JP4802010B2 - Semiconductor integrated circuit and method for testing semiconductor integrated circuit - Google Patents

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Description

この発明は、動作クロックの異なる複数の半導体回路を有する半導体集積回路および半導体集積回路の試験方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having a plurality of semiconductor circuits having different operation clocks and a method for testing the semiconductor integrated circuit.

近年、半導体集積回路の性能は著しく向上し、大規模化、高集積化、および動作速度の高速化が図られている。動作速度の高速化は、クロック信号の周波数を高くすることにより実現される。特に、半導体デバイスの製造技術の向上により、実動作周波数が数GHzに及ぶ半導体製品が開発されている。   In recent years, the performance of semiconductor integrated circuits has been remarkably improved, and large scale, high integration, and high operation speed have been achieved. The increase in operating speed is realized by increasing the frequency of the clock signal. In particular, semiconductor products having an actual operating frequency of several GHz have been developed by improving semiconductor device manufacturing techniques.

このような高速動作の半導体集積回路の性能を保証するためには、当該半導体集積回路を出荷する前に、実際に使用される実動作周波数と同じ周波数によって動作試験を行うことが必要不可欠である。   In order to guarantee the performance of such a high-speed operation semiconductor integrated circuit, it is indispensable to perform an operation test at the same frequency as the actual operation frequency actually used before shipping the semiconductor integrated circuit. .

半導体集積回路の動作試験を行う技術としては、故障診断をするためのスキャンパス設計となっており、内部クロックと同等の高周波を用いてディレイ・パルス試験を行うことができる半導体集積回路が提案されている(たとえば、下記特許文献1参照。)。   As a technique for performing an operation test of a semiconductor integrated circuit, a scan path design for fault diagnosis has been proposed, and a semiconductor integrated circuit capable of performing a delay pulse test using a high frequency equivalent to an internal clock has been proposed. (For example, see Patent Document 1 below.)

さらに、半導体集積回路の高集積化に伴い、半導体集積回路内に配置される高速で動作する半導体回路の数も増加している。これらの動作速度の異なる複数の半導体回路の動作速度の試験を行う方法として、たとえば、複数のPLL回路を挿入して試験を行う方法が提案されている。   Furthermore, with the high integration of semiconductor integrated circuits, the number of semiconductor circuits that are arranged in the semiconductor integrated circuit and operate at high speed is also increasing. As a method for testing the operation speed of a plurality of semiconductor circuits having different operation speeds, for example, a method of performing a test by inserting a plurality of PLL circuits has been proposed.

図12は、従来の半導体集積回路の動作試験を行う回路について示す説明図である。図12において、各半導体回路1201a〜1201cには、設定回路1202a〜1202cを介してPLL回路1203a〜1203cが接続されている。PLL回路1203a〜1203cは、たとえば、LSIテスタから入力された外部クロックの周波数を試験対象となる半導体回路1201a〜1201cの動作速度と同等の周波数の動作クロックを生成する。図12に示したように、複数のPLL回路1203を備えることにより、動作速度がそれぞれ異なる複数の半導体回路の動作試験を行うことができる(下記非特許文献1を参照。)。   FIG. 12 is an explanatory diagram showing a circuit for performing an operation test of a conventional semiconductor integrated circuit. In FIG. 12, PLL circuits 1203a to 1203c are connected to the respective semiconductor circuits 1201a to 1201c via setting circuits 1202a to 1202c. The PLL circuits 1203a to 1203c, for example, generate an operation clock having a frequency equivalent to the operation speed of the semiconductor circuits 1201a to 1201c to be tested by using the frequency of the external clock input from the LSI tester. As shown in FIG. 12, by providing a plurality of PLL circuits 1203, it is possible to perform an operation test on a plurality of semiconductor circuits having different operation speeds (see Non-Patent Document 1 below).

特開平8−201481号公報JP-A-8-201481 「High−Frequency,At−Speed Scan Testing」、Xijiang Lin,Ron Press,Janusz Rajski,Paul Reuter,Thomas Rinderknecht,Bruce Swanson,and,Nagesh Tamarapalli,IEEE Design & Test of Computers,September−October 2003“High-Frequency, At-Speed Scan Testing”, Xijang Lin, Ron Press, Janusz Rajski, Paul Reuter, Thomas Rinderkech, Bruce Swamp, and,

しかしながら、上述した従来技術では、高速で動作する半導体回路の動作試験を行うためには、当該半導体回路と同数のPLL回路が必要となる。さらに、PLL回路の数に比例して、PLL回路を制御する回路および外部ピンなどが必要となり、部品点数が増大してしまうという問題点があった。さらに、部品点数の増大に伴い、製造コストの増大および半導体集積回路の素子面積が増大するという問題点があった。   However, in the above-described prior art, in order to perform an operation test of a semiconductor circuit that operates at high speed, the same number of PLL circuits as the semiconductor circuit are required. In addition, a circuit for controlling the PLL circuit and external pins are required in proportion to the number of PLL circuits, which increases the number of parts. Furthermore, with the increase in the number of parts, there are problems that the manufacturing cost increases and the element area of the semiconductor integrated circuit increases.

一方、部品点数の削減、半導体集積回路の素子面積の縮小化を図るには、PLL回路を減らすこととなる。そのため、PLL回路が接続されていない半導体回路は、当該半導体回路の動作試験を行うことができず、半導体集積回路の信頼性が損なわれるという問題点があった。   On the other hand, in order to reduce the number of parts and the element area of the semiconductor integrated circuit, the number of PLL circuits is reduced. Therefore, the semiconductor circuit to which the PLL circuit is not connected cannot perform an operation test of the semiconductor circuit, and there is a problem that the reliability of the semiconductor integrated circuit is impaired.

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、部品点数および半導体集積回路の素子面積の縮小化、および半導体集積回路の性能の信頼性を向上することができる半導体集積回路および半導体集積回路の試験方法を提供することを目的とする。   In order to solve the above-described problems caused by the prior art, the present invention provides a semiconductor integrated circuit and a semiconductor integrated circuit capable of reducing the number of components and the element area of the semiconductor integrated circuit and improving the reliability of the performance of the semiconductor integrated circuit. An object is to provide a method for testing a circuit.

上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかる半導体集積回路および半導体集積回路の試験方法は、動作クロックの異なる複数の半導体回路を有する半導体集積回路において、前記複数の半導体回路を、当該複数の半導体回路が動作する動作モードまたは前記複数の半導体回路の動作を試験する試験モードのうちいずれか一方のモードに設定し、前記試験モードに設定された場合、前記複数の半導体回路の中から試験対象となる半導体回路の動作クロックを生成して、前記複数の半導体回路に供給することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, a semiconductor integrated circuit and a semiconductor integrated circuit test method according to the present invention include a plurality of semiconductor circuits having different operation clocks. The operation mode in which the plurality of semiconductor circuits operate or the test mode in which the operation of the plurality of semiconductor circuits is tested is set, and when the test mode is set, An operation clock of a semiconductor circuit to be tested is generated from the inside and supplied to the plurality of semiconductor circuits.

この発明によれば、複数の半導体回路の動作試験に用いる動作クロックの生成元を共有することができる。   According to the present invention, it is possible to share an operation clock generation source used for an operation test of a plurality of semiconductor circuits.

また、上記発明において、前記設定回路によって前記試験モードに設定された場合、前記複数の半導体回路の中から前記試験対象となる半導体回路を選択し、前記試験対象となる半導体回路の動作クロックを生成して、前記試験対象となる半導体回路にのみ供給することとしてもよい。   In the above invention, when the test mode is set by the setting circuit, the test target semiconductor circuit is selected from the plurality of semiconductor circuits, and an operation clock of the test target semiconductor circuit is generated. And it is good also as supplying only to the semiconductor circuit used as the said test object.

この発明によれば、異なる動作クロックにより動作試験が行われることを防ぐことができる。   According to the present invention, it is possible to prevent an operation test from being performed with different operation clocks.

また、上記発明において、前記試験対象となる半導体回路以外の他の半導体回路に、当該他の半導体回路の動作クロック以下のクロックを供給することとしてもよい。   In the above invention, a clock lower than an operation clock of the other semiconductor circuit may be supplied to a semiconductor circuit other than the semiconductor circuit to be tested.

この発明によれば、試験対象となる半導体回路以外の他の半導体回路が不定状態となることを防止し、動作試験への悪影響(例えば Built in self test におけるテスト結果の圧縮が困難にする)を防止することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent other semiconductor circuits other than the semiconductor circuit to be tested from entering an indefinite state, and to adversely affect the operation test (for example, making it difficult to compress the test result in the Built in self test). Can be prevented.

本発明にかかる半導体集積回路および半導体集積回路の試験方法によれば、半導体集積回路の部品点数および素子面積の縮小化、および半導体集積回路の性能の信頼性を向上することができるという効果を奏する。   According to the semiconductor integrated circuit and the semiconductor integrated circuit testing method of the present invention, it is possible to reduce the number of components and the element area of the semiconductor integrated circuit and to improve the reliability of the performance of the semiconductor integrated circuit. .

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体集積回路および半導体集積回路の試験方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。   Exemplary embodiments of a semiconductor integrated circuit and a method for testing a semiconductor integrated circuit according to the present invention will be explained below in detail with reference to the accompanying drawings.

(実施の形態1)
(半導体集積回路の回路構成)
まず、この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の回路構成について説明する。図1は、この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の回路構成について示す説明図である。図1において、半導体集積回路100は、半導体回路101a〜101cと、設定回路102a〜102cと、PLL回路(クロック生成回路)103と、により構成されている。
(Embodiment 1)
(Circuit configuration of semiconductor integrated circuit)
First, the circuit configuration of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is an explanatory diagram showing the circuit configuration of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, a semiconductor integrated circuit 100 includes semiconductor circuits 101a to 101c, setting circuits 102a to 102c, and a PLL circuit (clock generation circuit) 103.

半導体回路101a〜101cは、それぞれ異なる動作速度で動作する回路である。具体的には、たとえば、半導体回路101aの動作速度は533MHz、半導体回路101bの動作速度は400MHz、半導体回路101cの動作速度は300MHzで動作する。   The semiconductor circuits 101a to 101c are circuits that operate at different operation speeds. Specifically, for example, the semiconductor circuit 101a operates at 533 MHz, the semiconductor circuit 101b operates at 400 MHz, and the semiconductor circuit 101c operates at 300 MHz.

設定回路102a〜102cは、複数の半導体回路101a〜101cを、当該複数の半導体回路101a〜101cが動作する動作モードまたは複数の半導体回路101a〜101cの動作を試験する試験モードのうちいずれか一方のモードに設定する。モードの設定は、たとえば、設定回路102aに接続されている入力端子104に、設定回路102aを試験モードに切り替える信号(試験モード信号)が入力された場合、試験モードに設定する。   The setting circuits 102a to 102c are a plurality of semiconductor circuits 101a to 101c that are either one of an operation mode in which the semiconductor circuits 101a to 101c operate or a test mode in which the operation of the semiconductor circuits 101a to 101c is tested. Set to mode. For example, when a signal for switching the setting circuit 102a to the test mode (test mode signal) is input to the input terminal 104 connected to the setting circuit 102a, the mode is set to the test mode.

試験モード信号は、たとえば、LSIテスタを用いて入力することができる。具体的には、LSIテスタから入力端子104に入力された信号が相対的に高いレベル(以下、「1」と表記する)の場合に、試験モードに設定される。また、入力端子104に入力された信号が相対的に低いレベル(以下、「0」と表記する)の場合、動作モードに設定される。   The test mode signal can be input using an LSI tester, for example. Specifically, the test mode is set when the signal input from the LSI tester to the input terminal 104 is at a relatively high level (hereinafter referred to as “1”). When the signal input to the input terminal 104 is at a relatively low level (hereinafter referred to as “0”), the operation mode is set.

モードの設定は、具体的には、たとえば、設定回路102a〜102c内部の回路の接続を切り替えることにより行われる。より具体的には、入力端子104に試験モード信号が入力された場合(試験モード)には、PLL回路103の出力側に接続され、それ以外の場合(動作モード)は、入力端子105a〜105c側に接続される。設定回路102a〜102cには、具体的には、たとえば、セレクタなどを用いることができる。動作モード時あるいは試験モード時の動作については後述する。   Specifically, the mode is set, for example, by switching the connection of the circuits in the setting circuits 102a to 102c. More specifically, when a test mode signal is input to the input terminal 104 (test mode), it is connected to the output side of the PLL circuit 103, and in other cases (operation mode), the input terminals 105a to 105c. Connected to the side. Specifically, for example, a selector or the like can be used for the setting circuits 102a to 102c. The operation in the operation mode or test mode will be described later.

PLL回路103は、設定回路102a〜102cによって試験モードに設定された場合、複数の半導体回路101a〜101cの中から試験対象となる半導体回路101a〜101cの動作クロックを生成して、複数の半導体回路101a〜101cに供給する。具体的には、たとえば、試験対象となる半導体回路101a〜101cが、半導体回路101aである場合、PLL回路103は、周波数が533MHzの動作クロックを生成する。そして、生成した動作クロックを設定回路102a〜102cを介して、半導体回路101a〜101cそれぞれに供給する。   When the setting circuit 102a to 102c sets the test mode, the PLL circuit 103 generates an operation clock for the semiconductor circuits 101a to 101c to be tested from the plurality of semiconductor circuits 101a to 101c, and thereby the plurality of semiconductor circuits 101a to 101c. Specifically, for example, when the semiconductor circuits 101a to 101c to be tested are the semiconductor circuit 101a, the PLL circuit 103 generates an operation clock having a frequency of 533 MHz. Then, the generated operation clock is supplied to each of the semiconductor circuits 101a to 101c via the setting circuits 102a to 102c.

つぎに、上述した半導体集積回路100の動作モード時の動作について説明する。図2は、この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の動作モード時の動作について示す説明図である。図2において、点線の矢印201〜203は、入力端子105a〜105cから入力された外部クロックの流れを示している。動作モード時には、入力端子105a〜105cには、各半導体回路101a〜101cの動作速度と同等の動作クロックが入力される。具体的には、たとえば、入力端子105aには、533MHzの外部クロックが入力される。入力された外部クロックは、設定回路102aを介して半導体回路101aに供給される。   Next, the operation in the operation mode of the semiconductor integrated circuit 100 described above will be described. FIG. 2 is an explanatory diagram showing the operation in the operation mode of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 2, dotted arrows 201 to 203 indicate the flow of the external clock input from the input terminals 105a to 105c. In the operation mode, an operation clock equivalent to the operation speed of each of the semiconductor circuits 101a to 101c is input to the input terminals 105a to 105c. Specifically, for example, an external clock of 533 MHz is input to the input terminal 105a. The input external clock is supplied to the semiconductor circuit 101a through the setting circuit 102a.

つぎに、半導体集積回路100の試験モード時の動作について説明する。図3および図4は、この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の試験モード時の動作について示す説明図である。具体的には、図3は、試験対象となる半導体回路が半導体回路101aの場合(533MHz)であり、図4は、試験対象となる半導体回路が半導体回路105cの場合(300MHz)である。   Next, the operation of the semiconductor integrated circuit 100 in the test mode will be described. 3 and 4 are explanatory diagrams showing the operation in the test mode of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 3 shows the case where the semiconductor circuit to be tested is the semiconductor circuit 101a (533 MHz), and FIG. 4 shows the case where the semiconductor circuit to be tested is the semiconductor circuit 105c (300 MHz).

図3において、点線の矢印301は、PLL回路103から出力された533MHzの動作クロックの流れを示している。LSIテスタから入力端子106に周波数33MHzの外部クロックが入力されると、PLL回路103において、周波数が533MHzの動作クロックが生成される。半導体集積回路100は、動作クロックの生成元が共有されており、生成された動作クロックは、設定回路102a〜102cを介して、半導体回路101a〜101cにそれぞれ供給される。半導体回路101aは、供給された動作クロックにより、動作速度の試験を行う。そして、試験結果をLSIテスタに出力する。   In FIG. 3, a dotted arrow 301 indicates the flow of the 533 MHz operation clock output from the PLL circuit 103. When an external clock having a frequency of 33 MHz is input from the LSI tester to the input terminal 106, the PLL circuit 103 generates an operation clock having a frequency of 533 MHz. The semiconductor integrated circuit 100 shares the generation source of the operation clock, and the generated operation clock is supplied to the semiconductor circuits 101a to 101c via the setting circuits 102a to 102c, respectively. The semiconductor circuit 101a performs an operation speed test using the supplied operation clock. Then, the test result is output to the LSI tester.

図3の例では、半導体回路101a〜101cには、それぞれに533MHzの動作クロックが供給されるが、半導体回路101b、101cは、動作モード時の動作クロックがそれぞれ400MHz、300MHzであり、動作クロックが異なる。そのため、PLL回路103に入力する外部クロックの周波数を変えて、各周波数の動作クロックにより、半導体回路101b、101cの動作試験を行う。   In the example of FIG. 3, an operation clock of 533 MHz is supplied to each of the semiconductor circuits 101a to 101c. However, the operation clocks in the operation mode of the semiconductor circuits 101b and 101c are 400 MHz and 300 MHz, respectively. Different. Therefore, the operation test of the semiconductor circuits 101b and 101c is performed using the operation clock of each frequency while changing the frequency of the external clock input to the PLL circuit 103.

つぎに、試験対象となる半導体回路が101cの場合について、図4を用いて説明する。図4において、点線の矢印401は、PLL回路103から出力された300MHzの動作クロックの流れを示している。LSIテスタから入力端子106に、たとえば、周波数が18MHzの外部クロックが入力されると、PLL回路103で300MHzの動作クロックが生成される。生成された動作クロックは、設定回路102a〜102cを介して、半導体回路101a〜101cにそれぞれ供給される。   Next, the case where the semiconductor circuit to be tested is 101c will be described with reference to FIG. In FIG. 4, a dotted arrow 401 indicates the flow of the 300 MHz operation clock output from the PLL circuit 103. For example, when an external clock having a frequency of 18 MHz is input from the LSI tester to the input terminal 106, the PLL circuit 103 generates an operation clock of 300 MHz. The generated operation clock is supplied to the semiconductor circuits 101a to 101c via the setting circuits 102a to 102c, respectively.

半導体回路101cは、供給された動作クロックにより、動作速度の試験を行う。そして、試験結果をLSIテスタに出力する。さらに、動作クロックを400MHzとして、半導体回路101bの動作試験も行う。   The semiconductor circuit 101c performs an operation speed test using the supplied operation clock. Then, the test result is output to the LSI tester. Further, an operation test of the semiconductor circuit 101b is also performed with an operation clock of 400 MHz.

(半導体集積回路の試験処理手順)
つぎに、この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の試験処理手順について説明する。図5は、この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の試験処理手順について示すフローチャートである。ここでは、半導体回路101aを試験対象の回路として説明する。図5のフローチャートにおいて、まず、試験モード信号が入力されるのを待って、入力された場合(ステップS501:Yes)、設定回路102a〜102cを試験モードに設定する(ステップS502)。
(Semiconductor integrated circuit test procedure)
Next, a test processing procedure for the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a flowchart showing a test processing procedure of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. Here, the semiconductor circuit 101a will be described as a circuit to be tested. In the flowchart of FIG. 5, first, after waiting for a test mode signal to be input (step S501: Yes), the setting circuits 102a to 102c are set to the test mode (step S502).

そして、入力端子106に外部クロックが入力されるのを待って、入力された場合(ステップS503:Yes)、入力された外部クロックに応じた動作クロック(533MHz)を生成する(ステップS504)。つぎに、設定回路102a〜102cを介して、半導体回路101a〜101cに生成された動作クロックを供給する(ステップS505)。そして、試験対象となった半導体回路101aの動作試験を行う(ステップS506)。そして、LSIテスタに試験結果を出力する(ステップS507)。これにより、一連の動作を終了する。   Then, after waiting for an external clock to be input to the input terminal 106 (step S503: Yes), an operation clock (533 MHz) corresponding to the input external clock is generated (step S504). Next, the generated operation clock is supplied to the semiconductor circuits 101a to 101c via the setting circuits 102a to 102c (step S505). Then, an operation test of the semiconductor circuit 101a to be tested is performed (step S506). Then, the test result is output to the LSI tester (step S507). As a result, the series of operations is completed.

半導体回路101aの動作試験が終了したら、半導体回路101b、101cについても同様の処理を行い、動作試験を行う。これらの処理に関しては、ステップS503において、入力されるクロックの周波数と、ステップS504によって生成される動作周波数が異なるのみで、その他の処理は同様のため説明を省略する。   When the operation test of the semiconductor circuit 101a is completed, the same processing is performed on the semiconductor circuits 101b and 101c to perform the operation test. Regarding these processes, in step S503, only the frequency of the input clock and the operation frequency generated in step S504 are different, and the other processes are the same, so the description is omitted.

以上説明したように、実施の形態1にかかる半導体集積回路および半導体集積回路の試験方法によれば、複数の半導体回路の動作試験に用いる動作クロックの生成元を共有することができる。そのため、半導体集積回路の部品点数および素子面積の縮小化を図ることができる。   As described above, according to the semiconductor integrated circuit and the semiconductor integrated circuit testing method according to the first embodiment, it is possible to share the generation source of the operation clock used for the operation test of the plurality of semiconductor circuits. Therefore, the number of parts and the element area of the semiconductor integrated circuit can be reduced.

(実施の形態2)
(半導体集積回路の回路構成)
つぎに、この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の回路構成について説明する。実施の形態1では、試験対象となる半導体回路101a〜101cの動作クロックと同じ周波数の動作クロックを生成し、当該動作クロックを半導体回路101a〜101cそれぞれに供給し、動作試験を行った。
(Embodiment 2)
(Circuit configuration of semiconductor integrated circuit)
Next, a circuit configuration of the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment, an operation clock having the same frequency as the operation clock of the semiconductor circuits 101a to 101c to be tested is generated, the operation clock is supplied to each of the semiconductor circuits 101a to 101c, and an operation test is performed.

実施の形態1の構成では、試験モード時の動作速度よりも周波数の高い動作クロックが入力された半導体回路101(たとえば、101b、101c)は不定状態となり、動作試験に支障をきたすことも考えられる。そのため、実施の形態2では、動作クロックを選択する選択回路を設け、試験対象となる半導体回路101(たとえば、101a)のみに動作クロックを供給し、その他の半導体回路101(たとえば、101b、101c)には、試験モード時の動作速度よりも周波数の低い動作クロックを供給する例である。   In the configuration of the first embodiment, it is considered that the semiconductor circuit 101 (for example, 101b and 101c) to which an operation clock having a frequency higher than the operation speed in the test mode is input is in an indefinite state, which may hinder the operation test. . Therefore, in the second embodiment, a selection circuit for selecting an operation clock is provided, the operation clock is supplied only to the semiconductor circuit 101 (for example, 101a) to be tested, and the other semiconductor circuits 101 (for example, 101b and 101c). In this example, an operation clock having a frequency lower than the operation speed in the test mode is supplied.

図6は、この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の回路構成について示す説明図である。実施の形態1との違いは、デコーダーと選択回路が設けられていることである。図6において、半導体集積回路600は、複数の半導体回路101(101a〜101c)と、複数の設定回路102(102a〜102c)と、PLL回路103と、デコーダー601と複数の選択回路602(602a〜602c)と、によって構成されている。半導体回路101、設定回路102、PLL回路103については、実施の形態1と内容が重複するため、説明を省略する。   FIG. 6 is an explanatory diagram showing the circuit configuration of the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment is that a decoder and a selection circuit are provided. In FIG. 6, a semiconductor integrated circuit 600 includes a plurality of semiconductor circuits 101 (101a to 101c), a plurality of setting circuits 102 (102a to 102c), a PLL circuit 103, a decoder 601 and a plurality of selection circuits 602 (602a to 602a). 602c). Description of the semiconductor circuit 101, the setting circuit 102, and the PLL circuit 103 is omitted because the contents overlap with those in the first embodiment.

選択回路602a〜602cは、設定回路102a〜102cによって試験モードに設定された場合、複数の半導体回路101a〜101cの中から試験対象となる半導体回路101a〜101cを選択する。具体的には、デコーダー601に接続された入力端子603、604aおよび604bに信号を入力し、選択回路602a〜602cにそれぞれ信号を出力する。各入力端子603、604aおよび604bに入力される信号については、後述する。選択回路602a〜602cは、デコーダー601から出力された信号の入力を受け付けて、内部の回路を切り替える。   When the setting circuits 102a to 102c set the test mode, the selection circuits 602a to 602c select the semiconductor circuits 101a to 101c to be tested from the plurality of semiconductor circuits 101a to 101c. Specifically, signals are input to input terminals 603, 604a, and 604b connected to the decoder 601, and signals are output to the selection circuits 602a to 602c, respectively. Signals input to the input terminals 603, 604a, and 604b will be described later. The selection circuits 602a to 602c receive an input of a signal output from the decoder 601 and switch an internal circuit.

つぎに、デコーダー601に入力される、あるいはデコーダー601から出力される信号について説明する。図7−1は、デコーダーに入力される信号と出力される信号の関係について示す説明図である。また、図7−2は、入力および出力端子の対応関係を示す説明図である。図7−1および図7−2において、TM、I1、I2は入力端子であり、O1、O2、O3は、出力端子である。   Next, signals input to the decoder 601 or output from the decoder 601 will be described. FIG. 7A is an explanatory diagram of a relationship between a signal input to the decoder and an output signal. FIG. 7B is an explanatory diagram of a correspondence relationship between input and output terminals. In FIGS. 7A and 7B, TM, I1, and I2 are input terminals, and O1, O2, and O3 are output terminals.

図7−1において、TMに「1」、I1に「0」、I2に「0」がそれぞれ入力された場合、O1に「1」、O2に「0」、O3に「0」が出力される。また、TMに「0」が入力された場合は、半導体集積回路600は動作モードとなり、I1、I2の入力に関係なく(あるいは、I1、I2の入力を受け付けず)O1、O2、O3には、それぞれ「1」が出力される。このTMに入力される信号は、入力端子104に入力される試験モード信号と同様の信号である。   In FIG. 7A, when “1” is input to TM, “0” is input to I1, and “0” is input to I2, “1” is output to O1, “0” is output to O2, and “0” is output to O3. The Further, when “0” is input to TM, the semiconductor integrated circuit 600 enters an operation mode, and regardless of the input of I1 and I2 (or does not accept the input of I1 and I2), O1, O2, and O3 , “1” is output. The signal input to the TM is the same signal as the test mode signal input to the input terminal 104.

つぎに、この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路600の動作モード時の動作について説明する。図8は、この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の動作モード時の動作について示す説明図である。図8において、矢印801〜803は、入力端子105から入力される外部クロックの流れを示している。デコーダー601のTM(入力端子603)に「0」が入力されると、選択回路602a〜602cの回路は、設定回路102の出力側と接続される。   Next, the operation in the operation mode of the semiconductor integrated circuit 600 according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is an explanatory diagram showing the operation in the operation mode of the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 8, arrows 801 to 803 indicate the flow of the external clock input from the input terminal 105. When “0” is input to the TM (input terminal 603) of the decoder 601, the circuits of the selection circuits 602 a to 602 c are connected to the output side of the setting circuit 102.

そして、入力端子105a〜105cから入力された外部クロックは、設定回路102a〜102c、選択回路602a〜602cを介して半導体回路101a〜101cに供給される。選択回路602a〜602cには、具体的には、たとえば、セレクタなどを用いることができる。   The external clock input from the input terminals 105a to 105c is supplied to the semiconductor circuits 101a to 101c via the setting circuits 102a to 102c and the selection circuits 602a to 602c. For example, a selector or the like can be used for the selection circuits 602a to 602c.

つぎに、半導体集積回路600の試験モード時の動作について説明する。図9および図10は、この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の試験モード時の動作について示す説明図である。具体的には、図9は、試験対象となる半導体回路101が半導体回路101aの場合(533MHz)であり、図10は、試験対象となる半導体回路101が半導体回路101cの場合(300MHz)である。   Next, the operation of the semiconductor integrated circuit 600 in the test mode will be described. 9 and 10 are explanatory diagrams showing the operation in the test mode of the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 9 shows the case where the semiconductor circuit 101 to be tested is the semiconductor circuit 101a (533 MHz), and FIG. 10 shows the case where the semiconductor circuit 101 to be tested is the semiconductor circuit 101c (300 MHz). .

図9において、点線の矢印901は、PLL回路103で生成された533MHzの動作クロックの流れを示している。デコーダー601に入力される信号が、TMに「1」、I1に「0」、I2に「0」の場合、半導体集積回路600は、試験モードに設定され、選択回路602aは、設定回路101aと接続される。また、選択回路602b、602cは、入力端子605b、605cにそれぞれ接続される。   In FIG. 9, a dotted arrow 901 indicates the flow of the 533 MHz operation clock generated by the PLL circuit 103. When the signal input to the decoder 601 is “1” for TM, “0” for I1, and “0” for I2, the semiconductor integrated circuit 600 is set to the test mode, and the selection circuit 602a is connected to the setting circuit 101a. Connected. The selection circuits 602b and 602c are connected to input terminals 605b and 605c, respectively.

そして、LSIテスタから入力端子106に、たとえば、周波数が33MHzの外部クロックが入力されると、PLL回路103で533MHzの動作クロックが生成される。生成された動作クロックは、設定回路102a、選択回路602aを介して、半導体回路101aに供給される。このとき、半導体回路101b、101cには、入力端子605b、605cから入力された半導体回路105b、105cの動作速度よりも周波数の低い外部クロックが供給される。これにより、試験対象となる半導体回路以外の他の半導体回路が不定状態となることを防止し、動作試験への悪影響を防止することができる。半導体回路101aは、供給された動作クロックにより、動作速度の試験を行う。そして、試験結果をLSIテスタに出力する。   For example, when an external clock having a frequency of 33 MHz is input from the LSI tester to the input terminal 106, the PLL circuit 103 generates an operation clock of 533 MHz. The generated operation clock is supplied to the semiconductor circuit 101a through the setting circuit 102a and the selection circuit 602a. At this time, an external clock having a frequency lower than the operation speed of the semiconductor circuits 105b and 105c input from the input terminals 605b and 605c is supplied to the semiconductor circuits 101b and 101c. Thereby, it is possible to prevent other semiconductor circuits other than the semiconductor circuit to be tested from entering an indefinite state, and to prevent adverse effects on the operation test. The semiconductor circuit 101a performs an operation speed test using the supplied operation clock. Then, the test result is output to the LSI tester.

つぎに、試験対象となる半導体回路が101cの場合について、図10を用いて説明する。図10において、点線の矢印1001は、PLL回路103から出力された300MHzの動作クロックの流れを示しており、点線の矢印1002、1003は、半導体回路101a、101bに供給される動作クロックの流れを示している。ここで、入力端子605a、605bから入力される動作クロックは、半導体回路101a、101bの動作速度よりも周波数の低い動作クロックが入力される。   Next, the case where the semiconductor circuit to be tested is 101c will be described with reference to FIG. In FIG. 10, a dotted arrow 1001 indicates the flow of the 300 MHz operation clock output from the PLL circuit 103, and dotted arrows 1002 and 1003 indicate the flow of the operation clock supplied to the semiconductor circuits 101a and 101b. Show. Here, the operation clock input from the input terminals 605a and 605b is an operation clock having a frequency lower than the operation speed of the semiconductor circuits 101a and 101b.

LSIテスタから入力端子106に、たとえば、周波数が18MHzの外部クロックが入力されると、PLL回路103で300MHzの動作クロックが生成される。生成された動作クロックは、設定回路102cを介して、半導体回路101cに供給される。このとき、半導体回路101a、101bには、入力端子605a、605bから入力された半導体回路105a、105bの動作速度よりも周波数の低い外部クロックが供給される。これにより、試験対象となる半導体回路以外の他の半導体回路が不定状態となることを防止し、動作試験への悪影響を防止することができる。半導体回路101cは、供給された動作クロックにより、動作速度の試験を行う。そして、試験結果をLSIテスタに出力する。   For example, when an external clock having a frequency of 18 MHz is input from the LSI tester to the input terminal 106, the PLL circuit 103 generates an operation clock of 300 MHz. The generated operation clock is supplied to the semiconductor circuit 101c via the setting circuit 102c. At this time, an external clock having a frequency lower than the operation speed of the semiconductor circuits 105a and 105b input from the input terminals 605a and 605b is supplied to the semiconductor circuits 101a and 101b. Thereby, it is possible to prevent other semiconductor circuits other than the semiconductor circuit to be tested from entering an indefinite state, and to prevent adverse effects on the operation test. The semiconductor circuit 101c performs an operation speed test using the supplied operation clock. Then, the test result is output to the LSI tester.

(半導体集積回路の試験処理手順)
つぎに、この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の試験処理手順について説明する。図11は、この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の試験処理手順について示すフローチャートである。ここでは、半導体回路101aを試験対象の回路として説明する。図11のフローチャートにおいて、まず、試験モード信号が入力されるのを待って、入力された場合(ステップS1101:Yes)、設定回路102を試験モードに設定する(ステップS1102)。
(Semiconductor integrated circuit test procedure)
Next, a test processing procedure for the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 11 is a flowchart showing a test processing procedure of the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. Here, the semiconductor circuit 101a will be described as a circuit to be tested. In the flowchart of FIG. 11, first, after waiting for a test mode signal to be input (step S1101: Yes), the setting circuit 102 is set to the test mode (step S1102).

そして、選択信号が入力されるのを待って、入力された場合(ステップS1103:Yes)、試験対象の半導体回路を選択する(ステップS1104)。ここで、半導体回路の選択は、具体的には、たとえば、選択回路602aの内部回路を設定回路102aの出力側に接続することにより行われる。   Then, after waiting for the selection signal to be input, if it is input (step S1103: Yes), the semiconductor circuit to be tested is selected (step S1104). Here, specifically, the selection of the semiconductor circuit is performed, for example, by connecting the internal circuit of the selection circuit 602a to the output side of the setting circuit 102a.

そして、入力端子106に外部クロックが入力されるのを待って、入力された場合(ステップS1105:Yes)、入力されたクロックに応じた動作クロック(533MHz)を生成する(ステップS1106)。つぎに、選択回路602a〜602cを介して、半導体回路101a〜101cに動作クロックを供給する(ステップS1107)。   Then, after waiting for an external clock to be input to the input terminal 106 (step S1105: Yes), an operation clock (533 MHz) corresponding to the input clock is generated (step S1106). Next, an operation clock is supplied to the semiconductor circuits 101a to 101c via the selection circuits 602a to 602c (step S1107).

ここで、供給される動作クロックは、半導体回路101aには、ステップS1106において生成された動作クロックが供給される。半導体回路101b、101cには、入力端子505b、505cから入力される、当該半導体回路101b、101cよりも周波数の低い動作クロックが供給される。   Here, as the operation clock to be supplied, the operation clock generated in step S1106 is supplied to the semiconductor circuit 101a. The semiconductor circuits 101b and 101c are supplied with an operation clock having a frequency lower than that of the semiconductor circuits 101b and 101c input from the input terminals 505b and 505c.

つぎに、試験対象となった半導体回路101aの動作試験を行う(ステップS1108)。そして、LSIテスタに試験結果を出力する(ステップS1109)。これにより、一連の動作を終了する。   Next, an operation test of the semiconductor circuit 101a to be tested is performed (step S1108). Then, the test result is output to the LSI tester (step S1109). As a result, the series of operations is completed.

半導体回路101aの動作試験が終了したら、デコーダー601の入力を変えて、半導体回路101b、101cについても同様の処理を行い、動作試験を行う。これらの処理に関しては、ステップS1105において、入力されるクロックの周波数と、ステップS1106において生成される動作クロックが異なるのみで、その他の処理は同様のため説明を省略する。   When the operation test of the semiconductor circuit 101a is completed, the input of the decoder 601 is changed, the same processing is performed on the semiconductor circuits 101b and 101c, and the operation test is performed. Regarding these processes, in step S1105, only the frequency of the input clock and the operation clock generated in step S1106 are different.

以上説明したように、実施の形態2にかかる半導体集積回路および半導体集積回路の試験方法によれば、複数の半導体回路の動作試験に用いる動作クロックの生成元を共有することができる。また、試験対象となる半導体回路以外の他の半導体回路が不定状態となることを防止し、動作試験への悪影響を防止することができる。そのため、半導体集積回路の部品点数および素子面積の縮小化、および半導体集積回路の性能の信頼性を向上することができる。   As described above, according to the semiconductor integrated circuit and the semiconductor integrated circuit testing method according to the second embodiment, it is possible to share the generation source of the operation clock used for the operation test of a plurality of semiconductor circuits. In addition, it is possible to prevent other semiconductor circuits other than the semiconductor circuit to be tested from entering an indefinite state, and to prevent adverse effects on the operation test. Therefore, the number of components and the element area of the semiconductor integrated circuit can be reduced, and the performance reliability of the semiconductor integrated circuit can be improved.

なお、いずれの実施の形態1および2においても、PLL回路が1つの場合を例として説明したが、PLL回路の数は、試験対象となる半導体回路の数よりも少なければ複数であってもよい。   In each of the first and second embodiments, the case where there is one PLL circuit has been described as an example. However, the number of PLL circuits may be plural as long as it is smaller than the number of semiconductor circuits to be tested. .

(付記1)動作クロックの異なる複数の半導体回路を有する半導体集積回路において、
前記複数の半導体回路を、当該複数の半導体回路が動作する動作モードまたは前記複数の半導体回路の動作を試験する試験モードのうちいずれか一方のモードに設定する設定回路と、
前記設定回路によって前記試験モードに設定された場合、前記複数の半導体回路の中から試験対象となる半導体回路の動作クロックを生成して、前記複数の半導体回路に供給するクロック生成回路と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路。
(Appendix 1) In a semiconductor integrated circuit having a plurality of semiconductor circuits having different operation clocks,
A setting circuit for setting the plurality of semiconductor circuits to an operation mode in which the plurality of semiconductor circuits operate or a test mode for testing the operation of the plurality of semiconductor circuits;
A clock generation circuit that generates an operation clock of a semiconductor circuit to be tested from the plurality of semiconductor circuits and supplies the operation clock to the plurality of semiconductor circuits when the test mode is set by the setting circuit;
A semiconductor integrated circuit comprising:

(付記2)前記設定回路によって前記試験モードに設定された場合、前記複数の半導体回路の中から前記試験対象となる半導体回路を選択する選択回路を備え、
前記クロック生成回路は、
前記試験対象となる半導体回路の動作クロックを生成して、前記試験対象となる半導体回路にのみ供給することを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路。
(Supplementary Note 2) When the test mode is set by the setting circuit, the selection circuit includes a selection circuit that selects the semiconductor circuit to be tested from the plurality of semiconductor circuits,
The clock generation circuit includes:
The semiconductor integrated circuit according to appendix 1, wherein an operation clock of the semiconductor circuit to be tested is generated and supplied only to the semiconductor circuit to be tested.

(付記3)前記試験対象となる半導体回路以外の他の半導体回路に、当該他の半導体回路の動作クロック以下のクロックを供給することを特徴とする付記1または2に記載の半導体集積回路。 (Supplementary note 3) The semiconductor integrated circuit according to supplementary note 1 or 2, wherein a clock lower than an operation clock of the other semiconductor circuit is supplied to a semiconductor circuit other than the semiconductor circuit to be tested.

(付記4)前記クロック生成回路は、PLL回路であることを特徴とする付記1〜3のいずれか一つに記載の半導体集積回路。 (Supplementary note 4) The semiconductor integrated circuit according to any one of supplementary notes 1 to 3, wherein the clock generation circuit is a PLL circuit.

(付記5)前記クロック生成回路の数は、前記半導体回路の数よりも少ないことを特徴とする付記1〜4のいずれか一つに記載の半導体集積回路。 (Supplementary note 5) The semiconductor integrated circuit according to any one of supplementary notes 1 to 4, wherein the number of the clock generation circuits is smaller than the number of the semiconductor circuits.

(付記6)半導体集積回路内の動作クロックの異なる複数の半導体回路を試験する半導体集積回路の試験方法であって、
前記複数の半導体回路を、当該複数の半導体回路の動作を試験する試験モードに設定する設定工程と、
前記設定工程によって前記試験モードに設定された場合、前記複数の半導体回路の中から試験対象となる半導体回路の動作クロックを生成して、前記複数の半導体回路に供給する供給工程と、
を含んだことを特徴とする半導体集積回路の試験方法。
(Supplementary Note 6) A semiconductor integrated circuit test method for testing a plurality of semiconductor circuits having different operation clocks in a semiconductor integrated circuit,
A setting step of setting the plurality of semiconductor circuits to a test mode for testing the operation of the plurality of semiconductor circuits;
A supply step of generating an operation clock of a semiconductor circuit to be tested from the plurality of semiconductor circuits and supplying the operation clock to the plurality of semiconductor circuits when the test mode is set by the setting step;
A method for testing a semiconductor integrated circuit, comprising:

(付記7)前記設定工程によって前記試験モードに設定された場合、前記複数の半導体回路の中から前記試験対象となる半導体回路を選択する選択工程を含み、
前記供給工程は、
前記試験対象となる半導体回路の動作クロックを生成して、前記試験対象となる半導体回路にのみ供給することを特徴とする付記6に記載の半導体集積回路の試験方法。
(Appendix 7) When the test mode is set by the setting step, the method includes a selection step of selecting the semiconductor circuit to be tested from the plurality of semiconductor circuits,
The supply step includes
The semiconductor integrated circuit testing method according to appendix 6, wherein an operation clock of the semiconductor circuit to be tested is generated and supplied only to the semiconductor circuit to be tested.

(付記8)前記試験対象となる半導体回路以外の他の半導体回路に、当該他の半導体回路の動作クロック以下のクロックを供給する工程を含んだことを特徴とする付記6または7に記載の半導体集積回路の試験方法。 (Supplementary note 8) The semiconductor according to supplementary note 6 or 7, further comprising a step of supplying a clock lower than an operation clock of the other semiconductor circuit to another semiconductor circuit other than the semiconductor circuit to be tested. Integrated circuit testing method.

以上のように、本発明にかかる半導体集積回路および半導体集積回路の試験方法は、半導体集積回路の動作試験に有用であり、特に、複数の動作クロックを有する半導体集積回路に適している。   As described above, the semiconductor integrated circuit and the semiconductor integrated circuit test method according to the present invention are useful for the operation test of the semiconductor integrated circuit, and are particularly suitable for a semiconductor integrated circuit having a plurality of operation clocks.

この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の回路構成について示す説明図である。1 is an explanatory diagram showing a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention; この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の動作モード時の動作について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the operation | movement at the time of the operation mode of the semiconductor integrated circuit concerning Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の試験モード時(533MHz)の動作について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the operation | movement at the time of the test mode (533 MHz) of the semiconductor integrated circuit concerning Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の試験モード時(300MHz)の動作について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the operation | movement at the time of the test mode (300 MHz) of the semiconductor integrated circuit concerning Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の試験処理手順について示すフローチャートである。4 is a flowchart showing a test processing procedure for the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention; この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の回路構成について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the circuit structure of the semiconductor integrated circuit concerning Embodiment 2 of this invention. デコーダーに入力される信号と出力される信号の関係について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the relationship between the signal input into a decoder, and the output signal. 図7−1に示される入力および出力端子の対応関係を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating a correspondence relationship between input and output terminals illustrated in FIG. この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の動作モード時の動作について示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation | movement at the time of the operation mode of the semiconductor integrated circuit concerning Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の試験モード時(533MHz)の動作について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the operation | movement at the time of the test mode (533 MHz) of the semiconductor integrated circuit concerning Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の試験モード時(300MHz)の動作について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the operation | movement at the time of the test mode (300 MHz) of the semiconductor integrated circuit concerning Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路の試験処理手順について示すフローチャートである。It is a flowchart shown about the test processing procedure of the semiconductor integrated circuit concerning Embodiment 2 of this invention. 従来の半導体集積回路の動作試験を行う回路について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the circuit which performs the operation test of the conventional semiconductor integrated circuit.

符号の説明Explanation of symbols

100 半導体集積回路
101a、101b、101c 半導体回路
102a、102b、102c 設定回路
103 PLL回路
104 入力端子
105 入力端子
600 半導体集積回路
601 デコーダー
602a、602b、602c 選択回路

DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Semiconductor integrated circuit 101a, 101b, 101c Semiconductor circuit 102a, 102b, 102c Setting circuit 103 PLL circuit 104 Input terminal 105 Input terminal 600 Semiconductor integrated circuit 601 Decoder 602a, 602b, 602c Selection circuit

Claims (5)

動作クロックの異なる複数の半導体回路を有する半導体集積回路において、
前記複数の半導体回路を、当該複数の半導体回路が動作する動作モードまたは前記複数の半導体回路の動作を試験する試験モードのうちいずれか一方のモードに設定する設定回路と、
前記設定回路によって前記試験モードに設定された場合、前記複数の半導体回路の中から試験対象となる半導体回路の動作クロックを生成して、前記複数の半導体回路に供給するクロック生成回路と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路。
In a semiconductor integrated circuit having a plurality of semiconductor circuits having different operation clocks,
A setting circuit for setting the plurality of semiconductor circuits to an operation mode in which the plurality of semiconductor circuits operate or a test mode for testing the operation of the plurality of semiconductor circuits;
A clock generation circuit that generates an operation clock of a semiconductor circuit to be tested from the plurality of semiconductor circuits and supplies the operation clock to the plurality of semiconductor circuits when the test mode is set by the setting circuit;
A semiconductor integrated circuit comprising:
動作クロックの異なる複数の半導体回路を有する半導体集積回路において、
前記複数の半導体回路を、当該複数の半導体回路が動作する動作モードまたは前記複数の半導体回路の動作を試験する試験モードのうちいずれか一方のモードに設定する設定回路と、
前記設定回路によって前記試験モードに設定された場合、前記複数の半導体回路の中から前記試験対象となる半導体回路を選択する選択回路と、
前記設定回路によって前記試験モードに設定された場合、前記選択回路によって前記複数の半導体回路の中から選択された前記試験対象となる半導体回路の動作クロックを生成して、前記試験対象となる半導体回路にのみ供給するクロック生成回路と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路。
In a semiconductor integrated circuit having a plurality of semiconductor circuits having different operation clocks,
A setting circuit for setting the plurality of semiconductor circuits to an operation mode in which the plurality of semiconductor circuits operate or a test mode for testing the operation of the plurality of semiconductor circuits;
When the test mode is set by the setting circuit, a selection circuit that selects the semiconductor circuit to be tested from the plurality of semiconductor circuits;
When the test mode is set by the setting circuit, the operation circuit of the semiconductor circuit to be tested selected from the plurality of semiconductor circuits by the selection circuit is generated, and the semiconductor circuit to be tested A clock generation circuit that supplies only to
Semiconductors integrated circuits you comprising: a.
前記試験対象となる半導体回路以外の他の半導体回路の各々には、当該他の半導体回路の動作クロックの周波数よりも低い周波数のクロックが外部からそれぞれ供給されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体集積回路。   2. A clock having a frequency lower than the frequency of an operation clock of the other semiconductor circuit is supplied from the outside to each of the other semiconductor circuits other than the semiconductor circuit to be tested. 3. The semiconductor integrated circuit according to 2. 前記クロック生成回路は、PLL回路であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体集積回路。   The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the clock generation circuit is a PLL circuit. 半導体集積回路内の動作クロックの異なる複数の半導体回路を試験する半導体集積回路の試験方法であって、
前記複数の半導体回路を、当該複数の半導体回路の動作を試験する試験モードに設定する設定工程と、
前記設定工程によって前記試験モードに設定された場合、前記複数の半導体回路の中から試験対象となる半導体回路の動作クロックを生成して、前記複数の半導体回路に供給する供給工程と、
を含んだことを特徴とする半導体集積回路の試験方法。
A test method of a semiconductor integrated circuit for testing a plurality of semiconductor circuits having different operation clocks in a semiconductor integrated circuit,
A setting step of setting the plurality of semiconductor circuits to a test mode for testing the operation of the plurality of semiconductor circuits;
A supply step of generating an operation clock of a semiconductor circuit to be tested from the plurality of semiconductor circuits and supplying the operation clock to the plurality of semiconductor circuits when the test mode is set by the setting step;
A method for testing a semiconductor integrated circuit, comprising:
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