JP4888064B2 - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、リードフレームに電気的に接続された半導体素子をモールド樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置に関する。   The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor element electrically connected to a lead frame is sealed with a mold resin.

従来より、この種の半導体装置としては、半導体素子とリードフレームとを互いに電気的に接続し、これら電気的に接続された半導体素子およびリードフレームをモールド樹脂で封止してなるものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。   Conventionally, semiconductor devices of this type have been proposed in which a semiconductor element and a lead frame are electrically connected to each other, and the electrically connected semiconductor element and the lead frame are sealed with a mold resin. (For example, refer to Patent Document 1).

この特許文献１に記載されているものでは、リードフレームにおけるモールド樹脂に封止された部位であるインナーリードを、母材と、この母材の表面に形成され母材の表面よりも粗化されたＮｉなどの粗化メッキ膜とにより構成している。そして、インナーリードをこのような粗化メッキ膜による粗化部として構成することにより、インナーリードとモールド樹脂との密着性、すなわち樹脂密着性を確保している。   In the device described in Patent Document 1, the inner lead, which is a portion sealed in the mold resin in the lead frame, is roughened from the base material and the surface of the base material formed on the surface of the base material. And a rough plating film such as Ni. Then, by configuring the inner lead as a roughened portion by such a rough plating film, the adhesiveness between the inner lead and the mold resin, that is, the resin adhesiveness is ensured.

また、この種の樹脂封止型半導体装置は、プリント基板上に、はんだなどを介して実装されるが、実装後には、モールド樹脂から突出するリードフレームのアウターリードの曲がり等の外観検査を行って出荷する必要がある。   In addition, this type of resin-encapsulated semiconductor device is mounted on a printed circuit board via solder or the like, but after mounting, external inspection such as bending of the outer leads of the lead frame protruding from the mold resin is performed. Need to be shipped.

この外観検査は、一般にレーザ照射装置によって自動で行っている。具体的には、アウターリードとプリント基板のソルダレジストとの双方にレーザを照射して、その反射光量の違いで両者を識別している。   This appearance inspection is generally automatically performed by a laser irradiation apparatus. Specifically, both the outer lead and the solder resist of the printed circuit board are irradiated with laser, and both are identified by the difference in the amount of reflected light.

ここで、アウターリードの先端部を、プリント基板への実装後における外観検査が行われる検査面としているが、この検査面が上記の粗化部となっていると、当該検査面の光沢度が下がって反射率も下がるため、外観検査が行いにくくなる。   Here, the tip portion of the outer lead is used as an inspection surface on which an appearance inspection is performed after mounting on a printed circuit board. If this inspection surface is the roughened portion, the glossiness of the inspection surface is high. As the reflectivity decreases, the appearance inspection becomes difficult.

そこで、上記特許文献１では、アウターリードの先端部に位置する検査面を、粗化部よりも表面が平坦な非粗化部とすることにより、当該検査面の光沢性を確保し、上記した外観検査の容易性を確保している。
特開２００５−２２３３０５号公報 Therefore, in Patent Document 1, the inspection surface located at the tip of the outer lead is a non-roughened portion whose surface is flatter than the roughened portion, thereby ensuring the glossiness of the inspection surface, as described above. Ease of visual inspection is ensured.
JP-A-2005-223305

しかしながら、この種の樹脂封止型半導体装置においては、アウターリードは、モールド樹脂側を根元部としてその先端部に上記検査面を有しており、また、アウターリードは、プリント基板への実装が可能な形状とするために、その根元部と当該検査面との中間部にて少なくとも２箇所曲げられた形状となっている。   However, in this type of resin-encapsulated semiconductor device, the outer lead has the above-mentioned inspection surface at the tip portion with the mold resin side as the root portion, and the outer lead can be mounted on a printed circuit board. In order to obtain a possible shape, at least two portions are bent at the intermediate portion between the root portion and the inspection surface.

ここで、従来では、アウターリードの曲げ加工時にリードフレームにて発生するメッキクラックを回避するため、上記粗化部と非粗化部との境界を、モールド樹脂の外形線よりも若干内側、つまりモールド樹脂の内部に設定している。   Here, conventionally, in order to avoid plating cracks that occur in the lead frame during bending of the outer lead, the boundary between the roughened portion and the non-roughened portion is slightly inside the outline of the mold resin, that is, It is set inside the mold resin.

これは、上記粗化メッキ膜が、リードフレームの曲げに対してクラックしやすい性質を有するためであり、上記粗化メッキ膜に著しく大きなクラックが発生すると、結果的にその下のリードフレームの母材にもクラックが入り、パッケージの保持強度を低下させてしまうといった不具合が生じるからである。   This is because the rough plating film has the property of easily cracking when bending the lead frame, and if a remarkably large crack occurs in the rough plating film, the result is that the mother of the lead frame underneath it. This is because cracks also occur in the material, resulting in a problem that the holding strength of the package is lowered.

しかし、モールド樹脂の外形線はパッケージの中で最も応力が集中するところであり、その外形線の近くに上記境界を設定すると、モールド樹脂内すなわちインナーリードにおいてに粗化していないエリアができてしまい、その部分は半田リフロー時に剥離しやすくなる。   However, the outline of the mold resin is where stress is concentrated most in the package, and if the boundary is set near the outline, an area that is not roughened in the mold resin, that is, in the inner lead, is created. That portion is easily peeled off during solder reflow.

そして、その剥離が起点となって市場の熱ストレスなどにより、インナーリードの全域にて粗化メッキ膜の剥離が進行し、腐食、ワイヤ断線等の不具合が発生し、半導体パッケージとしての信頼性が損なわれる。   Then, the peeling of the roughened plating film progresses over the entire area of the inner lead due to the market's thermal stress, etc. starting from the peeling, causing problems such as corrosion and wire breakage, and reliability as a semiconductor package is increased. Damaged.

さらに、アウターリードのリード成形すなわち曲げは、おおよそタイバー（ダムバー）よりも外側にて行われることから、粗化部と非粗化部の境界を、モールド樹脂の外形線とタイバーとの間の領域に設定することも考えられる。しかし、この場合、モールド樹脂の外形線とタイバーとの間の寸法が、マスクメッキの精度よりも大きい必要があり、全てのパッケージに合致する方法とは言えない。   Furthermore, since lead molding, that is, bending of the outer lead is performed approximately outside the tie bar (dam bar), the boundary between the roughened portion and the non-roughened portion is defined as an area between the outer shape line of the mold resin and the tie bar. It is also possible to set to. However, in this case, the dimension between the outer shape line of the mold resin and the tie bar needs to be larger than the accuracy of the mask plating, and cannot be said to be a method that matches all packages.

ちなみに、一般的なリードフレームにおいて２ｎｄワイヤボンディングパッドに用いられているＡｇメッキの位置合わせ精度は、狙い寸法に対して±０．１ｍｍ〜±０．３ｍｍ程度であり、一方、モールド樹脂の外形線とタイバーとの間の距離は、最小で０．５ｍｍ程度のものである。   By the way, the positioning accuracy of Ag plating used for 2nd wire bonding pads in a general lead frame is about ± 0.1 mm to ± 0.3 mm with respect to the target dimension, while the outline of the mold resin The minimum distance between the tie bar and the tie bar is about 0.5 mm.

そのため、上記領域に上記境界を設定しようとしても、当該境界がモールド樹脂内に入り込むか、もしくはタイバーの外側に出てしまい、前述のような問題を引き起こす要因となる可能性がある。   Therefore, even if the boundary is set in the region, the boundary may enter the mold resin or come out of the tie bar, which may cause the above-described problem.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、インナーリードにおける樹脂密着性の確保およびアウターリードにおける外観検査の容易性の確保のために、リードフレームに粗化部と非粗化部とを設けた樹脂封止型半導体装置において、インナーリード全体の樹脂密着性の確保とアウターリードにおけるメッキ剥離の防止とを両立することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in order to ensure resin adhesion in the inner lead and ease of appearance inspection in the outer lead, the lead frame includes a roughened portion and a non-roughened portion. In the resin-encapsulated semiconductor device provided with the above, an object is to achieve both ensuring of resin adhesion of the entire inner lead and prevention of plating peeling on the outer lead.

本発明者の検討によれば、後述する図１０に示されるように、アウターリードにおける粗化部と非粗化部との境界を、アウターリードのうち第１の曲げ部と第２の曲げ部との間の部位に設定することにより、ほぼ問題ないレベルにて粗化部の剥離を抑制することができることが、実験的にわかった。   According to the study by the present inventor, as shown in FIG. 10 described later, the boundary between the roughened portion and the non-roughened portion in the outer lead is defined as the first bent portion and the second bent portion of the outer lead. It has been experimentally found that the roughened portion can be prevented from peeling at a level with no problem by setting the portion between the two.

これに鑑み、本発明は、モールド樹脂（６０）側の根元部側と検査面（４２４）との中間部にて少なくとも２箇所曲げられた形状となっているアウターリード（４２）において、モールド樹脂（６０）に最も近い箇所において曲げられた部位を第１の曲げ部（４２１）、第１の曲げ部（４２１）から数えてモールド樹脂（６０）側から２番目の曲げられた部位を第２の曲げ部（４２２）としたとき、検査面（４２４）は、アウターリード（４２）のうち第２の曲げ部（４２２）よりも先端部側に位置しており、粗化部（４０１）を、インナーリード（４１）からアウターリード（４２）に渡って連続して設けるとともに、アウターリード（４２）における粗化部（４０１）と非粗化部（４０２）との境界（４０３）を、アウターリード（４２）のうち第１の曲げ部（４２１）と第２の曲げ部（４２２）との間の部位（４２５）に設定したことを特徴とする。 In view of this, the present invention provides a mold resin in the outer lead (42) that is bent at least at two locations at the intermediate portion between the base portion side on the mold resin (60) side and the inspection surface (424). The second bent portion from the side of the mold resin (60) is counted from the first bent portion (421) and the second bent portion from the mold resin (60) side is counted as the second bent portion (421). Of the outer lead (42) , the inspection surface (424) is positioned closer to the tip than the second bent portion (422), and the roughened portion (401) is formed. The outer lead (41) is continuously provided from the inner lead (41) to the outer lead (42), and the outer lead (42) has a boundary (403) between the roughened portion (401) and the non-roughened portion (402). Lead (42 Wherein the first bent portion (421) is set to the site (425) between the second bent portion (422) of the.

それによれば、粗化部（４０１）と非粗化部（４０２）との境界（４０３）を、アウターリード（４２）のうち第１の曲げ部（４２１）と第２の曲げ部（４２２）との間の部位（４２５）に設定し、インナーリード（４１）からこの境界（４０３）まで連続して粗化部（４０１）を設けているため、インナーリード（４１）全体の樹脂密着性の確保とアウターリード（４２）におけるメッキ剥離の防止とを両立することができる。   According to this, the boundary (403) between the roughened portion (401) and the non-roughened portion (402), the first bent portion (421) and the second bent portion (422) of the outer lead (42). Since the roughened portion (401) is continuously provided from the inner lead (41) to the boundary (403), the resin adhesion of the entire inner lead (41) is set. Both securing and prevention of plating peeling at the outer lead (42) can be achieved.

ここにおいて、粗化部（４０１）としては、非粗化ニッケルメッキ膜（４０ｂ）の上に粗化メッキ膜としての粗化ニッケルメッキ膜（４０ｃ）が積層された構成を有するものにできる。   Here, the roughened portion (401) can have a structure in which a rough nickel plated film (40c) as a rough plated film is laminated on a non-roughened nickel plated film (40b).

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings for the sake of simplicity.

図１は、本発明の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１００の概略断面構成を示す図であり、この半導体装置１００をプリント基板２００にはんだ２１０を介して実装した状態を示す。なお、この図１に示される粗化部４０１および非粗化部４０２の詳細は、図２、図３に示してある。   FIG. 1 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a resin-encapsulated semiconductor device 100 according to an embodiment of the present invention, and shows a state in which the semiconductor device 100 is mounted on a printed circuit board 200 with solder 210. Details of the roughening unit 401 and the non-roughening unit 402 shown in FIG. 1 are shown in FIGS.

また、図２（ａ）は図１中のモールド樹脂６０の外形線近傍部におけるリードフレーム４０の拡大概略断面図であり、図２（ｂ）は、この図２（ａ）に示される部位におけるリードフレーム４０の概略平面図である。なお、図２（ｂ）においては、粗化部４０１には、非粗化部４０２と識別するため、便宜上ハッチングを施してあるが、断面を示すものではない。   2 (a) is an enlarged schematic cross-sectional view of the lead frame 40 in the vicinity of the outline of the mold resin 60 in FIG. 1, and FIG. 2 (b) is a view of the portion shown in FIG. 2 (a). 3 is a schematic plan view of a lead frame 40. FIG. In FIG. 2B, the roughening unit 401 is hatched for convenience in order to distinguish it from the non-roughening unit 402, but does not show a cross section.

また、図３（ａ）は、リードフレーム４０における粗化部４０１のより詳細な形状を示す模式的な断面図であり、図３（ｂ）は、リードフレーム４０における非粗化部４０２のより詳細な形状を示す模式的な断面図である。   3A is a schematic cross-sectional view showing a more detailed shape of the roughened portion 401 in the lead frame 40, and FIG. 3B is a view of the non-roughened portion 402 in the lead frame 40. It is typical sectional drawing which shows a detailed shape.

図１に示されるように、半導体装置１００においては、アイランド部１０に、導電性接着剤やはんだなどのダイマウント材２０を介して、半導体素子としての半導体チップ３０が搭載されている。そして、この半導体チップ３０とリードフレーム４０とがボンディングワイヤ５０を介して結線され電気的に接続されている。   As shown in FIG. 1, in a semiconductor device 100, a semiconductor chip 30 as a semiconductor element is mounted on an island portion 10 via a die mount material 20 such as a conductive adhesive or solder. The semiconductor chip 30 and the lead frame 40 are connected and electrically connected via the bonding wire 50.

ここで、半導体チップ３０は、シリコン半導体基板に周知の半導体製造技術を用いてトランジスタ素子などを形成してなるものである。また、ボンディングワイヤ５０は、ワイヤボンディングにより形成された金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などからなるワイヤである。   Here, the semiconductor chip 30 is formed by forming a transistor element or the like on a silicon semiconductor substrate using a well-known semiconductor manufacturing technique. The bonding wire 50 is a wire made of gold (Au) or aluminum (Al) formed by wire bonding.

これら半導体チップ３０、ボンディングワイヤ５０、およびリードフレーム４０におけるインナーリード４１はモールド樹脂６０により包み込まれるようにモールドされ封止されている。   The semiconductor chip 30, the bonding wire 50, and the inner lead 41 in the lead frame 40 are molded and sealed so as to be encased in a molding resin 60.

このモールド樹脂６０は、通常の樹脂封止型半導体装置に用いられるエポキシ系樹脂などのモールド材料を採用して、金型を用いたトランスファーモールド法などにより形成されるものである。そして、このモールド樹脂６０が、半導体装置の本体すなわちパッケージボディを構成している。   The mold resin 60 is formed by a transfer molding method using a mold using a mold material such as an epoxy resin used in a normal resin-encapsulated semiconductor device. The mold resin 60 constitutes the main body of the semiconductor device, that is, the package body.

ここで、リードフレーム４０のうちアウターリード４２は、モールド樹脂６０から突出している。このアウターリード４２は、図１に示されるように、モールド樹脂６０側の根元部と先端部との中間部に少なくとも２箇所曲げられた形状となっている。   Here, the outer leads 42 of the lead frame 40 protrude from the mold resin 60. As shown in FIG. 1, the outer lead 42 has a shape bent at least at two places in the middle portion between the root portion and the tip portion on the mold resin 60 side.

本実施形態では、アウターリード４２は２箇所曲げられた曲がり形状を有している。そして、このような曲がり形状のアウターリード４２における曲率を有する部位が、曲がり部４２１、４２２である。   In the present embodiment, the outer lead 42 has a bent shape bent at two places. And the site | part which has a curvature in such a bending-shaped outer lead 42 is the bending parts 421 and 422. FIG.

ここにおいて、アウターリード４２のうちモールド樹脂６０に最も近い箇所、すなわち最も根元部側に位置する曲げ部４２１を、第１の曲げ部４２１とし、この第１の曲げ部４２１から数えてモールド樹脂６０側から２番目に近い箇所に設けられた曲げ部４２２を、第２の曲げ部４２２とする。   Here, a portion of the outer lead 42 that is closest to the mold resin 60, that is, a bent portion 421 that is positioned closest to the base portion side is defined as a first bent portion 421, and the mold resin 60 counted from the first bent portion 421. The bent portion 422 provided at the second closest location from the side is referred to as a second bent portion 422.

ここで、第１の曲げ部４２１は、アウターリード４２の一面側（図１、図２（ａ）中の上面側）が凸となり他面側（図１、図２（ａ）中の下面側）が凹となるように曲げられた部位である。また、第２の曲げ部４２２は、アウターリード４２の他面側が凸となり一面側が凹となるように曲げられた部位である。   Here, the first bent portion 421 is convex on the one surface side (the upper surface side in FIGS. 1 and 2A) of the outer lead 42 and on the other surface side (the lower surface side in FIGS. 1 and 2A). ) Is a portion bent so as to be concave. The second bent portion 422 is a portion bent so that the other surface side of the outer lead 42 is convex and the one surface side is concave.

さらに言うならば、第１の曲げ部４２１および第２の曲げ部４２２は、アウターリード４２をプリント基板２００への実装が可能な形状とするためにアウターリード４２を曲げた曲げ部である。   In other words, the first bent portion 421 and the second bent portion 422 are bent portions obtained by bending the outer lead 42 so that the outer lead 42 can be mounted on the printed circuit board 200.

本実施形態では、第１の曲げ部４２１は、アウターリード４２をモールド樹脂６０側からプリント基板２００へ向かう方向に曲げたものであり、第２の曲げ部４２２は、アウターリード４２の先端部を、プリント基板２００にはんだ付けできるような面積を持たせるために曲げたものである。   In the present embodiment, the first bent portion 421 is obtained by bending the outer lead 42 in the direction from the mold resin 60 side toward the printed circuit board 200, and the second bent portion 422 is the tip of the outer lead 42. The printed circuit board 200 is bent to have an area that can be soldered.

そして、本実施形態では、図１、図２に示されるように、これら第１および第２の曲げ部４２１、４２２の間の部位４２５は、実質的に真っ直ぐな部位すなわち直線形状をなすストレート部４２５となっている。   In this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the portion 425 between the first and second bent portions 421 and 422 is a substantially straight portion, that is, a straight portion having a linear shape. 425.

さらに、アウターリード４２の他面のうち第２の曲げ部４２２よりも先端部に位置する面４２３は、半導体装置１００をプリント基板２００に実装したときにプリント基板２００に対向する面であり、プリント基板２００に対して、はんだ２１０を介して接続される面４２３である。   Furthermore, a surface 423 located at the tip of the second bent portion 422 of the other surface of the outer lead 42 is a surface facing the printed circuit board 200 when the semiconductor device 100 is mounted on the printed circuit board 200. The surface 423 is connected to the substrate 200 via the solder 210.

そして、アウターリード４２の一面のうちこの接続面４２３とは反対側の面４２４は、検査面４２４である。この検査面４２４は、上述したように、当該半導体装置１００をプリント基板２００へ実装した後において行われる外観検査にて、レーザ照射される面として構成される。   Of the one surface of the outer lead 42, the surface 424 opposite to the connection surface 423 is an inspection surface 424. As described above, the inspection surface 424 is configured as a surface that is irradiated with a laser in an appearance inspection performed after the semiconductor device 100 is mounted on the printed circuit board 200.

ここで、図２、図３に示されるように、本実施形態のリードフレーム４０は、たとえば銅系金属や鉄系金属などの通常のリードフレーム材料を母材４０ａとしており、その母材４０ａの表面に、各種のメッキ膜４０ｂ、４０ｃ、４０ｄおよび４０ｅが形成されたものである。   Here, as shown in FIGS. 2 and 3, the lead frame 40 of the present embodiment uses a normal lead frame material such as a copper-based metal or an iron-based metal as a base material 40 a, and the base material 40 a Various plating films 40b, 40c, 40d and 40e are formed on the surface.

なお、図３において各メッキ膜４３１、４３２の表層側に位置する２つの層４０ｄ、４０ｅすなわちＰｄメッキ膜４０ｄおよびＡｕメッキ膜４０ｅは、その下側のメッキ膜４０ｂ、４０ｄに比べて非常に薄い膜であるため、図２（ａ）では、１つのメッキ膜Ｐｄ／Ａｕメッキ膜４０ｄｅとして示してある。   In FIG. 3, the two layers 40d and 40e positioned on the surface layer side of each of the plating films 431 and 432, that is, the Pd plating film 40d and the Au plating film 40e are very thin compared to the lower plating films 40b and 40d. Since it is a film, in FIG. 2A, it is shown as one plating film Pd / Au plating film 40de.

たとえば、本例のリードフレーム４０では、母材４０ａは銅よりなる板材であり、その板厚は０．１２５ｍｍ〜０．２５ｍｍ程度、幅は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度とすることができる。また、メッキ膜４０ｂ〜４０ｅは、リードフレームの素材板をエッチングやスタンピングなどで、リードフレーム形状にパターニングした後、メッキ処理することで形成されるものである。   For example, in the lead frame 40 of this example, the base material 40a is a plate made of copper, and the plate thickness can be about 0.125 mm to 0.25 mm and the width can be about 0.2 mm to 0.5 mm. The plating films 40b to 40e are formed by patterning a lead frame material plate into a lead frame shape by etching or stamping and then performing a plating process.

ここで、リードフレーム４０におけるインナーリード４１は、母材４０ａおよびこの母材４０ａの表面に形成され母材４０ａの表面よりも粗化された粗化メッキ膜４０ｃにより構成された粗化部４０１となっている。また、リードフレーム４０におけるアウターリード４２のうち検査面４２４は、粗化部４０１よりも表面が平坦な非粗化部４０２となっている。   Here, the inner lead 41 in the lead frame 40 includes a base material 40a and a roughened portion 401 formed of a rough plating film 40c formed on the surface of the base material 40a and rougher than the surface of the base material 40a. It has become. Further, the inspection surface 424 of the outer lead 42 in the lead frame 40 is a non-roughened portion 402 whose surface is flatter than the roughened portion 401.

このように、本実施形態のリードフレーム４０においては、インナーリード４１における樹脂密着性を確保しつつ、アウターリード４２における外観検査の容易性を確保するために、１つのリードフレーム４０に粗化部４０１と非粗化部４０２とを同居させた構成としている。   As described above, in the lead frame 40 of the present embodiment, the roughened portion is provided on one lead frame 40 in order to secure the resin adhesion in the inner lead 41 and ensure the ease of appearance inspection in the outer lead 42. 401 and the non-roughening part 402 are made to coexist.

さらに、本実施形態においては、図２に示されるように、粗化部４０１は、インナーリード４１からアウターリード４２に渡って連続して設けられている。そして、アウターリード４２における粗化部４０１の終点、すなわち、アウターリード４２における粗化部４０１と非粗化部４０２との境界４０３は、第１の曲げ部４２１と第２の曲げ部４２２との間の部位４２５に設定されている。   Furthermore, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, the roughening portion 401 is provided continuously from the inner lead 41 to the outer lead 42. The end point of the roughened portion 401 in the outer lead 42, that is, the boundary 403 between the roughened portion 401 and the non-roughened portion 402 in the outer lead 42 is between the first bent portion 421 and the second bent portion 422. It is set to the part 425 between.

本実施形態では、上述したように、第１および第２の曲げ部４２１、４２２の間の部位４２５は、真っ直ぐな部位であるストレート部４２５であり、このストレート部４２５に上記粗化部４０１と非粗化部４０２との境界４０３が位置している。   In this embodiment, as described above, the portion 425 between the first and second bent portions 421 and 422 is the straight portion 425 that is a straight portion, and the rough portion 401 and the straight portion 425 are connected to the straight portion 425. A boundary 403 with the non-roughening unit 402 is located.

本実施形態では、図２（ａ）や図３（ａ）に示されるように、リードフレーム４０における粗化部４０１のメッキ膜４３１の構成は、母材４０ａ側から順に、非粗化Ｎｉメッキ膜４０ｂ、この非粗化Ｎｉメッキ膜４０ｂよりも表面が粗化された粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃ、Ｐｄメッキ膜４０ｄ、Ａｕメッキ膜４０ｅよりなる。   In this embodiment, as shown in FIG. 2A and FIG. 3A, the structure of the plating film 431 of the roughened portion 401 in the lead frame 40 is the non-roughened Ni plating in order from the base material 40a side. The film 40b is composed of a roughened Ni plated film 40c, a Pd plated film 40d, and an Au plated film 40e whose surface is rougher than the non-roughened Ni plated film 40b.

ここで、この粗化部４０１におけるメッキ膜４３１すなわち非粗化Ｎｉメッキ／粗化Ｎｉメッキ／Ｐｄメッキ／Ａｕメッキよりなる積層メッキ膜４３１の厚みは、それぞれ、非粗化Ｎｉメッキ膜４０ｂが０．３μｍ〜１．５μｍ、粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃが０．３μｍ〜１．５μｍ、Ｐｄメッキ膜４０ｄが０．００２μｍ〜０．０２μｍ、Ａｕメッキ膜４０ｅが０．００２μｍ〜０．０２μｍである。   Here, the thickness of the plating film 431 in the roughening portion 401, that is, the multilayer plating film 431 made of non-roughening Ni plating / roughening Ni plating / Pd plating / Au plating is 0 for the non-roughening Ni plating film 40b. 0.3 μm to 1.5 μm, the rough Ni plating film 40 c is 0.3 μm to 1.5 μm, the Pd plating film 40 d is 0.002 μm to 0.02 μm, and the Au plating film 40 e is 0.002 μm to 0.02 μm.

また、図２（ａ）や図３（ｂ）に示されるように、非粗化部４０２のメッキ膜４３２の構成は、母材４０ａ側から順に、非粗化Ｎｉメッキ膜４０ｂ、Ｐｄメッキ膜４０ｄ、Ａｕメッキ膜４０ｅよりなる。   Further, as shown in FIGS. 2A and 3B, the structure of the plating film 432 of the non-roughened portion 402 is composed of the non-roughened Ni plating film 40b and the Pd plating film in order from the base material 40a side. 40d and Au plating film 40e.

ここで、この非粗化部４０２におけるメッキ膜４３２すなわち非粗化Ｎｉメッキ／Ｐｄメッキ／Ａｕメッキよりなる積層メッキ膜４３２の厚みは、非粗化Ｎｉメッキ膜４０ｂが０．３μｍ〜１．５μｍ、Ｐｄメッキ膜４０ｄが０．００２μｍ〜０．０２μｍ、Ａｕメッキ膜４０ｅが０．００２μｍ〜０．０２μｍである。   Here, the thickness of the plating film 432 in the non-roughened portion 402, that is, the laminated plating film 432 made of non-roughened Ni plating / Pd plating / Au plating, is 0.3 μm to 1.5 μm in the non-roughened Ni plating film 40b. The Pd plating film 40d is 0.002 μm to 0.02 μm, and the Au plating film 40e is 0.002 μm to 0.02 μm.

これら粗化部４０１および非粗化部４０２における各メッキ膜４３１、４３２は、一般的なメッキ方法により形成できるものであり、電気メッキまたは無電解メッキのいずれの方法で形成してもよい。   The plating films 431 and 432 in the roughened portion 401 and the non-roughened portion 402 can be formed by a general plating method, and may be formed by any method of electroplating or electroless plating.

また、粗化部４０１を構成する粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃは、図３（ａ）に示されるように、その表面に凹凸を形成したものである。この粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃの粗化方法は公知である。たとえば、Ｎｉメッキのメッキ成膜時にメッキ条件や薬液成分を調整することなどにより粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃを形成できる。   Further, the roughened Ni plating film 40c constituting the roughened portion 401 is formed with irregularities on the surface thereof as shown in FIG. A roughening method for the rough Ni plating film 40c is known. For example, the rough Ni plating film 40c can be formed by adjusting the plating conditions and chemical components during the Ni plating plating.

ここで、非粗化部４０２の表面すなわち非粗化部４０２におけるＰｄ／Ａｕメッキ膜４０ｄｅの表面（つまりＡｕメッキ膜４０ｅの表面）は、母材４０ａの表面の粗さを実質的に承継しており、その比表面積は１．２３以下である。具体的には、非粗化部４０２の比表面積は、１．０５程度である。   Here, the surface of the non-roughened portion 402, that is, the surface of the Pd / Au plating film 40de in the non-roughened portion 402 (that is, the surface of the Au plating film 40e) substantially inherits the roughness of the surface of the base material 40a. The specific surface area is 1.23 or less. Specifically, the specific surface area of the non-roughened portion 402 is about 1.05.

また、上述したが、粗化部４０１は、母材４０ａ表面よりも粗化された表面を持つものである。そして、その比表面積すなわち粗化部４０１におけるＰｄ／Ａｕメッキ膜４０ｄｅの表面（つまりＡｕメッキ膜４０ｅの表面）の比表面積は１．３３以上である。   In addition, as described above, the roughened portion 401 has a roughened surface rather than the surface of the base material 40a. The specific surface area, that is, the specific surface area of the surface of the Pd / Au plating film 40de (that is, the surface of the Au plating film 40e) in the roughened portion 401 is 1.33 or more.

ただし、非粗化部４０２については、比表面積が１．２３以下であれば粗化されていてもよい。この場合は、Ｎｉメッキ膜のメッキ条件を変えるという公知の方法によって、粗化の大小を調節できることから、非粗化部４０２における非粗化Ｎｉメッキ膜４０ｂを、多少粗化したものとすればよい。   However, the non-roughened portion 402 may be roughened if the specific surface area is 1.23 or less. In this case, since the magnitude of the roughening can be adjusted by a known method of changing the plating conditions of the Ni plating film, the non-roughened Ni plating film 40b in the non-roughening portion 402 is somewhat roughened. Good.

つまり、本実施形態では、図２、図３に示されるように、非粗化メッキ膜４０ｂおよびＰｄメッキ膜４０ｄ、Ａｕメッキ膜４０ｅは、粗化部４０１および非粗化部４０２の両方、すなわちリードフレーム４０の表面全体に渡って設けられており、粗化部４０２は、非粗化メッキ膜４０ｂとＰｄメッキ膜４０ｄとの間に、粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃを介在させた構成である。   That is, in this embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the non-roughened plating film 40b, the Pd plating film 40d, and the Au plating film 40e are both the roughened portion 401 and the non-roughened portion 402, that is, The roughened portion 402 is provided over the entire surface of the lead frame 40. The roughened portion 402 has a roughened Ni plated film 40c interposed between the non-roughened plated film 40b and the Pd plated film 40d.

なお、上記した比表面積は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定することができる。図４は、粗化部４０１におけるリードフレーム４０の表面形状を模式的に示す図であり、ＡＦＭで観察した像を模式化したものである。   The specific surface area described above can be measured with an atomic force microscope (AFM). FIG. 4 is a diagram schematically showing the surface shape of the lead frame 40 in the roughening portion 401, and is a schematic view of an image observed by AFM.

図４に示されるように、粗化されたリードフレーム４０の表面は、鋭い三角錐の突起が上方に向かっている凹凸形状となっている。そして、比表面積は、この凹凸面の表面積を表面が平坦である場合のリードフレーム４０の表面積で割った値である。   As shown in FIG. 4, the roughened surface of the lead frame 40 has a concavo-convex shape with sharp triangular pyramid protrusions facing upward. The specific surface area is a value obtained by dividing the surface area of the irregular surface by the surface area of the lead frame 40 when the surface is flat.

具体的には、比表面積は、図４中の長さｘの辺と長さｙの辺からなる四角形の面積（ｘ×ｙ）を用い、この四角形内の凹凸面の表面積を（ｘ×ｙ）で除した比率として表すことができる。このような比表面積は、原子間力顕微鏡の画像処理を行うことで求めることができる。   Specifically, the specific surface area is the area (xx) of a quadrangle composed of a side of length x and a side of length y in FIG. ) Can be expressed as a ratio divided by. Such a specific surface area can be obtained by performing image processing with an atomic force microscope.

次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置１００の製造方法について、説明する。まず、リードフレーム４０の母材４０ａをエッチングやスタンピングなどで、リードフレーム形状にパターニングした後、メッキ処理を行う。   Next, a method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device 100 of this embodiment will be described. First, after the base material 40a of the lead frame 40 is patterned into a lead frame shape by etching or stamping, a plating process is performed.

このメッキ処理では、まず、リードフレーム４０の母材４０ａの全域に、非粗化Ｎｉメッキ膜４０ｂを形成する。その後、上記した粗化部４０１および非粗化部４０２を形成するため、粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃを部分的に形成する。この部分的なメッキはマスクを用いた方法により行うことができるが、その一例を図５に示す。   In this plating process, first, a non-roughened Ni plating film 40b is formed over the entire area of the base material 40a of the lead frame 40. Thereafter, in order to form the roughened portion 401 and the non-roughened portion 402, the roughened Ni plating film 40c is partially formed. This partial plating can be performed by a method using a mask, an example of which is shown in FIG.

図５（ａ）に示されるように、合致することにより内部にキャビティを形成する第１の金型５１０および第２の金型５２０を用いる。これら両金型５１０および５２０の内面それぞれゴム膜５０１が固定されるとともに、粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃを形成する部位に対応して開口する開口部５１１、５２１が設けられている。この開口部５１１、５２１により上記キャビティが構成される。   As shown in FIG. 5 (a), a first mold 510 and a second mold 520 that form a cavity inside by matching are used. The rubber films 501 are fixed to the inner surfaces of both molds 510 and 520, and openings 511 and 521 are provided corresponding to the portions where the rough Ni plating film 40c is to be formed. The openings 511 and 521 constitute the cavity.

そして、第１の金型５１０には、メッキ液を貯留するタンク５００が供給路５１２を介して連結され、第２の金型５２０には、排出路５２２が連結されている。これら供給路５１２および排出路５２２には、メッキ液の供給量、排出量を調節するバルブ５１３、５２３が介在設定されている。   A tank 500 for storing a plating solution is connected to the first mold 510 via a supply path 512, and a discharge path 522 is connected to the second mold 520. Valves 513 and 523 for adjusting the supply amount and discharge amount of the plating solution are interposed in the supply passage 512 and the discharge passage 522.

そして、図５（ｂ）に示されるように、第１の金型５１０と第２の金型５２０とをリードフレーム４０を挟んで合致させた状態で、上記開口部５１１、５２１よりなるキャビティ内へ、タンク５００からメッキ液を供給する。なお、メッキ液は、図５（ｂ）中の点ハッチングに示す。   Then, as shown in FIG. 5B, in the state where the first mold 510 and the second mold 520 are aligned with the lead frame 40 interposed therebetween, the inside of the cavity formed by the openings 511 and 521 The plating solution is supplied from the tank 500. Note that the plating solution is indicated by dot hatching in FIG.

それにより、リードフレーム４０のうち開口部５１１、５２１に位置する部位は、上記した粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃが形成されて粗化部４０１となり、それ以外の部位は、ゴム膜５０１によってマスキングされているため粗化メッキ膜４０ｃが形成されず、非粗化部４０２となる。使用後のメッキ液は排出路５２２から排出される。なお、図５（ｂ）では粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃの形成工程ではあるが、最終的に粗化部４０１、非粗化部４０２となる部分には、符号４０１、４０２を付してある。   As a result, portions of the lead frame 40 located at the openings 511 and 521 are formed with the roughened Ni plating film 40c to form the roughened portion 401, and other portions are masked by the rubber film 501. Therefore, the roughened plating film 40 c is not formed, and the non-roughened portion 402 is formed. The used plating solution is discharged from the discharge path 522. In FIG. 5B, the roughened Ni plating film 40c is formed, but portions that finally become the roughened portion 401 and the non-roughened portion 402 are denoted by reference numerals 401 and 402, respectively.

こうして粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃをリードフレーム４０に部分的に形成した後、リードフレーム４０の全面にＰｄメッキ膜４０ｄ、Ａｕメッキ膜４０ｅを順次形成することにより、上記図２（ａ）に示したような粗化部４０１と非粗化部４０２とが形成されたリードフレーム４０ができあがる。   After the rough Ni plating film 40c is partially formed on the lead frame 40 in this way, a Pd plating film 40d and an Au plating film 40e are sequentially formed on the entire surface of the lead frame 40, as shown in FIG. The lead frame 40 in which the roughened portion 401 and the non-roughened portion 402 are formed is completed.

なお、本実施形態では、図示しないが、上記アイランド部１０は、リードフレーム４０に一体に連結されたものであって最終的にはカット工程で分断されるものであり、このリードフレーム４０のメッキ工程によって、アイランド部１０の表面も粗化部４０１となっている。   In the present embodiment, although not shown, the island portion 10 is integrally connected to the lead frame 40 and is finally divided by a cutting process. Depending on the process, the surface of the island portion 10 is also a roughened portion 401.

次に、このリードフレーム４０と、アイランド部１０に搭載された半導体チップ３０との間でワイヤボンディングを行ってボンディングワイヤ５０によって互いを電気的に接続する。その後、これら半導体チップ３０、ボンディングワイヤ５０およびリードフレーム４０をモールド樹脂６０で封止する。   Next, wire bonding is performed between the lead frame 40 and the semiconductor chip 30 mounted on the island portion 10, and the bonding wires 50 are electrically connected to each other. Thereafter, the semiconductor chip 30, the bonding wire 50 and the lead frame 40 are sealed with a mold resin 60.

その後、リードフレーム４０のうちモールド樹脂６０から突出する部位であるアウターリード４２を、プレス加工により切り離し、さらに曲げ加工を施す。このリードフレーム４０の成形工程について、図６を参照して説明する。   Thereafter, the outer lead 42, which is a portion protruding from the mold resin 60 in the lead frame 40, is cut off by pressing and further bent. The molding process of the lead frame 40 will be described with reference to FIG.

まず、図示しないパンチなどにより、タイバーにて連結されたアウターリード４２を切り離す。続いて、図６に示されるように、リード成形用パンチ６００、リード成形用アッパーアンビル６１０、リード成形用ダイ６２０を用いて、アウターリード４２の曲げ加工を行う。   First, the outer lead 42 connected by the tie bar is cut by a punch or the like (not shown). Subsequently, as shown in FIG. 6, the outer lead 42 is bent using the lead forming punch 600, the lead forming upper anvil 610, and the lead forming die 620.

この曲げ加工は、図６（ａ）に示されるように、リード成形用アッパーアンビル６１０およびリード成形用ダイ６２０により、アウターリード４２を押さえておき、図６（ｂ）に示されるように、アウターリード４２のうちこの押さえられている部位よりも外側の部位を、リード成形用パンチ６００によって押し曲げることで行える。   As shown in FIG. 6 (a), the bending process is performed by holding the outer lead 42 with the lead forming upper anvil 610 and the lead forming die 620, and as shown in FIG. 6 (b). This can be done by pressing and bending a portion of the lead 42 outside the pressed portion with a lead forming punch 600.

こうして、本実施形態の半導体装置１００ができあがる。そして、この半導体装置１００は、アウターリード４２の先端部の接続面４２３において、はんだ２１０を介してプリント基板２００上に接続されることで実装され、上記図１に示される状態となる。その後、アウターリード４２の検査面４２４にて従来と同様の外観検査を行い、実装の確認を行う。   Thus, the semiconductor device 100 of this embodiment is completed. Then, the semiconductor device 100 is mounted on the connection surface 423 at the tip of the outer lead 42 by being connected to the printed circuit board 200 via the solder 210, and is in the state shown in FIG. Thereafter, an appearance inspection similar to the conventional one is performed on the inspection surface 424 of the outer lead 42 to confirm the mounting.

ところで、本実施形態では、上述したように、粗化部４０１と非粗化部４０２との境界４０３を、アウターリード４２のうち第１の曲げ部４２１と第２の曲げ部４２２との間の部位であるストレート部４２５に設定し、インナーリード４１からこの境界４０３まで連続して粗化部４０１を設けている。そのため、インナーリード４１全体を確実に粗化部４０１とすることができ、樹脂密着性の確保がなされる。   By the way, in this embodiment, as described above, the boundary 403 between the roughened portion 401 and the non-roughened portion 402 is defined between the first bent portion 421 and the second bent portion 422 of the outer lead 42. A rough portion 401 is provided continuously from the inner lead 41 to the boundary 403, which is set in the straight portion 425 as a part. For this reason, the entire inner lead 41 can be reliably used as the roughened portion 401, and the resin adhesion can be ensured.

ここで、本実施形態では、上述したように、粗化部４０１の粗化レベルは確実にモールド樹脂６０と密着するような比表面積（１．３３以上）に設定してあるため、高い信頼性をもつ樹脂封止型半導体装置を提供できる。粗化部４０１の比表面積を１．３３以上とした根拠について述べる。   Here, in the present embodiment, as described above, the roughening level of the roughening portion 401 is set to a specific surface area (1.33 or more) so as to be in close contact with the mold resin 60, and thus high reliability. A resin-encapsulated semiconductor device having the above can be provided. The grounds for setting the specific surface area of the roughened portion 401 to 1.33 or more will be described.

図７は、粗化部４０１の比表面積ＳＡとインナーリード４１の樹脂剥離発生率（％）との関係を実験により求めた結果を示す図である。   FIG. 7 is a diagram illustrating a result of an experiment for determining the relationship between the specific surface area SA of the roughened portion 401 and the resin peeling occurrence rate (%) of the inner lead 41.

これは、インナーリード４１の粗化レベルすなわち粗化部４０１の比表面積を変えた樹脂封止型半導体装置１００を試作し、これに吸湿させてから高温リフローにかけたときにインナーリード４１に樹脂剥離が発生した割合を示したものである。このときの条件は、吸湿が３０℃、７０％、２６４時間であり、高温リフローが２６３℃（２回）であり、試験のｎ数は１０台、パッケージ種類はＳＯＰ２４ピンである。   This is because the resin-encapsulated semiconductor device 100 in which the roughening level of the inner lead 41, that is, the specific surface area of the roughened portion 401 is changed, is prototyped, and the resin is peeled off from the inner lead 41 when subjected to high temperature reflow. It shows the rate of occurrence of. At this time, the moisture absorption is 30 ° C., 70%, 264 hours, the high temperature reflow is 263 ° C. (twice), the number of tests is 10 and the package type is SOP24 pin.

この図７に示される結果から、粗化部４０１の比表面積が１．３３を下回ってから急激に剥離が発生していることがわかる。また、粗化部４０１の比表面積が１．３３以上では剥離発生率は０である。つまり、比表面積１．３３以上に粗化してやれば、剥離はしないということがいえる。   From the results shown in FIG. 7, it can be seen that peeling occurs suddenly after the specific surface area of the roughened portion 401 falls below 1.33. Further, when the specific surface area of the roughened portion 401 is 1.33 or more, the peeling occurrence rate is zero. In other words, it can be said that if the surface area is roughened to a specific surface area of 1.33 or more, peeling does not occur.

次に、外観検査におけるリード認識性については、本実施形態では、上記図２などに示したように、アウターリード４２の検査面４２４を非粗化部４０２としているため、問題なくアウターリード４２の認識を行うことができ、レーザによる自動外観検査を滞りなく実施することができる。   Next, regarding the lead recognizability in the appearance inspection, in this embodiment, the inspection surface 424 of the outer lead 42 is the non-roughened portion 402 as shown in FIG. Recognition can be performed, and automatic visual inspection by laser can be performed without delay.

本実施形態では、上述したように、非粗化部４０２の粗化レベルを、確実にアウターリード４２が認識できるような比表面積（１．２３以下）に設定してある。このように非粗化部４０２の比表面積を１．２３以下とした根拠について述べる。   In the present embodiment, as described above, the roughening level of the non-roughened portion 402 is set to a specific surface area (1.23 or less) so that the outer lead 42 can be reliably recognized. The basis for setting the specific surface area of the non-roughened portion 402 to 1.23 or less will be described.

図８は、アウターリード４２の検査面４２４の比表面積ＳＡと外観検査時のアウターリード４２に対するリード認識エラー発生率（％）との関係を実験により求めた結果を示す図である。   FIG. 8 is a diagram illustrating a result of an experiment for determining the relationship between the specific surface area SA of the inspection surface 424 of the outer lead 42 and the lead recognition error occurrence rate (%) with respect to the outer lead 42 during the appearance inspection.

これは、アウターリード４２における検査面４２４の粗化レベルすなわち非粗化部４０２の比表面積を変えた樹脂封止型半導体装置１００を試作し、実際に自動外観検査装置に通して認識エラーが発生した割合を示したものである。   This is because a resin-encapsulated semiconductor device 100 in which the roughness level of the inspection surface 424 in the outer lead 42, that is, the specific surface area of the non-roughened portion 402 is changed, is prototyped and a recognition error occurs through an automatic visual inspection device. The ratio is shown.

この図８に示される結果から、非粗化部４０２の比表面積が１．２３を上回ってから急激に認識エラーが発生していることがわかる。また、非粗化部４０２の比表面積が１．２３以下では、認識エラー発生率は０である。つまり、比表面積１．２３以下の粗化レベルに抑えてやれば、所定のレーザ反射率が得られ認識エラーの発生を防止できる。   From the result shown in FIG. 8, it can be seen that a recognition error suddenly occurs after the specific surface area of the non-roughened portion 402 exceeds 1.23. When the specific surface area of the non-roughened portion 402 is 1.23 or less, the recognition error occurrence rate is zero. That is, if the roughening level is suppressed to a specific surface area of 1.23 or less, a predetermined laser reflectance can be obtained, and the occurrence of a recognition error can be prevented.

また、本実施形態では、上記粗化部４０１と非粗化部４０２との境界４０３を、アウターリード４２のうち第１の曲げ部４２１と第２の曲げ部４２２との間の部位４２５に設定することで、アウターリード４２におけるメッキ剥離を極力防止することができる。このような構成としたのは、本発明者が実施した実験検討により得られた結果を根拠とするものである。次にその検討の一例を具体的に述べる。   In the present embodiment, the boundary 403 between the roughened portion 401 and the non-roughened portion 402 is set to a portion 425 of the outer lead 42 between the first bent portion 421 and the second bent portion 422. By doing so, it is possible to prevent plating peeling on the outer lead 42 as much as possible. Such a configuration is based on the result obtained by the experimental study conducted by the present inventor. Next, an example of the study will be specifically described.

通常、メッキ膜のような被膜の応力は、端部にて最大となる。このことから、もし、粗化部４０１と非粗化部４０２との境界４０３を、リードフレームの曲げ部４２１、４２２に位置するように設定すると、リードフレームの曲げ時に引き剥がし応力が加わり、当該境界４０３を起点に、粗化部４０１のメッキ膜４３１の剥離が発生し、市場の熱ストレスにて剥離が伸展し、メッキが脱落する。   Usually, the stress of a coating such as a plating film is maximized at the end. Therefore, if the boundary 403 between the roughened portion 401 and the non-roughened portion 402 is set so as to be positioned at the bent portions 421 and 422 of the lead frame, a peeling stress is applied when the lead frame is bent. Peeling of the plating film 431 of the roughened portion 401 occurs from the boundary 403, and the peeling extends due to thermal stress in the market, and the plating falls off.

したがって、当該境界４０３を、曲げ部に掛からないようにモールド樹脂６０の外形線から第１の曲げ部４２１の間に設定すること考えられる。しかし、上述したように、メッキの製造上の公差を考慮すると、この間に境界４０３を設定することが困難なパッケージも存在する。   Therefore, it is conceivable that the boundary 403 is set between the outer shape line of the mold resin 60 and the first bent portion 421 so as not to be applied to the bent portion. However, as described above, there are some packages in which it is difficult to set the boundary 403 between the manufacturing tolerances of the plating.

このような場合を含めて、本実施形態では、境界４０３を第１の曲げ部４２１と第２の曲げ部４２２との間に設定することにより、リードフレーム４０の曲げ時にも、曲げによる引き剥がし応力が境界４０３に対して加わることがなく、剥れを抑制することができると考えた。   In this embodiment, including such a case, the boundary 403 is set between the first bent portion 421 and the second bent portion 422 so that the lead frame 40 can be peeled off even when the lead frame 40 is bent. It was considered that stress was not applied to the boundary 403 and peeling could be suppressed.

そして、実際に、粗化部４０１と非粗化部４０２との境界４０３の位置を、モールド樹脂６０の外形線から第２の曲げ部４２２まで変化させたときの、粗化部４０１のメッキ膜４３１の剥離状態を調べた。   And the plating film of the roughening part 401 when the position of the boundary 403 of the roughening part 401 and the non-roughening part 402 is actually changed from the outline of the mold resin 60 to the 2nd bending part 422. The peeled state of 431 was examined.

ここで、境界４０３の位置は、アウターリード４２に沿ったモールド樹脂６０の外形線からの沿面距離であるが、わかりやすくするため、図９には、曲げ加工前のリードフレーム４０を示し、このリードフレーム４０においてモールド樹脂６０の外形線から境界４０３までの距離Ｌを、境界４０３の位置として表している。   Here, the position of the boundary 403 is the creeping distance from the outer shape line of the mold resin 60 along the outer lead 42, but for the sake of clarity, FIG. 9 shows the lead frame 40 before bending, In the lead frame 40, the distance L from the outline of the mold resin 60 to the boundary 403 is represented as the position of the boundary 403.

本例では、この図９において、モールド樹脂６０の外形線から第１の曲げ部４２１の中心までの距離ａが０．７２ｍｍ、第２の曲げ部４２２の中心までの距離ｂが２．０５ｍｍとした。   In this example, in FIG. 9, the distance a from the outline of the mold resin 60 to the center of the first bent portion 421 is 0.72 mm, and the distance b to the center of the second bent portion 422 is 2.05 mm. did.

そして、この図９において、モールド樹脂６０の外形線から境界４０３までの距離Ｌを変えて、粗化部４０１のメッキ膜４３１の剥離状態、および、リードフレームの曲げ加工時に境界部４０３にて当該メッキ膜４３１の端部に加わる応力（メッキ膜印加応力）を調べた。   In FIG. 9, the distance L from the outline of the mold resin 60 to the boundary 403 is changed, and the peeling state of the plating film 431 of the roughened portion 401 and the boundary portion 403 during bending of the lead frame. The stress applied to the end of the plating film 431 (plating film applied stress) was examined.

ここで、剥離状態は顕微鏡などを用いた目視観察にて行い、メッキ膜印加応力は有限要素法解析にて計算で求めた。その結果を図１０に示す。ここで、図１０は、上記距離Ｌ（単位：ｍｍ）と剥離状態およびメッキ膜印加応力（単位：ＭＰａ）との関係を示す図である。図１０中、黒丸プロットは粗化部４０１のメッキ膜４３１に剥離が発生したもの、黒三角プロットは剥離が発生しなかったものである。   Here, the peeled state was observed by visual observation using a microscope or the like, and the applied stress of the plating film was calculated by a finite element method analysis. The result is shown in FIG. Here, FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the distance L (unit: mm), the peeled state, and the plating film applied stress (unit: MPa). In FIG. 10, the black circle plot indicates that peeling occurred in the plating film 431 of the roughened portion 401, and the black triangle plot indicates that no peeling occurred.

上記図９において、モールド樹脂６０の外形線から第１の曲げ部４２１の中心と第２の曲げ部４２２の中心との中央部までの距離は、１．３８５ｍｍであるが、図１０に示されるように、上記距離Ｌが１．３８５ｍｍ±０．４ｍｍの範囲では、メッキ膜４３１の剥離は発生しなかった。この範囲は、上述したストレート部４２５の範囲である。   9, the distance from the outline of the mold resin 60 to the center of the first bent portion 421 and the center of the second bent portion 422 is 1.385 mm, but is shown in FIG. Thus, in the range where the distance L is 1.385 mm ± 0.4 mm, the plating film 431 was not peeled off. This range is the range of the straight portion 425 described above.

また、上述したように、一般的なマスクメッキの製造上の公差は±０．３ｍｍ程度であり、これを考慮して、メッキを行う場合には、モールド樹脂６０の外形線から１．３８５ｍｍ±０．１ｍｍの位置に境界４０３が来るように、狙ってメッキを行えばよい。   In addition, as described above, the manufacturing tolerance of general mask plating is about ± 0.3 mm, and in consideration of this, when plating is performed, 1.385 mm ± from the outline of the mold resin 60. Plating may be performed so that the boundary 403 comes to a position of 0.1 mm.

それによれば、境界４０３をストレート部４２５の範囲に確実に設定することができる。ただし、マスクメッキの公差の精度が上がり、公差範囲が縮小された場合には、それに応じて境界４０３の狙いの範囲が拡大する。   Accordingly, the boundary 403 can be reliably set within the range of the straight portion 425. However, when the accuracy of the mask plating tolerance is increased and the tolerance range is reduced, the target range of the boundary 403 is increased accordingly.

また、図１０に示されるように、本実施形態における境界４０３の位置の範囲においては、メッキ膜印加応力が、おおよそ３０ＭＰａ以下であれば、メッキ膜４３１が剥離しないことがわかった。このことから、境界４０３の設定位置は、アウターリードのうちメッキ膜印加応力が３０ＭＰａ以下となる部分であればよい。   Further, as shown in FIG. 10, it was found that in the range of the position of the boundary 403 in the present embodiment, the plating film 431 does not peel off if the plating film applied stress is approximately 30 MPa or less. Therefore, the setting position of the boundary 403 may be a portion of the outer lead where the plating film applied stress is 30 MPa or less.

また、上記境界４０３は、リードフレーム４０の一面と他面とで同一ラインとすることが望ましい。そうすることで、メッキ処理を行うときに、マスク押さえをリードフレーム４０の一面と他面との同一箇所で行える。そのため、片押さえ等による押さえ力不足や押え力のばらつきが生じにくく、メッキ液のマスク面への漏れ出し等が抑制できるため、位置精度に優れたメッキを行うことができる。   The boundary 403 is preferably the same line on one side and the other side of the lead frame 40. By doing so, when performing the plating process, mask pressing can be performed at the same place on one side of the lead frame 40 and the other side. For this reason, insufficient pressing force and uneven pressing force due to one-side pressing and the like are unlikely to occur, and leakage of the plating solution to the mask surface can be suppressed, so that plating with excellent positional accuracy can be performed.

このように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置１００によれば、粗化部４０１と非粗化部４０２との境界４０３を、アウターリード４２のうち第１の曲げ部４２１と第２の曲げ部４２２との間の部位４２５に設定し、インナーリード４１からこの境界４０３まで連続して粗化部４０１を設けているため、インナーリード４１全体の樹脂密着性の確保とアウターリード４２におけるメッキ剥離の防止とを両立することができる。   As described above, according to the resin-encapsulated semiconductor device 100 of the present embodiment, the boundary 403 between the roughened portion 401 and the non-roughened portion 402 is separated from the first bent portion 421 and the second of the outer leads 42. Since the roughened portion 401 is provided continuously from the inner lead 41 to the boundary 403 at the portion 425 between the bent portion 422, the resin adhesion of the entire inner lead 41 and the plating on the outer lead 42 are provided. It is possible to achieve both prevention of peeling.

さらに、本実施形態では、第１の曲げ部４２１にて粗化部４０１のメッキ膜４３１にクラックが発生したとしても、そのクラックがリードフレーム４０の母材４０ａにまで到達しないように、粗化部４０１のメッキ膜４３１について望ましい膜厚を提供する。   Further, in the present embodiment, even if a crack occurs in the plating film 431 of the roughening portion 401 at the first bending portion 421, the roughening is performed so that the crack does not reach the base material 40a of the lead frame 40. A desirable film thickness is provided for the plating film 431 of the portion 401.

従来の一般的な粗化メッキ膜は、リードフレームの母材（Ｃｕなど）の上に、直接、本実施形態と同様の粗化Ｎｉメッキ膜、Ｐｄメッキ膜、Ａｕメッキ膜を積層してなるものである。   A conventional general rough plating film is formed by directly laminating a rough Ni plating film, a Pd plating film, and an Au plating film similar to the present embodiment on a base material (Cu or the like) of a lead frame. Is.

それに対して、本実施形態の粗化部４０１のメッキ膜４３１は、母材４０ａの上に、非粗化Ｎｉメッキ膜４０ｂを形成してから、その上に粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃ、Ｐｄメッキ膜４０ｄ、Ａｕメッキ膜４０ｅを積層してなるものである。   On the other hand, the plating film 431 of the roughening part 401 of this embodiment forms the non-roughened Ni plating film 40b on the base material 40a, and then the roughened Ni plating film 40c and Pd plating thereon. The film 40d and the Au plating film 40e are laminated.

図１１は、従来の一般的な粗化メッキ膜（図中の白丸プロット）と本実施形態の粗化部４０１のメッキ膜４３１（図中の黒丸プロット）とについて、膜厚（μｍ）と、第１の曲げ部においてリードフレームの母材に発生したクラックの長さ（母材クラック長さ、単位：μｍ）との関係を調査した結果を示す図である。膜厚は、積層膜よりなるメッキ膜の総膜厚であり、母材クラック長さは断面ＳＥＭ観察にて求めた。   FIG. 11 shows the film thickness (μm) of a conventional general roughened plating film (white circle plot in the figure) and the plating film 431 (black circle plot in the figure) of the roughened portion 401 of this embodiment. It is a figure which shows the result of investigating the relationship with the length (base material crack length, unit: micrometer) of the crack which generate | occur | produced in the base material of the lead frame in the 1st bending part. The film thickness is the total film thickness of the plated film made of the laminated film, and the base material crack length was determined by cross-sectional SEM observation.

図１１に示されるように、従来の粗化メッキ膜では、膜厚が１．７μｍ以上の場合に、リード曲げ加工時に曲げ部にて粗化メッキ膜に発生したクラックから、母材にクラックが伸展する。これを防止するためには、膜厚を１．５μｍ以下にする必要がある。一方、本実施形態の粗化部４０１のメッキ膜４３１では、膜厚を３．２μｍ以下とすれば、メッキクラックから母材に伸展するクラックが発生せしないことがわかる。   As shown in FIG. 11, in the conventional roughened plating film, when the film thickness is 1.7 μm or more, cracks are generated in the base material from the cracks generated in the roughened plating film at the bent portion during the lead bending process. Extend. In order to prevent this, the film thickness needs to be 1.5 μm or less. On the other hand, in the plating film 431 of the roughened portion 401 of this embodiment, it can be seen that if the film thickness is 3.2 μm or less, no cracks extending from the plating cracks to the base material are generated.

ただし、本実施形態の粗化部４０１のメッキ膜４３１においては、非粗化Ｎｉメッキ膜４０ｂは、母材４０ａであるＣｕの拡散を抑制する役割があるため、例えばプリント基板実装時の温度が２６０℃においてもＣｕの拡散を防ぐことができるような膜厚が必要である。このようなことから非粗化Ｎｉメッキ膜４０ｂの膜厚としては、最低０．３μｍ以上が必要である。   However, in the plated film 431 of the roughened portion 401 of the present embodiment, the non-roughened Ni plated film 40b has a role of suppressing the diffusion of Cu as the base material 40a. A film thickness capable of preventing Cu diffusion even at 260 ° C. is required. For this reason, the thickness of the non-roughened Ni plating film 40b needs to be at least 0.3 μm or more.

また、本実施形態の粗化部４０１のメッキ膜４３１において、粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃの比表面積を高い値で安定的に製造するためには、粗化Ｎｉメッキ膜４０ｃの膜厚は最低０．８μｍ以上が必要である。   Further, in order to stably manufacture the rough Ni plating film 40c with a high specific surface area in the plating film 431 of the roughening portion 401 of this embodiment, the film thickness of the rough Ni plating film 40c is at least 0. .8 μm or more is required.

また、本発明者は、第１の曲げ部４２１の曲げ角度についても検討を行った。図１２は、上記した従来の一般的な粗化メッキ膜（図中の白丸プロット）と本実施形態の粗化部４０１のメッキ膜４３１（図中の黒丸プロット）とについて、リード曲げ加工時の曲げ半径（ｍｍ）と、上記母材クラック長さ（単位：μｍ）との関係を調査した結果を示す図である。   The inventor also examined the bending angle of the first bending portion 421. FIG. 12 shows the above-described conventional general rough plating film (white circle plot in the figure) and the plating film 431 (black circle plot in the figure) of the roughening portion 401 of this embodiment at the time of lead bending. It is a figure which shows the result of having investigated the relationship between a bending radius (mm) and the said base material crack length (unit: micrometer).

従来の粗化メッキ膜では、膜厚を１．７μｍとした場合、リード曲げ加工時の曲げ半径０．２ｍｍにて、リードフレームの曲げ加工を行った際に、メッキクラックから母材にクラックが伸展し、パッケージの保持性を悪化させていた。   In the conventional rough plating film, when the film thickness is 1.7 μm, when the lead frame is bent with a bending radius of 0.2 mm at the time of lead bending, cracks are generated from the plating crack to the base material. It extended and deteriorated the retention of the package.

一方、本実施形態の粗化部４０１のメッキ膜４３１の構成、すなわち非粗化Ｎｉ／粗化Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕのメッキ構成によれば、メッキ膜４３１の総膜厚を３．２μｍとした場合において、リード曲げ加工時の曲げ半径を０．２ｍｍとしても、メッキクラックから母材に伸展するクラックの発生は見られず、高い信頼性を維持することができた。   On the other hand, according to the configuration of the plating film 431 of the roughening portion 401 of this embodiment, that is, the plating configuration of non-roughened Ni / roughened Ni / Pd / Au, the total film thickness of the plating film 431 is set to 3.2 μm. In some cases, even when the bending radius at the time of lead bending was set to 0.2 mm, the occurrence of cracks extending from the plating cracks to the base material was not observed, and high reliability could be maintained.

ただし、曲げ半径が大きい場合、モールド樹脂６０よりも下側（つまりプリント基板側）にアウターリード４２の実装面４２３が位置するように曲げ加工する必要があるため、曲げ半径が小さい場合に比べて、アウターリード４２を含めた半導体装置のサイズが大きくなってしまう。したがって、半導体装置のサイズを極力変えずに曲げ半径を大きくする場合、加工上の制約により、最大でも０．４ｍｍが限界となる。   However, when the bending radius is large, it is necessary to perform bending so that the mounting surface 423 of the outer lead 42 is positioned below the mold resin 60 (that is, the printed circuit board side). Therefore, the size of the semiconductor device including the outer lead 42 is increased. Therefore, when the bending radius is increased without changing the size of the semiconductor device as much as possible, the maximum is 0.4 mm due to processing restrictions.

（他の実施形態）
なお、粗化部と非粗化部との境界は、アウターリードのうち第１の曲げ部と第２の曲げ部との間の部位にあればよいが、これら第１および第２の両曲げ部が、当該両曲げ部の間の部位としての真っ直ぐな部位を介さずに隣接していてもよい。この場合には、第１および第２の両曲げ部の間の部位とは、当該曲げ部の境界であり、粗化部と非粗化部との境界は、当該曲げ部の境界に設定される。 (Other embodiments)
It should be noted that the boundary between the roughened portion and the non-roughened portion may be at a portion between the first bent portion and the second bent portion of the outer lead. The part may be adjacent without passing through a straight part as a part between the two bent parts. In this case, the portion between the first and second bent portions is the boundary of the bent portion, and the boundary between the roughened portion and the non-roughened portion is set to the boundary of the bent portion. The

また、上記した実施形態では、アウターリード４２は、モールド樹脂６０側の根元部と検査面４２４との中間部に２箇所曲げられ、第１の曲げ部４２１および第２の曲げ部４２２を有する形状となっていたが、アウターリード４２における曲げ部は、モールド樹脂６０側の根元部と検査面４２４との中間部に少なくとも２箇所あればよい。   Further, in the above-described embodiment, the outer lead 42 is bent at two places at the intermediate portion between the base portion on the mold resin 60 side and the inspection surface 424, and has a first bent portion 421 and a second bent portion 422. However, at least two bent portions in the outer lead 42 may be provided at the intermediate portion between the base portion on the mold resin 60 side and the inspection surface 424.

つまり、半導体装置がプリント基板上に実装可能であり、アウターリードが上記検査面を有して適切に外観検査が行われるものであれば、アウターリードにおける曲げ部は３箇所以上でもよい。つまり、アウターリードにおいて、第１の曲げ部および第２の曲げ部よりもアウターリードの先端部側に、さらに１箇所以上の曲げ部があってもよい。   That is, if the semiconductor device can be mounted on a printed circuit board and the outer lead has the above-described inspection surface and the appearance inspection is appropriately performed, the outer lead may have three or more bent portions. That is, in the outer lead, one or more bent portions may be further provided on the distal end side of the outer lead than the first bent portion and the second bent portion.

また、モールド樹脂６０内における半導体チップ３０とリードフレーム４０との電気的な接続形態は、上記した各図に限定されるものではなく、種々の形態が可能である。また、粗化メッキ膜は、Ｎｉよりなる粗化Ｎｉメッキ膜以外でもよい。   Further, the electrical connection form between the semiconductor chip 30 and the lead frame 40 in the mold resin 60 is not limited to the above-described drawings, and various forms are possible. The rough plating film may be other than the rough Ni plating film made of Ni.

本発明の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention. （ａ）は図１中のモールド樹脂の外形線近傍部におけるリードフレームの拡大概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるリードフレーム４０の概略平面図である。(A) is an enlarged schematic sectional view of the lead frame in the vicinity of the outer shape line of the mold resin in FIG. 1, and (b) is a schematic plan view of the lead frame 40 in (a). （ａ）は、リードフレームにおける粗化部の詳細形状を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、リードフレームにおける非粗化部の詳細形状を示す模式的断面図である。(A) is typical sectional drawing which shows the detailed shape of the roughening part in a lead frame, (b) is typical sectional drawing which shows the detailed shape of the non-roughening part in a lead frame. 粗化部の表面形状を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the surface shape of a roughening part. 粗化メッキ膜の部分メッキ方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the partial plating method of a roughening plating film. リードフレームの曲げ加工方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the bending method of a lead frame. 粗化部の比表面積と樹脂剥離発生率（％）との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the specific surface area of a roughening part, and resin peeling incidence (%). 検査面の比表面積と外観検査時のリード認識エラー発生率との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the specific surface area of a test | inspection surface, and the lead recognition error generation rate at the time of an external appearance test | inspection. 曲げ加工前のリードフレームにおいてモールド樹脂の外形線からの境界の距離Ｌを表す図である。It is a figure showing the distance L of the boundary from the external shape line of mold resin in the lead frame before a bending process. 距離Ｌと剥離状態およびメッキ膜印加応力との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the distance L, a peeling state, and the plating film applied stress. 従来と実施形態の粗化メッキ膜について、膜厚と母材クラック長さの関係を調査した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having investigated the relationship between a film thickness and base material crack length about the roughening plating film of the prior art and embodiment. 従来と実施形態の粗化メッキ膜について、リード曲げ加工時の曲げ半径と母材クラック長さとの関係を調査した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of investigating the relationship between the bending radius at the time of lead bending, and a base material crack length about the roughening plating film of the prior art and embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

３０…半導体素子としての半導体チップ、４０…リードフレーム、
４０ａ…リードフレームの母材、４０ｂ…非粗化Ｎｉメッキ膜、
４０ｃ…粗化メッキ膜としての粗化Ｎｉメッキ膜、４１…インナーリード、
４２…アウターリード、６０…モールド樹脂、２００…プリント基板、
４０１…粗化部、４０２…非粗化部、４０３…粗化部と非粗化部との境界、
４２１…第１の曲げ部、４２２…第２の曲げ部、４２４…アウターリードの検査面、
４２５…第１の曲げ部と第２の曲げ部との間の部位としてのストレート部。 30 ... Semiconductor chip as a semiconductor element, 40 ... Lead frame,
40a: lead frame base material, 40b: non-roughened Ni plating film,
40c ... roughened Ni plating film as roughening plating film, 41 ... inner lead,
42 ... Outer leads, 60 ... Mold resin, 200 ... Printed circuit board,
401 ... Roughening part, 402 ... Non-roughening part, 403 ... Boundary between roughening part and non-roughening part,
421 ... first bent portion, 422 ... second bent portion, 424 ... outer lead inspection surface,
425 ... A straight portion as a portion between the first bent portion and the second bent portion.

Claims (2)

互いに電気的に接続された半導体素子（３０）とリードフレーム（４０）とがモールド樹脂（６０）で封止されてなり、
前記リードフレーム（４０）におけるインナーリード（４１）は、母材（４０ａ）とこの母材（４０ａ）の表面に形成され前記母材（４０ａ）の表面よりも粗化された粗化メッキ膜（４０ｃ）とにより構成された粗化部（４０１）となっており、
前記リードフレーム（４０）におけるアウターリード（４２）の先端部には、プリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（４２４）が設けられており、この検査面（４２４）は、前記粗化部（４０１）よりも表面が平坦な非粗化部（４０２）となっている樹脂封止型半導体装置において、
前記アウターリード（４２）は、前記モールド樹脂（６０）側の根元部側と前記検査面（４２４）との中間部にて、少なくとも２箇所曲げられた形状となっており、
前記アウターリード（４２）のうち前記モールド樹脂（６０）に最も近い箇所において曲げられた部位を第１の曲げ部（４２１）とし、前記第１の曲げ部（４２１）から数えて前記モールド樹脂（６０）側から２番目の曲げられた部位を第２の曲げ部（４２２）としたとき、
前記検査面（４２４）は、前記アウターリード（４２）のうち前記第２の曲げ部（４２２）よりも先端部側に位置しており、
前記粗化部（４０１）は、前記インナーリード（４１）から前記アウターリード（４２）に渡って連続して設けられるとともに、前記アウターリード（４２）における前記粗化部（４０１）と前記非粗化部（４０２）との境界（４０３）は、前記アウターリード（４２）のうち前記第１の曲げ部（４２１）と前記第２の曲げ部（４２２）との間の部位（４２５）に設定されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 The semiconductor element (30) and the lead frame (40) electrically connected to each other are sealed with a mold resin (60),
The inner lead (41) in the lead frame (40) is formed on the surface of the base material (40a) and the base material (40a) and is a roughened plating film (rougher than the surface of the base material (40a)). 40c) and a roughening section (401) constituted by
An inspection surface (424) on which an appearance inspection is performed after mounting on the printed circuit board (200) is provided at the tip of the outer lead (42) in the lead frame (40), and this inspection surface (424). Is a non-roughened part (402) whose surface is flatter than the roughened part (401),
The outer lead (42) has a shape bent at least at two locations at the intermediate portion between the base side on the mold resin (60) side and the inspection surface (424).
A portion of the outer lead (42) that is bent at a location closest to the mold resin (60) is defined as a first bent portion (421), and the mold resin ( 60) When the second bent portion from the side is the second bent portion (422),
The inspection surface (424) is located on the distal end side of the outer lead (42) with respect to the second bent portion (422),
The roughened portion (401) is provided continuously from the inner lead (41) to the outer lead (42), and the roughened portion (401) and the non-roughened portion of the outer lead (42). The boundary (403) with the conversion portion (402) is set at a portion (425) between the first bent portion (421) and the second bent portion (422) of the outer lead (42). A resin-encapsulated semiconductor device, wherein 前記粗化部（４０１）は、非粗化ニッケルメッキ膜（４０ｂ）の上に前記粗化メッキ膜としての粗化ニッケルメッキ膜（４０ｃ）が積層された構成を有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 The said roughening part (401) has the structure by which the roughening nickel plating film (40c) as said roughening plating film was laminated | stacked on the non-roughening nickel plating film (40b). 2. A resin-sealed semiconductor device according to 1.
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