JP4820074B2 - 光源からの放射線のための収束装置 - Google Patents
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Description
コレクターミラーが、これの形状が、楕円群、双曲線群もしくは放物線群のような共焦点曲線群(isofocal family of curves)に従って設定されるように、装着もしくは構成する第1のデザイン上の解決が本発明に係れば提案されている。“共 (isofacal)”焦点曲線群により意味されることは、源、即ち、第1の焦点と第2の焦点との間の間隔(spacing)が変化しないことである。楕円群のみが、簡単にするために、以下に説明される。楕円の共焦点群は、源をこの源の固定された像(fixed image) に投影する。このコレクターミラーが、共焦点曲線群に従って加熱のもとで成形されていれば、これの光学特性は、一定に維持される。このことは、コレクターミラーを冷却するか、高い経費をかけて一定の温度に維持する必要性をなくすことを意味するが、熱によるコレクターミラーの形状の変化は、選択された光学特性が変化しないで維持されるように、生じることも意味する。
もし、一方で、目的が、コレクターミラーの変位もしくは変化によって、通常は無視し得る倍率の変化を避けるとこであれば、光源とこの光源の結像面との間の間隔は、第2の解決策に従って変えられなければならない。これは、例えば、能動的(actively)にか、受動的な熱膨張(passive thermal expansion)によりなされ得る。偏心率γもしくは円錐定数Kは、倍率を有するコレクターミラーに対して一定に維持されなければならない。そして、頂点曲率P=Rは、線形的に変化しなければならない。この解決は、臨界照明をするシステムにとって、ある環境のもとでは、有効である。なぜなら、光源の像は、レチクルで同じサイズを維持するからである。
p=セミパラメーター
2e=焦点間隔
s0=源からコレクターミラーの頂点までの距離
a0=e+S0並びにS(dT=0)=S0
である。
s=a−e
α=使用される材料の線膨張係数
ε=楕円の偏心率
γ2=第2の焦点とコレクターミラーとの間のアパーチャ角
を適用している。
図2に示されるように、焦点間隔2eは、変わらずに維持され、角度γ2がγ2’に変化し、S0がS(dT)に変化するのみである。
コレクターミラー1は、加熱される際、これが共焦点であるかあるいは倍率を維持する形で機能するように、設定の必要条件に従ってデザインされている。このことは、形状の特有の変化が、この形状がこれに応じて変化するような方法で成されることを意味する。多々のデザインの改良が、この成形を果すために、可能である。かくして、図4乃至図9を参照して概略的に以下で説明されている典型的な実施形態は、例としてのみ考慮されるのがよい。これらは、共焦点コレクターミラー1に関する。コレクターミラー1の適当なデザイン構造と、これの吊り下げと、適当な場合はこれの冷却とを考えると、コレクターミラー1の形状の変化は同様に起こるが、これは、特に望ましい特有の光学特性が、そのまま維持されるように起こるというのが、実際のところである。
改善の原則が、図8に示されており、逆の動きが果される。この場合、同様に、ストラット18は、周囲に渡って設けられ、z軸8とコレクターミラー1の外周との間に位置され、同様に、夫々に関節部(支点)19を介してコレクターミラー1に一端で接続され、また、他端で支点20に取着されている。
コレクターミラー1の支持部の型は、図9の原則に示されている。支持部は、平行四辺形21を介し、マウント10を用いて機能する。
また、適当な場合は、更なる冷却装置を付加的に設置することが可能である。この冷却装置は、図4の原則に参照符号“22”で示されている。特にレーザープラズマ源が使用されている際、コレクターミラー1は周囲に渡って分配され不均一に加熱されるので、冷却ダクト22は、全体的に見て、コレクターミラー1において少なくとも大部分に均一な温度がもたらされるように局所的な冷却が果されるような方法で、配置されている。
温度が上昇する際、また、コレクターミラー1の変位は、倍率に変化を生じさせる。しかし、これは、ほんの僅かの変化である。
Claims (30)
- マウントにより支持され、光源からの光を虚像もしくは実像で焦点に集めるコレクターミラーを具備し、このコレクターミラーは、このコレクターミラーが光軸に少なくとも垂直に変位され得るように、支持体により前記マウント内で調節もしくは変位可能である、光源からの放射線のための集束装置であって、
前記コレクターミラー(1)は、互いに径方向に配設された複数の環状のシェル(23)を備えた光透過システムに従って、シェルコレクター(1’)としてデザインされており、
前記環状のシェル(23)は、マウントリング(24)としてデザインされたマウントに、前記マウントの径方向の補強リブ(26)内の支持体(29)に接続されて、かつ前記補強リブ(26)がマウントリング(24)に接続される領域に設けられた切欠部(28)を介して夫々支持されており、
前記環状のシェル(23)は、夫々、支持体(29)の中に突出した夫々の端部が、光軸(35)に垂直な方向に変位可能な支持部(34)の中で保持されている、
集束装置。 - 前記変位は、前記支持体の領域内でなされる請求項1の装置。
- 複数の支持体(29)が、マウントリング(24)の補強リブ(26)に、周方向に渡って配設かつ分布されている請求項1もしくは2の装置。
- 前記コレクターミラー(1)の支持体(29)には、光軸に対して垂直なコレクターミラー(1)の動きを果たさせる部材(30,34’,37,38,39,40,41)が設けられている請求項1ないし3のいずれか1の装置。
- 前記部材は、能動的な調節ユニット(34’,40,41)としてデザインされている請求項4の装置。
- 前記環状のシェル(23)は、各々が、前記マウントリング(24)の一側に支持されており、また、前記マウントリング(24)に接続されていない一端部で、光軸の方向に各々が変位可能である請求項1ないし5のいずれか1の装置。
- 前記環状のシェル(23)は、前記光源からそれた側で前記マウントリング(24)に支持されている請求項6の装置。
- 前記支持体(29)は、前記光軸(35)に平行に位置されており、この支持体(29)のサイズは、支持体(29)により支持されている環状のシェル(23)が光軸(35)に垂直な方向に変位可能なような大きさとなるように、前記光軸(35)に垂直な方向が選定されている請求項1ないし7のいずれか1の装置。
- 前記切欠部(28)は、前記マウントリング(24)の周方向に延びているスロットとしてデザインされている請求項1ないし8のいずれか1の装置。
- 前記スロット(28)の長さは、前記補強リブ(26)の厚さの複数倍に相当している請求項9の装置。
- 前記支持部(34)には、光軸に対して垂直な環状のシェル(23)の動きを果たさせる部材(30,34’,37,38,39,40,41)が設けられている請求項1ないし10のいずれか1の装置。
- 平行四辺形体(30)が、前記部材として設けられており、この平行四辺形体(30)の一端部は、前記支持部(34)に接続されており、また、平行四辺形体(30)の他端部は、補強リブ(26)の領域内で前記マウントリング(24)に接続されている請求項11の装置。
- 前記支持部(34)と平行四辺形体(30)とは一体的なデザインである請求項12の装置。
- 前記支持部(34)と、平行四辺形体(30)と、補強リブ(26)を備えたマウントリング(24)とは、一体的なデザインである請求項13の装置。
- 前記部材は、前記支持部(34)に接続されたガイド(37)を備えた線形ガイドであり、このガイド(37)は、前記支持部(34)に接続されており、また、このガイド(37)は、前記マウントリング(24)内に支持された支持ピン(38)もしくは線形ガイドに沿って線形的に変位可能である請求項11の装置。
- 前記環状のシェル(23)に形成された複数の切欠部(40)によって、これら環状のシェル(23)は、前記マウントリング(24)との接続点において、板ばね(39)を形成しており、これら板ばねによって、環状のシェル(23)は、マウントリング(24)に接続されている請求項11の装置。
- 2つの前記切欠部(40)が、光軸と平行に延びるようにして互いに離間して配設されており、これら切欠部間で、前記板ばね(39) は、環状のシェル(23)に設けられている請求項16の装置。
- 板ばね(39)を形成する目的で、各支持体(29)には、光軸(35)に平行な切欠部と、周方向に延びた切欠部とが形成されている請求項16の装置。
- 前記環状のシェル(23)をマウントリング(24)に接続する目的で、環状のシェル(23)の外周に装着され、夫々が環状のシェル(23)に一端部で接続され、夫々がマウントリング(24)に他端部で接続された複数の板ばね(39)が、マウントリング(24)に設けられている請求項11の装置。
- 前記支持体(29)には、能動的な調節ユニット(34’,40,41)が設けられている請求項1ないし19のいずれか1の装置。
- 前記調節ユニット(40,41)は、長さが可変なようにデザインされたピエゾ素子、電気もしくは電磁調節ユニット、液圧もしくは気圧ユニット、または、プランジャーを含んでいる請求項5もしくは20の装置。
- 前記支持部(34)は、熱アクチュエータとしてデザインされているか、熱アクチュエータ(34’)が設けられており、この熱アクチュエータは、前記環状のシェル(23)が、温度変化のときに、光軸(35)に垂直な方向への変位を果たすように、これの長さと関連して、材料と熱膨張係数とを参照して予め設定されている請求項1ないし21のいずれか1の装置。
- 前記熱アクチュエータは、前記支持部(34)に作用する別の部分(34’)としてデザインされている請求項22の装置。
- 光源と、マウントにより支持され、光源からの光を虚像もしくは実像で焦点に集めるコレクターミラーを具備する、半導体リソグラフィでの照明システムを有する露光装置であって、前記コレクターミラー(1)は、このコレクターミラー(1)が光軸に少なくとも垂直に変位され得るように、支持体(29)により前記マウント(10,24)内で調節もしくは変位可能であり、
前記コレクターミラーは、互いに径方向に配設された複数の環状のシェルを備えた光透過システムに従って、シェルコレクターとしてデザインされており、
前記環状のシェル(23)は、マウントリング(24)としてデザインされたマウントに、前記マウントの径方向の補強リブ(26)内の支持体(29)に接続されて、かつ前記補強リブ(26)がマウントリング(24)に接続される領域に設けられた切欠部(28)を介して夫々支持されており、
前記環状のシェル(23)は、夫々、支持体(29)の中に突出した夫々の端部が、光軸(35)に垂直な方向に変位可能な支持部(34)の中で保持されている、
露光装置。 - 前記変位は、この装置の支持体の領域で生じる請求項24の露光装置。
- 前記環状のシェル(23)は、マウントリング(24)の一側に夫々保持されており、光軸(35)の方向にマウントリング(24)からそれた端部で変位可能である請求項24もしくは25の露光装置。
- 前記支持体(29)は、光軸(35)に平行に位置され、これら支持体(29)のサイズは、支持体(29)に保持された前記環状のシェル(23)が、光軸に垂直な方向に変位可能なような大きさとなるように、前記光軸(35)に垂直な方向が選定されている請求項24ないし26のいずれか1の露光装置。
- 前記切欠部(28)は、前記マウントリング(24)の周方向に延びたスロットとしてデザインされている請求項24ないし27のいずれか1の露光装置。
- 前記支持部(34)には、光軸(35)に対して垂直な環状のシェル(23)の動きを果たさせる部材(30,34’,37,38,39,40,41)が設けられている請求項24ないし28のいずれか1の露光装置。
- 前記支持体(29)には、能動的な調節ユニット(34’,40,41)が設けられている請求項24ないし29のいずれか1の露光装置。
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EP2083328B1 (en) * | 2008-01-28 | 2013-06-19 | Media Lario s.r.l. | Grazing incidence collector for laser produced plasma sources |
JP2011528859A (ja) * | 2008-07-21 | 2011-11-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用の光学素子マウント |
DE102008042462B4 (de) * | 2008-09-30 | 2010-11-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Mikrolithographie |
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US8587768B2 (en) | 2010-04-05 | 2013-11-19 | Media Lario S.R.L. | EUV collector system with enhanced EUV radiation collection |
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JP5535108B2 (ja) | 2011-02-18 | 2014-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
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DE102012220465A1 (de) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Kollektor |
US10437009B2 (en) | 2017-05-03 | 2019-10-08 | Semrock, Inc. | Mount for flat optical surface |
Family Cites Families (19)
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---|---|---|---|---|
US1865441A (en) | 1923-08-04 | 1932-07-05 | Wappler Electric Company Inc | Method of and apparatus for controlling the direction of x-rays |
US3806209A (en) * | 1972-03-13 | 1974-04-23 | Laing Nikolaus | Bearing structure |
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US4333446A (en) * | 1980-05-16 | 1982-06-08 | Smyth Aerodynamics, Inc. | Solar concentrator |
US4664488A (en) | 1985-11-21 | 1987-05-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Light reflecting apparatus including a multi-aberration light reflecting surface |
JPS6474502A (en) | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Agency Ind Science Techn | Condenser |
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US5142132A (en) | 1990-11-05 | 1992-08-25 | Litel Instruments | Adaptive optic wafer stepper illumination system |
RU2047875C1 (ru) | 1993-03-30 | 1995-11-10 | Научно-производственная фирма "МГМ" | Устройство для светолучевой обработки |
JPH08101299A (ja) | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 集光光学装置 |
JPH08148407A (ja) | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nikon Corp | 照明光学装置 |
US5684566A (en) | 1995-05-24 | 1997-11-04 | Svg Lithography Systems, Inc. | Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements |
US6566667B1 (en) * | 1997-05-12 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
US6381387B1 (en) | 2000-08-02 | 2002-04-30 | Networks Photonics, Inc. | Athermalization of a wavelength routing element |
DE10045265A1 (de) | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Zeiss Carl | Vorrichtung zum Bündeln der Strahlung einer Lichtquelle |
DE10138284A1 (de) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit genesteten Kollektoren |
DE10208854A1 (de) * | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Beleuchtungssystem mit genestetem Kollektor zur annularen Ausleuchtung einer Austrittspupille |
KR100958765B1 (ko) * | 2002-12-19 | 2010-05-18 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 향상된 집광기 광학계를 구비하는 조명 시스템 |
TWI275325B (en) * | 2003-03-08 | 2007-03-01 | Cymer Inc | Discharge produced plasma EUV light source |
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