JP4863551B2 - 量子ドットの製造方法および量子ドット構造体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体量子構造を構成するための量子ドットの製造方法、および、量子ドットを含む量子ドット構造体に関するものである。
【0002】
【発明の背景】
従来から、量子ドット(量子箱ともいう)の利点については良く知られている。量子ドットについては、その特徴を利用して、例えば発光素子やメモリなどの用途に用いることが提案されている。
【0003】
量子ドットの形成方法についても、下記の文献1〜4に示されるように、各種のものが知られている。
文献1:応用物理第67巻第7号(1998)776〜786頁
文献2:応用物理第67巻第7号(1998)802〜806頁
文献3:特開平10−79501公報
文献4:特開平10−289996公報
従来は、MOCVD(有機金属化学気相堆積法)やMBE(分子線エピタキシャル成長法)における選択成長の現象
を用いて、基板上に量子ドットを形成する方法が主に用いられている。
【0004】
しかしながら、こうした方法では、基板上に量子ドットを形成させるための成長条件が厳しくて形成が難しく、また、用いられる化合物半導体の特徴のために、得られた量子ドットが高温に弱くなる傾向がある。
また、量子ドットの組成として炭素(C)を用いたものは見あたらない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、比較的容易に量子ドットを形成できる量子ドットの製造方法を提供することを目的としている。また、この発明の他の目的は、炭素により構成された量子ドットを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の量子ドット構造体は、SiCまたはB 4 Cの結晶により構成された半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された量子ドットとを備えている。量子ドットの全部または一部は、フラーレン構造の一部となる炭素により構成されている。前記量子ドットを構成する炭素と前記半導体基板の表面とは、それらの界面において、互いの格子面が整合性をとりながら直接に結合した状態となっている。
【0007】
請求項2記載の量子ドット構造体は、請求項1記載のものにおいて、量子ドットの全部または一部が球面状となっているものである。
【0011】
請求項3は、請求項1または2に記載の量子ドット構造体であって、前記量子ドットは互いに離間されているものである。
【0012】
請求項4は、半導体基板の表面におけるSiCまたはB 4 Cの結晶を分解することによって、前記SiCからSiを、または、前記B 4 CからBを除去し、前記半導体基板の表面に、フラーレン構造の一部をなす炭素からなる量子ドットを形成する、量子ドットの製造方法である。
【0014】
本発明の半導体基板は、半導体的共有結合性炭化物により構成されたものである。ここで半導体的共有結合性炭化物とは、SiCやB4Cのように、炭化物であって、共有結合により相手方と結合されており、かつ、半導体的な性質を有するものである。
【0017】
請求項5は、請求項4に記載の量子ドットの製造方法において、半導体基板を分解する際の条件を調整することにより、量子ドットの径および/または密度を制御するものである。
【0018】
請求項6は、請求項5記載の量子ドットの製造方法において、前記条件を、基板を分解する際の真空度、温度、分解時間、または基板表面の平滑度のうちのいずれかとしたものである。請求項6は、これらの条件を複数用いる場合を含む。
【0019】
請求項7は、請求項4〜6のいずれか1項に記載の量子ドットの製造方法において、基板表面にステップを形成することにより、量子ドットの形状および/または配列を制御するものである。
【0020】
請求項8は、請求項4〜7のいずれか1項に記載の量子ドットの製造方法において、半導体基板を分解する際の真空度を調整することにより、量子ドットを形成する層の数を制御するものである。
【0021】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の一実施形態に係る量子ドットの製造方法を、図1を参照しながら以下に説明する。
【0022】
まず、図1(a)に示される基板1を準備する。この基板の組成としては、SiCやB4Cなどの、半導体的共有結合性炭化物を用いることができる。以下では、6H−SiC(0001)を用いた例を説明する。ただし、結晶系としては、4H−SiC、3C−SiCなどの他の多形を用いることもできる。ここで、基板の組成として重要なのは、後述する量子ドットが形成される表面部分である。表面より深い位置で組成を異ならせることは可能である。つまり、本実施形態における「半導体的共有結合性炭化物の基板」とは、量子ドットの形成に寄与しない部分の組成がこれとは異なっている基板を含む。
【0023】
この基板1を真空加熱炉(図示せず)の中に配置する。このとき、上側に、(000−1)面となるC面2を配置し、図中の下側に、(0001)面となるSi面3を配置する。
【0024】
ついで、真空加熱炉を減圧し、かつ加熱する。炉内圧力の一例としては、10−1〜10−10Torr程度であるが、特に限定されない。炉内圧力として好ましくは、10−2〜10−10Torr程度、さらに好ましくは、10−4〜10−10Torr程度である。
【0025】
すると、加熱後約30分前後で、C面上に、直径5nm程度の量子ドット4を形成することができる。この量子ドット4の表面は略球形状となる。ただし、製造条件によっては、やや平坦(扁平)な量子ドットを形成することができる(後述)。量子ドット4の組成は炭素となる。
【0026】
ドットが形成される理由は、以下のように推察される。すなわち、真空加熱炉中に残存する酸素によってSiCが酸化され、生成されたSiOがガスとなって除去され、残ったCがドットを形成する。このことを下記(1)式に示す。
SiC(s) + 1/2O2(g) → SiO(g) + C(s) (1)
もしくは、下記の反応もありうる。
SiC(s) + CO(g) → SiO(g) +2C(s) (2)
(1)および(2)式において(s)は固体、(g)は気体を示す。
さらに、酸化により促進された分解ではなく、下記(3)式に示す純粋な熱分解によりSiが除去され、残ったCがドットを形成する場合も考えられる。
【0027】
SiC(s) → Si + C(s) (3)
残存したCがドットになるのは、不純物原子や表面の欠陥やステップ(後述)が核になるためと推察される。
【0028】
この実施形態における量子ドットの製造方法、および、それにより得られた量子ドットには、次の利点がある。
(1)SiCは高温でも安定なので、高温環境下で量子ドットを用いることが容易となる。また、後述のように、ドットは、フラーレンの半球からなっている。このドットと基板のSiC結晶とは、界面において互いの格子面が整合性をとりながら結合状態にある。そのため、ドットは基板上にきっちり固定されており、1000℃以上の温度においても安定に固着された状態を保ちうる。
(2)低真空と加熱のみによる表面分解を用いて量子ドットを形成できるので、製造が容易である。また、MOCVD法やMBE法では、一般に有毒なガスを使う必要があるが、本実施形態の方法では、有毒ガスを用いる必要がなく、管理が容易となる。
(3)ここで行われる表面分解は、比較的にゆっくりした反応であり、製造条件の制御が容易である。
(4)得られたドットの球面部分は、単なるグラファイト構造ではなく、五員環を含むフラーレン構造(C60)若しくは巨大フラーレン(C240,C510等)構造となっている。したがって、このドット部分のバンドギャップは1.7eV程度と推察される。一方、SiCのバンドギャップは6H−SiCで3.02eV程度と大きい。よって、この構造により、量子ドットとして好適なバンドギャップの差を得ることができる。したがって、Cからなる量子ドットを各種の用途に利用する途を開くことができる。
(5)量子ドットの粒径はSiC結晶の表面の平滑性、結晶の完全性に依存するが、現在は、良質のSiC単結晶ウェーハーを得ることが容易となっている。また、SiCは、次世代の半導体分野における需要が見込まれるものであることから、将来、より完全度の高い結晶の供給が期待される。
(6)基本的に、SiやCは、地球上で最も豊富にある材料であり、また環境に対しても大変安全性が高い。
【0029】
【実験例】
以下、実験例を用いて、前記実施形態をさらに詳細に説明する。6H−SiC(0001)の組成の基板に対して、1250℃で30分間加熱した。その結果を図2(a)に示す。図中矢印で示した部分が量子ドットである。図中矢印で示したように、外形の直径がほぼ5nmの量子ドットが、ほぼ5nm間隔で形成された。図2中におけるアモルファス的な影は、TEM断面観察において薄片試料を作成時に用いる接着剤(glue)によるものである。このときのTEM内試料室の真空度は1x10−7Torr、加速電圧200kVであった。
【0030】
また、温度条件のみ1300℃に変えて加熱した結果を図2(b)に示す。これによれば、加熱温度が高いときには、量子ドットの集積密度が高くなっていることが判る。すなわち、加熱温度の高低により集積密度を制御できることが判る。したがって、ドットの集積度(あるいはドット間の間隔)を、ドットとして好適なものに設定する事が可能である。利用目的によるが、一般には、ある程度(例えば数nm程度)のドット間隔は必要であると考えられる。
【0031】
さらに、Si面はC面に比べ熱分解しにくいため、加熱温度を1350℃に変え、Si面を上に向けて加熱した結果を、図2(c)に示す。このように、Si面上には、ドットは形成されない。
【0032】
前記したSi面とC面の状態を、模式的に、図3に記載した。図3(a)に示されるように、Si面では、グラファイト層が積層された状態となる。すなわち、ここにはドットが形成されない。これに対して、図3(b)に示されるように、C面では、炭素からなる、直径5nm程度の球面状ドットが形成される。
【0033】
ついで、図4(a)の右側に示されるように、基板のC面にステップ(段差)を形成した場合の実験例について説明する。ステップを形成した場合には、図4の右側に示されるように、上部が平坦なドットを形成することができる。一方、図4の左側には、前記した球面状のドットを示した。いずれの例でも、フラーレン的な構造と思われる複数の層が積層された状態となっている。
【0034】
図4のような現象が生じる理由は、次のように推察される。すなわち、グラファイトシート端部は、かなり活性の高い、結合しやすい状態になっている。したがって、近くにステップがあれば、ステップを利用して、基板表面の炭素原子と結合する。その結果、比較的に平坦な(扁平な)ドットとなる(ただし、屈曲部は存在するので、その部分では球面、すなわちフラーレン構造になっている)。近くにステップがないときは、グラファイトシートが屈曲して球状となり、基板表面の炭素原子と結合する。その結果、球状のドットとなる。したがって、ステップの有無によってドットの形状を制御できることになる。
【0035】
さらに、ステップのところに優先的にフラーレンが成長しやすい傾向が観察された。SiCのoff基板においては、、そのoff角度、方位を選択することにより、1次元的、2次元的ステップ(例えば格子状のステップ)を形成することができる。したがって、off基板を用いることにより、フラーレン量子ドットを、1次元的、2次元的に容易に配列させることが可能であると考えられる。
【0036】
ついで、図5および図6を用いて、真空度を異ならせた場合の実験例について説明する。他の実験条件を等しくした上で、真空度を異ならせて量子ドットをさらにカーボンナノチューブに成長させた。カーボンナノチューブ断面の直径は、最初に形成されたフラーレンの直径に相当する。図5(a)と(b)とを比較すると、真空度が高いほどその直径は小さくなることが判る。加えて、図6からも、真空度が高いほど、径の小さいナノチューブ(つまりドット)が増えていることが判る。これらにより、真空度によってドットの径を制御できることが判る。この理由は、表面分解に寄与する酸素の濃度変化に起因すると推察される。なお、真空度以外の実験条件は下記の通りである。
加熱温度:1400℃
加熱時間:30分
【0037】
ついで、図7を用いて、真空度を異ならせた場合における、各ドットにおける層の数の変化について説明する。ここで、層とは、各ドットを構成する、フラーレン状の層を意味する(図4参照)。この層の数は、真空度が高いほど、少なくすることができることが判った。層の数によりバンドギャップが変化すると考えられる。したがって、真空度により、ドットのバンドギャップを制御できると推測される。
【0038】
本実施形態の記載は単なる実施の一例に過ぎず、本発明に必須の構成を示したものではない。本発明の構成は、本発明の趣旨を達成できれば、前記以外の任意のものとすることができる。
【0039】
【発明の効果】
本発明によれば、量子ドットを、比較的容易に得ることができる。また、その量子ドットの組成を炭素とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る量子ドットの製造方法を説明するための説明図であって、断面図に相当する図である。
【図2】本発明の実験例を説明するための写真であって、SiC基板の断面をTEMを用いて撮影したものである。
【図3】本発明の実験例を説明するための模式的な説明図である。(a)は、基板のSi面状にグラファイト層が形成された状態を示している。(b)は、基板のC面状に量子ドットが形成された状態を示している。
【図4】本発明の実験例を説明するための模式的な説明図および写真である。(a)は、基板表面が平坦である場合のドットの形状を示している。(b)は、ステップを利用して形成されたドットの形状を示している。
【図5】本発明の実験例を説明するための写真であって、ドットから成長したカーボンナノチューブが形成された基板の平面図に相当するものである。(a)は10−4Torr、(b)は10−9Torrでの実験結果を示している。
【図6】本発明の実験例を説明するためのグラフである。横軸はドット(実際はドットから成長したカーボンナノチューブ)の直径(nm)、縦軸はその径を有するドット(カーボンナノチューブ)の個数(真数)を示している。
【図7】本発明の実験例を説明するためのグラフである。横軸はドットにおける層の数、縦軸はその層数を有するドットの個数(真数)を示している。
【符号の説明】
1 基板
2 C面
3 Si面
4 量子ドット
Claims (8)
- SiCまたはB 4 Cの結晶により構成された半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された量子ドットとを備えており、
前記量子ドットの全部または一部は、フラーレン構造の一部となる炭素により構成されており、
前記量子ドットを構成する炭素と前記半導体基板の表面とは、それらの界面において、互いの格子面が整合性をとりながら直接に結合した状態となっている
ことを特徴とする量子ドット構造体。 - 前記量子ドットの全部または一部は球面状となっていることを特徴とする請求項1記載の量子ドット構造体。
- 前記量子ドットは互いに離間されていることを特徴とする請求項1または2に記載の量子ドット構造体。
- 半導体基板の表面におけるSiCまたはB 4 Cの結晶を分解することによって、前記SiCからSiを、または、前記B 4 CからBを除去し、前記半導体基板の表面に、フラーレン構造の一部をなす炭素からなる量子ドットを形成することを特徴とする量子ドットの製造方法。
- 前記半導体基板を分解する際の条件を調整することにより、前記量子ドットの径および/または密度を制御することを特徴とする請求項4に記載の量子ドットの製造方法。
- 前記条件は、分解する際の真空度、温度、分解時間、または基板表面の平滑度のうちのいずれかであることを特徴とする請求項5記載の量子ドットの製造方法。
- 基板表面にステップを形成することにより、前記量子ドットの形状および/または配列を制御することを特徴とする、請求項4〜6のいずれか1項に記載の量子ドットの製造方法。
- 前記半導体基板を分解する際の真空度を調整することにより、前記量子ドットを形成する層の数を制御することを特徴とする請求項4〜7のいずれか1項に記載の量子ドットの製造方法。
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