JP4899620B2 - バストレース方式 - Google Patents

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Description

本発明は、メモリアクセス状態をモニターするバストレース方式に関し、特にSDRAM(Synchronous-DRAM)やDDR−SDRAM(Dual Data Rate SDRAM)などの高速メモリのバストレース方式に関する。
近年、携帯電話や通信機能を有する携帯機器は、機能、性能の向上により、ソフトウェア、ハードウェア共に大規模化、複雑化する傾向にあり、その為、従来システムに比べ問題の解析が難解となっている。このようなシステムの問題解析にはソフトウェアの実行状態から原因を調査する手法が効果的であり、それにはメモリアクセス状態をモニターする手法が解析手段として用いられることが多い(特許文献1〜2)。
しかし、システムの性能向上に伴いメモリのアクセススピードも高速化しており、SDRAMやDDR−SDRAM等の高速メモリが頻繁に使用されようになった為、CPUからこれらの高速メモリへのアクセスを外部でモニターすることが難しくなっている。高性能の通信機器システムの開発には、このようにCPUからの高速メモリへのアクセスをモニターする手法を確立する必要がある。
一方、近年、CPUやシステムLSI等の制御LSIに、高速メモリと低速メモリを接続し、高速メモリへのアクセスを制御する高速メモリ制御部と、低速メモリへのアクセスを制御する低速メモリ制御部を設けることにより、メモリデバイスを最適化してシステム全体のパフォーマンスを損ねることなく、メモリの大容量化を実現する方法が提案されている(特許文献3〜6参照)。
特開平8−63374号公報 特開2000−194580号公報 特開平11−85611号公報 特開2001−188715号公報 特開2003−256272号公報 特開2005−267369号公報
通常、制御LSIによるSDRAMやDDR−SDRAM等の高速メモリ I/Fのアクセス時の波形をオシロスコープやロジックアナライザ等の測定機器で測定すると、測定器のプローブが持つ寄生容量の為、測定する制御LSIとメモリ間の信号の負荷容量が増加して波形が鈍り、信号のタイミングが規定外となって高速メモリに正常にアクセス出来なくなり、前記したように、CPUからこれらの高速メモリへのアクセスを外部でモニターすることが難しくなっている。
また、基板上に測定器を接続するコネクタ、端子、パット等の測定ポイントを設置する場合、CPUやシステムLSIとメモリ間の配線パターンが長くなって配線容量が増加し、これらのメモリアクセス信号をメモリや制御LSIのタイミング規定内に収めることが難しくなる。
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、CPUやシステムLSI等の制御LSIから高速メモリへのアクセスを、測定器のプローブ等の影響を受けることなく外部で容易にモニターすることを可能にする手段を提供することにある。
本発明のデータトレース方法は、最近のCPUやシステムLSI等の制御LSIには、高速メモリと低速メモリが接続され、それによりメモリデバイスを最適化してシステム全体の性能向上を図るケースが多い点に着目し、高速メモリと低速メモリを接続するための高速メモリI/Fと低速メモリI/Fの双方を有する制御LSIにおいて、高速メモリの特定範囲内のアドレスに対するアクセス時に、前記高速メモリのアクセス情報(アドレス、データ、ステータス信号)を、前記低速メモリI/Fを介して前記高速メモリのアクセス状態をモニターする信号として同時に出力することを特徴としている。
本発明では、CPUから高速メモリへのアクセス状態をモニターする際に、CPUから高速メモリの経路から直接モニターしていないので、前記高速メモリのアクセス状態をモニターするために接続される測定器等が高速メモリの動作に影響を及ぼすことがない。
また本発明の他のデータトレース方法は、高速メモリと低速メモリを接続するための高速メモリI/Fと低速メモリI/Fの双方を有する制御LSIにおいて、高速メモリの特定範囲内のアドレスに対するアクセス時に、前記高速メモリのアクセス情報(アドレス、データ、ステータス信号)を、前記低速メモリI/Fを介して低速メモリI/Fのフォーマットに変換し、前記高速メモリのアクセス状態をモニターする信号として同時に出力することを特徴としている。
低速メモリI/Fはアクセススピードが遅い為、低速メモリI/Fにオシロスコープやロジックアナライザ等の測定機器が接続され波形が鈍っても、メモリや制御LSIのタイミング規定を満足することが出来るので、このI/Fの信号を測定器で観測することが可能となる。従って、本発明により、クリティカルなタイミングの高速メモリ I/Fのアクセスをオシロスコープやロジックアナライザ等の測定機器で容易に測定することが可能となる。
また本発明のデータトレース方式は、SDRAMやDDR−SDRAMなどの高速メモリと、SRAMやFlash ROMなどの低速メモリの、双方のI/Fを有するCPUやシステムLSI等の制御LSIにおいて、高速メモリの特定範囲内のアドレスに対するアクセス時に、前記高速メモリI/Fを介して入出力されるアクセス情報(アドレス、データ、ステータス信号)を、前記高速メモリのアクセス状態をモニターする信号として前記低速メモリI/Fから同時に出力する手段を備えていることを特徴としている。
また本発明の他のデータトレース方式は、SDRAMやDDR−SDRAMなどの高速メモリと、SRAMやFlash ROMなどの低速メモリの、双方のI/Fを有するCPUやシステムLSI等の制御LSIにおいて、高速メモリの特定範囲内のアドレスに対するアクセス時に、前記高速メモリI/Fを介して入出力されるアクセス情報(アドレス、データ、ステータス信号)を、前記高速メモリのアクセス状態をモニターする信号として前記低速メモリI/Fから低速メモリI/Fのフォーマットに変換して同時に出力する手段を備えていることを特徴としている。
本発明のシステムLSIは、高速メモリI/Fおよび低速メモリI/Fと、該高速メモリI/Fおよび低速メモリI/Fを介して接続された高速メモリ及び低速メモリにアクセスして所定の制御を実行するCPUを有しており、前記CPUから前記高速メモリおよび低速メモリにアクセスするための内部CPUバスと、前記内部CPUバスと接続されて前記高速メモリにアクセスするための高速メモリバスと、前記内部CPUバスと接続されて前記低速メモリにアクセスするための低速メモリバスと、前記内部CPUバスを前記高速メモリバスと低速メモリバスのいずれか一方に切替接続するメモリバス切替部と、前記内部CPUバスに出力されたアドレスデータを判定して、前記メモリバス切替部を前記高速メモリバスと低速メモリバスのいずれか一方に切替制御するアドレスデコード部と、接続制御信号を受けて前記高速メモリバス上のアクセス信号を前記高速メモリのアクセス状態をモニターする信号として前記低速メモリバスへ接続するバストレース信号切替部と、前記内部CPUバスに出力されたアドレスデータと前記高速メモリのアクセス状態をモニターするために予め設定されたアドレスデータを比較し、両者が一致したときに前記バストレース信号切替部へ前記接続制御信号を出力するアドレス比較部と、を備えていることを特徴とする。
また、上記構成のシステムLSIに、前記高速メモリバス上に配置されて、前記CPUから前記高速メモリへのアクセスに対し、前記高速メモリI/Fに合わせたアクセス信号に変換する高速メモリ制御部と、前記低速メモリバス上に配置されて、前記CPUから前記低速メモリへのアクセスに対し、前記低速メモリI/Fに合わせたアクセス信号に変換する低速メモリ制御部を設け、前記バストレース信号切替部を、前記高速メモリ制御部および前記低速メモリ制御部の出力側に接続することにより、前記バストレース信号として前記高速メモリI/Fに合わせたアクセス信号を出力する構成として実現することができる。
あるいは、前記高速メモリバス上に配置されて、前記CPUから前記高速メモリへのアクセスに対し、前記高速メモリI/Fに合わせたアクセス信号に変換する高速メモリ制御部と、前記低速メモリバス上に配置されて、前記CPUから前記低速メモリへのアクセスに対し、前記低速メモリI/Fに合わせたアクセス信号に変換する低速メモリ制御部を設け、前記バストレース信号切替部を、前記高速メモリ制御部および前記低速メモリ制御部の入力側に接続することにより、前記バストレース信号として前記低速メモリI/Fに合わせたアクセス信号を出力する構成として実現することができる。
その際、前記アドレス比較部から前期バストレース信号切替部に対して前記接続制御信号が出力されたことを検出して、前記CPUに、前記低速メモリI/Fに合わせたアクセス信号のトレース期間が終了するまで、次のアクセスサイクルを延期させるための制御信号を出力するWait回路を備えた構成とすることもできる。
本発明は、SDRAM、DDR−SDRAM等の高速メモリへのアクセス出力を、低速メモリI/Fへ同時に出力してモニターするので、高速メモリの動作に遜色なく、又、基板上に高速メモリの波形を測定する為の測定器を接続するコネクタ、端子、パット等の測定ポイントを設置する必要もなく、高速メモリへのアクセス状態をオシロスコープやロジックアナライザ等の測定器を用いて、容易に観測することが可能となる。
図1は、本発明の実施形態を示す概略ブロック図である。
本実施形態のシステムは、制御LSI(010)、高速メモリ(020)、および低速メモリ(021)で構成され、制御LSI(010)には、高速メモリ(020)および低速メモリ(021)にアクセスして所望の制御を実行するCPU(011)が設けられている。
また制御LSI(010)には、CPU(011)が高速メモリ(020)および低速メモリ(021)にアクセスするための、内部CPUバス(016)、高速メモリバス(017)、および低速メモリバス(018)と、内部CPUバス(016)を高速メモリバス(017)と低速メモリバス(018)のいずれかに切替接続するメモリバス切替部(012)と、内部CPUバス(016)に出力されたアドレスデータが高速メモリ(020)のアドレスか低速メモリ(021)のアドレスかを判定してメモリバス切替部(012)の切替制御を行うアドレスデコード部(013)と、高速メモリバス(017)へのアクセス信号を低速メモリバス(018)へ接続するバストレース信号切替部(015)と、内部CPUバス(016)に出力されたアドレスデータとモニターするために予め設定されたアドレスデータを比較するアドレス比較部(014)と、内部CPUバス(016)に出力されたアドレスデータが高速メモリ(020)のアドレスであって、かつアドレス比較部(014)からモニターアドレスであることを示す信号が出力されているときにバストレース信号切替部(015)により高速メモリバス(017)と低速メモリバス(018)を接続するための信号を出力するANDゲート(019)が設けられている。
次に、本実施形態の動作について説明する。
CPU(011)から高速メモリ(020)へアクセスする場合、CPU(011)から高速メモリ(020)がマッピングされているアドレス内の特定のアドレスとステータスを内部CPUバス(016)に出力する。アドレスデコード部(013)は、このアドレスから高速メモリ(020)へのアクセスであることを判断し、メモリバス切替部(012)を制御して内部CPUバス(016)と高速メモリバス(017)を接続する。これにより、CPU(011)と高速メモリ(020)がバスにより接続され、CPU(011)による高速メモリ(020)のアクセスが可能となる。
また、CPU(011)から低速メモリ(021)へのアクセスも、高速メモリ(020)へのアクセスの場合と同様であり、アドレスデコード部(013)で低速メモリ(021)へのアクセスであることを判断し、メモリバス切替部(012)で内部CPUバス(016)と低速メモリバス(018)を接続することで、CPU(011)による低速メモリ(021)のアクセスが可能となる。
高速メモリ(020)の特定のアドレスに対するアクセス波形を制御LSI(010)の外部で観測する場合は、波形観測対象のアドレスをアドレス比較部(014)で判断し、高速メモリ(020)のアドレスへのアクセスとして波形観測対象のアドレスが発生した場合、アドレス比較部(014)とANDゲート(019)によりバストレース信号切替部(015)を制御して、高速メモリバス(017)と低速メモリバス(018)を接続する。
これによりCPU(011)から高速メモリ(020)へのアクセス信号が、高速メモリバス(017)→バストレース信号切替部(015)→低速メモリバス(018)経由で制御LSI(010)の外部へ出力され、高速メモリ(020)へのアクセス状態を低速メモリ側で観測することが可能となる。
図2は、本実施形態の一実施例を示すブロック図であり、図3は、本実施例の動作のタイミングを示すタイムチャートである。
本実施例のシステムは、システムLSI(100)と高速メモリであるSDRAM(130)、低速メモリであるBurst ROM(131)で構成される。システムLSI(100)は、システム全体の制御を司るCPU(101)と、その周辺回路であるPeripheral部(120)、および外部メモリを制御するメモリ制御部(110)で構成される。
メモリ制御部(110)は、CPU(101)からのメモリアクセス時に出力されるアドレスをデコードし、そのアクセスがSDRAM(130)かBurst ROM(131)かを判断するアドレスデコード部(111)と、CPU(101)が各構成要素にアクセスする為のバス信号である内部CPUバス(016)をSDRAM(130)と接続するための内部SDRAMバス(115)又はBurst ROM(131)と接続するための内部Burst ROMバス(116)のどちらかへ接続を切り替えるメモリバス切替部(114)と、CPU(101)からSDRAM(130)のアクセスに対し、SDRAM(130)のI/Fにあわせ、アドレス、データのフォーマット変換やタイミング生成等、SDRAM(130)への信号を生成するSDRAM制御部(117)と、SDRAM制御部(117)と同様にBusrt ROM(131)の信号を生成するBurst ROM制御部(118)から構成される。
本実施例のメモリ制御部(110)は更に、CPU(101)のメモリアクセスに対し、トレースするアドレスを格納するトレースアドレス格納部(113)と、トレースアドレス格納部(113)に格納されているアドレスとCPU(101)がメモリアクセスする際のアドレスを比較するアドレス比較部(112)と、メモリ制御部(110)内でSDRAM(130)に繋がるバスとBurst ROM(131)に繋がるバスを接続、切り離し可能にするバストレース信号切替部(119)と、内部CPUバス(016)に出力されたアドレスデータがSDRAM(130)のアドレスであって、かつアドレス比較部(014)からモニターアドレスであることを示す信号が出力されているときにバストレース信号切替部(119)によりSDRAM(130)に繋がるバスとBurst ROM(131)に繋がるバスを接続するための信号を出力するANDゲート(121)を備えており、メモリ制御部(110)内で、SDRAM(130)に繋がるバスとBurst ROM(131)に繋がるバスがバストレース信号切替部(119)で接続、切り離しが可能となっている。ただしトレースに不要なチップセレクト信号(CS_SDR)やCommandの信号の一部はバストレース信号切替部(119)では接続されない。
次に本実施例の動作について、図2〜図3を参照して説明する。
CPU(101)からSDRAM(130)へアクセスする場合、CPU(101)からSDRAM(130)がマッピングされているアドレス内の特定のアドレスとステータスを内部CPUバス(016)に出力する。アドレスデコード部(111)は、このアドレスからSDRAM(130)へのアクセスであることを判断し、メモリバス切替部(114)を制御して内部CPUバス(016)と内部SDRAMバス(115)を接続する。
これにより、CPU(101)とSDRAM制御部(117)が接続され、CPU(101)によりSDRAM(130)のアクセスが可能となる。SDRAM制御部(117)は、CPU(101)からのアドレス、ステータス信号から、図3のSDRAMとレースアドレス外のアクセス期間に示されているような、SDRAM(130)のI/Fに合った信号やそのタイミングを生成し、SDRAM(130)のアクセスを行う。
CPU(101)からBurst ROM(131)へアクセスする場合は、SDRAM(130)へアクセスと同様にアドレスデコード部(111)でBurst ROM(131)のアクセスを判断し、メモリバス切替部(114)で内部CPUバス(016)と内部Burst ROMバス(116)を接続することで可能となる。Burst ROM制御部(118)は、CPU(101)からのアドレス、ステータス信号から、図3のBurst ROMアクセス期間に示されているような、Burst ROM(131)のI/Fに合った信号やそのタイミングを生成し、Burst ROM(131)のアクセスを行う。
次に、SDRAM(130)の特定のアドレスに対するアクセス波形をシステムLSI(100)の外部で観測する場合、たとえばメモリマップでBurst ROM(131)の領域がアドレス0000(hex)番地からFFF(hex)番地、SDRAM(130)の領域が1000(hex)番地から1FFF(hex)番地と定義されており、SDRAM(130)の1500(hex)番地のアクセスをトレースしたい時は、まずCPU(101)よりトレースアドレス格納部(113)にトレースするアドレス、1500(hex)番地を書き込む。
CPU(101)から1500(hex)番地にアクセスすると、内部CPUバス(016)にこのアドレス1500(hex)番地が出力され、これをアドレス比較部(112)が判断し、アドレス比較部(112)からANDゲート121経由でバストレース信号切替部(119)に対して、SDRAM(130)に繋がるバスとBurst ROM(131)に繋がるバスを接続するための制御信号が出力される。バストレース信号切替部(119)はこの制御信号を受けて、SDRAM(130)のバスとBurst ROM(131)のバスを接続する。これにより、図3のSDRAMトレースアドレスへのアクセス期間に示されているように、CPU(101)からSDRAM(130)へのアクセスがシステムLSI(100)外部のBurst ROMの信号に出力される。
この際、バストレース信号切替部(119)ではSDRAM(130)のチップセレクト信号であるCS_SDRが接続されておらず、Burst ROM(131)へのチップセレクト信号であるCS_ROMはアクティブにならないので、Burst ROM(131)は活性化されず、従ってBurst ROM(131)は何も動作はしない。
図3では、Burst ROM(131)へのアクセス[0(hex)番地]→SDRAM(130)へのアクセス[1500(hex)番地]→SDRAM(130)へのアクセス[1000(hex)番地]の一連の動作のタイミングを示しているが、SDRAM(130)の1500(hex)番地をアクセスしたきにトレースが実行され、CPU(101)からSDRAM(130)の1500(hex)番地へのアクセス信号が、SDRAM(130)のバス→バストレース信号切替部(119)→Burst ROM(131)のバス経由でシステムLSI(100)の外部へ出力され、SDRAM(130)へのアクセス状態を、SDRAM(130)の動作に影響を及ぼすことなく、Burst ROM(131)側で観測することが可能となる。
図4は、本発明の実施形態における他の実施例を示すブロック図である。
本実施例では、バストレース信号切替部(119)をSDRAM制御部(117)、Burst ROM制御部(118)の入力側に設置している点、およびトレース期間を延長するためのWait回路(122)を追加している点で、図2に示す実施例と異なるが、その他の構成は図2に示す実施例と同様である。
本実施例においては、バストレース信号切替部(119)がSDRAM制御部(117)、Burst ROM制御部(118)の入力側に設置されているので、図3に示すタイミングチャートにおいて、SDRAMとレースアドレス(1500(hex)番地)へのアクセス期間に内部SDRAMバス(115)からバストレース信号切替部(119)経由で内部Burst ROMバス(116)に出力されるSDRAM(130)へのアクセス信号は、Burst ROM制御部(118)によって、図3のBurst ROMアクセス期間に示されているような、Burst ROM(131)のフォーマット、タイミングに変換されて出力される。
従って、SDRAM(130)へのトレース信号を、Burst ROM(131)の低速なフォーマット、タイミングに変換して外部測定器へ出力することができ、測定器での外部観測がより行いやすくなる。ただし、図3に示すように、SDRAM(130)とBurst ROM(131)ではアクセス時間が異なるので、次のアクセスサイクルまで、トレース期間を延長する必要があり、そのためのWait回路(122)が追加される。
Wait回路(122)は、アドレス比較部(112)からバストレース信号切替部(119)に対して、内部SDRAMバス(115)と内部Burst ROMバス(116)を接続するための制御信号が出力されたことを検出すると、CPU(101)に対して、Burst ROM(131)のフォーマット、タイミングに変換されたSDRAM(130)へのアクセス信号のトレース期間が終了するまで、次のアクセスサイクルを延期させるための制御信号を出力する。
CPU(101)はこの制御信号を受けて、SDRAM(130)の[1500(hex)番地]のアクセス信号に対して、Burst ROM制御部(118)がBurst ROM(131)のフォーマット、タイミングに変換したトレース信号の出力を終了した後に、次のSDRAM(130)へのアクセス[1000(hex)番地]を実行する。
本発明の実施形態を示す概略ブロック図である。 本実施形態の一実施例を示すブロック図である。 本実施例の動作のタイミングを示すタイムチャートである。 本実施形態の他の実施例を示すブロック図である。
符号の説明
010 制御LSI
011 CPU
012 メモリバス切替部
013 アドレスデコード部
014 アドレス比較部
015 バストレース信号切替部
016 内部CPUバス
017 高速メモリバス
018 低速メモリバス
019 ANDゲート
100 システムLSI
101 CPU
110 メモリ制御部
111 アドレスデコード部
112 アドレス比較部
113 トレースアドレス格納部
114 メモリバス切替部
115 内部SDRAMバス
116 内部Burst ROMバス
117 SDRAM制御部
118 Burst ROM制御部
119 バストレース信号切替部
120 Peripheral部
121 ANDゲート
122 WAIT回路
130 SDRAM
131 Burst ROM

Claims (9)

  1. 高速メモリと低速メモリを接続するための高速メモリI/Fと低速メモリI/Fの双方を有する制御LSIにおけるデータトレース方法であって、
    高速メモリの特定範囲内のアドレスに対するアクセス時に、前記高速メモリのアクセス情報(アドレス、データ、ステータス信号)を、前記低速メモリI/Fを介して前記高速メモリのアクセス状態をモニターする信号として同時に出力することを特徴とするデータトレース方法。
  2. 高速メモリと低速メモリを接続するための高速メモリI/Fと低速メモリI/Fの双方を有する制御LSIにおけるデータトレース方法であって、
    高速メモリに対する特定の範囲内のアクセス時に、前記高速メモリのアクセス情報(アドレス、データ、ステータス信号)を、前記低速メモリI/Fを介して低速メモリI/Fのフォーマットに変換し、前記高速メモリのアクセス状態をモニターする信号として同時に出力することを特徴とするデータトレース方法。
  3. 高速メモリI/Fと低速メモリI/Fの双方を有する制御LSIにおけるバストレース方式において、
    高速メモリアクセス時に前記高速メモリI/Fを介して入出力される前記高速メモリに対する特定の範囲内のアクセス情報(アドレス、データ、ステータス信号)を、前記高速メモリのアクセス状態をモニターする信号として前記低速メモリI/Fから同時に出力する手段を備えていることを特徴とするバストレース方式。
  4. 高速メモリI/Fと低速メモリI/Fの双方を有する制御LSIにおけるバストレース方式において、
    高速メモリの特定範囲内のアドレスに対するアクセス時に、前記高速メモリI/Fを介して入出力されるアクセス情報(アドレス、データ、ステータス信号)を、前記高速メモリのアクセス状態をモニターする信号として前記低速メモリI/Fから低速メモリI/Fのフォーマットに変換して同時に出力する手段を備えていることを特徴とするバストレース方式。
  5. 高速メモリI/Fおよび低速メモリI/Fと、該高速メモリI/Fおよび低速メモリI/Fを介して接続された高速メモリ及び低速メモリにアクセスして所定の制御を実行するCPUを有するシステムLSIにおいて、
    前記CPUから前記高速メモリおよび低速メモリにアクセスするための内部CPUバスと、
    前記内部CPUバスと接続されて前記高速メモリにアクセスするための高速メモリバスと、
    前記内部CPUバスと接続されて前記低速メモリにアクセスするための低速メモリバスと、
    前記内部CPUバスを前記高速メモリバスと低速メモリバスのいずれか一方に切替接続するメモリバス切替部と、
    前記内部CPUバスに出力されたアドレスデータを判定して、前記メモリバス切替部を前記高速メモリバスと低速メモリバスのいずれか一方に切替制御するアドレスデコード部と、
    接続制御信号を受けて前記高速メモリバス上のアクセス信号を前記高速メモリのアクセス状態をモニターする信号として前記低速メモリバスへ接続するバストレース信号切替部と、
    前記内部CPUバスに出力されたアドレスデータと前記高速メモリのアクセス状態をモニターするために予め設定されたアドレスデータを比較し、両者が一致したときに前記バストレース信号切替部へ前記接続制御信号を出力するアドレス比較部と、
    を備えていることを特徴とするシステムLSI。
  6. 前記高速メモリバス上に配置されて、前記CPUから前記高速メモリへのアクセスに対し、前記高速メモリI/Fに合わせたアクセス信号に変換する高速メモリ制御部と、
    前記低速メモリバス上に配置されて、前記CPUから前記低速メモリへのアクセスに対し、前記低速メモリI/Fに合わせたアクセス信号に変換する低速メモリ制御部と、
    を備えており、前記バストレース信号切替部は、前記高速メモリ制御部および前記低速メモリ制御部の出力側に接続され、前記バストレース信号として前記高速メモリI/Fに合わせたアクセス信号が出力されていることを特徴とする請求項5に記載のシステムLSI。
  7. 前記高速メモリバス上に配置されて、前記CPUから前記高速メモリへのアクセスに対し、前記高速メモリI/Fに合わせたアクセス信号に変換する高速メモリ制御部と、
    前記低速メモリバス上に配置されて、前記CPUから前記低速メモリへのアクセスに対し、前記低速メモリI/Fに合わせたアクセス信号に変換する低速メモリ制御部と、
    を備えており、前記バストレース信号切替部は、前記高速メモリ制御部および前記低速メモリ制御部の入力側に接続され、前記バストレース信号として前記低速メモリI/Fに合わせたアクセス信号が出力されていることを特徴とする請求項5に記載のシステムLSI。
  8. 前記アドレス比較部から前記バストレース信号切替部に対して前記接続制御信号が出力されたことを検出して、前記CPUに、前記低速メモリI/Fに合わせたアクセス信号のトレース期間が終了するまで、次のアクセスサイクルを延期させるための制御信号を出力するWait回路を備えていることを特徴とする請求項7に記載のシステムLSI。
  9. 前記高速メモリのアクセス状態をモニターするために予め設定されたアドレスデータを格納するトレースアドレス格納部を備えていることを特徴とする請求項5〜8のいずれか1項に記載のシステムLSI。
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