JP4839509B2

JP4839509B2 - Ceramic electronic components

Info

Publication number: JP4839509B2
Application number: JP2000392944A
Authority: JP
Inventors: 義広上林; 多通夫国司
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-12-25
Filing date: 2000-12-25
Publication date: 2011-12-21
Anticipated expiration: 2020-12-25
Also published as: JP2002194555A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルカリ土類金属を含有するセラミック素体に無電解金めっきを施す無電解金めっき方法に関するもので、詳しくは、セラミック素体のアルカリ土類金属成分の溶出を抑制するための無電解金めっき方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
無電解金めっきは、接合の信頼性の高さなどの点から、セラミック電子部品やセラミック基板の電極形成にしばしば用いられている。具体的には、セラミック電子部品の外部電極や電子部品実装様のセラミック基板の電極にニッケルめっきを施し、その上に無電解金めっき層を形成する。無電解金めっきのメカニズムは、めっき浴中の金イオンが、被めっき物上の下地金属層から電子を受け取り、下地金属が溶出すると同時に金めっき層が析出するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記無電解金めっきは通常５０〜９５℃の高温で行われるため、電子部品のセラミック素体部分が、錯化剤等のめっき浴成分によって侵食されやすいという問題がある。セラミック素体が侵食されると電子部品の強度が劣化する他、電極との界面のセラミック素体の溶出によって電極が剥離して、容量変化等の特性劣化を引き起こすことになる。また、溶出したセラミック成分が原因となって、形成される金めっき皮膜の膜厚の低下や膜質の劣化が生じることになる。
【０００４】
そこで本発明は、セラミック素体に無電解金めっきを施す際に、被めっき物であるセラミック素体の溶出を抑制することが可能な無電解金めっき方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意研究の結果、アルカリ土類金属を含有するセラミック素体に無電解金めっきを施す際に、無電解金めっき浴に硫酸イオンを含有させることでセラミック素体のアルカリ土類金属成分の溶出が抑制できることを見出した。
【０００７】
本発明におけるセラミック電子部品は、アルカリ土類金属を含有するセラミック素体と、前記セラミック素体上に形成された電極と、前記電極上に形成された金めっき層とを有するセラミック電子部品において、前記セラミック素体の表面に、前記セラミック素体のアルカリ土類金属成分と硫酸イオンとの反応化合物層が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
アルカリ土類金属は、バリウムであることが好ましく、特に、セラミック素体は、チタン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ホウ酸バリウム、ケイ酸バリウム、ホウケイ酸バリウム、アルミン酸バリウム、アルミン酸ケイ酸バリウムのいずれかを主成分として含むことが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明における無電解金めっき浴は、金化合物と、金イオンの錯化剤と、金イオン錯体の安定剤と、セラミック素体の溶出抑制剤である硫酸イオンとを含み、必要に応じて金イオンの析出と同時に溶出する下地金属イオンの安定剤が添加される。
【００１３】
金化合物は、金イオンを供給できるものであればよく、例えば、亜硫酸金ナトリウム、亜硫酸金カリウム、塩化金カリウム、塩化金酸、シアン化金ナトリウム、シアン化金カリウム等を用いることができる。
【００１４】
金イオンの錯化剤には、亜硫酸やチオ硫酸、Ｌ‐アステルシステイン、チオシン等のイオウ化合物や、シアン化ナトリウム、シアン化カリウム等のシアン化化合物を用いることができる。これらの錯化剤の中でも、特に亜硫酸や亜硫酸化合物およびシアン化化合物が好ましい。これらの錯化剤は金イオンとの錯安定度定数が高く、めっき浴の長期安定性とめっき皮膜の析出速度が特に良好となるためである。なお、めっき浴中の錯化剤の濃度は、金イオンの濃度の２〜１０倍程度とする。
【００１５】
錯化剤に亜硫酸や亜硫酸化合物を用いる場合、金イオン錯体の安定剤にはアミノカルボン酸類を用いることができ、これらの中でも特にＥＤＴＡ類が適している。錯化剤にシアン化化合物を用いる場合、金イオン錯体の安定剤にはアミンを用いることができ、これらの中でも特にトリエタノールアミン類が適している。
【００１６】
セラミック素体の溶出抑制剤としては、硫酸と硫酸塩の少なくとも一方を添加する。具体的には、硫酸ナトリウムや硫酸カリウム、硫酸アンモニウム等を用いることができる。
【００１７】
上記めっき浴に、さらにめっき皮膜の特性改善のために界面活性剤を適宜添加してもよい。界面活性剤はノニオン性、アニオン性、カチオン性、両性のいずれであってもよい。界面活性剤の添加量は、０.０００５〜５ｇ／ｌ程度が好ましい。
【００１８】
セラミック素体には、アルカリ土類金属、特にバリウムを含有するものが用いられ、具体例としては、チタン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ホウ酸バリウム、ケイ酸バリウム、ホウケイ酸バリウム、アルミン酸バリウム、アルミン酸ケイ酸バリウム等が挙げられる。
【００１９】
【実施例】
（第１実施例）
表１、２に示す無電解金めっき浴（実施例１〜１２、比較例１、２）を作製した。比較例１、２は、溶出抑制剤である硫酸または硫酸塩を含まないめっき浴を示す。
【００２０】
【表１】

【００２１】
【表２】

【００２２】
表面に金属配線およびそれに接続された電極の形成された、チタン酸バリウムを含有するセラミック基板を用意し、表１、２に示す無電解金めっき浴に浸漬して、電極上に金めっき皮膜を形成した。基板上の金属配線は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｐｄのいずれかを材料として用い、印刷、電解めっき、無電解めっき等の各種方法で形成した。めっき皮膜形成後の基板とめっき皮膜の状態を表３、４に示す。
【００２３】
【表３】

【００２４】
【表４】

【００２５】
表３、４において、基板溶出比とめっき膜厚比は、それぞれ比較例に対する比を示しており、基板溶出比（％）＝｛実施例の基板溶出量(mg)／比較例の基板溶出量(mg) ｝×100、めっき膜厚比（％）＝｛実施例のめっき膜厚(μm)／比較例のめっき膜厚(μm)｝×100、よりもとめた。なお、実施例１〜６は比較例１を、実施例７〜１２は比較例２をそれぞれ基準とした。また、めっき前後の基板強度比およびめっき前後の電極強度比は、めっき前後の基板強度比（％）＝｛めっき後の基板強度(kgf)／めっき前の基板強度(kgf) ｝×100、めっき前後の電極強度比（％）＝｛めっき後の電極強度(kgf)／めっき前の電極強度(kgf) ｝×100、よりもとめた。
【００２６】
表３、４から明らかなように、比較例１、２と比較して、硫酸ナトリウムを添加した実施例１〜１２では、セラミック基板の溶出量が少なく、めっき前後の基板強度比にあまり変化がみられないことがわかる。すなわち、実施例１〜１２ではセラミック基板の表面に、セラミック基板中のバリウム成分とめっき浴中の硫酸ナトリウムとが反応した硫酸バリウム層が形成されたことにより、セラミック基板の溶出が抑制されているものと考えられる。
【００２７】
また、比較例１、２と比較して、実施例１〜１２では、形成された金めっき被膜の膜厚が厚く、めっき前後の電極強度比にあまり変化が見られないことがわかる。すなわち、比較例１、２では、基板から溶出したセラミック成分が原因となって、形成される金めっき皮膜の膜厚の低下や膜質の劣化が生じ、また、セラミック基板の電極との界面部分の溶出によって電極の剥離が生じ、めっき後の電極強度が低下しているものと考えられる。これに対し、実施例１〜１２ではセラミック基板の溶出が抑制されているため、金めっき皮膜の膜厚の低下やめっき後の電極強度の低下がほとんど見られない。
このように、実施例１〜１２ではセラミック基板の溶出が抑制されているが、硫酸ナトリウムの添加量が少なく０．０００１ｍｏｌ／ｌである実施例１、７では、他の実施例に比べてセラミック基板の溶出量が多く、セラミック基板の溶出が抑制効果が小さいことがわかる。一方、実施例６、１２のように硫酸ナトリウムの添加量が１．０ｍｏｌ／ｌを越えた場合であっても、セラミック基板の溶出抑制効果にあまり変化はない。一方、硫酸ナトリウムの添加量が増加するにしたがって、めっき浴の粘度が高くなることから、硫酸ナトリウムの添加量が１．０ｍｏｌ／ｌを越える場合は過剰の添加となりコストアップにつながる。したがって、硫酸ナトリウムの添加量は０．００１〜１．０ｍｏｌ／ｌが適当であると考えられる。また、硫酸ナトリウムのかわりに硫酸を添加した場合であっても、同一の濃度範囲でセラミック基板の溶出抑制効果が高いことが認められた。
【００２８】
（第２実施例）
表５、６に示す無電解金めっき浴（実施例１３〜２４、比較例３、４）を作製した。比較例３、４は、溶出抑制剤である硫酸または硫酸塩を含まないめっき浴を示す。
【００２９】
【表５】

【００３０】
【表６】

【００３１】
チタン酸バリウムを含有するセラミック基体の両端部に外部電極の形成された積層セラミックコンデンサを用意し、表５、６に示す無電解金めっき浴に浸漬してバレルめっきを行い、外部電極上に金めっき皮膜を形成した。外部電極は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｐｄのいずれかを材料とした電極上に、電解または無電解Ｎｉめっきを施したものを用いた。めっき皮膜形成後の基体とめっき皮膜の状態を表７、８に示す。
【００３２】
【表７】

【００３３】
【表８】

【００３４】
表７、８において、基体溶出比とめっき膜厚比は、それぞれ比較例に対する比を示しており、基体溶出比（％）＝｛実施例の基体溶出量(mg)／比較例の基体溶出量(mg) ｝×100、めっき膜厚比（％）＝｛実施例のめっき膜厚(μm)／比較例のめっき膜厚(μm)｝×100、よりもとめた。なお、実施例１３〜１８は比較例３を、実施例１９〜２４は比較例４をそれぞれ基準とした。また、めっき前後の容量変化は、セラミックコンデンサの容量の変化を測定したもので、めっき前後の電極強度比は、外部電極の強度を測定したもので、めっき前後の電極強度比（％）＝｛めっき後の電極強度(kgf)／めっき前の電極強度(kgf) ｝×100、よりもとめた。
【００３５】
表７、８から明らかなように、比較例３、４と比較して、硫酸ナトリウムを添加した実施例１３〜２４では、セラミック基体の溶出量が少なく、電極剥離、および、めっき前後の容量変化がみられないことがわかる。すなわち、実施例１３〜２４ではセラミック基体の表面に、セラミック基体中のバリウム成分とめっき浴中の硫酸ナトリウムとが反応した硫酸バリウム層が形成されたことにより、セラミック基体の溶出が抑制されているものと考えられる。また、セラミック基体の電極との界面部分の溶出が抑制されることにより、電極の剥離が防がれ、その結果、コンデンサの容量変化が防止されていることがわかる。
【００３６】
また、比較例３、４と比較して、実施例１３〜２４では、形成された金めっき被膜の膜厚が厚く、めっき前後の電極強度比にあまり変化が見られないことがわかる。すなわち、比較例１、２では、基体から溶出したセラミック成分が原因となって、形成される金めっき皮膜の膜厚の低下や膜質の劣化が生じ、また、セラミック基体の電極との界面部分の溶出によって電極の剥離が生じ、めっき後の電極強度が低下しているものと考えられる。これに対し、実施例１３〜２４ではセラミック基体の溶出が抑制されているため、金めっき皮膜の膜厚の低下やめっき後の電極強度の低下がほとんど見られない。
【００３７】
また、実施例１３〜２４では、実施例１〜１２の場合と同様に、硫酸ナトリウムの添加量を０．００１〜１．０ｍｏｌ／ｌとしたときに、セラミック基板の溶出抑制効果が高いものと考えられる。
【００３８】
なお、上記第１実施例および第２実施例では、被めっき物としてチタン酸バリウムを含有するセラミック素体を用いたが、ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ホウ酸バリウム、ケイ酸バリウム、ホウケイ酸バリウム、アルミン酸バリウム、アルミン酸ケイ酸バリウムを含有するセラミック素体を用いた場合であっても、同様にセラミック素体の溶出抑制効果があることが確認できた。
【００３９】
【発明の効果】
このように、本発明では、アルカリ土類金属を含有するセラミック素体に無電解金めっきを施す際に、無電解金めっき浴に硫酸イオンを含有させることでセラミック素体のアルカリ土類金属成分の溶出を抑制することができた。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electroless gold plating method for performing electroless gold plating on a ceramic body containing an alkaline earth metal. The present invention relates to an electrolytic gold plating method.
[0002]
[Prior art]
Electroless gold plating is often used for forming electrodes of ceramic electronic components and ceramic substrates from the viewpoint of high bonding reliability. Specifically, nickel plating is applied to an external electrode of a ceramic electronic component or an electrode of a ceramic substrate for mounting an electronic component, and an electroless gold plating layer is formed thereon. The mechanism of electroless gold plating is such that gold ions in the plating bath receive electrons from the underlying metal layer on the object to be plated, and the gold plating layer is deposited simultaneously with the dissolution of the underlying metal.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
Since the electroless gold plating is usually performed at a high temperature of 50 to 95 ° C., there is a problem that the ceramic body portion of the electronic component is easily eroded by a plating bath component such as a complexing agent. When the ceramic body is eroded, the strength of the electronic component is deteriorated, and the electrode is peeled off due to the elution of the ceramic body at the interface with the electrode, causing deterioration of characteristics such as capacitance change. Moreover, due to the eluted ceramic component, the thickness of the gold plating film to be formed is reduced and the quality of the film is deteriorated.
[0004]
Therefore, an object of the present invention is to provide an electroless gold plating method capable of suppressing elution of a ceramic body that is an object to be plated when electroless gold plating is applied to a ceramic body.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
As a result of diligent research, the inventors of the present invention have made it possible to add sulfate ions to an electroless gold plating bath when electroless gold plating is performed on a ceramic body containing an alkaline earth metal, thereby allowing the alkaline earth of the ceramic body to be contained. It has been found that elution of metal components can be suppressed.
[0007]
The ceramic electronic component in the present invention is a ceramic electronic component having a ceramic body containing an alkaline earth metal, an electrode formed on the ceramic body, and a gold plating layer formed on the electrode. A reaction compound layer of an alkaline earth metal component of the ceramic body and sulfate ions is formed on the surface of the ceramic body.
[0009]
The alkaline earth metal is preferably barium, and in particular, the ceramic body includes barium titanate, barium zirconate, barium zirconate titanate, barium borate, barium silicate, barium borosilicate, barium aluminate, It is desirable to contain any one of barium aluminate silicate as a main component.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The electroless gold plating bath according to the present invention includes a gold compound, a complexing agent for gold ions, a stabilizer for the gold ion complex, and sulfate ions that are elution inhibitors for the ceramic body. A stabilizer for base metal ions that elutes simultaneously with the precipitation of ions is added.
[0013]
The gold compound is not particularly limited as long as it can supply gold ions, and examples thereof include sodium gold sulfite, gold potassium sulfite, potassium chloride gold, chloroauric acid, sodium gold cyanide, and potassium gold cyanide.
[0014]
As the complexing agent for gold ions, sulfur compounds such as sulfurous acid, thiosulfuric acid, L-asterecysteine, and thiocin, and cyanide compounds such as sodium cyanide and potassium cyanide can be used. Among these complexing agents, sulfite, sulfite compounds and cyanide compounds are particularly preferable. This is because these complexing agents have a high complex stability constant with gold ions, and the long-term stability of the plating bath and the deposition rate of the plating film are particularly good. The concentration of the complexing agent in the plating bath is about 2 to 10 times the concentration of gold ions.
[0015]
When sulfurous acid or a sulfurous acid compound is used as the complexing agent, aminocarboxylic acids can be used as the stabilizer for the gold ion complex, and among these, EDTAs are particularly suitable. When a cyanide compound is used as the complexing agent, an amine can be used as the stabilizer of the gold ion complex, and among these, triethanolamines are particularly suitable.
[0016]
As an elution inhibitor for the ceramic body, at least one of sulfuric acid and sulfate is added. Specifically, sodium sulfate, potassium sulfate, ammonium sulfate, or the like can be used.
[0017]
A surfactant may be appropriately added to the plating bath to improve the properties of the plating film. The surfactant may be nonionic, anionic, cationic, or amphoteric. The addition amount of the surfactant is preferably about 0.0005 to 5 g / l.
[0018]
As the ceramic body, those containing an alkaline earth metal, particularly barium, are used. Specific examples include barium titanate, barium zirconate, barium zirconate titanate, barium borate, barium silicate, borosilicate. Examples thereof include barium, barium aluminate, and barium aluminate silicate.
[0019]
【Example】
(First embodiment)
Electroless gold plating baths (Examples 1 to 12, Comparative Examples 1 and 2) shown in Tables 1 and 2 were prepared. Comparative Examples 1 and 2 show plating baths that do not contain sulfuric acid or sulfate as an elution inhibitor.
[0020]
[Table 1]

[0021]
[Table 2]

[0022]
Prepare a ceramic substrate containing barium titanate on which metal wiring and electrodes connected to it are formed, and immerse them in the electroless gold plating bath shown in Tables 1 and 2 to form a gold plating film on the electrodes. Formed. The metal wiring on the substrate was formed by various methods such as printing, electrolytic plating, and electroless plating using any one of Cu, Ni, Co, Fe, Ag, and Pd as a material. Tables 3 and 4 show the state of the substrate and the plating film after the formation of the plating film.
[0023]
[Table 3]

[0024]
[Table 4]

[0025]
In Tables 3 and 4, the substrate elution ratio and the plating film thickness ratio indicate the ratio to the comparative example, respectively, and the substrate elution ratio (%) = {the substrate elution amount in the example (mg) / the substrate elution amount in the comparative example. (mg)} × 100, Plating film thickness ratio (%) = {Plating film thickness (μm) of Example / Plating film thickness (μm) of Comparative Example} × 100. Examples 1 to 6 were based on Comparative Example 1, and Examples 7 to 12 were based on Comparative Example 2. Also, the substrate strength ratio before and after plating and the electrode strength ratio before and after plating are as follows: substrate strength ratio before and after plating (%) = {substrate strength after plating (kgf) / substrate strength before plating (kgf)} × 100, plating The electrode strength ratio before and after (%) = {electrode strength after plating (kgf) / electrode strength before plating (kgf)} × 100.
[0026]
As is apparent from Tables 3 and 4, in Examples 1 to 12 in which sodium sulfate was added as compared with Comparative Examples 1 and 2, the elution amount of the ceramic substrate was small, and the substrate strength ratio before and after plating was not much changed. I can't see it. That is, in Examples 1 to 12, elution of the ceramic substrate is suppressed by forming a barium sulfate layer in which the barium component in the ceramic substrate and sodium sulfate in the plating bath are reacted on the surface of the ceramic substrate. It is considered a thing.
[0027]
Moreover, compared with the comparative examples 1 and 2, in Examples 1-12, the film thickness of the formed gold plating film is thick, and it turns out that there is not much change in the electrode strength ratio before and behind plating. That is, in Comparative Examples 1 and 2, due to the ceramic component eluted from the substrate, the thickness of the gold plating film to be formed is deteriorated and the quality of the film is deteriorated. It is considered that the electrode peels due to elution and the electrode strength after plating is lowered. On the other hand, in Examples 1-12, since the elution of a ceramic substrate is suppressed, the fall of the film thickness of a gold plating film and the fall of the electrode strength after plating are hardly seen.
As described above, in Examples 1 to 12, elution of the ceramic substrate was suppressed, but in Examples 1 and 7 in which the amount of sodium sulfate added was small and 0.0001 mol / l, the ceramics were compared with the other examples. It can be seen that the amount of elution of the substrate is large, and the elution of the ceramic substrate has a small suppression effect. On the other hand, even when the amount of sodium sulfate added exceeds 1.0 mol / l as in Examples 6 and 12, there is not much change in the elution suppression effect of the ceramic substrate. On the other hand, as the amount of sodium sulfate added increases, the viscosity of the plating bath increases, so when the amount of sodium sulfate exceeds 1.0 mol / l, excessive addition leads to an increase in cost. Therefore, it is considered that the amount of sodium sulfate added is 0.001 to 1.0 mol / l. Further, even when sulfuric acid was added instead of sodium sulfate, it was confirmed that the ceramic substrate elution suppressing effect was high in the same concentration range.
[0028]
(Second embodiment)
Electroless gold plating baths (Examples 13 to 24, Comparative Examples 3 and 4) shown in Tables 5 and 6 were prepared. Comparative Examples 3 and 4 show plating baths that do not contain sulfuric acid or sulfate as an elution inhibitor.
[0029]
[Table 5]

[0030]
[Table 6]

[0031]
A multilayer ceramic capacitor having external electrodes formed on both ends of a ceramic substrate containing barium titanate is prepared, immersed in an electroless gold plating bath shown in Tables 5 and 6, barrel plating is performed, and gold is deposited on the external electrodes. A plating film was formed. As the external electrode, an electrode made of any one of Cu, Ni, Co, Fe, Ag, and Pd and subjected to electrolytic or electroless Ni plating was used. Tables 7 and 8 show the state of the substrate and the plating film after the formation of the plating film.
[0032]
[Table 7]

[0033]
[Table 8]

[0034]
In Tables 7 and 8, the substrate elution ratio and the plating film thickness ratio indicate the ratio to the comparative example, respectively, and the substrate elution ratio (%) = {Substrate elution amount (mg) of Example / Substrate elution amount of Comparative Example] (mg)} × 100, Plating film thickness ratio (%) = {Plating film thickness (μm) of Example / Plating film thickness (μm) of Comparative Example} × 100. Examples 13 to 18 were based on Comparative Example 3, and Examples 19 to 24 were based on Comparative Example 4. The change in capacitance before and after plating is a measurement of the change in capacitance of the ceramic capacitor. The electrode strength ratio before and after plating is the measurement of the strength of the external electrode, and the electrode strength ratio before and after plating (%) = { Electrode strength after plating (kgf) / electrode strength before plating (kgf)} × 100.
[0035]
As is clear from Tables 7 and 8, in Examples 13 to 24 to which sodium sulfate was added compared to Comparative Examples 3 and 4, the amount of elution of the ceramic substrate was small, electrode peeling, and capacity change before and after plating. It turns out that is not seen. That is, in Examples 13 to 24, the elution of the ceramic base is suppressed by forming a barium sulfate layer in which the barium component in the ceramic base and the sodium sulfate in the plating bath are reacted on the surface of the ceramic base. It is considered a thing. It can also be seen that the elution at the interface portion of the ceramic substrate with the electrode is suppressed, so that the electrode is prevented from peeling off, and as a result, the capacitance change of the capacitor is prevented.
[0036]
Moreover, compared with the comparative examples 3 and 4, in Examples 13-24, the film thickness of the formed gold plating film is thick, and it turns out that there is not much change in the electrode strength ratio before and behind plating. That is, in Comparative Examples 1 and 2, due to the ceramic component eluted from the base, the thickness of the gold plating film to be formed is deteriorated and the quality of the film is deteriorated. It is considered that the electrode peels due to elution and the electrode strength after plating is lowered. On the other hand, in Examples 13-24, since the elution of a ceramic base | substrate is suppressed, the fall of the film thickness of a gold plating film and the fall of the electrode strength after plating are hardly seen.
[0037]
Further, in Examples 13 to 24, as in Examples 1 to 12, when the amount of sodium sulfate added was 0.001 to 1.0 mol / l, the elution suppression effect of the ceramic substrate was high. Conceivable.
[0038]
In the first and second examples, a ceramic body containing barium titanate was used as an object to be plated. However, barium zirconate, barium zirconate titanate, barium borate, barium silicate, Even when a ceramic body containing barium borosilicate, barium aluminate, or barium aluminate silicate was used, it was confirmed that the ceramic body had an elution suppressing effect.
[0039]
【The invention's effect】
Thus, in the present invention, when electroless gold plating is performed on a ceramic body containing an alkaline earth metal, the alkaline earth metal component of the ceramic body is obtained by adding sulfate ions to the electroless gold plating bath. Elution was suppressed.

Claims

In a ceramic electronic component having a ceramic body containing an alkaline earth metal, an electrode formed on the ceramic body, and a gold plating layer formed on the electrode,
A ceramic electronic component, wherein a reaction compound layer of an alkaline earth metal component of the ceramic body and sulfate ions is formed on a surface of the ceramic body.

The ceramic electronic component according to claim 1 , wherein the alkaline earth metal is barium.

The ceramic body contains, as a main component, any one of barium titanate, barium zirconate, barium zirconate titanate, barium borate, barium silicate, barium borosilicate, barium aluminate, and barium aluminate silicate. The ceramic electronic component according to claim 2 .