JP4826225B2 - 射出成形装置 - Google Patents
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Description
2 弁室
3 弁体
4 材料経路
4a 上流経路
4b 下流経路
5 弁座
6 係止部
7 ソレノイドコイル
8 分岐経路
9 上流開口
10 下流開口
11 可塑化部
12 射出部
16 成形材料
Claims (4)
- 成形材料を可塑化する可塑化部と、この可塑化部にて可塑化された成形材料が供給されこの成形材料の所定量を射出する射出部と、可塑化部から射出部へ供給される成形材料の経路である材料経路と、この材料経路に設けられた逆止弁とを具備し、逆止弁が、材料経路に設けられた弁室と、磁性体材料にて形成され弁室内を進退移動可能であると共に弁室内の可塑化部側に形成された弁座に当接した状態で材料経路を閉止する弁体と、弁体に弁座へ向けて移動する方向の付勢力が付与されるようにこの弁体の周囲に磁界を発生させる磁界発生手段とを備え、
材料経路は弁室と可塑化部とを接続する上流経路及び弁室と射出部とを接続する下流経路を有し、上流経路は弁室側で二以上の分岐経路に分岐し、各分岐経路が弁座で開口する上流開口にて弁室に接続され、下流経路は弁室の弁座とは反対側の係止部で開口する下流開口にて弁室に接続され、
弁体は弁室の内周面の全周に亘って摺接すると共に内部に弁座側と係止部側に向けてそれぞれ開口する貫通経路を有し、且つ弁座に当接した状態と係止部に当接した状態との間で移動可能に形成され、係止部に当接した状態では貫通経路と下流開口とが連通し、弁座に当接した状態では上流開口が貫通経路の周囲に配置されてこの上流開口が弁体にて閉塞されるものであることを特徴とする射出成形装置。 - 磁界発生手段がソレノイドコイルであることを特徴とする請求項1に記載の射出成形装置。
- 逆止弁を、弁室の形成位置で分割可能に形成して成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の射出成形装置。
- 磁界発生手段が、発生する磁界の向きを切り換えることで弁体に弁座へ向けて移動する方向の付勢力が付与される状態と、弁体に弁座から離れる方向に移動する方向の付勢力が付与される状態とに切り換え可能なものであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の射出成形装置。
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