JP4888080B2 - 単一量子ドット装置 - Google Patents
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Description
(1)試料(量子ドット素子)を直接液体Heに漬けて冷却する方法
(2)試料(量子ドット素子)をHeガス雰囲気中に配置して冷却する方法
(3)試料(量子ドット素子)を搭載した試料ホルダーからの熱接触により冷却する方法
特に、単一量子ドットに対して光学的にアクセスする場合、振動が比較的少なく、光学窓と試料(単一量子ドット素子)との距離を短くとれる、上記の(3)の方法が用いられることが多い。
Takemoto et al, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.43, ppL993, 2004 Pelton et al, Physical Review Letters, Vol.89, pp233602, 2002 Blakesley et al, Physical Review Letters, Vol.94, pp067401, 2005
Nakaoka et al, Applied Physics Letters, Vol.84, pp1392, 2004
基板上に形成された単一量子ドット素子と、
前記単一量子ドット素子の発光波及び受光波を透過する前記基板からなる第1の透過窓を有し、かつ前記単一量子ドット素子を内部に設置し、それぞれ熱伝導材料からなる天板と筐体とを機械的に圧着させることによって排気流路が保たれる接触構造とした試料室と、
前記試料室を内部に格納し、かつ前記第1の透過窓を外側より見通し得る位置に前記発光波及び受光波を透過する第2の透過窓を有する真空チャンバーと、
前記試料室並びに前記真空チャンバーの真空排気機構と、
前記単一量子ドット素子の冷却機構と、を有することを特徴とする。
先ず、単一量子ドットを利用した光励起型発光素子に対する本発明の単一量子ドット装置の構成適用例を示す。
また、天板6は筐体5の開口部位の接触部15で共に接触して試料室7の(例えば矩形や円筒形などの)空間を形成するが、この接触部15は、完全にシールせず、機械的圧着のみなどによって、両者間の熱伝導性を保ちつつ、真空排気上は、低コンダクタンス領域となるようにすることが、簡便でかつ有効な方法である。クライオスタット11の排気時には、真空チャンバー12と試料室7は共に排気されるが、接触部15の空気流路を十分狭くすることで、試料室7内空間と真空チャンバー12内とで圧力差が生じる。これにより、試料室7の天板6が効果的に密着され、接触部15に熱伝導性を高めるとともにシール性を高める効果が期待できる。さらに、冷却時には支持台13、筐体5、接触部15、天板6を介して単一量子ドット素子1が液体ヘリウム温度に冷却されるため、接着部9での接着剤が固化することで、さらにシール性能が高まる。
次に、単一量子ドットを利用した電流注入型発光素子に対する本発明の単一量子ドット装置の構成適用例を示す。
次に、単一量子ドットを利用した光検出器(受光素子)に対する本発明の単一量子ドット装置の構成適用例を示す。
(付記1)
基板上に形成された単一量子ドット素子と、
前記単一量子ドット素子の発光波及び受光波を透過する前記基板からなる第1の透過窓を有し、かつ前記単一量子ドット素子を内部に設置する熱伝導性材料からなる試料室と、
前記試料室を内部に格納し、かつ前記第1の透過窓を外側より見通し得る位置に前記発光波及び受光波を透過する第2の透過窓を有する真空チャンバーと、
前記試料室並びに前記真空チャンバーの真空排気機構と、
前記単一量子ドット素子の冷却機構と、
を有することを特徴とする単一量子ドット装置。
(付記2)
前記単一ドット素子は、前記基板上にメサ構造をなして前記受光波に吸収帯を持つ半導体ドットからなることを特徴とする付記1記載の単一量子ドット装置。
(付記3)
前記基板はInPまたはGaAsからなり、前記単一量子ドット素子はInAsからなることを特徴とする付記2記載の単一量子ドット装置。
(付記4)
前記試料室は、少なくとも、熱伝導性材料からなる天板と前記天板と接触して閉空間をなす熱伝導性材料からなる筐体からなり、前記天板は中心近傍に所定の大きさの開口部を有し、前記単一量子ドット素子が前記閉空間の内部に配され、かつ前記基板の底面が前記開口部を塞ぐ様に前記天板の前記閉空間側面に密着されていることを特徴とする付記1ないし3のいずれかに記載の単一量子ドット装置。
(付記5)
前記筐体は、前記真空チャンバー内の、熱伝導性材料からなる支持台上に設置され、前記支持台は前記冷却機構の冷却部と連結されていることを特徴とする付記4記載の単一量子ドット装置。
(付記6)
前記試料室の前記天板と前記筐体の接触部は、前記真空チャンバーの真空排気時において、前記試料室の内部の真空排気が確保される空気流路を有することを特徴とする付記4または5記載の単一量子ドット装置。
(付記7)
前記基板の前記底面は鏡面加工されていることを特徴とする付記4ないし6のいずれかに記載の単一量子ドット装置。
(付記8)
前記基板の前記底面は反射防止膜を備えたことを特徴とする付記4ないし7のいずれかに記載の単一量子ドット装置。
(付記9)
前記試料室の前記天板と前記筐体の前記接触部は、前記天板と前記筐体の機械的な圧接によって構成されていることを特徴とする付記6記載の単一量子ドット装置。
(付記10)
前記基板の前記底面と前記天板の前記閉空間側面との密着部に、熱伝導性接着剤を適用することを特徴とする付記4ないし8のいずれかに記載の単一量子ドット装置。
(付記11)
前記熱伝導性接着剤は、アピエゾングリースまたは銀ペーストであることを特徴とする付記10記載の単一量子ドット装置。
(付記12)
前記単一量子ドット素子は、外部励起光による発光素子あるいは電流注入による発光素子あるいは外部光受光素子のいずれかであることを特徴とする付記1ないし3のいずれかに記載の単一量子ドット装置。
2、102 基板
3、107 メサ構造部
4、104 量子ドット
5 筐体
6 天板
7 試料室
8 開口部
9 接着部
10 反射防止膜
11、108 クライオスタット
12、109 真空チャンバー
13 支持台
14 第2の透過窓
15 接触部
16、112 汚染物質
17 電流源
18 導入端子
19 キャップ層側電極
20 検流計
103 バッファ層
105 キャップ層
106 除去領域
110 低温冷却部
111 透過窓
113 汚染付着物質
Claims (5)
- 基板上に形成された単一量子ドット素子と、
前記単一量子ドット素子の発光波及び受光波を透過する前記基板からなる第1の透過窓を有し、かつ前記単一量子ドット素子を内部に設置し、それぞれ熱伝導材料からなる天板と筐体とを機械的に圧着させることによって排気流路が保たれる接触構造とした試料室と、
前記試料室を内部に格納し、かつ前記第1の透過窓を外側より見通し得る位置に前記発光波及び受光波を透過する第2の透過窓を有する真空チャンバーと、
前記試料室並びに前記真空チャンバーの真空排気機構と、
前記単一量子ドット素子の冷却機構と、を有することを特徴とする単一量子ドット装置。 - 前記単一ドット素子は、前記基板上にメサ構造をなして前記受光波に吸収帯を持つ半導体ドットからなることを特徴とする請求項1記載の単一量子ドット装置。
- 前記試料室は、少なくとも、熱伝導性材料からなる天板と前記天板と接触して空間をなす熱伝導性材料からなる筐体からなり、前記天板は中心近傍に所定の大きさの開口部を有し、前記単一量子ドット素子が前記空間の内部に配され、かつ前記基板の底面が前記開口部を塞ぐ様に前記天板の前記空間側面に密着されていることを特徴とする請求項1または2記載の単一量子ドット装置。
- 前記筐体は、前記真空チャンバー内の、熱伝導性材料からなる支持台上に設置され、前記支持台は前記冷却機構の冷却部と連結されていることを特徴とする請求項3記載の単一量子ドット装置。
- 前記試料室の前記天板と前記筐体の接触部は、前記真空チャンバーの真空排気時において、前記試料室の内部の真空排気が確保される空気流路を有することを特徴とする請求項3または4記載の単一量子ドット装置。
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