JP4826871B2 - リフレクトロンレンズとして用いられる導電性チューブ - Google Patents

リフレクトロンレンズとして用いられる導電性チューブ Download PDF

Info

Publication number
JP4826871B2
JP4826871B2 JP2004080821A JP2004080821A JP4826871B2 JP 4826871 B2 JP4826871 B2 JP 4826871B2 JP 2004080821 A JP2004080821 A JP 2004080821A JP 2004080821 A JP2004080821 A JP 2004080821A JP 4826871 B2 JP4826871 B2 JP 4826871B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tube
reflectron
glass
electric field
analyzer according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004080821A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004288637A (ja
Inventor
ラプラデ ブルース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Burle Technologies Inc
Original Assignee
Burle Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Burle Technologies Inc filed Critical Burle Technologies Inc
Publication of JP2004288637A publication Critical patent/JP2004288637A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4826871B2 publication Critical patent/JP4826871B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/26Mass spectrometers or separator tubes
    • H01J49/34Dynamic spectrometers
    • H01J49/40Time-of-flight spectrometers
    • H01J49/405Time-of-flight spectrometers characterised by the reflectron, e.g. curved field, electrode shapes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

本発明は、飛行時間型質量分析計のリフレクトロンレンズとして用いられる誘電体チューブに関し、より詳述すると、飛行時間型質量分析計のリフレクトロンレンズとして用いられる、導電性面を備えたガラスチューブに関するものである。
飛行時間型質量分析(TOF−MS)は、分析化学の分野において、質量分離の最もポピュラーな方法に急速になりつつある。この技術は簡単に実施され、非常に高い質量分解能が得られ、サンプルの導入及びイオン化という多くの形態で用いるのに適している。飛行時間型質量アナライザーは、四重極子やイオントラップと相違して、非常に大きい質量のものにおいてよく機能する。飛行時間型アナライザーに関する記述は、ウィレイ(Wiley)とマックラレン(McLaren)との共著である1950年版「Rec. Sci. Instrum.,26,1150」,コッター(Cotter)著の1992年版「Anal. Chem.,1027A」及びウォールニック(Wollnik)著の1993版「Mass Spectrom Rev.,12,89」に見られる。
飛行時間型質量分析計としては、主に、線形型とリフレクトロン型との二つのタイプのものが実施されている。これら質量分析計のいずれのタイプのものにおいても、操作中に、未知のサンプルがイオン化される。例えば、図1に示したようなMALDI(マトリックス支援レーザ脱離イオン化)器具100を用いてサンプルをイオン化することができる。サンプルのレーザーイオン化によって作り出されるイオンはフライトチューブ10に注ぎこまれ、そこにおいてイオンは検出器20に向かって移動し始める。フライトチューブ10内におけるイオンの運動は、次の式によって表わすことができる。
(式1)
=m/z(d/2Vse
式1中で、m/zはイオンの質量/電荷数を示し、dは検出器20までの距離を示し、Vseは加速ポテンシャルを示す。軽いイオン(小さい質量)は、大きい質量のイオンよりは速く移動し、従って、大きい質量のイオンよりは速く検出器20に到達する。もしフライトチューブ10が十分長ければ、図2に示したように、イオンの全てが検出器に到達する時間は、最初に到達する最も小さい質量のイオンで質量に従って分けられる。
イオンが、例えば、マルチチャネルプレート検出器の如き検出器20に到達した時に、イオンは、二次電子の縦続(cascade of secondary electrons)を開始し、その結果、イオンの到達と相互に関連する非常に速い電圧パルスを発生させることとなる。到達時間を記録するためには、高速度オシロスコープやトランジエントレコーダ(transient recorder)を用いることができる。正確な到達時間を知る際には、式1を用いてイオンの質量/電荷数(m/z)を解明する。
別のタイプの飛行時間型質量分析計は、図3に示したようなリフレクトロン器具300である。このリフレクトロンは、イオンが遠くへ移動させられればさせられるほど、異なった質量のイオン間の間隔が大きくなるという事実を利用するものである。異なった質量のイオン間の間隔が大きくなると、そのイオン間での到達時間の差異が増大し、それにより同じm/zのイオンを区別する分解能が増大する。更に、このリフレクトロンは、イオン源から出発するイオンのエネルギー分散を修正する。
リフレクトロン器具300は、フライトチューブ310と、リフレクトロンレンズ330と、検出器320とを有するリフレクトロンアナライザー350を含んでいる。フライトチューブ310は、検出器320が配置された第一の入口端315と、リフレクトロンレンズ330が配置された第二のリフレクトロン端317とを有している。イオンは、線形型器具と同様に入口端315の所でフライトチューブ310内に導入される。然し、イオンは、フライトチューブ310の反対側の第二の端317の所で検出されるというよりはむしろ、リフレクトロンレンズ330によってフライトチューブ310の入口端315の方向へ転向させられて、そこで検出される。図3に示したように、イオンは、実際にフライトチューブ310の長さの2倍である経路Pに沿って移動する。
レンズ軸に沿ってリフレクトロンレンズ330によって作り出される電場グラジエント(electric field gradient)の作用によってイオンの転向が実行される。フライトチューブ310を通って移動するイオンは、リフレクトロンレンズ330の第一の端部340の所でリフレクトロンレンズ330内に入る。図4に示したレンズ330の一連の金属リング332の各々に別個の高電圧ポテンシャルを印加することにより生じる静電場が、イオンの前進を遅らせ、最終的に、イオンをレンズ330の第一の端部340の方向へ逆戻りさせる。そして、イオンは、レンズ330を出て、フライトチューブ310の第一の端部315の所に位置する検出器320へ導かれる。複数の精密なみがき金属リング332は、それらの間に絶縁スペーサ334を介在させた状態で層となって積み重ねられている。リング332とスペーサ334とはネジ付きロッドで一体に保持されている。このレンズ組立体は、クリーンで塵埃のない環境中で(通常は、手で)注意深く組み立てなければならない何百もの部品を有している。
WileyとMcLarenとの共著「Rec. Sci. Instrum.,26,1150」1950年 Cotter著「Anal. Chem., 1027A」1992年 Wollnik著「Mass Spectrom Rev.,12,89」1993年
しかしながら、多くの別個の部品を有するそのようなレンズ組立体は、組み立てるのに、コストが掛かるばかりでなく、構造が複雑である。更に、イオンの移動方向を反転させるのに必要な静電場グラジエントを生じさせるために、個別の金属リング332を用いるには、各リング332の層の所に分圧器を用いることが必要となる。
従って、技術の現状においては、連続した導電性面を備え、複数の分圧器を用いることなく電場グラジエントを取り入れることのできるリフレクトロンレンズを提供することが技術の進歩につながる。本発明は、構造が簡単で安価に製造することができ、しかも、分圧器を用いる必要のない、リフレクトロンレンズとして用いられる導電性チューブ及び同チューブを用いてイオンビームを転向させる方法を提供することを課題とする。
上述した必要性に応えて、本発明は、リフレクトロンアナライザーで用いられるリフレクトロンレンズを提供するものである。このリフレクトロンレンズは、チューブの長さ方向に沿って強さが変化する電場をチューブの内部に提供するための、チューブの長さ方向に沿って連続した導電性面を備えたチューブを有している。このチューブは、ガラス、特に鉛の如き金属イオンを含んだガラスにより構成されていてもよく、ガラスを還元させて導電性面を形成することができる。本発明の一形態においては、導電性面はチューブの内側面であってもよい。チューブはセラミック材料により構成されていてもよく、導電性面はセラミック材料を被覆するガラスにより構成されていてもよい。
また、本発明は、イオンビームの移動方向を転向させる方法を提供するものである。この方法は、チューブの長さ方向に沿って連続した導電性面を有する誘電体チューブの第一の端部にイオンビームを導入する工程を含んでいる。更に、その方法は、チューブを通る電位を印加してチューブの長さ方向に沿って強さが変化する電場グラジエントをつくり、それにより電場が移動するイオンを転向させてイオンをチューブの第一の端部を介してチューブより外へ出させる工程を含んでいる。
本発明に係るリフレクトロンレンズは、チューブを有し、そのチューブが、チューブの長さ方向に沿って強さが変化する電場をチューブの内部に提供するための連続した導電性面をチューブの長さに沿って有するよう構成されているので、極めて簡単な構造で、安価に製造することができ、しかも、感度と分解能とを向上させることができる。また、本発明に係るイオンビームの方向反転方法は、チューブの長さ方向に沿って連続した導電性面を有する誘電体チューブの第一の端部内にイオンビームを導入し、チューブを通る電位を印加してチューブの長さ方向に沿って強さが変化する電場グラジエントを作り、その電場を介してイオンの移動方向を反転させるようにするものであり、極めて簡単な構成でイオンの移動方向を反転させることができる。
課題を解決するための上述した手段及び発明を実施するための後述する最良の形態については、添付図面を参照することにより明確に理解できるであろう。
図5及び6を参照すると、本発明による静電気リフレクトロンレンズ500,600,650が示されている。特に図5を参照すると、略チューブ状に形成されたリフレクトロンレンズ500が示されている。そのチューブは内側面510と外側面520とを有し、それら面510,520の少なくとも一方は電気的導電性面となっている。茲で用いた用語「導電性面」は、抵抗性面や半導電性面を含む。リフレクトロンレンズ500は、図示されているように、横断面形状が円形の筒状チューブであってもよい。また、リフレクトロンレンズ500は、例えば、楕円形,正方形又は長方形のような円形でない横断面形状を有するものであってもよい。更に、リフレクトロンレンズ500をチューブの長さ方向に沿って一定した横断面形状を有するものとして図示したが、本発明によるリフレクトロンレンズは、チューブの長手方向に沿って横断面形状が変形したものであってもよい。
本発明によるリフレクトロンレンズは、望ましくは、誘電材料,セラミック材料から作ることができる。例えば、リフレクトロンレンズ500はケイ酸鉛ガラスのようなガラスにより構成することができる。本発明のリフレクトロンレンズで用いられる好適なガラスの例としては、アメリカ合衆国、ニューヨーク州、コーニングに住所を有するコーニング グラス ワークス社(Corning Glass Works)製のガラス合成物8161やジェネラル エレクトリック社(General Electric)製のガラス合成物821に加えて、アメリカ合衆国、マサチューセッツ、スターブリッジに住所を有するバーレ エレクトロ−オプティクス インコーポレイテッド社(BURLE Electro−Optics Inc.)製のガラスMCP−10,MCP−12,MCP−9,RGS 7412,RGS 6512及びRGS 6641を挙げることができる。その他アルカリ混合ケイ酸鉛ガラス(alkali doped lead silicate glass)も好適な材料である。更に、非ケイ酸塩ガラスも用いることができる。概して、ガラスチューブに導電性面を形成するためにガラスチューブの少なくとも一面を変化ための処理、例えば、水素還元処理などを施し易い何らかのガラスが本発明において利用するには好適である。ガラスが、ガラスチューブに導電性面を提供することができるように変化させることの可能な少なくとも一つの成分を含んでいる限り、非鉛ガラスも用いることができる。これに代えて、リフレクトロンレンズ500は、ガラス以外の、例えば、セラミック材料にて構成された非ガラスチューブにガラス層を析出させて形成したものであってもよい。そのようなガラス層はリフレクトロンレンズ500の導電性を持たせる面に析出させる。チューブは上述したような単体構造のものに限らず、複数の導電性ガラスリングを積み重ねることにより構成したものであってもよい。
リフレクトロンレンズ500の選択されたガラス面或いはガラス全面をそのガラス面に導電性を持たせるために処理する。一つの望ましい形態においては、リフレクトロンレンズ500の内側面510に水素還元処理を施す。この処理においては、ガラス中の酸化鉛のような金属酸化物を化学的に還元させて半導電性形態にさせる。アルカリ混合ケイ酸鉛ガラス導電性面を形成するために用いられる水素還元処理は、例えば、1971年版ACTA Electronica(14巻、第1号、41〜77頁)中で発表された記事にトラップ(Trap(HJL))によって述べられている。還元処理のパラメータを変えることによって電気的導電性を変えることができる。
水素還元処理は、ガラスチューブを純粋水素或いは水素と酸素とのコントロールされた混合物を通じて清浄された閉塞炉内にガラスチューブを入れる工程を含んでいる。温度を典型的には毎分1〜3℃の割合で徐々に高める。約250℃で開始した時に、ガラス中の酸化鉛のような金属酸化物が導電性状態に変化する(還元する)という化学反応がガラス中で起こる。この反応は、典型的には、その表面の最初の数百オングストロームで起こる。継続加熱し、水素に暴露させることにより、より還元された金属酸化物が生成され、それはリフレクトロンレンズ500に沿って抵抗性をより低下させる。温度、時間、圧力及びガス量は、全て、導電性面の抵抗性を所望の応用に適合させるために用いられる。浸漬温度(soak temperature)は、金属酸化物を還元させるために十分高く選択する。最大浸漬温度は、ガラスのサグポイント(sag point)以下に選択する。必要ならば、導電性面の不必要な部分を化学的又は機械的手段で取り除くことができる。
操作中に、リフレクトロンレンズ500の端から端を通る電圧が印加される。リフレクトロンレンズ500の導電性内側面510がリフレクトロンレンズ500の長さ方向の軸に沿って電場グラジエントを発生させる。連続した導電性内側面510によって発生させられる電場グラジエントによって、イオンビームは、従来のリフレクトロンレンズによってもたらされる段階的な方向反転とは対照的に徐々に方向反転させられる。本発明に係るリフレクトロンレンズ500の円滑で、段階的でない作用によってビームの閉じ込め(confinement)を向上させることができ、それにより小さい面積の検出器の使用を可能にする。また、イオンをリフレクトロンレンズに接触させることなくイオンの移動方向を反転させることができる。本発明によるリフレクトロンレンズ500を用いた器具においては、イオンエネルギー分散の減少と向上したイオンビームの閉じ込めにより、感度と質量分解能とが向上する。
図6に示した本発明に係るリフレクトロンレンズ600,650を、BURLE社のMCP−10ガラスから作った。第一のリフレクトロンレンズ600は、長さが9.809cm(3.862インチ)、内径が6.096cm(2.40インチ)、外径が7.422cm(2.922インチ)の寸法を有している。第二のリフレクトロンレンズ650は、長さが15.875cm(6.250インチ)、内径が3.048cm(1.200インチ)、外径が4.153cm(1.635インチ)の寸法を有している。
リフレクトロンレンズ600,650を34psiの圧力と40 l/mの水素流量の水素雰囲気中に置いた。リフレクトロンレンズ600,650を次のスケジュールに従って水素雰囲気中で加熱した。温度を3時間以上室温から200℃まで徐々に上昇させた。次に、温度を1時間以上300℃まで徐々に上げて、次に、12時間30分以上445℃まで上昇させた。そのチューブを3時間445℃に維持した。第一のリフレクトロンレンズ600の端から端の測定された抵抗は、2.9×10オームで、第二のリフレクトロンレンズ650の端から端の測定された抵抗は、3.0×10オームであった。
本発明のこれらの利点及びその他の利点は、上記した内容から当業者が容易に理解できるであろう。従って、本発明の主要な発明思想から逸脱することなく、上述した実施例に変更や変形を加えてもよいことは当業者なら認識できるであろう。それ故、本発明は、上述した特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載されている発明の範囲及び趣旨内にある変更や変形を含むものと理解すべきである。
線形型飛行時間質量分析器具の概略的な断面図である。 図1に示した器具を通るイオンの経路上の質量に従ったイオンの分布を示した概略図である。 リフレクトロン型飛行時間質量分析器具を示した概略図である。 従来のリフレクトロンレンズの概略的な断面図である。 本発明によるリフレクトロンレンズの概略的な斜視図である。 本発明により組立てられたケイ酸鉛リフレクトロンレンズを示した図である。
符号の説明
500,600,650 リフレクトロンレンズ
510 リフレクトロンレンズの内側面
520 リフレクトロンレンズの外側面

Claims (18)

  1. 金属イオンを含んだガラスチューブと、還元された形態である前記金属イオンを含有して前記チューブの長さ方向に沿って強さが変化する電場を前記チューブの内部に提供するための、前記ガラスチューブの長さ方向に沿って連続した導電性面を提供している前記ガラスチューブの表面領域を含んだリフレクトロンレンズと、
    前記電場を作るために前記チューブを通る電圧ポテンシャルを印加するべく前記チューブの両端に電気的に接続された電圧源を有していることを特徴とするリフレクトロンアナライザー。
  2. 前記導電性面が前記チューブの内側面に形成されている、請求項1に記載のリフレクトロンアナライザー。
  3. 前記チューブのガラスが、ケイ酸鉛ガラスである、請求項1又は2に記載のリフレクトロンアナライザー。
  4. 前記チューブが、円形,楕円形,長方形及び正方形の少なくともいずれか一つの横断面形状を有している、請求項3に記載のリフレクトロンアナライザー。
  5. 前記チューブが、非円形の横断面形状を有している、請求項1〜3のいずれかに記載のリフレクトロンアナライザー。
  6. 前記チューブが、長さ方向に沿って一定した横断面形状を有している、請求項1〜5のいずれかに記載のリフレクトロンアナライザー。
  7. 前記チューブが単体構造のものである、請求項1〜6のいずれかに記載のリフレクトロンアナライザー。
  8. 前記チューブが単一のガラスチューブである、請求項1に記載のリフレクトロンアナライザー。
  9. 前記チューブが、積み重ねられた複数の導電性ガラスリングにて構成されている、請求項1に記載のリフレクトロンアナライザー。
  10. セラミックチューブと、
    金属イオンを含有して前記セラミックチューブ上に形成されたガラス被覆と、
    前記ガラス被覆において、還元された形態である前記金属イオンを含有して前記チューブの長さ方向に沿って強さが変化する電場を前記チューブの内部に提供するための、前記チューブの長さ方向に沿って連続した導電性面を提供している表面領域と、
    前記電場を作るために前記チューブを通る電圧ポテンシャルを印加するべく前記チューブの両端に電気的に接続された電圧源を有していることを特徴とするリフレクトロンアナライザー。
  11. 前記ガラス被覆が、ケイ酸鉛ガラスの被覆である、請求項10に記載のリフレクトロンアナライザー。
  12. 前記チューブが、円形,楕円形,長方形及び正方形の少なくともいずれか一つの横断面形状を有している、請求項11に記載のリフレクトロンアナライザー。
  13. 前記チューブが、非円形の横断面形状を有している、請求項10又は11に記載のリフレクトロンアナライザー。
  14. 前記チューブが、長さ方向に沿って一定した横断面形状を有している、請求項10〜13のいずれかに記載のリフレクトロンアナライザー。
  15. 請求項1〜9の何れかに記載のチューブを用意する工程と、
    前記チューブの第一の端部内にイオンビームを導入する工程と、
    前記チューブを通る電位を印加して前記チューブの長さ方向に沿って強さが変化する電場グラジエントを作り、それによりその電場がイオンの移動方向を反転させて前記チューブの前記第一の端部を介して外へ出させる工程を含んでいることを特徴とするイオンビームの方向反転方法。
  16. 電位を印加する前記工程が、イオンを前記チューブに接触させずに反転させる電場グラジエントを作り出す工程を含んでいる、請求項15に記載のイオンビームの方向反転方法。
  17. 請求項10〜14の何れかに記載のガラス被覆を有するチューブを用意する工程と、
    前記チューブの第一の端部内にイオンビームを導入する工程と、
    前記チューブを通る電位を印加して前記チューブの長さ方向に沿って強さが変化する電場グラジエントを作り、それによりその電場がイオンの移動方向を反転させて前記チューブの前記第一の端部を介して外へ出させる工程を含んでいることを特徴とするイオンビームの方向反転方法。
  18. 電位を印加する前記工程が、イオンを前記チューブに接触させずに反転させる電場グラジエントを作り出す工程を含んでいる、請求項17に記載のイオンビームの方向反転方法。
JP2004080821A 2003-03-19 2004-03-19 リフレクトロンレンズとして用いられる導電性チューブ Expired - Lifetime JP4826871B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US45580103P 2003-03-19 2003-03-19
US60/455,801 2003-03-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004288637A JP2004288637A (ja) 2004-10-14
JP4826871B2 true JP4826871B2 (ja) 2011-11-30

Family

ID=32851062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004080821A Expired - Lifetime JP4826871B2 (ja) 2003-03-19 2004-03-19 リフレクトロンレンズとして用いられる導電性チューブ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7154086B2 (ja)
EP (1) EP1465232B1 (ja)
JP (1) JP4826871B2 (ja)
CA (1) CA2460757C (ja)
IL (1) IL160873A (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7081618B2 (en) * 2004-03-24 2006-07-25 Burle Technologies, Inc. Use of conductive glass tubes to create electric fields in ion mobility spectrometers
US20080073516A1 (en) * 2006-03-10 2008-03-27 Laprade Bruce N Resistive glass structures used to shape electric fields in analytical instruments
US8314404B2 (en) * 2009-09-18 2012-11-20 Fei Company Distributed ion source acceleration column
US8704173B2 (en) * 2009-10-14 2014-04-22 Bruker Daltonik Gmbh Ion cyclotron resonance measuring cells with harmonic trapping potential
US8410442B2 (en) 2010-10-05 2013-04-02 Nathaniel S. Hankel Detector tube stack with integrated electron scrub system and method of manufacturing the same
FR2971360B1 (fr) 2011-02-07 2014-05-16 Commissariat Energie Atomique Micro-reflectron pour spectrometre de masse a temps de vol
US8841609B2 (en) 2012-10-26 2014-09-23 Autoclear LLC Detection apparatus and methods utilizing ion mobility spectrometry
US9355832B2 (en) 2013-05-30 2016-05-31 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Reflectrons and methods of producing and using them
WO2014194172A2 (en) 2013-05-31 2014-12-04 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Time of flight tubes and methods of using them
WO2014197341A2 (en) 2013-06-02 2014-12-11 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Collision cells and methods using them
US9355831B2 (en) 2013-06-03 2016-05-31 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Ion guide or filters with selected gas conductance
JP6231219B2 (ja) 2013-12-24 2017-11-15 ウオーターズ・テクノロジーズ・コーポレイシヨン 電気的に接地された電気スプレーための大気インターフェース
US9362098B2 (en) 2013-12-24 2016-06-07 Waters Technologies Corporation Ion optical element

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2841729A (en) * 1955-09-01 1958-07-01 Bendix Aviat Corp Magnetic electron multiplier
NL293495A (ja) * 1962-06-04
US4073989A (en) * 1964-01-17 1978-02-14 Horizons Incorporated Continuous channel electron beam multiplier
US3488509A (en) * 1964-12-07 1970-01-06 Bendix Corp Particle acceleration having low electron gain
GB1081829A (en) * 1965-03-24 1967-09-06 Csf Electron multipliers
US3519870A (en) * 1967-05-18 1970-07-07 Xerox Corp Spiraled strip material having parallel grooves forming plurality of electron multiplier channels
FR2040610A5 (ja) * 1969-04-04 1971-01-22 Labo Electronique Physique
US3675063A (en) * 1970-01-02 1972-07-04 Stanford Research Inst High current continuous dynode electron multiplier
US3634712A (en) * 1970-03-16 1972-01-11 Itt Channel-type electron multiplier for use with display device
US3911167A (en) * 1970-05-01 1975-10-07 Texas Instruments Inc Electron multiplier and method of making same
US3914517A (en) * 1971-02-23 1975-10-21 Owens Illinois Inc Method of forming a conductively coated crystalline glass article and product produced thereby
GB1352733A (en) * 1971-07-08 1974-05-08 Mullard Ltd Electron multipliers
US4095136A (en) * 1971-10-28 1978-06-13 Varian Associates, Inc. Image tube employing a microchannel electron multiplier
USRE31847E (en) * 1973-01-02 1985-03-12 Eastman Kodak Company Apparatus and method for producing images corresponding to patterns of high energy radiation
IL42668A (en) * 1973-07-05 1976-02-29 Seidman A Channel electron multipliers
US3885180A (en) * 1973-07-10 1975-05-20 Us Army Microchannel imaging display device
US4352985A (en) * 1974-01-08 1982-10-05 Martin Frederick W Scanning ion microscope
US3959038A (en) * 1975-04-30 1976-05-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Electron emitter and method of fabrication
US4015159A (en) * 1975-09-15 1977-03-29 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Semiconductor integrated circuit transistor detector array for channel electron multiplier
US4099079A (en) * 1975-10-30 1978-07-04 U.S. Philips Corporation Secondary-emissive layers
JPS6013257B2 (ja) * 1976-02-20 1985-04-05 松下電器産業株式会社 二次電子増倍体およびその製造方法
US4051403A (en) * 1976-08-10 1977-09-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Channel plate multiplier having higher secondary emission coefficient near input
US4236073A (en) * 1977-05-27 1980-11-25 Martin Frederick W Scanning ion microscope
FR2399733A1 (fr) * 1977-08-05 1979-03-02 Labo Electronique Physique Dispositif de detection et localisation d'evenements photoniques ou particulaires
FR2434480A1 (fr) * 1978-08-21 1980-03-21 Labo Electronique Physique Dispositif multiplicateur d'electrons a galettes de microcanaux antiretour optique pour tube intensificateur d'images
CA1121858A (en) 1978-10-13 1982-04-13 Jean-Denis Carette Electron multiplier device
US4390784A (en) * 1979-10-01 1983-06-28 The Bendix Corporation One piece ion accelerator for ion mobility detector cells
US4454422A (en) * 1982-01-27 1984-06-12 Siemens Gammasonics, Inc. Radiation detector assembly for generating a two-dimensional image
EP0098318B1 (de) * 1982-07-03 1987-02-11 Ibm Deutschland Gmbh Verfahren zum Herstellen von Gräben mit im wesentlichen vertikalen Seitenwänden in Silicium durch reaktives Ionenätzen
DE3332995A1 (de) * 1983-07-14 1985-01-24 Nippon Sheet Glass Co. Ltd., Osaka Verfahren zum herstellen einer siliciumdioxidbeschichtung
US4659429A (en) * 1983-08-03 1987-04-21 Cornell Research Foundation, Inc. Method and apparatus for production and use of nanometer scale light beams
DE3337227A1 (de) * 1983-10-13 1985-04-25 Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH Darmstadt, 6100 Darmstadt Verfahren zum bestimmen des durchmessers von mikroloechern
US4577133A (en) * 1983-10-27 1986-03-18 Wilson Ronald E Flat panel display and method of manufacture
DE3408848A1 (de) * 1984-03-10 1985-09-19 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zur herstellung von vielkanalplatten
US4624736A (en) * 1984-07-24 1986-11-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser/plasma chemical processing of substrates
US4558144A (en) * 1984-10-19 1985-12-10 Corning Glass Works Volatile metal complexes
US4624739A (en) * 1985-08-09 1986-11-25 International Business Machines Corporation Process using dry etchant to avoid mask-and-etch cycle
US4825118A (en) * 1985-09-06 1989-04-25 Hamamatsu Photonics Kabushiki Kaisha Electron multiplier device
GB2180986B (en) 1985-09-25 1989-08-23 English Electric Valve Co Ltd Image intensifiers
FR2592523A1 (fr) * 1985-12-31 1987-07-03 Hyperelec Sa Element multiplicateur a haute efficacite de collection dispositif multiplicateur comportant cet element multiplicateur, application a un tube photomultiplicateur et procede de realisation
US4780395A (en) * 1986-01-25 1988-10-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Microchannel plate and a method for manufacturing the same
US4786361A (en) * 1986-03-05 1988-11-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Dry etching process
US4802951A (en) * 1986-03-07 1989-02-07 Trustees Of Boston University Method for parallel fabrication of nanometer scale multi-device structures
US4794296A (en) * 1986-03-18 1988-12-27 Optron System, Inc. Charge transfer signal processor
JPS62253785A (ja) * 1986-04-28 1987-11-05 Tokyo Univ 間欠的エツチング方法
US4698129A (en) * 1986-05-01 1987-10-06 Oregon Graduate Center Focused ion beam micromachining of optical surfaces in materials
DE3615519A1 (de) * 1986-05-07 1987-11-12 Siemens Ag Verfahren zum erzeugen von kontaktloechern mit abgeschraegten flanken in zwischenoxidschichten
FR2599557A1 (fr) * 1986-06-03 1987-12-04 Radiotechnique Compelec Plaque multiplicatrice d'electrons a multiplication dirigee, element multiplicateur comprenant ladite plaque, dispositif multiplicateur comportant ledit element et application dudit dispositif a un tube photomultiplicateur
US4693781A (en) * 1986-06-26 1987-09-15 Motorola, Inc. Trench formation process
US4714861A (en) * 1986-10-01 1987-12-22 Galileo Electro-Optics Corp. Higher frequency microchannel plate
US4707218A (en) * 1986-10-28 1987-11-17 International Business Machines Corporation Lithographic image size reduction
US4800263A (en) * 1987-02-17 1989-01-24 Optron Systems, Inc. Completely cross-talk free high spatial resolution 2D bistable light modulation
US4740267A (en) * 1987-02-20 1988-04-26 Hughes Aircraft Company Energy intensive surface reactions using a cluster beam
US4734158A (en) * 1987-03-16 1988-03-29 Hughes Aircraft Company Molecular beam etching system and method
EP0413482B1 (en) * 1989-08-18 1997-03-12 Galileo Electro-Optics Corp. Thin-film continuous dynodes
US5205902A (en) * 1989-08-18 1993-04-27 Galileo Electro-Optics Corporation Method of manufacturing microchannel electron multipliers
US5086248A (en) * 1989-08-18 1992-02-04 Galileo Electro-Optics Corporation Microchannel electron multipliers
US5351332A (en) * 1992-03-18 1994-09-27 Galileo Electro-Optics Corporation Waveguide arrays and method for contrast enhancement
EP0704879A1 (en) * 1994-09-30 1996-04-03 Hewlett-Packard Company Charged particle mirror
JP4118965B2 (ja) * 1995-03-10 2008-07-16 浜松ホトニクス株式会社 マイクロチャネルプレート及び光電子増倍管
US6008491A (en) * 1997-10-15 1999-12-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Time-of-flight SIMS/MSRI reflectron mass analyzer and method
JP2000011947A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Yokogawa Analytical Systems Inc 飛行時間型質量分析装置
JP2003507854A (ja) * 1999-08-16 2003-02-25 ザ ジョンズ ホプキンズ ユニバーシティ 撓みプリント回路ボードを備えるイオンリフレクトロン
AU6137201A (en) * 2000-05-12 2001-11-26 Univ Johns Hopkins Gridless, focusing ion extraction device for a time-of-flight mass spectrometer
US6717135B2 (en) * 2001-10-12 2004-04-06 Agilent Technologies, Inc. Ion mirror for time-of-flight mass spectrometer
US6825474B2 (en) * 2002-02-07 2004-11-30 Agilent Technologies, Inc. Dimensionally stable ion optic component and method of manufacturing
AU2003222212A1 (en) * 2002-02-26 2003-09-09 The Regents Of The University Of California An apparatus and method for using a volume conductive electrode with ion optical elements for a time-of-flight mass spectrometer

Also Published As

Publication number Publication date
IL160873A0 (en) 2004-08-31
US20040183028A1 (en) 2004-09-23
EP1465232A2 (en) 2004-10-06
CA2460757C (en) 2013-01-08
EP1465232B1 (en) 2015-08-12
US7154086B2 (en) 2006-12-26
IL160873A (en) 2011-12-29
EP1465232A3 (en) 2006-03-29
CA2460757A1 (en) 2004-09-19
JP2004288637A (ja) 2004-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1580548B1 (en) Ion mobility spectrometer and method of making an ion mobility spectrometer
JP4826871B2 (ja) リフレクトロンレンズとして用いられる導電性チューブ
RU2660655C2 (ru) Способ управления соотношением разрешающей способности по массе и чувствительности в многоотражательных времяпролетных масс-спектрометрах
US6992284B2 (en) Ion mobility TOF/MALDI/MS using drift cell alternating high and low electrical field regions
Toyoda et al. Multi‐turn time‐of‐flight mass spectrometers with electrostatic sectors
CA2567467C (en) Compact time-of-flight mass spectrometer
US6639213B2 (en) Periodic field focusing ion mobility spectrometer
US7067802B1 (en) Generation of combination of RF and axial DC electric fields in an RF-only multipole
US8084732B2 (en) Resistive glass structures used to shape electric fields in analytical instruments
US9362098B2 (en) Ion optical element
GB2510837A (en) Method of operating a mass filter in mass spectrometry
WO2003073086A1 (en) An apparatus and method for using a volume conductive electrode with ion optical elements for a time-of-flight mass spectrometer
JP6536313B2 (ja) 質量分析装置用部材
BHATIA Development of Magnetic Sector Mass Spectrometers for Isotopic Ratio Analysis

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091110

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100210

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100212

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100215

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110802

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110831

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4826871

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250