JP4831283B2

JP4831283B2 - 光電子集積素子、光モジュールおよび光電子集積素子の製造方法

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Publication number: JP4831283B2
Application number: JP2004091970A
Authority: JP
Inventors: 一大西; 保貴今井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-03-26
Filing date: 2004-03-26
Publication date: 2011-12-07
Anticipated expiration: 2024-03-26
Also published as: JP2005277310A

Description

本発明は、光電子集積素子、光モジュールおよび光電子集積素子の製造方法に関する。

受光素子を光通信用トランシーバの受信モジュールなどに組み込んで使用する際に、受光素子の後段に、ＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ＩｍｐｅｄａｎｃｅＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）などのトランジスタを設けて、光電流を増幅させる場合がある。この場合、受光素子と、トランジスタとを同一半導体基板上に形成する、いわゆるモノリシック集積を行うことができる。

モノリシック集積を行う場合には、受光素子の光吸収層と、トランジスタのコレクタ層とを同一工程により形成することができる。この場合に、トランジスタを高速駆動するためにコレクタ層の膜厚を小さくすると、フォトダイオードの光吸収層の膜厚も小さくなり、十分な受光感度が得られなくなる場合がある。そこで、受光素子の光吸収層の下にＤＢＲ（分布ブラッグ反射型）ミラーを設けることにより、入射光を光吸収層内で多重反射させて、受光感度を向上させる場合がある（たとえば、特許文献１参照）。
特開平８−２６４７４１号公報

本発明の目的は、受光感度を向上させることのできる受光素子を有する光電子集積素子、光モジュールおよび光電子集積素子の製造方法を提供することにある。

本発明に係る光電子集積素子は、
基板と、
前記基板の上方に形成された受光素子と、
前記受光素子の受光面の上に形成されたレンズ部と、
前記基板の上方に形成されたトランジスタと、
を含む。

本発明に係る光電子集積素子によれば、前記受光素子の上方に、前記レンズ部を設けることにより、該受光素子が受光する光の受光効率を向上させることができる。

本出願において、特定のもの（以下、「Ａ」という。）の「上方」に形成された他の特定のもの（以下、「Ｂ」という。）とは、Ａ上に直接形成されたＢと、Ａ上に、Ａ上の他のものを介して形成されたＢと、を含む。

本発明において、「受光素子」とは、たとえば、固体撮像素子、フォトダイオード、およびフォトディテクタを含む。

本発明に係る光電子集積素子において、前記トランジスタは、前記基板の上方に形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層の上方に形成されたベース層と、前記ベース層の上方に形成されたエミッタ層と、を含むヘテロ接合バイポーラトランジスタであることができる。

本発明に係る光電子集積素子において、前記受光素子は、前記基板の上方に形成された前記光吸収層を、含み、
前記コレクタ層と前記光吸収層は、同一の工程で形成されることができる。

本発明に係る光電子集積素子において、前記受光素子は、前記基板の上方に形成されたコンタクト層を、含み、
前記ベース層と前記コンタクト層は、同一の工程で形成されることができる。

係る態様によれば、より簡素化された製造工程により、本発明に係る光電子集積素子を得ることができる。

本発明に係る光電子集積素子において、前記レンズ部の上端部は、前記受光素子の上端部の位置よりも高い位置にあることができる。

係る態様によれば、前記受光素子が受光する光の受光効率をより向上させることができる。

本発明に係る光電子集積素子において、前記受光素子の受光面を取り囲むようにして形成されたバンク層を含み、
前記レンズ部は、前記バンク層の内側に形成されることができる。

係る態様によれば、前記レンズ部の形状および大きさを、前記バンク層の形状および大きさを制御することにより、適切な形状および大きさにすることができる。

本発明に係る光電子集積素子において、前記バンク層は、断面形状が尖状であることができる。

係る態様によれば、前記バンク層が尖状であることにより、前記バンク層の形状および大きさを制御することにより、形状および大きさがより良好に制御されたレンズ部を得ることができる。

本発明に係る光電子集積素子において、前記バンク層は、前記受光素子を構成する電極であることができる。

係る態様によれば、前記受光素子を構成する電極をバンク層として利用することにより、簡素な製造工程により、本発明に係る光電子集積素子を得ることができる。

本発明に係る光電子集積素子において、前記受光面上に形成された土台部材を含み、
前記レンズ部は、前記土台部材の上に形成されることができる。

係る態様によれば、前記土台部材を設けることにより、前記土台部材の形状および大きさを制御することにより、形状および大きさがより良好に制御されたレンズ部を得ることができる。

本発明に係る光モジュールは、
本発明に係る光電子集積素子と、
発光素子と、
を含む。

本発明に係る光電子集積素子の製造方法において、該光電子集積素子は、受光素子と、ヘテロ接合バイポーラトランジスタと、を含み、
本発明に係る光電子集積素子の製造方法は、
基板の上方にコレクタ層と光吸収層とを構成するための第１の半導体層を積層する工程と、
前記第１の半導体層の上方に、コンタクト層とベース層とを構成するための第２の半導体層を積層する工程と、
前記第１の半導体層および第２の半導体層をパターニングすることにより、前記コレクタ層および前記ベース層を形成する工程と、
前記第１の半導体層および第２の半導体層をパターニングすることにより、前記光吸収層および前記コンタクト層を形成する工程と、
前記受光素子の受光面上にレンズ部を形成する工程と、
を含む。

本発明に係る光電子集積素子の製造方法において、
前記レンズ部は、該レンズ部の材料を含む液滴を、前記受光面に向けて吐出する液滴吐出法によって形成されることができる。

本発明に係る光電子集積素子の製造方法において、
前記レンズ部を形成する前に、前記受光素子の受光面を取り囲むようにバンクを形成する工程を、含み、
前記レンズ部は、前記バンクの内側に、前記液滴を吐出して形成されることができる。

以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら述べる。

１．光電子集積素子
図１は、本発明を適用した本実施の形態に係る光電子集積素子１００を模式的を示す断面図である。光電子集積素子１００は、半導体基板１０と、受光素子２００と、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００とを含む。以下、受光素子２００、およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００について説明する。

１．１．受光素子の構造
受光素子２００は、半導体基板１０上に設けられている。半導体基板１０は、ＧａＡｓ基板である。受光素子２００は、たとえば第１コンタクト層２０と、光吸収層２４と、第２コンタクト層２６とが順次積層されて形成されている。そして受光素子２００の受光面２９上にレンズ部２２０が形成されている。

第１コンタクト層２０は、ｎ型ＧａＡｓ層からなる。光吸収層２４は、不純物がドーピングされていないＧａＡｓ層またはｎ⁻型ＧａＡｓ層からなる。第２コンタクト層２６は、ｐ型ＧａＡｓ層からなる。したがって、第２コンタクト層２６と、光吸収層２４と、第１コンタクト層２０によって、ｐｉｎダイオードまたはｐｎダイオードが構成される。

第１コンタクト層２０は、半導体基板１０上に形成された柱状の半導体堆積体である。第１コンタクト層２０は、たとえば円形の平面形状を有する。

光吸収層２４は、第１コンタクト層２０上に形成され、第２コンタクト層２６は、光吸収層２４上に形成される。光吸収層２４および第２コンタクト層２６は、柱状の半導体堆積体であり、円形の平面形状を有する。なお、図１に示す光吸収層２４と第２コンタクト層２６は、同一の平面形状を有してもよいし、異なる平面形状を有してもよい。

さらに受光素子２００は、第１電極２２および第２電極２８を含む。第１電極２２および第２電極２８によって、受光素子２００に電圧を印加する。第１電極２２は、第１コンタクト層２０上に形成され、第２電極２８は、第２コンタクト層２６上に形成されている。

第１電極２２は、円形のリング状の平面形状を有し、開口部が設けられている。この開口部において、露出した第１コンタクト層２０上に光吸収層２４が積層されている。第１電極２２は、第１コンタクト層２０とオーミック接触することができる。第１電極２２は、たとえば、クロムと金およびゲルマニウムの合金と、ニッケルと、金との積層膜からなることができる。

第２電極２８は、円形のリング状の平面形状を有し、開口部が設けられている。この開口部において、露出した第２コンタクト層２６の上面が受光面２９である。したがって、第２電極２８の開口部の平面形状および大きさを適宜設定することにより、受光面２９の形状および大きさを設定することができる。第２電極２８は、第２コンタクト層２６とオーミック接触することができる。第２電極２８は、たとえば、白金と、チタンと、白金と、金との積層膜からなることができる。

レンズ部２２０は、受光面２９上に設けられる。レンズ部２２０は、入射した光を集光して通過させる機能を有する。具体的には、レンズ部２２０は、該レンズ部２２０に入射した光を集光する。レンズ部２２０に入ったすべての光または一部の光は、受光面２９を介して第２コンタクト層２６に出る。

レンズ部２２０の断面は円または楕円であり、第２電極２８の開口部により構成される円または楕円との中心が一致していることが望ましい。図１に示すように、レンズ部２２０の頂上部２２０ａが、第２電極２８の上縁部の位置より高い位置にくるように、レンズ部２２０の大きさを設定することができる。レンズ部２２０の立体形状は、凸状、たとえば、円球状または切断円球状に形成することができる。これにより、レンズ部２２０は、光を集光する機能を有することができる。レンズ部２２０の断面の直径ｄ_１を、第２電極２８の開口部の直径より大きくすることができる。

レンズ部２２０は、たとえば熱または光等のエネルギーを付加することによって硬化可能な液体材料を硬化させることにより形成される。具体的には、レンズ部２２０は、液体材料からなる液滴を吐出して、硬化させることにより形成される。前記液体材料としては、たとえば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂を用いることができる。紫外線硬化型樹脂としては、たとえばアクリル樹脂、およびエポキシ樹脂が挙げられる。熱硬化型樹脂としては、たとえばポリイミド樹脂が挙げられる。

１．２．ヘテロ接合バイポーラトランジスタの構造
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００は、半導体基板１０上に設けられている。ヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００は、コレクタコンタクト層３０と、コレクタ層３２と、ベース層３４と、エミッタ層３６と、エミッタコンタクト層３８とが順次積層されて形成されている。

コレクタコンタクト層３０は、ｎ型ＧａＡｓ層からなる。コレクタ層３２は、不純物がドーピングされていないＧａＡｓ層またはｎ⁻型ＧａＡｓ層からなる。ベース層３４は、ｐ型ＧａＡｓ層からなる。エミッタ層３６は、ｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ層からなる。エミッタコンタクト層３８は、ｎ型ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓからなる。

コレクタコンタクト層３０は、半導体基板１０上に形成された柱状の半導体堆積体である。コレクタコンタクト層３０は、たとえば、矩形の平面形状を有する。

コレクタ層３２とベース層３４は、柱状の半導体堆積体である。コレクタ層３２は、コレクタコンタクト層３０上に形成され、ベース層３４は、コレクタ層３２上に形成されている。コレクタ層３２とベース層３４は、同一の平面形状を有してもよいし、異なる平面形状を有してもよい。コレクタ層３２とベース層３４は、たとえば、矩形の平面形状を有する。コレクタ層３２を半導体基板１０と平行な面で切断した場合、コレクタ層３２の断面積は、コレクタコンタクト層３０の断面積より小さい。すなわち、コレクタ層３２は、コレクタコンタクト層３０の上面の一部に設けられている。

エミッタ層３６およびエミッタコンタクト層３８は、柱状の半導体堆積体である。エミッタ層３６は、ベース層３４上に形成され、エミッタコンタクト層３８は、エミッタ層３６上に形成されている。エミッタ層３６およびエミッタコンタクト層３８は、同一の平面形状を有してもよいし、異なる平面形状を有してもよい。エミッタ層３６およびエミッタコンタクト層３８は、たとえば、矩形の平面形状を有する。エミッタ層３６を半導体基板１０と平行な面で切断した場合、エミッタ層３６の断面積は、ベース層３４の断面積より小さい。すなわち、エミッタ層３６は、ベース層３４の上面の一部に設けられている。

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００には、エミッタ電極４０と、ベース電極４２と、コレクタ電極４４とが設けられている。エミッタ電極４０と、ベース電極４２と、コレクタ電極４４は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００を駆動するために設けられている。

エミッタ電極４０は、エミッタコンタクト層３８上に形成され、ベース電極４２は、ベース層３４上に形成され、コレクタ電極４４はコレクタコンタクト層３０上に形成されている。エミッタ電極４０は、矩形の平面形状を有する。またベース電極４２およびコレクタ電極４４は、矩形のリング状の平面形状を有する。ベース層３４上におけるベース電極４２の開口部には、エミッタ層３６が形成される。またコレクタコンタクト層３０上におけるコレクタ電極４４の開口部には、コレクタ層３２が形成される。

エミッタ電極４０は、たとえば、チタンと、白金と、金との積層膜からなることができる。ベース電極４２は、たとえば、白金と、チタンと、白金と、金との積層膜からなることができる。コレクタ電極４４は、たとえば、金とゲルマニウムの合金と、ニッケルと、金との積層膜からなることができる。

１．３．光電子集積素子の動作
本実施の形態に係る光電子集積素子１００の動作について、図１および図２を参照して説明する。

図２は、図１に示す光電子集積素子１００の駆動回路（要部）の一例を模式的に示す図である。なお、下記の光電子集積素子１００の駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。

まず、図２に示すように、光信号Ｐ_ｉｎが受光素子２００に入力される。具体的には、図１に示すように、受光素子２００において、光は、レンズ部２２０を介して、受光素子２００の受光面２９から第２コンタクト層２６へと入射される。第２コンタクト層２６へ入射した光は、次に光吸収層２４へと入射する。この入射光の一部が光吸収層２４にて吸収される結果、光吸収層２４において光励起が生じ、電子および正孔が生じる。そして、素子外部から印加された電界により、電子は第１電極２２に、正孔は第２電極２８にそれぞれ移動する。その結果、受光素子２００において、第１電極２２から第２電極２８の方向に電流（光電流）が生じる。

次に、この光電流による信号（光電流信号）が、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００（以下、第１バイポーラトランジスタともいう）のベースに入力される。光電流信号は、この第１バイポーラトランジスタ３００によって増幅されてコレクタから出力される。次に、第１バイポーラトランジスタ３００のコレクタから出力された信号は、第２バイポーラトランジスタ３１０のベースに入力される。次に、第２バイポーラトランジスタ３１０のベースに入力された信号は、エミッタから出力される。第２バイポーラトランジスタ３１０のエミッタから出力された信号は、帰還抵抗Ｒ_Ｆを通じて負帰還が行われる。その結果、光電子集積素子の周波数特性が安定する。また、第２バイポーラトランジスタ３１０のエミッタから出力された信号は、第３バイポーラトランジスタ３２０を含むエミッタフォロア回路３４０に入力される。次に、エミッタフォロア回路３４０から出力信号Ｖ_ｏｕｔが出力される。

なお、第２バイポーラトランジスタ３１０および第３バイポーラトランジスタ３２０のうち少なくとも一方をモノリシックに集積して、光電子集積素子を形成することができる。

１．４．効果
次に図３を用いて、本実施の形態に係る光電子集積素子１００の効果について説明する。図３は、受光素子の素子サイズと動作速度の関係を示す図である。図３のグラフの横軸は、受光素子の直径を示し、縦軸は、遮断周波数（３ｄＢ帯域）を示す。受光素子の動作速度は、遮断周波数によって示すことができる。図３に示す遮断周波数は以下のような条件で求めたものである。

受光素子の動作速度に関連する静電容量をＣとし、負荷回路全体の等価抵抗をＲとすると、ＣＲ時定数が定まる。光吸収層が十分薄い場合、受光素子の動作速度はＣＲ時定数で決まり、これによる遮断周波数ｆ（ＣＲ）は、
ｆ（ＣＲ）＝１／２πＣＲ
で求めることができる。寄生容量を０．０７ｐＦとし、負荷抵抗を５０Ωとし、コレクタ層の厚さを０．５μｍとして計算した。

図３によれば、受光素子の直径が小さくなるほど、動作速度は向上している。したがって、動作速度を向上させるためには、受光素子の直径を小さくする必要があるが、受光素子の直径を小さくすると、受光面が小さくなり、たとえば光ファイバから出射された光の全光量を受光するのが困難となってしまう。

そこで、上述したように、受光素子２００上にレンズ部２２０を設けることにより、レンズ部２２０が設けられていないときには受光することができない領域に出射された光であっても、該光をレンズ部２２０が集光して受光面２９に出射することができる。したがって、レンズ部２２０を設けることにより、受光素子２００の受光効率を向上させることができる。

２．光電子集積素子の製造方法
次に、本発明を適用した実施の形態に係る光電子集積素子１００の製造方法の一例について、図４から図１１を用いて説明する。図４から図１１は、図１に示す光電子集積素子１００の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図１に示す断面図に対応している。

（１）まず、半絶縁性ＧａＡｓからなる半導体基板１０の表面１０ａに、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、図４に示すように、半導体層９０が形成される。ここで、半導体層９０は、たとえば、ｎ型ＧａＡｓ層１２と、不純物がドーピングされていないＧａＡｓ層１４と、ｐ型ＧａＡｓ層１６と、ｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ層１８と、ｎ型ＩｎＧａＡｓ１９とからなる。これらの層を順に半導体基板１０上に積層させることにより、半導体層９０が形成される。

エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、半導体基板１０の種類、あるいは形成する半導体層９０の種類、厚さ、およびキャリア密度などによって適宜決定されるが、一般に、４５０℃〜８００℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ−ＯｒｇａｎｉｃＶａｐｏｒＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙ）法や、ＭＢＥ法（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ）法、あるいはＬＰＥ法（ＬｉｑｕｉｄＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙ）を用いることができる。

（２）次に、半導体層９０を所定の形状にパターニングして、エミッタコンタクト層３８およびエミッタ層３６が形成される（図５参照）。具体的には、まず、半導体層９０上にレジストを塗布する。次に、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層Ｒ１が形成される。

ついで、レジスト層Ｒ１をマスクとして、たとえばドライエッチング法またはウェットエッチング法により、半導体層９０をエッチングする。これにより、エミッタコンタクト層３８と、エミッタコンタクト層３８と同じ平面形状を有するエミッタ層３６とが形成される。その後、レジスト層Ｒ１が除去される。

（３）次いで、半導体層９０（図４参照）を所定の形状にパターニングして、第２コンタクト層２６、光吸収層２４、ベース層３４、およびコレクタ層３２が形成される（図６参照）。具体的には、まず、少なくともｐ型ＧａＡｓ層１６およびエミッタコンタクト層３８上にレジストを塗布した後、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層Ｒ２が形成される。

次いで、レジスト層Ｒ２をマスクとして、たとえばドライエッチング法またはウェットエッチング法により、半導体層９０をエッチングする。以上の工程により、図６に示すように、第２コンタクト層２６、光吸収層２４、ベース層３４、およびコレクタ層３２が形成される。また、平面視において、コレクタ層３２およびベース層３４の平面形状の面積は、エミッタコンタクト層３８およびエミッタ層３６の平面形状の面積よりも大きく形成することができる。その後、レジスト層Ｒ２が除去される。

（４）次いで、半導体層９０（図４参照）を所定の形状にパターニングして、第１コンタクト層２０およびコレクタコンタクト層３０が形成される（図７参照）。具体的には、まず、少なくともｎ型ＧａＡｓ層１２、第２コンタクト層２６、ベース層３４およびエミッタコンタクト層３８上にレジストを塗布した後、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層Ｒ３が形成される。

次いで、レジスト層Ｒ３をマスクとして、たとえばドライエッチング法またはウェットエッチング法により、ｎ型ＧａＡｓ層１２をエッチングする。以上の工程により、図７に示すように、第１コンタクト層２０およびコレクタコンタクト層３０が形成される。また、平面視において、コレクタコンタクト層３０の平面形状の面積は、コレクタ層３２およびベース層３４の平面形状の面積よりも大きく形成することができ、第１コンタクト層２０の平面形状の面積は、光吸収層２４および第２コンタクト層２６の平面形状の面積よりも大きく形成することができる。その後、レジスト層Ｒ３が除去される。

なお、本実施の形態においては、まず、エミッタ層３６およびエミッタコンタクト層３８を形成し、次に、光吸収層２４、第２コンタクト層２６、コレクタ層３２、およびベース層３４を形成する場合について説明したが、これらの形成順番は特に限定されない。すなわち、たとえば、光吸収層２４、第２コンタクト層２６、コレクタ層３２、およびベース層３４を形成し、次に、エミッタコンタクト層３８およびエミッタ層３６を形成することができる。

（５）次いで、第１電極２２およびコレクタ電極４４の形成領域（図８参照）をパターニングする。具体的には、まず、半導体基板１０上の全面にレジストを塗布する。次に、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層Ｒ４が形成される。

（６）次に、図９に示すように、第１コンタクト層２０上に第１電極２２が形成され、コレクタコンタクト層３０上にコレクタ電極４４が形成される。具体的には、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、またはメッキ法などにより、たとえば、金およびゲルマニウムの合金と、ニッケルと、金との積層膜（図示せず）を形成する。次いで、たとえばリフトオフ法、またはドライエッチング法などにより、所定の位置以外の積層膜を除去することにより、第１電極２２およびコレクタ電極４４が形成される。

なお、前記工程においては、第１電極２２およびコレクタ電極４４を同時にパターニングしているが、たとえば、第１電極２２およびコレクタ電極４４を個々に形成することができる。

上述では、金およびゲルマニウムの合金と、ニッケルと、金との積層膜を形成する例について説明したが、第１電極２２およびコレクタ電極４４を形成するための材料は、上述したものに限定されるわけではない。次いで、アニール処理を行う。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施の形態で用いる電極材料の場合は、通常４００℃前後で行う。

（７）次に、第２電極２８、およびベース電極４２の形成領域（図９参照）をパターニングする。具体的には、まず、半導体基板１０上の全面にレジストを塗布する。次に、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層Ｒ５が形成される。

（８）次に、図１０に示すように、第２コンタクト層２６上に第２電極２８が形成され、ベース層３４上にベース電極４２が形成される。具体的には、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、またはメッキ法などにより、たとえば、白金と、チタンと、白金と、金との積層膜（図示せず）を形成する。次いで、たとえばリフトオフ法、またはドライエッチング法などにより、所定の位置以外の積層膜を除去することにより、第２電極２８およびベース電極４２が形成される。

なお、前記工程においては、第２電極２８およびベース電極４２を同時にパターニングしているが、たとえば、第２電極２８とベース電極４２とを個々に形成することができる。

上述では、白金と、チタンと、白金と、金との積層膜を形成する例について説明したが、第２電極２８およびベース電極４２を形成するための材料は、上述したものに限定されるわけではない。次いで、アニール処理を行う。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施の形態で用いる電極材料の場合は、通常３６０℃前後で行う。

（９）次に、エミッタ電極４０の形成領域（図１０参照）をパターニングする。具体的には、まず、半導体基板１０上の全面にレジストを塗布する。次に、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層Ｒ６が形成される。

（１０）次に、図１１に示すように、エミッタコンタクト層３８上にエミッタ電極４０が形成される。具体的には、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、またはメッキ法などにより、たとえば、チタンと、白金と、金との積層膜（図示せず）を形成する。次いで、たとえばリフトオフ法、またはドライエッチング法などにより、所定の位置以外の積層膜を除去することにより、エミッタ電極４０が形成される。

上述では、チタンと、白金と、金との積層膜を形成する例について説明したが、エミッタ電極４０を形成するための材料は、上述したものに限定されるわけではない。

上述では、チタンと、白金と、金との積層膜を形成する例について説明したが、たとえば、タングステンおよびシリコンの合金と、チタンと、金との積層膜などを形成することもできる。

（１１）次に、図１に示すように、レンズ部２２０が形成される。具体的には、たとえば、受光面２９に対して、レンズ部２２０の液体材料の液滴２１４を吐出して、レンズ部２２０を形成する。

液滴２１４を吐出する方法としては、たとえば、ディスペンサ法またはインクジェット法があげられる。ディスペンサ法は、液滴を吐出する方法として一般的な方法であり、比較的広い領域に液滴２１４を吐出する場合に有効である。

またインクジェット法は、インクジェットヘッドを用いて液滴を吐出する方法であり、液滴を吐出する位置について、μｍオーダーの単位で制御可能である。また吐出する液滴の量を、ピコリットルオーダーの単位で制御することができる。これにより、本工程において、インクジェット法を用いて液滴を吐出することにより、微細な構造のレンズ部２２０を作製することができる。図１１には、インクジェットヘッド２１２のノズル２１３から受光面２９に対して液滴２１４を吐出する工程が示されている。

レンズ部２２０の大きさは、液滴２１４の吐出量を調整することにより制御することができる。また、図１に示すように、レンズ部２２０の頂上部２２０ａが、第２電極２８の高さよりも高い位置になるように、液滴２１４の吐出量を調整する。

なお、液滴２１４を吐出する前に、必要に応じて、受光面２９、第２電極２８の上面および側壁に親液性処理または撥液性処理を行うことにより、液滴２１４に対する濡れ性を制御することができる。これにより、所定の形状および大きさを有するレンズ部２２０を形成することができる。

次に、受光面２９上に吐出したレンズ部２２０の前駆体を硬化させて、レンズ部２２０を形成する。具体的には、レンズ部２２０の前駆体に対して、熱または光等のエネルギーを付与する。レンズ部２２０の前駆体を硬化する際には、レンズ部２２０に用いる液体材料の種類により適切な方法を用いる。たとえば、熱エネルギーの付加、紫外線の照射、またはレーザ光の照射などがあげられる。

以上の工程により、レンズ部２２０が設けられた受光素子２００、およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００を含む光電子集積素子１００が得られる（図１参照）。

上述したように、第１コンタクト層２０およびコレクタコンタクト層３０と、光吸収層２４およびコレクタ層３２と、第２コンタクト層２６およびベース層３４は、それぞれ同一の工程により製造されている。これにより、簡素な製造工程によって、光電子集積素子１００を製造することができる。

３．変形例
３．１．第１の変形例
図１２を用いて、本実施の形態に係る光電子集積素子１００の変形例を説明する。図１２は、変形例に係る光電子集積素子１１０を模式的に示す断面図である。光電子集積素子１１０は、バンク層２３２をさらに含む点で、図１に示す光電子集積素子１００と異なる。

図１２において光電子集積素子１１０を構成する部材のうち、図１に示す光電子集積素子１００の対応する部材と実質的に同一の部材には、図１と同一の符号を付した。また光電子集積素子１１０の基本的な構造については、図１に示す光電子集積素子１００と同様の構成および動作を有するので、異なる点についてのみ説明する。

バンク層２３２は、柱状の光吸収層２４および第２コンタクト層２６の側面に接した状態で、光吸収層２４および第２コンタクト層２６を取り囲むようにして形成される。またバンク層２３２は、第１コンタクト層２０の上面に形成される。またバンク層２３２は、リング状に形成された第１電極２２の内側に設けられる。バンク層２３２の上縁部が、第２コンタクト層２６の上面より高い位置になるように、バンク層２３２は形成される。バンク層２３２の平面形状は、たとえば、円形状のリング状に形成される。

第２電極２８は、第２コンタクト層２６およびバンク層２３２の上に形成される。したがって、第２電極２８の開口部は、上方に向かって大きくなるように形成される。

バンク層２３２は、第２電極２８を形成する工程の前に形成される。バンク層２３２は、絶縁層からなり、第２電極２８を形成する工程におけるアニール処理に耐え得るためには、バンク層２３２を構成する樹脂は、耐熱性に優れたものである必要がある。そこで、バンク層２３２は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはフッ素系樹脂から形成されることが望ましい。特に加工の容易性や絶縁性の観点から、バンク層２３２は、ポリイミド樹脂またはフッ素系樹脂から構成されることが望ましい。

ここでは、ポリイミド系樹脂を用いた場合についてバンク層２３２の製造工程を説明する。たとえばスピンコート法を用いて、ポリイミド前駆体を光吸収層２４および第２コンタクト層２６を取り囲むように塗布して、塗布したポリイミド前駆体の膜厚が、第２コンタクト層２６の上面の高さより大きくなるようにする。

そしてホットプレート等を用いて加熱し、ポリイミド前駆体中の溶媒を除去する。次に、第２コンタクト層２６上のポリイミド樹脂を除去する。

第２コンタクト層２６の上に存在する樹脂を除去する方法としては、（I）樹脂前駆体を半硬化させた後、ウエットエッチングにより第２コンタクト層２６の上に存在する樹脂を除去する方法（特願２００１−０６６２９９号に記載されている方法を利用）、（II）樹脂前駆体をほぼ完全に硬化させた後、ドライエッチングにより第２コンタクト層２６上に存在する樹脂を除去する方法等が例示できる。本実施の形態においては、前記（I）の方法を用いた場合について説明する。

前記（I）の方法では、樹脂前駆体を半硬化させる。ここで、半硬化とは、熱または光等のエネルギー線を付与することにより、続く工程におけるウエットエッチングに用いるエッチャントに対する溶解性を変化させることをいう。

次に、フォトリソグラフィ法により、半硬化させた樹脂前駆体において、下部に第２コンタクト層２６が形成されている領域上にはレジスト層を形成せず、下部に第２コンタクト層２６が形成されていない領域上にレジスト層を形成する。

次いで、ウエットエッチング法を用いてこの半導体基板１０を処理することにより、図１２に示すように、第２コンタクト層２６上に形成されていた半硬化させた樹脂前駆体を除去する。その後、レジスト層を除去する。

続いて、この半導体基板１０を、例えば３５０℃程度の炉に入れて、半硬化させた樹脂前駆体をイミド化させることにより、図１２に示すように、ほぼ完全に硬化したバンク層２３２が得られる。上記工程においては、樹脂前駆体の膜厚を制御することにより、バンク層２３２の高さを制御することができる。

また、前記（I）の方法において、感光性を有する樹脂でバンク層２３２を形成する場合は、樹脂前駆体（感光していない状態）の上にレジスト層を形成せずに、一般的なレジストのパターニングと同様の方法で直接パターニングすることが可能である。

なお、上記の説明においては、前記（I）の方法について説明したが、第２コンタクト層２６の上に存在する樹脂を除去する方法は、前記（I）の方法に限定されるわけではなく、前記（II）の方法を用いることもできる。以上の工程により、図１２に示すように、バンク層２３２が形成される。

このようにバンク層２３２を形成することにより、たとえばインクジェットヘッド２１２のノズル２１３の位置が、第２電極２８の開口部上ではなく、第２電極２８上にあるときに、インクジェット２１０がレンズ部２３０の液体材料からなる液滴２１４を吐出した場合であっても、該液滴２１４は、第２電極２８上に落下した後、第２コンタクト層２６上に流れ出す。したがって、より精密にレンズ部２３０を形成するための液体材料の量を制御することができる。

３．２．第２の変形例
図１３を用いて、本実施の形態に係る光電子集積素子１００の第２の変形例を説明する。図１３は、変形例に係る光電子集積素子１２０を模式的に示す断面図である。光電子集積素子１２０は、土台部材２４２をさらに含む点で、図１に示す光電子集積素子１００と異なる。

図１３において光電子集積素子１２０を構成する部材のうち、図１に示す光電子集積素子１００の対応する部材と実質的に同一の部材には、図１と同一の符号を付した。また光電子集積素子１２０の基本的な構造については、図１に示す光電子集積素子１００と同様の構成および動作を有するので、異なる点についてのみ説明する。

土台部材２４２は、所定波長の光を通過させる材質からなる。具体的には、土台部材２４２は、レンズ部２４０から入射した光を通過させることができる材質からなる。例えば、土台部材２４２は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、あるいはフッ素系樹脂を用いて形成することができる。

図１３に示すように、土台部材の立体形状は特に限定されるわけではないが、少なくともその上面上にレンズ部２４０を設置することができる構造であることが必要とされる。

図１３においては、土台部材２４２がテーパ状に形成されている場合を示している。

レンズ部２４０は、土台部材２４２の上面に対して液滴を吐出して、レンズ部２４０の前駆体（後述する）を形成した後、この前駆体を硬化させることにより形成される。この結果、所望の形状および大きさを有するレンズ部２４０を確実に形成することができる。

土台部材の上面の形状は、図１３では、円であるが、土台部材２４２の上に形成されるレンズ部２４０の機能や用途によって定めることができる。言い換えれば、土台部材の上面の形状を制御することによって、レンズ部２４０の形状を制御することができる。

なお、図１３において、土台部材２４２は、その上面が平面からなる場合を示したが、土台部材２４２の上面は、曲面であってもよい。これにより、レンズ部２４０は、ほぼ円球状に形成されることができる。

このように土台部材２４２を形成することにより、レンズ部２４０と受光面２９との距離が、図１に示す場合と比べて長くなるため、レンズ部２４０が集光した光の受光面２９におけるスポットサイズが小さくなるという効果が得られる。

３．３．第３の変形例
図１４を用いて、本実施の形態に係る光電子集積素子１００の第３の変形例を説明する。図１４は、変形例に係る光電子集積素子１３０を模式的に示す断面図である。光電子集積素子１３０は、尖状バンク層２５２をさらに含む点で、図１に示す光電子集積素子１００と異なる。

図１４において光電子集積素子１３０を構成する部材のうち、図１に示す光電子集積素子１００の対応する部材と実質的に同一の部材には、図１と同一の符号を付した。また光電子集積素子１３０の基本的な構造については、図１に示す光電子集積素子１００と同様の構成および動作を有するので、異なる点についてのみ説明する。

尖状バンク層２５２は、その断面形状において、上端部が尖状である。また尖状バンク層２５２は、たとえば円状の開口部を有するリング形状の平面形状を有する。尖状バンク層２５２は、半導体基板１０、第１コンタクト層２０、第１電極２２および第２電極２８の上面に形成されている。そして尖状バンク層２５２の開口部は、上方に向かって広がるように形成されている。

尖状バンク層２５２は、第２電極２８を形成する工程の後に形成され、尖状バンク層２５２が形成された後に、レンズ部２５０が形成される。尖状バンク層２５２は、たとえば、以下の方法により形成することができる。

まず、第２コンタクト層２６および第２電極２８が覆われるように、尖状バンク層２５２の材料を積層する。たとえば、尖状バンク層２５２の材料が樹脂である場合、材料は、スピンコート法、ディッピング法、インクジェット法等を用いて積層する。また、尖状バンク層２５２の材料が酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンからなる場合、材料は、たとえばＣＶＤ法を用いて積層する。

次に積層した尖状バンク層２５２の材料を、たとえば以下の方法により尖状に形成する。まず、フォトリソグラフィ工程によって、所定のパターンのレジスト層を形成する。このレジスト層は、受光面２９の上方に開口部を有する。このレジスト層の開口部の大きさや形状を制御することによって、尖状バンク層２５２の開口部の形状や大きさを制御することができる。続いて、このレジスト層をマスクとして、積層した尖状バンク層２５２の材料をパターニングする。これにより、受光面２９を取り囲むようにして、尖状バンク層２５２が形成される。次に、レジスト層を除去する。

以上の工程により、尖状バンク層２５２が形成される。尖状バンク層２５２が形成された後、尖状バンク層２５２の開口部に対して、インクジェット２１０が液滴２１４を吐出することによって、レンズ部２５０は、形成される。

尖状バンク層２５２は、断面形状が尖状であるため、尖状バンク層２５２の外側にレンズ部２５０の材料が濡れるのを防ぐことができる。また尖状バンク層２５２は、第２電極２８の上面に形成されているため、レンズ部２５０の上端部と受光面２９との距離が、図１に示す場合と比べて長くなるため、レンズ部２５０が集光した光の受光面２９におけるスポットサイズが小さくなるという効果が得られる。

３．４．第４の変形例
図１５を用いて、本実施の形態に係る光電子集積素子１００の第４の変形例を説明する。図１５は、変形例に係る光電子集積素子１４０を模式的に示す断面図である。光電子集積素子１４０は、バンク層２６４および尖状バンク層２６２をさらに含む点で、図１に示す光電子集積素子１００と異なる。

図１５において光電子集積素子１４０を構成する部材のうち、図１に示す光電子集積素子１００の対応する部材と実質的に同一の部材には、図１と同一の符号を付した。また光電子集積素子１４０の基本的な構造については、図１に示す光電子集積素子１００と同様の構成および動作を有するので、異なる点についてのみ説明する。

バンク層２６４は、第１の変形例に係るバンク層２３２と構成および製造方法において、同様であるので、説明を省略する。即ち、光電子集積素子１４０は、第１の変形例に係る光電子集積素子１１０のバンク層２３２の上に、尖状バンク層２６２を積層させたものである。

図１５に示すように、尖状バンク層２６２は、その断面形状において、上端部が尖状である。また尖状バンク層２６２は、たとえば円状の開口部を有するリング形状の平面また尖状バンク層２６２は、第２電極２８の外側に形成される。尖状バンク層２６２は、バンク層２６４の上面に形成されている。そして尖状バンク層２６２の開口部は、上方に向かって広がるように形成されている。

尖状バンク層２６２は、バンク層２６４を形成する工程の後に形成され、尖状バンク層２６２が形成された後に、レンズ部２６０が形成される。尖状バンク層２６２は、たとえば、以下の方法により形成することができる。

まず、光電子集積素子１４０の全面が覆われるように、尖状バンク層２６２の材料を積層する。たとえば、尖状バンク層２６２の材料がポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の樹脂である場合、材料は、スピンコート法、ディッピング法、インクジェット法等を用いて積層する。また、尖状バンク層２６２の材料が酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンからなる場合、材料は、たとえばＣＶＤ法を用いて積層する。

次に積層した尖状バンク層２６２の材料を、たとえば以下の方法により尖状に形成する。まず、フォトリソグラフィ工程によって、所定のパターンのレジスト層を形成する。このレジスト層は、受光面２９の上方に開口部を有する。このレジスト層の開口部の大きさや形状を制御することによって、尖状バンク層２６２の開口部の形状や大きさを制御することができる。続いて、このレジスト層をマスクとして、積層した尖状バンク層２６２の材料をパターニングする。これにより、受光面２９を取り囲むようにして、尖状バンク層２６２が形成される。次に、レジスト層を除去する。

以上の工程により、尖状バンク層２６２が形成される。尖状バンク層２６２が形成された後、尖状バンク層２６２の開口部に対して、インクジェット２１０が液滴２１４を吐出することによって、レンズ部２６０は、形成される。

尖状バンク層２６２は、断面形状が尖状であるため、尖状バンク層２６２の外側にレンズ部２６０の材料が濡れるのを防ぐことができる。また尖状バンク層２６２は、バンク層２６４の上面に形成されているため、第２コンタクト層２６の高さより高い位置に尖状バンク層２６２が形成される。従って、レンズ部２６０の上端部と受光面２９との距離が、図１に示す場合と比べて長くなるため、レンズ部２６０が集光した光の受光面２９におけるスポットサイズが小さくなるという効果が得られる。また尖状バンク層２６２は、第２電極２８の外側に形成されているため、より大きい直径をもつレンズ部２６０を形成することができる。これにより、たとえば光ファイバからの光の結合効率をより良くすることができる。

４．光モジュール
次に図１６を用いて、本発明に係る光電子集積素子を適用した光モジュールを説明する。図１６は、本実施の形態に係る光モジュール７００を模式的に示す断面図である。図１６では、光電子集積素子１００を適用した光モジュール７００を説明する。

光モジュール７００は、受信部４００、送信部５００、および電子回路部６００を含む。電子回路部６００は、増幅回路部６１０および駆動回路部６２０を含む。

受信部４００は、サブマウント基板４０６と、光電子集積素子１００と、筐体部４０２と、ガラス板４０４とを含む。半導体基板１０は、サブマウント基板４０６上に設置されている。光電子集積素子１００は、半導体基板１０と、受光素子２００と、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００とを含む。受光素子２００およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００は、半導体基板１０上に形成されている。

筐体部４０２は、樹脂材料で形成され、後述するスリーブ４２０と、集光部４０５と一体的に形成される。同様に筐体部４０２は、樹脂材料で形成され、後述するスリーブ４２０と一体的に形成される。樹脂材料としては、光を透過可能なものが選択され、たとえば、プラスチック系光ファイバ（ＰＯＦ）に用いられるポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート、フェニルメタクリレート、フッ素系ポリマー等を採用することができる。

スリーブ４２０は、外部から光ファイバなどの導光部材（図示せず）をはめ込み可能に形成されており、収容空間４２２の周壁の一部を構成している。集光部４０５は、スリーブ４２０の収容空間４２２側に設けられ、導光部材からの光信号を集光して送り出す。これにより、導光部材からの光の損失を低減して、受光素子２００と導光部材との光の結合効率を良好なものとすることができる。

送信部５００は、サブマウント基板５０８と、発光素子５１０と、モニタフォトダイオード５１２と、斜めガラス部５０４と、筐体部５０２とを含む。発光素子５１０およびモニタフォトダイオード５１２は、サブマウント基板５０８上に設置されている。

斜めガラス部５０４は、スリーブ５２０の収容空間５２２側に設けられ、発光素子５１０からの光を反射および透過させる。モニタフォトダイオード５１２は、斜めガラス部５０４が反射した光を受け取る。駆動回路部６２０は、モニタフォトダイオード５１２が受け取った光の光量に応じて、発光素子５１０が発光する光量を調節する。光学部材５０４を透過した光は、送信部５００のスリーブ５２０にはめ込まれる導光部材に送り出される。

発光素子５１０は、外部から入力した電気信号を光信号に変換して、導光部材（図示せず）を介して外部に出力する。受光素子２００は、導光部材を介して光信号を受信し、これを電流に変換し、変換した電流をヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００に送る。ヘテロ接合バイポーラトランジスタ３００は、受け取った電流を電圧出力に変換し、増幅して、電子回路部６００に送る。増幅回路部６１０は、電圧出力が一定以上にならないように制御し、外部に出力する。なお、電気信号の出力端子や入力端子などの外部端子の説明は省略する。

このように、光電子集積素子１００は、光モジュール７００に用いられる。本実施の形態では、光電子集積素子１００を用いて説明したが、これに限定されず、たとえば、変形例に係る光電子集積素子１１０、１２０、１３０、１４０が、光モジュールに適用されてもよい。

以上、本発明の好適な実施の形態について述べたが、本発明はこれらに限定されず、各種の態様を取りうる。

本実施の形態に係る光電子集積素子を模式的に示す断面図。本実施の形態に係る光電子集積素子の駆動回路の一例を示す模式図。受光素子の素子サイズと動作速度との関係を示す図。本実施の形態に係る光電子集積素子の製造方法を示す断面図。本実施の形態に係る光電子集積素子の製造方法を示す断面図。本実施の形態に係る光電子集積素子の製造方法を示す断面図。本実施の形態に係る光電子集積素子の製造方法を示す断面図。本実施の形態に係る光電子集積素子の製造方法を示す断面図。本実施の形態に係る光電子集積素子の製造方法を示す断面図。本実施の形態に係る光電子集積素子の製造方法を示す断面図。本実施の形態に係る光電子集積素子の製造方法を示す断面図。変形例に係る光電子集積素子を模式的に示す断面図。変形例に係る光電子集積素子を模式的に示す断面図。変形例に係る光電子集積素子を模式的に示す断面図。変形例に係る光電子集積素子を模式的に示す断面図。本実施の形態に係る光モジュール７００を模式的に示す断面図。

符号の説明

１０半導体基板、２０第１コンタクト層、２２第１電極、２４光吸収層、２６第２コンタクト層、２８第２電極、２９受光面、３０コレクタコンタクト層、３２コレクタ層、３４ベース層、３６エミッタ層、３８エミッタコンタクト層、４０エミッタ電極、４２ベース電極、４４コレクタ電極、１００光電子集積素子、２００受光素子、２１０インクジェット、２１２インクジェットヘッド、２１３ノズル、２１４液滴、２２０レンズ部、２３０レンズ部、２３２バンク層、２４０レンズ部、２４２土台部材、２５０レンズ部、２５２尖状バンク層、２６０レンズ部、２６２尖状バンク層、３００ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、４００受信部、４０２筐体部、４０４ガラス板、４０５集光部、４０６サブマウント基板、４２０スリーブ、４２２収容空間、５００送信部、５０２筐体部、５０４斜めガラス部、５０８サブマウント基板、５１０発光素子、５１２モニタフォトダイオード、５２０スリーブ、５２２収容空間、６００電子回路部、６１０増幅回路部、６２０駆動回路部、７００光モジュール

Claims

基板と、
前記基板の上方に形成された受光素子と、
前記受光素子の受光面の上に形成されたレンズ部と、
前記基板の上方に形成されたトランジスタと、
を含み、
前記受光素子は、
前記基板の上方に形成された光吸収層と、
前記光吸収層の上方に形成されたコンタクト層と、
前記光吸収層および前記コンタクト層を取り囲むようにして形成されたバンク層と、
前記コンタクト層および前記バンク層の上に形成された電極と、
を含み、
前記コンタクト層の上面は、前記受光面であり、
前記バンク層の上縁部は、前記コンタクト層の上面より高い位置にあり、
前記電極は、開口部を有するリング状の平面形状を有し、
前記開口部は、上方に向かって大きくなるように形成され、
前記レンズ部は、前記電極の内側に形成されている、光電子集積素子。
基板と、
前記基板の上方に形成された受光素子と、
前記受光素子の受光面の上に形成されたレンズ部と、
前記基板の上方に形成されたトランジスタと、
を含み、
前記受光素子は、
前記基板の上方に形成された光吸収層と、
前記光吸収層の上方に形成されたコンタクト層と、
前記光吸収層および前記コンタクト層を取り囲むようにして形成されたバンク層と、
を含み、
前記コンタクト層の上面は、前記受光面であり、
前記バンク層の上縁部の断面形状は、尖状であり、
前記バンク層の上縁部は、前記コンタクト層の上面より高い位置にあり、
前記バンク層は、開口部を有するリング形状の平面形状を有し、
前記開口部は、上方に向かって大きくなるように形成され、
前記レンズ部は、前記バンク層の内側に形成されている、光電子集積素子。
請求項１または２において、
前記トランジスタは、前記基板の上方に形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層の上方に形成されたベース層と、前記ベース層の上方に形成されたエミッタ層と、を含むヘテロ接合バイポーラトランジスタである、光電子集積素子。
請求項３において、
前記コレクタ層と前記光吸収層は、同一の工程で形成された、光電子集積素子。
請求項３または４において、
前記ベース層と前記コンタクト層は、同一の工程で形成された、光電子集積素子。
請求項１ないし５のいずれかに記載の光電子集積素子と、
発光素子と、
を含む光モジュール。
受光素子と、ヘテロ接合バイポーラトランジスタと、を含む光電子集積素子の製造方法であって、
基板の上方にコレクタ層と光吸収層とを構成するための第１の半導体層を積層する工程と、
前記第１の半導体層の上方に、コンタクト層とベース層とを構成するための第２の半導
体層を積層する工程と、
前記第１の半導体層および前記第２の半導体層をパターニングすることにより、前記コレクタ層および前記ベース層を形成する工程と、
前記第１の半導体層および第２の半導体層をパターニングすることにより、前記光吸収層および前記コンタクト層を形成する工程と、
前記光吸収層および前記コンタクト層を取り囲むようにバンク層を形成する工程と、
前記コンタクト層および前記バンク層上に、開口部を有し平面形状がリング状である電極を形成する工程と、
前記電極の内側に位置するように、受光面となる前記コンタクト層の上面上にレンズ部を形成する工程と、
を含み、
前記バンク層は、上縁部が、前記コンタクト層の上面より高い位置になるように形成され、
前記開口部は、上方に向かって大きくなるように形成され、
前記レンズ部は、該レンズ部の材料を含む液滴を、前記電極の内側に向けて吐出する液滴吐出法によって形成される、光電子集積素子の製造方法。
受光素子と、ヘテロ接合バイポーラトランジスタと、を含む光電子集積素子の製造方法であって、
基板の上方にコレクタ層と光吸収層とを構成するための第１の半導体層を積層する工程と、
前記第１の半導体層の上方に、コンタクト層とベース層とを構成するための第２の半導
体層を積層する工程と、
前記第１の半導体層および前記第２の半導体層をパターニングすることにより、前記コレクタ層および前記ベース層を形成する工程と、
前記第１の半導体層および第２の半導体層をパターニングすることにより、前記光吸収層および前記コンタクト層を形成する工程と、
前記光吸収層および前記コンタクト層を取り囲み、開口部を有し平面形状がリング状であるバンク層を形成する工程と、
前記バンク層の内側に位置するように、受光面となる前記コンタクト層の上面上にレンズ部を形成する工程と、
を含み、
前記バンク層は、上縁部の断面形状が、尖状となるように形成され、かつ、上縁部が、前記コンタクト層の上面より高い位置になるように形成され、
前記開口部は、上方に向かって大きくなるように形成され、
前記レンズ部は、該レンズ部の材料を含む液滴を、前記バンク層の内側に向けて吐出する液滴吐出法によって形成される、光電子集積素子の製造方法。