JP4903307B2 - 極薄基板上の量子井戸熱電材料 - Google Patents
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Description
本発明は熱電装置に係り、より詳細には、該熱電装置に使用するための熱電材料に関する。
【0002】
(発明の背景)
冷却、加熱及び発電用の熱電装置は長い間周知であるが、その利用は限定された用途を除き、価格競争力がなかった。
【0003】
良好な熱電材料は次式で定義される「性能計数(figure of merit)」、即ちZで測定される。
Z=S2/ρK
式中、Sはゼーベック係数、ρは電気抵抗、Kは熱伝導度を表わす。ゼーベック係数は、さらにゼーベック効果を示す回路の熱接点及び冷接点間の温度差に対する開回路電圧の比として定義される。すなわち、
S=V/(Th−Tc)
【0004】
したがって、良好な熱電材料の探索において、S値が大きく、ρ及びKの小さい材料を探すことである。
【0005】
現在使用されている熱電材料には、性能係数で表わした次表に示す材料が含まれる。
──────────────────────────────────
熱電材料 ピークゼータ,Z(示す温度における) ZT
──────────────────────────────────
テルル化鉛 1.8×10-3/°K(500°K) 0.9
テルル化ビスマス 3.2×10-3/°K(300°K) 1.0
シリコンゲルマニウム 0.8×10-3/°K(1100°K) 0.9
【0006】
熱電分野の技術者は過去20〜30年間、性能係数の改良を試みてきたが、ほとんど成功しなかった。多くの努力は電気伝導度に悪影響を与えずに格子熱伝導度(K)を減少させることに向けられてきた。
【0007】
二件の米国特許(特許番号第5,436,467号及び第5,550,378号)が出願人らに発行されている。これらの特許を引用して本明細書の一部とする。出願人らはこれらの特許中に、同じ結晶構造を持つ極めて薄い交互する半導体材料層を多数開示した。好ましい実施態様では、バリア層としてSiをもつSiGeの超格子層がSiGeバルクの6倍も良好な性能係数を示した。アルゴン雰囲気中でのスパッタリング法を用いてSi基板上にこれらの超格子層を成長させた。
【0008】
カプトン(R)はDupont Corp.の登録商標であり、周知のポリイミド材料であると記載されている。この材料から作られたフィルムも広く用いられる。
【0009】
上記2件の特許に記載されている熱電素子は、熱電技術における主な進歩を表わすが、従来技術では薄層が敷設される基板を除去する必要があった。
【0010】
基板を除去する必要のない超格子熱電材料、素子及び装置のより良い製作方法が必要とされている。
【0011】
(発明の要約)
本発明は熱電装置に使用するための熱電素子を提供する。熱電素子は極薄基板上に交互に蒸着(deposit)した多数の半導体材料の層を有する。半導体材料の層はバリア半導体材料と導電半導体材料との間で交互して導電半導体材料の薄層内に量子井戸を創出する。導電半導体材料は導電特性を創出するためにドープされる。好ましい基板は極めて薄く、極めて良好な熱及び電気的絶縁体であり、熱安定性が良く強固で可撓性である必要がある。
【0012】
好ましい実施態様では、薄い有機基板は結晶シリコンの薄い滑らかなフィルムで被覆された薄いポリイミドフィルム(具体的にはカプトン(R))である。基板の厚さは約0.3mil(127ミクロン)である。結晶シリコンは約0.1ミクロンの厚さである。この実施態様は薄いカプトン(R)基板の両面にシリコンとシリコン-ゲルマニウムとの約3000層を交互に含み、それぞれの層は約100Åで、層全体の厚さは約30ミクロンである。好ましくは、シリコン層をアモルファス形で適用し、約350℃から375℃に加熱して結晶化させる。ほかの好ましい実施態様では、基板材料は、別の有機材料の薄いフィルム、またはシリコンなどの無機材料の薄いフィルムである。
【0013】
(好ましい実施態様の詳細な説明)
図面を参照して本発明の好ましい実施態様を説明する。
【0014】
[量子井戸熱電材料用基板]
米国特許第5,436,467号及び第5,550,387号に記載されているように、量子井戸熱電材料は基板上に層状に蒸着される。これらの特許に記載されている代表的な基板では、基板を介しての熱損失が、熱電材料から作られた熱電装置の効率を大きく減少させる。基板を取り除くと、一部の熱電層は損傷を受けることがあり、損傷を受けなくても基板の除去処理工程が、装置の製作コストを著しく増加させる。本発明は保持する(retain)ことができる基板を提供する。好ましくは、基板は極めて薄く、極めて良好な熱及び電気的絶縁体であり、熱安定性が良く、強固で可撓性でなければならない。
【0015】
[カプトン(R)]
KaptonはDuPont Corporationの製品である。DuPont社報に拠ると、カプトン(R)ポリイミドフィルムは多くの異なる産業における種々の用途に理想的で独特な特性を合わせもつ。その優れた物理的、電気的及び機械的特性を広い温度範囲にわたって維持するカプトン(R)の能力はプラスチックフィルムに新規なデザイン及び応用分野を開いた。
カプトン(R)は、芳香族二無水物と芳香族ジアミンとの重合によって合成される。この化合物は優れた化学的特性を有し、そのフィルムに関する有機溶媒は知られていない。カプトン(R)は最大UL-94引火性定格、V-0を有するので融解または焼けることはない。カプトン(R)の際立った特性がほかの有機重合材料では機能しない高温及び低温極限両方での利用を可能にする。
カプトン(R)をそれ自身、金属、種々の紙タイプ及びほかのフィルムに接着させる接着剤は市販されている。
【0016】
カプトン(R)ポリイミドフィルムは、種々の電気及び電子絶縁用途、例えばワイヤ及びケーブルテープ、成形コイル絶縁、可撓性プリント回路用基板、モータスロットライナー、マグネットワイヤード絶縁、変圧器およびキャパシタ絶縁、磁気及び圧力感応テープ、チュービングに使用される。これら用途の多くは広い温度範囲にわたるカプトン(R)の電気的、熱的、機械的、物理的及び化学的性質のバランスに基づくものである。極限温度における有用な特質の組み合わせがカプトン(R)を独特な工業材料としている。
【0017】
[カプトン(R)基板]
出願人らは、超格子層Si8Ge2/Siが極めて薄いカプトン(R)上に蒸着されることを実証した。出願人らはこの薄い可撓性基板上の熱電材料が熱電素子及び装置の設計に幾つかの重要な利点を提供することを発見した。
【0018】
[カプトン(R)上の薄いフィルム]
マグネトロンスパッタ系における2ターゲット蒸着によってSi0.8Ge0.2とSiとの交互する層をカプトン(R)上に成長させた。Si及びSi0.8Ge0.2ターゲットソースからのプラズマを分離、センス及び制御して合計蒸着速度100Å/分を得た。蒸着の前に、カプトン(R)基板を清浄にし、次に厚さ1000Åのシリコン層をカプトン(R)基板に適用した。シリコン層を現場スパッタし、350〜375℃で焼鈍してシリコンを結晶化させた。焼鈍及び成長温度を熱電対で直接測定した。次に、Si及びSi0.8Ge0.2層を最初の結晶Si層の上に交互に蒸着して、それぞれの層が約100Åの厚さであるSi0.8Ge0.2/Si超格子を作製した。
【0019】
実際の蒸着形態を図1に模式的に図示した。二つのカプトン(R)基板2が1分当たり1回の速度で回転するプラテン4の底部に載っている。プラテンの直径は20cm、基板の直径はそれぞれ5cmである。二つの蒸着ソース6、8がソースフランジ7上に、その蒸着チャージが軸5から約10cmとなるように載っている。蒸着ソース6は純粋なシリコンであり、蒸着ソース8は1cc当たりキャリアを1019までドープしたシリコンゲルマニウムである。p型材料ではドーパントとしてホウ素を用い、n型材料にはアンチモンをドーパントとして使用する。(ドーパントとしてリンを用いることもできる。)回転するプラテンは、ソースの20cm上に位置している。シリコンだけの層とシリコンおよびゲルマニウムの層とが蒸着するようにプラズマを交替する。
【0020】
装置をコンピュータ制御してプラテンが上部を回転する間に、ソースを所望の厚さにするのに適した間隔で交互に蒸発させる。プラテン4の側面で二つの電界発光蒸着計9が層の厚さをモニタする。ウェハが300,000層および厚さ約0.3cmとなるまで基板上に層を継続して蒸着する。この厚さ約0.3cmは好ましい熱電装置に必要な厚さである。(カプトン(R)基板の厚さは0.5mil、或いは0.0127cmである。)次に、ウェハを図8に示すようにさいの目状に切断してチップ状にする。
【0021】
[試験結果]
発明者らは、本発明の教示に従って製造した材料を試験した。Si0.8Ge0.2/Siのn型及びp型の両試料につき試験した熱電特性を、Si及びGeの比が同じバルク材料の特性と共に表1に示す。
【0022】
表1のデータは1000Å(0.00001cm)のシリコン層で被覆した1mil(0.00254cm)のKapton基板上に蒸着したそれぞれの厚さが約100Å(全層の厚さは約0.0005cm)の交互する約500層の薄い試料で採った。全ての測定値は絶縁カプトン(R)についてのいかなる補正をも必要としなかった。これらのZ値(3×10-4から5×10-3の範囲)は驚くほど高く、Si0.8Ge0.2よりも略一桁高い。これらの結果はSiGeバルクにつき可能な最大Zがp型で約1.7×10-3/K、n型で約1.9×10-3/Kという1991年の予測から見て驚くべき結果である。(Slack及びHussain、「シリコンゲルマニウム熱電気発電器の最大可能変換効率(The maximum possible conversion efficiency of silicon germanium thermoelectric generators)」、J.Appl.Phys.70−5、1Sep.1991参照。)
【0023】
【表1】
【0024】
代表的な試料は、カプトン(R)フィルムに蒸着した合計の厚さ約50,000Åにつき約500層(Si及びSiGeのそれぞれ250層)を含む。試料は約1cm2であるので、素子の寸法は約1cm×1cm×(0.00254cm+0.0005cm+0.00001cm)、或いは約1cm×1cm×0.003cmである。n型及びp型熱電素子の両方を作製して熱電特性を測定した。試験結果は約3×10-3/Kから5×10-3/Kの範囲のZ値を示し、この値はSi0.8Ge0.2バルクでのZ値よりも約10倍大きい。
【0025】
[中間結晶層]
出願人らは、Kapton基板と一連の極薄導電及びバリア層との間に敷設した結晶層が特にn型層で熱電性能が大きく改善することを示した。好ましい方法はそれを厚さ約1000Å、無定形状態で敷設し、次に基板及びシリコン層を約350℃から375℃に加熱することによってそれを結晶化することである。結晶層はゲルマニウム、或いはGaAs、GaPなどの第3〜5族化合物とすることもできる。これらの化合物がシリコン及びゲルマニウムと同じ構造を有するからである。
【0026】
[カプトン(R)以外の基板]
カプトン(R)は極端に低い熱伝導率を持ち、極めて良好な絶縁体であるので、本発明に実施にとって優れたフィルムである。カプトン(R)は強靭でもあるのでフィルムの厚さを極めて薄くすることができる。DuPontのほかの供給者はポリイミドの薄いフィルムを製造し、これらの別のポリイミド基板を使用することもできる。マイラー、ポリエチレン、ポリアミド、ポリアミド−イミド、ポリイミド化合物などのほかの多くの有機材料も基板として使用することができる。その他の可能性のある材料は、Si、Ge及びSiO2、Al2O3及びTiO2など酸化物のフィルムである。上述したように好ましくは、基板は極めて薄く、極めて良好な熱及び電気的絶縁体であり、熱安定性が良く、強固で可撓性でなければならない。
【0027】
[n型及びp型材料を作る他の方法]
n型及びp型層材料を作るスパッタ装置はClairton、Paに事務所を持つKurt J.Lesker Co.など幾つかの供給者から市販されている。
【0028】
分子ビームエピタキシは、X線光学機器の製作に用いられる方法と同じ方法で行なわれる。二段階機械式荒引きポンプおよび高容量極低温ポンプによって真空を確立、維持する。この系は焼き外し後および蒸着前に約10-10torrの基準圧を達成するのが常である。基板を精密ステップモータ駆動の回転する旋回コンベア上に載せる。
【0029】
周知の化学蒸着もSi、SiGe、Ge及びB−C合金層の敷設に用いることができる。
【0030】
スパッタ中に基板を旋回コンベアによって加熱、冷却することができる。蒸着及びその後の焼鈍時における基板の加熱は構造の制御及び個々の結晶層の配向手段としても、フィルム中の欠陥数を減少させる手段としても利用される(出願人らは後述する温度の関数として層内の歪みを増すために温度制御を行なう。)。エピタキシャルフィルム成長に本質的な条件の一つは、基板表面上の凝縮原子および分子の高い移動性である。それぞれが2〜5インチ直径のターゲットを持つ1kWマグネトロン2器と1kW供給電源を用いてフィルム蒸着を行なった。スパッタソースを0.001torrと0.1torrとの間のアルゴン圧で操作した。系の全機能は旋回コンベアの移動、加熱及び冷却速度、マグネトロン電力、アルゴン圧も含めてコンピュータ制御することができる。
【0031】
[熱電フィルムでの熱電素子の製作]
図2A及び図2Bから図7を参照して、熱電フィルムの好ましい作製方法を説明する。図2Aは、熱電フィルムを製作するための好ましい蒸着室の上面図である。図2Bは側面の概略図である。両面を厚さ1000Åの結晶Si層で被覆した平滑な0.5milのカプトン(R)フィルムのロール40)が巻き取りロール42を供給する。交互するSiおよびSiGe(Pドープ)層(厚さ100Å)をソース44及び46からのテープの片面に蒸着し、Si及びSiGe(n型)の交互する層をソース48と50から他方の面に蒸着する。ステッパーテーブル52は前後に進むので、Siの1500層とSiGeの1500層とが蒸着してそれぞれの熱電素子を形成する。それぞれの側に3000層が蒸着した後に、テープは巻き取りロール42の方向に進んで銅結合が上面及び底面の上で銅ターゲット54、56から実現されることになる。マスク60を装備して蒸着領域を制限する。完成した熱電材料は、約5〜10%のバイパス損失をもたらす0.5milの基板を含む。これは良好な熱及び電気絶縁特性をもつできるだけ薄い基板フィルムを選択することの重要性を示す。
【0032】
図3はテープ部の拡大図である。素子62A及び62Bは完成品であり、64A、64B、66Aおよび66Bは蒸着過程のものである。
【0033】
図4Aは、上部銅接合が作られる方法を示すテープの上面図であり、図4Bは、素子を直列にする底部銅接合が造られる方法を示す底面図である。
【0034】
図5Aは、12本の素子が直列に連結して12mV/℃を加える方法を示す。図5Bは、12本の素子が連結して同じ12本の素子から6mV/℃を加える方法を示す。
【0035】
図6は、温度差10℃から電位5ボルトで12.5ミリワットを発生する熱電モジュールを製作するための直列に結合した250対のテープの拡大図である。
【0036】
図7は、銅接合をさらに容易にすることを可能にする別の蒸着方法を示す。
【0037】
上述の説明は多くの特異性を含んでいるが、読者はこれらが本発明を限定するものと解釈すべきでなく、単に本発明の好適な実施態様の例示と解釈すべきである。例えば、SiGe比は約5%Geから100%Geまでの任意の組成にすることができるが、好ましい組成は約10%Geから約40%Geである。また、バリア層は純粋なシリコンである必要はない。さらに、SiGe固溶体であってもよい。バリア層のバンドギャップが導電層よりも高くなければならず、これらのバンドギャップがそれぞれの層のSi−Ge比を変えることによって調節され得るというのが全体的な解釈である。当業者は本発明の範囲内において多くの他の可能な変形を考えつくであろう。熱電技術の熟練者は同じ効果を生み出す上述以外の多くの異なるドーパントに通じている。n型ドーパントの例には、アンチモン、窒素、リン及びヒ素が含まれる。p型ドーパントの例には、ホウ素に加えてアルミニウム、ガリウム及びインジウムが含まれる。当業者は異なる結晶構造を有する材料から同じ結晶構造をもつ量子層を製造できることを認めるであろう。例えば、GeTe及びPbTeのエピタキシャル層は、PbTeとGeTeとの結晶構造が若干異なるにもかかわらず、製造可能である。また、具体的に挙げたフィルム材料のほかの多くのフィルム材料も使用することができる。また、本発明の原理はきわめて細い径の細線、好ましくはカプトン(R)などの特定した基板材料の細線の配列にも採用することができる。したがって、既に説明した実施例ではなく、添付のクレーム及びその合法的に等価なものによって発明の範囲を確定することを読者に要請するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 超格子材料を作成するための装置を示す簡単な図である。
【図2】 図2Aは、熱電フィルム製作のための好ましい蒸着室の上面図であり、図2Bは、熱電フィルム製作のための好ましい蒸着室の側面図である。
【図3】 交互層が付着したカプトン(R)テープ部の拡大図である。
【図4】 図4Aおよび図4Bは、素子を直列にするための銅接合方法を示す上面図及び底面図である。
【図5】 図5Aは、素子12本が直列に結合して12mV/℃となる方法を示す図であり、図5Bは、素子12本が結合して同じ12本の素子から6mV/℃となる方法を示す図である。
【図6】 温度差10℃から電位5ボルトで12.5ミリワットを発生する熱電モジュールを製作するための直列に結合した250対のテープを示す拡大図である。
【図7】 銅接合をさらに容易にすることを可能にする別の蒸着方法を示す図である。
【図8】 熱電素子がその上で成長した基板から切り出されるパターンを示す図及び交互する層の詳細を示す拡大図である。
【符号の説明】
2 カプトン(R)基板
4 プラテン
5 軸
6 蒸着ソース
7 ソースフランジ
8 蒸着ソース
9 電界発光蒸着計
40 カプトン(R)フィルムロール
42 巻き取りロール
44 ソース
46 ソース
48 ソース
50 ソース
52 ステッパーテーブル
54 銅ターゲット
56 銅ターゲット
60 マスク
62A、62B 完成した素子
64A、64B 蒸着過程の素子
66A、66B 蒸着過程の素子
Claims (9)
- 熱電装置に使用するための量子井戸熱電素子であって、
(A)厚さが0.5mm(20mil)未満の電気絶縁材料の基板と、
(B)二種類の異なる半導体材料を有する層を含み、前記二種類の半導体材料の第一がバリア半導体材料を画定し、前記二種類の半導体材料の第二が導電半導体材料を画定する前記基板上に蒸着された、各々が約10−8m(100Å)の厚さの複数の交互する前記層と、を備え、
前記バリア半導体材料及び前記導電半導体材料が同じ結晶構造を有し、前記導電半導体材料はドープされて導電特性を創出し、前記二種類の半導体材料の前記層配列が前記半導体材料の前記層内で量子井戸を創出し、
当該量子井戸熱電素子は、さらに、前記基板と前記複数の交互する層との間に位置する少なくとも10−7m(1000Å)の厚さのシリコン、ゲルマニウム又はシリコン−ゲルマニウムのバッファ層を備え、前記バリア半導体材料はシリコンであり、前記導電半導体材料はシリコン−ゲルマニウムであることを特徴とする熱電素子。 - 前記基板はポリイミド基板である請求項1に記載の熱電素子。
- 前記ポリイミド基板はポリイミドフィルムである請求項2に記載の熱電素子。
- 前記0.5mm(20mil)未満の厚さは、0.025mm(1mil)未満の厚さである請求項1に記載の熱電素子。
- 前記複数の交互する層は、少なくとも3000の層を有する請求項1に記載の熱電素子。
- 前記導電半導体材料中のゲルマニウム濃度は10%から40%の間である請求項5に記載の熱電素子。
- 前記基板は金属酸化物を含む請求項1に記載の熱電素子。
- 熱電装置を製造する方法であって、
(A)厚さ0.5mm(20mil)未満の電気絶縁材料の基板上に、少なくとも10−7m(1000Å)の厚さのシリコン、ゲルマニウム又はシリコン−ゲルマニウムのバッファ層を蒸着し、前記バッファ層上に二種類の異なる半導体材料の、各々が約10−8 m(100Å)の厚さの複数の交互する層を蒸着し、前記二種類の半導体材料の第一がバリア半導体材料を画定し、前記二種類の半導体材料の第二が導電半導体材料を画定し、前記バリア半導体材料及び前記導電半導体材料が同じ結晶構造を有し、前記導電半導体材料はドープされて導電特性を創出し、前記二種類の半導体材料の前記層配列が前記半導体材料の前記層内で量子井戸を創出することによって複数のn型及びp型の熱電素子を製造するステップと、
B)前記n型及び前記p型の熱電素子を結合して前記熱電装置を形成するステップと、
を備える熱電装置を製造する方法。 - 前記基板はポリイミドを含む請求項8に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/192,097 | 1998-11-13 | ||
US09/192,098 US6096965A (en) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | Quantum well thermoelectric material on organic substrate |
US09/192,097 US6096964A (en) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | Quantum well thermoelectric material on thin flexible substrate |
US09/192,098 | 1998-11-13 | ||
PCT/US1999/026996 WO2000030185A1 (en) | 1998-11-13 | 1999-11-12 | Quantum well thermoelectric material on very thin substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002530874A JP2002530874A (ja) | 2002-09-17 |
JP4903307B2 true JP4903307B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=26887722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000583095A Expired - Fee Related JP4903307B2 (ja) | 1998-11-13 | 1999-11-12 | 極薄基板上の量子井戸熱電材料 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1155460A4 (ja) |
JP (1) | JP4903307B2 (ja) |
AU (1) | AU1723800A (ja) |
WO (1) | WO2000030185A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060024779A (ko) * | 2003-05-23 | 2006-03-17 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 열전 장치 및 그 제조 방법 |
WO2006001827A2 (en) | 2003-12-02 | 2006-01-05 | Battelle Memorial Institute | Thermoelectric devices and applications for the same |
US8455751B2 (en) | 2003-12-02 | 2013-06-04 | Battelle Memorial Institute | Thermoelectric devices and applications for the same |
US7834263B2 (en) | 2003-12-02 | 2010-11-16 | Battelle Memorial Institute | Thermoelectric power source utilizing ambient energy harvesting for remote sensing and transmitting |
US7851691B2 (en) | 2003-12-02 | 2010-12-14 | Battelle Memorial Institute | Thermoelectric devices and applications for the same |
US6987329B1 (en) * | 2004-08-03 | 2006-01-17 | Harris Corporation | Fuel flexible thermoelectric micro-generator with micro-turbine |
US8658880B2 (en) | 2005-12-09 | 2014-02-25 | Zt3 Technologies, Inc. | Methods of drawing wire arrays |
US7767564B2 (en) | 2005-12-09 | 2010-08-03 | Zt3 Technologies, Inc. | Nanowire electronic devices and method for producing the same |
US7559215B2 (en) | 2005-12-09 | 2009-07-14 | Zt3 Technologies, Inc. | Methods of drawing high density nanowire arrays in a glassy matrix |
US20080000880A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Bao Feng | System and method for treating a coating on a substrate |
US20080017238A1 (en) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Caterpillar Inc. | Thermoelectric device |
US20090084421A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Battelle Memorial Institute | Thermoelectric devices |
WO2010004360A1 (en) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Sige matrix nanocomposite materials with an improved thermoelectric figure of merit |
CN101521259B (zh) * | 2009-01-20 | 2010-09-15 | 深圳大学 | 一种薄膜温差电池及其制作方法 |
FR2946798B1 (fr) | 2009-06-12 | 2011-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Micro-structure pour generateur thermoelectrique a effet seebeck et procede de fabrication d'une telle micro- structure. |
DE102009045208A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Micropelt Gmbh | Thermoelektrisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes |
US8779276B2 (en) * | 2011-07-14 | 2014-07-15 | Sony Corporation | Thermoelectric device |
WO2013119293A2 (en) * | 2011-11-22 | 2013-08-15 | Research Triangle Institute | Nanoscale, ultra-thin films for excellent thermoelectric figure of merit |
CN111816753B (zh) * | 2019-06-18 | 2022-07-12 | 桂林电子科技大学 | 一种纸基底碲化铋基纳米线柔性热电偶型温度传感器的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5436467A (en) * | 1994-01-24 | 1995-07-25 | Elsner; Norbert B. | Superlattice quantum well thermoelectric material |
US5550387A (en) * | 1994-01-24 | 1996-08-27 | Hi-Z Corporation | Superlattice quantum well material |
JPH09107129A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Sharp Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
WO1998042033A1 (en) * | 1997-03-17 | 1998-09-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Si/SiGe SUPERLATTICE STRUCTURES FOR USE IN THERMOELECTRIC DEVICES |
JPH11274581A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | 熱電変換素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5415699A (en) * | 1993-01-12 | 1995-05-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric cooling materials |
DE29723309U1 (de) * | 1997-03-06 | 1998-09-10 | D.T.S. Gesellschaft zur Fertigung von Dünnschicht-Thermogenerator-Systemen mbH, 06118 Halle | Kompakter Niederleistungs-Thermogenerator |
US6300150B1 (en) * | 1997-03-31 | 2001-10-09 | Research Triangle Institute | Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same |
-
1999
- 1999-11-12 WO PCT/US1999/026996 patent/WO2000030185A1/en active Application Filing
- 1999-11-12 AU AU17238/00A patent/AU1723800A/en not_active Abandoned
- 1999-11-12 JP JP2000583095A patent/JP4903307B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-12 EP EP99960340A patent/EP1155460A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5436467A (en) * | 1994-01-24 | 1995-07-25 | Elsner; Norbert B. | Superlattice quantum well thermoelectric material |
US5550387A (en) * | 1994-01-24 | 1996-08-27 | Hi-Z Corporation | Superlattice quantum well material |
JPH09107129A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Sharp Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
WO1998042033A1 (en) * | 1997-03-17 | 1998-09-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Si/SiGe SUPERLATTICE STRUCTURES FOR USE IN THERMOELECTRIC DEVICES |
JPH11274581A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | 熱電変換素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002530874A (ja) | 2002-09-17 |
EP1155460A4 (en) | 2006-12-06 |
WO2000030185A8 (en) | 2000-09-21 |
AU1723800A (en) | 2000-06-05 |
EP1155460A1 (en) | 2001-11-21 |
WO2000030185A1 (en) | 2000-05-25 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110214 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110304 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |