JP4857967B2 - パワーエレクトロニクス機器 - Google Patents

Description

本発明はパワーエレクトロニクス機器に関し、特に、絶縁トランスを介してスイッチング素子に信号を伝送する方法に適用して好適なものである。

近年の車両機器では、高効率化および省エネルギー対策を図るために、駆動力を生む電動機の駆動システムに昇降圧コンバータおよびインバータを搭載することが行われている。
図６は、従来の昇降圧コンバータを用いた車両駆動システムの概略構成を示すブロック図である。
図６において、車両駆動システムには、昇降圧コンバータ２０２に電力を供給する電源２０１、電圧の昇降圧を行う昇降圧コンバータ２０２、昇降圧コンバータ２０２から出力された電圧を３相電圧に変換するインバータ２０３および車両を駆動する電動機２０４が設けられている。なお、電源２０１は、架線からの給電電圧または直列接続されたバッテリーから構成することができる。

そして、車両駆動時には、昇降圧コンバータ２０２は、電源２０１の電圧（例：２８０Ｖ）を電動機２０４の駆動に適した電圧（例：７５０Ｖ）に昇圧し、インバータ２０３に供給する。そして、スイッチング素子をオン／オフ制御することにより、昇降圧コンバータ２０２にて昇圧された電圧を３相電圧に変換して、電動機２０４の各相に電流を流し、スイッチング周波数を制御することで車両の速度を変化させることができる。

一方、車両の制動時には、インバータ２０３は、電動機２０４の各相に生じる電圧に同期してスイッチング素子をオン／オフ制御することにより、整流動作を行い、直流電圧に変換してから、昇降圧コンバータ２０２に供給する。そして、昇降圧コンバータ２０２は、電動機２０４から生じる電圧（例：７５０Ｖ）を電源２０１の電圧（例：２８０Ｖ）に降圧して電力の回生動作を行うことができる。

図７は、図６の昇降圧コンバータの概略構成を示すブロック図である。
図７において、昇降圧コンバータ２０２には、エネルギーの蓄積を行うリアクトルＬ、電荷の蓄積を行うコンデンサＣ、インバータ２０３に流入する電流を通電および遮断するスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２の導通および非導通を指示する制御信号をそれぞれ生成する制御回路２１１、２１２が設けられている。

そして、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２は直列に接続されるとともに、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２の接続点には、リアクトルＬを介して電源２０１が接続されている。ここで、スイッチング素子ＳＷ１には、制御回路２１１からの制御信号に従ってスイッチング動作を行うＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）２０５が設けられ、ＩＧＢＴ２０５に流れる電流と逆方向に電流を流すフライホイールダイオードＤ１がＩＧＢＴ２０５に並列に接続されている。

また、スイッチング素子ＳＷ２には、制御回路２１２からの制御信号に従ってスイッチング動作を行うＩＧＢＴ２０６が設けられ、ＩＧＢＴ２０６に流れる電流と逆方向に電流を流すフライホイールダイオードＤ２がＩＧＢＴ２０６に並列に接続されている。そして、ＩＧＢＴ２０６のコレクタは、コンデンサＣおよびインバータ２０３の双方に接続されている。

図８は、昇圧動作時に図７のリアクトルＬに流れる電流の波形を示す図である。
図８において、昇圧動作では、スイッチング素子ＳＷ１のＩＧＢＴ２０５がオン（導通）すると、ＩＧＢＴ２０５を介してリアクトルＬに電流Ｉが流れ、ＬＩ²／２のエネルギーがリアクトルＬに蓄積される。
次に、スイッチング素子ＳＷ１のＩＧＢＴ２０５がオフ（非導通）すると、スイッチング素子ＳＷ２のフライホイールダイオードＤ２に電流が流れ、リアクトルＬに蓄えられたエネルギーがコンデンサＣに送られる。

一方、降圧動作では、スイッチング素子ＳＷ２のＩＧＢＴ２０６がオン（導通）するとＩＧＢＴ２０６を介してリアクトルＬに電流Ｉが流れ、ＬＩ²／２のエネルギーがリアクトルＬに蓄積される。
次に、スイッチング素子ＳＷ２のＩＧＢＴ２０６がオフ（非導通）すると、スイッチング素子ＳＷ１のフライホイールダイオードＤ１に電流が流れ、リアクトルＬに蓄えられたエネルギーが電源２０１へ回生される。

ここで、スイッチング素子のオン時間（ＯＮ Ｄｕｔｙ）を変更することで、昇降圧の電圧を調整することが可能であり、概略の電圧値は以下の（１）式にて求めることができる。
Ｖ_L／Ｖ_H＝ＯＮ Ｄｕｔｙ（％） （１）
ただし、Ｖ_Lは電源電圧、Ｖ_Hは昇降圧後の電圧、ＯＮ Ｄｕｔｙはスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２のスイッチング周期に対する導通期間の割合である。

ここで、実際には負荷の変動、電源電圧Ｖ_Lの変動などがあるので、昇降圧後の電圧Ｖ_Hを監視し、昇降圧後の電圧Ｖ_Hが目標値となるように、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２のオン時間（ＯＮ Ｄｕｔｙ）の制御が行われている。
また、車体筐体に接地される制御回路２１１、２１２側は低圧であり、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２に接続されるアーム側は高圧となる。このため、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２の破壊などの事故が発生しても、人体が危険に晒されることがないようにするために、アーム側とは、信号伝送用絶縁トランスを用いて制御回路２１１、２１２と電気的に絶縁しながら信号の授受が行われる。

図９は、従来の昇降圧コンバータ用インテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ：Ｉｎｔｅｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）の概略構成を示すブロック図である。
図９において、昇降圧コンバータ用インテリジェントパワーモジュールには、負荷へ流入する電流を通電および遮断するスイッチング素子ＳＷＵ、ＳＷＤおよびスイッチング素子ＳＷＵ、ＳＷＤの導通および非導通を指示する制御信号をそれぞれ生成する制御回路１が設けられている。ここで、制御回路１は、ＣＰＵ４または論理ＩＣ、あるいは論理ＩＣとＣＰＵが搭載されたシステムＬＳＩなどで構成することができる。

また、スイッチング素子ＳＷＵ、ＳＷＤは、それぞれ上アーム２用および下アーム３用として動作するように直列に接続されている。そして、スイッチング素子ＳＷＵには、ゲート信号ＳＵ４に従ってスイッチング動作を行うＩＧＢＴ６が設けられ、ＩＧＢＴ６に流れる電流と逆方向に電流を流すフライホイールダイオードＤＵ１がＩＧＢＴ６に並列に接続されている。また、ＩＧＢＴ６が形成されたチップには、チップ温度変化に起因するダイオードＤＵ２のＶＦ変化を測定原理として用いた温度センサ、および抵抗ＲＵ１、ＲＵ２を介してＩＧＢＴ６のエミッタ電流を分流して主回路電流を検出する電流センサが設けられている。

また、スイッチング素子ＳＷＤには、ゲート信号ＳＤ４に従ってスイッチング動作を行うＩＧＢＴ５が設けられ、ＩＧＢＴ５に流れる電流と逆方向に電流を流すフライホイールダイオードＤＤ１がＩＧＢＴ５に並列に接続されている。また、ＩＧＢＴ５が形成されたチップには、チップ温度変化に起因するダイオードＤＤ２のＶＦ変化を測定原理として用いた温度センサ、およびＩＧＢＴ５のエミッタ電流を抵抗ＲＤ１、ＲＤ２を介して分流して主回路電流を検出する電流センサが設けられている。

そして、上アーム２側には、温度センサからの過熱検知信号ＳＵ６および電流センサからの過電流検知信号ＳＵ５を監視しながら、ＩＧＢＴ６の制御端子を駆動するためのゲート信号ＳＵ４を生成する保護機能付きゲートドライバＩＣ８が設けられるとともに、ＩＧＢＴ６の温度に対応したＰＷＭ信号を生成するアナログＰＷＭ変換器ＣＵが設けられている。

また、下アーム３側には、温度センサからの過熱検知信号ＳＤ６および電流センサからの過電流検知信号ＳＤ５を監視しながら、ＩＧＢＴ５の制御端子を駆動するためのゲート信号ＳＤ４を生成する保護機能付きゲートドライバＩＣ７が設けられるとともに、ＩＧＢＴ５の温度に対応したＰＷＭ信号を生成するアナログＰＷＭ変換器ＣＤが設けられている。

また、車体筐体に接地される制御回路１側と、高圧となる上アーム２側および下アーム３側との間には、絶縁トランスＴＵ１〜ＴＵ３、ＴＤ１〜ＴＤ３がそれぞれ介挿され、制御回路１では、絶縁トランスＴＵ１〜ＴＵ３、ＴＤ１〜ＴＤ３を用いて上アーム２側および下アーム３側と電気的に絶縁しながら信号の授受が行われる。
すなわち、上アーム２側において、ＣＰＵ４から出力されたゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１は、絶縁トランスＴＵ１を介して保護機能付きゲートドライバＩＣ８に入力される。また、保護機能付きゲートドライバＩＣ８から出力されたアラーム信号ＳＵ２は、絶縁トランスＴＵ２を介してＣＰＵ４に入力される。また、アナログＰＷＭ変換器ＣＵから出力されたＩＧＢＴチップ温度ＰＭＷ信号ＳＵ３は、絶縁トランスＴＵ３を介してＣＰＵ４に入力される。

一方、下アーム３側において、ＣＰＵ４から出力されたゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＤ１は、絶縁トランスＴＤ１を介して保護機能付きゲートドライバＩＣ７に入力される。また、保護機能付きゲートドライバＩＣ７から出力されたアラーム信号ＳＤ２は、絶縁トランスＴＤ２を介してＣＰＵ４に入力される。また、アナログＰＷＭ変換器ＣＤから出力されたＩＧＢＴチップ温度ＰＭＷ信号ＳＤ３は、絶縁トランスＴＤ３を介してＣＰＵ４に入力される。

そして、ＣＰＵ４は、ＩＧＢＴ５、６の導通または非導通をそれぞれ指示するゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＤ１、ＳＵ１を生成し、このゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＤ１、ＳＵ１を絶縁トランスＴＤ１、ＴＵ１をそれぞれ介して保護機能付きゲートドライバＩＣ７、８にそれぞれ絶縁伝送する。そして、保護機能付きゲートドライバＩＣ７、８は、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＤ１、ＳＵ１にそれぞれ基づいてゲート信号ＳＤ４、ＳＵ４を生成し、ＩＧＢＴ５、６の制御端子を駆動することにより、ＩＧＢＴ５、６をスイッチング動作させる。

ここで、温度センサから出力された過熱検知信号ＳＤ６、ＳＵ６が保護機能付きゲートドライバＩＣ７、８にそれぞれ入力されるとともに、電流センサから出力された過電流検知信号ＳＤ５、ＳＵ５が保護機能付きゲートドライバＩＣ７、８にそれぞれ入力される。そして、保護機能付きゲートドライバＩＣ７、８は、ＩＧＢＴ５、６が破壊しない閾値を超過した場合には、絶縁トランスＴＤ２、ＴＵ２をそれぞれ介してＣＰＵ４にアラーム信号ＳＤ２、ＳＵ２を伝送する。そして、ＣＰＵ４は、保護機能付きゲートドライバＩＣ７、８からアラーム信号ＳＤ２、ＳＵ２をそれぞれ受け取ると、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＤ１、ＳＵ１の生成をそれぞれ停止することにより、ＩＧＢＴ５、６に流れる電流を遮断する。
なお、保護機能付きゲートドライバＩＣ７、８は、温度センサから出力された過熱検知信号ＳＤ６、ＳＵ６および電流センサから出力された過電流検知信号ＳＤ５、ＳＵ５に基づいて、ＩＧＢＴが破壊しない閾値を下回ったと判断した場合、一定の時間が経過した後にアラーム信号ＳＤ２、ＳＵ２を解除する。

さらに、細かい監視を行う場合には、温度センサから出力された過熱検知信号ＳＤ６、ＳＵ６がアナログＰＷＭ変換器ＣＤ、ＣＵにそれぞれ入力される。そして、アナログＰＷＭ変換器ＣＤ、ＣＵは、過熱検知信号ＳＤ６、ＳＵ６のアナログ値をデジタル信号にそれぞれ変換することにより、ＩＧＢＴチップ温度ＰＭＷ信号ＳＤ３、ＳＵ３をそれぞれ生成し、絶縁トランスＴＤ３、ＴＵ３をそれぞれ介してＣＰＵ４にＩＧＢＴチップ温度ＰＭＷ信号ＳＤ３、ＳＵ３を伝送する。そして、ＣＰＵ４は、ＩＧＢＴチップ温度ＰＭＷ信号ＳＤ３、ＳＵ３からＩＧＢＴ５、６のチップ温度をそれぞれ算出し、予め設けられた数段階の閾値に応じて、ＩＧＢＴ５、６のスイッチング周波数の段階的な低下を行ったり、スイッチング停止を行ったりすることができる。

図１０は、従来の信号伝送用絶縁トランスの概略構成を示す平面図である。
図１０において、絶縁トランスには、磁気コアＭＣが設けられ、磁気コアＭＣには１次巻線Ｍ１および２次巻線Ｍ２が巻かれている。なお、磁気コアＭＣは、フェライトやパーマロイなどの強磁性体にて構成することができる。そして、１次巻線Ｍ１に印加された電流により生成された磁束φは磁気コアＭＣにて集束され、磁気コアＭＣ内を通過して第２次巻線Ｍ２を鎖交し、２次巻線Ｍ２の両端にｄφ／ｄＴなる電圧が発生する。ここで、磁気コアＭＣを用いることにより閉磁路を形成することができ、外部磁界の影響を軽減しつつ、１次巻線Ｍ１と２次巻線Ｍ２との間の結合係数を高くすることができる。
また、図９において、ＣＰＵ４の誤動作に起因してＩＧＢＴ５、６の双方が同時に導通してアーム短絡が発生するのを防止するために、絶縁トランスＴＵ１、ＴＤ１の前段にアーム短絡防止回路を設けることがある。

図１１は、従来のアーム短絡防止回路の概略構成を示す回路図である。
図１１において、アーム短絡防止回路には、論理積回路３０１、３０２および排他的論理和回路３０３が設けられている。そして、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１は、論理積回路３０１および排他的論理和回路３０３に入力されるとともに、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＤ１は、論理積回路３０２および排他的論理和回路３０３に入力される。そして、論理積回路３０１からの出力はゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１´として絶縁トランスＴＵ１に入力され、論理積回路３０２からの出力はゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＤ１´として絶縁トランスＴＤ１に入力される。

ここで、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１、ＳＤ１が同時にハイレベルになると、排他的論理和回路３０３からの出力はロウレベルになり、論理積回路３０１、３０２からの出力はロウレベルになることから、ＩＧＢＴ５、６の双方が同時に導通してアーム短絡が発生するのを防止することができる。
また、特許文献１には、アーム短絡を抑制して高速スイッチングを可能とし、回路の簡素化と低価格化を図るために、２石式ハーフブリッジ形レギュレータのアーム部に半導体スイッチと直列にビーズ形コアを挿入し、半導体スイッチのゲート駆動回路は、極性の異なる２つの２次側コイルを備えたパルストランスからのパルスを入力し、交互にオン・オフ制御させる方法が開示されている。
特開平９−１４０１６３号公報

しかしながら、従来のアーム短絡防止回路では、この回路以降での誤動作やアーム側に設けられたスイッチング素子の片側が導通故障した場合には、アーム短絡に何ら対処できないという問題があった。
そこで、本発明の目的は、高圧側と低圧側との電気的な分離を図りつつ、アーム側に設けられたスイッチング素子に流れる主回路電流の監視結果に基づいてアーム短絡を防止することが可能なパワーエレクトロニクス機器を提供することである。

上述した課題を解決するために、請求項１記載のパワーエレクトロニクス機器によれば、負荷へ流入する電流を通電および遮断するスイッチング素子と、前記スイッチング素子の導通および非導通を指示する制御信号を生成する制御回路と、前記制御信号に基づいて前記スイッチング素子の制御端子を駆動する駆動回路と、前記制御回路と前記駆動回路とが絶縁されるように制御側の１次巻線および駆動側の２次巻線が設けられた絶縁トランスと、前記スイッチング素子に流れる電流値に基づいて前記絶縁トランスの２次側のインピーダンスを制御するインピーダンス制御手段と、前記絶縁トランスの２次側のインピーダンスに基づいて変化する１次側の入力インピーダンスを検出するインピーダンス検出手段とを備えることを特徴とする。

また、請求項２記載のパワーエレクトロニクス機器によれば、上アーム用および下アーム用としてそれぞれ作動するように互いに直列に接続され、負荷へ流入する電流を通電および遮断する１対のスイッチング素子と、前記スイッチング素子の導通および非導通を指示する制御信号を生成する制御回路と、前記制御信号に基づいて前記スイッチング素子の制御端子を駆動する駆動回路と、前記制御回路と前記駆動回路とが絶縁されるように制御側の１次巻線およびアーム側の２次巻線が前記スイッチング素子ごとに設けられた絶縁トランスと、前記スイッチング素子に流れる電流値に基づいて前記絶縁トランスの２次側のインピーダンスを制御するインピーダンス制御手段と、前記絶縁トランスの２次側のインピーダンスに基づいて変化する１次側の入力インピーダンスを検出するインピーダンス検出手段と、前記インピーダンス検出手段にて検出された一方のスイッチング素子に流れる電流値に基づいて、他方のスイッチング素子の導通を指示する制御信号を遮断する制御信号遮断手段とを備えることを特徴とする。

また、請求項３記載のパワーエレクトロニクス機器によれば、前記制御信号よりも周波数の高いインピーダンス検出用信号を前記絶縁トランスの１次側に重畳する重畳回路をさらに備えることを特徴とする。
また、請求項４記載のパワーエレクトロニクス機器によれば、前記絶縁トランスを介して伝送される伝送信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジに応じたパルス電流を前記絶縁トランスの１次巻線に流す１次側回路と、前記絶縁トランスの２次巻線に発生する電圧パルスのレベルに基づいて前記伝送信号を復元する２次側回路とを備えることを特徴とする。

以上説明したように、本発明によれば、絶縁トランスの２次側に設けられたスイッチング素子に流れる電流値を入力インピーダンスの変化として絶縁トランスの１次側にて検出することが可能となるとともに、信号伝送用の絶縁トランスをインピーダンス検出用としても利用することができる。このため、絶縁トランスの個数を増やすことなく、２次側に設けられたスイッチング素子に流れる主回路電流を監視することが可能となり、高圧側と低圧側との電気的な分離を図りつつ、スイッチング素子の導通故障に起因するアーム短絡を防止することができる。

以下、本発明の実施形態に係るパワーエレクトロニクス機器について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るパワーエレクトロニクス機器が適用される昇降圧コンバータ用インテリジェントパワーモジュールの概略構成を示すブロック図である。
図１において、昇降圧コンバータ用インテリジェントパワーモジュールには、負荷へ流入する電流を通電および遮断するスイッチング素子ＳＷＵ２、ＳＷＤ２およびスイッチング素子ＳＷＵ２、ＳＷＤ２の導通および非導通を指示する制御信号をそれぞれ生成する制御回路５１が設けられている。

また、スイッチング素子ＳＷＵ２、ＳＷＤ２はそれぞれ上アーム５２用および下アーム５３用として動作するように直列に接続されている。そして、スイッチング素子ＳＷＵ２には、ゲート信号に従ってスイッチング動作を行うＩＧＢＴ１８が設けられ、ＩＧＢＴ１８に流れる電流と逆方向に電流を流すフライホイールダイオードＤＵ１１がＩＧＢＴ１８に並列に接続されている。また、ＩＧＢＴ１８が形成されたチップには、ＩＧＢＴ１８のエミッタ電流を分流して主回路電流を検出する抵抗ＲＵ１１、ＲＵ１２が設けられている。

また、スイッチング素子ＳＷＤ２には、ゲート信号に従ってスイッチング動作を行うＩＧＢＴ１９が設けられ、ＩＧＢＴ１９に流れる電流と逆方向に電流を流すフライホイールダイオードＤＤ１１がＩＧＢＴ１９に並列に接続されている。また、ＩＧＢＴ１９が形成されたチップには、ＩＧＢＴ１９のエミッタ電流を分流して主回路電流を検出する抵抗ＲＤ１１、ＲＤ１２が設けられている。

そして、上アーム５２側には、抵抗ＲＵ１１、ＲＵ１２にて検出された主回路電流を監視しながら、ＩＧＢＴ１８の制御端子を駆動するためのゲート信号を生成するＩＧＢＴドライバＩＣ１５が設けられている。
また、下アーム５３側には、抵抗ＲＤ１１、ＲＤ１２にて検出された主回路電流を監視しながら、ＩＧＢＴ１９の制御端子を駆動するためのゲート信号を生成するＩＧＢＴドライバＩＣ１６が設けられている。

また、車体筐体に接地される制御回路５１側と、高圧となる上アーム５２側および下アーム５３側との間には、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２がそれぞれ介挿され、制御回路５１では、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２を用いて上アーム５２側および下アーム５３側と電気的に絶縁しながら信号の授受を行うことができる。
そして、絶縁トランスＴＲ１１の２次巻線には抵抗Ｒ１３が並列接続されるとともに、抵抗Ｒ１３には、電界効果型トランジスタＦＵ１２と抵抗Ｒ１４との直列回路が並列接続されている。そして、抵抗ＲＵ１１、ＲＵ１２による分圧値はＩＧＢＴドライバＩＣ１５に入力されるとともに、電界効果型トランジスタＦＵ１２のゲートに入力される。

また、絶縁トランスＴＲ１２の２次巻線には抵抗Ｒ２３が並列接続されるとともに、抵抗Ｒ２３には、電界効果型トランジスタＦＤ１２と抵抗Ｒ２４との直列回路が並列接続されている。そして、抵抗ＲＤ１１、ＲＤ１２による分圧値はＩＧＢＴドライバＩＣ１６に入力されるとともに、電界効果型トランジスタＦＤ１２のゲートに入力される。
また、絶縁トランスＴＲ１１の１次巻線の一端は、抵抗Ｒ１１を介して電界効果型トランジスタＦＵ１１のソースに接続されるとともに、抵抗Ｒ１２を介して発振源１７に接続され、さらにローパスフィルタ１３を介してコンパレータＰＵ１１の反転入力端子に接続されている。

また、絶縁トランスＴＲ１２の１次巻線の一端は、抵抗Ｒ２１を介して電界効果型トランジスタＦＤ１１のソースに接続されるとともに、抵抗Ｒ２２を介して発振源１７に接続され、さらにローパスフィルタ１４を介してコンパレータＰＤ１１の反転入力端子に接続されている。
そして、コンパレータＰＵ１１、ＰＤ１１の正転入力端子には、基準電圧Ｖｆ１、Ｖｆ２がそれぞれ接続され、電界効果型トランジスタＦＵ１１、ＦＤ１１のゲートには、否定論理積回路１１、１２の出力がそれぞれ接続されている。そして、否定論理積回路１１、１２の一方の入力には、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１１がそれぞれ供給されるとともに、否定論理積回路１１、１２の他方の入力には、コンパレータＰＤ１１、ＰＵ１１の出力がそれぞれ接続されている。

そして、制御回路５１側で生成されたゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１１は、否定論理積回路１１、１２をそれぞれ介して電界効果型トランジスタＦＵ１１、ＦＤ１１のゲートにそれぞれ供給され、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の１次巻線が電界効果型トランジスタＦＵ１１、ＦＤ１１にてそれぞれ駆動されながら、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１１を絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の２次巻線にそれぞれ絶縁伝送することができる。

また、発振源１７から出力された発振信号は、抵抗Ｒ１２、Ｒ２２をそれぞれ介して絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の１次巻線に供給され、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１１にそれぞれ重畳されながら、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の２次巻線に絶縁伝送することができる。なお、発振源１７は、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１１よりも高周波の信号をインピーダンス検出用信号として生成することができる。

そして、発振信号が重畳されたゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１１が絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の２次巻線にそれぞれ絶縁伝送されると、発振信号が重畳されたゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１１はＩＧＢＴドライバＩＣ１５、１６にそれぞれ入力される。そして、ＩＧＢＴドライバＩＣ１５、１６は、発振信号が重畳されたゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１にそれぞれ基づいてゲート信号をそれぞれ生成し、ＩＧＢＴ１８、１９の制御端子を駆動することにより、ＩＧＢＴ１８、１９をスイッチング動作させる。

そして、ＩＧＢＴ１８、１９に電流が流れると、ＩＧＢＴ１８、１９のエミッタ電流が抵抗ＲＵ１１、ＲＵ１２および抵抗ＲＤ１１、ＲＤ１２にそれぞれ分流され、抵抗ＲＵ１１、ＲＵ１２および抵抗ＲＤ１１、ＲＤ１２にてＩＧＢＴ１８、１９に流れる主回路電流をそれぞれ検出することができる。そして、抵抗ＲＵ１１、ＲＵ１２および抵抗ＲＤ１１、ＲＤ１２にてそれぞれ検出された分圧値は、電界効果型トランジスタＦＵ１２、ＦＤ１２のゲートにそれぞれ入力され、電界効果型トランジスタＦＵ１２、ＦＤ１２のソース−ドレイン間のオン抵抗をそれぞれ変化させる。

そして、電界効果型トランジスタＦＵ１２、ＦＤ１２のソース−ドレイン間のオン抵抗がそれぞれ変化すると、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の２次側のインピーダンスがそれぞれ変化し、その２次側のインピーダンスの変化に基づく電圧が絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の１次側にそれぞれ伝送される。そして、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の１次側にそれぞれ伝送された２次側のインピーダンスの変化に基づく電圧は、ローパスフィルタ１３、１４にて発振源１７からのキャリア周波数成分がそれぞれ除去され、コンパレータＰＵ１１、ＰＤ１１の反転入力端子にそれぞれ入力される。

そして、コンパレータＰＵ１１、ＰＤ１１の反転入力端子にそれぞれ入力された信号は基準電圧Ｖｆ１、Ｖｆ２とそれぞれ比較され、コンパレータＰＵ１１、ＰＤ１１の反転入力端子にそれぞれ入力された信号が基準電圧Ｖｆ１、Ｖｆ２をそれぞれ下回ると、コンパレータＰＵ１１、ＰＤ１１からの出力がロウレベルにそれぞれ変化する。そして、コンパレータＰＵ１１、ＰＤ１１からの出力がロウレベルにそれぞれ変化すると、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＤ１１、ＳＵ１１が否定論理積回路１２、１１にて遮断され、ＩＧＢＴ１９、１８のスイッチング動作を停止させることができる。

これにより、いずれか一方のＩＧＢＴ１８、１９に流れる主回路電流が検出された場合には、もう一方のＩＧＢＴ１８、１９のスイッチング動作を停止させることができ、高圧側と低圧側との電気的な分離を図りつつ、ＩＧＢＴ１８、１９の導通故障に起因するアーム短絡を防止することが可能となる。また、発振源１７にて生成された発振信号を絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の１次側でゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１１に重畳させることにより、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の個数を増やす必要がなくなり、装置の大型化を抑制することができる。

具体的には、電界効果型トランジスタＦＵ１２、ＦＤ１２は、図２に示すように、ドレイン電流がゲート−ソース間の電圧に比例、すなわち、ソース−ドレイン間のオン抵抗Ｒｄｓ_ｏｎがゲート−ソース間の電圧に反比例する特性を持つように選定することができる。この場合、絶縁トランスＴＲ１１の２次側に接続される回路のインピーダンスは、抵抗Ｒ１３、Ｒ１４の抵抗値をＲ₁₃、Ｒ₁₄とすると、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄＋Ｒｄｓ_ｏｎおよびＩＧＢＴドライバＩＣ１５の入力インピーダンスの並列となり、絶縁トランスＴＲ１２の２次側に接続される回路のインピーダンスは、抵抗Ｒ２３、Ｒ２４の抵抗値をＲ₂₃、Ｒ₂₄とすると、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄＋Ｒｄｓ_ｏｎおよびＩＧＢＴドライバＩＣ１６の入力インピーダンスの並列となる。

そして、抵抗Ｒ１３、Ｒ２３は開放防止用の抵抗、抵抗Ｒ１４、Ｒ２４は短絡防止用の抵抗として用いられることから、Ｒ₁₄≪Ｒｄｓ_ｏｎ、Ｒ₁₃≫Ｒ₁₄＋Ｒｄｓ_ｏｎ、Ｒ₂₄≪Ｒｄｓ_ｏｎ、Ｒ₂₃≫Ｒ₂₄＋Ｒｄｓ_ｏｎの関係が成り立ち、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の２次側に接続される回路のインピーダンスはＲｄｓ_ｏｎがほとんど主体的になる。

一方、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の２次側に接続される回路のインピーダンスが小さくなると、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の２次側に誘起される電圧が低くなるので、ＩＧＢＴドライバＩＣ１５、１６には、抵抗ＲＵ１１、ＲＵ１２および抵抗ＲＤ１１、ＲＤ１２にてそれぞれ検出された分圧値をそれぞれ入力し、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の２次側に誘起される電圧を信号パルスとして判断する閾値を変化させることができる。

図３は、理想トランスのインピーダンスの規定方法を示す回路図である。
図３において、理想トランスＴＲ１３には１次巻線Ｍ１１および２次巻線Ｍ１２が設けられている。そして、理想トランスＴＲ１３の１次側から見た入力インピーダンスＺ₁は、２次側に接続された回路のインピーダンスＺ₂に対して、以下の式で示すように、２次側に接続された回路のインピーダンスの巻き数比の２乗に比例する。

すなわち、理想トランスＴＲ１３の１次側および２次側の電圧と電流の関係式は、以下の（１１）式および（１２）式で表される。
Ｖ₂＝ｎ₂／ｎ₁×Ｖ₁ ・・・（１１）
Ｉ₂＝ｎ₁／ｎ₂×Ｉ₁ ・・・（１２）
また、理想トランスＴＲ１３の２次側に接続された回路のインピーダンスＺ₂は、以下の（１３）式で表される。
Ｚ₂＝Ｖ₂／Ｉ₂ ・・・（１３）
従って、理想トランスＴＲ１３の１次側と２次側のインピーダンスの関係は、以下の（１４）式で表すことができる。
Ｚ₁＝ｎ₁ ²／ｎ₂ ²Ｚ₂ ・・・（１４）

図４は、図１の昇降圧コンバータ用インテリジェントパワーモジュールに適用されるインピーダンス変化の検出回路の概略構成を示す回路図である。
図４において、図１のローパスフィルタ１３として、ダイオード２１、コンデンサ２２および抵抗２３が設けられ、ダイオード２１は、絶縁トランスＴＲ１１の１次巻線に直列接続されるとともに、コンデンサ２２および抵抗２３は、絶縁トランスＴＲ１１の１次巻線に並列接続されている。ここで、絶縁トランスＴＲ１１が図３の理想トランスＴＲ１３とみなせるものとする。そして、例えば、周波数が数１０ＭＨｚ、振幅がＶ₀の発振源１７からの信号が抵抗Ｒ１２を介して絶縁トランスＴＲ１１の１次側に入力されると、絶縁トランスＴＲ１１の１次側に発生する電圧Ｖ₁は、以下の（１５）式で表される。
Ｖ₁＝（Ｖ₀×Ｚ₁）／（Ｒ₁₂＋Ｚ₁） ・・・（１５）
ただし、Ｒ₁₂は抵抗Ｒ１２の抵抗値である。
（１５）式において、Ｒ₁₂≫Ｚ₁とすれば、電圧Ｖ₁はインピーダンスＺ₂に比例し、Ｒ₁₄≪Ｒｄｓ_ｏｎ、Ｒ₁₃≫Ｒ₁₄＋Ｒｄｓ_ｏｎという関係を適用すれば、電圧Ｖ₁は主回路電流Ｉ_SWに反比例する。

そして、絶縁トランスＴＲ１１の１次側に発生する電圧Ｖ₁を観測するには、ダイオード２１およびコンデンサ２２による平滑回路で発振源１７のキャリア周波数成分を除去して包絡線検波を行うことで、インピーダンスＺ₂に比例した信号のみを抽出することができる。
なお、発振源１７からの信号によって絶縁トランスＴＲ１１の１次側を励磁する電流値を、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１に起因して絶縁トランスＴＲ１１の１次側に励磁される電流値よりも十分小さくすることにより、昇降圧コンバータ用インテリジェントパワーモジュールの誤動作を防止しつつ、発振源１７からの信号を絶縁トランスＴＲ１１の１次側に重畳することができる。

そして、コンパレータＰＵ１１にて主回路電流Ｉ_SWに反比例した信号を閾値と比較し、主回路電流Ｉ_SWに反比例した信号が閾値を下回った場合には、スイッチング素子ＳＷＵ２に主回路電流Ｉ_SWが流れていると判断し、コンパレータＰＵ１１の出力をロウレベルにする。そして、図１の否定論理積回路１２は、コンパレータＰＵ１１からの出力を受けて、主回路電流Ｉ_SWに反比例した信号が閾値を下回った場合には、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＤ１１をディスイネーブルにしてスイッチング素子ＳＷＤ２のオンを許容しないようにするとともに、主回路電流Ｉ_SWに反比例した信号が閾値を上回った場合には、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＤ１１をイネーブルにしてスイッチング素子ＳＷＤ２のオンを許容することができる。

これにより、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の個数を増やすことなく、２次側に設けられたスイッチング素子ＳＷＵ２、ＳＷＤ２に流れる主回路電流を監視することが可能となり、高圧側と低圧側との電気的な分離を図りつつ、スイッチング素子ＳＷＵ２、ＳＷＤ２の導通故障に起因するアーム短絡を防止することができる。

なお、微細加工技術を適用して絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２を形成する場合、銅線を用いた巻線型トランスに比べて、巻線の導体断面積が小さく、許容直流電流は遥かに少ない。この許容直流電流は、電流が流れることによって巻線の導体抵抗により発生する消費電力に起因して発生するジュール熱に応じて規定されている。このため、微細加工技術を適用して形成された絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２を用いる場合、ゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１１の立ち上りおよび立ち下がりにそれぞれ同期したエッジ信号ＳＵ１２、ＳＵ１２´およびエッジ信号ＳＤ１２、ＳＤ１２´を生成し、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２に電流を流す期間を短くして大電流を流すことにより、平均電流を許容直流電流以下にすることができる。

ここで、発振源１７は、上アーム５２側、下アーム５３側にそれぞれ設けて、トランスＴＲ１１、ＴＲ１２へのゲートドライブ用信号に発振信号をそれぞれ重畳するように構成してもよいし、図１の如く、上下アーム共通に１つの発振源１７を用い、トランスＴＲ１１、ＴＲ１２へのゲートドライブ用信号に共通の発振信号を重畳するようにしてもよい。制御回路５１は、トランスＴＲ１１、ＴＲ１２によって上アーム５２、下アーム５３と絶縁されているため、上下アーム共通に１つの発振源１７を用いることができる。発振源１７を上下アームに共通に１つとすることで、回路構成を簡素化することができる。

図５は、本発明の一実施形態に係る信号伝送用絶縁トランスを用いた信号伝送回路の概略構成を示すブロック図である。
図５において、排他的論理和回路１０２の一方の入力端子には、図１のゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１１、ＳＤ１１として制御信号Ｓ１が遅延素子１０１を介して入力されるとともに、排他的論理和回路１０２の他方の入力端子には制御信号Ｓ１が直接入力される。また、否定論理積回路１０４の一方の入力端子には、排他的論理和回路１０２からの出力が入力されるとともに、否定論理積回路１０４の他方の入力端子には、制御信号Ｓ１が直接入力される。さらに、論理積回路１０５の一方の入力端子には、排他的論理和回路１０２からの出力が入力されるとともに、論理積回路１０５の他方の入力端子には、制御信号Ｓ１がインバータ１０３を介して入力される。

また、Ｐチャンネル電界効果型トランジスタ１０８およびＮチャンネル電界効果型トランジスタ１０９は互いに直列接続され、Ｐチャンネル電界効果型トランジスタ１０８のソースは抵抗１０６を介して電源電圧Ｖｃｃ１に接続されるとともに、Ｎチャンネル電界効果型トランジスタ１０９のソースは接地されている。そして、否定論理積回路１０４の出力は、Ｐチャンネル電界効果型トランジスタ１０８のゲートに接続されるとともに、論理積回路１０５の出力はＮチャンネル電界効果型トランジスタ１０９のゲートに接続されている。絶縁トランス１１０の１次巻線の一端は電源電圧Ｖｃｃ１の１／２に固定されるとともに、絶縁トランス１１０の１次巻線の他端は、Ｐチャンネル電界効果型トランジスタ１０８とＮチャンネル電界効果型トランジスタ１０９との接続点に接続されている。また、絶縁トランス１１０の２次巻線の一端は電源電圧Ｖｃｃ２の１／２に固定されるとともに、絶縁トランス１１０の２次巻線の両端は抵抗１１１を介して互いに接続されている。また、抵抗１１２の一端は電源電圧Ｖｃｃ２に接続されるとともに、抵抗１１２、１１３の接続点の電位がＶｃｃ２／２＋α、抵抗１１３、１１４の接続点の電位がＶｃｃ２／２−αとなるように抵抗１１２〜１１４が直列接続されている。

そして、コンパレータ１１５の正転入力端子はＶｃｃ２／２＋αの電位に固定されるとともに、コンパレータ１１５の反転入力端子は絶縁トランス１１０の２次巻線の他端に接続され、コンパレータ１１５の出力はフリップフロップ１１７のセット端子に接続されている。また、コンパレータ１１６の正転入力端子はＶｃｃ２／２−αの電位に固定されるとともに、コンパレータ１１６の反転入力端子は絶縁トランス１１０の２次巻線の他端に接続され、コンパレータ１１６の出力はフリップフロップ１１７のリセット端子に接続されている。

そして、制御信号Ｓ１と、この制御信号Ｓ１を遅延素子１０１で遅らせた信号とが排他的論理和回路１０２に入力され、排他的論理和回路１０２にて排他論理和がとられることにより、制御信号Ｓ１の“０”から“１”へのエッジに同期したエッジ信号Ｓ２および“１”から“０”へのエッジに同期したエッジ信号Ｓ２´が、図１のエッジ信号ＳＵ１２、ＳＵ１２´およびエッジ信号ＳＤ１２、ＳＤ１２´として抽出される。そして、これらのエッジ信号Ｓ２、Ｓ２´は、否定論理積回路１０４、論理積回路１０５に入力され、否定論理積回路１０４にて制御信号Ｓ１との論理積がとられることにより、立上りエッジパルスＳ３が生成されるとともに、論理積回路１０５にて制御信号Ｓ１の反転信号との論理積がとられることにより、論理積回路１０５にて立下りエッジパルスＳ４が生成される。

そして、否定論理積回路１０４にて生成された立上りエッジパルスＳ３はＰチャンネル電界効果型トランジスタ１０８のゲートに入力され、制御信号Ｓ１の立上りでは、電源から絶縁トランス１１０の１次巻線にパルス電流が流れ込みむような動作を行う。一方、論理積回路１０５にて生成された立下りエッジパルスＳ４はＮチャンネル電界効果型トランジスタ１０９のゲートに入力され、制御信号Ｓ１の立下りでは絶縁トランス１１０の１次巻線からグランドに対してパルス電流が流れ出すような動作を行うことができる。

そして、制御信号Ｓ１の立上りおよび立下りに応じて絶縁トランス１１０の１次巻線側の流れる電流の向きが変わることにより、１次巻線側で発生する磁束の向きも変わるので、受信の役割を果たす２次巻線側に発生する起電力の向きも変わり、制御信号Ｓ１の立上りおよび立下りの識別を受信側で行うことができる。
具体的には、絶縁トランス１１０の２次側巻線の一方の端子は電源電圧Ｖｃｃ２の１／２に固定され、２次側巻線の他方の端子の電圧は、電源電圧Ｖｃｃ２の１／２の電圧を中心として、制御信号Ｓ１の立上りでは＋方向に変化するとともに、制御信号Ｓ１の立下りでは−方向に変化することができる。そして、この２次巻線側の出力は、Ｖｃｃ２／２＋αの閾値に設定されたコンパレータ１１５と、Ｖｃｃ２／２−αの閾値に設定されたコンパレータ１１６に導かれる。なお、αはノイズなどで誤動作しないような値に設定することが好ましい。

そして、制御信号Ｓ１の立上りエッジでは、２次側巻線の端子電圧の＋方向の変化に伴って、コンパレータ１１５からパルスＳ５が送出され、制御信号Ｓ１の立下りエッジでは、２次側巻線の端子電圧の−方向の変化に伴って、コンパレータ１１６からパルスＳ６が出力される。そして、これらのパルスＳ５、Ｓ６がＲＳフリップフロップ１１７に入力されると、コンパレータ１１５からのパルスＳ５にてＲＳフリップフロップ１１７がセットされるとともに、コンパレータ１１６からのパルスＳ６にてＲＳフリップフロップ１１７がリセットされ、送信側の制御信号Ｓ１が復元された制御信号Ｓ７を受信側で生成することができ、この制御信号Ｓ７を図１のＩＧＢＴドライバＩＣ１５、１６の入力として使用することができる。

これにより、図１の絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の１次巻線および２次巻線に電流を流す期間を短くして大電流を流すことが可能となる。このため、絶縁トランスＴＲ１１、ＴＲ１２の１次巻線および２次巻線の導体断面積が小さくなった場合においても、１次巻線および２次巻線に流れる平均電流を許容直流電流以下にすることができ、ジュール熱に起因する１次巻線および２次巻線の溶断を防止しつつ、１次巻線と２次巻線の巻径を小さくすることが可能となる。

本発明の一実施形態に係るパワーエレクトロニクス機器が適用される昇降圧コンバータ用インテリジェントパワーモジュールの概略構成を示すブロック図である。 図１の昇降圧コンバータ用インテリジェントパワーモジュールに適用される電界効果型トランジスタの電気的特性を示す図である。 理想トランスのインピーダンスの規定方法を示す回路図である。 図１の昇降圧コンバータ用インテリジェントパワーモジュールに適用されるインピーダンス変化の検出回路の概略構成を示す回路図である。 本発明の一実施形態に係る信号伝送用絶縁トランスを用いた信号伝送回路の概略構成を示すブロック図である。 従来の昇降圧コンバータを用いた車両駆動システムの概略構成を示すブロック図である。 図６の昇降圧コンバータの概略構成を示すブロック図である。 昇圧動作時に図１２のリアクトルに流れる電流の波形を示す図である。 従来の昇降圧コンバータ用インテリジェントパワーモジュールの概略構成を示すブロック図である。 従来の信号伝送用絶縁トランスの概略構成を示す平面図である。 従来のアーム短絡防止回路の概略構成を示す回路図である。

符号の説明

５１ 制御回路
５２ 上アーム
５３ 下アーム
ＴＲ１１、ＴＲ１２ 絶縁トランス
ＤＵ１１、ＤＤ１１ ダイオード
ＲＵ１１、ＲＵ１２、ＲＤ１１、ＲＤ１２、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４ 抵抗
ＦＵ１１、ＦＵ１２、ＦＤ１１、ＦＤ１２ 電界効果型トランジスタ
ＰＤ１１、ＰＵ１１ コンパレータ
１１、１２ 否定論理積回路
１３、１４ ローパスフィルタ
１５、１６ ＩＧＢＴドライバＩＣ
１７ 発振源
１８、１９ ＩＧＢＴ
１０１ 遅延素子
１０２ 排他的論理和回路
１０３ インバータ
１０４、１０５ 論理積回路
１０８ Ｐチャンネル電界効果型トランジスタ
１０９ Ｎチャンネル電界効果型トランジスタ
１１５、１１６ コンパレータ
１１７ フリップフロップ

Claims (4)

1. 負荷へ流入する電流を通電および遮断するスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子の導通および非導通を指示する制御信号を生成する制御回路と、
   前記制御信号に基づいて前記スイッチング素子の制御端子を駆動する駆動回路と、
   前記制御回路と前記駆動回路とが絶縁されるように制御側の１次巻線および駆動側の２次巻線が設けられた絶縁トランスと、
   前記スイッチング素子に流れる電流値に基づいて前記絶縁トランスの２次側のインピーダンスを制御するインピーダンス制御手段と、
   前記絶縁トランスの２次側のインピーダンスに基づいて変化する１次側の入力インピーダンスを検出するインピーダンス検出手段とを備えることを特徴とするパワーエレクトロニクス機器。
2. 上アーム用および下アーム用としてそれぞれ作動するように互いに直列に接続され、負荷へ流入する電流を通電および遮断する１対のスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子の導通および非導通を指示する制御信号を生成する制御回路と、
   前記制御信号に基づいて前記スイッチング素子の制御端子を駆動する駆動回路と、
   前記制御回路と前記駆動回路とが絶縁されるように制御側の１次巻線およびアーム側の２次巻線が前記スイッチング素子ごとに設けられた絶縁トランスと、
   前記スイッチング素子に流れる電流値に基づいて前記絶縁トランスの２次側のインピーダンスを制御するインピーダンス制御手段と、
   前記絶縁トランスの２次側のインピーダンスに基づいて変化する１次側の入力インピーダンスを検出するインピーダンス検出手段と、
   前記インピーダンス検出手段にて検出された一方のスイッチング素子に流れる電流値に基づいて、他方のスイッチング素子の導通を指示する制御信号を遮断する制御信号遮断手段とを備えることを特徴とするパワーエレクトロニクス機器。
3. 前記制御信号よりも周波数の高いインピーダンス検出用信号を前記絶縁トランスの１次側に重畳する重畳回路をさらに備えることを特徴とする請求項１または２記載のパワーエレクトロニクス機器。
4. 前記絶縁トランスを介して伝送される伝送信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジに応じたパルス電流を前記絶縁トランスの１次巻線に流す１次側回路と、
   前記絶縁トランスの２次巻線に発生する電圧パルスのレベルに基づいて前記伝送信号を復元する２次側回路とを備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載のパワーエレクトロニクス機器。

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