JP4873930B2 - 反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子 - Google Patents
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Description
ρp:p−GaN抵抗
tp:p−GaN厚さ
tn:n−GaN厚さ
ρn:n−GaN抵抗
前記数式で、p−コンタクト抵抗(p−contact resistance:ρc)を上昇させれば、電流集中効果が緩和されうるが、コンタクト抵抗が上昇すれば、化合物半導体発光素子の全体抵抗が上昇して、動作電圧が大きくなるという問題が発生し得る。したがって、化合物半導体発光素子の動作電圧をそのまま維持させつつ、p−コンタクト抵抗ρcを上昇させうる方法が要求される。
11a、11b コンタクト領域、
21、22 オーミックコンタクト層、
22a 第1メタル層、
22b 第2メタル層、
25 反射電極層、
26、27 反射電極(p型電極)、
100 基板、
102 n型化合物の半導体層、
104 活性層、
106 p型化合物の半導体層、
120 n型下部電極。
Claims (18)
- n型化合物の半導体層、活性層及びp型化合物の半導体層を備える化合物半導体発光素子の前記p型化合物の半導体層上に形成される反射電極において、
前記p型化合物の半導体層の上面の一部に所定幅に形成されたオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層、及び前記オーミックコンタクト層により覆われていない前記p型化合物の半導体層の上面を覆う反射電極層と、を備え、
前記p型化合物の半導体層の上面に、前記反射電極層及びp型化合物の半導体層が直接コンタクトされるコンタクト領域が前記p型化合物の半導体層の上面の少なくとも一端部に設けられ、前記p型化合物の半導体層の上面の全体面積に対する前記コンタクト領域の面積比は、5%ないし60%の範囲にあることを特徴とする化合物半導体発光素子の反射電極。 - 前記p型化合物の半導体層の上面の全体面積に対する前記コンタクト領域の面積比は、40%ないし60%の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体発光素子の反射電極。
- 前記オーミックコンタクト層は、前記p型化合物の半導体層の上面の中央領域に設けられ、前記コンタクト領域は、前記p型化合物の半導体層の上面の両側に設けられたことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体発光素子の反射電極。
- 前記オーミックコンタクト層は、Ni、Pt、Pd、Ru、Ir及びCrから形成されるグループから選択された何れか一つから形成されたことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体発光素子の反射電極。
- 前記オーミックコンタクト層は、10ないし100Åの厚さの範囲にあることを特徴とする請求項4に記載の化合物半導体発光素子の反射電極。
- 前記オーミックコンタクト層は、順次に積層された第1メタル層及び第2メタル層を備え、
前記第1メタル層は、Ni、Pt及びPdから形成されるグループから選択された何れか一つから形成されたものであって、前記第2メタル層は、Ag、Al、Au及びRhから形成されるグループから選択された何れか一つから形成されたことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体発光素子の反射電極。 - 前記第1メタル層は、10ないし100Åの厚さの範囲にあり、前記第2メタル層は、2000ないし3000Åの厚さの範囲にあることを特徴とする請求項6に記載の化合物半導体発光素子の反射電極。
- 前記反射電極層は、Ag、Al、Au及びRhから形成されるグループから選択された何れか一つから形成されたことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体発光素子の反射電極。
- 前記反射電極層は、2000ないし3000Åの厚さの範囲にあることを特徴とする請求項8に記載の化合物半導体発光素子の反射電極。
- n型電極及びp型電極、その間に少なくともn型化合物の半導体層、活性層及びp型化合物半導体層を備える化合物半導体の発光素子において、
前記p型電極は、
前記p型化合物の半導体層の上面の一部に所定幅に形成されたオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層、及び前記オーミックコンタクト層により覆われていない前記p型化合物の半導体層の上面を覆う反射電極層と、を備え、
前記p型化合物の半導体層の上面に、前記反射電極層及びp型化合物の半導体層が直接コンタクトされるコンタクト領域が前記p型化合物の半導体層の上面の少なくとも一端部に設けられ、前記p型化合物半導体層の上面の全体面積に対する前記コンタクト領域の面積比は、5%ないし60%の範囲にあることを特徴とする化合物半導体の発光素子。 - 前記p型化合物の半導体層の上面の全体面積に対する前記コンタクト領域の面積比は、40%ないし60%の範囲にあることを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体の発光素子。
- 前記オーミックコンタクト層は、前記p型化合物の半導体層の上面の中央領域に設けられ、前記コンタクト領域は、前記p型化合物の半導体層の上面の両側に設けられたことを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体の発光素子。
- 前記オーミックコンタクト層は、Ni、Pt、Pd、Ru、Ir及びCrから形成されるグループから選択された何れか一つから形成されたことを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体の発光素子。
- 前記オーミックコンタクト層は、10ないし100Åの厚さの範囲にあることを特徴とする請求項13に記載の化合物半導体の発光素子。
- 前記オーミックコンタクト層は、順次に積層された第1メタル層及び第2メタル層を備え、
前記第1メタル層は、Ni、Pt及びPdから形成されるグループから選択された何れか一つから形成されたものであって、前記第2メタル層は、Ag、Al、Au及びRhから形成されるグループから選択された何れか一つから形成されたことを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体の発光素子。 - 前記第1メタル層は、10ないし100Åの厚さの範囲にあり、前記第2メタル層は、2000ないし3000Åの厚さの範囲にあることを特徴とする請求項15に記載の化合物半導体の発光素子。
- 前記反射電極層は、Ag、Al、Au及びRhから形成されるグループから選択された何れか一つから形成されたことを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体の発光素子。
- 前記反射電極層は、2000ないし3000Åの厚さの範囲にあることを特徴とする請求項17に記載の化合物半導体の発光素子。
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