JP4881484B2 - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Exposure apparatus and device manufacturing method

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幸広 横田
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本発明は、原版を介して基板を露光する露光装置に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate via an original.

半導体素子等を製造するフォトリソグラフィ工程では、投影型露光装置を使用してレチクルやフォトマスク上に形成されているパターンを、感光剤が塗布された基板(ウエハ)等に転写する。 In the photolithography process for manufacturing semiconductor devices or the like, a pattern using the projection exposure apparatus is formed on a reticle or photomask, the photosensitive agent is transferred to the coated substrate (wafer) or the like. 投影型露光装置としては、ウエハの各ショット領域を投影光学系の露光領域内に移動させ、ショット領域ごとに対応するレチクルのパターン像を一括露光し、再び移動、一括露光を繰り返すステップ・アンド・リピート方式の縮小型露光装置(ステッパ)や、露光領域を拡大する為にレチクル及びウエハを相対的に同期走査しながらレチクルのパターンをウエハ上に露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャナ)が用いられている。 The projection exposure apparatus, each shot area of ​​the wafer is moved to the exposure region of the projection optical system, collectively expose the pattern image of the reticle corresponding to each shot region, again moving, step-and-repeat the batch exposure reduction exposure apparatus (stepper) and the repeat method, the scanning exposure apparatus of step-and-scan method that exposes a reticle pattern onto a wafer with relatively synchronously scanning the reticle and the wafer in order to enlarge the exposure area (scanner) is used.

これらの投影型露光装置においては、露光対象であるウエハ面の露光領域の持つ投影光学系の光軸方向に対する位置及び傾斜角を読みとり、最適な状態に該露光領域の位置及び傾斜角を制御することが必須である。 In these projection exposure apparatus has read the position and angle of inclination with respect to the optical axis of the projection optical system with the exposure region of the wafer surface is exposed target, controls the position and inclination of the exposure area in the optimal state it is essential. 露光領域の投影光学系の光軸方向に対する位置や傾斜角、即ち露光面のフォーカス状態を読みとる機構である面位置検出装置としては、従来、以下に説明する光学的な測定方式が用いられている。 Position or angle of inclination with respect to the optical axis of the projection optical system of the exposure region, that is, as the surface position detecting system is a mechanism to read a focus state of the exposure surface, are conventionally used optical measurement method described below .

図1は半導体素子製造における投影型露光装置の構成概略図である。 Figure 1 is a block schematic diagram of a projection exposure apparatus in semiconductor device manufacturing. 転写用のパターンが形成されレチクルステージ1上に保持されたレチクルRには、照明光学系(不図示)からの照明光束ILで照明が行われる。 The reticle R on which a pattern to be transferred is held on a reticle stage 1 is formed, the illumination is performed with illumination light beam IL from the illumination optical system (not shown). 照明されたレチクルR上のパターンは投影光学系ULによりウエハW上に投影される。 The pattern on the illuminated reticle R is projected onto the wafer W by the projection optical system UL. ウエハWはウエハWを保持しつつ、ウエハWの傾斜角及び投影光学系ULに対する光軸方向の高さを調整するフォーカス・レベリングステージ2上に搭載される。 Wafer W while holding the the wafer W, it is mounted on the focus leveling stage 2 for adjusting the height of the optical axis direction with respect to the inclination angle and the projection optical system UL of the wafer W. フォーカス・レベリングステージ2は、投影光学系ULの光軸に垂直な平面内でウエハWの位置決めを行うXYステージ3上に搭載され、更にXYステージ3はウエハステージベース4上に保持される。 Focus leveling stage 2 is mounted on an XY stage 3 to position the wafer W in a plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system UL, further XY stage 3 is held on a wafer stage base 4. 投影光学系ULの光軸方向に対する位置は、面位置検出装置7を用いて測定する。 Position with respect to the optical axis of the projection optical system UL is measured using the surface position detecting device 7.

図2は面位置検出装置を示している平面図である。 Figure 2 is a plan view showing the surface position detecting apparatus. この面位置検出装置は、ウエハWに対し非感光性の光を照射する焦点位置測定用光束の光源(不図示)を用い、光源から光ファイバ10を通じて送られる照明光11の光束により照明される焦点検出用パターン板13、焦点検出用パターン板13上のパターン(開口)を投影光学系ULの露光領域の近傍、あるいは露光領域内に位置する複数の測定点に斜めから投影する投光光学系により投光側が構成される。 The surface position detecting apparatus using a non-photosensitive focal position measuring beam which irradiates light of a light source (not shown) to the wafer W, is illuminated by the light beam of the illumination light 11 sent from the source through the optical fiber 10 focus detection pattern plate 13, the light projecting optical system for projecting obliquely from a plurality of measurement point located in the vicinity or exposure area of ​​the exposure regions of the pattern (opening) of the projection optical system UL on the focus detection pattern plate 13 the light projecting side is constituted by. ここで、前記投光光学系には、ミラー14、リレーレンズ15、開口絞り16、ミラー17、照射対物レンズ18、及び投光プリズムミラー19等が含まれている。 Here, wherein the projection optical system, a mirror 14, a relay lens 15, an aperture stop 16, a mirror 17, are included, such as irradiation objective lens 18 and the light projecting prism mirror 19, it is. 投影された複数の測定点からの反射光は受光光学系に入射して集光され、各測定点の焦点検出用のパターン(開口)の像が各測定点に対応した光電検出手段27に再結像される。 The reflected light from the plurality of measurement points that are projected is condensed and enters the light receiving optical system, re photoelectric detection means 27 where the image of a pattern (opening) for focus detection for each measurement point corresponding to each measurement point It is imaged. 光電検出手段27で検出された出力信号を画像処理検出することにより、各測定点についてウエハWの高さ及び傾斜角に起因するずれ量に対応した検出信号が生成される。 By the image processing detects the detected output signal in the photoelectric detection means 27, detected signal corresponding to a displacement amount due to the height and inclination angle of the wafer W for each measurement point is generated. 光電検出手段27からの検出信号に基づいてフォーカス・レベリングステージ2は制御手段(不図示)により、ウエハWの露光領域の位置及び傾斜角を補正制御する。 Focus leveling stage 2 based on the detection signal from the photoelectric detector 27 by the control means (not shown), for correction control of the position and inclination of the exposure area of ​​the wafer W. ここで、前記受光光学系には、受光プリズムミラー20、集光対物レンズ21、ミラー22、開口絞り23、リレーレンズ24、及びミラー25,26等が含まれている。 Here, wherein the light-receiving optical system, the light receiving prism mirror 20, focusing objective lens 21, a mirror 22, an aperture stop 23 includes a relay lens 24, and mirrors 25 and 26 and the like.

通常の投影型露光装置においては、図1に示すように、投影光学系ULは定盤9上に固定された架台8の上面に投影光学系ULのフランジ等を介して支持されている。 In conventional projection exposure apparatus, as shown in FIG. 1, the projection optical system UL is supported via the flange or the like of the projection optical system UL on the upper surface of the frame 8 fixed on a surface plate 9. 面位置検出装置7は架台8の下面に固定され、フォーカス・レベリングステージ2、XYステージ3と共に架台8と定盤9で囲まれた空間(以下ステージ空間という。)に設置されている。 Surface position detecting device 7 is fixed to the lower surface of the gantry 8 are installed with the focus leveling stage 2, XY stage 3 in a space surrounded by the frame 8 and the base 9 (hereinafter referred to as the stage space.).

また、XYステージ3の投影光学系の光軸に垂直な平面内での位置を観察するために、XYステージ3に固定された干渉計ミラー5にレーザビームを投射するレーザ干渉計6も架台8下面に固定され、ステージ空間に含まれている。 Further, in order to observe the position in a plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system of the XY stage 3, the laser interferometer 6 for projecting a laser beam to the interferometer mirror 5 which is fixed to the XY stage 3 also gantry 8 fixed to the lower surface, it is included in the stage space.

従来、レーザ干渉計6及び面位置検出装置7の光路は、ステージ駆動ストロークの関係上カバーを用いて局所的に空調の安定化と空気の流れの最適化ができない領域が存在し、温度勾配に起因した空気の温度ゆらぎ(屈折率の変動)が計測精度に大きな影響を与えているために、ステージ空間には、吹出し温度が±0.05℃以下に制御した専用の空調系(不図示)を備えている。 Conventionally, the optical path of the laser interferometer 6, and the surface position detecting device 7, locally region can not be stabilized and optimization of the air flow of the air conditioning is present using the relation on the cover of the stage driving stroke, the temperature gradient for temperature fluctuations of resulting air (refractive index variation) is a major impact on the measurement accuracy, the stage space, blowing dedicated air conditioning system the temperature was controlled below ± 0.05 ° C. (not shown) It is equipped with a.

また、焦点検出信号を光電検出手段によって処理し、発熱源である光電検出手段を構成するセンサ部28を有する面位置検出装置7は、センサ部28に局所排気機構29を設けてステージ空間において温度勾配の発生を防いでいる。 Moreover, treated by photoelectric detecting means focus detection signal, a heat source surface position detecting device 7 including a sensor unit 28 constituting a photoelectric detection means, the temperature in the stage space the sensor unit 28 provided with a local exhaust mechanism 29 thereby preventing the occurrence of the gradient.

しかしながら、センサ部28に局所的排気機構29を設けても、完全には熱を排気することは不可能であり、空調系の吹出し設定温度に対してセンサカバー部の表面温度は0.5〜1.0℃程度高くなっている。 However, be provided with a local exhaust mechanism 29 to the sensor unit 28 completely is not possible to exhaust heat, the surface temperature of the sensor cover portion with respect to the blowout set temperature of the air conditioning system is 0.5 about 1.0 ℃ is higher. このため、ステージ空間において温度勾配が生じ、面位置検出装置7及びレーザ干渉計6の光路上には空気の温度ゆらぎをもたらし、面位置検出装置7及びレーザ干渉計6の測定結果は数10nm程度の測定誤差が生じていた。 Therefore, a temperature gradient occurs in the stage space, the surface position detecting device 7 and the laser interferometer 6 of the optical path brings the temperature fluctuations of the air, the surface position detecting device 7 and the measurement result is the number 10nm about the laser interferometer 6 of measurement error has occurred.

面位置検出装置7の測定誤差は、レチクルRのパターンを投影光学系ULを介してウエハW上に露光する際の焦点位置ずれとなり、レチクルパターンがウエハ上に良好に解像しないなどの問題となる。 Measurement error of the surface position detecting device 7, the pattern of the reticle R through the projection optical system UL becomes the focal position deviation at the time of exposure on the wafer W, and problems such as the reticle pattern does not satisfactorily resolved on the wafer Become. また、レーザ干渉計6による測定誤差に関しては、レチクルRのパターンを投影光学系6を介してウエハW上に露光する際、ウエハW上の同一領域に複数のパターンを重ね合わせて露光する際の重ね合わせ精度が低下してしまう。 As for the measurement error caused by the laser interferometer 6, when exposed onto the wafer W to the pattern of the reticle R through the projection optical system 6, when exposing by overlapping a plurality of patterns on the same area on the wafer W overlay accuracy is lowered.

今後も、露光装置の解像力向上のために、投影光学系の開口数(NA)の拡大や、露光波長の短波長化が図られていくが、これに伴い、投影光学系の許容深度(焦点深度)が減少し、ウエハ面を投影光学系の合焦位置に設定する際の測定精度もより一層厳しくなっていく。 In the future, for enhancing the resolution of the exposure apparatus, expansion of the numerical aperture of the projection optical system (NA), shorter exposure wavelength is gradually been attempted, but with this, the allowable depth (focal point of the projection optical system depth) decreases, the measurement accuracy in setting the wafer surface in-focus position of the projection optical system also will more become more severe. 面位置検出装置の測定精度を向上させていくために、ウエハ面での露光領域における面情報を増加させていく傾向にあるが、ウエハ面での測定点の増加は、光電検出手段であるセンサの増加につながるため、発熱量も増加し、面位置検出装置及びレーザ干渉計の計測精度を更に悪化させる可能性もある。 To continue to improve the measurement accuracy of the surface position detecting apparatus tends to gradually increase the surface information in the exposure area on the wafer surface, but the increase of the measurement points in the wafer surface, a photoelectric detector sensor because it leads to an increase in heat generation amount also increases, further there is a possibility to deteriorate the measurement accuracy of the surface position detecting apparatus and a laser interferometer.

本発明は、レーザ干渉計の計測精度を改善することを目的としている。 The present invention aims at improving the measurement accuracy of the laser interferometer.

上記目的を達成するための本発明の露光装置は、原版を介して基板を露光する露光装置であって、 The exposure apparatus of the present invention for achieving the above object, an exposure apparatus that exposes a substrate via an original,
前記原版または前記基板を保持して移動可能なステージと、 A stage which is movable while holding the original or the substrate,
前記ステージを支持する定盤と、 And a platen for supporting the stage,
前記ステージに保持された前記原版または前記基板の表面の高さ及び傾きを検出する検出手段と、 Detecting means for detecting the height and inclination of the held on the stage the original or the surface of the substrate,
前記検出手段を支持する架台と、 A cradle for supporting the detecting means,
前記定盤と前記架台との間における 、前記ステージを含む空間の空調を行う空調手段と、 Between the surface plate and the frame, and the air conditioning means for performing air conditioning of a space including the stage,
前記空間内に光路を有して前記ステージの位置を計測するレーザ干渉計とを有し、 Anda laser interferometer for measuring the position of the stage has an optical path in the space,
前記検出手段は、光電検出手段と、前記原版または前記基板上にパターンを投影する投光光学系と、前記原版または前記基板上に投影された前記パターンの像を前記光電検出手段に再結像させる受光光学系とを有し、前記光電検出手段を含む前記検出手段の第1の部分は、前記空間の外において前記架台に支持され、 前記検出手段の第2の部分は、前記空間内において前記架台に支持され、 前記第1の部分と前記第2の部分とは、前記受光光学系の瞳面と像面との間において該像面より該瞳面の近傍で分割されている、 Said detecting means includes a photoelectric detecting means, the original or a light projecting optical system for projecting a pattern on the substrate, the re-imaging an image of the pattern projected on the original or the substrate in the photoelectric detecting means is to have a light receiving optical system, a first portion of said detecting means including the photoelectric detecting means is supported by the frame at the outer of said space, a second portion of said detection means in said space the supported to the frame, wherein the first portion and the second portion is divided in the vicinity of the pupil plane from the image surface between the pupil surface and the image plane of the light receiving optical system,
ことを特徴とする露光装置である。 It is an exposure apparatus according to claim.

本発明によれば、レーザ干渉計の計測精度を改善することができる。 According to the present invention, it is possible to improve the measurement accuracy of the laser interferometer.

従来例である露光装置の全体構成を示す正面図である。 Is a front view showing an overall configuration of a conventional example in which the exposure apparatus. 従来例である露光装置に設置されている面位置検出装置の平面図である。 Is a plan view of the surface position detecting apparatus is installed in an exposure apparatus which is a conventional example. 本発明の第1の実施形態に係る露光装置を示す立面図である。 The exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention is an elevational view showing. 本発明の第2の実施形態に係る露光装置を示す立面図である。 The exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention is an elevational view showing. 本発明の実施形態に係る露光装置に適用した面位置検出装置のセンサ部土台の断面図である。 It is a cross-sectional view of a sensor unit base of the applied surface position detecting apparatus in an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。 It is a conceptual view seen from a certain angle a semiconductor device production system using the apparatus according to the present invention. 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。 The semiconductor device manufacturing system using a device according to the present invention is a conceptual view seen from a different angle. ユーザインタフェースの具体例である。 It is a specific example of the user interface. デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。 It is a diagram for explaining a flow of the manufacturing process of the device. ウエハプロセスを説明する図である。 It is a diagram illustrating a wafer process.

(第1の実施形態) (First Embodiment)
図3は本発明の第1の実施形態に係る露光装置の要部概略図である。 Figure 3 is a schematic view of a main portion of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本実施形態は本発明をデバイス製造用のステップ・アンド・リピート方式やステップ・アンド・スキャン方式等を用いた投影露光装置に適用した場合を示している。 This embodiment shows a case of applying the present invention to a projection exposure apparatus using a step-and-repeat method or step-and-scan method for device manufacture, and the like. 図中、Rは投影される原版いわゆるレチクル(第1物体)であり、レチクルステージ1rに載置されており、本体に対してアライメント系(不図示)で位置合わせされ、保持されている。 In the figure, R is an original called a reticle to be projected (first object) are placed on the reticle stage 1r, aligned in the alignment with respect to the body system (not shown), are held. レチクルRは照明光学系(不図示)からの照明光束ILで照明されている。 The reticle R is illuminated with the illumination light beam IL from the illumination optical system (not shown). ULは投影光学系であり、架台8に支持され、レチクルRのパターンをウエハ(感光基板)W上に投影結像している。 UL is the projection optical system is supported to the frame 8, it is projecting images a pattern of the reticle R onto the wafer (photosensitive substrate) W.

ウエハWを保持しているウエハステージ1wは、架台8と定盤9で囲まれたステージ空間内に配置し、ウエハステージベース4上に載置されており、ウエハWを投影光学系ULの光軸に垂直なXY平面上を移動するXYステージ3と、XYステージ3上に載置されたフォーカス・レベリングステージ2とで構成されている。 Wafer stage 1w holding the wafer W is placed on the enclosed stage space at the platform 8 and base 9 are placed on the wafer stage base 4, the wafer W light projection optical system UL an XY stage 3 to move on vertical XY plane to the axis, and a focus leveling stage 2 placed on the XY stage 3. このフォーカス・レベリングステージ2は、ウエハWを吸着保持するウエハチャック(不図示)を投影光学系ULの光軸方向(Z方向)へ微少駆動(フォーカス駆動)及び光軸回りに微少回転駆動(レベリング駆動)が可能である。 The focus leveling stage 2, the wafer chuck finely driven into (not shown) in the optical axis direction of the projection optical system UL (Z direction) for attracting and holding the wafer W (focus driving) and small rotational drive about the optical axis (leveling drive) is possible.

5は、干渉計ミラーであって、XYステージ3に固定されており、そのX方向位置を架台8の下面に支持されているレーザ干渉計6でモニタするものである。 5 is a interferometer mirrors are fixed to the XY stage 3, is intended to monitor the X-direction position in the laser interferometer 6 supported on the lower surface of the frame 8. なお、干渉計ミラー5とレーザ干渉計6はY方向についても同様に配置している。 Note that the interferometer mirror 5 and the laser interferometer 6 are arranged in the same manner for the Y direction. 干渉計ミラー5とレーザ干渉計6から得られる信号を用いて、ウエハWは、XYステージ3の制御系(不図示)により、常に所定の位置となるように位置決めされる。 By using a signal obtained from the interferometer mirror 5 and the laser interferometer 6, the wafer W is transferred by the XY stage 3 in the control system (not shown), it is positioned at all times to a predetermined position.

ステージ空間には、面位置検出装置7も架台8の下面に固定されており、この露光装置は、投影光学系ULに対するウエハWの表面の高さ及び傾きを検出し、その検出値が所定のベストフォーカス値(投影光学系の像面の高さを示す所定の司令値)になるように、フォーカス・レベリングステージ2の制御手段(不図示)に検出信号を送ることにより、ウエハWの露光領域の高さ及び傾きを補正制御している。 The stage space, also the surface position detecting device 7 is fixed to the lower surface of the frame 8, the exposure apparatus detects the height and tilt of the surface of the wafer W with respect to the projection optical system UL, the detection value is predetermined that the best focus value so that the (predetermined commander value indicating the height of the image plane of the projection optical system), by sending a detection signal to the control means of the focus-leveling stage 2 (not shown), the exposed areas of the wafer W of the height and tilt are corrected control.

これらの主要構成要素は、恒温チャンバ内に設置されている。 These main components are placed in a thermostatic chamber. また、恒温チャンバ内では、通常のクリーンルームよりも精度の高い温度制御がなされており、例えば、クリーンルームの温度制御が±2〜3℃の範囲であるのに対して、恒温チャンバ内では、±0.1℃程度に保たれている。 Further, in a thermostatic chamber, than conventional clean room have been made high temperature control accuracy, for example, while the temperature control of the clean room is in a range of ± 2 to 3 ° C., in a thermostatic chamber, ± 0 It has been kept at about .1 ℃.

特に、精密計測が必要である面位置検出装置7及びレーザ干渉計6を配置しているステージ空間は、温調エア吹出しフィルタ(不図示)を用いて、ステージ空間全域の温度を吹出し温度とほぼ同じにしてあり、温度勾配に起因する面位置検出装置7及びレーザ干渉計6の光路上の空気の温度ゆらぎ(屈折率の変動)による計測誤差を防いでいる。 In particular, precise measurement stage space is arranged the surface position detecting device 7 and the laser interferometer 6 is required, using a temperature adjusting air blowing filter (not shown), substantially the outlet air temperature the temperature of the stage space the entire Yes in the same, thereby preventing measurement errors due to air temperature fluctuations of the surface position detecting device 7 and the laser interferometer 6 of the light path due to temperature gradients (variations of refractive index).

本実施形態に係る露光装置は、ステージ空間に発熱源を配置することにより発生する温度ゆらぎを防止することに着目し、ステージ空間に設置される面位置検出装置7の発熱源であるセンサ部28の配置位置を変更したものであり、以下に本実施形態に係る露光装置に設置される面位置検出装置7の構成を詳細に説明する。 Exposure apparatus according to this embodiment focuses on preventing the temperature fluctuations caused by placing a heat source to the stage space, the sensor unit 28 is a heat source of the surface position detecting device 7 installed in stage space of it is obtained by changing the arrangement position, illustrating the installed by the surface position detecting apparatus 7 configured in the exposure apparatus of the present embodiment in detail below.

投光光学系に関しては、従来と同様であり、図2を用いて説明し、受光光学系に関しては、図3を用いて説明する。 For the projection optical system are the same as conventional, and described with reference to FIG. 2, with respect to the light-receiving optical system will be described with reference to FIG.

投光光学系は次のように構成される。 Light projecting optical system is constructed as follows. ウエハWに対し非感光性の光を照射する焦点位置測定用光束の光源が収納されている光源BOX(不図示)は、熱源部であるため、ステージ空調空間外部に配置してある。 Light source non-photosensitive source of the focal position measuring beam for irradiating light to the wafer W is housed BOX (not shown) are the heat source, it is disposed on the stage conditioned space outside. 照明光11は、光ファイバ10を介して照出され、照明系レンズ12で集光されて焦点検出用パターン板13を照明し、ミラー14、リレーレンズ15、開口絞り16、ミラー17、照射対物レンズ18、及び投光プリズムミラー19を経てパターン(開口)を投影光学系ULの露光領域の近傍あるいは露光領域内に位置する複数の測定点に斜めから投影する。 Illumination light 11 is issued irradiation through the optical fiber 10 is condensed by the illumination system lens 12 to illuminate the focal point detection pattern plate 13, the mirror 14, a relay lens 15, an aperture stop 16, the mirror 17, the irradiation objective lens 18, and is projected from an oblique to a plurality of measurement point located in the vicinity or exposure area of ​​the exposure region of the projection light through a pattern prism mirror 19 (aperture) of the projection optical system UL.

投影された複数の測定点からの反射光は、図3に示す受光光学系に入射して受光プリズムミラー20、集光対物レンズ21で集光され、ミラー22で架台8の上方に反射した後、開口絞り23(瞳面)、架台8の穴に挿入しているリレーレンズ系24で集光され、ミラー25で架台8の上面に反射し、光電検出手段27で構成されるセンサ部28に導光され、各測定点の焦点検出用のパターン(開口)の像が各測定点に対応した光電検出手段27の受光面に再結像する。 The reflected light from the plurality of measurement points that are projected, the light receiving prism mirror 20 and enters the light receiving optical system shown in FIG. 3, it is condensed by the focusing objective lens 21, after being reflected above the frame 8 by the mirror 22 the aperture stop 23 (pupil plane), is focused by the relay lens system 24 which is inserted into the hole of the stand 8, and reflected on the upper surface of the frame 8 by a mirror 25, a sensor section 28 composed of a photoelectric detector 27 is guided, the image of the pattern (opening) for focus detection for each measurement point is reimaged on the light receiving surface of the photoelectric detection means 27 corresponding to each measurement point. リレーレンズ以降の要素は、センサ部28に構成され、土台30を介して架台8の上面に固定されている。 Elements after the relay lens is constructed in the sensor unit 28 is fixed to an upper surface of the mount 8 through a foundation 30. 光電検出手段27は、1次元または2次元CCD(電荷結合素子)であり、出力信号を画像処理検出することにより、各測定点についてウエハWの高さ及び傾斜角に起因するずれ量に対応した検出信号が生成される。 The photoelectric detection means 27 is a one-dimensional or two-dimensional CCD (charge coupled device), by the image processing detects the output signal, corresponding to a displacement amount due to the height and inclination angle of the wafer W for each measurement point detection signal is generated.

このように、本実施形態においては、架台8に光路用及び光学部材挿入用の穴を設け、面位置検出装置7の受光光学系は、ミラーを用いて垂直方向に展開し、光学的な調整敏感度が低い瞳面近傍で、面位置検出手段の本体部(投光光学系、受光光学系)とセンサ部28を分割することによって、光電検出手段27から構成されるセンサ部28の配置位置を架台8下面から上面に変更し、センサ部28の発熱に起因する面位置検出装置7及びレーザ干渉計6の計測誤差を防止している。 Thus, in the present embodiment, the holes for optical path and the optical member inserted provided to the gantry 8, the light receiving optical system of the surface position detecting device 7 expands in a vertical direction using a mirror, optical adjustment sensitivity is low pupil plane near the main body portion of the surface position detecting means (the light projecting optical system, the light receiving optical system) by dividing the sensor unit 28, the arrangement position of the constructed sensor unit 28 from the photoelectric detector 27 the change from the lower surface mount 8 on the upper surface, thereby preventing the measurement error of the surface position detecting device 7 and the laser interferometer 6 due to the heating of the sensor portion 28.

(第2の実施形態) (Second Embodiment)
図4は第2の実施形態に係る露光装置を示しており、面位置検出装置7のセンサ部28を架台8の側面に配置したものである。 Figure 4 is an arranged is shown an exposure apparatus according to the second embodiment, the sensor portion 28 of the surface position detecting device 7 to the side surface of the mount 8.

面位置検出装置7の投光光学系までの構成は図3に示した第1の実施形態と同様であり、受光光学系の引廻しを以下に説明する。 Configuration to the projection optical system of the surface position detecting device 7 is the same as the first embodiment shown in FIG. 3, illustrating the lead-Mr of the light receiving optical system below.

投光光学系によりウエハに投影された複数の測定点からの反射光は受光光学系に入射して受光プリズムミラー20、集光対物レンズ21で集光され、第1の実施形態とは異なり、ミラーを用いて折り曲げずに、開口絞り23(瞳面)、リレーレンズ24で集光され、ミラー25で架台8の側面に立上げられ、光電検出手段27で構成されるセンサ部28に導光され、各測定点の焦点検出用のパターン(開口)の像が各測定点に対応した光電検出手段27の受光面に再結像する。 The reflected light from the plurality of measurement points that are projected onto the wafer by the projection optical system is focused is incident on the light receiving optical system by the light receiving prism mirror 20, focusing objective lens 21, unlike the first embodiment, without being bent with mirrors, aperture stop 23 (pupil plane), is focused by the relay lens 24, the standing raised to the side surface of the frame 8 by a mirror 25, guided to the constructed sensor unit 28 in the photoelectric detection means 27 is, the image of the pattern (opening) for focus detection for each measurement point is reimaged on the light receiving surface of the photoelectric detection means 27 corresponding to each measurement point. リレーレンズ以降の要素は、センサ部28に構成され、土台30を介して架台8の側面に固定されている。 Elements after the relay lens is constructed in the sensor unit 28 is fixed to a side surface of the frame 8 via the base 30. その他は、第1の実施形態と同様であり、光電検出手段27は、出力信号を画像処理検出することにより、各測定点についてウエハWの高さ及び傾斜角に起因するずれ量に対応した検出信号を生成する。 Others are the same as in the first embodiment, the photoelectric detection means 27, by the image processing detects the output signal, detected corresponding to the height and the deviation amount caused by the inclination angle of the wafer W for each measurement point to generate a signal. そしてこの露光装置は、フォーカス・レベリングステージ2の制御手段(不図示)に検出信号を送ることにより、ウエハWの露光領域の高さ及び傾きを補正制御している。 And this exposure apparatus, by sending a detection signal to the control means of the focus-leveling stage 2 (not shown) is corrected control the height and inclination of the exposure area of ​​the wafer W.

なお、本実施形態においては、センサ部28を固定している架台8の側面からセンサ部28の熱がステージ空間に流入しないように、該センサ部28の熱は架台8の側面開口部に遮蔽板31を設けて遮断している。 In the present embodiment, from the side of the frame 8 holding the sensor portion 28 so that the heat of the sensor unit 28 does not flow into the stage space, the heat of the sensor unit 28 is shielded by the side opening of the frame 8 It is cut off by providing a plate 31.

このように、本実施形態においては、面位置検出装置7の受光光学系は、ミラーを用いずに水平方向に展開し、光学的な調整敏感度が低い瞳面近傍で、本体部とセンサ部28を分割することによって、光電検出手段27から構成されるセンサ部28の配置位置を架台8の下面から側面に変更し、センサ部28の発熱に起因する面位置検出装置7及びレーザ干渉計6の計測誤差を防止している。 Thus, in the present embodiment, the light receiving optical system of the surface position detecting device 7 expands horizontally without using a mirror, a low pupil plane near optical adjustment sensitivity, the body portion and the sensor portion by dividing the 28, the arrangement position of the constructed sensor unit 28 from the photoelectric detector 27 to change to the side from the lower surface of the mount 8, the surface position detecting apparatus caused by the heat generation of the sensor unit 28 7, and the laser interferometer 6 so as to prevent the measurement error.

以上の実施形態のように、センサ部28を架台8の上面または側面に配置するにあたっては、通常、投光光学系の焦点検出用パターン板13の焦点検出用パターン面からウエハW面までの光学系とウエハW面から光電検出手段27の受光面までの光学系は、同一のものを用いることが可能であったが、架台8の厚さ、幅等により、受光光学系の焦点距離を伸ばすなどの対応が必要な場合もある。 As described above embodiments, the optical of the sensor portion 28 when placing the top or side surface of the mount 8 is usually from focus detection pattern surface of the focus detecting pattern plate 13 of the light projecting optical system to the surface of the wafer W an optical system from the system and the wafer W surface to the light receiving surface of the photoelectric detection means 27, it was possible to use the same ones, the thickness of the frame 8, the width, etc., extending the focal length of the light receiving optical system it may be necessary to cope with such.

また、本実施形態に係る露光装置に設置される面位置検出装置7は、センサ部28に従来のような局所排気機構29を設けて、センサ部28自体の温度上昇及び外部空間への熱の流出を防ぐだけでなく、センサ部28の熱がセンサ部28の架台8に接する土台30から架台8に伝わることによるステージ空間における空気の温度ゆらぎの防止や、架台8に固定している投影光学系UL、レーザ干渉計6、面位置検出装置7及びセンサ部28自体の熱による機械的な変形の発生を防止するために、センサ部28の架台8と接する土台30の内部には、図5のような冷却配管32を設けており、この冷却配管32の中を温度制御された冷媒体である液体を循環させている。 Further, the surface position detecting device 7 to be installed in an exposure apparatus according to this embodiment, a local exhaust mechanism 29 as in the prior art to the sensor unit 28 is provided, the heat to the temperature rise and the outer space of the sensor unit 28 itself not only prevents the outflow, the projection optical heat sensor unit 28 that secure the base 30 in contact with the frame 8 of the sensor unit 28 prevention of temperature fluctuations of the air in the stage space by being transmitted to the frame 8, to the frame 8 system UL, the laser interferometer 6, in order to prevent mechanical deformation due to heat of the surface position detecting device 7 and the sensor unit 28 itself, inside the base 30 in contact with the frame 8 of the sensor unit 28, FIG. 5 the cooling pipe 32 is provided as is to circulate the liquid is a temperature-controlled coolant through the cooling pipe 32.

以上、説明した各実施形態では、ウエハステージ空間に関して説明したが、本発明は、レチクルステージ空間におけるレチクルパターン面の高さ及び傾き、たわみ等を計測する面位置検出装置を備えた露光装置にも適用可能である。 Above, in the embodiments described, it has been described with respect to the wafer stage space, the present invention, the height and inclination of the reticle pattern surface on the reticle stage space, to an exposure apparatus with a surface position detecting device for measuring the deflection and the like it is applicable.

また、本発明は、投影光学系を用いた縮小型の露光装置だけでなく、等倍のミラー光学系を用いてマスク上のパターンを感光基板上に露光するミラープロジェクション方式の露光装置(アライナ)などにも適用可能である。 Further, the present invention not only reduction type exposure apparatus using a projection optical system, an exposure apparatus of a mirror projection type exposing a pattern on a mask onto a photosensitive substrate using the magnification of the mirror optical system (aligner) it is also applicable to such.

更に、本発明は、光学式の露光装置以外の例えば電子ビームと電子レンズとを使用して、回路パターンを描画したり、或いは回路パターンを投影したりする電子ビーム露光装置やX線露光装置にも同様に適用することができる。 Furthermore, the present invention uses an optical exposure apparatus other than such as electron beams and an electron lens, or to draw a circuit pattern, or a circuit pattern on an electron beam exposure apparatus or an X-ray exposure apparatus or projected it can be applied similarly.

(半導体生産システムの実施形態) (Embodiment of Semiconductor Production System)
次に、本発明に係る装置を用いた半導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の生産システムの例を説明する。 Next, a semiconductor device using the apparatus according to the present invention (IC or LSI, etc. of the semiconductor chip, a liquid crystal panel, CCD, thin film magnetic head, micromachine, or the like) is an example of a production system is described. これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。 A trouble remedy or periodic maintenance of a manufacturing apparatus installed in a semiconductor manufacturing factory, or maintenance service such as software distribution is performed by using a computer network outside the manufacturing factory.

図6は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。 6 is obtained by seen from a certain angle the entire system. 図中、101は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の事業所である。 In the figure, 101 denotes a business office of a vendor that provides semiconductor device manufacturing apparatus (device supply manufacturer). 製造装置の実例としては、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置等)を想定している。 Illustrative examples of the manufacturing apparatus are semiconductor manufacturing apparatuses for various processes used in a semiconductor manufacturing factory, for example, pre-process apparatuses (exposure apparatus, resist processing apparatus, an etching apparatus, an annealing apparatus, film formation apparatus, planarization apparatus, and the like) and post-process apparatuses (assembly apparatus, it is assumed that the inspection apparatus, etc.). 事業所101内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム108、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク(LAN)109を備える。 The plant 101 includes a local area network (LAN) 109 to construct an intranet, such as a host management system 108 for providing a maintenance database for the manufacturing apparatus, a plurality of operation terminal computers 110, connects them. ホスト管理システム108は、LAN109を事業所の外部ネットワークであるインターネット105に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。 The host management system 108 has a gateway for connecting to the Internet 105 as an external network of the business office LAN 109, and a security function for limiting external accesses.

一方、102〜104は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。 Meanwhile, 102 to 104 denote manufacturing factories of the semiconductor manufacturer as users of manufacturing apparatuses. 製造工場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良い。 Manufacturing plant 102 to 104, may be plants belonging to different manufacturers, plants belonging to the same maker (e.g., a factory for pre-process factory and the like for post-process) may be used. 各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装置106と、それらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム107とが設けられている。 Within each plant 102-104, respectively, and a plurality of manufacturing apparatuses 106, the host and a local area network (LAN) 111 to construct an intranet or the like connects these, as a monitoring apparatus for monitoring the operation status of each manufacturing apparatus 106 and a management system 107 is provided. 各工場102〜104に設けられたホスト管理システム107は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワークであるインターネット105に接続するためのゲートウェイを備える。 The host management system 107 in each of the factories 102 to 104 has a gateway for connecting the LAN111 in each plant to the Internet 105 as an external network of the factory. これにより各工場のLAN111からインターネット105を介してベンダの事業所101側のホスト管理システム108にアクセスが可能となり、ホスト管理システム108のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアクセスが許可となっている。 This can access the host management system 108 of the office 101 of the vendor via the Internet 105 from LAN111 each plant, only a limited user by the security function of the host management system 108 to access is a permitted . 具体的には、インターネット105を介して、各製造装置106の稼動状況を示すステータス情報(例えば、トラブルが発生した製造装置の症状)を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報(例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができる。 Specifically, via the Internet 105, status information indicating the operation status of each manufacturing apparatus 106 (e.g., the symptom of a manufacturing apparatus in trouble) addition to notifying the vendor side from the factory side, corresponding to the notification response information (e.g., information designating a remedy against the trouble, or remedy software or data) can receive latest software, and maintenance information such as help information from the vendor side. 各工場102〜104とベンダの事業所101との間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。 The data communication LAN111 data communications and in each plant, a communication protocol that is commonly used in the Internet (TCP / IP) is used between the sites 101 of each factory 102-104 and the vendor . なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク(ISDNなど)を利用することもできる。 It should be noted that, instead of using the Internet as an external network of the factory, it is also possible to utilize a highly secure leased-line network (such as ISDN) that can not be accessed by a third party. また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。 The host management system on an external network to construct a user database is not limited to the one provided by the vendor, or may be from a plurality of factories of the user to authorize access to the database.

さて、図7は本実施形態の全体システムを図6とは別の角度から切り出して表現した概念図である。 Now, FIG. 7 is a view showing the concept of cutting out the entire system of this embodiment from a different angle than FIG. 先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。 In the above example, a plurality of user factories each with the manufacturing apparatus, said a vendor management system of the manufacturing apparatus are connected by an external network, for each plant via the external network production management and at least one the information of the manufacturing apparatus was to data communications. これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。 In the example of FIG This a factory having manufacturing apparatuses of a plurality of vendors, by connecting the management system of each vendor of the plurality of manufacturing apparatuses in an external network of the factory, and maintenance information of each manufacturing apparatus it is intended to data communication. 図中、201は製造装置ユーザ(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置202、レジスト処理装置203、成膜処理装置204が導入されている。 In the figure, 201 denotes a manufacturing factory of a manufacturing apparatus user (semiconductor device manufacturer), factory manufacturing apparatuses for various processes, the production line, an exposure apparatus 202 embodiment, resist processing apparatus 203, thin film deposition apparatus 204 has been introduced. なお図7では製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。 Although Figure 7 manufacturing factory 201 depicts only one actually are networked plural factories. 工場内の各装置はLAN206で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理がされている。 Each device in the factory are connected to constitute the intranet LAN 206, which manages the operation of the manufacturing line and a host management system 205.

一方、露光装置メーカ210、レジスト処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム211,221,231を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。 On the other hand, the exposure apparatus manufacturer 210, resist processing apparatus manufacturer 220, in each office of a vendor such as film formation apparatus manufacturer 230 (apparatus supply manufacturer), the host management system 211 and 221 for performing remote maintenance for the supplied apparatuses. Each comprising a 231, which a maintenance database and a gateway for an external network, as described above. ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム205と、各装置のベンダの管理システム211,221,231とは、外部ネットワーク200であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。 The host management system 205 for managing the apparatuses in the manufacturing factory of the user, the management system 211, 221 and 231 of the vendors for the respective apparatuses are connected via the Internet or dedicated network serving as an external network 200. このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット200を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。 In this system, when trouble occurs in any one of a series of manufacturing equipment of the production line, but the operation of the manufacturing line stops, subject to remote maintenance via the Internet 200 from the vendor of the trouble has occurred equipment it is rapid response are possible, it is possible to minimize the rest of the production line.

半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。 Each manufacturing apparatus in the semiconductor manufacturing factory comprises a display, a network interface, software for network access stored in a storage device and a computer that executes the software and apparatus operating. 記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。 The storage device is a built-in memory, hard disk, or network file server. 上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図8に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。 The network access software includes a dedicated or general-purpose web browser, provides a user interface having a window as shown in Figure 8 for example on the display. 各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種401、シリアルナンバー402、トラブルの件名403、発生日404、緊急度405、症状406、対処法407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入力する。 The operator who manages manufacturing apparatuses in each factory, with reference to the screen, model 401 of the manufacturing apparatus, a serial number 402, subject of trouble 403, occurrence date 404, degree of urgency 405, symptom 406, remedy 407, passed 408 etc. to enter the information in the input field on the screen. 入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。 The input information is transmitted to the maintenance database via the Internet, and appropriate maintenance information is sent back from the maintenance database and displayed on the display. またウェブブラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能410〜412を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることができる。 Recently The user interface provided by the web browser further realizes hyperlink functions 410 to 412 as shown, the operator to be used for a manufacturing apparatus from more detailed and access information, software library provided by a vendor of each item or draw out the version of the software, or can pull out the operation guide a reference for the operator in the factory (help information). ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフトウェアも提供する。 Here, the maintenance information provided by the maintenance database includes the information concerning the present invention described above is also included, The software library also provides the latest software for implementing the present invention.

次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。 Next will be described a manufacturing process of a semiconductor device using the production system described above. 図9は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。 Figure 9 shows the flow of the whole manufacturing process of a semiconductor device. ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。 In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。 Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design (mask fabrication). 一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。 On the other hand, a wafer is manufactured using a material such as silicon at step 3 (wafer manufacture). ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。 Step 4 (wafer process) called a pre-process wherein, by using the mask and wafer that have been prepared, forms actual circuitry on the wafer through lithography. 次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立て工程を含む。 The next step 5 (assembly) called a post-process, a semiconductor chip the wafer formed in Step 4 and includes an assembly step (dicing, bonding), the assembly and packaging process (chip encapsulation) comprising the step. ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。 Step 6 (inspection) performs various tests for the semiconductor device manufactured in step 5, a durability check and perform. こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。 The semiconductor device is completed with these processes and shipped (step 7). 前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。 Performed in pre-process and post-process are separate dedicated factories, and maintenance is done by these the above-described remote maintenance system for each plant. また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。 Between the pre-process factory and the post-process factory, Information for production management and apparatus maintenance is communicated via the Internet or dedicated network.

図10は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。 Figure 10 is a flow chart showing details of the wafer process. ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。 In step 11 (oxidation), the wafer surface is oxidized. ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。 Step 12 of forming an insulating film on the wafer surface (CVD). ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。 The electrode is formed by vapor deposition step 13 (electrode formation) on the wafer. ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。 Step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。 Step 15 is coated with a photosensitive agent (resist processing), the wafer. ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。 The circuit pattern of the mask by the step 16 (exposure), the above-mentioned exposure apparatus exposes the wafer. ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。 In step 17 (development) develops the exposed wafer. ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。 In step 18 (etching), portions other than the developed resist image. ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。 In step 19 (resist stripping) removes unused resist after etching. これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。 By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. 各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。 A manufacturing apparatus used in each step undergoes maintenance by the remote maintenance system described above has been made, the prevent problems, are possible if also quickly recover trouble occurs, the semiconductor device as compared with the conventional it is possible to improve the productivity.

1,1r レチクルステージ 1w ウエハステージ 2 フォーカス・レベリングステージ 3 XYステージ 4 ウエハステージベース 5 干渉計ミラー 6 レーザ干渉計 7 面位置検出装置 8 架台 9 定盤 10 光ファイバ 11 照明光 12 照明系レンズ 13 焦点検出用パターン板 14 ミラー 15 リレーレンズ 16 開口絞り 17 ミラー 18 照射対物レンズ 19 投光プリズムミラー 20 受光プリズムミラー 21 集光対物レンズ 22 ミラー 23 開口絞り 24 リレーレンズ 25 ミラー 26 ミラー 27 光電検出手段 28 センサ部 29 局所排気機構 30 土台 31 遮蔽板 32 冷却配管 IL 照明光束 UL 投影光学系 R レチクル W ウエハ 101 ベンダの事業所 102,103,104 製造工場 105 インターネット 106 製 1,1r reticle stage 1w wafer stage 2 focus leveling stage 3 XY stage 4 wafer stage base 5 interferometer mirror 6 the laser interferometer 7 surface position detecting apparatus 8 gantry 9 platen 10 optical fiber 11 the illumination light 12 illumination system lens 13 focal detection pattern plate 14 mirror 15 a relay lens 16 aperture stop 17 mirror 18 irradiates the objective lens 19 light projecting prism mirror 20 receiving prism mirror 21 converging objective lens 22 mirror 23 aperture stop 24 a relay lens 25 mirror 26 mirror 27 photoelectrically detecting means 28 sensor part 29 local exhaust mechanism 30 base 31 shield plate 32 cooling piping IL illumination beams UL projection optical system R reticle W wafer 101 vendor sites 102, 103, 104 manufacturing plant 105 made Internet 106 装置 107 工場のホスト管理システム 108 ベンダ側のホスト管理システム 109 ベンダ側のローカルエリアネットワーク(LAN) 107 factory host management system 108 vendor side of the host management system 109 vendor side of the local area network (LAN)
110 操作端末コンピュータ 111 工場のローカルエリアネットワーク(LAN) 110 operation terminal computer 111 factory local area network (LAN)
200 外部ネットワーク 201 製造装置ユーザの製造工場 202 露光装置 203 レジスト処理装置 204 成膜処理装置 205 工場のホスト管理システム 206 工場のローカルエリアネットワーク(LAN) 200 external network 201 manufacturing apparatus user manufacturing factory 202 exposure device 203 resist processing apparatus 204 thin film deposition apparatus 205 factory host management system 206 factory local area network (LAN)
210 露光装置メーカ 211 露光装置メーカの事業所のホスト管理システム 220 レジスト処理装置メーカ 221 レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム 230 成膜装置メーカ 231 成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム 401 製造装置の機種 402 シリアルナンバー 403 トラブルの件名 404 発生日 405 緊急度 406 症状 407 対処法 408 経過 410,411,412 ハイパーリンク機能 210 exposure apparatus manufacturer 211 exposure apparatus manufacturer plant host management system 220 resist processing apparatus manufacturer 221 resist processing apparatus manufacturer Plant host management system 230 deposition apparatus manufacturer 231 deposition apparatus manufacturer host management system offices 401 model 402 serial number 403 subject of trouble 404 day 405 urgency 406 symptom 407 Solution 408 passed 410, 411, 412 hyperlinking manufacturing apparatus

Claims (8)

  1. 原版を介して基板を露光する露光装置であって、 An exposure apparatus that exposes a substrate via an original,
    前記原版または前記基板を保持して移動可能なステージと、 A stage which is movable while holding the original or the substrate,
    前記ステージを支持する定盤と、 And a platen for supporting the stage,
    前記ステージに保持された前記原版または前記基板の表面の高さ及び傾きを検出する検出手段と、 Detecting means for detecting the height and inclination of the held on the stage the original or the surface of the substrate,
    前記検出手段を支持する架台と、 A cradle for supporting the detecting means,
    前記定盤と前記架台との間における 、前記ステージを含む空間の空調を行う空調手段と、 Between the surface plate and the frame, and the air conditioning means for performing air conditioning of a space including the stage,
    前記空間内に光路を有して前記ステージの位置を計測するレーザ干渉計とを有し、 Anda laser interferometer for measuring the position of the stage has an optical path in the space,
    前記検出手段は、光電検出手段と、前記原版または前記基板上にパターンを投影する投光光学系と、前記原版または前記基板上に投影された前記パターンの像を前記光電検出手段に再結像させる受光光学系とを有し、前記光電検出手段を含む前記検出手段の第1の部分は、前記空間の外において前記架台に支持され、 前記検出手段の第2の部分は、前記空間内において前記架台に支持され、 前記第1の部分と前記第2の部分とは、前記受光光学系の瞳面と像面との間において該像面より該瞳面の近傍で分割されている、 Said detecting means includes a photoelectric detecting means, the original or a light projecting optical system for projecting a pattern on the substrate, the re-imaging an image of the pattern projected on the original or the substrate in the photoelectric detecting means is to have a light receiving optical system, a first portion of said detecting means including the photoelectric detecting means is supported by the frame at the outer of said space, a second portion of said detection means in said space the supported to the frame, wherein the first portion and the second portion is divided in the vicinity of the pupil plane from the image surface between the pupil surface and the image plane of the light receiving optical system,
    ことを特徴とする露光装置。 Exposure and wherein the.
  2. 前記再結像は、前記架台の穴を介して行われる、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 The re-imaging is performed via the hole of the frame, that the exposure apparatus according to claim 1, wherein the.
  3. 前記第1の部分を冷却する冷却機構を有する、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の露光装置。 Wherein a first partial cooling mechanism for cooling the exposure apparatus according to claim 1 or claim 2, characterized in that.
  4. 前記冷却機構は、排気機構を含む、ことを特徴とする請求項に記載の露光装置。 The cooling mechanism includes an exhaust mechanism, an exposure apparatus according to claim 3, characterized in that.
  5. 前記冷却機構は、前記第1の部分と前記架台との間に設けられた冷却配管を含む、ことを特徴とする請求項3または請求項4に記載の露光装置。 The cooling mechanism, an exposure apparatus according to claim 3 or claim 4 including a cooling pipe provided between said first portion pedestal, it is characterized.
  6. 前記レーザ干渉計は、前記架台に支持されている、ことを特徴とする請求項1 ないし請求項5のいずれか1項に記載の露光装置。 The laser interferometer, the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5, characterized in that is supported by the cradle.
  7. 前記原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系を有する、ことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の露光装置。 An apparatus according to any one of claims 1 to 6, characterized in that, with a projection optical system for projecting a pattern of the original onto the substrate.
  8. 請求項1 ないし請求項7のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、 A step of exposing a substrate using an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7,
    前記工程で露光された基板を現像する工程と、 A step of developing the substrate exposed in the step,
    を有することを特徴とするデバイス製造方法。 Device manufacturing method characterized by having a.
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