JP4856757B2 - 光受信装置、および受信方法 - Google Patents
光受信装置、および受信方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4856757B2 JP4856757B2 JP2009504907A JP2009504907A JP4856757B2 JP 4856757 B2 JP4856757 B2 JP 4856757B2 JP 2009504907 A JP2009504907 A JP 2009504907A JP 2009504907 A JP2009504907 A JP 2009504907A JP 4856757 B2 JP4856757 B2 JP 4856757B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- column
- row
- selection
- pixels
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 24
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 28
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Description
本発明の光受信方法として、受光素子を持つ画素のアレイによって入力信号光を受光し、そのアレイ内で出力が零でない画素の探索と、その探索結果に対応するアレイ内の画素の出力の選択とを行い、選択された画素出力を加算して出力する方法が用いられる。
以上のように本発明においては、受光素子を持つ画素のアレイ、例えば2次元画素アレイによって、例えば光ファイバからの出力光が入力信号光として受け取られ、画素アレイ内でその出力が零でない画素の出力が選択され、さらに選択された画素出力が加算され、さらに増幅されて出力されることになる。
本実施形態において画素アレイ2は、例えば2次元の画素アレイであり、各画素は光ファイバから出力される光を受けるための受光素子と、その受光素子の出力を外部に出力するためのスイッチ、例えばMOSトランジスタとをそれぞれ備えるものである。
図7において電源が投入され、処理が開始されると、ステップS1とステップS2ですべての行の画素とすべての列の画素内のトランジスタがオンとされ、ステップS3で画素アレイの1番上の行、すなわち1行目から、1番上の選択行の画素内のトランジスタがオフされ、増幅回路16からの出力が低下したか否かが判定される。
Claims (7)
- 入力信号光を受けるための受光素子を持つ画素のアレイと、
該アレイ内の画素の出力を選択する出力選択手段と、
該選択された画素出力を加算して出力する選択出力加算手段と
を備え、
前記画素アレイが、2次元画素アレイであり、
前記出力選択手段が、前記2次元画素アレイの画素の出力を行単位に選択する行選択手段と、列単位に選択する列選択手段とを備え、
前記行選択手段による選択及び前記列選択手段による選択を制御して、前記2次元画素アレイの画素の出力を行単位または列単位に選択状態としたときの前記選択出力加算手段の加算出力を行毎にまたは列毎に求めて、該加算出力が最大となる行または列を探索し、該加算出力が最大となる行または列を含む周囲の複数の行または列の画素の出力を選択させる制御手段を更に備える
ことを特徴とする光受信装置。 - 入力信号光を受けるための受光素子を持つ画素のアレイと、
該アレイ内の画素の出力を選択する出力選択手段と、
該選択された画素出力を加算して出力する選択出力加算手段と
を備え、
前記画素アレイが、2次元画素アレイであり、
前記出力選択手段が、前記2次元画素アレイの画素の出力を行単位に選択する行選択手段と、列単位に選択する列選択手段とを備え、
前記行選択手段による選択及び前記列選択手段による選択を制御して、前記2次元画素アレイの画素の出力を行単位または列単位に選択状態としたときの前記選択出力加算手段の加算出力を行毎にまたは列毎に求めて、該加算出力についての該加算出力の最大値に対する割合が所定値以上となる複数の行または列を探索し、該割合が所定値以上となる複数の行または列を含む周囲の複数の行または列の画素の出力を選択させる制御手段を更に備える
ことを特徴とする光受信装置。 - 前記選択出力加算手段の出力を増幅する増幅手段をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2記載の光受信装置。
- 前記画素のそれぞれが、前記受光素子の出力を前記2次元画素アレイの列に共通の信号線に出力するためのスイッチを備え、
前記行選択手段が行単位で該スイッチをオンさせることによって2次元画素アレイの出力を行単位に選択することを特徴とする請求項1又は2記載の光受信装置。 - 前記選択出力加算手段が、前記列に共通の信号線のそれぞれの出力を1本の信号線に出力する列毎のスイッチを備え、
前記列選択手段が、該列毎のスイッチをオンさせることにより2次元画素アレイの出力を列単位に選択することを特徴とする請求項4記載の光受信装置。 - 受光素子を持つ画素のアレイによって入力信号光を受光し、
該アレイ内で出力が零でない画素の探索と、該探索結果に対応する該アレイ内の画素の出力の選択とを行い、
前記画素アレイが2次元画素アレイであり、
該選択された画素の出力を加算して出力し、
前記画素の探索と画素出力の選択とにおいて行または列単位の処理の後に、列または行単位の処理を行い、
該列または行単位の処理の後に、前記選択された画素出力の加算を行い、
前記行または列単位の処理、および列または行単位の処理において、
前記画素アレイの画素の出力を行単位または列単位に選択状態としたときの前記加算出力を行毎にまたは列毎に求めて、該加算出力が最大となる行または列を探索し、
該加算出力が最大となる行または列を含む周囲の複数の行または列の画素の出力を選択することを特徴とする光受信方法。 - 受光素子を持つ画素のアレイによって入力信号光を受光し、
該アレイ内で出力が零でない画素の探索と、該探索結果に対応する該アレイ内の画素の出力の選択とを行い、
前記画素アレイが2次元画素アレイであり、
該選択された画素の出力を加算して出力し、
前記画素の探索と画素出力の選択とにおいて行または列単位の処理の後に、列または行単位の処理を行い、
該列または行単位の処理の後に、前記選択された画素出力の加算を行い、
前記行または列単位の処理、および列または行単位の処理において、
前記画素アレイの画素の出力を行単位または列単位に選択状態としたときの前記加算出力を行毎にまたは列毎に求めて、該加算出力についての該加算出力の最大値に対する割合が所定値以上となる複数の行または列を探索し、
該割合が所定値以上となる複数の行または列の画素を含む周囲の複数の行または列の出力を選択することを特徴とする光受信方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2007/000248 WO2008114314A1 (ja) | 2007-03-16 | 2007-03-16 | 光受信装置、および受信方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008114314A1 JPWO2008114314A1 (ja) | 2010-06-24 |
JP4856757B2 true JP4856757B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=39765435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009504907A Expired - Fee Related JP4856757B2 (ja) | 2007-03-16 | 2007-03-16 | 光受信装置、および受信方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8515291B2 (ja) |
JP (1) | JP4856757B2 (ja) |
WO (1) | WO2008114314A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008114314A1 (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Fujitsu Microelectronics Limited | 光受信装置、および受信方法 |
JP2012205155A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Fujitsu Ltd | 光通信装置および光通信方法 |
WO2014188756A1 (ja) * | 2013-05-22 | 2014-11-27 | シャープ株式会社 | 光センサおよび表示装置 |
JP6884948B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2021-06-09 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 高速フォトディテクターアレー |
WO2023042304A1 (ja) * | 2021-09-15 | 2023-03-23 | 日本電気株式会社 | 受信制御装置、受信制御方法、および記録媒体 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022918A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Honda Motor Co Ltd | 光通信用受信機 |
JPH1093358A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | 受光素子回路及び受光素子回路アレイ |
JP2003258736A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Microsignal Kk | 空間光通信用センサ、空間光通信用受信装置、及び該受信装置を含む空間光通信システム |
JP2006191313A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Sony Corp | データ通信装置および方法、並びにプログラム |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL83213A (en) * | 1987-07-16 | 1991-08-16 | Technion Res & Dev Foundation | Intelligent scan image sensor |
JPH01138751A (ja) | 1987-08-05 | 1989-05-31 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光センサ−アレイ及び読み取り装置 |
US5387972A (en) * | 1993-03-15 | 1995-02-07 | National Research Council Of Canada | Coherent phase and frequency detection using sum-frequency mixing in non-linear waveguides |
JPH06350800A (ja) | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ファイバアレイを有する基板の認識方法及びその基板を用いた半導体装置 |
JPH09509494A (ja) | 1994-02-25 | 1997-09-22 | マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー | 粒子の検出および画像化の為の方法と装置 |
US5864362A (en) * | 1996-08-27 | 1999-01-26 | Hewlett-Packard Company | High speed scanner for reading latent images in storage phosphors |
US6512858B2 (en) * | 1998-07-21 | 2003-01-28 | Foveon, Inc. | Image scanning circuitry with row and column addressing for use in electronic cameras |
US7039326B1 (en) * | 1999-09-29 | 2006-05-02 | Ess Technology, Inc. | Infrared communication system utilizing receiver with multiple photo-sensors |
US6310880B1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-10-30 | Silicon Aquarius, Inc. | Content addressable memory cells and systems and devices using the same |
US6821810B1 (en) * | 2000-08-07 | 2004-11-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High transmittance overcoat for optimization of long focal length microlens arrays in semiconductor color imagers |
US7058316B2 (en) * | 2000-11-28 | 2006-06-06 | California Institute Of Technology | Adaptive detector arrays for optical communications receivers |
US6879708B2 (en) * | 2001-05-24 | 2005-04-12 | Case Western Reserve University | Planar particle/droplet size measurement technique using digital particle image velocimetry image data |
US7071982B2 (en) * | 2001-10-24 | 2006-07-04 | Texas Instruments Incorporated | Adaptive relative and absolute address coding CMOS imager technique and system architecture |
US20040208439A1 (en) * | 2002-04-05 | 2004-10-21 | Becs Technology, Inc. | Method and apparatus for self-aligning photonic interconnections |
US6885827B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-04-26 | Amplification Technologies, Inc. | High sensitivity, high resolution detection of signals |
US7532825B2 (en) * | 2004-12-21 | 2009-05-12 | Panasonic Corporation | Optical receiver |
US7323673B1 (en) * | 2005-03-16 | 2008-01-29 | Apache Technologies, Inc. | Modulated laser light detector with discrete fourier transform algorithm |
US7639937B2 (en) * | 2005-07-08 | 2009-12-29 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for auto focusing an imaging device |
WO2008114314A1 (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Fujitsu Microelectronics Limited | 光受信装置、および受信方法 |
US20090079862A1 (en) * | 2007-09-25 | 2009-03-26 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing imaging auto-focus utilizing absolute blur value |
-
2007
- 2007-03-16 WO PCT/JP2007/000248 patent/WO2008114314A1/ja active Application Filing
- 2007-03-16 JP JP2009504907A patent/JP4856757B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-13 US US12/540,855 patent/US8515291B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022918A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Honda Motor Co Ltd | 光通信用受信機 |
JPH1093358A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | 受光素子回路及び受光素子回路アレイ |
JP2003258736A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Microsignal Kk | 空間光通信用センサ、空間光通信用受信装置、及び該受信装置を含む空間光通信システム |
JP2006191313A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Sony Corp | データ通信装置および方法、並びにプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008114314A1 (ja) | 2008-09-25 |
JPWO2008114314A1 (ja) | 2010-06-24 |
US20090304397A1 (en) | 2009-12-10 |
US8515291B2 (en) | 2013-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11606526B2 (en) | Image pickup device that is provided with peripheral circuits to prevent chip area from being increased, and image pickup apparatus | |
US11177312B2 (en) | Image sensor and image capture device | |
US20200236313A1 (en) | Image sensor including at least one autofocusing pixel and at least one normal pixel and driving method thereof | |
US20180122847A1 (en) | Semiconductor module, mos type solid-state image pickup device, camera and manufacturing method of camera | |
US6633334B1 (en) | Solid-state image pickup device with optimum layout of building components around a photoelectric conversion portion | |
US6952228B2 (en) | Image pickup apparatus | |
US7960768B2 (en) | 3D backside illuminated image sensor with multiplexed pixel structure | |
EP2618376B1 (en) | Solid-state image sensor | |
JP5290923B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP4799594B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US8780255B2 (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus | |
KR102060843B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 | |
CN110771155A (zh) | 固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法、以及电子设备 | |
JP4856757B2 (ja) | 光受信装置、および受信方法 | |
KR20110123667A (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
KR20090088790A (ko) | 고체촬상장치, 카메라, 및 전자기기 | |
KR20080033881A (ko) | 고체 촬상 장치, 촬상 장치 및 카메라 | |
JP2012054876A (ja) | 固体撮像素子およびカメラシステム | |
JP2010093490A (ja) | 撮像装置 | |
US10032823B2 (en) | Solid-state imaging device and imaging apparatus | |
CN108802961A (zh) | 焦点检测设备和成像系统 | |
EP3985555B1 (en) | Image sensor, fingerprint detection apparatus, and electronic device | |
KR20060020852A (ko) | 시모스 이미지센서 및 그의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110215 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110929 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111025 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111028 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141104 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4856757 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |