B2 - 液晶表示装置，液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置，液晶表示装置の製造方法，表示装置，情報入力装置に関する。特に、互いに対向する一対の基板にタッチセンサスイッチが設けられている、液晶表示装置，液晶表示装置の製造方法，表示装置，情報入力装置に関する。

液晶表示装置，有機ＥＬ表示装置などの表示装置は、薄型、軽量、低消費電力といった利点を有する。このため、携帯電話、デジタルカメラなどのモバイル用途の電子機器にて多く使用されている。

このような表示装置において、液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶層が封入された液晶パネルを、表示パネルとして有している。液晶パネルは、たとえば、透過型であって、液晶パネルの背面に設けられたバックライトなどの照明装置が出射した照明光を変調して透過させる。そして、その変調した照明光によって画像の表示が、液晶パネルの正面にて実施される。

この液晶パネルは、たとえば、アクティブマトリクス方式であり、画素スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が、複数形成されているＴＦＴアレイ基板を含む。そして、液晶パネルにおいては、そのＴＦＴアレイ基板に対向するように対向基板が配置されており、ＴＦＴアレイ基板および対向基板の間のスペースに液晶層が設けられている。このアクティブマトリクス方式の液晶パネルにおいては、画素スイッチング素子を介して画素電極に映像信号を入力することによって、液晶層に電圧を印加して、その画素を透過する光の透過率を制御することで、画像の表示が実施される。

上記のような表示装置においては、表示パネルの画面に表示されたアイコン等の画像を利用して、ユーザが操作データの入力を可能にするために、タッチパネルが情報入力装置として表示パネル上に設けられる場合がある。

しかし、表示パネル上にタッチパネルを外付けによって設置した場合には、全体の厚みが厚くなり、薄型の利点が損なわれる場合がある。また、タッチパネルによって、表示領域において透過する光が減少する場合や、その光が干渉される場合があるために、表示画像の品質が低下する場合がある。さらに、製造効率の低下や、製造コストの上昇などの不具合が生ずる場合がある。

このため、タッチパネル機能が表示パネルに内蔵された表示装置が、提案されている。

たとえば、抵抗膜式のタッチセンサが液晶パネルに内蔵された液晶表示装置が提案されている。

ここでは、タッチセンサは、液晶パネルを構成する一対の基板のそれぞれにタッチ電極が設けられたタッチセンサスイッチを含み、液晶パネルが押されて変形したときに、その一対のタッチ電極が電気的に接続するように構成されている。この液晶パネルにおいては、両基板に形成されたタッチ電極が小さな外圧によって電気的に接続するように、凸状に突出している凸部上にタッチ電極が設けられている（たとえば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。

液晶パネルにおいては、液晶層の液晶分子を配向させるために、液晶配向膜に設けられる。この液晶配向膜については、タッチ電極の表面部分を除去し、その表面部分を露出させることが提案されている。

特開２００１−７５０７４号公報 特開２００７−５２３６８号公報 特開２００７−９５０４４号公報

液晶配向膜をタッチ電極の表面部分から除去する際においては、インクジェットに用いる微細ノズルから溶剤を、その部分に噴霧し溶解する（たとえば、特許文献２参照）。

しかしながら、上記のような方法では、十分なスループットを得ることが困難なために、製造効率が低下する場合がある。

また、液晶配向膜をタッチ電極の表面部分から十分に除去することが困難なため、歩留まりの低下が生ずる場合がある。

また、上記の設備を新規に導入する必要があるために、製造コストが増加する場合がある。

さらに、上記のような方法では、表面を露出させる領域の周囲についても、溶解する場合があるので、マージンを設ける必要がある。このため、液晶パネルにおいてタッチセンサが占有する部分が増加して、液晶パネルの開口率が低下する場合がある。よって、表示画像の輝度の低下が生じ、画像品質が低下する場合がある。

また、上記の表示装置では、表示パネルの薄型化に伴い、外圧によって、電極などの部材が破損する場合があり、装置の信頼性が低下する場合がある。

特に、タッチセンサスイッチが内蔵された液晶パネルにおいて、凸部上にタッチ電極を設けた場合には、タッチ電極が剛体であるので、この不具合の発生が顕在化する場合がある。たとえば、タッチ電極が断線して、タッチパネル機能が損なわれる場合がある。また、この他に、タッチ電極が粉砕された導電性の異物が、液晶セル内を拡散して、タッチ電極間でショートする等の不具合が生ずる場合がある。

このような不具合を解消するために、凸部においてタッチ電極を設ける面の面積を大きくすることが考えられるが、その場合には、液晶パネルの開口率が低下することになるので、表示画像の品質が低下する場合がある。

このように、表示装置においては、開口率の低下に伴う画像品質の低下や、装置の信頼性の低下などの不具合が生ずる場合がある。

よって、本発明は、製造効率，歩留まり，画像品質の向上、および、製造コストの低下を実現可能な液晶表示装置，液晶表示装置の製造方法，表示装置，情報入力装置を提供する。

本発明の液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板にスペースを隔てて対向している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のスペースに設けられた液晶層とを有し、画像を表示する表示領域にタッチセンサスイッチが内蔵されている液晶パネルを具備しており、前記タッチセンサスイッチは、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられている第１タッチ電極と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に、前記第１タッチ電極からスペースを隔てて対面するように設けられている第２タッチ電極とを有し、前記液晶パネルが外圧によって変形することによって、前記第１タッチ電極と前記第２タッチ電極とが接触するように構成されており、前記液晶層は、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられている第１液晶配向膜と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に設けられている第２液晶配向膜とによって液晶分子が配向されており、前記第１タッチ電極は、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面上において複数の溝が間を隔てて形成された凹凸領域の表面を被覆するように設けられており、前記第１液晶配向膜は、前記第１タッチ電極が形成された表面上に配向材料を塗布することによって、前記第１タッチ電極において前記凹凸領域の凸部の頂面の表面が露出するように形成されている。

本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板にスペースを隔てて対向している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のスペースに設けられた液晶層とを有する液晶パネルを形成する液晶パネル形成工程を具備しており、前記液晶パネル形成工程は、当該液晶パネルにおいて画像を表示する表示領域に、タッチセンサスイッチを形成するタッチセンサスイッチ形成工程と、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に第１液晶配向膜を設ける第１液晶配向膜形成工程と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に第２液晶配向膜を設ける第２液晶配向膜形成工程とを含んでおり、前記タッチセンサスイッチ形成工程は、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に第１タッチ電極を設ける第１タッチ電極形成ステップと、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に、前記第１タッチ電極からスペースを隔てて対面するように第２タッチ電極を設ける第２タッチ電極形成ステップとを含み、前記第１タッチ電極形成ステップにおいては、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面上において複数の溝がスペースを隔てて形成された凹凸領域の表面を被覆するように、前記第１タッチ電極を形成し、前記第１液晶配向膜形成工程においては、前記第１タッチ電極が形成された表面上に配向材料を塗布することによって、前記第１タッチ電極において前記凹凸領域の凸部の頂面の表面が露出するように、前記第１液晶配向膜を形成する。

本発明の表示装置は、第１基板と、前記第１基板にスペースを隔てて対向している第２基板とを有し、タッチセンサスイッチが設けられている表示パネルを具備しており、前記タッチセンサスイッチは、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられている第１タッチ電極と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に、前記第１タッチ電極からスペースを隔てて対面するように設けられている第２タッチ電極とを有し、前記タッチパネルが外圧によって変形することによって、前記第１タッチ電極と前記第２タッチ電極とが接触するように構成されており、前記第１タッチ電極は、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面上において複数の溝がスペースを隔てて形成された凹凸領域の表面を被覆するように設けられており、当該第１タッチ電極が形成された表面においては、当該第１タッチ電極において前記凹凸領域の凸部の頂面の表面が露出するように、塗布膜が形成されている。

本発明の情報入力装置は、第１基板と、前記第１基板にスペースを隔てて対向している第２基板とを有し、タッチセンサスイッチが設けられているタッチパネルを具備しており、前記タッチセンサスイッチは、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられている第１タッチ電極と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に、前記第１タッチ電極からスペースを隔てて対面するように設けられている第２タッチ電極とを有し、前記タッチパネルが外圧によって変形することによって、前記第１タッチ電極と前記第２タッチ電極とが接触するように構成されており、前記第１タッチ電極は、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面上において複数の溝がスペースを隔てて形成された凹凸領域の表面を被覆するように設けられており、当該第１タッチ電極が形成された表面においては、当該第１タッチ電極において前記凹凸領域の凸部の頂面の表面が露出するように、塗布膜が形成されている。

本発明においては、複数の溝がスペースを隔てて形成された凹凸領域の表面を被覆するように、第１タッチ電極を形成する。そして、第１タッチ電極が形成された表面上に配向材料を塗布することによって、第１タッチ電極において凹凸領域の凸部の頂面の表面が露出するように、第１液晶配向膜を形成する。

本発明の液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板にスペースを隔てて対向している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のスペースに設けられた液晶層とを有し、画像を表示する表示領域にタッチセンサスイッチが内蔵されている液晶パネルを具備しており、前記タッチセンサスイッチは、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられている第１タッチ電極と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に、前記第１タッチ電極からスペースを隔てて対面している第２タッチ電極とを有し、前記液晶パネルが外圧によって変形することによって、前記第１タッチ電極と前記第２タッチ電極とが接触するように構成されており、前記液晶層は、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられている第１液晶配向膜と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に設けられている第２液晶配向膜とによって液晶分子が配向されており、前記第１タッチ電極は、凹状の溝が設けられた下地層が前記第１基板との間に設けられており、前記第１液晶配向膜は、前記第１タッチ電極が形成された表面上に配向材料を含む塗布液を塗布した際に、前記凹状の溝に当該塗布液が入ることによって、前記第１タッチ電極の上面を被覆せずに露出するように形成されている。

本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板にスペースを隔てて対向している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のスペースに設けられた液晶層とを有する液晶パネルを形成する液晶パネル形成工程を具備しており、前記液晶パネル形成工程は、当該液晶パネルにおいて画像を表示する表示領域に、タッチセンサスイッチを形成するタッチセンサスイッチ形成工程と、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に第１液晶配向膜を設ける第１液晶配向膜形成工程と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に第２液晶配向膜を設ける第２液晶配向膜形成工程とを含んでおり、前記タッチセンサスイッチ形成工程は、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に第１タッチ電極を設ける第１タッチ電極形成ステップと、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に、前記第１タッチ電極からスペースを隔てて対面するように第２タッチ電極を設ける第２タッチ電極形成ステップとを含み、前記第１タッチ電極形成ステップにおいては、凹状の溝が設けられた下地層を前記第１基板に設けた後に、当該下地層上に前記第１タッチ電極を形成し、前記第１液晶配向膜形成工程においては、前記第１タッチ電極が形成された表面上に配向材料を含む塗布液を塗布し、前記凹状の溝に当該塗布液が入ることによって、前記第１液晶配向膜が前記第１タッチ電極の上面を被覆せずに露出するように、前記第１液晶配向膜を形成する。

本発明の表示装置は、第１基板と、前記第１基板にスペースを隔てて対向している第２基板とを有し、画像を表示する表示領域にタッチセンサスイッチが内蔵されている表示パネルを具備しており、前記タッチセンサスイッチは、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられている第１タッチ電極と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に、前記第１タッチ電極からスペースを隔てて対面している第２タッチ電極とを有し、前記表示パネルが外圧によって変形することによって、前記第１タッチ電極と前記第２タッチ電極とが接触するように構成されており、前記第１タッチ電極は、凹状の溝が設けられた下地層が前記第１基板との間に設けられており、当該第１タッチ電極においては、表面に塗布液を塗布した際に前記凹状の溝に当該塗布液が入ることによって、前記第１タッチ電極の上面を塗布膜が被覆せずに露出するように形成されている。

本発明の情報入力装置は、第１基板と、前記第１基板にスペースを隔てて対向している第２基板とを有し、タッチセンサスイッチが設けられているタッチパネルを具備しており、前記タッチセンサスイッチは、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられている第１タッチ電極と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に、前記第１タッチ電極からスペースを隔てて対面するように設けられている第２タッチ電極とを有し、前記タッチパネルが外圧によって変形することによって、前記第１タッチ電極と前記第２タッチ電極とが接触するように構成されており、前記第１タッチ電極は、凹状の溝が設けられた下地層が前記第１基板との間に設けられており、当該第１タッチ電極においては、表面に塗布液を塗布した際に前記凹状の溝に当該塗布液が入ることによって、前記第１タッチ電極の上面を塗布膜が被覆せずに露出するように形成されている。

本発明によれば、製造効率，歩留まり，画像品質の向上、および、製造コストの低下を実現可能な液晶表示装置，液晶表示装置の製造方法，表示装置，情報入力装置を提供することができる。

図１は、本発明の実施形態１にかかる液晶表示装置１００の構成を示す断面図である。 図２は、本発明の実施形態１にかかる液晶パネル２００を示す平面図である。 図３は、本発明の実施形態１にかかる液晶パネル２００の要部を示す図である。 図４は、本発明の実施形態１にかかる液晶パネル２００の要部を示す図である。 図５は、本発明の実施形態１にかかる液晶パネル２００の要部を示す図である。 図６は、本発明にかかる実施形態１において、凹凸領域５００の部分を拡大して示す図である。 図７は、本発明にかかる実施形態１において、凹凸領域５００の部分を拡大して示す図である。 図８は、本発明の実施形態１にかかる液晶表示装置１００を動作させる際に、制御部４０１が、各部に供給する制御信号の波形図である。 図９は、本発明の実施形態１にかかる液晶表示装置１００において、凹凸領域５００の部分を形成する工程を示す断面図である。 図１０は、本発明の実施形態１にかかる液晶表示装置１００において、凸部の幅Ｌ（μｍ）および高さＨ（μｍ）と、液晶配向膜の被覆率（％）との関係を示す図である。 図１１は、本発明の実施形態１にかかる液晶表示装置１００において、凸部の幅Ｌ（μｍ）および高さＨ（μｍ）と、液晶配向膜の被覆率（％）との関係を示す図である。 図１２は、本発明にかかる実施形態１の変形例において、凹凸領域５００の部分を拡大して示す図である。 図１３は、本発明にかかる実施形態１の変形例において、凹凸領域５００の部分を拡大して示す図である。 図１４は、本発明にかかる実施形態１の変形例において、液晶パネル２００の要部を示す図である。 図１５は、本発明の実施形態２にかかる液晶パネル２００ｂの要部を示す図である。 図１６は、本発明にかかる実施形態２の変形例において、液晶パネル２００ｂの要部を示す図である。 図１７は、本発明の実施形態３にかかる液晶パネル２００ｃの要部を示す図である。 図１８は、本発明の実施形態４にかかる液晶パネル２００ｄの要部を示す図である。 図１９は、本発明の実施形態５にかかる液晶パネル２００ｅの要部を示す図である。 図２０は、本発明にかかる実施形態５の変形例において、液晶パネル２００ｅｂの要部を示す図である。 図２１は、本発明の実施形態６にかかる液晶パネル２００ｆの要部を示す図である。 図２２は、本発明にかかる実施形態６の変形例において、液晶パネル２００ｆｂの要部を示す図である。 図２３は、本発明の実施形態７にかかる液晶パネル２００ｇの要部を示す図である。 図２４は、本発明の実施形態７にかかる液晶パネル２００ｇの要部を示す図である。 図２５は、本発明の実施形態７にかかる液晶パネル２００ｇの要部を示す図である。 図２６は、本発明の実施形態７にかかる液晶表示装置において、被検知体Ｆが液晶パネル２００ｇの表示領域ＰＡに接触した際の様子を示す断面図である。 図２７は、本発明の実施形態７にかかる液晶表示装置１００において、液晶配向膜ＨＭ１ｇを形成する工程を示す断面図である。 図２８は、本発明の実施形態７において、凸部のテーパー角θと、変位量ｘ（ｍ）との関係を示す図である。 図２９は、本発明の実施形態７において、テーパー角θに応じて凸部ＣＯが変形する様子を示す断面図である。 図３０は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇと、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｇとを示す図である。 図３１は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図３２は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５を示す図である。 図３３は、本発明にかかる実施形態７の変形例３の作用・効果を説明するための図である。 図３４は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図３５は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図３６は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図３７は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図３８は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図３９は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図４０は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図４１は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図４２は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図４３は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。 図４４は、本発明にかかる実施形態７の変形例９〜１３の作用・効果を説明するための図である。 図４５は、本発明の実施形態８にかかる液晶パネル２００ｈの要部を示す図である。 図４６は、本発明の実施形態８にかかる液晶パネル２００ｈの要部を示す図である。 図４７は、本発明にかかる実施形態８の変形例として、共通電極２３ｈ、および、層間絶縁膜Ｓｚ２とを示す図である。 図４８は、本発明にかかる実施形態８の変形例として、共通電極２３ｈ、および、層間絶縁膜Ｓｚ２とを示す図である。 図４９は、本発明にかかる実施形態８の変形例として、共通電極２３ｈ、および、層間絶縁膜Ｓｚ２とを示す図である。 図５０は、本発明にかかる実施形態８の変形例の要部を示す図である。 図５１は、本発明にかかる実施形態８の変形例の要部を示す図である。 図５２は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置１００を適用した電子機器を示す図である。 図５３は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置１００を適用した電子機器を示す図である。 図５４は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置１００を適用した電子機器を示す図である。 図５５は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置１００を適用した電子機器を示す図である。 図５６は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置１００を適用した電子機器を示す図である。

本発明にかかる実施形態の一例について説明する。

説明は、下記の手順で行う。
１．実施形態１（対向基板に凹凸領域）
２．実施形態２（ＴＦＴアレイ基板に凹凸領域）
３．実施形態３（対向基板の弾性部材上に凹凸領域）
４．実施形態４（ＴＦＴアレイ基板の弾性部材上に凹凸領域）
５．実施形態５（対向基板の凹部領域上に凹凸領域）
６．実施形態６（ＴＦＴアレイ基板の凹部領域上に凹凸領域）
７．実施形態７（ＴＦＴアレイ基板に凹状の溝）
８．実施形態８（ＴＦＴアレイ基板に凹状の溝（ＦＦＳ方式の場合））
９．その他

＜１．実施形態１＞
（液晶表示装置の構成）
図１は、本発明の実施形態１にかかる液晶表示装置１００の構成を示す断面図である。

本実施形態の液晶表示装置１００は、図１に示すように、液晶パネル２００と、バックライト３００と、データ処理部４００とを有する。各部について順次説明する。

液晶パネル２００は、たとえば、アクティブマトリクス方式であり、図１に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２と液晶層２０３とを有する。液晶パネル２００においては、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２とが、互いにスペースを隔てて対向している。そして、そのＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間に挟まれるように、液晶層２０３が設けられている。

液晶パネル２００は、図１に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対向する面に対して反対側の面に、第１の偏光板２０６が配置されている。そして、対向基板２０２にてＴＦＴアレイ基板２０１に対向する面に対して反対側の面には、第２の偏光板２０７が配置されている。

そして、液晶パネル２００においては、ＴＦＴアレイ基板２０１の側に、バックライト３００が配置されており、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面している面に対して反対側の面に、バックライト３００から出射された照明光Ｒが照射される。

この液晶パネル２００は、複数の画素（図示無し）が配置されている表示領域ＰＡを含む。この表示領域ＰＡにおいては、液晶パネル２００の背面側に設置されたバックライト３００が出射した照明光Ｒを、第１の偏光板２０６を介して背面から受け、その背面から受けた照明光Ｒを、その表示領域ＰＡにおいて変調する。

ここでは、ＴＦＴアレイ基板２０１において画素に対応するように、複数のＴＦＴが画素スイッチング素子（図示無し）として設けられており、その画素スイッチング素子が制御されることによって、背面から受けた照明光を変調する。そして、その変調された照明光Ｒが、第２の偏光板２０７を介して、正面側に出射し、表示領域ＰＡにおいて画像が表示される。たとえば、液晶パネル２００の正面の側においてカラー画像が表示される。つまり、液晶パネル２００は、透過型である。

また、詳細については後述するが、本実施形態においては、この液晶パネル２００は、抵抗膜式のタッチセンサ（図示なし）が形成されている。このタッチセンサは、液晶パネル２００においてバックライト３００が設置された背面に対して反対側となる正面に、ユーザーの指などの被検知体Ｆが接触した位置に応じて異なる電位の信号を出力するように構成されている。すなわち、液晶パネル２００は、タッチパネルとして機能し、これにより、液晶表示装置１００は、情報入力装置として機能する。

バックライト３００は、図１に示すように、液晶パネル２００の背面に対面しており、その液晶パネル２００の表示領域ＰＡに照明光Ｒを出射する。

具体的には、バックライト３００は、液晶パネル２００においてＴＦＴアレイ基板２０１の側に位置するように配置されている。そして、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面している面に対して反対側の面に、照明光Ｒを照射する。つまり、バックライト３００は、ＴＦＴアレイ基板２０１の側から対向基板２０２の側へ向かうように照明光Ｒを照明する。ここでは、バックライト３００は、液晶パネル２００の面の法線方向ｚに沿うように照明光Ｒを出射する。

データ処理部４００は、図１に示すように、制御部４０１と、位置検出部４０２とを有する。データ処理部４００は、コンピュータを含み、プログラムによってコンピュータが各部として動作するように構成されている。

データ処理部４００の制御部４０１は、液晶パネル２００とバックライト３００との動作を制御するように構成されている。制御部４０１は、液晶パネル２００に制御信号を供給することによって、液晶パネル２００に複数設けられた画素スイッチング素子（図示無し）の動作を制御する。たとえば、線順次駆動を実行させる。また、制御部４０１は、バックライト３００に制御信号を供給することによって、バックライト３００の動作を制御し、バックライト３００から照明光Ｒを照射する。このように、制御部４０１は、液晶パネル２００とバックライト３００との動作を制御することによって、液晶パネル２００の表示領域ＰＡに画像を表示する。

このほかに、制御部４０１は、液晶パネル２００に制御信号を供給することによって、液晶パネル２００に設けられた抵抗膜式のタッチセンサの動作を制御し、データを収集する。

データ処理部４００の位置検出部４０２は、液晶パネル２００の正面側において、人体の指などの被検知体Ｆが接触した位置を検出するように構成されている。本実施形態においては、位置検出部４０２は、液晶パネル２００に設けられた抵抗膜式のタッチセンサによって得たデータに基づいて、位置の検出を実施する。

（液晶パネルの全体構成）
液晶パネル２００の全体構成について説明する。

図２は、本発明の実施形態１にかかる液晶パネル２００を示す平面図である。

図２に示すように、液晶パネル２００は、表示領域ＰＡと、周辺領域ＣＡとを有する。

液晶パネル２００において表示領域ＰＡには、図２に示すように、複数の画素Ｐが面に沿って配置されている。

具体的には、表示領域ＰＡにおいては、複数の画素Ｐが水平方向ｘと垂直方向ｙとのそれぞれにマトリクス状に並ぶように配置されており、画像が表示される。詳細については後述するが、画素Ｐは、画素スイッチング素子（図示無し）を含む。そして、タッチセンサを構成する複数のタッチセンサスイッチ（図示無し）が、この複数の画素Ｐに対応するように、設けられている。

液晶パネル２００において周辺領域ＣＡは、図２に示すように、表示領域ＰＡの周辺を囲うように位置している。この周辺領域ＣＡにおいては、図２に示すように、垂直駆動回路１１と、水平駆動回路１２とが形成されている。たとえば、上記の画素スイッチング素子（図示無し）などと同様にして形成された半導体素子によって、この各回路が構成されている。

そして、画素Ｐに対応するように設けられた画素スイッチング素子を、垂直駆動回路１１および水平駆動回路１２が駆動し、表示領域ＰＡにおいて画像表示を実行する。

また、これと共に、表示領域ＰＡに設けられたタッチセンサ（図示なし）を、垂直駆動回路１１および水平駆動回路１２が駆動し、データの取得を実行する。そして、液晶パネル２００の表示領域ＰＡにユーザーの指などの被検知体が接触した位置を、そのタッチセンサによって取得したデータに基づいて、位置検出部４０２が検出する。

（液晶パネルの詳細構成）
液晶パネル２００の詳細な構成について説明する。

図３から図５は、本発明の実施形態１にかかる液晶パネル２００の要部を示す図である。

ここで、図３は、本発明の実施形態１にかかる液晶パネル２００において、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

また、図４は、本発明にかかる実施形態１において、液晶パネル２００の表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す上面図である。図４は、画素Ｐを構成する複数のサブ画素の一部を示しており、図３は、図４のＸ１−Ｘ２部分に相当する。図示の都合上、適宜、省略やスケールの変更等をして、各部材を示している。

そして、図５は、本発明の実施形態１にかかる液晶パネル２００の概略を示す回路図である。

液晶パネル２００は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間には、柱スペーサＳＰが介在しており、シール材（図示無し）で貼り合わされている。そして、そのＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間には、液晶層２０３が封入されている。

本実施形態においては、図３に示すように、液晶パネル２００は、タッチセンサスイッチＳＷｓが内蔵されている。このタッチセンサスイッチＳＷｓは、図３に示すように、一対のタッチ電極６２ｔ，２５によって構成されている。

液晶パネル２００において、ＴＦＴアレイ基板２０１は、光を透過する絶縁体の基板であり、たとえば、ガラスにより形成されている。このＴＦＴアレイ基板２０１においては、図３に示すように、対向基板２０２に対向する側の面に、画素電極６２ｐと、タッチセンサスイッチＳＷｓを構成する一方のタッチ電極６２ｔと、ゲート線ＧＬと、液晶配向膜ＨＭ１とが形成されている。

液晶パネル２００において、対向基板２０２は、ＴＦＴアレイ基板２０１と同様に、光を透過する絶縁体の基板であり、たとえば、ガラスにより形成されている。この対向基板２０２においては、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１に対向する側の面に、カラーフィルタ層２１と、共通電極２３と、タッチ電極２５と、液晶配向膜ＨＭ２とが形成されている。ここでは、カラーフィルタ層２１は、図３に示すように、赤フィルタ層２１Ｒと、緑フィルタ層２１Ｇと、青フィルタ層２１Ｂとを一組として構成されている。

液晶パネル２００は、図３に示した部材のほかに、図４に示すように、信号線ＳＬを含む。また、図５に示すように、画素スイッチング素子３１を含む。信号線ＳＬと画素スイッチング素子３１とのそれぞれは、図３では図示されていないが、液晶パネル２００を構成するＴＦＴアレイ基板２０１に設けられている。

ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられた各部について示す。

ＴＦＴアレイ基板２０１において、画素電極６２ｐとタッチ電極６２ｔとのそれぞれは、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対面する面上に設けられている。ここでは、画素電極６２ｐとタッチ電極６２ｔとのそれぞれは、層間絶縁膜Ｓｚ１を介して設けられている。画素電極６２ｐとタッチ電極６２ｔのそれぞれは、いわゆる透明電極であって、たとえば、ＩＴＯを用いて形成されている。

タッチ電極６２ｔは、図３に示すように、ゲート線ＧＬの上方に設けられている。たとえば、タッチ電極６２ｔは、カラーフィルタ層２１を構成する赤フィルタ層２１Ｒに対応するように、設けられている。つまり、画素Ｐを構成する３つのサブ画素のうち、１つのサブ画素に対応するように、タッチ電極６２ｔが形成されている。そして、タッチ電極６２ｔは、液晶層２０３を介して、対向基板２０２に設けられた１つのタッチ電極２５に対面している。

また、図４に示すように、タッチ電極６２ｔは、画素電極６２ｐと一体になるように形成されている。すなわち、タッチ電極６２ｔは、画素電極６２ｐと電気的に接続している。

そして、図５に示すように、タッチ電極６２ｔは、画素スイッチング素子３１に電気的に接続されている。

本実施形態においては、タッチ電極６２ｔは、図３に示すように、弾性部材６３の頂面を被覆するように設けられている。

図３に示すように、弾性部材６３は、ゲート線ＧＬの上方において、層間絶縁膜Ｓｚ１を介在して設けられている。弾性部材６３は、この層間絶縁膜Ｓｚ１上において、対向基板２０２へ向かう方向へ、凸状に突出するように設けられている。たとえば、弾性部材６３は、感光性のアクリル樹脂膜をパターン加工することで形成されている。ここでは、図３に示すように、弾性部材６３は、タッチ電極６２ｔが被覆された状態において、セルギャップを保持する柱スペーサＳＰよりも、高さが低くなるように形成されている。

画素電極６２ｐは、図４に示すように、ｘｙ面において、ゲート線ＧＬと信号線ＳＬとによって区画される複数の領域のそれぞれに対応するように、矩形パターンで形成されている。カラーフィルタ層２１を構成する赤フィルタ層２１Ｒ以外の緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとのそれぞれにおいても、これと同様な平面形状になるように形成されている。つまり、画素Ｐを構成する３つのサブ画素のそれぞれに対応するように、画素電極６２ｐが形成されている。

ここでは、画素電極６２ｐは、図３に示すように、液晶層２０３を介して、共通電極２３に対面している。また、図５に示すように、画素電極６２ｐは、画素スイッチング素子３１に電気的に接続されており、画素スイッチング素子３１がオン状態の際に、液晶層２０３に電位を与えるように構成されている。

ＴＦＴアレイ基板２０１において、画素スイッチング素子３１は、図３では図示を省略しているが、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対向する側の面上において、層間絶縁膜Ｓｚ１内に設けられている。

ここで、画素スイッチング素子３１は、図５に示すように、トランジスタであって、たとえば、ポリシリコンを用いたＴＦＴとして構成されている。この画素スイッチング素子３１は、図５に示すように、ゲートが、ゲート線ＧＬに電気的に接続されている。そして、ドレインが、信号線ＳＬに電気的に接続されている。そして、ソースが、画素電極６２ｐと、タッチ電極６２ｔとのそれぞれに接続されている。

ＴＦＴアレイ基板２０１において、ゲート線ＧＬは、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対向する側の面上に設けられている。

そして、図４，図５に示すように、ゲート線ＧＬは、ｘｙ面において、ｘ方向に延在するように設けられている。たとえば、ゲート線ＧＬは、モリブデンなどの金属材料を用いて形成されている。そして、ゲート線ＧＬは、図５に示すように、画素スイッチング素子３１のゲートに電気的に接続されている。この他に、ゲート線ＧＬは、図５に示すように、垂直駆動回路１１に電気的に接続されており、垂直駆動回路１１から走査信号Ｖｇａｔｅを画素スイッチング素子３１のゲートに供給する。

ＴＦＴアレイ基板２０１において、信号線ＳＬは、図３では図示を省略しているが、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対向する側の面上において、層間絶縁膜Ｓｚ１内に設けられている。

そして、図４，図５に示すように、信号線ＳＬは、ｘｙ面において、ｙ方向に延在するように設けられている。そして、信号線ＳＬは、図５に示すように、画素スイッチング素子３１のドレインに電気的に接続されている。この他に、信号線ＳＬは、図５に示すように、水平駆動回路１２に電気的に接続するように構成されている。

本実施形態では、水平駆動回路１２は、図５に示すように、書き込み回路ＷＣと、読み出し回路ＲＣとを含む。信号線ＳＬは、書き込み回路ＷＣとの間に、スイッチＳＷｗが介在しており、スイッチＳＷｗがオン状態になったときに、書き込み回路ＷＣに電気的に接続するように構成されている。また、信号線ＳＬは、読み出し回路ＲＣとの間に、スイッチＳＷｒが介在しており、スイッチＳＷｒがオン状態になったときに、読み出し回路ＲＣに電気的に接続するように構成されている。詳細については後述するが、この２つのスイッチＳＷｗ，ＳＷｒは、差動的に動作し、同時にオン状態にならないように、動作が制御される。このため、スイッチＳＷｗがオン状態にされたときには、信号線ＳＬは、書き込み回路ＷＣに電気的に接続し、書き込み回路ＷＣからライト信号（ＷＲＩＲＨＴ）が供給される。そして、スイッチＳＷｒがオン状態になったときには、信号線ＳＬは、読み出し回路ＲＣに電気的に接続し、読み出し回路ＲＣからリード信号（ＲＥＡＤ）が供給される。

ＴＦＴアレイ基板２０１において液晶配向膜ＨＭ１は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対面する面上にて、画素電極６２ｐおよびタッチ電極６２ｔを介して設けられている。たとえば、この液晶配向膜ＨＭ１は、ポリイミドによって形成されている。

本実施形態においては、この液晶配向膜ＨＭ１は、タッチ電極６２ｔの表面が露出するように形成されている。

対向基板２０２に設けられた各部について示す。

対向基板２０２において、カラーフィルタ層２１は、図３に示すように、対向基板２０２にてＴＦＴアレイ基板２０１に対向する側の面に形成されている。ここでは、カラーフィルタ層２１は、赤フィルタ層２１Ｒと緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとの３原色のフィルタを１組として画素Ｐごとに設けられており、それぞれの色が、ｘ方向に並ぶように形成されている。カラーフィルタ層２１は、たとえば、顔料や染料などの着色剤を含有するポリイミド樹脂を用いて形成されている。このカラーフィルタ層２１においては、バックライト３００から照射された白色光が着色されて出射される。

対向基板２０２において、共通電極２３は、図３に示すように、対向基板２０２にてＴＦＴアレイ基板２０１に対面する側の面に形成されている。ここで、共通電極２３は、カラーフィルタ層２１上に形成された層間絶縁膜Ｓｚ２を被覆するように形成されている。共通電極２３は、いわゆる透明電極であって、たとえば、ＩＴＯを用いて形成されている。

そして、図５に示すように、共通電極２３は、Ｖｃｏｍ線ＣＬに電気的に接続されており、共通電位が印加される。つまり、共通電極２３は、表示領域ＰＡにおいて、複数の画素Ｐに対応するように形成された複数の画素電極６２ｐのそれぞれに対向しており、各画素Ｐにおいて共通な電極として機能するように構成されている。

対向基板２０２において、タッチ電極２５は、図３に示すように、対向基板２０２にてＴＦＴアレイ基板２０１に対面する側の面に形成されている。ここでは、図３に示すように、タッチ電極２５は、共通電極２３と同様に、層間絶縁膜Ｓｚ２を被覆しており、共通電極２３と一体であって同層になるように形成されている。つまり、タッチ電極２５は、共通電極２３と同様に、いわゆる透明電極であって、たとえば、ＩＴＯを用いて形成されている。そして、タッチ電極２５は、図３に示すように、液晶パネル２００が外圧によって変形した際には、対向するタッチ電極６２ｔに接触して電気的に接続するように構成されている。

また、図５に示すように、タッチ電極２５は、共通電極２３と同様に、Ｖｃｏｍ線ＣＬに電気的に接続されており、共通電位が印加される。

本実施形態においては、タッチ電極２５は、図３に示すように、凹凸領域５００の表面を被覆するように設けられている。

凹凸領域５００は、図３に示すように、対向基板２０２にてＴＦＴアレイ基板２０１に対向する面であって、層間絶縁膜Ｓｚ２の表面に形成されている。凹凸領域５００は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられた弾性部材６３の幅Ｗ１よりも、幅Ｗ２が広くなるように設けられている。そして、凹凸領域５００は、ＴＦＴアレイ基板２０１において弾性部材６３上に設けられたタッチ電極６２ｔとの間において、所定のセンサギャップΔｄが介在している。

図６と図７は、本発明にかかる実施形態１において、凹凸領域５００の部分を拡大して示す図である。

図６は、凹凸領域５００の部分を拡大して示す断面図である。一方、図７は、凹凸領域５００の部分を拡大して示す上面図である。

図６，図７に示すように、凹凸領域５００においては、層間絶縁膜Ｓｚ２の表面に、複数の溝が間を隔てて形成されている。

ここでは、図７に示すように、たとえば、複数の溝が、ｙ方向に延在しており、この複数の溝が、ｘ方向に間を空けて並んでいる。

対向基板２０２において、液晶配向膜ＨＭ２は、図３に示すように、共通電極２３上に設けられている。ここでは、液晶配向膜ＨＭ２は、共通電極２３の表面全面を被覆するように、設けられている。この液晶配向膜ＨＭ２は、共通電極２３およびタッチ電極２５が形成された表面上に配向材料を塗布することによって形成される。たとえば、液晶配向膜ＨＭ２は、ポリイミドを用いて形成される。

詳細については後述するが、凹凸領域５００は、凸部と凹部とが交互に設けられているので、凸部の頂面に配向材料が成膜されないため、液晶配向膜ＨＭ２は、この頂面に形成されずに、その表面が露出するように形成されている。

液晶層２０３について示す。

液晶層２０３は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間にて挟持されている。

ここでは、液晶層２０３は、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成された液晶配向膜ＨＭ１と、対向基板２０２に形成された液晶配向膜ＨＭ２とによって、液晶分子（図示なし）が配向されている。たとえば、液晶分子が垂直配向するように液晶層２０３が形成されている。つまり、液晶表示モードが、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎ）モードになるように、液晶層２０３が形成されている。

この他に、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードに対応するように、液晶層２０３を形成しても良い。

（動作）
以下より、上記の液晶表示装置１００において、ユーザーの指などの被検知体Ｆが液晶パネル２００の表示領域ＰＡに接触した位置を検出する際の動作について説明する。

図８は、本発明の実施形態１にかかる液晶表示装置１００を動作させる際に、制御部４０１が、各部に供給する制御信号の波形図である。

図８において、（Ａ）は、ゲート線ＧＬに供給する走査信号（Ｖｇａｔｅ）を示している。（Ｂ）は、信号線ＳＬに供給するデータ信号（Ｖｓｉｇ）を示している。（Ｃ）は、Ｖｃｏｍ線ＣＬに供給する共通電圧（Ｖｃｏｍ）の波形図である。（Ｄ）は、スイッチＳＷｗに供給するライト信号（Ｗｒｉｔｅ）を示している。（Ｅ）は、スイッチＳＷｒに供給するリード信号（Ｒｅａｄ）を示している。

まず、Ｔ１においては、図８の（Ｂ）と（Ｄ）とに示すように、データ信号（Ｖｓｉｇ）とライト信号（Ｗｒｉｔｅ）とが、ローレベルからハイレベルになる。このため、ハイレベルのライト信号（Ｗｒｉｔｅ）によって、スイッチＳＷｗがオンになり、ハイレベルのデータ信号（Ｖｓｉｇ）が、スイッチＳＷｗを介して、書き込み回路ＷＣから信号線ＳＬへ供給される（図５参照）。

つぎに、Ｔ２においては、図８の（Ｄ）に示すように、ライト信号（Ｗｒｉｔｅ）がローレベルになって、スイッチＳＷｗがオフになり、信号線ＳＬが、フローティング状態になる。この状態で、Ｔ２においては、図８の（Ａ）に示すように、走査信号（Ｖｇａｔｅ）が、ローレベルからハイレベルになる。このため、画素スイッチング素子３１のゲートがオン状態になり、画素スイッチング素子３１においては、チャネルが形成されて、データ信号（Ｖｓｉｇ）の電荷の放電経路が生ずる（図５参照）。

このとき、タッチセンサスイッチＳＷｓがオン状態にされた場合には、大きな容量のＶｃｏｍ線ＣＬに、フローティング状態の信号線ＳＬの電荷が放電される。このため、図８の（Ｂ）にて実線で示すように、データ信号（Ｖｓｉｇ）の電位が、大きく低下する。

一方で、タッチセンサスイッチＳＷｓがオフ状態である場合には、図８の（Ｂ）にて破線で示すように、データ信号（Ｖｓｉｇ）の電位は、ほぼ保持されて、変化が少ない。

つぎに、Ｔ３においては、図８の（Ｅ）に示すように、リード信号（Ｒｅａｄ）が、ローレベルからハイレベルになる。このため、ハイレベルのリード信号（Ｒｅａｄ）によって、スイッチＳＷｒがオンになり、データ信号（Ｖｓｉｇ）が、スイッチＳＷｒを介して、信号線ＳＬから読み出し回路ＲＣへ読み出される（図５参照）。

ここで、タッチセンサスイッチＳＷｓがオン状態である場合には、図８の（Ｂ）にて実線で示したように、低い電位のデータ信号（Ｖｓｉｇ）が読み出される。一方で、タッチセンサスイッチＳＷｓがオフ状態である場合には、図８の（Ｂ）にて破線で示したように、高い電位のデータ信号（Ｖｓｉｇ）が読み出される。

そして、このとき、この読み出したデータ信号（Ｖｓｉｇ）の電位に基づいて、データ処理部４００の位置検出部４０２（図１参照）が、位置検出を行う。

具体的には、位置検出部４０２は、読み出したデータ信号（Ｖｓｉｇ）の電位と参照電位との比較処理を実行し、参照電位よりも大きい場合には、タッチセンサスイッチＳＷｓがオフ状態であると判断する。一方で、読み出したデータ信号（Ｖｓｉｇ）の電位が、参照電位に対して小さい場合には、タッチセンサスイッチＳＷｓがオン状態であると判断する。そして、位置検出部４０２は、タッチセンサスイッチＳＷｓがオン状態であると判断した画素Ｐの位置を、指などの被検知体Ｆが接触した位置として検出する。

つまり、位置検出部４０２は、タッチセンサスイッチＳＷｓがオン状態の場合と、オフ状態の場合との間において、変化する電位に基づいて、液晶パネル２００にて、指などの被検知体Ｆが接触した位置を検出する。

つぎに、Ｔ４においては、図８の（Ｅ）に示すように、リード信号（Ｒｅａｄ）を、ローレベルにし、スイッチＳＷｒをオフ状態にする。そして、ライト信号（Ｗｒｉｔｅ）を、ローレベルからハイレベルとして、スイッチＳＷｗをオン状態にすると共に、信号線ＳＬにハイレベルのデータ信号（Ｖｓｉｇ）を印加する。その後、共通電圧Ｖｃｏｍの電位を反転して、表示の制御を続行する。

（製造方法）
以下より、上記の液晶表示装置１００の要部である凹凸領域５００の部分を形成する方法について説明する。

図９は、本発明の実施形態１にかかる液晶表示装置１００において、凹凸領域５００の部分を形成する工程を示す断面図である。図９では、要部を示しており、一部の部材については、表示を省略している。

まず、図９（ａ）に示すように、層間絶縁膜Ｓｚ２を形成する。

ここでは、たとえば、感光性樹脂（図示なし）を塗布することによって、この層間絶縁膜Ｓｚ２を形成する。たとえば、ポジ型の感光性であるアクリル樹脂を塗布後、プリベーク処理を実施することで、層間絶縁膜Ｓｚ２を形成する。

つぎに、図９（ｂ）に示すように、層間絶縁膜Ｓｚ２に溝を形成する。

ここでは、フォトリソグラフィ技術によって、感光性樹脂からなる層間絶縁膜Ｓｚ２をパターン加工することで、溝を形成し、凹凸領域５００を設ける。

具体的には、マスクパターンが形成されたフォトマスクを用いて露光処理を実施する。この露光処理では、溝を形成する部分へ、露光光を照射する。ここでは、露光量を適宜調整して、露光光の照射を実施する。

そして、この露光処理の実施後に、現像処理を実施する。この後、ベーク処理の実施によって、層間絶縁膜Ｓｚ２中の残留溶剤や低分子の未重合成分を揮発させる。このようにすることで、図９（ｂ）に示すように、層間絶縁膜Ｓｚ２の表面に溝が形成される。

なお、上記の露光処理においては、一のフォトマスクを用いて形成する場合のみならず、適宜、複数のフォトマスクを組み合わせて、露光処理を実施しても良い。また、上記の溝の他に、図示をしていないが、コンタクトホールを、別途、同一工程で形成しても良い。

つぎに、図９（ｃ）に示すように、タッチ電極２５を形成する。

ここでは、層間絶縁膜Ｓｚ２にて溝が形成された表面に、透明な導電材料を成膜することで、タッチ電極２５を形成する。たとえば、スパッタリング法によって、ＩＴＯを成膜することで、タッチ電極２５を形成する。

この他に、図９（ｃ）に示すように、共通電極２３についても、これと同一工程で形成する。

つぎに、図９（ｄ）に示すように、液晶配向膜ＨＭ２を形成する。

ここでは、タッチ電極２５および共通電極２３上に配向材料を塗布し成膜することによって、液晶配向膜ＨＭ２を形成する。たとえば、スピンコート法によって、配向材料が溶解された塗布液を塗布する。そして、プリベーク処理によって、塗布膜中の溶媒を揮発させた後、本ベーク処理で残留溶剤を除去する。これにより、たとえば、ポリイミドの液晶配向膜ＨＭ２を形成する。スピンコート法の他に、オフセット印刷などによって、液晶配向膜ＨＭ２を形成しても良い。

図９（ｄ）に示すように、凹凸領域５００の表面においては、凸部と凹部とが交互に設けられているので、凸部の頂面には、配向材料が成膜されない。具体的には、配向材料が溶解された塗布液が、凹凸領域５００の凹部の内部に入り、凸部の頂面を被覆しない。このため、この凹凸領域５００において凸部の頂面の表面には、液晶配向膜ＨＭ２が成膜されず、タッチ電極２５の表面が露出するように形成される。

この後、配向処理を実施する。たとえば、ラビング処理によって配向処理を実施する。この他に、光配向処理、イオンビーム配向処理、グレーティング配向処理などの配向処理を実施しても良い。なお、たとえば、液晶配向膜ＨＭ２が、垂直配向を誘起するものである場合であって、液晶パネル２００を垂直配向モードにする場合には、配向処理を別途実施する必要はない。

そして、図３に示したように、各部が形成された対向基板２０２と、ＴＦＴアレイ基板２０１とを貼り合わせる。その後、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間に、液晶材料を注入して液晶層２０３を設けることによって、液晶パネル２００を完成させる。

（まとめ）
以上のように、本実施形態において、タッチセンサスイッチＳＷｓを構成するタッチ電極２５は、複数の溝が間を隔てて形成された凹凸領域５００の表面を被覆するように設けられている。そして、液晶配向膜ＨＭ２は、タッチ電極２５が形成された表面上に配向材料を塗布することによって形成されており、タッチ電極２５において凹凸領域５００の凸部の頂面の表面が露出している。このように、本実施形態では、タッチ電極２５を凹凸領域５００の表面に沿って形成していることから、この部分の液晶配向膜ＨＭ２を除去する工程を別途実施せずに、凸部の頂面の表面を露出させることができる。

よって、本実施形態は、製造効率，歩留まりの向上を実現することができる。また、インクジェットの設備などのように、新規な設備を導入することが必要でないので、製造コストが増加することを防止できる。そして、本実施形態においては、対向基板２０２に設けられたタッチ電極２５と、ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられたタッチ電極６２ｔとを、接触時に好適に導通させることができるので、装置の信頼性を向上させることができる。

また、本実施形態においては、凹凸領域５００を、タッチ電極２５が被覆された状態において、凸部の幅Ｌが、０．５から５．０μｍであって、凹部の幅Ｓが、０．５から５．０μｍになるように形成することが好適である。また、さらに、凸部の頂面と凹部の底面との距離（高さ）Ｈが、０．５〜２．０μｍになるように形成することが好適である。このようにすることで、タッチ電極２５において凹凸領域５００の凸部の頂面の表面が液晶配向膜ＨＭ２で被覆されずに露出させることを、好適に、実現できる。

図１０と図１１は、本発明の実施形態１にかかる液晶表示装置１００において、凸部の幅Ｌ（μｍ）および高さＨ（μｍ）と、液晶配向膜の被覆率（％）との関係を示す図である。

図１０は、横軸が、高さＨ（μｍ）であって、縦軸が、液晶配向膜の被覆率（％／１００）である。そして，（ａ），（ｂ），（ｃ）のそれぞれにおいて、凸部の幅Ｌ（μｍ）が、０．３μｍ，０．８μｍ，１．２μｍである場合の結果を示している。なお、凹部の幅Ｓについても、この凸部の幅Ｌと同じになるように形成している。

一方で、図１１は、図１０において示した２つの被覆率Ｒ１，Ｒ２を示す図である。図１１に示すように、被覆率Ｒ１は、下記の数式（１）で示され、被覆率Ｒ２は、下記の数式（２）で示される。ここで、Ｐは、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、複数の凹部の間におけるピッチＰである。そして、Ｐ１は、図１１（ａ）に示すように、凸部において、液晶配向膜ＨＭ２が被覆されない幅である。また、Ｐ２は、図１１（ｂ）に示すように、凸部において、凹部の底面に設けられた液晶配向膜ＨＭ２の半分の膜厚になる部分の幅である。

Ｒ１＝（Ｐ−Ｐ１）／Ｐ ・・・（１）
Ｒ２＝（Ｐ−Ｐ２）／Ｐ ・・・（２）

図１０の結果から判るように、凸部の幅Ｌが、０．５μｍ以上であって、その高さＨが、０．５μｍ以上にすることで、液晶配向膜ＨＭ２が、全面に被覆されない。

そして、上述した上限値を超える場合には、凸部上に配向膜が残ってしまう等の不具合が生ずる場合がある。このような結果は、塗布液の液粘度が、３０ｍＰａ・ｓが中心値であって、１〜５００ｍＰａ・ｓの範囲において得ることができる。

よって、上記した数値範囲において、凹凸領域５００を形成することが好適である。

なお、上記においては、凹凸領域５００が、図７に示したように形成されている場合について説明したが、これに限定されない。

図１２と図１３は、本発明にかかる実施形態１の変形例において、凹凸領域５００の部分を拡大して示す図である。図１２と図１３は、上面図である。

図１２に示すように、凹凸領域５００においては、複数の溝をｘ方向とｙ方向とにマトリクス状に並ぶように形成してもよい。

また、図１３に示すように、凹凸領域５００においては、複数の溝を円形に形成してもよい。

この他に、上記においては、層間絶縁膜Ｓｚ２の表面をフォトリソグラフィ技術によって加工し、その表面に溝を形成することで、凹凸領域５００を設ける場合について説明したが、これに限定されない。

図１４は、本発明にかかる実施形態１の変形例において、液晶パネル２００の要部を示す図である。ここで、図１４は、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

図１４に示すように、カラーフィルタ層２１において赤カラーフィルタ層２１Ｒａの表面を、フォトリソグラフィ技術によって加工し、その表面に溝を形成することで、凹凸領域５００を設けてもよい。

＜２．実施形態２＞
以下より、本発明にかかる実施形態２について説明する。

（液晶パネルの詳細構成）
図１５は、本発明の実施形態２にかかる液晶パネル２００ｂの要部を示す図である。ここで、図１５は、本発明の実施形態２にかかる液晶パネル２００ｂにおいて、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

図１５に示すように、本実施形態においては、タッチセンサスイッチＳＷｓｂの構成が、実施形態１と異なる。具体的には、図１５と図３とを比較してわかるように、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｂが、実施形態１と異なる。また、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｂが、実施形態１と異なる。この点、および、これに関連する点を除き、実施形態１と同様である。このため、重複する箇所については、説明を省略する。

対向基板２０２において、タッチ電極２５ｂは、図１５に示すように、弾性部材６３ｂの頂面を被覆するように設けられている。

図１５に示すように、弾性部材６３ｂは、層間絶縁膜Ｓｚ２上に設けられている。弾性部材６３ｂは、この層間絶縁膜Ｓｚ２上において、ＴＦＴアレイ基板２０１へ向かう方向へ、凸状に突出するように設けられている。たとえば、弾性部材６３ｂは、感光性のアクリル樹脂膜をパターン加工することで形成されている。ここでは、図１５に示すように、弾性部材６３ｂは、柱スペーサＳＰよりも、高さが低くなるように形成されている。

そして、図１５に示すように、対向基板２０２において、弾性部材６３ｂが設けられた領域以外の表面を被覆するように、液晶配向膜ＨＭ２ｂが設けられている。ここでは、液晶配向膜ＨＭ２ｂは、共通電極２３およびタッチ電極２５ｂが形成された表面上に配向材料を塗布することによって形成される。弾性部材６３ｂは、対向基板２０２の表面にて凸状に突き出ているので、その頂面に位置する部分においては、配向材料が塗布されず、タッチ電極２５ｂの表面が露出している。

ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｂは、図１５に示すように、凹凸領域５００ｂの表面を被覆するように設けられている。

凹凸領域５００ｂは、図１５に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対向する面であって、層間絶縁膜Ｓｚ１の表面に形成されている。凹凸領域５００ｂは、図１５に示すように、対向基板２０２に設けられた弾性部材６３ｂの幅Ｗ１ｂよりも、その幅Ｗ２ｂが広くなるように設けられている。そして、凹凸領域５００ｂは、対向基板２０２において弾性部材６３ｂ上に設けられたタッチ電極２５ｂとの間において、所定のセンサギャップΔｄｂが介在している。

この凹凸領域５００ｂは、実施形態１の場合と同様に、複数の溝が設けられており、その表面に沿って、タッチ電極６２ｔｂが形成されている。つまり、凹凸領域５００ｂの表面においては、凸部と凹部とが交互に設けられている。

そして、図１５に示すように、凹凸領域５００ｂ上においては、液晶配向膜ＨＭ１ｂが設けられている。ここでは、液晶配向膜ＨＭ１ｂは、画素電極６２ｐおよびタッチ電極６２ｔが形成された表面上に配向材料を塗布することによって形成される。凹凸領域５００ｂの表面においては、凸部と凹部とが交互に設けられているので、実施形態１の場合と同様に、配向材料が成膜されない。このため、凹凸領域５００ｂの凸部の頂面に位置する部分においては、タッチ電極６２ｔｂの表面が露出している。

（まとめ）
以上のように、本実施形態において、タッチセンサスイッチＳＷｓｂを構成するタッチ電極６２ｔｂは、複数の溝が間を隔てて形成された凹凸領域５００ｂの表面を被覆するように設けられている。そして、液晶配向膜ＨＭ１ｂは、タッチ電極６２ｔｂが形成された表面上に配向材料を塗布することによって形成されており、タッチ電極６２ｔｂにおいて凹凸領域５００ｂの凸部の頂面の表面が露出している。

本実施形態では、タッチ電極６２ｔｂを凹凸領域５００ｂの表面に沿って形成することで、凹凸領域５００ｂにおいて凸部の頂面に位置するタッチ電極６２ｔｂの表面を露出させることができる。つまり、本実施形態は、この部分の液晶配向膜ＨＭ１ｂを除去する工程を別途実施する必要がない。

よって、本実施形態は、実施形態１の場合と同様に、製造効率，歩留まりの向上が可能であって、製造コストが増加することを防止できる。また、装置の信頼性を向上させることができる。

なお、上記においては、層間絶縁膜Ｓｚ１の表面をフォトリソグラフィ技術によって加工し、その表面に溝を形成することで、凹凸領域５００ｂを設ける場合について説明したが、これに限定されない。

図１６は、本発明にかかる実施形態２の変形例において、液晶パネル２００ｂの要部を示す図である。ここで、図１６は、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

図１６に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１の表面に、凸状に突出する下地層ＯＰを、複数設ける。そして、この複数の下地層ＯＰを被覆するように、層間絶縁膜Ｓｚ１を形成することで、凹凸領域５００ｂを設けてもよい。

＜３．実施形態３＞
以下より、本発明にかかる実施形態３について説明する。

（液晶パネルの詳細構成）
図１７は、本発明の実施形態３にかかる液晶パネル２００ｃの要部を示す図である。ここで、図１７は、本実施形態の液晶パネル２００ｃにおいて、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

図１７に示すように、本実施形態においては、タッチセンサスイッチＳＷｓｃの構成が、実施形態１と異なる。具体的には、図１７と図３とを比較してわかるように、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｃの部分が、実施形態１と異なる。この点、および、これに関連する点を除き、実施形態１と同様である。このため、重複する箇所については、説明を省略する。

図１７に示すように、タッチ電極２５ｃは、対向基板２０２において、凹凸領域５００ｃの表面を被覆するように設けられている。

本実施形態においては、凹凸領域５００ｃは、図１７に示すように、層間絶縁膜Ｓｚ２の表面から、凸状に突き出るように形成された弾性部材７１ｃの頂面に形成されている。たとえば、弾性部材７１ｃは、層間絶縁膜Ｓｚ２と同様な材料を用いて形成されている。これにより、凹凸領域５００ｃは、ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられたタッチ電極６２ｔとの間において、所定のセンサギャップΔｄｃが介在するように形成されている。

そして、液晶配向膜ＨＭ２ｃは、図１７に示すように、このタッチ電極２５ｃが形成された表面上に配向材料を塗布することによって形成される。液晶配向膜ＨＭ２ｃは、凹凸領域５００ｃの表面においては、凸部と凹部とが交互に設けられているので、配向材料が成膜されず、凸部の頂面に位置するタッチ電極２５ｃの表面が露出するように形成される。

（まとめ）
以上のように、本実施形態は、実施形態１と同様に、タッチ電極２５ｃを凹凸領域５００ｃの表面に沿って形成している。このため、本実施形態においては、この部分の液晶配向膜ＨＭ２ｃを除去する工程を別途実施せずに、凸部の頂面上においてタッチ電極６２ｔｄの表面を露出させることができる。よって、本実施形態は、他の実施形態と同様に、製造効率，歩留まりの向上が可能であって、製造コストが増加することを防止できる。また、装置の信頼性を向上させることができる。

特に、本実施形態では、層間絶縁膜Ｓｚ２の表面から、凸状に突き出るように形成された弾性部材７１ｃの頂面に、凹凸領域５００ｃを形成している。このため、本実施形態では、液晶配向膜ＨＭ２ｃを形成するために塗布される塗布液が、この凹凸領域５００ｃの頂面を被覆しにくい。よって、本実施形態は、上記の効果を、さらに好適に奏することができる。

＜４．実施形態４＞
以下より、本発明にかかる実施形態４について説明する。

（液晶パネルの詳細構成）
図１８は、本発明の実施形態４にかかる液晶パネル２００ｄの要部を示す図である。ここで、図１８は、本実施形態の液晶パネル２００ｄにおいて、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

図１８に示すように、本実施形態においては、タッチセンサスイッチＳＷｓｄの構成が、実施形態２と異なる。具体的には、図１８と図１５とを比較してわかるように、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｄの部分が、実施形態２と異なる。この点、および、これに関連する点を除き、実施形態２と同様である。このため、重複する箇所については、説明を省略する。

図１８に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｄは、凹凸領域５００ｄの表面を被覆するように設けられている。

本実施形態においては、凹凸領域５００ｄは、図１８に示すように、層間絶縁膜Ｓｚ１の表面から、凸状に突き出るように形成された弾性部材７１ｄの頂面に形成されている。たとえば、弾性部材７１ｄは、層間絶縁膜Ｓｚ１と同様な材料を用いて形成されている。これにより、凹凸領域５００ｄは、対向基板２０２に設けられたタッチ電極２５ｂとの間において、所定のセンサギャップΔｄｄが介在するように形成されている。

そして、液晶配向膜ＨＭ１ｄは、図１８に示すように、このタッチ電極６２ｔｄが形成された表面上に配向材料を塗布することによって形成される。液晶配向膜ＨＭ１ｄは、凹凸領域５００ｄの表面においては、凸部と凹部とが交互に設けられているので、配向材料が成膜されず、凸部の頂面に位置するタッチ電極６２ｔｄの表面が露出している。

（まとめ）
以上のように、本実施形態は、実施形態２と同様に、タッチ電極６２ｔｄを凹凸領域５００ｄの表面に形成している。このため、本実施形態においては、この部分の液晶配向膜ＨＭ１ｄを除去する工程を別途実施せずに、凸部の頂面上においてタッチ電極６２ｔｄの表面を露出させることができる。よって、本実施形態は、他の実施形態と同様に、製造効率，歩留まりの向上が可能であって、製造コストが増加することを防止できる。また、装置の信頼性を向上させることができる。

特に、本実施形態では、層間絶縁膜Ｓｚ１の表面から、凸状に突き出るように形成された弾性部材７１ｄの頂面に、凹凸領域５００ｄが形成されている。このため、本実施形態では、液晶配向膜ＨＭ１ｄを形成するために塗布される塗布液が、この凹凸領域５００ｄ上を被覆されにくい。よって、本実施形態は、上記の効果を、さらに好適に奏することができる。

＜５．実施形態５＞
以下より、本発明にかかる実施形態５について説明する。
（液晶パネルの詳細構成）
図１９は、本発明の実施形態５にかかる液晶パネル２００ｅの要部を示す図である。ここで、図１９は、本実施形態の液晶パネル２００ｅにおいて、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

図１９に示すように、本実施形態においては、タッチセンサスイッチＳＷｓｅの構成が、実施形態１と異なる。具体的には、図１９と図３とを比較してわかるように、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｅが、実施形態１と異なる。また、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｅが、実施形態１と異なる。この点、および、これに関連する点を除き、実施形態１と同様である。このため、重複する箇所については、説明を省略する。

対向基板２０２において、タッチ電極２５ｅは、図１９に示すように、実施形態１の場合と同様に、層間絶縁膜Ｓｚ２上において、共通電極２３と一体であって同層になるように形成されている。ここでは、タッチ電極２５ｅは、図１９に示すように、凹凸領域５００ｅの表面を被覆するように設けられている。

本実施形態においては、凹凸領域５００ｅは、図１９に示すように、層間絶縁膜Ｓｚ２の表面に設けられた凹部領域７２ｅの底面に形成されている。つまり、層間絶縁膜Ｓｚ２は、タッチ電極２５ｅが形成された凹凸領域５００ｅの表面が、この凹凸領域５００ｅ以外の領域の表面よりも、高さが低くなるように形成されている。

たとえば、感光性材料からなる層間絶縁膜Ｓｚ２において凹凸領域５００ｅを形成する部分を、フォトリソグラフィ技術によって除去することで、この凹凸領域５００ｅが設けられる。この他に、たとえば、ナノインプリント法によって、この凹凸領域５００ｅを形成しても良い。

そして、液晶配向膜ＨＭ２ｅは、図１９に示すように、共通電極２３およびタッチ電極２５ｅが形成された表面上に配向材料を塗布することによって形成されている。本実施形態では、実施形態１と同様に、凹凸領域５００ｅの表面は凸部と凹部とが交互に設けられているので、凸部の頂面に配向材料が成膜されない。このため、この凸部上に位置するタッチ電極２５ｅの表面が露出するように形成される。

ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｅは、図１９に示すように、弾性部材６３ｅの頂面を被覆するように設けられている。

図１９に示すように、弾性部材６３ｅは、層間絶縁膜Ｓｚ１上において、対向基板２０２へ向かう方向へ、凸状に突出するように設けられている。

本実施形態においては、弾性部材６３ｅは、タッチ電極６２ｔｅが被覆された状態において、柱スペーサＳＰと高さが同じになるように形成されている。

（まとめ）
以上のように、本実施形態は、実施形態１と同様に、タッチ電極２５ｅを凹凸領域５００ｅの表面に沿って形成している。このため、本実施形態においては、この部分の液晶配向膜ＨＭ２ｅを除去する工程を別途実施せずに、凸部の頂面上においてタッチ電極２５ｅの表面を露出させることができる。よって、本実施形態は、製造効率，歩留まりの向上が可能であって、製造コストが増加することを防止できる。また、装置の信頼性を向上させることができる。

特に、本実施形態では、フォトリソグラフィ技術において露光量を調整することで凹凸領域５００ｅの高さを高精度に調整可能であるので、センサギャップΔｄｅのバラツキを抑制することができる。つまり、スピンコート法での塗布条件（回転数など）によって、弾性部材６３ｅの高さを調整することで、センサギャップΔｄｅを規定することが、不要になる。よって、本実施形態は、上記の効果を、さらに好適に奏することができる。

なお、上記においては、図１９に示すように、弾性部材６３ｅと柱スペーサＳＰとを、別個に形成する場合について説明したが、これに限定されない。

図２０は、本発明にかかる実施形態５の変形例において、液晶パネル２００ｅｂの要部を示す図である。ここで、図２０は、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

図２０に示すように、弾性部材６３ｅと柱スペーサＳＰｅとを同一工程において形成してもよい。

具体的には、層間絶縁膜Ｓｚ１上に感光性樹脂膜（図示なし）を設けた後に、その感光性樹脂膜をフォトリソグラフィ技術によって、弾性部材６３ｅと柱スペーサＳＰｅとの両者にパターン加工する。そして、この後に、タッチ電極６２ｔｅ，画素電極６２ｐを形成後、液晶配向膜ＨＭ１ｅを形成する。

このようにすることで、工程数を削減可能であるので、上記の効果を好適に奏することができる。

＜６．実施形態６＞
以下より、本発明にかかる実施形態６について説明する。
（液晶パネルの詳細構成）
図２１は、本発明の実施形態６にかかる液晶パネル２００ｆの要部を示す図である。ここで、図２１は、本実施形態の液晶パネル２００ｆにおいて、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

図２１に示すように、本実施形態においては、タッチセンサスイッチＳＷｓｆの構成が、実施形態２と異なる。具体的には、図２１と図１５とを比較してわかるように、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｆが、実施形態２と異なる。また、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｆが、実施形態２と異なる。この点、および、これに関連する点を除き、実施形態２と同様である。このため、重複する箇所については、説明を省略する。

対向基板２０２において、タッチ電極２５ｆは、図２１に示すように、実施形態２の場合と同様に、層間絶縁膜Ｓｚ２上において、共通電極２３と一体であって同層になるように形成されている。ここでは、タッチ電極２５ｆは、図２１に示すように、弾性部材６３ｆの頂面を被覆するように設けられている。

図２１に示すように、弾性部材６３ｆは、層間絶縁膜Ｓｚ２上において、ＴＦＴアレイ基板２０１へ向かう方向へ、凸状に突出するように設けられている。

本実施形態においては、弾性部材６３ｆは、タッチ電極２５ｆが被覆された状態において、柱スペーサＳＰと高さが同じになるように形成されている。

ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｆは、図２１に示すように、凹凸領域５００ｆの表面を被覆するように設けられている。

本実施形態においては、凹凸領域５００ｆは、図２１に示すように、層間絶縁膜Ｓｚ１の表面に設けられた凹部領域７２ｆの底面に形成されている。つまり、層間絶縁膜Ｓｚ１は、タッチ電極６２ｔｆが形成された凹凸領域５００ｆの表面が、この凹凸領域５００ｆ以外の領域の表面よりも、高さが低くなるように形成されている。

たとえば、感光性材料からなる層間絶縁膜Ｓｚ１において凹凸領域５００ｆを形成する部分を、フォトリソグラフィ技術によって除去することで、この凹凸領域５００ｆが設けられる。この他に、たとえば、ナノインプリント法によって、この凹凸領域５００ｆを形成しても良い。

そして、液晶配向膜ＨＭ１ｆは、図２１に示すように、画素電極６２ｐおよびタッチ電極６２ｔｆが形成された表面上に配向材料を塗布することによって形成されている。本実施形態では、実施形態２と同様に、凹凸領域５００ｆの表面は、凸部と凹部とが交互に設けられているので、凸部の頂面に配向材料が成膜されない。このため、この凸部上に位置するタッチ電極６２ｔｆの表面が露出するように形成される。

（まとめ）
以上のように、本実施形態は、実施形態２と同様に、タッチ電極６２ｔｆを凹凸領域５００ｆの表面に沿って形成している。このため、本実施形態においては、この部分の液晶配向膜ＨＭ１ｆを除去する工程を別途実施せずに、凸部の頂面上においてタッチ電極６２ｔｆの表面を露出させることができる。よって、本実施形態は、製造効率，歩留まりの向上が可能であって、製造コストが増加することを防止できる。また、装置の信頼性を向上させることができる。

特に、本実施形態では、実施形態５と同様に、フォトリソグラフィ技術において露光量を調整することで凹凸領域５００ｆの高さを高精度に調整可能であるので、センサギャップΔｄｆのバラツキを抑制することができる。つまり、スピンコート法での塗布条件（回転数など）によって、弾性部材６３ｆの高さを調整することで、センサギャップΔｄｆを規定することが、不要になる。よって、本実施形態は、上記の効果を、さらに好適に奏することができる。

なお、上記においては、図２１に示すように、弾性部材６３ｆと柱スペーサＳＰとを、別個に形成する場合について説明したが、これに限定されない。

図２２は、本発明にかかる実施形態６の変形例において、液晶パネル２００ｆｂの要部を示す図である。ここで、図２２は、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

図２２に示すように、弾性部材６３ｆと柱スペーサＳＰｆとを同一工程において形成してもよい。

具体的には、層間絶縁膜Ｓｚ２上に感光性樹脂膜（図示なし）を設けた後に、その感光性樹脂膜をフォトリソグラフィ技術によって、弾性部材６３ｆと柱スペーサＳＰｆとの両者にパターン加工する。そして、この後に、タッチ電極２５ｆ，共通電極２３を形成後、液晶配向膜ＨＭ２ｆを形成する。

このようにすることで、工程数を削減可能であるので、上記の効果を好適に奏することができる。

＜７．実施形態７＞
以下より、本発明にかかる実施形態７について説明する。

（液晶パネルの詳細構成）
図２３から図２５は、本発明の実施形態７にかかる液晶パネル２００ｇの要部を示す図である。

ここで、図２３は、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

また、図２４は、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す上面図である。なお、図２３は、図２４のＸ１ｇ−Ｘ２ｇ部分について示しているが、図示の都合上、適宜、部材の表示を省力又は簡略化している。

そして、図２５は、液晶パネル２００ｇの概略を示す回路図である。図２５では、互いに隣接する画素Ｐの部分を示している。

図２３，図２４，図２５に示すように、本実施形態においては、タッチセンサスイッチＳＷｓｇの構成が、実施形態２と異なる。この点、および、これに関連する点を除き、実施形態２と同様である。このため、重複する箇所については、説明を省略する。

本実施形態においては、図２３に示すように、液晶パネル２００ｇは、タッチセンサスイッチＳＷｓｇが内蔵されている。このタッチセンサスイッチＳＷｓｇは、図２３に示すように、タッチ電極６２ｔｇ，２５ｇを含む。

液晶パネル２００ｇを構成するＴＦＴアレイ基板２０１においては、図２３に示すように、対向基板２０２に対向する側の面に、画素電極６２ｐの他に、タッチセンサスイッチＳＷｓｇを構成する一方のタッチ電極６２ｔｇとが形成されている。

これに対して、液晶パネル２００ｇを構成する対向基板２０２においては、図２３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１に対向する側の面に、カラーフィルタ層２１および共通電極２３の他に、タッチ電極２５ｇが形成されている。

液晶パネル２００ｇは、図２３に示した部材のほかに、図２４に示すように、ゲート線ＧＬと信号線ＳＬとを含む。また、図２５に示すように、画素スイッチング素子３１と保持容量素子ＣＳとを含む。ゲート線ＧＬと信号線ＳＬと画素スイッチング素子３１と保持容量素子ＣＳとのそれぞれは、図２３，図２４では図示を省略しているが、液晶パネル２００を構成するＴＦＴアレイ基板２０１に設けられている。

（Ａ）ＴＦＴアレイ基板２０１について
ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられた各部の詳細について示す。

ＴＦＴアレイ基板２０１において、画素電極６２ｐとタッチ電極６２ｔｇとのそれぞれは、図２３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対面する面上に、層間絶縁膜Ｓｚを介して設けられている。画素電極６２ｐとタッチ電極６２ｔｇのそれぞれは、いわゆる透明電極であって、たとえば、ＩＴＯを用いて形成されている。そして、画素電極６２ｐとタッチ電極６２ｔｇのそれぞれは、一体になるように形成されており、互いに電気的に接続している。

ここでは、画素電極６２ｐとタッチ電極６２ｔｇとは、図２４に示すように、ｘｙ面において、ゲート線ＧＬと信号線ＳＬとによって区画される複数の領域のそれぞれに対応するように、矩形パターンで形成されている。

具体的には、画素電極６２ｐは、図２３に示すように、カラーフィルタ層２１を構成する赤フィルタ層２１Ｒと緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとのそれぞれに対応するように設けられている。つまり、画素Ｐを構成する３つのサブ画素のそれぞれに対応するように、画素電極６２ｐが形成されている。ここでは、画素電極６２ｐのそれぞれは、図２３に示すように、液晶層２０３を介して、共通電極２３に対面している。また、図２５に示すように、画素電極６２ｐのそれぞれは、画素スイッチング素子３１の一方の端子に電気的に接続されて、液晶層２０３に電位を与えるように構成されている。

これに対して、タッチ電極６２ｔｇは、図２３に示すように、たとえば、カラーフィルタ層２１を構成する赤フィルタ層２１Ｒと緑フィルタ層２１Ｇとのそれぞれに対応するように、設けられている。つまり、画素Ｐを構成する３つのサブ画素のうち、２つのサブ画素に対応するように、タッチ電極６２ｔｇが形成されている。ここでは、図２３に示すように、この２つのタッチ電極６２ｔｇのそれぞれは、液晶層２０３を介して、対向基板２０２に設けられた１つのタッチ電極２５ｇに対面している。そして、このタッチ電極６２ｔｇのそれぞれは、図２４に示すように、ゲート線ＧＬの上方に設けられている。そして、図２５に示すように、タッチ電極６２ｔｇは、画素スイッチング素子３１のソースに電気的に接続されている。

ＴＦＴアレイ基板２０１において、図２５に示す画素スイッチング素子３１と保持容量素子ＣＳとのそれぞれは、図２３では図示を省略しているが、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対向する側の面上に形成されている。そして、画素スイッチング素子３１と保持容量素子ＣＳとのそれぞれは、層間絶縁膜Ｓｚによって被覆されている。

ここで、画素スイッチング素子３１は、図２５に示すように、トランジスタであって、たとえば、ポリシリコンを用いたＴＦＴとして構成されている。このＴＦＴである画素スイッチング素子３１は、図２５に示すように、ゲートが、ゲート線ＧＬに電気的に接続されている。そして、ドレインが、信号線ＳＬに電気的に接続されている。そして、ソースが、画素電極６２ｐと、タッチ電極６２ｔｇとのそれぞれに接続されている。

そして、保持容量素子ＣＳは、図２５に示すように、一方の電極が、画素スイッチング素子３１のソースに電気的に接続されている。そして、図２５に示すように、他方の電極が、保持容量線ＣＳＬに電気的に接続されている。

ＴＦＴアレイ基板２０１において、図２４，図２５に示すゲート線ＧＬと信号線ＳＬとのそれぞれは、図２３では図示を省略しているが、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対向する側の面上に設けられている。そして、ゲート線ＧＬと信号線ＳＬとのそれぞれは、層間絶縁膜Ｓｚによって被覆されている。

ここで、ゲート線ＧＬは、図２４，図２５に示すように、ｘｙ面において、ｘ方向に延在するように設けられている。そして、ゲート線ＧＬは、図２５に示すように、画素スイッチング素子３１のゲートに電気的に接続されている。この他に、ゲート線ＧＬは、図２に示した垂直駆動回路１１に電気的に接続されており、垂直駆動回路１１から走査信号Ｖｇａｔｅを画素スイッチング素子３１のゲートに供給する。

そして、信号線ＳＬは、図２４，図２５に示すように、ｘｙ面において、ｙ方向に延在するように設けられている。そして、信号線ＳＬは、図２５に示すように、画素スイッチング素子３１のドレインに電気的に接続されている。この他に、信号線ＳＬは、図２５に示すように、水平駆動回路１２に電気的に接続するように構成されている。

本実施形態では、水平駆動回路１２は、図２５に示すように、書き込み回路ＷＣと、読み出し回路ＲＣとを含む。また、信号線ＳＬは、図２５に示すように、書き込み回路ＷＣおよび読み出し回路ＲＣの両者に接続する第１信号線ＳＬ１と、書き込み回路ＷＣのみに接続する第２信号線ＳＬ２とを含む。

第１信号線ＳＬ１は、書き込み回路ＷＣとの間に、スイッチＳＷｗ１が介在しており、スイッチＳＷｗ１がオン状態になったときに、書き込み回路ＷＣに電気的に接続するように構成されている。また、第１信号線ＳＬ１は、読み出し回路ＲＣとの間に、スイッチＳＷｒが介在しており、スイッチＳＷｒがオン状態になったときに、読み出し回路ＲＣに電気的に接続する。この第１信号線ＳＬ１は、カラーフィルタ層２１のうち、たとえば、赤フィルタ層２１Ｒに対応するサブ画素に接続するように設けられている。

一方で、第２信号線ＳＬ２は、書き込み回路ＷＣとの間でスイッチＳＷｗ２を介在して電気的に接続するように構成されている。しかし、第２信号線ＳＬ２は、第１信号線ＳＬ１と異なり、読み出し回路ＲＣとの間とは電気的に接続しないように構成されている。この第２信号線ＳＬ２は、カラーフィルタ層２１のうち、たとえば、緑フィルタ層２１Ｇに対応するサブ画素に接続するように設けられている。

なお、図示を省略しているが、画素Ｐにおいては、カラーフィルタ層２１のうち、青フィルタ層２１Ｂに対応するサブ画素に接続するように、第３信号線（図示無し）が設けられている。この第３信号線は、第２信号線ＳＬ２と同様に、書き込み回路ＷＣとの間でスイッチを介在して電気的に接続するように構成されている。

この他に、ＴＦＴアレイ基板２０１においては、図２３に示すように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが画素電極６２ｐ上に設けられている。液晶配向膜ＨＭ１ｇは、ポリイミドによって形成されている。

本実施形態においては、この液晶配向膜ＨＭ１ｇは、タッチ電極６２ｔｇの表面が露出するように形成されている。

詳細については後述するが、図２３，図２４に示すように、層間絶縁膜Ｓｚにおいては、隣合う一対のタッチ電極６２ｔｇの間に、凹状の溝ＴＲが設けられている。画素電極６２ｐ上に液晶配向膜ＨＭ１ｇを塗布して形成する際には、塗布液が、その溝ＴＲに入るので、その溝ＴＲの近傍のタッチ電極６２ｔｇの上面においては、その塗布膜が被覆されない。このため、図２３に示すように、画素電極６２ｐ上を液晶配向膜ＨＭ１ｇが被覆するが、タッチ電極６２ｔｇの表面が露出するように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。

（Ｂ）対向基板２０２について
対向基板２０２に設けられた各部の詳細について示す。

対向基板２０２において、カラーフィルタ層２１は、図２３に示すように、対向基板２０２にてＴＦＴアレイ基板２０１に対向する側の面に形成されている。ここでは、カラーフィルタ層２１は、赤フィルタ層２１Ｒと緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとの３原色のフィルタを１組として画素Ｐごとに設けられており、それぞれの色が、ｘ方向に並ぶように形成されている。カラーフィルタ層２１は、たとえば、顔料や染料などの着色剤を含有するポリイミド樹脂を用いて形成されている。このカラーフィルタ層２１においては、バックライト３００から照射された白色光が、各色に着色されて出射される。

対向基板２０２において、共通電極２３は、図２３に示すように、対向基板２０２にてＴＦＴアレイ基板２０１に対面する側の面に形成されている。ここで、共通電極２３は、カラーフィルタ層２１を被覆するように形成されている。共通電極２３は、いわゆる透明電極であって、たとえば、ＩＴＯを用いて形成されている。そして、共通電極２３は、図２５に示すように、Ｖｃｏｍ線ＣＬに電気的に接続されており、共通電位が印加される。つまり、共通電極２３は、表示領域ＰＡにおいて、複数の画素Ｐに対応するように形成された複数の画素電極６２ｐのそれぞれに対向しており、各画素Ｐにおいて共通な電極として機能するように構成されている。

そして、共通電極２３上においては、図２３と図２４とに示すように、液晶配向膜ＨＭ２ｇが設けられている。ここでは、共通電極２３の表面全面を被覆するように、液晶配向膜ＨＭ２ｇが設けられている。たとえば、液晶配向膜ＨＭ２ｇは、スピンコート法によって、ポリイミドを成膜することで形成される。凸部ＣＯの表面については、ポリイミドが成膜されず、タッチ電極２５ｇの表面が露出するように構成されている。

対向基板２０２において、タッチ電極２５ｇは、図２３に示すように、対向基板２０２にてＴＦＴアレイ基板２０１に対面する側の面に形成されている。そして、このタッチ電極２５ｇは、図２５に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１にて隣接するように設けられた２つのタッチ電極６２ｔｇの両者に接触し、その両者を電気的に接続するように、構成されている。つまり、液晶パネル２００ｇが外圧によって変形した際には、タッチ電極２５ｇが、対向する２つのタッチ電極６２ｔｇのそれぞれに接触し、その２つのタッチ電極６２ｔｇの間を電気的に接続するように構成されている。

本実施形態においては、タッチ電極２５ｇは、図２３に示すように、凸部ＣＯ上に設けられている。

図２３に示すように、凸部ＣＯは、対向基板２０２にてＴＦＴアレイ基板２０１に対向する面上において、ＴＦＴアレイ基板２０１に対向する方向へ凸状に突出するように形成されている。ここでは、図２３に示すように、凸部ＣＯは、セルギャップを保持する柱スペーサＳＰよりも、高さが低くなるように形成されている。

また、凸部ＣＯは、図２３に示すように、順テーパー形状になるように形成されている。つまり、凸部ＣＯは、対向基板２０２からＴＦＴアレイ基板２０１へ向かう方向において、ｘ方向にて規定される幅が、狭くなるように形成されている。そして、凸部ＣＯは、弾性体であって、たとえば、アクリル系樹脂や、ノボラック系樹脂を用いて形成されている。

また、この凸部ＣＯは、ｘｙ面に沿って平坦な平坦領域ＨＲが、ＴＦＴアレイ基板２０１に対向する頂面に設けられている。

そして、タッチ電極２５ｇは、この凸部ＣＯ上において平坦領域ＨＲ以外の領域に形成されず、平坦領域ＨＲ上に孤立パターンとして形成されている。

（Ｃ）液晶層２０３について
液晶層２０３について示す。

液晶層２０３は、図２３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間にて挟持されている。

ここでは、液晶層２０３は、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成された液晶配向膜ＨＭ１ｇと、対向基板２０２に形成された液晶配向膜ＨＭ２ｇとによって、液晶分子（図示なし）が配向されている。たとえば、液晶分子が垂直配向するように液晶層２０３が形成されている。つまり、液晶表示モードが、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎ）モードになるように、液晶層２０３が形成されている。この他に、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードに対応するように、液晶層２０３を形成しても良い。

（動作）
以下より、上記の液晶表示装置１００において、ユーザーの指などの被検知体が液晶パネル２００ｇの表示領域ＰＡに接触した位置を検出する際の動作について説明する。

接触位置の検出の際には、まず、プリチャージを行う。

ここでは、下記のようなプリチャージを実施するように、制御部４０１が各部を制御する。

具体的には、図２５に示すように、Ｖｃｏｍ線ＣＬに印加される電圧（Ｖｃｏｍ）に対して反対の極性の電圧（ｘＶｃｏｍ）を、スイッチＳＷｗ１を介して、第１信号線ＳＬ１に予め印加する。また、さらに、Ｖｃｏｍ線ＣＬに印加される電圧（Ｖｃｏｍ）と同極性の電圧（Ｖｃｏｍ）を、スイッチＳＷｗ２を介して、第２信号線ＳＬ２に予め印加する。この後、第１信号線ＳＬ１側のスイッチＳＷｗ１をオフ状態にして、第１信号線ＳＬ１を、電気的にフローティング状態にする。

つぎに、液晶パネル２００ｇにおいて被検知体が接触した接触位置の検出を行う。

ここでは、下記のような接触位置の検出動作を実施するように、制御部４０１が各部を制御する。

具体的には、上記のプリチャージの実施後に、ゲート線ＧＬのゲート電圧を活性レベル（本例では、ハイレベル）に遷移させるように信号を供給することで、２つのタッチ電極６２ｔｇのそれぞれに接続している各画素スイッチング素子３１をオン状態にする。そして、第１信号線ＳＬ１に接続されたスイッチＳＷｒをオン状態にして、第１信号線ＳＬ１からセンサ信号を読み出し回路ＲＣに出力する。そして、その読み出し回路ＲＣにおいて読み出したセンサ信号に基づいて、接触位置の検出を行う。

たとえば、被検知体が液晶パネル２００ｇに触れて、タッチ電極２５ｇが２つのタッチ電極６２ｔｇに接触した場合には、図２５から判るように、タッチセンサスイッチＳＷｓｇがオン状態になる。この場合には、２つのタッチ電極６２ｔｇが電気的に接続されて短絡する。このため、上記のようにプリチャージがされた第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間においては、第２信号線ＳＬ２から第１信号線ＳＬ１へタッチセンサスイッチＳＷｓｇを介して電流が流れる。よって、フローティング状態にある第１信号線ＳＬ１は、電位が変化する。

一方で、液晶パネル２００ｇに外圧が印加されず、２つのタッチ電極６２ｔｇへタッチ電極２５ｇが接触せずにタッチセンサスイッチＳＷｓｇがオフ状態である場合には、図２５に示すように、２つのタッチ電極６２ｔｇは、上記と異なり、電気的に短絡しない。このため、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間においては電流が流れないので、フローティング状態にある第１信号線ＳＬ１は、電位の変化が生じない。

このように、被検知体の接触の有無に応じて、第１信号線ＳＬ１の電位が異なる。このため、第１信号線ＳＬ１の電位に基づいて、液晶パネル２００ｇにおいて被検知体が接触した接触位置の検出を、位置検出部４０２が実施する。

液晶表示装置１００においては、上記の位置検出動作の他に、画像表示動作が行われる。ここでは、位置検出動作と、画像表示動作とが、交互に繰り返して実施される。

画像表示を行う際には、ゲート線ＧＬから走査信号を画素スイッチング素子３１のゲートへ供給し、画素スイッチング素子３１のスイッチング動作を制御する。そして、書き込み回路ＷＣから、書込みスイッチＳＷｗ１，ＳＷｗ２，信号線ＳＬ，画素スイッチング素子３１を順次介して、映像信号を画素電極６２ｐへ書き込むことで、画像表示を実施する。

図２６は、本発明の実施形態７にかかる液晶表示装置において、被検知体Ｆが液晶パネル２００ｇの表示領域ＰＡに接触した際の様子を示す断面図である。図２６では、要部を示しており、一部の部材については、表示を省略している。

対向基板２０２において液晶層２０３とは反対側の面に被検知体が接触して、対向基板２０２が押された場合には、図２６（ａ），（ｂ）にて示すように、対向基板２０２が変形してＴＦＴアレイ基板２０１の側へ移動する。このとき、この対向基板２０２の変形に伴って、対向基板２０２において液晶層２０３側の面に設けられたタッチ電極２５ｇが、ＴＦＴアレイ基板２０１の側へ移動される。そして、このタッチ電極２５ｇは、ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられた２つのタッチ電極６２ｔｇに接触する。このように、対向基板２０２に設けられたタッチ電極２５ｇが、ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられたタッチ電極６２ｔｇに接触することで、タッチセンサスイッチＳＷｓｇがオン状態になる。

つまり、液晶パネル２００ｇにおいて、押圧力が作動開始圧以上であるタッチ動作がされた場合には、センサギャップが縮小し、両方の基板２０１，２０２のタッチ電極２５ｇ，６２ｔが接触し、タッチセンサスイッチＳＷｓｇがオン状態になる。

図２６（ｂ）に示すように、上方のタッチ電極２５ｇが、下方に設けられた２つのタッチ電極６２ｔｇのそれぞれに接触したときは、その押圧によって、凸部ＣＯが変形する。
このため、タッチ電極２５ｇが凸部ＣＯ上において平坦領域ＨＲ以外にも設けられている場合には、凸部ＣＯの変形によって、タッチ電極２５ｇに破断が生ずる場合がある。

しかし、本実施形態では、図２６に示すように、タッチ電極２５ｇは、凸部ＣＯ上において、平坦領域ＨＲ以外の領域に形成されず、平坦領域ＨＲ上に孤立パターンとして形成されている。

このため、本実施形態では、凸部ＣＯ上に形成されたタッチ電極２５ｇが破断することを防止することができる。

（製造方法）
以下より、上記の液晶表示装置の要部である液晶配向膜ＨＭ１ｇを形成する方法について説明する。

図２７は、本発明の実施形態７にかかる液晶表示装置１００において、液晶配向膜ＨＭ１ｇを形成する工程を示す断面図である。図２７では、要部を示しており、一部の部材については、表示を省略している。

まず、図２７（ａ）に示すように、層間絶縁膜Ｓｚを形成する。

ここでは、たとえば、感光性樹脂（図示なし）を塗布することによって、この層間絶縁膜Ｓｚを形成する。たとえば、ポジ型の感光性であるアクリル樹脂を塗布後、プリベーク処理を実施することで、層間絶縁膜Ｓｚを形成する。

つぎに、図２７（ｂ）に示すように、画素電極６２ｐおよびタッチ電極６２ｔｇを形成する。

ここでは、層間絶縁膜Ｓｚの表面に、透明な導電膜を成膜後、パターン加工することで、画素電極６２ｐおよびタッチ電極６２ｔｇを形成する。たとえば、スパッタリング法によって、ＩＴＯを成膜した後に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターン加工することで、画素電極６２ｐおよびタッチ電極６２ｔｇを形成する。

つぎに、図２７（ｃ）に示すように、層間絶縁膜Ｓｚに溝ＴＲを形成する。

ここでは、フォトリソグラフィ技術によって、感光性樹脂からなる層間絶縁膜Ｓｚをパターン加工することで、溝ＴＲを形成する。

具体的には、マスクパターンが形成されたフォトマスクを用いて露光処理を実施する。この露光処理では、溝を形成する部分へ、露光光を照射する。

そして、この露光処理の実施後に、現像処理を実施する。この後、ベーク処理の実施によって、層間絶縁膜Ｓｚ中の残留溶剤や低分子の未重合成分を揮発させる。このようにすることで、図２７（ｃ）に示すように、層間絶縁膜Ｓｚに溝ＴＲを形成する。

つぎに、図２３に示すように、液晶配向膜ＨＭ１ｇを形成する。

ここでは、画素電極６２ｐおよびタッチ電極６２ｔｇ上に、配向膜の材料を含む塗布液を塗布し成膜することによって、液晶配向膜ＨＭ１ｇを形成する。たとえば、配向膜の材料としてポリイミドが溶解された塗布液を、スピンコート法によって塗布する。そして、プリベーク処理の実施によって、塗布膜中の溶媒を揮発させた後、さらに、ベーク処理を実施して、残留溶剤を除去する。

図２３に示すように、一対のタッチ電極６２ｔｇの間には溝ＴＲが設けられているので、配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が溝ＴＲに入り、その溝ＴＲの近傍のタッチ電極６２ｔｇの上面を、その塗布膜が被覆するように形成されない。つまり、表面張力や重力の影響によって塗布液が溝ＴＲに入るので、タッチ電極６２ｔｇの上面の溝ＴＲの近傍は、塗布膜が形成されない。このため、図２３に示すように、画素電極６２ｐ上を液晶配向膜ＨＭ１ｇが被覆するが、タッチ電極６２ｔｇの表面が露出するように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。

上記のように液晶配向膜ＨＭ１ｇを形成した後には、配向処理を実施する。たとえば、ラビング処理によって配向処理を実施する。この他に、光配向処理、イオンビーム配向処理、グレーティング配向処理などの配向処理を実施しても良い。なお、たとえば、液晶配向膜ＨＭ１ｇが、垂直配向を誘起するものである場合であって、液晶パネル２００を垂直配向モードにする場合には、配向処理を別途実施する必要はない。

そして、図２３に示したように、各部が形成された対向基板２０２と、ＴＦＴアレイ基板２０１とを貼り合わせる。その後、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間に、液晶材料を注入して液晶層２０３を設けることによって、液晶パネル２００ｇを形成する。

（まとめ）
以上のように、本実施形態において、液晶パネル２００ｇは、外圧によって変形してタッチ電極２５ｇが、一対のタッチ電極６２ｔｇのそれぞれに接触して、この一対のタッチ電極６２ｔｇの間が電気的に接続するように構成されている。ここでは、ＴＦＴアレイ基板２０１のタッチ電極６２ｔｇは、凹状の溝ＴＲが設けられた層間絶縁膜（下地層）Ｓｚが、ＴＦＴアレイ基板２０１との間に設けられている。そして、液晶配向膜ＨＭ１ｇについては、そのタッチ電極６２ｔｇが形成された表面上に配向材料を含む塗布液を塗布した際に、凹状の溝ＴＲに当該塗布液が入ることによって、タッチ電極６２ｔｇの上面を被覆せずに露出するように形成する。具体的には、層間絶縁膜（下地層）Ｓｚは、一対のタッチ電極６２ｔｇの間に溝ＴＲが位置するように設け、一対のタッチ電極６２ｔｇは、その溝ＴＲの近傍の表面が液晶配向膜ＨＭ１ｇによって被覆されずに露出するように形成される。

このため、本実施形態においては、タッチ電極６２ｔｇの表面から液晶配向膜ＨＭ１ｇを除去する工程を別途実施せずに、タッチ電極６２ｔｇの表面を露出させることができる。よって、本実施形態は、製造効率，歩留まりの向上が可能であって、製造コストが増加することを防止できる。また、装置の信頼性を向上させることができる。

また、本実施形態においては、対向基板２０２において、ＴＦＴアレイ基板２０１に対向するｘｙ面上に、凸部ＣＯが形成されている。ここでは、凸部ＣＯにおいてＴＦＴアレイ基板２０１に対向する頂面に、平坦領域ＨＲを設ける。そして、タッチセンサスイッチＳＷｓｇを構成するタッチ電極２５ｇを、その凸部ＣＯ上において平坦領域ＨＲ以外の領域に形成せずに、平坦領域ＨＲ上に孤立パターンとして形成する。よって、上述したように、繰り返し使用においてタッチ電極２５ｇが破断することを防止可能であるので、装置の信頼性を向上することができる。

本実施形態では、タッチセンサスイッチＳＷｓｇは、液晶パネル２００ｇが外圧によって変形したとき、１つのタッチ電極２５ｇが、２つのタッチ電極６２ｔｇの両者に接触し、その２つのタッチ電極６２ｔｇの間を電気的に接続するように構成されている。

つまり、本実施形態のタッチセンサスイッチＳＷｓｇは、１点接触式ではなく、２点接触式である。１点接触式の場合には、その１点の接触位置に導電性の異物が存在して、常時、短絡した状態になった場合、位置検出が困難になる。しかし、タッチセンサスイッチＳＷｓｇは、２点接触式であるので、上部にある１つのタッチ電極２５ｇと、下部にある２つのタッチ電極６２ｔｇの一方との間で短絡が生じても、外圧が加わらなければ、下部の２つのタッチ電極６２ｔｇ間はオープンな状態を維持できる。

したがって、本実施形態は、位置検出を的確に実施することができる。

なお、本実施形態においては、凸部ＣＯは、テーパー形状であり、そのテーパー角θが、７０°以下になるように形成することが好適である。テーパー角が、この角度を超える場合は、凸部ＣＯの変位量が大きくなり、タッチ電極２５ｇが破損する不具合が生ずる場合がある。

図２８は、本発明の実施形態７において、凸部のテーパー角θと、変位量ｘ（ｍ）との関係を示す図である。ここでは、ＦＥＭ構造解析シミュレータであるＡＮＳＹＳを用いて、凸部ＣＯの変位量について、シミュレーションをした結果について示している。このシミュレーションにおいては、ヤング率が３．５ＧＰａであって、ポアソン比が、０．３８である場合を、凸部ＣＯのセンター条件としている。また、凸部ＣＯの底面のサイズを、３５μｍ×１５μｍとし、その高さを２．５μｍとしている。そして、凸部の上端部分が変形する距離を、変位量として、シミュレーションを実施した結果を示している。また、図２８において、「圧力」は、シミュレーションにおいて印加する圧力を示している。

また、図２９は、本発明の実施形態７において、テーパー角θに応じて凸部ＣＯが変形する様子を示す断面図である。

上記のようなシミュレーションを実施したところ、図２８に示すように、テーパー角θが６８°の場合において、変位量ｘ（ｍ）が最も小さかった。そして、７８°〜９０°の場合には、変位量ｘ（ｍ）が大きかった。ここでは、凸部ＣＯのテーパー角θを、９０°から４５°へ低下するに伴って、凸部の側面が横方向へ変形した状態から、頂面が陥没した状態に変化する結果を得た。

具体的には、図２９（ａ）に示すように、凸部がテーパー形状でない（テーパー角θ＝９０°）場合、外圧によって、凸部の側面が横方向へ変形した。ここでは、凸部ＣＯの底部においては、変形が小さいが、頂面部分においては、外側に広がるように変形し、その変形が大きくなる。このように、テーパー形状でない場合には、凸部ＣＯの頂面に形成されたタッチ電極２５ｇは、横方向に広がる引張応力が印加されるので、破損が生ずる場合がある。

一方で、図２９（ｂ）に示すように、テーパー形状の場合には、外圧によって、凸部の側面が横方向へ変形しにくく、頂面が陥没するように変形させることができる。特に、凸部ＣＯのテーパー角θを７０°以下にすることで、頂面が陥没するように変形させることが容易に可能であって、図２８に示すように、凸部ＣＯの変位量を抑制可能である。このため、この場合には、凸部ＣＯの頂面に形成されたタッチ電極２５ｇは、横方向に広がる引張応力がほとんど印加されないので、破損を効果的に防止できる。

また、図２９（ｂ）に示すように、凸部ＣＯにてテーパー領域ＴＰが存在する幅Ｌ１と等しい距離以上、テーパー領域ＴＰの内側に離れた領域に、タッチ電極２５ｇを形成することが好適である。すなわち、タッチ電極２５ｇの端部と、凸部ＣＯの頂面がテーパー状に傾斜する側面に変曲する際の変曲点との間の距離Ｌ２を、その変曲点と、その側面が対向基板２０２側に位置する端部の点との間の幅Ｌ１以上にすることが好適である。このようにすることで、図２９（ｂ）に示したように、この領域は、外圧によって凸部ＣＯの頂面が陥没する。このため、この領域域内に形成されたタッチ電極２５ｇは、応力の集中がされにくいので、破損の発生を防止することができる。

この他に、凸部ＣＯは、ヤング率が、１〜５ＧＰａであって、ポアソン比が、０．３６〜０．４０の範囲内になるように形成することが好適である。

ポアソン比が、０．３８である場合を、凸部ＣＯのセンター条件として、上記と同様に、シミュレーションを実施したところ、上記のポアソン比の範囲において、変位量が、変化しない結果を得た。また、ヤング率が、３．５ＧＰａである場合を、凸部ＣＯのセンター条件として、上記と同様に、シミュレーションを実施したところ、上記のポアソン比の範囲において、変位量が、変化しない結果を得た。よって、上記範囲が、好適である。

（変形例）
なお、上記においては、図２３，図２４に示したように、ＴＦＴアレイ基板２０１においては、画素電極６２ｐとタッチ電極６２ｔｇとを、１つの膜として一体的に形成する場合について説明したが、これに限定されない。つまり、画素電極６２ｐとタッチ電極６２ｔｇとが、物理的および電気的に接続するように形成する場合について示したが、物理的に分離するように形成しても良い。

（変形例１）
図３０は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇと、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｇとを示す図である。図３０において、（ａ）は、ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｇが形成された部分を拡大して示す平面図である。また、（ｂ）は、対向基板２０２において、タッチ電極２５ｇが形成された部分を拡大して示す平面図である。

図３０（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１のタッチ電極６２ｔｇについては、画素電極６２ｐ（図３０では図示なし）と物理的に分離するように形成してもよい。そして、図３０（ａ）と（ｂ）とに示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇについては、対向基板２０２に形成されているタッチ電極２５ｇと、ｙ方向において規定される幅Ｈ１，Ｈ２が、同じになるように形成する。

本変形例では、図３０（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において、一対のタッチ電極６２ｔｇを、実施形態７の場合と同様に、溝ＴＲを挟んでｘ方向に並ぶように形成する。

このため、図２３に示した場合と同様に、一対のタッチ電極６２ｔｇの間には溝ＴＲが設けられているので、配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が溝ＴＲに入る。よって、上記の実施形態と同様に、この溝ＴＲの近傍においては、タッチ電極６２ｔｇの表面が露出するように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。

したがって、本変形例においては、上述した本実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。

（変形例２）
図３１は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。図３１においては、ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｇが形成された平面部分を、拡大して示している。

図３１に示すように、溝ＴＲの構成については、上述した実施形態の場合に限定されない。

たとえば、図３１に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１の面（ｘｙ面）において、一対のタッチ電極６２ｔｇがｘ方向に並ぶ間に、溝ＴＲ１を形成すると共に、この他の位置に、溝ＴＲ２，ＴＲ３を、別途、形成してもよい。ここでは、図３１に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１の面（ｘｙ面）において、ｘ方向に並ぶ一対のタッチ電極６２ｔｇを、ｘ方向に直線状に延在する一対の溝ＴＲ２，ＴＲ３が、ｙ方向で挟むように、溝ＴＲ２，ＴＲ３を形成しても良い。

この場合には、一対のタッチ電極６２ｔｇを区画するｘ方向に延在する辺の部分が、ｘ方向に直線状に延在する一対の溝ＴＲ２，ＴＲ３の近傍に位置するので、配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が、これらの溝ＴＲ２，ＴＲ３に入る。よって、このｘ方向に延在する溝ＴＲ２，ＴＲ３の近傍においては、タッチ電極６２ｔｇの表面が露出するように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。

したがって、本変形例においては、上述した本実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。

（変形例３）
図３２は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｇを示す図である。図３２では、対向基板２０２において、タッチ電極２５ｇが形成された平面部分を拡大して示している。

図３２に示すように、対向基板２０２に形成されているタッチ電極２５ｇと、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇとにおいて、ｙ方向において規定される幅Ｈ１，Ｈ２は、同じでなくても良い。対向基板２０２のタッチ電極２５ｇについては、ｙ方向で規定される幅Ｈ１が、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇの幅Ｈ２よりも広い方が好ましい。

図３３は、本発明にかかる実施形態７の変形例３の作用・効果を説明するための図である。図３３において、（ａ）は、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｇと、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇとが、接触したときの様子を示す側面図である。そして、（ｂ）は、変形例１の場合において、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｇと、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇとが接触し、タッチ電極２５ｇに破損が生じた場合の様子を示す平面図である。そして、（ｃ）は、変形例３の場合において、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｇと、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇとが接触し、タッチ電極２５ｇに破損が生じた場合の様子を示す平面図である。

図３３（ａ）に示すように、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇとが接触した場合には、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが変形する場合がある。このため、図３３（ｂ），（ｃ）に示すように、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇにおいては、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇの端部が接触した部分で、亀裂が生ずる場合がある。

変形例１の場合には、対向基板２０２とＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極２５ｇ，６２ｔは、幅Ｈ１，Ｈ２が同じである。このため、図３３（ｂ）に示すように、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇにおいては、ｙ方向で規定される幅の全域に渡って、亀裂が生じる場合がある。よって、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇにおいて、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇが接触する部分の間が、断線状態になってしまう場合があり、タッチセンサとしての信頼性が低下する場合がある。

これに対して、変形例３の場合には、上述したように、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇの幅Ｈ１が、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇの幅Ｈ２よりも広い。この場合に、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇに接触したときには、図３３（ｃ）に示すように、ｙ方向において中心に位置する接触部分に亀裂が生ずる。しかし、ｙ方向において中心に位置する接触部分以外の端部は、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇが接触しないので、亀裂が生じない。このため、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇに亀裂が生じた場合でも、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇとＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇとが接触した状態では、各タッチ電極６２ｔｇ間が導通しており、断線状態になることを防止できる。つまり、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇにおいてＴＦＴアレイ基板２０１の一対のタッチ電極６２ｔｇに接触する部分以外の領域で、その一対のタッチ電極６２ｔｇ間を電気的に接続するようにタッチ電極２５ｇが構成されているので、信頼性を向上できる。

（変形例４〜６）
図３４〜図３６は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。図３４は、変形例４を示し、図３５は、変形例５を示し、図３６は、変形例６を示している。これらの図において、（ａ）は、ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｇが形成された部分を拡大して示す平面図である。また、（ｂ）は、ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｇが形成された部分を拡大して示す断面図である。（ｂ）においては、（ａ）に示すＸ１ｇ−Ｘ２ｇ部分の断面を示している。

各図に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇについては、溝ＴＲの内部の表面を覆うように、形成しても良い。

具体的には、変形例４として、図３４（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１の面（ｘｙ面）において、ｘ方向へ延在する一対のタッチ電極６２ｔｇのそれぞれに対して、ｙ方向へ延在する溝ＴＲ１を形成してもよい。

この場合において、配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が、これらの溝ＴＲ１に入るので、図３４（ｂ）に示すように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。ここでは、各タッチ電極６２ｔｇのｘ方向に沿った断面において、溝ＴＲ１の近傍に位置する上面部分が、露出するように形成される。このため、この各タッチ電極６２ｔｇにおいて表面が露出した部分に、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが接触することで、位置検出が実施される。

また、変形例５として、図３５（ａ）に示すように、さらに、ＴＦＴアレイ基板２０１の面（ｘｙ面）において、タッチ電極６２ｔｇを、ｘ方向に直線状に延在する一対の溝ＴＲ２，ＴＲ３が、ｙ方向で挟むように、溝ＴＲを形成しても良い。

この場合において配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が、これらの溝ＴＲ１に入るので、Ｘ１ｇ−Ｘ２ｇ部分においては、図３５（ｂ）に示すように、変形例４と同様に、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。ここでは、各タッチ電極６２ｔｇのｘ方向に沿った断面において、溝ＴＲの近傍に位置する上面部分が、露出するように形成される。このため、この各タッチ電極６２ｔｇにおいて表面が露出した部分に、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが接触することで、位置検出が実施される。

また、変形例６として、図３６（ａ）に示すように、さらに、ＴＦＴアレイ基板２０１の面（ｘｙ面）において、ｘ方向に並ぶタッチ電極６２ｔｇの間に、ｘ方向に直線状に延在する一対の溝ＴＲ４を形成しても良い。

この場合において配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が、これらの溝ＴＲ１，ＴＲ４に入るので、Ｘ１ｇ−Ｘ２ｇ部分においては、図３６（ｂ）に示すように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。ここでは、各タッチ電極６２ｔｇのｘ方向に沿った断面において、溝ＴＲ１，ＴＲ４の近傍に位置する上面部分が、露出するように形成される。このため、この各タッチ電極６２ｔｇにおいて表面が露出した部分に、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが接触することで、位置検出が実施される。

したがって、各変形例においては、本実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。

なお、変形例４から６は、溝ＴＲの内部の面を被覆するように、タッチ電極６２ｔｇが設けられているので、液晶パネル２００ｇの面が押されて変形したときには、その溝ＴＲの内部のタッチ電極６２ｔｇが破断する場合がある。このため、破断防止の観点からは、他の形態の方が好適である。

（変形例７）
図３７は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。図３７においては、（ａ）は、ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｇが形成された部分を拡大して示す平面図である。また、（ｂ）は、ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｇが形成された部分を拡大して示す断面図である。（ｂ）においては、（ａ）に示すＸ１ｇ−Ｘ２ｇ部分の断面を示している。

図３７（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇについては、矩形形状に限らない。具体的には、ｘ方向に延在する部分６２ｔｘと、ｙ方向に延在する部分６２ｔｙとを含むように構成しても良い。ここでは、上方において、ｘ方向に延在する部分６２ｔｘが設けられており、そのｘ方向に延在する部分６２ｔｘから下方に向かって、ｙ方向に延在する部分６２ｔｙが、ｘ方向にて間を隔てて複数設けられている。そして、このｘ方向に並ぶ、複数のｙ方向に延在する部分６２ｔｙの間に、溝ＴＲａが設けられている。

この場合において配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が、これらの溝ＴＲ，ＴＲａに入るので、Ｘ１ｇ−Ｘ２ｇ部分においては、図３７（ｂ）に示すように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。このため、この各タッチ電極６２ｔｇにおいて表面が露出した部分に、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが接触することで、位置検出が実施される。

本実施形態では、複数のｙ方向に延在する部分６２ｔｙの間に、溝ＴＲａが設けられているので、この部分６２ｔｙの端部においては、液晶配向膜ＨＭ１ｇが被覆せずに、表面が露出した状態になる。このため、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇにおいて、中央の溝ＴＲに対応する部分で破損が生じた場合であっても、この部分６２ｔｙにおいて、一対のタッチ電極６２ｔｇの間が電気的に接続される。よって、装置の信頼性を向上させることができる。

したがって、本変形例においては、本実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。

（変形例８）
図３８は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。図３８においては、ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｇが形成された平面部分を拡大して示している。

変形例１においては、図３０で示したように、溝ＴＲのｙ方向における幅が、タッチ電極６２ｔｇの幅と同じ場合について説明したが、これに限定されない。図３８に示すように、溝ＴＲのｙ方向における幅が、タッチ電極６２ｔｇの幅よりも狭くても良い。

この場合においても、本実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。

（変形例９〜１３）
図３９〜図４３は、本発明にかかる実施形態７の変形例として、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成されたタッチ電極６２ｔｇを示す図である。図３９は、変形例９を示し、図４０は、変形例１０を示し、図４１は、変形例１１を示し、図４２は、変形例１２を示し、図４３は、変形例１３を示している。これらの図において、（ａ）は、ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｇが形成された部分を拡大して示す平面図である。また、（ｂ）は、ＴＦＴアレイ基板２０１において、タッチ電極６２ｔｇが形成された部分を拡大して示す断面図である。（ｂ）においては、（ａ）に示すＹ１ｇ−Ｙ２ｇ部分の断面を示している。

各図に示すように、ｘ方向に直線状に延在する溝ＴＲのみが、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇに対して形成されるように構成しても良い。つまり、下地層である層間絶縁膜Ｓｚについては、溝ＴＲが、一対のタッチ電極６２ｔｇが並ぶｘ方向において延在するように設けられていてもよい。

具体的には、変形例９として、図３９（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１の面（ｘｙ面）において、ｘ方向へ延在する一対のタッチ電極６２ｔｇを、ｙ方向に延在する溝ＴＲが、ｙ方向で挟むように構成してもよい。

この場合において、配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が、これらの溝ＴＲに入るので、図３９（ｂ）に示すように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。ここでは、各タッチ電極６２ｔｇのｙ方向に沿った断面において、溝ＴＲの近傍に位置する上面部分が、露出するように形成される。つまり、タッチ電極６２ｔｇのｙ方向における両端部分の上面が露出して形成される。このため、この各タッチ電極６２ｔｇにおいて表面が露出した部分に、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが接触することで、位置検出が実施される。

本変形例では、溝ＴＲの近傍に位置する上面部分が、液晶配向膜ＨＭ１ｇで覆われにくく、センサ特性を好適に実現できる。

また、変形例１０として、図４０（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１の面（ｘｙ面）にてｘ方向へ延在する一対のタッチ電極６２ｔｇの下方において、ｙ方向に延在する溝ＴＲを設けても良い。

この場合において、配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が、これらの溝ＴＲに入るので、図４０（ｂ）に示すように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。ここでは、タッチ電極６２ｔｇのｙ方向に沿った断面において、溝ＴＲの近傍に位置する上面部分が、露出するように形成される。つまり、タッチ電極６２ｔｇのｙ方向における一方の端部の上面が露出して形成される。このため、この各タッチ電極６２ｔｇにおいて表面が露出した部分に、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが接触することで、位置検出が実施される。

本変形例では、変形例９と比べて全体の占有面積を小さくすることが可能となる。

また、変形例１１として、図４１（ａ）に示すように、タッチ電極６２ｔｇについては、
ｘｙ面において、ｙ方向に凹状に凹んだ形状であって、この凹部がｙ方向において対向するように、一対のタッチ電極６２ｔｇを形成しても良い。そして、この凹部の凹んだ内部において、溝ＴＲがｙ方向に延在するように、構成してもよい。

この場合において、配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が、これらの溝ＴＲに入るので、図４１（ｂ）に示すように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。ここでは、タッチ電極６２ｔｇのｙ方向に沿った断面において、溝ＴＲの近傍に位置する上面部分が、露出するように形成される。つまり、タッチ電極６２ｔｇにおいて、溝ＴＲを挟む部分の端部の上面が露出して形成される。このため、この各タッチ電極６２ｔｇにおいて表面が露出した部分に、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが接触することで、位置検出が実施される。

本変形例では、変形例９，変形例１０と比べて全体の占有面積を小さくすることが可能となる。

また、変形例１２として、図４２（ａ）に示すように、タッチ電極６２ｔｇについては、
ｘｙ面において、ｙ方向に凸状に突出した部分が、ｘ方向の中央に位置する形状になるように形成しても良い。そして、この凸部がｙ方向において対向するように、一対のタッチ電極６２ｔｇを設けても良い。また、この凸部の突出した部分を、ｙ方向に延在した一対の溝ＴＲが挟むように、構成してもよい。

この場合において、配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が、これらの溝ＴＲに入るので、図４２（ｂ）に示すように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。ここでは、タッチ電極６２ｔｇのｙ方向に沿った断面において、溝ＴＲの近傍に位置する上面部分が、露出するように形成される。つまり、タッチ電極６２ｔｇにおいて、一対の溝ＴＲが挟む部分の端部の上面が露出して形成される。このため、この各タッチ電極６２ｔｇにおいて表面が露出した部分に、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが接触することで、位置検出が実施される。

本変形例では、変形例１１と比べて、溝ＴＲの近傍に位置する上面部分が、液晶配向膜ＨＭ１ｇで覆われにくく、センサ特性を好適に実現できる。

また、変形例１３として、図４３（ａ）に示すように、タッチ電極６２ｔｇについては、ｘｙ面において、ｙ方向に凸状に突出した部分が、ｘ方向の上端部に位置する形状になるように形成しても良い。そして、この凸部がｙ方向において対向するように、一対のタッチ電極６２ｔｇを設けても良い。また、この凸部の突出した部分の下方に、ｙ方向に延在した一対の溝ＴＲが配置されるように、構成してもよい。

この場合において、配向膜の材料を含む塗布液を塗布したときには、その塗布液が、この溝ＴＲに入るので、図４３（ｂ）に示すように、液晶配向膜ＨＭ１ｇが形成される。ここでは、タッチ電極６２ｔｇのｙ方向に沿った断面において、溝ＴＲの近傍に位置する上面部分が、露出するように形成される。つまり、タッチ電極６２ｔｇにおいて、溝ＴＲ側に位置する端部の上面が露出して形成される。このため、この各タッチ電極６２ｔｇにおいて表面が露出した部分に、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが接触することで、位置検出が実施される。

本変形例では、変形例９〜１２と比べて全体の占有面積を小さくすることが可能となる。

図４４は、本発明にかかる実施形態７の変形例９〜１３の作用・効果を説明するための図である。図４４においては、対向基板２０２に形成されたタッチ電極２５ｇと、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇとが接触し、タッチ電極２５ｇに破損が生じた場合の様子を示す平面図である。

変形例９〜１３の場合は、上述したように、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇにて、ｙ方向に延在するように表面が露出した部分と、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇとが接触して、各タッチ電極６２ｔｇ間が電気的に接続する。このため、図４４に示すように、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇにおいて、ＴＦＴアレイ基板２０１の各タッチ電極６２ｔｇが接触する部分に生ずる亀裂は、ｙ方向に沿って延在するように生ずる。よって、ｙ方向において、対向基板２０２のタッチ電極２５ｇが、断線状態になることを防止することができる。

したがって、本変形例においては、装置の信頼性を、さらに向上させることができる。

＜８．実施形態８＞
以下より、本発明にかかる実施形態８について説明する。

（液晶パネルの詳細構成）
図４５，図４６は、本発明の実施形態８にかかる液晶パネル２００ｈの要部を示す図である。

ここで、図４５は、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

また、図４６は、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す上面図である。なお、図４５は、図４６のＸ１ｈ−Ｘ２ｈ部分について示しているが、図示の都合上、適宜、部材の表示を簡略化等している。

図４５，図４６に示すように、本実施形態においては、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式に対応するように、画素電極６２ｐｈ，共通電極２３ｈ等の各部が形成されている。この点、および、これに関連する点を除き、実施形態７と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。

図４５，図４６に示すように、本実施形態においては、画素電極６２ｐｈと共通電極２３ｈとのそれぞれは、ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられている。

画素電極６２ｐｈは、図４５に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面する面の側に形成されている。

ここでは、画素電極６２ｐｈは、図４５に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において共通電極２３ｈを被覆するように、絶縁材料で形成された層間絶縁膜Ｓｚ２の上に設けられている。たとえば、シリコン窒化膜として形成された層間絶縁膜Ｓｚ２上に設けられている。

本実施形態においては、液晶パネル２００ｈがＦＦＳ方式であるので、画素電極６２ｐｈは、図４６に示すように、ｘｙ面においては、櫛歯状になるようにパターン加工されている。

具体的には、図４６に示すように、画素電極６２ｐｈは、基幹部６２ｐｋと、枝部６２ｐｅとを有する。

画素電極６２ｐｈにおいて、基幹部６２ｐｋは、図４６に示すように、ｘ方向に延在している。ここでは、図４６に示すように、２本の基幹部６２ｐｋがｙ方向において平行に並んでいる。

そして、画素電極６２ｐｈにおいて、枝部６２ｐｅは、図４６に示すように、基幹部６２ｐｋに接続されており、ｙ方向に延在している。この枝部６２ｐｅは、図４６に示すように、ｘ方向において、複数がスペースを隔てて並ぶように配置されている。そして、その複数のそれぞれは、両端部が基幹部６２ｐｋに接続され、互いに平行に延在するように並んでいる。

この画素電極６２ｐｈは、図４５に示すように、実施形態７の場合と同様に、タッチ電極６２ｔｇと一体になるように形成されている。

共通電極２３ｈは、図４５に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面する面の側に形成されている。ここでは、共通電極２３ｈは、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成された層間絶縁膜Ｓｚ上に設けられている。また、共通電極２３ｈは、複数の画素Ｐに対応するように複数設けられた画素電極６２ｐｈのそれぞれに、層間絶縁膜Ｓｚ２を介して対面している。

そして、液晶層２０３については、液晶分子が水平配向するように形成される。

（まとめ）
以上のように、本実施形態では、実施形態７と同様に、ＴＦＴアレイ基板２０１のタッチ電極６２ｔｇは、凹状の溝ＴＲが設けられた層間絶縁膜（下地層）Ｓｚが、ＴＦＴアレイ基板２０１との間に設けられている。そして、液晶配向膜ＨＭ１ｇについては、そのタッチ電極６２ｔｇが形成された表面上に配向材料を含む塗布液を塗布した際に、凹状の溝ＴＲに当該塗布液が入ることによって、タッチ電極６２ｔｇの上面を被覆せずに露出するように形成される。具体的には、層間絶縁膜（下地層）Ｓｚは、一対のタッチ電極６２ｔｇの間に溝ＴＲが位置するように設け、一対のタッチ電極６２ｔｇは、その溝ＴＲの近傍の表面が液晶配向膜ＨＭ１ｇによって被覆されずに露出するように形成される。

このため、本実施形態においては、タッチ電極６２ｔｇの表面から液晶配向膜ＨＭ１ｇを除去する工程を別途実施せずに、タッチ電極６２ｔｇの表面を露出させることができる。よって、本実施形態は、製造効率，歩留まりの向上が可能であって、製造コストが増加することを防止できる。また、装置の信頼性を向上させることができる。

また、本実施形態においては、液晶パネル２００ｈは、ＦＦＳ方式であるが、図４５に示すように、実施形態７の場合と同様に、対向基板２０２において、ＴＦＴアレイ基板２０１に対向するｘｙ面上に、凸部ＣＯが形成されている。ここでは、図４５に示すように、凸部ＣＯにおいてＴＦＴアレイ基板２０１に対向する頂面に、平坦領域ＨＲが設けられている。そして、タッチセンサスイッチＳＷｓｇを構成するタッチ電極２５ｇが、その凸部ＣＯ上において平坦領域ＨＲ以外の領域に形成されずに、平坦領域ＨＲ上に孤立パターンとして形成されている。よって、本実施形態は、実施形態７の場合と同様に、タッチ電極２５ｇが破断することを防止可能であるので、装置の信頼性を向上することができる。

（変形例１〜３）
図４７〜図４９は、本発明にかかる実施形態８の変形例として、共通電極２３ｈ、および、層間絶縁膜Ｓｚ２とを示す図である。各図は、断面を示している。

上記においては、図４５に示したように、ＴＦＴアレイ基板２０１においては、共通電極２３ｈ、および、層間絶縁膜Ｓｚ２について、溝ＴＲの内部を被覆するように形成する場合に関して説明したが、これに限定されない。各図に示すように、共通電極２３ｈ、および、層間絶縁膜Ｓｚ２については、溝ＴＲの内部を被覆するように形成しなくても良い。

具体的には、変形例１として、図４７に示すように、共通電極２３ｈと層間絶縁膜Ｓｚ２との両者について、溝ＴＲの内部を被覆しない点を除いて、上記の実施形態と同様に形成してもよい。

この場合には、段差を跨いで、共通電極２３ｈが形成されていないので、破損した際のリークの発生が少ない等のメリットがある。

また、変形例２として、図４８に示すように、層間絶縁膜Ｓｚ２のみについて、溝ＴＲの内部を被覆しない点を除いて、上記の実施形態と同様に形成してもよい。

また、変形例３として、図４９に示すように、共通電極２３ｈのみについて、溝ＴＲの内部を被覆しない点を除いて、上記の実施形態と同様に形成してもよい。

（変形例４）
図５０〜図５１は、本発明にかかる実施形態８の変形例の要部を示す図である。

ここで、図５０は、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す断面図である。

また、図５１は、表示領域ＰＡに設けられた画素Ｐの概略を模式的に示す上面図である。なお、図５０は、図５１のＹ１ｈ−Ｙ２ｈ部分について示しているが、図示の都合上、適宜、部材の表示を簡略化等している。

図５０，図５１に示すように、タッチ電極６２ｔｇについては、導電層ＳＤ（画素スイッチング素子３１のソース電極に電気的に接続されている層）に接続するようにコンタクトＣＯＮ，２ＣＯＮが形成されている部分に、形成することが好適である。

具体的には、本変形例は、ＴＦＴアレイ基板２０１にて対向基板２０２に対向する面に、タッチ電極６２ｔｇに接続する導電層ＳＤが設けられている。そして、タッチセンサスイッチＳＷｓｇは、タッチ電極６２ｇｔと導電層ＳＤとが接続するコンタクト（ＣＯＮ，２ＣＯＭ）の部分において、一対のタッチ電極６２ｔｇのそれぞれと、タッチ電極２５とが接触するように設けられている。

この場合には、画素レイアウトを有効に配置することが可能になるので、液晶表示装置の開口率を向上させることができる。

また、上記のＦＦＳ方式以外に、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｃｈｉｎｇ）方式などのように、横電界を液晶層２０３に印加するモードにおいて、同様に、構成した場合であっても、同様な効果を得ることができる。

＜８．その他＞
本発明の実施に際しては、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。各実施形態については、適宜、組合わせてもよい。

また、上記の実施形態においては、液晶パネルが透過型である場合について説明したが、これに限定されない。反射型や、透過型と反射型とを併用可能な半透過型として、液晶パネルを構成する場合に適用しても良い。

また、有機ＥＬディスプレイなどのように、液晶パネル以外の表示パネルに適用しても良い。

また、表示パネルに内蔵する場合以外に、装置に外付けする抵抗膜式タッチセンサに適用しても良い。

また、本実施形態の液晶表示装置１００は、さまざまな電子機器の部品として適用することができる。

図５２から図５６は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置１００を適用した電子機器を示す図である。

図５２に示すように、テレビジョン放送を受信し表示するテレビにおいて、その受信した画像を表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置１００を適用することができる。

また、図５３に示すように、デジタルスチルカメラにおいて、その撮像画像などの画像を表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置１００を適用することができる。

また、図５４に示すように、ノート型パーソナルコンピュータにおいて、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置１００を適用することができる。

また、図５５に示すように、携帯電話端末において、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置１００を適用することができる。

また、図５６に示すように、ビデオカメラにおいて、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置１００を適用することができる。

なお、上記の実施形態において、タッチ電極２５，２５ｂ，２５ｃ，２５ｅ，２５ｆ，２５ｇは、本発明の第１タッチ電極と第２タッチ電極とのいずれかに相当する。また、上記の実施形態において、タッチ電極６２ｔ，６２ｔｂ，６２ｔｄ，６２ｔｅ，６２ｔｆ，６２ｔｇは、本発明の第１タッチ電極と第２タッチ電極とのいずれかに相当する。また、上記の実施形態において、弾性部材６３，６３ｂ，６３ｅ，６３ｆ，７１ｃ，７１ｄは、本発明の弾性部材に相当する。また、上記の実施形態において、液晶表示装置１００は、本発明の液晶表示装置，表示装置，情報入力装置に相当する。また、上記の実施形態において、液晶パネル２００，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄ，２００ｅ，２００ｅｂ，２００ｆ，２００ｆｂ，２００ｇ，２００ｈは、本発明の液晶パネルに相当する。また、上記の実施形態において、ＴＦＴアレイ基板２０１は、本発明の第１基板と第２基板とのいずれかに相当する。また、上記の実施形態において、対向基板２０２は、本発明の第１基板と第２基板とのいずれかに相当する。また、上記の実施形態において、液晶層２０３は、本発明の液晶層に相当する。また、上記の実施形態において、凹凸領域５００，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄ，５００ｅ，５００ｆは、本発明の凹凸領域に相当する。また、上記の実施形態において、液晶配向膜ＨＭ１，ＨＭ１ｂ，ＨＭ１ｄ，ＨＭ１ｅ，ＨＭ１ｆ，ＨＭ１ｇは、第１液晶配向膜と第２液晶配向膜とのいずれかに相当する。また、上記の実施形態において、液晶配向膜ＨＭ２，ＨＭ２ｂ，ＨＭ２ｃ，ＨＭ２ｅ，ＨＭ２ｆ，ＨＭ２ｇは、第１液晶配向膜と第２液晶配向膜とのいずれかに相当する。また、上記の実施形態において、表示領域ＰＡは、本発明の表示領域に相当する。また、上記の実施形態において、柱スペーサＳＰ，ＳＰｅ，ＳＰｆは、本発明の柱スペーサに相当する。また、上記の実施形態において、タッチセンサスイッチＳＷｓ，ＳＷｓｂ，ＳＷｓｃ，ＳＷｓｄ，ＳＷｓｅ，ＳＷｓｆ，ＳＷｓｇは、本発明のタッチセンサスイッチに相当する。

１１：垂直駆動回路、１２：水平駆動回路、２１：カラーフィルタ層、２１Ｂ：青フィルタ層、２１Ｇ：緑フィルタ層、２１Ｒ，２１Ｒａ：赤フィルタ層、２３：共通電極、２５，２５ｂ，２５ｃ，２５ｅ，２５ｆ，２５ｇ：タッチ電極、３１：画素スイッチング素子、６２ｐ：画素電極、６２ｔ，６２ｔｂ，６２ｔｄ，６２ｔｅ，６２ｔｆ：タッチ電極、６３，６３ｂ，６３ｅ，６３ｆ，６２ｔｇ，７１ｃ，７１ｄ：弾性部材、７２ｅ，７２ｆ：凹部領域、１００：液晶表示装置、２００，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄ，２００ｅ，２００ｅｂ，２００ｆ，２００ｆｂ，２００ｇ，２００ｈ：液晶パネル、２０１：ＴＦＴアレイ基板、２０２：対向基板、２０３：液晶層、２０６：第１の偏光板、２０７：第２の偏光板、３００：バックライト、４００：データ処理部、４０１：制御部、４０２：位置検出部、５００，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄ，５００ｅ，５００ｆ：凹凸領域、ＣＡ：周辺領域、ＣＬ：Ｖｃｏｍ線、Ｆ：被検知体、ＧＬ：ゲート線、ＨＭ１，ＨＭ１ｂ，ＨＭ１ｄ，ＨＭ１ｅ，ＨＭ１ｆ，ＨＭ１ｇ：液晶配向膜、ＨＭ２，ＨＭ２ｂ，ＨＭ２ｃ，ＨＭ２ｅ，ＨＭ２ｆ，ＨＭ２ｇ：液晶配向膜、ＯＰ：下地層、Ｐ：画素、ＰＡ：表示領域、Ｒ：照明光、ＲＣ：読み出し回路、ＳＬ：信号線、ＳＰ，ＳＰｅ，ＳＰｆ：柱スペーサ、ＳＷｒ：スイッチ、ＳＷｓ，ＳＷｓｂ，ＳＷｓｃ，ＳＷｓｄ，ＳＷｓｅ，ＳＷｓｆ，ＳＷｓｇ：タッチセンサスイッチ、ＳＷｗ：スイッチ、Ｓｚ１，Ｓｚ２：層間絶縁膜、ＷＣ：書き込み回路，ＣＯ：凸部

Claims (8)

1. 第１基板と、前記第１基板にスペースを隔てて対向している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のスペースに設けられた液晶層とを有し、画像を表示する表示領域にタッチセンサスイッチが内蔵されている液晶パネル
   を具備しており、
   前記タッチセンサスイッチは、
   前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられている第１タッチ電極と、
   前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に、前記第１タッチ電極からスペースを隔てて対面している第２タッチ電極と
   を有し、前記液晶パネルが外圧によって変形することによって、前記第１タッチ電極と前記第２タッチ電極とが接触するように構成されており、
   前記液晶層は、前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられている第１液晶配向膜と、前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に設けられている第２液晶配向膜とによって液晶分子が配向されており、
   前記第１タッチ電極は、凹状の溝が設けられた下地層が前記第１基板との間に設けられており、
   前記第１液晶配向膜は、前記第１タッチ電極が形成された表面上に配向材料を含む塗布液を塗布した際に、前記凹状の溝に当該塗布液が入ることによって、前記第１タッチ電極の上面を被覆せずに露出するように形成されている
   液晶表示装置。
2. 前記液晶パネルは、当該液晶パネルが外圧によって変形することによって、前記第２タッチ電極が、一対の前記第１タッチ電極に接触して、当該一対の第１タッチ電極の間が電気的に接続するように構成されており、
   前記第１液晶配向膜は、前記第１タッチ電極が形成された表面上に配向材料を含む塗布液を塗布した際に、前記凹状の溝に当該塗布液が入ることによって、前記一対の第１タッチ電極の上面が露出するように形成されている
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記下地層は、前記一対の第１タッチ電極の間に前記溝が位置するように設けられており、
   前記一対の第１タッチ電極は、前記溝の近傍の表面が前記第１液晶配向膜によって被覆されずに露出するように形成されている、
   請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第２タッチ電極は、前記第１基板の面にて前記一対の第１タッチ電極が並ぶ方向に対して直交する方向において規定される幅が、当該一対の第１タッチ電極よりも広い部分を含むように形成されている、
   請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１基板は、
   当該第１基板にて前記第２基板に対向する面に設けられており、前記第１タッチ電極に接続する導電層
   を有し、
   前記タッチセンサスイッチは、
   前記第１基板にて前記第１タッチ電極と前記導電層とが接続するコンタクト部分において、前記一対の第１タッチ電極のそれぞれと、前記第２タッチ電極とが接触するように設けられている、
   請求項３に記載の液晶表示装置。
6. 前記下地層は、前記溝が、前記一対の第１タッチ電極が並ぶ方向において延在するように設けられており、
   前記一対の第１タッチ電極は、前記溝の近傍の表面が前記第１液晶配向膜によって被覆されずに露出するように形成されている、
   請求項２に記載の液晶表示装置。
7. 前記第２基板は、
   前記第１基板に対向する面上において、前記第１基板に対向する方向へ凸状に突出した凸部
   を含み、
   前記凸部は、前記第１基板の面に沿って平坦は平坦領域が、前記第１基板に対向する頂面に設けられており、
   前記第２タッチ電極は、前記凸部上において前記平坦領域以外の領域に形成されず、前記平坦領域上に孤立パターンとして形成されている、
   請求項１から６のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 第１基板と、前記第１基板にスペースを隔てて対向している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のスペースに設けられた液晶層とを有する液晶パネルを形成する液晶パネル形成工程
   を具備しており、
   前記液晶パネル形成工程は、
   当該液晶パネルにおいて画像を表示する表示領域に、タッチセンサスイッチを形成するタッチセンサスイッチ形成工程と、
   前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に第１液晶配向膜を設ける第１液晶配向膜形成工程と、
   前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に第２液晶配向膜を設ける第２液晶配向膜形成工程と
   を含んでおり、
   前記タッチセンサスイッチ形成工程は、
   前記第１基板にて前記第２基板に対向する面に第１タッチ電極を設ける第１タッチ電極形成ステップと、
   前記第２基板にて前記第１基板に対向する面に、前記第１タッチ電極からスペースを隔てて対面するように第２タッチ電極を設ける第２タッチ電極形成ステップと
   を含み、
   前記第１タッチ電極形成ステップにおいては、凹状の溝が設けられた下地層を前記第１基板に設けた後に、当該下地層上に前記第１タッチ電極を形成し、
   前記第１液晶配向膜形成工程においては、前記第１タッチ電極が形成された表面上に配向材料を含む塗布液を塗布し、前記凹状の溝に当該塗布液が入ることによって、前記第１液晶配向膜が前記第１タッチ電極の上面を被覆せずに露出するように、前記第１液晶配向膜を形成する、
   液晶表示装置の製造方法。

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