以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本発明は、図示例に限定されるものではない。
[第1の実施の形態]
まず、本発明の第1の実施の形態を説明する。
図1は、第1の実施の形態における携帯端末100の全体ブロック図である。図1に示すように、携帯端末100は、主電源1、緊急用電源2、ダイオード3,4、検出器5、制御部6、Flash ROM7、デバイス8,9、スイッチ10,11、メモリ12、充電回路13を備える。
主電源1は、通常時に、電源ライン101、ダイオード3、電源ライン103,104,105,106を介して、制御部6、Flash ROM7、デバイス8,9に電源供給を行う。
緊急用電源2は、電気二重層コンデンサ、タンタル電解コンデンサ等のコンデンサで構成されている。緊急用電源2は、主電源1の電圧が予め定められている規定電圧より低くなった場合に、電源ライン102、ダイオード4、電源ライン103,104,105,106を介して、制御部6、Flash ROM7、デバイス8,9に電源供給を行う。ここで、規定電圧とは、制御部6、Flash ROM7、デバイス8,9を正常に動作させることが可能な電圧の下限値をいう。
ダイオード3は、主電源1の電圧が緊急用電源2の電圧より低くなった時の逆流電流を防止する。ダイオード4は、緊急用電源2の電圧が主電源1の電圧より低い時の逆流電流を防止する。
検出器5は、信号ライン107を介して接続された主電源1の電圧が規定電圧以上であるか、あるいは、規定電圧より低いかを示す検出信号を、信号ライン108を介して制御部6に出力する。具体的には、検出器5は、主電源1の電圧が規定電圧以上の場合にはH信号、規定電圧より低い場合にはL信号を出力する。
制御部6は、携帯端末100の各部の処理動作を統括的に制御する。制御部6は、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)及びROM(Read Only Memory)等を備えて構成され、CPUは、ROMに記憶されているシステムプログラム及び各種アプリケーションプログラムの中から指定されたプログラムを読み出してRAMに展開し、RAMに展開されたプログラムとの協働により、各種処理を実行する。
制御部6は、検出器5から主電源1の電圧が規定電圧より低いことを示す検出信号が出力された場合に、デバイス8,9の動作状態に基づいて、信号ライン109を介してFlash ROM7からデバイス8,9の動作状態に対応するサスペンド条件を読み出し、読み出されたサスペンド条件に基づいて、デバイス8,9に対してサスペンド処理を実行する。サスペンド処理とは、次回起動時にその状態から作業を再開することができるように、動作中のデバイス8,9の電源を切断する直前の状態を保存してから電源を切断する処理をいう。また、サスペンド条件とは、サスペンド処理を実行する際の条件をいい、以下、サスペンド条件としてCPU速度を例にして説明する。なお、携帯端末100では、CPU速度を「高速」、「標準」、「低速」の3段階に設定可能とする。
Flash ROM7には、図2に示すように、デバイス8,9の動作状態毎に、サスペンド処理における緊急用電源2の電圧降下量が最も小さくて済むCPU速度A1,A2,A3を対応付けたCPU速度対応テーブル71が記憶されている。例えば、デバイス8のみが動作している場合には、CPU速度A1でサスペンド処理を行えばよい。なお、CPU速度対応テーブル71のデータは予め設定されたものであり、携帯端末100にFlash ROM7が搭載される前に、Flash ROM7に書き込まれている。
なお、デバイス8,9は、表示デバイスとしてLCDモジュール、無線デバイスとして無線LANモジュールやBTモジュール、記憶デバイスとして各種メモリカード(SDカード,CFカード等)が考えられるが、デバイスの種類はこれらに限定されない。
ここで、CPU速度対応テーブル71の設定方法を説明する。
図3に、デバイス8,9の動作状態毎、CPU速度毎(高速・標準・低速)のサスペンド処理における消費電流B1〜B9を示す。図3に示すように、デバイス8のみが動作している状態でCPU速度を「高速」、「標準」、「低速」にしてサスペンド処理を実行する場合の消費電流は、それぞれ、B1、B2、B3である。また、デバイス9のみが動作している状態でCPU速度を「高速」、「標準」、「低速」にしてサスペンド処理を実行する場合の消費電流は、それぞれ、B4、B5、B6である。また、デバイス8及びデバイス9が動作している状態でCPU速度を「高速」、「標準」、「低速」にしてサスペンド処理を実行する場合の消費電流は、それぞれ、B7、B8、B9である。
また、図4に、デバイス8,9の動作状態毎、CPU速度毎(高速・標準・低速)のサスペンド処理における処理時間C1〜C9を示す。図4に示すように、デバイス8のみが動作している状態でCPU速度を「高速」、「標準」、「低速」にしてサスペンド処理を実行する場合の処理時間は、それぞれ、C1、C2、C3である。また、デバイス9のみが動作している状態でCPU速度を「高速」、「標準」、「低速」にしてサスペンド処理を実行する場合の処理時間は、それぞれ、C4、C5、C6である。また、デバイス8及びデバイス9が動作している状態でCPU速度を「高速」、「標準」、「低速」にしてサスペンド処理を実行する場合の処理時間は、それぞれ、C7、C8、C9である。
また、緊急用電源2のコンデンサ容量をD1とし、緊急用電源2の内部抵抗をE1とする。
サスペンド処理における緊急用電源2の電圧降下量ΔVは、式(1)により算出される。
ΔV=I×R+(I×T)/C (1)
ここで、Iは消費電流、Tは処理時間、Cは緊急用電源2のコンデンサ容量、Rは緊急用電源2の内部抵抗である。
式(1)の消費電流IにB1〜B9を、処理時間TにC1〜C9を、緊急用電源2のコンデンサ容量CにD1を、緊急用電源2の内部抵抗RにE1を代入することにより、デバイス8,9の動作状態毎に、各CPU速度でサスペンド処理を実行する場合の電圧降下量をそれぞれ算出する。そして、デバイス8,9の動作状態毎に、緊急用電源2の電圧降下量が最も小さくて済むCPU速度を決定し、決定されたCPU速度をA1,A2,A3として、予めCPU速度対応テーブル71に記憶させておく。
デバイス8,9は、主電源1からの電源供給が切断された際にサスペンド処理を実行する必要のあるデバイスである。デバイス8,9は、信号ライン110,111を介して制御部6から制御される。なお、図1では、主電源1からの電源供給が切断された際に、サスペンド処理及びその間の電源供給を必要としないデバイスは、記載を省略している。
スイッチ10は、制御部6から信号ライン112を介して出力される電源供給信号に基づいて、デバイス8への電源供給をオン/オフするためのスイッチである。
スイッチ11は、制御部6から信号ライン113を介して出力される電源供給信号に基づいて、デバイス9への電源供給をオン/オフするためのスイッチである。
メモリ12は、デバイス8,9の状態を保存するためのデータを記憶するものであって、不揮発性のメモリや、図示しない電池により電源を供給されたRAM等が用いられる。メモリ12に対するデータの書き込み及び読み出しは、制御部6から信号ライン114を介して行われる。
充電回路13は、主電源1から電源ライン115を介して供給される電源によって緊急用電源2の充電を行う。
次に、図5に示す機能ブロック図を参照して、制御部6の機能を説明する。図5に示すように、制御部6は、主電源電圧レベル判断部61、サスペンド処理制御部62、デバイス制御部63,64を備えて構成される。なお、主電源電圧レベル判断部61、サスペンド処理制御部62、デバイス制御部63,64は、CPUと、ROMに記憶されているプログラムとの協働により実現される。
主電源電圧レベル判断部61は、信号ライン108を介して検出器5から出力される検出信号に基づいて、主電源1の電圧が規定電圧以上であるか、あるいは、規定電圧より低いかを判断する。
サスペンド処理制御部62は、主電源電圧レベル判断部61により主電源1の電圧が規定電圧より低いと判断された場合に、信号ライン110,111を介してデバイス8,9の動作状態を判別する。そして、サスペンド処理制御部62は、判別されたデバイス8,9の動作状態に基づいて、信号ライン109を介してFlash ROM7のCPU速度対応テーブル71からデバイス8,9の動作状態に対応するCPU速度を読み出す。
デバイス制御部63は、デバイス8が動作している場合に、サスペンド処理制御部62により読み出されたCPU速度に基づいて、デバイス8のサスペンド処理を実行する。具体的には、デバイス制御部63は、デバイス8の状態を示すデータをメモリ12に保存し、スイッチ10をオフし、デバイス8の電源を切断する。
デバイス制御部64は、デバイス9が動作している場合に、サスペンド処理制御部62により読み出されたCPU速度に基づいて、デバイス9のサスペンド処理を実行する。具体的には、デバイス制御部64は、デバイス9の状態を示すデータをメモリ12に保存し、スイッチ11をオフし、デバイス9の電源を切断する。
次に、携帯端末100における動作を説明する。
図6は、制御部6により実行される主電源切断時処理1を示すフローチャートである。
まず、携帯端末100のシステム動作中に(ステップS1)、主電源電圧レベル判断部61により、検出器5から出力される検出信号に基づいて、主電源1の電圧が規定電圧以上であるか、あるいは、規定電圧より低いかが判断される(ステップS2)。主電源1の電圧が規定電圧より低い場合は、何らかの原因により急に主電源1が外れた等、主電源1からの電源供給が切断されたと考えられる。主電源1の電圧が規定電圧以上である場合には(ステップS2;No)、ステップS1に戻る。
主電源1の電圧が規定電圧より低い場合には(ステップS2;Yes)、サスペンド処理を実行するための準備に移行し、サスペンド処理制御部62により、デバイス8,9の動作状態が判別される(ステップS3)。具体的には、制御部6がデバイス8,9と信号ライン110,111を介してデータのやりとりを行っているか否か、制御部6がスイッチ10,11に信号ライン112,113を介して電源供給信号を送っているか否か等に基づいて、デバイス8,9が動作しているか否かが判別される。
次に、サスペンド処理制御部62により、判別されたデバイス8,9の動作状態に基づいて、信号ライン109を介してFlash ROM7のCPU速度対応テーブル71(図2参照)から、デバイス8,9の動作状態に対応するCPU速度が読み出される(ステップS4)。具体的には、デバイス8のみが動作している場合にはCPU速度A1が読み出され、デバイス9のみが動作している場合にはCPU速度A2が読み出され、デバイス8及びデバイス9が動作している場合にはCPU速度A3が読み出される。
そして、デバイス制御部63,64により、読み出されたCPU速度でデバイス8,9のサスペンド処理が実行される(ステップS5)。デバイス8が動作中であった場合には、デバイス制御部63により、デバイス8の状態を示すデータがメモリ12に保存され、スイッチ10がオフされて、デバイス8の電源が切断される。また、デバイス9が動作中であった場合には、デバイス制御部64により、デバイス9の状態を示すデータがメモリ12に保存され、スイッチ11がオフされて、デバイス9の電源が切断される。
以上で、主電源切断時処理1が終了する。
(具体例1)
次に、具体的なCPU速度対応テーブル71の設定方法を説明する。ここで、B1=500mA、B2=300mA、B3=250mA、B4=200mA、B5=150mA、B6=100mA、B7=800mA、B8=600mA、B9=400mA、C1=150ms、C2=200ms、C3=250ms、C4=30ms、C5=40ms、C6=50ms、C7=200ms、C8=250ms、C9=300ms、D1=0.220F、E1=250mΩとする。
図7(a)に、デバイス8のみが動作している状態でサスペンド処理を実行する場合のCPU速度毎の電圧降下量の算出結果を示す。CPU速度が「高速」の場合には、消費電流I=500mA、処理時間T=150ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=250mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.466Vとなる。また、CPU速度が「標準」の場合には、消費電流I=300mA、処理時間T=200ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=250mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.348Vとなる。また、CPU速度が「低速」の場合には、消費電流I=250mA、処理時間T=250ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=250mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.347Vとなる。したがって、デバイス8のみが動作している場合に、電圧降下量ΔVが最も小さくて済むCPU速度A1は「低速」である。携帯端末100においてデバイス8のみが動作している場合、従来は「高速」のCPU速度でサスペンド処理を実行していたため、電圧降下量は0.466Vであったが、本発明では「低速」のCPU速度でサスペンド処理を実行するため、電圧降下量は0.347Vとなる。
図7(b)に、デバイス9のみが動作している状態でサスペンド処理を実行する場合のCPU速度毎の電圧降下量の算出結果を示す。CPU速度が「高速」の場合には、消費電流I=200mA、処理時間T=30ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=250mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.077Vとなる。また、CPU速度が「標準」の場合には、消費電流I=150mA、処理時間T=40ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=250mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.065Vとなる。また、CPU速度が「低速」の場合には、消費電流I=100mA、処理時間T=50ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=250mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.048Vとなる。したがって、デバイス9のみが動作している場合に、電圧降下量ΔVが最も小さくて済むCPU速度A2は「低速」である。携帯端末100においてデバイス9のみが動作している場合、従来は「高速」のCPU速度でサスペンド処理を実行していたため、電圧降下量は0.077Vであったが、本発明では「低速」のCPU速度でサスペンド処理を実行するため、電圧降下量は0.048Vとなる。
図7(c)に、デバイス8及びデバイス9が動作している状態でサスペンド処理を実行する場合のCPU速度毎の電圧降下量の算出結果を示す。CPU速度が「高速」の場合には、消費電流I=800mA、処理時間T=200ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=250mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.927Vとなる。また、CPU速度が「標準」の場合には、消費電流I=600mA、処理時間T=250ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=250mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.832Vとなる。また、CPU速度が「低速」の場合には、消費電流I=400mA、処理時間T=300ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=250mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.645Vとなる。したがって、デバイス8及びデバイス9が動作している場合に、電圧降下量ΔVが最も小さくて済むCPU速度A3は「低速」である。携帯端末100においてデバイス8及びデバイス9が動作している場合、従来は「高速」のCPU速度でサスペンド処理を実行していたため、電圧降下量は0.927Vであったが、本発明では「低速」のCPU速度でサスペンド処理を実行するため、電圧降下量は0.645Vとなる。
以上説明したように、携帯端末100によれば、デバイス8,9の動作状態毎に、サスペンド処理における緊急用電源2の電圧降下量が最も小さくて済むCPU速度を予め設定しておき、主電源1からの電源供給が切断された際に、デバイス8,9の動作状態に対応するCPU速度に基づいてサスペンド処理を実行するので、サスペンド処理における緊急用電源2の電圧降下量を小さくすることができる。
[第2の実施の形態]
次に、本発明を適用した第2の実施の形態について説明する。
第2の実施の形態では、緊急用電源2の内部抵抗が温度に応じて変化する場合について説明する。
図8は、第2の実施の形態における携帯端末200の全体ブロック図である。図8に示すように、携帯端末200は、主電源1、緊急用電源2、ダイオード3,4、検出器5、制御部6、Flash ROM7、デバイス8,9、スイッチ10,11、メモリ12、充電回路13、サーミスタ14、抵抗15、ADコンバータ16を備える。
第2の実施の形態における携帯端末200において、第1の実施の形態に示した携帯端末100と同一の構成部分については同一の符号を付し、その構成については説明を省略する。以下、第2の実施の形態に特徴的な構成及び処理について説明する。
サーミスタ14は、周囲の温度に応じて抵抗値が変化する素子である。サーミスタ14は、緊急用電源2の周囲温度を測定するための部品であり、緊急用電源2の周囲に配置されている。直列に接続されたサーミスタ14と抵抗15は、その両端に印加された電圧をそれらの抵抗値に応じて分割するため、ADコンバータ16には、信号ライン116を介して周囲の温度に応じた電圧値が出力される。ADコンバータ16は、この電圧値(アナログ値)をデジタル値に変換し、信号ライン117を介して制御部6に出力する。すなわち、サーミスタ14、抵抗15及びADコンバータ16は、周囲温度を測定する測定手段としての機能を実現する。
制御部6は、検出器5から主電源1の電圧が規定電圧より低いことを示す検出信号が出力された場合に、デバイス8,9の動作状態及びADコンバータ16から出力されるAD変換値に基づいて、信号ライン109を介してFlash ROM7からデバイス8,9の動作状態及びAD変換値に対応するCPU速度を読み出し、読み出されたCPU速度に基づいて、デバイス8,9に対してサスペンド処理を実行する。なお、携帯端末200においても、CPU速度を「高速」、「標準」、「低速」の3段階に設定可能とする。
Flash ROM7には、図9に示すように、デバイス8,9の動作状態及びADコンバータ16のAD変換値毎に、サスペンド処理における緊急用電源2の電圧降下量が最も小さくて済むCPU速度F1〜F256,G1〜G256,H1〜H256を対応付けたCPU速度対応テーブル72が記憶されている。例えば、デバイス8のみが動作している状態でAD変換値が「1」である場合には、CPU速度F2でサスペンド処理を実行すればよい。なお、CPU速度対応テーブル72のデータは予め設定されたものであり、携帯端末200にFlash ROM7が搭載される前に、Flash ROM7に書き込まれている。
ここで、CPU速度対応テーブル72の設定方法を説明する。
第1の実施の形態において、図3に示したデバイス8,9の動作状態及びCPU速度毎のサスペンド処理における消費電流B1〜B9、図4に示したデバイス8,9の動作状態及びCPU速度毎のサスペンド処理における処理時間C1〜C9、緊急用電源2のコンデンサ容量D1については、第2の実施の形態においても同様であるため、説明を省略する。
図10に、ADコンバータ16のAD変換値0〜255に対応する緊急用電源2の内部抵抗J1〜J256を示す。
式(1)の消費電流IにB1〜B9を、処理時間TにC1〜C9を、緊急用電源2のコンデンサ容量CにD1を、緊急用電源2の内部抵抗RにJ1〜J256を代入することにより、デバイス8,9の動作状態及びAD変換値毎に、各CPU速度でサスペンド処理を実行する場合の電圧降下量をそれぞれ算出する。そして、デバイス8,9の動作状態及びAD変換値毎に、緊急用電源2の電圧降下量が最も小さくて済むCPU速度を決定し、決定されたCPU速度をF1〜F256,G1〜G256,H1〜H256として、予めCPU速度対応テーブル72に記憶させておく。
次に、図11に示す機能ブロック図を参照して、制御部6の機能を説明する。図11に示すように、制御部6は、主電源電圧レベル判断部61、サスペンド処理制御部62、デバイス制御部63,64を備えて構成される。主電源電圧レベル判断部61、デバイス制御部63,64については、第1の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。
サスペンド処理制御部62は、主電源電圧レベル判断部61により主電源1の電圧が規定電圧より低いと判断された場合に、信号ライン110,111を介してデバイス8,9の動作状態を判別し、信号ライン117を介してADコンバータ16から出力されたAD変換値を取得する。そして、サスペンド処理制御部62は、デバイス8,9の動作状態及びADコンバータ16のAD変換値に基づいて、信号ライン109を介してFlash ROM7のCPU速度対応テーブル72からデバイス8,9の動作状態及びAD変換値に対応するCPU速度を読み出す。
次に、携帯端末200における動作を説明する。
図12は、制御部6により実行される主電源切断時処理2を示すフローチャートである。
まず、携帯端末200のシステム動作中に(ステップS11)、主電源電圧レベル判断部61により、検出器5から出力される検出信号に基づいて、主電源1の電圧が規定電圧以上であるか、あるいは、規定電圧より低いかが判断される(ステップS12)。主電源1の電圧が規定電圧より低い場合は、何らかの原因により急に主電源1が外れた等、主電源1からの電源供給が切断されたと考えられる。主電源1の電圧が規定電圧以上である場合には(ステップS12;No)、ステップS11に戻る。
主電源1の電圧が規定電圧より低い場合には(ステップS12;Yes)、サスペンド処理を実行するための準備に移行し、サスペンド処理制御部62により、デバイス8,9の動作状態が判別される(ステップS13)。具体的には、制御部6がデバイス8,9と信号ライン110,111を介してデータのやりとりを行っているか否か、制御部6がスイッチ10,11に信号ライン112,113を介して電源供給信号を送っているか否か等に基づいて、デバイス8,9が動作している否かが判別される。
また、サスペンド処理制御部62により、ADコンバータ16から出力されたAD変換値が取得される(ステップS14)。
次に、サスペンド処理制御部62により、デバイス8,9の動作状態及びADコンバータ16のAD変換値に基づいて、信号ライン109を介してFlash ROM7のCPU速度対応テーブル72(図9参照)から、デバイス8,9の動作状態及びAD変換値に対応するCPU速度が読み出される(ステップS15)。例えば、デバイス8のみが動作中であってAD変換値が「0」の場合にはCPU速度F1が読み出され、デバイス9のみが動作中であってAD変換値が「1」の場合にはCPU速度G2が読み出され、デバイス8及びデバイス9が動作中であってAD変換値が「255」の場合にはCPU速度H256が読み出される。
そして、デバイス制御部63,64により、読み出されたCPU速度でデバイス8,9のサスペンド処理が実行される(ステップS16)。デバイス8が動作中であった場合には、デバイス制御部63により、デバイス8の状態を示すデータがメモリ12に保存され、スイッチ10がオフされて、デバイス8の電源が切断される。また、デバイス9が動作中であった場合には、デバイス制御部64により、デバイス9の状態を示すデータがメモリ12に保存され、スイッチ11がオフされて、デバイス9の電源が切断される。
以上で、主電源切断時処理2が終了する。
(具体例2)
次に、具体的なCPU速度対応テーブル72の設定方法を説明する。消費電流B1〜B9、処理時間C1〜C9、緊急用電源2のコンデンサ容量D1については、具体例1と同一の値を用いる。図10に示したADコンバータ16のAD変換値0〜255に対応する緊急用電源2の内部抵抗J1〜J256として、ADコンバータ16のAD変換値が0の場合に(温度−20℃に相当)、内部抵抗J1=560mΩ、ADコンバータ16のAD変換値が80の場合に(温度0℃に相当)、内部抵抗J81=400mΩという特性を有する緊急用電源2を使用した場合を例にして説明する。
図13(a)に、デバイス8のみが動作している状態で、温度が−20℃、0℃の下で、サスペンド処理を実行する場合のCPU速度毎の電圧降下量の算出結果を示す。
図13(a)に示すように、−20℃においてCPU速度が「高速」の場合には、消費電流I=500mA、処理時間T=150ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=560mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.621Vとなる。また、−20℃においてCPU速度が「標準」の場合には、消費電流I=300mA、処理時間T=200ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=560mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.441Vとなる。また、−20℃においてCPU速度が「低速」の場合には、消費電流I=250mA、処理時間T=250ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=560mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.424Vとなる。したがって、−20℃においてデバイス8のみが動作している場合に、電圧降下量ΔVが最も小さくて済むCPU速度F1は「低速」である。携帯端末200においてデバイス8のみが動作している場合、従来は「高速」のCPU速度でサスペンド処理を実行していたため、電圧降下量は0.621Vであったが、本発明では「低速」のCPU速度でサスペンド処理を実行するため、電圧降下量は0.424Vとなる。
また、図13(a)に示すように、0℃においてCPU速度が「高速」の場合には、消費電流I=500mA、処理時間T=150ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=400mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.541Vとなる。また、0℃においてCPU速度が「標準」の場合には、消費電流I=300mA、処理時間T=200ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=400mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.393Vとなる。また、0℃においてCPU速度が「低速」の場合には、消費電流I=250mA、処理時間T=250ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=400mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.384Vとなる。したがって、0℃においてデバイス8のみが動作している場合に、電圧降下量ΔVが最も小さくて済むCPU速度F81は「低速」である。携帯端末200においてデバイス8のみが動作している場合、従来は「高速」のCPU速度でサスペンド処理を実行していたため、電圧降下量は0.541Vであったが、本発明では「低速」のCPU速度でサスペンド処理を実行するため、電圧降下量は0.384Vとなる。
図13(b)に、デバイス9のみが動作している状態で、温度が−20℃、0℃の下で、サスペンド処理を実行する場合のCPU速度毎の電圧降下量の算出結果を示す。
図13(b)に示すように、−20℃においてCPU速度が「高速」の場合には、消費電流I=200mA、処理時間T=30ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=560mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.139Vとなる。また、−20℃においてCPU速度が「標準」の場合には、消費電流I=150mA、処理時間T=40ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=560mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.111Vとなる。また、−20℃においてCPU速度が「低速」の場合には、消費電流I=100mA、処理時間T=50ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=560mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.079Vとなる。したがって、−20℃においてデバイス9のみが動作している場合に、電圧降下量ΔVが最も小さくて済むCPU速度G1は「低速」である。携帯端末200においてデバイス9のみが動作している場合、従来は「高速」のCPU速度でサスペンド処理を実行していたため、電圧降下量は0.139Vであったが、本発明では「低速」のCPU速度でサスペンド処理を実行するため、電圧降下量は0.079Vとなる。
また、図13(b)に示すように、0℃においてCPU速度が「高速」の場合には、消費電流I=200mA、処理時間T=30ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=400mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.107Vとなる。また、0℃においてCPU速度が「標準」の場合には、消費電流I=150mA、処理時間T=40ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=400mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.087Vとなる。また、0℃においてCPU速度が「低速」の場合には、消費電流I=100mA、処理時間T=50ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=400mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.063Vとなる。したがって、0℃においてデバイス9のみが動作している場合に、電圧降下量ΔVが最も小さくて済むCPU速度G81は「低速」である。携帯端末200においてデバイス9のみが動作している場合、従来は「高速」のCPU速度でサスペンド処理を実行していたため、電圧降下量は0.107Vであったが、本発明では「低速」のCPU速度でサスペンド処理を実行するため、電圧降下量は0.063Vとなる。
図13(c)に、デバイス8及びデバイス9が動作している状態で、温度が−20℃、0℃の下で、サスペンド処理を実行する場合のCPU速度毎の電圧降下量の算出結果を示す。
図13(c)に示すように、−20℃においてCPU速度が「高速」の場合には、消費電流I=800mA、処理時間T=200ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=560mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=1.175Vとなる。また、−20℃においてCPU速度が「標準」の場合には、消費電流I=600mA、処理時間T=250ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=560mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=1.018Vとなる。また、−20℃においてCPU速度が「低速」の場合には、消費電流I=400mA、処理時間T=300ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=560mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.769Vとなる。したがって、−20℃においてデバイス8及びデバイス9が動作している場合に、電圧降下量ΔVが最も小さくて済むCPU速度H1は「低速」である。携帯端末200においてデバイス8及びデバイス9が動作している場合、従来は「高速」のCPU速度でサスペンド処理を実行していたため、電圧降下量は1.175Vであったが、本発明では「低速」のCPU速度でサスペンド処理を実行するため、電圧降下量は0.769Vとなる。
また、図13(c)に示すように、0℃においてCPU速度が「高速」の場合には、消費電流I=800mA、処理時間T=200ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=400mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=1.047Vとなる。また、0℃においてCPU速度が「標準」の場合には、消費電流I=600mA、処理時間T=250ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=400mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.922Vとなる。また、0℃においてCPU速度が「低速」の場合には、消費電流I=400mA、処理時間T=300ms、緊急用電源2のコンデンサ容量C=0.220F、緊急用電源2の内部抵抗R=400mΩであるから、式(1)より、電圧降下量ΔV=0.705Vとなる。したがって、0℃においてデバイス8及びデバイス9が動作している場合に、電圧降下量ΔVが最も小さくて済むCPU速度H81は「低速」である。携帯端末200においてデバイス8及びデバイス9が動作している場合、従来は「高速」のCPU速度でサスペンド処理を実行していたため、電圧降下量は1.047Vであったが、本発明では「低速」のCPU速度でサスペンド処理を実行するため、電圧降下量は0.705Vとなる。
以上説明したように、携帯端末200によれば、デバイス8,9の動作状態及びADコンバータ16のAD変換値(周囲温度)毎に、サスペンド処理における緊急用電源2の電圧降下量が最も小さくて済むCPU速度を予め設定しておき、主電源1からの電源供給が切断された際に、デバイス8,9の動作状態及びAD変換値に対応するCPU速度に基づいてサスペンド処理を実行するので、緊急用電源2の内部抵抗が温度に依存する場合であっても、サスペンド処理における緊急用電源2の電圧降下量を小さくすることができる。
なお、第2の実施の形態では、温度を測定するためのADコンバータ16として、8bitの分解能を持つものを使用したが、8bit以外の分解能を持つADコンバータを使用してもよい。
また、上記各実施の形態における記述は、本発明に係る携帯端末の例であり、これに限定されるものではない。携帯端末を構成する各部の細部構成及び細部動作に関しても本発明の趣旨を逸脱することのない範囲で適宜変更可能である。
例えば、上記各実施の形態では、サスペンド処理の対象となるデバイスをデバイス8,9の2つとしたが、サスペンド処理の対象となるデバイスは3つ以上としてもよい。
また、サスペンド条件として、携帯端末100又は携帯端末200において設定可能なCPU速度を3段階としたが、CPU速度は何段階であってもよい。
また、上記各実施の形態では、サスペンド条件として、複数のCPU速度の中からサスペンド処理における緊急用電源2の電圧降下量が小さくて済むCPU速度を予め設定しておくこととしたが、サスペンド処理を実行するためのプログラムの構成や、その他の条件毎にサスペンド処理における緊急用電源2の電圧降下量を比較し、電圧降下量が最も小さくて済む条件を設定しておくこととしてもよい。また、サスペンド処理の対象となる複数のデバイスの処理の順序に優先度を設けることとしてもよい。
以上述べたように、本発明に係る携帯端末は、主電源と、当該主電源からの電源供給が切断された際に実行されるサスペンド処理に用いる緊急用電源と、回路の動作状態毎に、予め設定された、サスペンド処理における前記緊急用電源の電圧降下量が小さくて済むサスペンド条件が対応付けられて記憶されている記憶手段と、前記主電源からの電源供給が切断された際に、回路の動作状態を判別する判別手段と、前記判別された回路の動作状態に基づいて、前記記憶手段から当該回路の動作状態に対応するサスペンド条件を読み出す読み出し手段と、前記読み出されたサスペンド条件に基づいてサスペンド処理を実行する実行手段と、を備えたことを特徴としており、好ましくは、前記記憶手段に記憶されているサスペンド条件は、当該携帯端末において設定可能な複数のCPU速度のうち、サスペンド処理における前記緊急用電源の電圧降下量が最も小さくて済むCPU速度であることを特徴としている。
このように構成することにより、複数のCPU速度のうち、サスペンド処理における緊急用電源の電圧降下量が最も小さくて済むCPU速度でサスペンド処理を実行することができる。
そのため、容量の大きい緊急用電源を使用する必要がなく、必要最小限の容量を有する緊急用電源を使用することができる。したがって、従来技術と比較して緊急用電源の容量を小さくすることができるため、実施の形態としてはコンデンサの容量を小さくすることができる。
また、好ましくは、前記回路の動作状態は、電源供給されるデバイスの動作状態であることを特徴としている。
このように構成することにより、電源供給されるデバイスの動作状態に対応するサスペンド条件に基づいてサスペンド処理を実行することができる。
また、好ましくは、周囲温度を測定する測定手段を更に備え、前記記憶手段には、前記回路の動作状態及び周囲温度毎に、予め設定された、サスペンド処理における前記緊急用電源の電圧降下量が小さくて済むサスペンド条件が対応付けられて記憶されており、前記読み出し手段は、前記判別された回路の動作状態及び前記測定手段により測定された周囲温度に基づいて、前記記憶手段から当該回路の動作状態及び周囲温度に対応するサスペンド条件を読み出すことを特徴としている。
このように構成することにより、周囲温度毎に、サスペンド処理における緊急用電源の電圧降下量が小さくて済むサスペンド条件を予め設定しておくので、緊急用電源の内部抵抗が温度に依存する場合であっても、サスペンド処理における緊急用電源の電圧降下量を小さくすることができる。