JP4830526B2 - Plasma display device - Google Patents

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本発明は、プラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置に関する。   The present invention relates to a plasma display device using a plasma display panel.

プラズマディスプレイパネル(以下、「パネル」と略記する)として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。そして各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線でRGB各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。   A typical AC surface discharge type panel as a plasma display panel (hereinafter abbreviated as “panel”) has a large number of discharge cells formed between a front plate and a back plate arranged to face each other. Then, ultraviolet light is generated by gas discharge in each discharge cell, and color display is performed by exciting and emitting phosphors of RGB colors with this ultraviolet light.

パネルを駆動する方法としてはサブフィールド法、すなわち、1フィールド期間を書込み期間と維持期間とを有する複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般的である。各サブフィールドの書込み期間では、表示を行うべき放電セルにおいて選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルスPsuを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。   A method for driving the panel is generally a subfield method, that is, a method in which one field period is divided into a plurality of subfields having an address period and a sustain period, and then gradation display is performed by a combination of subfields that emit light. Is. In the address period of each subfield, address discharge is selectively generated in the discharge cells to be displayed to form wall charges. In the sustain period, a sustain pulse Psu is alternately applied to the display electrode pair composed of the scan electrode and the sustain electrode, and a sustain discharge is generated in the discharge cell that has caused the address discharge, and the phosphor layer of the corresponding discharge cell emits light. To display an image.

図12は、従来のプラズマディスプレイ装置における走査電極駆動回路あるいは維持電極駆動回路の維持パルス発生回路の構成を示す回路図である。図12に示すように、維持パルス発生回路400は、回収コンデンサCr、回収コイルL、スイッチSW11、SW12、SW21、SW22およびダイオードD1、D2を含む。   FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration of a sustain pulse generating circuit of a scan electrode driving circuit or a sustain electrode driving circuit in a conventional plasma display device. As shown in FIG. 12, sustain pulse generation circuit 400 includes a recovery capacitor Cr, a recovery coil L, switches SW11, SW12, SW21, SW22, and diodes D1, D2.

スイッチSW11は、電源端子V4とノードN11との間に接続され、スイッチSW12は、ノードN11と接地端子との間に接続されている。電源端子V4には、電圧Vsusが印加される。ノードN11は、例えば480本の維持電極に接続され、図12では、複数のサステイン電極と接地端子との間の全容量に相当するパネル容量Cpが示されている。   The switch SW11 is connected between the power supply terminal V4 and the node N11, and the switch SW12 is connected between the node N11 and the ground terminal. The voltage Vsus is applied to the power supply terminal V4. The node N11 is connected to, for example, 480 sustain electrodes, and FIG. 12 shows a panel capacitance Cp corresponding to the total capacitance between the plurality of sustain electrodes and the ground terminal.

回収コンデンサCrは、ノードN13と接地端子との間に接続されている。ノードN13とノードN12との間にスイッチSW21およびダイオードD1が直列に接続され、ノードN12とノードN13との間にダイオードD2およびスイッチSW22が直列に接続されている。回収コイルLは、ノードN12とノードN11との間に接続されている。   The recovery capacitor Cr is connected between the node N13 and the ground terminal. A switch SW21 and a diode D1 are connected in series between the node N13 and the node N12, and a diode D2 and a switch SW22 are connected in series between the node N12 and the node N13. The recovery coil L is connected between the node N12 and the node N11.

図13は、従来のプラズマディスプレイ装置における走査電極駆動回路あるいは維持パルス発生回路400の維持期間の動作を示すタイミング図である。図13には、図12のノードN11の電圧およびスイッチSW21,SW11,SW22,SW12の動作が示される。   FIG. 13 is a timing chart showing the operation of the scan electrode driving circuit or sustain pulse generating circuit 400 during the sustain period in the conventional plasma display device. FIG. 13 shows the voltage at the node N11 and the operations of the switches SW21, SW11, SW22, and SW12 in FIG.

まず、期間Taにおいて、スイッチSW21がオンし、スイッチSW12がオフする。このとき、スイッチSW11,SW22はオフしている。これにより、回収コイルLおよびパネル容量CpによるLC共振により、ノードN11の電圧が緩やかに上昇する。次に、期間Tbにおいて、スイッチSW21がオフし、スイッチSW11がオンする。これにより、ノードN11の電圧が急激に上昇し、期間TcではノードN11の電圧がVsusに固定される。   First, in the period Ta, the switch SW21 is turned on and the switch SW12 is turned off. At this time, the switches SW11 and SW22 are off. As a result, the voltage at the node N11 gradually rises due to LC resonance caused by the recovery coil L and the panel capacitance Cp. Next, in the period Tb, the switch SW21 is turned off and the switch SW11 is turned on. As a result, the voltage at the node N11 rapidly increases, and the voltage at the node N11 is fixed to Vsus in the period Tc.

次に、期間Tdでは、スイッチSW11がオフし、スイッチSW22がオンする。これにより、回収コイルLおよびパネル容量CpによるLC共振により、ノードN11の電圧が緩やかに降下する。その後、期間Teにおいて、スイッチSW22がオフし、スイッチSW12がオンする。これにより、ノードN11の電圧が急激に降下し、接地電位に固定される。上記の動作を維持期間において繰り返し行うことにより、複数の維持電極に周期的な維持パルスPsuが印加される。   Next, in the period Td, the switch SW11 is turned off and the switch SW22 is turned on. As a result, the voltage at the node N11 gradually drops due to LC resonance caused by the recovery coil L and the panel capacitance Cp. Thereafter, in the period Te, the switch SW22 is turned off and the switch SW12 is turned on. As a result, the voltage at the node N11 drops rapidly and is fixed to the ground potential. By repeating the above operation in the sustain period, the periodic sustain pulse Psu is applied to the plurality of sustain electrodes.

上記のように、維持パルスPsuの立ち上がり部分および立ち下がり部分は、スイッチSW21またはスイッチSW22の動作による期間Ta、TdのLC共振部とスイッチSW11またはスイッチSW12のオン動作による期間Tb、Teのエッジ部e1,e2とで構成されている(例えば、特許文献1参照)。
特許第3369535号公報
As described above, the rising part and the falling part of the sustain pulse Psu are the LC resonance part of the periods Ta and Td due to the operation of the switch SW21 or the switch SW22 and the edge part of the periods Tb and Te due to the ON operation of the switch SW11 or the switch SW12. e1 and e2 (see, for example, Patent Document 1).
Japanese Patent No. 3369535

上記のスイッチSW11,SW12,SW21,SW22は、通常、スイッチング素子であるFET(電界効果型トランジスタ)により構成され、各FETは寄生容量としてドレイン・ソース間に容量を有し、各FETに接続される配線は、インダクタンス成分を有している。このため、スイッチSW11等がスイッチング動作を行ったときスイッチングノイズが発生し、複数の維持電極にスイッチングノイズが印加され複数の維持電極がアンテナとなり不要な電磁波が輻射される。この不要な電磁波の周波数や強度は、駆動するパネルの大きさや駆動回路の配線設計などの設計条件に依存するので、プラズマディスプレイ装置の機種設計ごとに変化する。このような高周波の電磁波の輻射は、他の電子機器に電磁的な悪影響を及ぼす恐れがあるため抑制する必要がある。このために従来は、各FETのドレイン・ソース間にコンデンサを並列接続することでFETのスイッチングノイズを吸収していた。そして新規に機種設計をする都度、駆動回路などの再設計を行って対応してきた。そのため機種が異なっても駆動回路基板を共用化したり、短期間に再設計することが困難であった。   The switches SW11, SW12, SW21, and SW22 are usually constituted by FETs (field effect transistors) that are switching elements. Each FET has a capacitance between the drain and the source as a parasitic capacitance, and is connected to each FET. This wiring has an inductance component. Therefore, when the switch SW11 or the like performs a switching operation, switching noise is generated, switching noise is applied to the plurality of sustain electrodes, and the plurality of sustain electrodes serve as antennas, and unnecessary electromagnetic waves are radiated. Since the frequency and intensity of the unnecessary electromagnetic wave depend on the design conditions such as the size of the panel to be driven and the wiring design of the drive circuit, the frequency and intensity vary depending on the model design of the plasma display device. Such high-frequency electromagnetic radiation needs to be suppressed because it may adversely affect other electronic devices. For this reason, conventionally, a capacitor is connected in parallel between the drain and source of each FET to absorb FET switching noise. And every time a new model is designed, the driver circuit has been redesigned. For this reason, it is difficult to share the drive circuit board or redesign in a short time even if the models are different.

本発明のプラズマディスプレイ装置は、これらの課題に鑑みなされたものであり、不要な電磁波の輻射を抑制でき、機種が異なっても駆動回路基板を共用化したり、短期間に再設計することができるプラズマディスプレイ装置を提供することである。   The plasma display device of the present invention has been made in view of these problems, can suppress the radiation of unnecessary electromagnetic waves, and can share a drive circuit board or be redesigned in a short time even if the models are different. A plasma display apparatus is provided.

上記課題を解決するために本発明のプラズマディスプレイ装置は、パネルを駆動するための維持パルスを出力する維持パルス発生回路を備え、維持パルス発生回路は、スイッチング手段を有する電圧クランプ部と、スイッチング手段に並列に接続されかつコンデンサとインダクタンスとを直列接続してなる複数の直列共振回路とを備え、かつインダクタンスは駆動回路基板の配線パターンで形成するとともに、それぞれインダクタンス値を異ならせたことを特徴とする。   In order to solve the above problems, a plasma display apparatus of the present invention includes a sustain pulse generating circuit that outputs a sustain pulse for driving a panel, and the sustain pulse generating circuit includes a voltage clamp unit having switching means, and switching means. And a plurality of series resonant circuits formed by connecting capacitors and inductances in series, and the inductances are formed by wiring patterns of the drive circuit board, and the inductance values are different from each other. To do.

このような構成により、不要な電磁波の輻射を抑制でき、機種が異なっても駆動回路基板を共用化したり、短期間に再設計することができるプラズマディスプレイ装置を提供することができる。   With such a configuration, it is possible to provide a plasma display device that can suppress the radiation of unnecessary electromagnetic waves and can share the drive circuit board or can be redesigned in a short time even if the models are different.

さらに、本発明のプラズマディスプレイ装置の維持パルス発生回路のスイッチング手段は、複数のスイッチング素子を有し、複数のスイッチング素子のそれぞれにコンデンサとインダクタンスとを直列接続してなる直列共振回路を並列に接続してもよい。このような構成により、スイッチング素子を並列に複数接続して電圧クランプ部を構成することにより、より大きな電流容量を必要とするパネルに対しても、不要な電磁波の輻射を抑制でき、機種が異なっても駆動回路基板を共用化したり、短期間に再設計することができるプラズマディスプレイ装置を提供することができる。   Further, the switching means of the sustain pulse generating circuit of the plasma display device of the present invention has a plurality of switching elements, and a series resonant circuit formed by connecting a capacitor and an inductance in series to each of the plurality of switching elements is connected in parallel. May be. With such a configuration, by connecting a plurality of switching elements in parallel to form a voltage clamp unit, even for panels that require a larger current capacity, radiation of unnecessary electromagnetic waves can be suppressed, and the models are different. However, it is possible to provide a plasma display device that can share a drive circuit board or can be redesigned in a short time.

本発明によれば、不要な電磁波の輻射を抑制でき、機種が異なっても駆動回路基板を共用化したり、短期間に再設計することができるプラズマディスプレイ装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a plasma display device that can suppress unnecessary electromagnetic radiation and can share a drive circuit board or can be redesigned in a short time even if the models are different.

(実施の形態)
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
(Embodiment)
The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置のパネルの要部を示す分解斜視図である。パネル10は、ガラス製の前面基板21と背面基板31とを対向配置して、その間に放電空間を形成するように構成されている。前面基板21上には表示電極を構成する走査電極22と維持電極23とが互いに平行に対をなして複数形成されている。そして、走査電極22および維持電極23を覆うように誘電体層24が形成され、誘電体層24上には保護層25が形成されている。また、背面基板31上には絶縁体層33で覆われた複数のデータ電極32が設けられ、絶縁体層33上に井桁状の隔壁34が設けられている。また、絶縁体層33の表面および隔壁34の側面に蛍光体層35が設けられている。そして、走査電極22および維持電極23とデータ電極32とが交差するように前面基板21と背面基板31とが対向配置されており、その間に形成される放電空間には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンの混合ガスが封入されている。なお、パネルの構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。   FIG. 1 is an exploded perspective view showing a main part of a panel of a plasma display device according to an embodiment of the present invention. The panel 10 is configured such that a glass front substrate 21 and a rear substrate 31 are arranged to face each other and a discharge space is formed therebetween. On the front substrate 21, a plurality of scanning electrodes 22 and sustaining electrodes 23 constituting display electrodes are formed in parallel with each other. A dielectric layer 24 is formed so as to cover the scan electrodes 22 and the sustain electrodes 23, and a protective layer 25 is formed on the dielectric layer 24. A plurality of data electrodes 32 covered with an insulating layer 33 are provided on the back substrate 31, and a grid-like partition wall 34 is provided on the insulating layer 33. A phosphor layer 35 is provided on the surface of the insulator layer 33 and the side surfaces of the partition walls 34. The front substrate 21 and the rear substrate 31 are arranged to face each other so that the scan electrode 22 and the sustain electrode 23 and the data electrode 32 intersect each other, and in the discharge space formed therebetween, for example, neon And a mixed gas of xenon. Note that the structure of the panel is not limited to the above-described structure, and for example, a structure having a stripe-shaped partition may be used.

図2は同プラズマディスプレイ装置のパネルの電極配列図である。行方向にn本の走査電極SC1〜SCn(図1の走査電極22)およびn本の維持電極SU1〜SUn(図1の維持電極23)が配列され、列方向にm本のデータ電極D1〜Dm(図1のデータ電極32)が配列されている。そして、1対の走査電極SC1〜SCnおよび維持電極SU1〜SUnと1つのデータ電極D1〜Dmとが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にm×n個形成されている。   FIG. 2 is an electrode array diagram of the panel of the plasma display device. N scan electrodes SC1 to SCn (scan electrode 22 in FIG. 1) and n sustain electrodes SU1 to SUn (sustain electrode 23 in FIG. 1) are arranged in the row direction, and m data electrodes D1 to D1 are arranged in the column direction. Dm (data electrode 32 in FIG. 1) is arranged. A discharge cell is formed at a portion where one pair of scan electrodes SC1 to SCn and sustain electrodes SU1 to SUn and one data electrode D1 to Dm intersect, and m × n discharge cells are formed in the discharge space. Yes.

図3は同プラズマディスプレイ装置の構成を示す回路ブロック図である。このプラズマディスプレイ装置は、パネル10、画像信号処理回路51、データ電極駆動回路52、走査電極駆動回路53、維持電極駆動回路54、タイミング発生回路55および電源回路(図示せず)を備えている。   FIG. 3 is a circuit block diagram showing the configuration of the plasma display device. The plasma display device includes a panel 10, an image signal processing circuit 51, a data electrode drive circuit 52, a scan electrode drive circuit 53, a sustain electrode drive circuit 54, a timing generation circuit 55, and a power supply circuit (not shown).

画像信号処理回路51は、画像信号sigをサブフィールド毎の画像データに変換する。データ電極駆動回路52はサブフィールド毎の画像データを各データ電極D1〜Dmに対応する信号に変換し各データ電極D1〜Dmを駆動する。タイミング発生回路55は水平同期信号Hおよび垂直同期信号Vをもとにして各種のタイミング信号を発生し、各回路ブロックへ供給している。走査電極駆動回路53はタイミング信号にもとづいて走査電極SC1〜SCnに駆動電圧波形を供給し、維持電極駆動回路54はタイミング信号にもとづいて維持電極SU1〜SUnに駆動電圧波形を供給する。ここで、走査電極駆動回路53は後述する維持パルスを発生させるための維持パルス発生回路100を備え、維持電極駆動回路54にも同様に維持パルス発生回路200を備えている。   The image signal processing circuit 51 converts the image signal sig into image data for each subfield. The data electrode driving circuit 52 converts the image data for each subfield into signals corresponding to the data electrodes D1 to Dm, and drives the data electrodes D1 to Dm. The timing generation circuit 55 generates various timing signals based on the horizontal synchronization signal H and the vertical synchronization signal V and supplies them to each circuit block. Scan electrode drive circuit 53 supplies drive voltage waveforms to scan electrodes SC1 to SCn based on timing signals, and sustain electrode drive circuit 54 supplies drive voltage waveforms to sustain electrodes SU1 to SUn based on timing signals. Here, scan electrode driving circuit 53 includes sustain pulse generating circuit 100 for generating a sustain pulse, which will be described later, and sustain electrode driving circuit 54 is similarly provided with sustain pulse generating circuit 200.

次に、パネルを駆動するための駆動電圧波形とその動作について説明する。本発明の実施の形態においては、1フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間、維持期間を有している。図4は同プラズマディスプレイ装置のパネルの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。   Next, a driving voltage waveform for driving the panel and its operation will be described. In the embodiment of the present invention, one field is divided into a plurality of subfields, and each subfield has an initialization period, an address period, and a sustain period. FIG. 4 is a diagram showing a driving voltage waveform applied to each electrode of the panel of the plasma display device.

第1サブフィールドの初期化期間では、データ電極D1〜Dmおよび維持電極SU1〜SUnを0(V)に保持し、走査電極SC1〜SCnに対して放電開始電圧以下となる電圧Vi1(V)から放電開始電圧を超える電圧Vi2(V)に向かって緩やかに上昇するランプ電圧を印加する。すると、すべての放電セルにおいて1回目の微弱な初期化放電を起こし、走査電極SC1〜SCn上に負の壁電圧が蓄えられるとともに維持電極SU1〜SUn上およびデータ電極D1〜Dm上に正の壁電圧が蓄えられる。ここで、電極上の壁電圧とは電極を覆う誘電体層や蛍光体層上等に蓄積した壁電荷により生じる電圧を指す。その後、維持電極SU1〜SUnを正の電圧Vh(V)に保ち、走査電極SC1〜SCnに電圧Vi3(V)から電圧Vi4(V)に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。すると、すべての放電セルにおいて2回目の微弱な初期化放電を起こし、走査電極SC1〜SCn上と維持電極SU1〜SUn上との間の壁電圧が弱められ、データ電極D1〜Dm上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。   In the initializing period of the first subfield, the data electrodes D1 to Dm and the sustain electrodes SU1 to SUn are held at 0 (V), and from the voltage Vi1 (V) that is lower than the discharge start voltage with respect to the scan electrodes SC1 to SCn. A ramp voltage that gradually increases toward the voltage Vi2 (V) exceeding the discharge start voltage is applied. Then, the first weak initializing discharge is caused in all the discharge cells, negative wall voltages are stored on scan electrodes SC1 to SCn, and positive walls on sustain electrodes SU1 to SUn and data electrodes D1 to Dm. The voltage is stored. Here, the wall voltage on the electrode refers to a voltage generated by wall charges accumulated on the dielectric layer or the phosphor layer covering the electrode. Thereafter, sustain electrodes SU1 to SUn are maintained at positive voltage Vh (V), and a ramp voltage that gradually decreases from voltage Vi3 (V) to voltage Vi4 (V) is applied to scan electrodes SC1 to SCn. Then, the second weak initializing discharge is caused in all the discharge cells, the wall voltage between scan electrodes SC1 to SCn and sustain electrodes SU1 to SUn is weakened, and the wall voltage on data electrodes D1 to Dm is reduced. Is also adjusted to a value suitable for the write operation.

続く書込み期間では、走査電極SC1〜SCnを一旦Vr(V)に保持する。次に、1行目の走査電極SC1に負の走査パルス電圧Va(V)を印加するとともに、データ電極D1〜Dmのうち1行目に表示すべき放電セルのデータ電極D1〜Dmに正の書込みパルス電圧Vd(V)を印加する。このときデータ電極D1〜Dmと走査電極SC1との交差部の電圧は、外部印加電圧(Vd−Va)(V)にデータ電極D1〜Dm上の壁電圧と走査電極SC1上の壁電圧とが加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。そして、データ電極Dkと走査電極SC1との間および維持電極SU1と走査電極SC1との間に書込み放電が起こり、この放電セルの走査電極SC1上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極SU1上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極D1〜Dm上にも負の壁電圧が蓄積される。このようにして、1行目に表示すべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Vd(V)を印加しなかったデータ電極D1〜Dmと走査電極SC1との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をn行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。   In the subsequent address period, scan electrodes SC1 to SCn are temporarily held at Vr (V). Next, a negative scan pulse voltage Va (V) is applied to scan electrode SC1 in the first row, and data electrodes D1 to Dm of discharge cells to be displayed in the first row among data electrodes D1 to Dm are positive. An address pulse voltage Vd (V) is applied. At this time, the voltage at the intersection between the data electrodes D1 to Dm and the scan electrode SC1 is determined by the externally applied voltage (Vd−Va) (V) being the wall voltage on the data electrodes D1 to Dm and the wall voltage on the scan electrode SC1. It is added and exceeds the discharge start voltage. Then, an address discharge occurs between data electrode Dk and scan electrode SC1 and between sustain electrode SU1 and scan electrode SC1, and a positive wall voltage is accumulated on scan electrode SC1 of this discharge cell, and on sustain electrode SU1. A negative wall voltage is accumulated on the data electrodes D1 to Dm. In this manner, an address operation is performed in which address discharge is caused in the discharge cells to be displayed in the first row and wall voltage is accumulated on each electrode. On the other hand, the voltage at the intersection of the data electrodes D1 to Dm and the scan electrode SC1 to which the address pulse voltage Vd (V) is not applied does not exceed the discharge start voltage, so that address discharge does not occur. The above address operation is sequentially performed until the discharge cell in the nth row, and the address period ends.

続く維持期間では、走査電極SC1〜SCnには第1の電圧として正の維持パルス電圧Vs(V)を、維持電極SU1〜SUnには第2の電圧として接地電位、すなわち0(V)をそれぞれ印加する。このとき書込み放電を起こしたi行目の放電セルにおいては、走査電極SCi上と維持電極SUi上との間の電圧は維持パルス電圧Vs(V)に走査電極SCi上の壁電圧と維持電極SUi上の壁電圧とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、走査電極SCiと維持電極SUiとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層35が発光する。そして走査電極SCi上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極SUi上に正の壁電圧が蓄積される。このときデータ電極Dk上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保持される。続いて、走査電極SC1〜SCnには第2の電圧である0(V)を、維持電極SU1〜SUnには第1の電圧である維持パルス電圧Vs(V)をそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こしたi行目の放電セルでは、維持電極SUi上と走査電極SCi上との間の電圧が放電開始電圧を超えるので再び維持電極SUiと走査電極SCiとの間に維持放電が起こり、維持電極SUi上に負の壁電圧が蓄積され走査電極SCi上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUnとに交互に輝度重みに応じた数の維持パルスを印加することにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。こうして維持期間における維持動作が終了する。   In the subsequent sustain period, positive sustain pulse voltage Vs (V) is applied to scan electrodes SC1 to SCn as a first voltage, and ground potential, that is, 0 (V) is applied to sustain electrodes SU1 to SUn as a second voltage. Apply. In the i-th discharge cell in which the address discharge has occurred at this time, the voltage between the scan electrode SCi and the sustain electrode SUi is the sustain pulse voltage Vs (V), the wall voltage on the scan electrode SCi, and the sustain electrode SUi. The upper wall voltage is added and exceeds the discharge start voltage. Then, a sustain discharge occurs between scan electrode SCi and sustain electrode SUi, and phosphor layer 35 emits light by the ultraviolet rays generated at this time. Then, a negative wall voltage is accumulated on scan electrode SCi, and a positive wall voltage is accumulated on sustain electrode SUi. At this time, a positive wall voltage is also accumulated on the data electrode Dk. In the discharge cells in which no address discharge has occurred during the address period, no sustain discharge occurs, and the wall voltage at the end of the initialization period is maintained. Subsequently, 0 (V) that is the second voltage is applied to scan electrodes SC1 to SCn, and sustain pulse voltage Vs (V) that is the first voltage is applied to sustain electrodes SU1 to SUn. Then, in the i-th discharge cell in which the sustain discharge has occurred, the voltage between the sustain electrode SUi and the scan electrode SCi exceeds the discharge start voltage, so that the sustain discharge is again performed between the sustain electrode SUi and the scan electrode SCi. Occurs, a negative wall voltage is accumulated on sustain electrode SUi, and a positive wall voltage is accumulated on scan electrode SCi. Thereafter, similarly, by applying sustain pulses of the number corresponding to the luminance weight alternately to scan electrodes SC1 to SCn and sustain electrodes SU1 to SUn, the sustain discharge continues in the discharge cells that have caused the address discharge in the address period. Done. Thus, the maintenance operation in the maintenance period is completed.

続くサブフィールドにおける初期化期間、書込み期間、維持期間の動作も第1サブフィールドにおける動作とほぼ同様のため、説明を省略する。   The operations in the initialization period, address period, and sustain period in the subsequent subfield are substantially the same as those in the first subfield, and thus description thereof is omitted.

次に、維持パルス発生回路100、200の詳細について説明する。図5は同プラズマディスプレイ装置の維持パルス発生回路200の回路図である。維持パルス発生回路100も維持パルス発生回路200と同様な回路構成を有する。   Next, details of sustain pulse generation circuits 100 and 200 will be described. FIG. 5 is a circuit diagram of the sustain pulse generating circuit 200 of the plasma display device. Sustain pulse generation circuit 100 has the same circuit configuration as sustain pulse generation circuit 200.

図5の維持パルス発生回路200は、スイッチング素子として導通特性の優れたIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、以下「トランジスタ」と略記する)Q1〜Q4、n個のコンデンサC11〜C1n、n個のコンデンサC21〜C2n、n個のインダクタンスL11〜L1n、n個のインダクタンスL21〜L2n、回収コンデンサCr、回収コイルLおよびダイオードD1、D2を含む。   5 is an IGBT (insulated gate bipolar transistor, hereinafter abbreviated as “transistor”) Q1 to Q4, n capacitors C11 to C1n, n capacitors having excellent conduction characteristics as switching elements. C21-C2n, n inductances L11-L1n, n inductances L21-L2n, recovery capacitor Cr, recovery coil L, and diodes D1, D2.

トランジスタQ1は、一端が電源端子V1に接続され、他端がノードN1に接続され、ゲートには制御信号S1が入力される。トランジスタQ1は、寄生容量としてコレクタ・エミッタ間の容量CP1を有し、トランジスタQ1のコレクタ・エミッタ間には、直列に接続されたコンデンサC11とインダクタンスL11とからなる1番目の直列共振回路と、直列に接続されたコンデンサC1nとインダクタンスL1nとからなるn番目の直列共振回路までの、n個のLC共振回路が並列に接続される。電源端子V1には、電圧Vsusが印加される。   The transistor Q1 has one end connected to the power supply terminal V1, the other end connected to the node N1, and the gate to which the control signal S1 is input. The transistor Q1 has a collector-emitter capacitance CP1 as a parasitic capacitance. Between the collector-emitter of the transistor Q1, a first series resonance circuit including a capacitor C11 and an inductance L11 connected in series, and a series connection are provided. N LC resonance circuits are connected in parallel up to the n-th series resonance circuit composed of the capacitor C1n and the inductance L1n connected to. A voltage Vsus is applied to the power supply terminal V1.

トランジスタQ2は、一端がノードN1に接続され、他端が接地端子に接続され、ゲートには制御信号S2が入力される。トランジスタQ2は、寄生容量としてコレクタ・エミッタ間の容量CP2を有し、トランジスタQ2のコレクタ・エミッタ間には、直列に接続されたコンデンサC21とインダクタンスL21とからなる1番目の直列共振回路と、直列に接続されたコンデンサC2nとインダクタンスL2nとからなるn番目の直列共振回路までの、n個のLC共振回路が並列に接続される。   The transistor Q2 has one end connected to the node N1, the other end connected to the ground terminal, and a gate to which the control signal S2 is input. The transistor Q2 has a collector-emitter capacitance CP2 as a parasitic capacitance. Between the collector-emitter of the transistor Q2, a first series resonance circuit including a capacitor C21 and an inductance L21 connected in series, and a series connection are provided. N LC resonance circuits are connected in parallel up to the n-th series resonance circuit composed of the capacitor C2n and the inductance L2n connected to.

ノードN1は、例えば480本の維持電極23に接続されているが、図5では、複数の維持電極23と接地端子との間の全容量に相当するパネル容量Cpが示されている。   The node N1 is connected to, for example, 480 sustain electrodes 23. In FIG. 5, a panel capacitance Cp corresponding to the total capacitance between the plurality of sustain electrodes 23 and the ground terminal is shown.

回収コンデンサCrは、ノードN3と接地端子との間に接続されている。トランジスタQ3およびダイオードD1は、ノードN3とノードN2との間に直列に接続されている。ダイオードD2およびトランジスタQ4は、ノードN2とノードN3との間に直列に接続されている。トランジスタQ3のゲートには、制御信号S3が入力され、トランジスタQ4のゲートには制御信号S4が入力される。回収コイルLはノードN2とノードN1との間に接続されている。   The recovery capacitor Cr is connected between the node N3 and the ground terminal. Transistor Q3 and diode D1 are connected in series between nodes N3 and N2. Diode D2 and transistor Q4 are connected in series between nodes N2 and N3. The control signal S3 is input to the gate of the transistor Q3, and the control signal S4 is input to the gate of the transistor Q4. The recovery coil L is connected between the node N2 and the node N1.

本実施の形態では、トランジスタQ1、Q2がスイッチング手段に相当する。コンデンサC11とインダクタンスL11が直列に接続されて1つの直列共振回路を構成し、コンデンサC1nとインダクタンスL1nが直列に接続されて他の直列共振回路を構成し、これらの直列共振回路がスイッチング手段であるトランジスタQ1と並列に接続されている。また、コンデンサC21とインダクタンスL21が直列に接続されて1つの直列共振回路を構成し、コンデンサC2nとインダクタンスL2nが直列に接続されて他の直列共振回路を構成し、これら直列共振回路がスイッチング手段であるトランジスタQ2と並列に接続されている。また、電圧クランプ部は、電源端子V1と接地端子とスイッチング手段とを含む。   In the present embodiment, the transistors Q1 and Q2 correspond to switching means. The capacitor C11 and the inductance L11 are connected in series to form one series resonance circuit, and the capacitor C1n and the inductance L1n are connected in series to form another series resonance circuit. These series resonance circuits are switching means. The transistor Q1 is connected in parallel. Further, the capacitor C21 and the inductance L21 are connected in series to constitute one series resonance circuit, and the capacitor C2n and the inductance L2n are connected in series to constitute another series resonance circuit. These series resonance circuits are switching means. It is connected in parallel with a certain transistor Q2. The voltage clamp unit includes a power supply terminal V1, a ground terminal, and switching means.

次に、上記のように構成された維持パルス発生回路200の維持期間の動作について説明する。図6は同プラズマディスプレイ装置の維持パルス発生回路の維持期間の動作を示すタイミング図であり、Ta〜Tdの期間に分けて説明する。   Next, the operation in the sustain period of sustain pulse generating circuit 200 configured as described above will be described. FIG. 6 is a timing chart showing the operation in the sustain period of the sustain pulse generating circuit of the plasma display device, and will be described by dividing it into periods Ta to Td.

(Taの期間)
まず、制御信号S2がローレベルになりトランジスタQ2がオフし、制御信号S3がハイレベルになりトランジスタQ3がオンする。このとき、制御信号S1はローレベルにありトランジスタQ1はオフし、制御信号S4はローレベルにありトランジスタQ4はオフしている。したがって、回収コンデンサCrがトランジスタQ3およびダイオードD1を介して回収コイルLに接続され、回収コイルLおよびパネル容量CpによるLC共振によりノードN1の電圧が上昇する。このとき、回収コンデンサCrの電荷がトランジスタQ3、ダイオードD1および回収コイルLを介してパネル容量Cpへ放出される。
(Ta period)
First, the control signal S2 goes low and the transistor Q2 turns off, and the control signal S3 goes high and the transistor Q3 turns on. At this time, the control signal S1 is at a low level and the transistor Q1 is turned off, and the control signal S4 is at a low level and the transistor Q4 is turned off. Therefore, the recovery capacitor Cr is connected to the recovery coil L via the transistor Q3 and the diode D1, and the voltage at the node N1 rises due to LC resonance caused by the recovery coil L and the panel capacitance Cp. At this time, the charge of the recovery capacitor Cr is discharged to the panel capacitor Cp through the transistor Q3, the diode D1, and the recovery coil L.

(Tbの期間)
次に、制御信号S1がハイレベルになりトランジスタQ1がオンし、制御信号S3がロ−レベルになりトランジスタQ3がオフする。したがって、ノードN1が電源端子V1に接続され、ノードN1の電圧が急激に上昇し、スイッチングノイズが発生し、その後、電圧Vsusに固定される。
(Tb period)
Next, the control signal S1 goes high and the transistor Q1 turns on, and the control signal S3 goes low and the transistor Q3 turns off. Therefore, the node N1 is connected to the power supply terminal V1, the voltage of the node N1 rises rapidly, switching noise is generated, and then fixed to the voltage Vsus.

このとき、トランジスタQ1はオンしているが、トランジスタQ2はオフしている。トランジスタQ1がオンして定常状態になるまでは、トランジスタQ1に並列接続されているC11とL11からC1nとL1nの直列接続からなるLC共振回路により、n個の自己共振周波数帯域でスイッチングノイズが吸収される。また、オフしているトランジスタQ2に並列接続されているC21とL21からC2nとL2nの直列接続からなるLC共振回路により、n個の自己共振周波数帯域でスイッチングノイズが吸収される。   At this time, the transistor Q1 is on, but the transistor Q2 is off. Until the transistor Q1 is turned on and is in a steady state, the switching noise is absorbed in n self-resonant frequency bands by the LC resonance circuit composed of the series connection of C11 and L11 to C1n and L1n connected in parallel to the transistor Q1. Is done. In addition, switching noise is absorbed in n self-resonant frequency bands by the LC resonance circuit composed of series connection of C21 and L21 to C2n and L2n connected in parallel to the transistor Q2 which is turned off.

(Tcの期間)
次に、制御信号S1がローレベルになりトランジスタQ1がオフし、制御信号S4がハイレベルになりトランジスタQ4がオンする。したがって、回収コンデンサCrがダイオードD2およびトランジスタQ4を介して回収コイルLに接続され、回収コイルLおよびパネル容量CpによるLC共振によりノードN1の電圧が降下する。このとき、パネル容量Cpに蓄えられた電荷は、回収コイルL、ダイオードD2およびトランジスタQ4を介して回収コンデンサCrに蓄えられ、電荷の回収が行われる。
(Tc period)
Next, the control signal S1 goes low and the transistor Q1 turns off, and the control signal S4 goes high and the transistor Q4 turns on. Therefore, the recovery capacitor Cr is connected to the recovery coil L via the diode D2 and the transistor Q4, and the voltage at the node N1 drops due to LC resonance caused by the recovery coil L and the panel capacitance Cp. At this time, the charge stored in the panel capacitor Cp is stored in the recovery capacitor Cr via the recovery coil L, the diode D2, and the transistor Q4, and the charge is recovered.

(Tdの期間)
次に、制御信号S2がハイレベルになりトランジスタQ2がオンし、制御信号S4がロ−レベルになりトランジスタQ4がオフする。したがって、ノードN1が接地端子に接続され、ノードN1の電圧が急激に降下し、スイッチングノイズが発生し、その後、接地電位に固定される。
(Td period)
Next, the control signal S2 goes high and the transistor Q2 turns on, and the control signal S4 goes low and the transistor Q4 turns off. Therefore, the node N1 is connected to the ground terminal, the voltage of the node N1 drops rapidly, switching noise is generated, and then fixed to the ground potential.

このとき、トランジスタQ2はオンしているが、トランジスタQ1はオフしている。トランジスタQ2がオンして定常状態になるまでは、トランジスタQ2に並列接続されているC21とL21からC2nとL2nの直列接続からなるLC共振回路により、n個の自己共振周波数帯域でスイッチングノイズが吸収される。また、オフしているトランジスタQ1に並列接続されているC11とL11からC1nとL1nの直列接続からなるLC共振回路により、n個の自己共振周波数帯域でスイッチングノイズが吸収される。   At this time, the transistor Q2 is on, but the transistor Q1 is off. Until the transistor Q2 is turned on and is in a steady state, the switching noise is absorbed in n self-resonant frequency bands by the LC resonance circuit composed of the series connection of C21 and L21 to C2n and L2n connected in parallel to the transistor Q2. Is done. In addition, switching noise is absorbed in n self-resonant frequency bands by an LC resonance circuit formed of a series connection of C11 and L11 to C1n and L1n connected in parallel to the transistor Q1 that is turned off.

本実施の形態では、コンデンサC11〜C1n、C21〜C2nは積層セラミックチップコンデンサを使用し、インダクタンスL11〜L1n、L21〜L2nは駆動回路基板の配線パターンのインダクタンス成分により形成する。   In this embodiment, the capacitors C11 to C1n and C21 to C2n use multilayer ceramic chip capacitors, and the inductances L11 to L1n and L21 to L2n are formed by the inductance component of the wiring pattern of the drive circuit board.

図7は同プラズマディスプレイ装置の維持パルス発生回路200のトランジスタQ2周辺の駆動回路基板の配線パターンの一例を示す図である。図8は図7の配線パターンに対応する回路図である。トランジスタQ2はパネル容量Cpを駆動するための電流容量を確保するため、3個のトランジスタQ21、Q22、Q23で構成されている。すなわち、3個のトランジスタQ21、Q22、Q23が複数のスイッチング素子に相当しており、コンデンサC21とインダクタンスL21が直列に接続されて1番目の直列共振回路を構成し、コンデンサC22とインダクタンスL22が直列に接続されて2番目の直列共振回路を構成し、コンデンサC23とインダクタンスL23が直列に接続されて3番目の直列共振回路を構成し、それぞれの直列共振回路がそれぞれのスイッチング素子に並列に接続されている。トランジスタQ21、Q22、Q23のコレクタはそれぞれノードN1に接続され、エミッタは接地されている。また、トランジスタQ21、Q22、Q23のそれぞれのゲートには抵抗を介して制御信号S2が入力されている。   FIG. 7 is a diagram showing an example of the wiring pattern of the driving circuit board around the transistor Q2 of the sustain pulse generating circuit 200 of the plasma display device. FIG. 8 is a circuit diagram corresponding to the wiring pattern of FIG. The transistor Q2 includes three transistors Q21, Q22, and Q23 in order to secure a current capacity for driving the panel capacity Cp. That is, the three transistors Q21, Q22, and Q23 correspond to a plurality of switching elements, and the capacitor C21 and the inductance L21 are connected in series to form a first series resonance circuit, and the capacitor C22 and the inductance L22 are in series. Are connected to each other to form a second series resonance circuit, and a capacitor C23 and an inductance L23 are connected in series to form a third series resonance circuit. Each series resonance circuit is connected to each switching element in parallel. ing. The collectors of the transistors Q21, Q22, and Q23 are each connected to the node N1, and the emitters are grounded. A control signal S2 is input to the gates of the transistors Q21, Q22, and Q23 via resistors.

なお、同様に図5に示す維持パルス発生回路200のトランジスタQ1もパネル容量Cpを駆動するための電流容量を確保するため、3個のトランジスタQ11、Q12、Q13で構成されている。すなわち、3個のトランジスタQ11、Q12、Q13が複数のスイッチング素子に相当しており、コンデンサC11とインダクタンスL11が直列に接続されて1番目の直列共振回路を構成し、コンデンサC12とインダクタンスL12が直列に接続されて2番目の直列共振回路を構成し、コンデンサC13とインダクタンスL13が直列に接続されて3番目の直列共振回路を構成し、それぞれの直列共振回路がそれぞれのスイッチング素子に並列に接続されている。トランジスタQ11、Q12、Q13のコレクタはそれぞれ電源端子V1に接続され、エミッタはノードN1に接続されている。また、トランジスタQ11、Q12、Q13のそれぞれのゲートには抵抗を介して制御信号S1が入力されている。   Similarly, the transistor Q1 of the sustain pulse generating circuit 200 shown in FIG. 5 includes three transistors Q11, Q12, and Q13 in order to secure a current capacity for driving the panel capacitor Cp. That is, the three transistors Q11, Q12, and Q13 correspond to a plurality of switching elements, and the capacitor C11 and the inductance L11 are connected in series to form a first series resonance circuit, and the capacitor C12 and the inductance L12 are in series. Are connected to each other to form a second series resonance circuit, and a capacitor C13 and an inductance L13 are connected in series to form a third series resonance circuit. Each series resonance circuit is connected in parallel to each switching element. ing. The collectors of the transistors Q11, Q12, and Q13 are each connected to the power supply terminal V1, and the emitters are connected to the node N1. A control signal S1 is input to the gates of the transistors Q11, Q12, and Q13 via resistors.

図7の配線パターンでトランジスタQ21、Q22、Q23はトランジスタQ2を配置する位置を示している。Cはコレクタ、Gはゲート、Eはエミッタの端子位置を示している。駆動回路基板の表面の配線パターンでは、トランジスタQ21、Q22、Q23のコレクタCは、それぞれは接続されていないが、駆動回路基板の裏面(あるいは下層の基板面)でノードN1に接続されている(図に示されていない)。   In the wiring pattern of FIG. 7, transistors Q21, Q22, and Q23 indicate positions where the transistor Q2 is disposed. C indicates a collector, G indicates a gate, and E indicates an emitter terminal position. In the wiring pattern on the front surface of the drive circuit board, the collectors C of the transistors Q21, Q22, and Q23 are not connected to each other, but are connected to the node N1 on the back surface (or lower substrate surface) of the drive circuit board ( Not shown).

インダクタンスL21を形成する配線パターンは、コンデンサC21の一端からコレクタCまでの配線パターンで形成している。同様にインダクタンスL22、L23は、コンデンサC22、C23の一端からそれぞれのトランジスタのコレクタCまでの配線パターンで形成している。   The wiring pattern that forms the inductance L21 is a wiring pattern from one end of the capacitor C21 to the collector C. Similarly, the inductances L22 and L23 are formed by a wiring pattern from one end of the capacitors C22 and C23 to the collector C of each transistor.

図7では、インダクタンスL21を形成する配線パターンは、コンデンサC21の一端からトランジスタQ21のコレクタCまでの配線パターンであり、太く、長く設計されている。また、インダクタンスL22、L23の配線パターンもそれぞれ異なるように設計されており、インダクタンスL21、L22、L23はそれぞれ異なるインダクタンス値となるように設計される。このように、インダクタンス値をそれぞれ異なる値に設計することにより、同一の積層セラミックチップコンデンサを用いたとしても、異なる直列共振周波数を設定することができる。   In FIG. 7, the wiring pattern forming the inductance L21 is a wiring pattern from one end of the capacitor C21 to the collector C of the transistor Q21, and is designed to be thick and long. In addition, the wiring patterns of the inductances L22 and L23 are also designed to be different, and the inductances L21, L22 and L23 are designed to have different inductance values. In this manner, by designing the inductance values to be different from each other, different series resonance frequencies can be set even if the same multilayer ceramic chip capacitor is used.

図7では配線パターンの太さと長さを変えてインダクタンス値を変える設計を行っているが、配線にスリットを入れインダクタンス値を変える設計を行うこともできる。また、図7では駆動回路基板の1層の配線を利用してインダクタンス値を求める設計を行っているが、複数の層を利用してインダクタンス値を求める設計を行うこともできる。   In FIG. 7, the inductance value is changed by changing the thickness and length of the wiring pattern. However, it is also possible to change the inductance value by inserting a slit in the wiring. In FIG. 7, the inductance value is designed using one layer of wiring on the drive circuit board. However, the inductance value can be designed using a plurality of layers.

次に、上記したように構成された配線パターンとコンデンサとを用いて、不要輻射を抑制する手順について説明する。図9は同プラズマディスプレイ装置の維持パルス発生回路200の直列共振回路の設計を行う手順を示すフローチャートである。通常、不要輻射には特に強い輻射が生じている周波数がいくつか存在するので、それらの周波数に対して輻射の強い周波数の順に、直列共振周波数を設計する。この手順では、直列共振回路がn個あるとして説明する。   Next, a procedure for suppressing unnecessary radiation using the wiring pattern and the capacitor configured as described above will be described. FIG. 9 is a flowchart showing a procedure for designing a series resonant circuit of the sustain pulse generating circuit 200 of the plasma display device. Usually, there are some frequencies where particularly strong radiation is generated in unnecessary radiation, and therefore, the series resonance frequency is designed in order of the frequency of strong radiation with respect to those frequencies. This procedure will be described assuming that there are n series resonant circuits.

まず、ステップ1で、フローチャートのループする回数を表す数として、kを定義する。直列共振回路はn個あるので、kはnまでの整数である。その初期値として、k=0とする(S1)。   First, in step 1, k is defined as a number representing the number of times the flowchart is looped. Since there are n series resonant circuits, k is an integer up to n. As its initial value, k = 0 is set (S1).

次に、kをk+1として、1つ増分する(S2)。   Next, k is incremented by 1 with k + 1 (S2).

そして、ステップ3では不要輻射を測定し、この時点で最も強い輻射を選定し、その周波数をk番目の共振周波数に決定する(S3)。   In step 3, unnecessary radiation is measured, the strongest radiation is selected at this time, and its frequency is determined as the k-th resonance frequency (S3).

次に、k番目の共振周波数fkとこの時点で使用されていない(n―k+1)個の配線パターンのインダクタンス値Lとから、用いるべきコンデンサ値Cを算出する。このときCは、直列共振回路の関係式(2×3.14×fk=1/√(C×L))を利用して、計算値を求めることができる(S4)。   Next, a capacitor value C to be used is calculated from the k-th resonance frequency fk and the inductance value L of (n−k + 1) wiring patterns not used at this time. At this time, the calculated value of C can be obtained using the relational expression (2 × 3.14 × fk = 1 / √ (C × L)) of the series resonance circuit (S4).

次に、ステップ4で計算したコンデンサ値Cから使用するコンデンサの候補を決定し、実際に駆動回路基板に順次装着し、最も不要輻射を吸収できるコンデンサと配線パターンのk番目の組である共振回路定数を決定する(S5)。   Next, a capacitor candidate to be used is determined from the capacitor value C calculated in step 4, and is sequentially mounted on the drive circuit board, and the resonance circuit which is the kth combination of the capacitor and the wiring pattern that can absorb the most unwanted radiation. A constant is determined (S5).

ステップ6では、k番目のコンデンサをステップ5において組み合わせた配線パターンに実装して、不要輻射を測定する(S6)。   In step 6, the kth capacitor is mounted on the wiring pattern combined in step 5, and unnecessary radiation is measured (S6).

そして、これによって不要輻射が目標値以下となれば設計完了となる。そうでなければ、kがnと等しいか判定する。   Then, when the unnecessary radiation is below the target value, the design is completed. Otherwise, it is determined whether k is equal to n.

その結果、等しくなければステップ2に戻って、kを1つ増分して同様な手順を繰り返す。kがnと等しい場合には、n個の共振回路では十分な抑制が困難な場合であるので、共振回路の個数を増やすことや、それぞれの配線パターンよるインダクタンス値Lを変更する再設計を行う。そして、最初に戻って再検討する(S7)。   As a result, if they are not equal, the process returns to step 2, and k is incremented by one and the same procedure is repeated. When k is equal to n, it is difficult to sufficiently suppress with n resonance circuits. Therefore, the number of resonance circuits is increased or redesign is performed to change the inductance value L according to each wiring pattern. . And it returns to the beginning and reexamines (S7).

このようにして、不要な電磁波の輻射を抑制でき、機種が異なっても駆動回路基板を共用化したり、短期間に再設計することができるプラズマディスプレイ装置を提供することができる。   In this way, it is possible to provide a plasma display device that can suppress unnecessary electromagnetic radiation and can share a drive circuit board or can be redesigned in a short period of time even if the models are different.

図10は同プラズマディスプレイ装置の不要輻射の周波数特性の改善例を示す図である。ここに示す例では、f1が35MHz周辺、f2が45MHz周辺、f3が200〜300MHz周辺にピークを有する不要輻射があり、これらの不要輻射を効果的に吸収するため周波数低減手段のLC共振周波数帯域をそれぞれに対応するように設計している。   FIG. 10 is a diagram showing an improvement example of the frequency characteristics of unnecessary radiation of the plasma display device. In the example shown here, there is unnecessary radiation having a peak around f1 of 35 MHz, f2 around 45 MHz, and f3 around 200 to 300 MHz, and the LC resonance frequency band of the frequency reduction means in order to effectively absorb these unnecessary radiation. Is designed to correspond to each.

図10には、不要輻射を吸収する周波数低減手段の周波数特性を相対的Gainで示し、不要輻射の改善前の周波数特性を点線で示し、改善後の周波数特性を実線で示している。   In FIG. 10, the frequency characteristic of the frequency reducing means that absorbs unnecessary radiation is indicated by relative gain, the frequency characteristic before improvement of unnecessary radiation is indicated by a dotted line, and the frequency characteristic after improvement is indicated by a solid line.

次に、f1、f2、f3の周波数帯域のLC共振回路の具体例を示す。ここでコンデンサC21、C22、C23は積層セラミックチップコンデンサを使用している。図11(a)は1個の積層セラミックチップコンデンサC21の内部等価回路を示している。図11(a)に示すように積層セラミックチップコンデンサの内部等価回路はLCRの直列回路になっている。   Next, a specific example of the LC resonance circuit in the frequency band of f1, f2, and f3 is shown. Here, multilayer ceramic chip capacitors are used as the capacitors C21, C22, and C23. FIG. 11A shows an internal equivalent circuit of one monolithic ceramic chip capacitor C21. As shown in FIG. 11A, the internal equivalent circuit of the multilayer ceramic chip capacitor is an LCR series circuit.

図11(b)はトランジスタQ21に並列に接続されるLC共振回路の等価回路である。図11(b)に示すように、積層セラミックチップコンデンサのLCR直列回路に配線パターンのインダクタンスL21が直列に接続されている。   FIG. 11B is an equivalent circuit of an LC resonance circuit connected in parallel to the transistor Q21. As shown in FIG. 11B, the inductance L21 of the wiring pattern is connected in series to the LCR series circuit of the multilayer ceramic chip capacitor.

本実施の形態で使用した駆動回路基板の配線パターンの銅箔の厚みは12.7ミクロン(0.5ミル)、駆動回路基板の層間絶縁層の厚みは0.508mm(20ミル)である。   The thickness of the copper foil of the wiring pattern of the driving circuit board used in this embodiment is 12.7 microns (0.5 mil), and the thickness of the interlayer insulating layer of the driving circuit board is 0.508 mm (20 mil).

共振周波数f1は35MHzであり、コンデンサC21の容量値C1は5600pF、内部抵抗r1は15ミリohm、内部インダクタンスL1は1nHである。配線パターンによるインダクタンスL21は2.7nHで、配線パターンの形状は幅W1が1.7mm、長さL1が15.3mmである。   The resonance frequency f1 is 35 MHz, the capacitance value C1 of the capacitor C21 is 5600 pF, the internal resistance r1 is 15 milliohms, and the internal inductance L1 is 1 nH. An inductance L21 due to the wiring pattern is 2.7 nH, and the wiring pattern has a width W1 of 1.7 mm and a length L1 of 15.3 mm.

共振周波数f2は45MHzであり、コンデンサC22の容量値C2は3300pF、内部抵抗r2は15ミリohm、内部インダクタンスL2は1nHである。配線パターンによるインダクタンスL22は2.8nHで、配線パターンの形状は幅W2が1.3mm、長さL2が13.2mmである。   The resonance frequency f2 is 45 MHz, the capacitance value C2 of the capacitor C22 is 3300 pF, the internal resistance r2 is 15 milliohms, and the internal inductance L2 is 1 nH. The inductance L22 due to the wiring pattern is 2.8 nH, and the wiring pattern has a width W2 of 1.3 mm and a length L2 of 13.2 mm.

共振周波数f3は300MHzであり、コンデンサC23の容量値C3は68pF、内部抵抗r3は15ミリohm、内部インダクタンスL3は1nHである。配線パターンによるインダクタンスL23は2.4nHで、配線パターンの形状は幅W3が1.0mm、長さL3が10.3mmである。   The resonance frequency f3 is 300 MHz, the capacitance value C3 of the capacitor C23 is 68 pF, the internal resistance r3 is 15 milliohms, and the internal inductance L3 is 1 nH. The inductance L23 due to the wiring pattern is 2.4 nH, and the wiring pattern has a width W3 of 1.0 mm and a length L3 of 10.3 mm.

このようにして、不要輻射の輻射レベルの高い周波数帯域にLCの共振周波数帯域が対応するように配線パターンとコンデンサを組み合わせることにより、不要輻射を抑制することができる。   Thus, unnecessary radiation can be suppressed by combining the wiring pattern and the capacitor so that the resonant frequency band of the LC corresponds to a frequency band having a high radiation level of unnecessary radiation.

ここに示す例では、トランジスタQ21、Q22、Q23がすべて接続された回路図が示されているが、トランジスタの駆動能力によって、1つであってもよい。トランジスタが1つの場合にも、LC共振回路はn個接続されている。   In the example shown here, a circuit diagram in which all the transistors Q21, Q22, and Q23 are connected is shown, but one may be provided depending on the driving capability of the transistors. Even when there is one transistor, n LC resonance circuits are connected.

なお、2つのLC共振回路で、同一の容量値のコンデンサを用いる場合には、それぞれのインダクタンスが異なっていても、2つの共振周波数の間に反共振が生じ、かえって不要輻射が悪化する場合がある。このため異なるLC共振回路には、反共振が生じないように異なる容量値のコンデンサを用いることが望ましい。   When capacitors having the same capacitance value are used in two LC resonance circuits, anti-resonance may occur between the two resonance frequencies even if their inductances are different, which may worsen unnecessary radiation. is there. For this reason, it is desirable to use capacitors having different capacitance values in different LC resonance circuits so that anti-resonance does not occur.

パネルの特性を変更した場合、あるいはセットの仕様変更や駆動回路基板の配線変更などにより、吸収したい不要輻射の周波数帯域が変動した場合、その都度駆動回路基板の再設計を行ってきたが、本発明による駆動回路基板の配線パターンによるインダクタンスL21〜L23とコンデンサの組み合わせにより、変動した不要輻射の周波数帯域に即応することができる。   When the characteristics of the panel are changed, or when the frequency band of unwanted radiation to be absorbed fluctuates due to changes in the specifications of the set or wiring of the drive circuit board, the drive circuit board has been redesigned each time. According to the combination of the inductances L21 to L23 and the capacitor according to the wiring pattern of the drive circuit board according to the invention, it is possible to immediately adapt to the fluctuating unnecessary radiation frequency band.

本発明にかかるコンデンサとインダクタンスを直列接続したLC共振回路をスイッチング素子に並列接続した駆動回路を用いるプラズマディスプレイ装置は、駆動回路内で発生するスイッチングノイズの輻射レベルの高い周波数帯域を効果的に吸収することができ、パネル電極からの不要な電磁波を抑制することが可能となり、各種の容量性負荷の駆動を行う駆動回路を用いる表示装置に対して有用である。   The plasma display device using the driving circuit in which the LC resonance circuit in which the capacitor and the inductance are connected in series to the switching element according to the present invention is connected in parallel to the switching element effectively absorbs the frequency band in which the radiation level of the switching noise generated in the driving circuit is high. This makes it possible to suppress unnecessary electromagnetic waves from the panel electrode, and is useful for a display device using a drive circuit that drives various capacitive loads.

本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置のパネルの要部を示す分解斜視図The disassembled perspective view which shows the principal part of the panel of the plasma display apparatus in embodiment of this invention. 同プラズマディスプレイ装置のパネルの電極配列図Electrode arrangement of the plasma display panel 同プラズマディスプレイ装置の構成を示す回路ブロック図Circuit block diagram showing the configuration of the plasma display device 同プラズマディスプレイ装置のパネルの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図The figure which shows the drive voltage waveform applied to each electrode of the panel of the plasma display apparatus 同プラズマディスプレイ装置の維持パルス発生回路の回路図Circuit diagram of sustain pulse generation circuit of the plasma display device 同プラズマディスプレイ装置の維持パルス発生回路の維持期間の動作を示すタイミング図Timing diagram showing the operation of the sustain pulse generating circuit of the plasma display device during the sustain period 同プラズマディスプレイ装置の維持パルス発生回路のトランジスタ周辺の駆動回路基板の配線パターンの一例を示す図The figure which shows an example of the wiring pattern of the drive circuit board around the transistor of the sustain pulse generation circuit of the plasma display device 図7の配線パターンに対応する回路図Circuit diagram corresponding to the wiring pattern of FIG. 同プラズマディスプレイ装置の維持パルス発生回路の直列共振回路の設計を行う手順を示すフローチャートA flowchart showing a procedure for designing a series resonance circuit of a sustain pulse generation circuit of the plasma display device 同プラズマディスプレイ装置の不要輻射の周波数特性の改善例を示す図The figure which shows the improvement example of the frequency characteristic of the unnecessary radiation of the same plasma display device (a)は積層セラミックコンデンサの内部等価回路を示す図、(b)はトランジスタに並列に接続されるLC共振回路の等価回路図(A) is a diagram showing an internal equivalent circuit of a multilayer ceramic capacitor, (b) is an equivalent circuit diagram of an LC resonance circuit connected in parallel to a transistor 従来のプラズマディスプレイ装置における走査電極駆動回路あるいは維持電極駆動回路の維持パルス発生回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the sustain pulse generation circuit of the scan electrode drive circuit or the sustain electrode drive circuit in the conventional plasma display apparatus 従来のプラズマディスプレイ装置における走査電極駆動回路あるいは維持パルス発生回路の維持期間の動作を示すタイミング図Timing diagram showing operation of sustain period of scan electrode driving circuit or sustain pulse generating circuit in conventional plasma display device

符号の説明Explanation of symbols

10 パネル
21 前面基板
22 走査電極
23 維持電極
24 誘電体層
25 保護層
31 背面基板
32 データ電極
33 絶縁体層
34 隔壁
35 蛍光体層
51 画像信号処理回路
52 データ電極駆動回路
53 走査電極駆動回路
54 維持電極駆動回路
55 タイミング発生回路
100,200 維持パルス発生回路
C11〜C1n,C21〜C2n コンデンサ
Cp パネル容量
Cp1,Cp2 寄生容量
Cr 回収コンデンサ
D1,D2 ダイオード
L 回収コイル
L1〜L3 内部インダクタンス
L11〜L1n,L21〜L2n インダクタンス
Q1〜Q4 トランジスタ(スイッチング素子)
S1〜S4 制御信号
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Panel 21 Front substrate 22 Scan electrode 23 Sustain electrode 24 Dielectric layer 25 Protection layer 31 Back substrate 32 Data electrode 33 Insulator layer 34 Partition 35 Phosphor layer 51 Image signal processing circuit 52 Data electrode drive circuit 53 Scan electrode drive circuit 54 Sustain electrode drive circuit 55 Timing generation circuit 100, 200 Sustain pulse generation circuit C11-C1n, C21-C2n Capacitor Cp Panel capacitance Cp1, Cp2 Parasitic capacitance Cr Recovery capacitor D1, D2 Diode L Recovery coil L1-L3 Internal inductance L11-L1n, L21 to L2n Inductance Q1 to Q4 Transistor (switching element)
S1-S4 control signal

Claims (2)

プラズマディスプレイパネルを駆動するための維持パルスを出力する維持パルス発生回路を備え、
前記維持パルス発生回路は、スイッチング手段を有する電圧クランプ部と、前記スイッチング手段に並列に接続されかつコンデンサとインダクタンスとを直列接続してなる複数の直列共振回路とを備え、かつ前記インダクタンスは駆動回路基板の配線パターンで形成するとともに、それぞれインダクタンス値を異ならせたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
A sustain pulse generating circuit for outputting a sustain pulse for driving the plasma display panel;
The sustain pulse generating circuit includes a voltage clamping unit having switching means, and a plurality of series resonance circuits connected in parallel to the switching means and having a capacitor and an inductance connected in series, and the inductance is a drive circuit A plasma display device characterized by being formed with a wiring pattern of a substrate and having different inductance values.
前記維持パルス発生回路のスイッチング手段は、複数のスイッチング素子を有し、前記複数のスイッチング素子のそれぞれにコンデンサとインダクタンスとを直列接続してなる直列共振回路を並列に接続したことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。 The switching means of the sustain pulse generating circuit has a plurality of switching elements, and a series resonant circuit formed by connecting a capacitor and an inductance in series to each of the plurality of switching elements is connected in parallel. Item 2. The plasma display device according to Item 1.
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