JP4814573B2 - 置換又は無置換の飽和炭化水素の製造方法 - Google Patents
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[1] 式(1):
X1Y1
(式中、X1は、直鎖又は分枝状である置換又は無置換の飽和炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素数は1〜18の範囲にある;Y1はH、F、Cl、Br、又はIから選択される)
で表される化合物、及び
式(2):
で表される化合物を、撹拌及び光照射下で反応させ、式(3):
で表される化合物を得る工程を含む、式(3)の化合物の製造方法。
[2] 撹拌され光照射されている、式(1)で表される化合物を含む液体に、式(2)で表される化合物を含む気体を接触させることによって、式(1)の化合物及び式(2)の化合物を反応させ、式(3)で表される化合物を得る工程を含む、式(3)の化合物の製造方法。
[3] 式(1)の化合物及び式(2)の化合物の反応が、N2、He、Ne、Ar、Xe、CF4、C2F6、C3F8、C4F10、SF6、又はそれらの組み合わせを含む気体の存在下で行われる、[1]又は[2]に記載の方法。
[4] 2.5 ≦ Int1/Q1 ≦300
(Q1は式(1)の化合物の体積(L)、Int1は照射光強度(W)を表す)
の条件を満たす[1]〜[3]の何れかに記載の製造方法。
[5] 撹拌され光照射されている式(2)で表される化合物を含む気体に、式(1)で表される化合物を噴霧することによって、式(1)の化合物と式(2)の化合物を反応させ、式(3)で表される化合物を得る工程を含む、式(3)の化合物の製造方法。
[6] 式(2)の化合物を含む気体が、N2、He、Ne、Ar、Xe、CF4、C2F6、C3F8、C4F10、SF6、又はその組み合わせをさらに含む、[5]に記載の製造方法。
[7] 式(1)の化合物が、N2、He、Ne、Ar、Xe、CF4、C2F6、C3F8、C4F10、SF6、又はその組み合わせを含む気体とともに噴霧される、[5]又は[6]に記載の製造方法。
[8] 撹拌が回転撹拌及び/又は循環撹拌によって行われる[1]〜[7]の何れかに記載の方法。
[9] 式(1)の化合物が直鎖状である[1]〜[8]の何れかに記載の方法。
[10] Y1がBrである[1]〜[9]の何れかに記載の方法。
[11] 式(1)の化合物の炭素数が2である、[1]〜[10]の何れかに記載の製造方法。
[12] 式(2)のR11、R12、R13、及びR14が独立してH、F、Cl、及びCF3から選択される、[1]〜[11]の何れかに記載の製造方法。
[13] 式(2)の化合物がC2H4、C2HF3、C2H2F2、C2H3F、C2F4、又はC3F6である[1]〜[12]の何れかに記載の製造方法。
[14] 式(3)の化合物の炭素数が3〜20の範囲にある[1]〜[13]の何れかに記載の製造方法。
[15] nが1である[1]〜[14]の何れかに記載の製造方法。
[16] 反応が101kPa〜270kPaの範囲にある圧力で行われる[1]〜[15]の何れかに記載の方法。
[17] 照射光が紫外光である[1]〜[16]の何れかに記載の方法。
X1Y1
(式中、X1は、直鎖又は分枝状である置換又は無置換の飽和炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素数は1〜18の範囲にある;Y1はH、F、Cl、Br、又はIから選択される)
で表される、直鎖又は分枝状である置換又は無置換の飽和炭化水素である。
の化合物は、反応条件下で気体であることが好ましい。
−(CF2−CFBr)3−に加え、
−(CF2−CF(CF2CFBr2))−(CF2−CFBr)−も含まれる。
[実施例1]
図1に示す反応装置を用いて反応を行った。この反応装置は、内部にランプ収容部を有するほぼ円筒形の反応器、ランプ、冷却器、及びトラップを含む。更に本実施例で用いた反応器の断面図を図2(A)に、側面図を図2(B)に示す。反応器は1Lの石英ガラス製であり、撹拌装置としてマグネティックスターラー及びポンプを備えた。マグネティックスターラーは反応器の下に設置し、撹拌子は反応器の底部に入れた。ポンプにより、反応器内の液体を鉛直方向に循環させた。この反応器を遮光し、ランプの光のみが反応器内に到達するようにした。
液体の状態にあるBrC2F4Brをマグネティックスターラー及びポンプで撹拌しながら、所定の供給速度でC2F4を吹き込み、光照射下で、25〜50℃において8時間反応を行った。マグネティックスターラーの撹拌速度は120〜500rpmとし、光源には30W低圧水銀灯(水銀蒸気圧:1Torr以下、照射光の強度(主に254nmの紫外線):12W)を用いた。反応の間、光照射、撹拌、及びC2F4の供給を継続した。本実施例で、式(1)の化合物の容積(Q1)は0.427Lであり、照射光の強度(Int1)は12Wであるため、Int1/Q1は28.1となる。
[実施例2〜4]
Br(CF2)2Brの仕込み量及び/又は反応時間を表1に記載の通りに変更し、実施例1と同様に反応を行った。C2F4供給速度は実施例1と同じ値に設定した。その結果を表1に示す。
[実施例5〜6]
C2F4をN2と混合して供給した点を除き、実施例1と同様に反応を行った。N2:C2F4の体積比は75:25とし、C2F4の供給速度は実施例1と同じ値とした。結果を表2に示す。
[実施例7〜9]
C2F4をN2及びSF6と、又はAr及びCF4と混合して供給した点を除き、実施例1と同様に反応を行った。実施例7〜9におけるC2F4:N2:CF4、C2F4:N2:SF6及びC2F4:Ar:CF4の体積比は何れも75:20:5とした。C2F4の供給速度は実施例1と同じ値とした。結果を表2に示す。
[実施例10]
実施例1に対してBr(CF2)2Br仕込量を1901gにし、C2F4の供給速度を2倍にして反応を行った。結果を表3に示す。
実施例5に対してBr(CF2)2Br仕込量を1901gにし、C2F4の供給速度を2倍にして反応を行った。結果を表3に示す。
[実施例12]
光源に60W低圧水銀灯を用いた点を除き、実施例1と同様に反応を行った。結果を表3に示す。
[実施例13]
マグネティックスターラーによる混合のみを行い、ポンプを稼働しなかった点を除き、実施例1と同様に反応を行った。結果を表4に示す。
[比較例1]
撹拌を行わなかった点を除き、実施例1と同様に反応を行った。結果を表4に示す。
[比較例2]
撹拌を行わなかった点を除き、実施例11と同様に反応を行った。結果を表4に示す。
Claims (9)
- 液体のBrC 2 F 4 Brを、撹拌及び光照射下でC 2 F 4 と反応させる工程を含む、Br(CF 2 ) 4 Brの製造方法。
- 撹拌され光照射されている液体のBrC 2 F 4 Brに、C 2 F 4 を含む気体を接触させることによって、BrC 2 F 4 Br及びC 2 F 4 を反応させる工程を含む、Br(CF 2 ) 4 Brの製造方法。
- BrC 2 F 4 Br及びC 2 F 4 の反応が、N2、He、Ne、Ar、Xe、CF4、C2F6、C3F8、C4F10、SF6、又はそれらの組み合わせを含む気体の存在下で行われる、請求項1又は2に記載の方法。
- 2.5 ≦ Int1/Q1 ≦300
(Q1はBrC 2 F 4 Brの体積(L)、Int1は照射光強度(W)を表す)
の条件を満たす請求項1〜3の何れかに記載の製造方法。 - 撹拌が回転撹拌及び/又は循環撹拌によって行われる請求項1〜4の何れかに記載の方法。
- 撹拌が回転撹拌及び循環撹拌によって行われる請求項5に記載の方法。
- 反応が101kPa〜270kPaの範囲にある圧力で行われる請求項1〜6の何れかに記載の方法。
- 照射光が紫外光である請求項1〜7の何れかに記載の方法。
- 反応液が、Br(CF 2 ) 4 Brを主生成物として含み、さらに、Br(CF 2 ) 6 Br、Br(CF 2 ) 8 Br、及びBr(CF 2 ) 10 Brを副生成物として含む、請求項1〜8の何れかに記載の方法。
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