JP4854105B2 - Thin film solar cell module and manufacturing method thereof - Google Patents

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置及び該半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは太陽電池モジュール、特に非晶質シリコンを始めとする薄膜半導体層により光電変換を行う装置、いわゆる薄膜太陽電池モジュールとその製造方法に関する。更に詳しくは、上記太陽電池モジュールの正・負極の取出し段における構造と電気的良導体の取付け方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
資源の枯渇、あるいは二酸化炭素の発生量の増大等の環境問題を解決する手段として太陽光発電が盛んとなっており、シリコン等の半導体材料の使用量が少ないと言う点で薄膜太陽電池が注目されている。
【0003】
薄膜太陽電池は従来から実用化されている結晶基板を用いる太陽電池と比較して光を電力に変換する効率が数割低いながら、設置した後の外観である光入射面の外観が結晶基板の太陽電池と比較して、1)色調が茶系統や黒系統であり家屋や建物の屋根と類似している、2)配線や内部の機構が見えることなく密に並べられたストリップ状の太陽電池素子が全面に存在するために遠目からは一様に見える等の特徴があり、意匠性の面からも大いに注目を集めている。
特に、透明絶縁基板に直接太陽電池素子を形成し、基板上で接続する薄膜太陽電池モジュール(以降、基板一体型太陽電池モジュールと呼ぶ)が提案されており、発電領域の面積はモジュール専有面積の9割程度まで実現可能であり、素子以外の部分は殆ど目立たない構成となっている。
【0004】
基板一体型太陽電池の太陽電池部分の構造、並びにその製造方法については、米国特許第4292092号に開示されている。ガラス等の透明絶縁基板に透明導電膜を形成し、レーザ加工線によりストリップ状の個別の光起電力領域に分離し、その上にp型、i型、n型のアモルファスシリコンを全面に製膜し光起電力半導体層とする。最初の加工線と平行にずらした位置に隣の素子と接続するための接続溝をレーザ加工にて作り、さらに裏面電極層を形成した後、接続溝と平行かつ透明電極の分離溝と反対側に裏面電極分離溝を形成する。これらの工程により一つの基板にストリップ状の複数の光起電力素子が直列に接続された薄膜太陽電池が形成される。
【0005】
この構成だと太陽電池の接続部分は幅0.3mm〜0.5mmの細い線として存在し20mも離れた場所からは、目視では認識できない。
【0006】
薄膜太陽電池の電力を取り出す為に接続の終端部あるいは途中にバス手段が設けられる。バス手段は発電に寄与しない部分であるので光起電力素子より若干狭いストリップ状の領域(バス領域)に、より電力を集めやすい様に、良導体を設置する。良導体としては例えば特開平3−171675に開示されている様に透明絶縁基板に透明電極を形成した直後の工程でガラスフリット等の金属粒子を分散したペーストをその領域に塗布する方法、あるいは特開平9−83001に開示されている様にバス領域の裏面電極層および半導体層を線状に除去して透明電極を露呈した部分に半田メッキ銅箔をセラミック用の半田で接続する方法がある。
【0007】
前者の方法を具体的に図2に紹介すると、薄膜太陽電池100上に正負の電力を集めるバス領域3,3’を設け、それらの幅方向の概略中央部に裏面電極層および半導体層を線状に除去して透明電極を露呈した部分25を設ける、それらの上には超音波半田ゴテを用いて鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とするセラミック半田のバンプを離散的に設けその上に半田メッキ銅箔4,4’が設けられている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術は、裏面電極に半田や導電性ペースト等で良導体を設置するというそれより古い技術で発生する、ペースト材料や半田材料と裏面電極材料との反応による腐食や接続部分の剥離等の問題に対して、金属間の電食の問題、剥離の問題の極めて少ない透明電極層に直接ペースト材料や半田材料を付けることで解消する視点で発明されたものであるが、特開平3−171675に示した方法では、ガラスフリット等のペーストが透明電極と接した部分を光入射側から見ると銀色の光沢部分となることが判明した。
【0009】
一方、特開平9−83001の構造ではバス領域の幅方向の概略中央部に裏面電極層および半導体層を線状に除去して透明電極を露呈した部分を通して半田メッキ銅箔の金属光沢が光入射面から見えることが判明した。
【0010】
これらの、外観的な特徴は、建物の一部として設置するタイプの太陽電池モジュールの意匠性を著しく損ねることが判明した。
【0011】
すなわち、太陽電池モジュールを一般家屋などの屋根等の建材あるいは建材に準じた構成要素として用いる場合において、建築家の多くは従来の建材と類似のあるいはそれを越える意匠性を要求している。例えば、屋根葺き材として太陽電池を用いる場合は、通常のコロニアル瓦やシングルの様に茶系統の色調、艶消し性、全面が一様で模様が無いことなどの外観的特性が要求される。
【0012】
この場合、上記に示した金属的な光沢は太陽電池屋根材の色調から極めて離れたものであり、目立つ模様となり好ましくない。
【0013】
また、そうかといって、その前の技術の様に裏面電極に付ける方法では信頼性が著しく低下することは自明であり、外観と信頼性の両者を満足する構造を提案することが極めて重要な課題である。
【0014】
【課題を解決するための手段】
発明者は、上記課題を満たす解決手段を、特開平9−83001に開示した構造を出発点として、日夜改良してきた結果、請求項に記載したように本発明に開示する単純且つ明解な手段を見いだした。
【0015】
本発明の要旨とするところは、透明絶縁基板の一方の面上に、透明電極層、光起電力薄膜半導体層、裏面電極層を含む積層が形成され、複数個の領域に分割されてなされる光起電力素子とバス領域とを有し光起電力薄膜半導体層に隣の単位光起電力素子との接続のための溝が設けられ、当該溝によって単位光起電力素子が直列に電気的に接続され、その接続の終端として薄膜太陽電池モジュールの正・負極の取り出し段における電力を取り出すバス領域とそのバス領域の電力収集をするための金属線あるいは金属リボンからなる良導体とを有する薄膜太陽電池モジュールであって、バス領域と該良導体との接続を、バス領域の幅側の中央部に長手方向に離散的に配置され透明電極層が露呈するように透明絶縁基板と透明電極層とを残して光起電力薄膜半導体層または/及び裏面電極層を除去した開孔と、その開孔を充填し、バス領域と良導体を機械的かつ電気的に接続する接着性導体とでおこなうことにある。
【0016】
ここで用いる接着性導体は、導電性ペースト等の様に導電性金属または有機金属成分を含む導電性液を前記開孔に設置し固化したもの、あるいはセラミック系の材料に接着性を有する鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田、更に詳しくは鉛が1〜60重量%、錫が10〜98重量%、亜鉛が0.01〜25重量%及びアンチモンが0.01〜50重量%であるのものが好ましく用いられる。
【0017】
また金属線あるいは金属リボンからなる良導体としては半田あるいは錫で被覆された銅の線または箔であり、好ましくは幅2mm以上の半田メッキ銅箔であり、半田メッキの厚みが50μm以上好ましくは100μm以上、200μm以下のものが好適に用いられる。
【0018】
これらの構成の製法としては、バス領域の幅側の中央部に長手方向に離散的に配置され透明絶縁基板と透明電極層とを残して透明電極層が露呈するように光起電力薄膜半導体層または/及び裏面電極層を除去した開孔を設ける工程と、
該開孔に接着性導体のバンプを設置する工程と、
該接着性導体のバンプにバス領域の電力収集をするための金属線あるいは金属リボンからなる良導体を接続する工程とでこの部分を実施する。
バンプの構成は導電性ペースト等の導電性金属または有機金属成分を含む導電性液をディスペンスして後熱で硬化させるか、セラミックなどに使用する半田あるいは鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田を超音波を発振する半田ゴテで、超音波を発振し且つ加熱して取り付けても良い。
【0019】
開孔を設けるには、開孔の大きさ以下の先端部を有する金属製の工具で機械的に穿孔するか、あるいは超音波半田ゴテの様に金属製の工具で超音波を用いて機械的に穿孔する機械的工程で行われるか、あるいは、レーザの放射エネルギーを用いて熱的工程で行うことができる。
【0020】
さらには、前記の半田を用いる場合にしか適用できないが、超音波半田ゴテの超音波の周波数やパワー、コテ先と加工部分との距離を最適化することで、前記開孔を設ける工程と、該開孔に半田のバンプを設置する工程と同時におこなうことで一工程で本発明の特徴とする工程が実現できる。この場合の装置的な工夫としては、セラミックに半田を付ける目的として装置に設定されている条件より1割以上大きな超音波発振パワーに設定すると共に、そのパワーが常に出るように、超音波半田ゴテのコテの部分にある発振子(スピーカーのコイルとボールピースだけをこての部分に付けたもの)の温度を下げる冷却手段を設けている。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、具体的な実施の形態を図1を用いて説明する。ここに述べられる内容は形態を説明するものであり、これに限定されるものではなく、別の形態をとるものであってもその技術思想を反映するものであれば、適用できるものである。
【0022】
[薄膜太陽電池]
図1の断面には、本発明で用いられる薄膜太陽電池が示されている。
【0023】
薄膜太陽電池で用いられる透明絶縁基板1としてはガラスや耐熱性のプラスチックが用いられる。この基板上に基板の不純物がその上の層に拡散しない様に例えばSiO2が形成される。この上に透明電極層が形成される。
【0024】
透明電極層16としては、結晶粒の頂角によって凹凸が形成される形に成長したSnO2が好適に用いられる。その形成方法としては熱CVD法が一般的である。
【0025】
この透明電極層はレーザ加工法などを用いて溝18が設けられ、ストリップ状の個別領域17が形成される。
【0026】
その上には半導体層19が形成される。半導体層としてはアモルファスシリコンや、薄膜多結晶シリコン、CIS、CdTeなどの光起電力接合が適宜形成される。また透明電極の材料もこれらの半導体に適したものが適宜選択される。
【0027】
これらの半導体層には隣の光起電力素子との接続の為の溝21が設けられる。
【0028】
半導体層19の上には裏面電極層22が形成される。裏面電極層としては、ZnOなどの透明導電材料とAgなどの高光反射金属を組み合わせた電極が好適に用いられる。
【0029】
これらの裏面電極層22は溝24によって個別の電極23となる。この形態により透明電極と裏面電極の間に半導体が挟まれた単位素子28が直列に接続される。
【0030】
これらの素子28が接続されたの両端には電力を集めるためのバス領域3,3’が設けられる。この領域には透明電極層を露呈させるための離散的な開孔29が複数設けられる。
【0031】
この開孔を開ける方法としては、発明者の実験では後の工程で述べる超音波半田ゴテのチップで半田を付ける際より高めの超音波パワーで擦ることにより、効率良く半導体層及び裏面電極層を除去し透明電極層を露呈できることが判った。この原理を利用すれば工業的に採算できる装置を作製することが可能である。その場合、発振子は常に発振する状態であるので、発熱しこの発熱に伴って発振子の共振点が変化するために超音波パワーが低下することが判明した。この対策として発振子をブロアーあるいは水冷することで常に安定した超音波パワーが確保できることが判明した。さらに、この改良により、超音波半田ゴテのコテ先にセラミック半田が溶融して付いた状態でも同様に削ることが可能であるとともに半田を付けることも可能であった。この場合、削る工程と半田を付ける工程ではパワー、コテ先とバス領域との距離を、削る段階では大きいパワーでコテ先を押さえつける様にし、半田をつけるときは、少しパワーを下げて、コテ先を浮かす感触にすると2つの段階が効率良く行えることが判明した。
【0032】
一方、別の方法としては、レーザの条件を裏面電極を部分的に除去する条件とすることで離散的に裏面電極と半導体を除去することも原理的には可能である。ただし、この方法を高速に実施する装置の登場を待つ必要がある。
【0033】
該開孔には離散的にセラミック半田のバンプ26が形成される。これらのバンプあるいは開孔の直径は、同出願人の公開特許平9−135035に開示している様に直径2mmでありバンプの中心と中心の距離は約20mmである。
【0034】
セラミック半田は透明電極やセラミックと接合が可能になるように希土類を配合したものであり、千住金属などからセラソルザの商品名で市販されている。またこれらの成分は鉛が1〜60重量%、錫が10〜98重量%、亜鉛が0.01〜25重量%及びアンチモンが0.01〜50重量%であるのものが好ましく用いられている。
【0035】
また、別の態様としてセラミック半田のかわりに、ディスペンサーあるいはスクリーン印刷を用いて金属あるいは導電性樹脂系の導電性ペーストを該開孔にバンプを設置する。しかるのち、熱風で乾燥することでバンプが形成される。
【0036】
導電性ペーストとしては、市販のものが良好に用いられるが、本発明を実施するに当たっては乾燥後の色調が暗い色である必要がある。ペースト材料としてはカーボン系、銅系、ニッケル系が好適に用いられる。
【0037】
このバンプ26に半田メッキ銅箔4が接続されている。半田メッキ銅箔4は0.2mm前後の厚みの幅数mmの銅箔を通常の共晶半田でコートしたものである。このコートにより耐食性が改善されるのと、バンプの上にこの銅箔を配置し銅箔の上から半田ゴテで押さえるだけで容易に半田接続ができるという効果がある。また、バンプと半田接合強度を確保する上で、半田付け強度は最低でも1kgは必要であるが、この強度を確保するためには半田メッキ銅箔上の半田厚みを50μm以上にする必要があり好ましくは0.1mmあるものが望ましい。
【0038】
半田の量が少ないと半田強度が小さくなる原因は、銅箔の面が接触面に対して0.1mm以上の凹凸があり、その凹凸を埋めるだけの半田が無いと半田接合は面状ではなく点状になるためである。
【0039】
また、ここで用いられる半田付け工程は全てフラックスを用いない工程になっている。フラックスを用いるとフラックス中の酸が残留し信頼性を著しく低下させるためである。
【0040】
この後の工程は、本発明の明細書では詳述しないが、図3、図4に記載するがごとく、まず図3(A)の様に、バス領域上3.3’の半田メッキ銅箔4,4’に別の半田メッキ銅箔5,5’を接続する工程。
【0041】
図3(B)の様に絶縁シートを埋設する充填材6,8を、絶縁シート7をサンドイッチの様に挟んで所定の位置にセットする工程。
【0042】
電力取り出し接続手段までの半田メッキ銅箔5,5’を端子ボックス設置位置にて、その端子ボックス側の端が基板に対して垂直になるように折り曲げて、図3(C)に示す様に半田メッキ銅箔を通すためのスリット10を開口した基板全面を覆う充填材9を被せる工程。
【0043】
具体的には図3(D)、図4(E)に示す様に充填材のシートの上に保護カバーの穴より少し大きめで切り込みのあるTedlerシート小片13を半田メッキ銅箔の周りにセットし、さらにほぼ同じサイズのEVAシート小片12をセットする工程と保護カバーを被せる工程
保護カバーの開口から半田メッキ銅箔を出すとともに耐熱性テープで銅箔と保護カバーが接触しない位置に仮固定する工程、図4(F)、図4(G)参照。
【0044】
並びに二重真空槽式ラミネーター(略称真空ラミネーター)で加熱圧着する工程を経て封止された太陽電池モジュールを作製する。
【0045】
図3、図4に示した工程は、本発明の構造を構成したあとの工程で構成される要素との関係を示したものであり。もちろん、この構成に限定されるものではなく。本発明の要素を含むものであれば、適宜、利用できる。
【0046】
【実施例】
次に、本発明の実施例をガラス上に構成されたアモルファスシリコン太陽電池で実施例を示す。
【0047】
(実施例1)
透明絶縁基板1として短辺50cm長辺100cm厚さ4mmの青板ガラスを用いた。このガラスはプロセス中の熱割れや機械的な破壊を防ぐため切断面の周辺を面取りしたものを用いている。
【0048】
このガラスに熱CVD法によりアルカリバリアとしてSiO2を1000Å形成し透明導電層16としてフッ素ドープのSnO2を10000Å形成した。その表面は結晶粒の頂角によって凹凸が形成されている。
【0049】
この透明電極層16にはYAGレーザの第2高調波を用いてレーザ加工法で溝18を設けた。
【0050】
その上にプラズマCVD法を用いてp型アモルファスシリコンカーバイドを100Å、i型アモルファスシリコンを3000Å、n型アモルファスシリコンを300Å半導体層19として形成した。
【0051】
YAGレーザの第2高調波を用いて隣の光起電力素子との接続の為の溝21が設けられた。
【0052】
更に半導体層19の上に、スパッタ法を用いてZnOを1000Å、Agを3000Å形成し裏面電極層22とした。
【0053】
これらの裏面電極層22はYAGレーザの第2高調波を用いて溝24を形成し個別の電極23を得た。この形態により透明電極と裏面電極の間に半導体が挟まれた単位素子28が直列に接続される。この単位素子の幅は約10mmである。
【0054】
同様にレーザ加工を用いてこれらの素子の両端に電力を集めるためのバス領域3,3’を5mmの幅で設けた。正極のバス領域3’と負極のバス領域3との間隔は48cmであった。
このバス領域の幅方向中央部に2cmおきに超音波半田ゴテを用いて半導体とアモルファスシリコンを機械的に除去して開孔27を片側48個系96個形成しセラソルザのバンプ26を設けた。この穴の大きさは直径2mmである。
【0055】
このバンプに2mm幅、銅箔厚み0.2mm、半田厚み0.1mmの半田メッキ銅箔4を接続した。
【0056】
また基板1の周辺領域27は、サンドブラスト法を用いて研磨し全ての上の層が存在しない領域を設けた。
【0057】
なお、バス領域上の半田メッキ銅箔4,4’は、充填材が銅箔と素子面との隙間に充填するように0.1mmの隙間を形成するように調整した。
【0058】
バス領域3,3’上の半田メッキ銅箔4,4’の基板端から5cmの位置に長さ30cm幅5mmの半田メッキ銅箔5,5’を接続した。この銅箔の厚みと半田厚みは前述の半田メッキ銅箔と同じである。
【0059】
この太陽電池モジュールの外観を光入射側から観察したところ全面の色調はワインレッドであった。太陽電池の接続部は近くで見ると約0.1mmの銀色の線に見えた。また、バス領域を観察すると、バンプの部分が暗い灰色に見えたが、約2m程離れたところで観察すると、これらの点は見えなくなった。
【0060】
半田の色は、テクスチャー透明電極を用いた場合と平面透明電極を用いた場合ではテクスチャー透明電極の方が、色調的に暗くなることが判明した。
【0061】
(実施例2〜3)
半田の換わりに、導電性ペーストを用いても同様に本発明の接続部分を形成できる。銅ペーストを用いた場合は、光照射面からみる色調が暗赤色になりアモルファスシリコンと類似する色調になった。また、クロム系のペーストを用いると黒色になることがわかった。2m以上から離れてみると両者は同様に目立たなくなることが判った。
【0062】
【発明の効果】
以上の様に、本発明によれば、バス領域との良導体との接続方法を離散的なバンプで行い、それらの下地を離散的に設けることにより、当該部分の外観を大幅に改善することが可能である。
【0063】
このことにより、基板一体型薄膜太陽電池の本来持っていた外観上の特性を発揮することが可能になり、建材用途における薄膜太陽電池の優位性を遺憾なく発揮することが出来るようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の薄膜太陽電池モジュールの各部材の積層斜視図
【図2】従来例の薄膜太陽電池モジュールの各部材の積層斜視図
【図3】本発明の配線の工程図(1)
【図4】本発明の配線の工程図(2)
【符号の説明】
1 透明絶縁基板
2 太陽電池の発電領域
3,3’ バス領域
4,4’ バス領域のコンダクタンスを増大する手段(半田メッキ銅箔)
5,5’ バス領域と電力を外部に出すための接続手段までの配線(半田メッキ銅箔)
6 絶縁シートを埋設する充填材
7 絶縁シート
8 絶縁シートと5の配線を埋設する充填材
9 充填材
10 5の配線を通すために充填材に設けられた開口
11 裏面保護カバーの開口と5の配線との接触を防ぐ為の開口付きの別の絶縁シート
12 11の絶縁シートを埋設するための充填材
13 裏面保護カバー
14 5の配線を通すために裏面保護カバーに設置された開口
15 従来発明で用いた絶縁材
16 透明電極層
17 個別の透明電極
18 透明電極を個別化するための溝
19 半導体層
20 個別に分けられた半導体層
21 隣接した光起電力素子を接続するために半導体層に設けられた溝
22 裏面電極層
23 個別の裏面電極
24 裏面電極を分離するための溝
25 バス領域にコンダクタンス増大手段を接続するための溝
26 半田バンプ
27 薄膜太陽電池周囲に設けられた絶縁領域
28 薄膜太陽電池を構成する個別の光起電力素子
29 透明電極層を露呈させるための離散的な開孔
100 太陽電池素子
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device, and more particularly to a solar cell module, in particular, a device that performs photoelectric conversion using a thin film semiconductor layer including amorphous silicon, a so-called thin film solar cell module and a method for manufacturing the same. . More specifically, the present invention relates to the structure of the solar cell module in the positive / negative electrode take-out stage and the method of attaching a good electrical conductor.
[0002]
[Prior art]
Solar power generation has become popular as a means of solving environmental problems such as resource depletion or an increase in the amount of carbon dioxide generated, and thin-film solar cells are attracting attention because they use less semiconductor materials such as silicon Has been.
[0003]
Thin-film solar cells have a low efficiency of converting light into electric power compared to solar cells using crystal substrates that have been put into practical use, but the appearance of the light incident surface after installation is the same as that of crystal substrates. Compared with solar cells, 1) The color tone is brown or black and similar to the roof of a house or building. 2) Solar cells in the form of strips arranged closely without the wiring and internal mechanisms visible. Since the element exists on the entire surface, it has a feature such that it looks uniform from a distance, and has attracted much attention from the aspect of design.
In particular, a thin film solar cell module in which a solar cell element is directly formed on a transparent insulating substrate and connected on the substrate (hereinafter referred to as a substrate integrated solar cell module) has been proposed, and the area of the power generation region is the area occupied by the module It can be realized up to about 90%, and the parts other than the elements are hardly conspicuous.
[0004]
The structure of the solar cell portion of the substrate-integrated solar cell and the manufacturing method thereof are disclosed in US Pat. No. 4,292,092. A transparent conductive film is formed on a transparent insulating substrate such as glass and separated into strip-like individual photovoltaic regions by laser processing lines, and p-type, i-type and n-type amorphous silicon is formed on the entire surface. And a photovoltaic semiconductor layer. A connection groove for connecting to the next element is formed by laser processing at a position shifted parallel to the first processing line, and after forming the back electrode layer, it is parallel to the connection groove and opposite to the separation groove of the transparent electrode A back electrode separation groove is formed on the substrate. Through these steps, a thin film solar cell in which a plurality of strip-like photovoltaic elements are connected in series to one substrate is formed.
[0005]
With this configuration, the connected portion of the solar cell exists as a thin line having a width of 0.3 mm to 0.5 mm and cannot be recognized visually from a place 20 m away.
[0006]
In order to take out the electric power of the thin film solar cell, a bus means is provided at the terminal end of the connection or in the middle. Since the bus means is a part that does not contribute to power generation, a good conductor is installed in a strip-like area (bus area) slightly narrower than the photovoltaic element so that power can be collected more easily. As a good conductor, for example, as disclosed in JP-A-3-171675, a method in which a paste in which metal particles such as glass frit are dispersed is applied to a region immediately after forming a transparent electrode on a transparent insulating substrate, or As disclosed in 9-83001, there is a method in which the back electrode layer and the semiconductor layer in the bus region are linearly removed and a solder-plated copper foil is connected to the exposed portion of the transparent electrode with ceramic solder.
[0007]
Specifically, the former method is illustrated in FIG. 2, in which bus regions 3 and 3 ′ for collecting positive and negative power are provided on the thin-film solar cell 100, and a back electrode layer and a semiconductor layer are provided at the approximate center in the width direction. A portion 25 exposing the transparent electrode is formed by removing the bumps of the ceramic solder on which the lead, tin, zinc and antimony are essential components using an ultrasonic soldering iron. Are provided with solder-plated copper foils 4, 4 ′.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
The above-mentioned conventional technology is caused by the older technology of installing a good conductor with solder or conductive paste on the back electrode, such as corrosion due to the reaction between the paste material or solder material and the back electrode material, peeling of the connection part, etc. The invention was invented from the viewpoint of solving the problem by directly attaching a paste material or a solder material to the transparent electrode layer with very few problems of electrolytic corrosion between metals and peeling problems. In the method shown in (1), it was found that when the portion where the paste such as glass frit was in contact with the transparent electrode was viewed from the light incident side, it became a silver glossy portion.
[0009]
On the other hand, in the structure of Japanese Patent Laid-Open No. 9-83001, the metallic luster of the solder-plated copper foil is incident through the portion where the back electrode layer and the semiconductor layer are linearly removed and the transparent electrode is exposed at the approximate center in the width direction of the bus region. It turned out to be visible from the surface.
[0010]
These external features have been found to significantly impair the design of a solar cell module of the type installed as part of a building.
[0011]
That is, when a solar cell module is used as a building material such as a roof of a general house or a component in accordance with a building material, many architects are demanding designability similar to or exceeding that of conventional building materials. For example, when a solar cell is used as a roofing material, appearance characteristics such as a brown color tone, matteness, uniform surface and no pattern like a normal colonial tile or single are required.
[0012]
In this case, the metallic luster shown above is extremely distant from the color tone of the solar cell roofing material, which is not preferable because it becomes a conspicuous pattern.
[0013]
However, it is self-evident that the reliability of the method attached to the back electrode as in the previous technology is significantly reduced, and it is extremely important to propose a structure that satisfies both appearance and reliability. It is a problem.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The inventor has improved the solving means satisfying the above problems day and night starting from the structure disclosed in JP-A-9-83001, and as a result, the simple and clear means disclosed in the present invention as described in the claims. I found it.
[0015]
It is an aspect of the present invention, on one surface of the transparent insulating substrate, a transparent electrode layer, a photovoltaic thin-film semiconductor layer, laminated and a back electrode layer is made form, divided into a plurality of regions The photovoltaic thin film semiconductor layer having a photovoltaic element and a bus region formed is provided with a groove for connection to an adjacent unit photovoltaic element, and the unit photovoltaic element is connected in series by the groove. As a terminal of the connection, a bus region for extracting power at the positive and negative electrode extraction stages of the thin film solar cell module and a good conductor made of a metal wire or a metal ribbon for collecting power in the bus region are connected. A thin-film solar cell module having a transparent insulating substrate and a transparent electrode so that the connection between the bus region and the good conductor is discretely arranged in the longitudinal direction at the center of the width side of the bus region and the transparent electrode layer is exposed Leave the layer and And opening the removal of photovoltaic thin-film semiconductor layer or / and the back electrode layer, filling the openings is to perform bus region and conductor in mechanical and adhesive conductor electrically connecting.
[0016]
The adhesive conductor used here is a conductive liquid containing a conductive metal or organometallic component, such as a conductive paste, solidified by installing in the opening, or lead having adhesiveness to a ceramic material, Solder containing tin, zinc and antimony as essential components, more specifically 1 to 60% by weight of lead, 10 to 98% by weight of tin, 0.01 to 25% by weight of zinc and 0.01 to 50% by weight of antimony Are preferably used.
[0017]
The good conductor made of a metal wire or a metal ribbon is a copper wire or foil coated with solder or tin, preferably a solder-plated copper foil having a width of 2 mm or more, and the thickness of the solder plating is 50 μm or more, preferably 100 μm or more. , 200 μm or less is preferably used.
[0018]
As a manufacturing method of these structures, a photovoltaic thin film semiconductor layer is arranged so that the transparent electrode layer is exposed leaving the transparent insulating substrate and the transparent electrode layer discretely arranged in the longitudinal direction in the central portion on the width side of the bus region. Or / and providing a hole from which the back electrode layer is removed;
Installing an adhesive conductor bump in the opening;
This portion is implemented by connecting a good conductor made of a metal wire or a metal ribbon for collecting power in the bus region to the bump of the adhesive conductor.
The composition of the bump is dispensed with conductive liquid containing conductive metal or organometallic component such as conductive paste and cured with heat afterwards, or solder used for ceramic etc. or lead, tin, zinc and antimony as essential components The solder to be soldered may be attached with a soldering iron that oscillates ultrasonic waves and oscillates ultrasonic waves and is heated.
[0019]
To provide an opening, mechanically drill with a metal tool having a tip that is smaller than the size of the opening, or mechanically using ultrasonic waves with a metal tool such as an ultrasonic soldering iron. It can be carried out by a mechanical process of drilling into the substrate or by a thermal process using the radiant energy of the laser.
[0020]
Furthermore, although applicable only when using the above-mentioned solder, the step of providing the opening by optimizing the ultrasonic frequency and power of the ultrasonic soldering iron, the distance between the tip and the processing portion, By carrying out simultaneously with the step of installing the solder bumps in the openings, the step characteristic of the present invention can be realized in one step. As a device in this case, the ultrasonic soldering power is set so that the ultrasonic oscillation power is set to 10% or more larger than the conditions set for the device for the purpose of soldering the ceramic, and the power is always output. Cooling means is provided to lower the temperature of the oscillator in the iron part (only the speaker coil and ball piece are attached to the iron part).
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A specific embodiment will be described below with reference to FIG. The content described here is to explain the form, and is not limited to this, and even if it takes another form, it can be applied as long as it reflects its technical idea.
[0022]
[Thin film solar cell]
The thin film solar cell used in the present invention is shown in the cross section of FIG.
[0023]
As the transparent insulating substrate 1 used in the thin film solar cell, glass or heat-resistant plastic is used. For example, SiO 2 is formed on this substrate so that impurities of the substrate do not diffuse into the layers above it. A transparent electrode layer is formed thereon.
[0024]
As the transparent electrode layer 16, SnO 2 grown in a form in which irregularities are formed by the apex angle of the crystal grains is preferably used. A thermal CVD method is generally used as the formation method.
[0025]
This transparent electrode layer is provided with a groove 18 by using a laser processing method or the like, and a strip-like individual region 17 is formed.
[0026]
A semiconductor layer 19 is formed thereon. As the semiconductor layer, a photovoltaic junction such as amorphous silicon, thin film polycrystalline silicon, CIS, or CdTe is appropriately formed. The material for the transparent electrode is appropriately selected from those suitable for these semiconductors.
[0027]
These semiconductor layers are provided with grooves 21 for connection to the adjacent photovoltaic elements.
[0028]
A back electrode layer 22 is formed on the semiconductor layer 19. As the back electrode layer, an electrode in which a transparent conductive material such as ZnO and a highly light reflective metal such as Ag are combined is preferably used.
[0029]
These back electrode layers 22 become individual electrodes 23 by grooves 24. With this configuration, the unit elements 28 in which the semiconductor is sandwiched between the transparent electrode and the back electrode are connected in series.
[0030]
Bus regions 3 and 3 ′ for collecting electric power are provided at both ends to which these elements 28 are connected. In this region, a plurality of discrete openings 29 for exposing the transparent electrode layer are provided.
[0031]
As a method for opening this hole, in the inventor's experiment, the semiconductor layer and the back electrode layer are efficiently formed by rubbing with a higher ultrasonic power than when soldering with an ultrasonic soldering iron chip described later. It was found that the transparent electrode layer can be exposed by removing. By utilizing this principle, it is possible to produce an industrially profitable device. In this case, since the oscillator is always in a state of oscillating, it has been found that the ultrasonic power is lowered because the heat is generated and the resonance point of the oscillator is changed as the heat is generated. As a countermeasure, it has been found that a stable ultrasonic power can always be secured by blowering or water cooling the oscillator. Further, with this improvement, even when the solder of the ultrasonic soldering iron is melted and attached to the tip of the soldering iron, it can be similarly cut and attached. In this case, the power and the distance between the iron tip and the bus area are reduced in the cutting process and the soldering process, and the iron tip is pressed with a large power in the cutting stage. It has been found that the two steps can be performed efficiently if the touch is made to float.
[0032]
On the other hand, as another method, it is possible in principle to discretely remove the back electrode and the semiconductor by setting the laser condition to a condition for partially removing the back electrode. However, it is necessary to wait for the appearance of an apparatus that implements this method at high speed.
[0033]
Bumps 26 made of ceramic solder are discretely formed in the openings. The diameters of these bumps or apertures are 2 mm in diameter, as disclosed in the applicant's published Japanese Patent Application No. 9-133503, and the distance between the centers of the bumps is about 20 mm.
[0034]
Ceramic solder contains rare earths so that it can be joined to transparent electrodes and ceramics, and is commercially available from Senju Metal Co., Ltd. under the trade name Cerasolza. These components are preferably those containing 1 to 60% by weight of lead, 10 to 98% by weight of tin, 0.01 to 25% by weight of zinc and 0.01 to 50% by weight of antimony. .
[0035]
As another embodiment, a bump is placed in the opening with a metal or conductive resin-based conductive paste using a dispenser or screen printing instead of ceramic solder. Thereafter, the bumps are formed by drying with hot air.
[0036]
As the conductive paste, a commercially available paste is preferably used. However, in carrying out the present invention, the color tone after drying needs to be a dark color. As the paste material, carbon-based, copper-based, and nickel-based materials are preferably used.
[0037]
The solder plated copper foil 4 is connected to the bumps 26. The solder-plated copper foil 4 is obtained by coating a copper foil having a thickness of about 0.2 mm and a width of several mm with ordinary eutectic solder. The corrosion resistance is improved by this coating, and there is an effect that solder connection can be easily made by simply placing the copper foil on the bump and pressing the copper foil with a soldering iron. Moreover, in order to ensure the strength of the bonding between the bumps and the solder, a soldering strength of at least 1 kg is necessary. In order to ensure this strength, the solder thickness on the solder-plated copper foil must be 50 μm or more. Preferably it is 0.1 mm.
[0038]
The reason why the solder strength decreases when the amount of solder is small is that the surface of the copper foil has irregularities of 0.1 mm or more with respect to the contact surface, and if there is not enough solder to fill the irregularities, the solder joint is not planar This is because it becomes point-like.
[0039]
Moreover, all the soldering processes used here are processes that do not use flux. This is because when the flux is used, the acid in the flux remains and the reliability is remarkably lowered.
[0040]
The subsequent steps are not described in detail in the specification of the present invention, but as described in FIGS. 3 and 4, first, as shown in FIG. A step of connecting another solder-plated copper foil 5 or 5 ′ to 4 or 4 ′.
[0041]
A step of setting the fillers 6 and 8 for embedding an insulating sheet as shown in FIG. 3B at a predetermined position with the insulating sheet 7 sandwiched between them.
[0042]
As shown in FIG. 3 (C), the solder-plated copper foils 5 and 5 'up to the power extracting and connecting means are bent at the terminal box installation position so that the end on the terminal box side is perpendicular to the substrate. A step of covering with a filler 9 covering the entire surface of the substrate having a slit 10 through which a solder-plated copper foil is passed.
[0043]
Specifically, as shown in FIG. 3 (D) and FIG. 4 (E), a small piece of Tedler sheet 13 having a notch that is slightly larger than the hole in the protective cover is set around the solder-plated copper foil on the filler sheet. Further, the process of setting the EVA sheet pieces 12 of substantially the same size and the process of covering the protective cover The solder-plated copper foil is taken out from the opening of the protective cover and temporarily fixed at a position where the copper foil and the protective cover do not contact with the heat-resistant tape. Step, see FIGS. 4F and 4G.
[0044]
And the solar cell module sealed through the process of heat-pressing with a double vacuum tank type laminator (abbreviation vacuum laminator) is produced.
[0045]
The steps shown in FIGS. 3 and 4 show the relationship with the elements formed in the steps after the structure of the present invention is formed. Of course, it is not limited to this configuration. Any element including the element of the present invention can be used as appropriate.
[0046]
【Example】
Next, an Example is shown by the amorphous-silicon solar cell comprised on the glass of the Example of this invention.
[0047]
Example 1
As the transparent insulating substrate 1, a blue plate glass having a short side of 50 cm, a long side of 100 cm, and a thickness of 4 mm was used. This glass is chamfered around the cut surface to prevent thermal cracking and mechanical destruction during the process.
[0048]
On this glass, 1000 SiO of SiO2 was formed as an alkali barrier by thermal CVD, and 10,000 Å of fluorine-doped SnO 2 was formed as the transparent conductive layer 16. The surface is uneven by the apex angle of the crystal grains.
[0049]
The transparent electrode layer 16 was provided with grooves 18 by a laser processing method using the second harmonic of a YAG laser.
[0050]
A p-type amorphous silicon carbide was formed as a 100 Å, i-type amorphous silicon as a 3000 Å, and n-type amorphous silicon as a 300 Å semiconductor layer 19 by plasma CVD.
[0051]
A groove 21 was provided for connection to the adjacent photovoltaic element using the second harmonic of the YAG laser.
[0052]
Further, 1000 mm of ZnO and 3000 mm of Ag were formed on the semiconductor layer 19 by sputtering to form the back electrode layer 22.
[0053]
These back electrode layers 22 formed grooves 24 using the second harmonic of a YAG laser to obtain individual electrodes 23. With this configuration, the unit elements 28 in which the semiconductor is sandwiched between the transparent electrode and the back electrode are connected in series. The width of this unit element is about 10 mm.
[0054]
Similarly, bus regions 3 and 3 ′ for collecting electric power at both ends of these elements using laser processing were provided with a width of 5 mm. The distance between the positive electrode bus region 3 ′ and the negative electrode bus region 3 was 48 cm.
The semiconductor and amorphous silicon were mechanically removed using an ultrasonic soldering iron every 2 cm in the width direction central portion of the bus region to form 48 openings 27 on one side and 96 on one side to provide bumps 26 for the cerasolzer. The size of this hole is 2 mm in diameter.
[0055]
A solder-plated copper foil 4 having a width of 2 mm, a copper foil thickness of 0.2 mm, and a solder thickness of 0.1 mm was connected to the bump.
[0056]
The peripheral region 27 of the substrate 1 was provided with a region where polishing was performed using a sand blasting method and no upper layer was present.
[0057]
The solder-plated copper foils 4 and 4 ′ on the bus region were adjusted so as to form a 0.1 mm gap so that the filler was filled in the gap between the copper foil and the element surface.
[0058]
Solder-plated copper foils 5 and 5 ′ having a length of 30 cm and a width of 5 mm were connected to a position 5 cm from the substrate end of the solder-plated copper foils 4 and 4 ′ on the bus regions 3 and 3 ′. The thickness of this copper foil and the thickness of the solder are the same as the above-mentioned solder plated copper foil.
[0059]
When the appearance of the solar cell module was observed from the light incident side, the color tone of the entire surface was wine red. The connection part of the solar cell was seen as a silver line of about 0.1 mm when viewed in the vicinity. When the bus area was observed, the bump portion appeared dark gray, but when observed at a distance of about 2 m, these points were not visible.
[0060]
It was found that the color of the solder was darker in color when the texture transparent electrode was used and when the planar transparent electrode was used.
[0061]
(Examples 2-3)
The connection portion of the present invention can be similarly formed by using a conductive paste instead of solder. When copper paste was used, the color tone seen from the light-irradiated surface became dark red, and the color tone was similar to that of amorphous silicon. Moreover, it turned out that it will become black when a chromium-type paste is used. It turned out that both were similarly inconspicuous when looking away from more than 2m.
[0062]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the method of connecting a good conductor to the bus region is performed by discrete bumps, and by providing those bases discretely, the appearance of the part can be greatly improved. Is possible.
[0063]
As a result, it has become possible to exhibit the appearance characteristics originally possessed by the substrate-integrated thin film solar cell, and to fully demonstrate the superiority of the thin film solar cell in building materials.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of laminated members of a thin film solar cell module according to the present invention. FIG. 2 is a perspective view of laminated members of a thin film solar cell module according to a conventional example.
FIG. 4 is a wiring process diagram of the present invention (2).
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent insulating substrate 2 Power generation area | region 3, 3 'bus area | region 4, 4' means of increasing the conductance of a bus area | region (solder plating copper foil)
5,5 'Bus area and wiring to the connection means to output power to the outside (solder plated copper foil)
6 Filling material for embedding insulating sheet 7 Insulating sheet 8 Filling material for embedding wiring between insulating sheet and 5 9 Filling material 10 Opening provided in filling material for passing 5 wiring 11 Opening of back protection cover and 5 Filler 13 for embedding an insulating sheet of another insulating sheet 1211 with an opening for preventing contact with the wiring 13 Back surface protection cover 145 Opening 15 installed in the back surface protection cover for passing the wiring of 5 Insulating material 16 Transparent electrode layer 17 Individual transparent electrode 18 Groove 19 for individualizing the transparent electrode Semiconductor layer 20 Separately divided semiconductor layer 21 In order to connect adjacent photovoltaic elements to the semiconductor layer Provided groove 22 Back electrode layer 23 Individual back electrode 24 Groove 25 for separating back electrode Groove 26 for connecting conductance increasing means to bus region Solder bump 27 Thin film Insulating region 28 provided around solar cell Individual photovoltaic element 29 constituting thin-film solar cell Discrete aperture 100 for exposing transparent electrode layer Solar cell element

Claims (12)

透明絶縁基板の一方の面上に、透明電極層、光起電力薄膜半導体層、裏面電極層を含む積層が形成され、複数個の領域に分割されてなされる光起電力素子とバス領域とを有し光起電力薄膜半導体層に隣の単位光起電力素子との接続のための溝が設けられ、当該溝によって単位光起電力素子が直列に電気的に接続され、その接続の終端として薄膜太陽電池モジュールの正・負極の取り出し段における電力を取り出すバス領域とそのバス領域の電力収集をするための金属線あるいは金属リボンからなる良導体とを有する薄膜太陽電池モジュールであって、
バス領域と該良導体との接続を、
バス領域の幅側の中央部に長手方向に離散的に配置され透明電極層が露呈するように透明絶縁基板と透明電極層とを残して光起電力薄膜半導体層または/及び裏面電極層を除去した開孔と、
その開孔を充填し、バス領域と良導体を機械的かつ電気的に接続する接着性導体とでおこなうことを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。
On one surface of the transparent insulating substrate, a transparent electrode layer, a photovoltaic thin-film semiconductor layer, laminated and a back electrode layer is made form a photovoltaic element made is divided into a plurality of regions And a groove in the photovoltaic thin film semiconductor layer having a bus region for connection to the adjacent unit photovoltaic element, and the unit photovoltaic element is electrically connected in series by the groove, and the connection A thin-film solar cell module having a bus region for extracting power at the positive and negative electrode extraction stages of the thin-film solar cell module and a good conductor made of a metal wire or a metal ribbon for collecting power in the bus region,
Connection between the bus area and the good conductor
The photovoltaic thin film semiconductor layer and / or the back electrode layer is removed leaving the transparent insulating substrate and the transparent electrode layer so that the transparent electrode layer is exposed discretely in the center of the width side of the bus region. Open holes,
A thin-film solar cell module, which is formed by an adhesive conductor that fills the opening and mechanically and electrically connects a bus region and a good conductor.
前記接着性導体が、導電性金属または有機金属成分を含む導電性液を前記開孔に設置し、固化したものであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池モジュール。  The thin film solar cell module according to claim 1, wherein the adhesive conductor is obtained by installing a conductive liquid containing a conductive metal or an organic metal component in the opening and solidifying the conductive liquid. 前記接着性導体が、セラミック用半田あるいは、鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池モジュール。  2. The thin film solar cell module according to claim 1, wherein the adhesive conductor is ceramic solder or solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components. 前記良導体が半田あるいは錫で被覆された銅の線または箔であることを特徴とする請求項1記載の薄膜太陽電池モジュール。  2. The thin film solar cell module according to claim 1, wherein the good conductor is a copper wire or foil coated with solder or tin. 前記鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田は、鉛が1〜60重量%、錫が10〜98重量%、亜鉛が0.01〜25重量%及びアンチモンが0.01〜50重量%であることを特徴とする請求項3記載の薄膜太陽電池モジュール。  The solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components is 1 to 60% by weight of lead, 10 to 98% by weight of tin, 0.01 to 25% by weight of zinc and 0.01 to 50% by weight of antimony. The thin film solar cell module according to claim 3, wherein 前記良導体が、幅2mm以上の半田メッキ銅箔であり、半田メッキの厚みが50μm以上好ましくは100μm以上、200μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池モジュール。  2. The thin film solar cell module according to claim 1, wherein the good conductor is a solder-plated copper foil having a width of 2 mm or more, and the thickness of the solder plating is 50 μm or more, preferably 100 μm or more and 200 μm or less. 透明絶縁基板の一方の面上に、透明電極層、光起電力薄膜半導体層を形成し光起電力薄膜半導体層に溝を設け、さらに裏面電極層を含む積層が形成され、複数個の領域に分割されて光起電力素子とバス領域とが形成され、光起電力素子の単位光起電力素子が前記溝によって直列に電気的に接続され、その接続の終端として薄膜太陽電池モジュールの正・負極の取り出し段における電力を集めるバス領域を有する薄膜太陽電池を形成する工程と、
バス領域の幅側の中央部に長手方向に離散的に配置され透明絶縁基板と透明電極層とを残して透明電極層が露呈するように光起電力薄膜半導体層または/及び裏面電極層を除去した開孔を設ける工程と、
該開孔に接着性導体のバンプを設置する工程と、
該接着性導体のバンプにバス領域の電力収集をするための金属線あるいは金属リボンからなる良導体を接続する工程とを有することを特徴とする薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
Transparent on one surface of the insulating substrate, a transparent electrode layer, a groove provided in the form a photovoltaic thin-film semiconductor layer photovoltaic thin-film semiconductor layer, made form laminated further comprising a back electrode layer, a plurality A photovoltaic device and a bus region are formed by being divided into a plurality of regions, unit photovoltaic devices of the photovoltaic device are electrically connected in series by the groove, and a thin film solar cell module as an end of the connection Forming a thin-film solar cell having a bus region that collects electric power in the positive and negative electrode take-out stages,
The photovoltaic thin film semiconductor layer and / or the back electrode layer is removed so that the transparent electrode layer is exposed, leaving the transparent insulating substrate and the transparent electrode layer, discretely arranged in the longitudinal direction at the center of the width side of the bus region A step of providing a hole,
Installing an adhesive conductor bump in the opening;
And a step of connecting a good conductor made of a metal wire or a metal ribbon for collecting power in the bus region to the bump of the adhesive conductor.
前記開孔に接着性導体のバンプを設置する工程が、導電性金属または有機金属成分を含む導電性液をディスペンスする工程を含む請求項7に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。  The method of manufacturing a thin-film solar cell module according to claim 7, wherein the step of installing the bump of the adhesive conductor in the opening includes a step of dispensing a conductive liquid containing a conductive metal or an organic metal component. 前記開孔に接着性導体のバンプを設置する工程が、少なくとも一部が鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田を超音波を発振する半田ゴテで、超音波を発振し且つ加熱して取り付ける工程であることを特徴とする請求項7に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。  The step of installing the bumps of the adhesive conductors in the openings includes a soldering iron that oscillates ultrasonic waves, and at least partially oscillates and heats the solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components. The method of manufacturing a thin film solar cell module according to claim 7, wherein the method is a step of attaching the thin film solar cell module. 前記開孔を設ける工程が、開孔の大きさ以下の先端部を有する金属製の工具で超音波を用いて機械的に穿孔する工程であることを特徴とする請求項7に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。  8. The thin film solar according to claim 7, wherein the step of providing the aperture is a step of mechanically drilling using ultrasonic waves with a metal tool having a tip portion having a size equal to or smaller than the size of the aperture. Manufacturing method of battery module. 前記開孔を設ける工程が、レーザの放射エネルギーを用いて熱的に穿孔する工程であることを特徴とする請求項7に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。  8. The method for manufacturing a thin-film solar cell module according to claim 7, wherein the step of providing the aperture is a step of thermally drilling using radiant energy of a laser. 超音波を発振する半田ゴテを用いて前記開孔を設ける工程と、該開孔に半田のバンプを設置する工程と同時におこなうことを特徴とする請求項7に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。  The method of manufacturing a thin-film solar cell module according to claim 7, wherein the method is performed simultaneously with the step of providing the opening using a soldering iron that oscillates an ultrasonic wave and the step of installing a solder bump in the opening. .
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