JP4640077B2 - Inspection signal generation device and semiconductor inspection device - Google Patents

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Description

本発明は、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integraton)等の被検査対象に与える検査信号を生成する検査信号生成装置、及び当該検査信号生成装置で生成された信号を用いて被検査対象を検査する半導体検査装置に関する。   The present invention relates to an inspection signal generation device that generates an inspection signal to be applied to an inspection target such as an IC (Integrated Circuit) or LSI (Large Scale Integraton), and an inspection target using the signal generated by the inspection signal generation device The present invention relates to a semiconductor inspection apparatus for inspecting semiconductor devices.

半導体検査装置は、IC,LSI等の被検査対象(以下、DUT(Device Under Test)という)に検査信号(テストパターン)を与え、DUTから出力される信号が予め定められた期待値と一致するか否かにより良否の判定を行う。半導体検査装置がDUTに与えるテストパターンには、いくつかのフォーマット(波形フォーマット)が存在するが、このフォーマットの代表的なものに、例えばRZ(Return to Zero)、NRZ(Non Return to Zero)等がある。半導体検査装置は、このようなフォーマットのテストパターンを生成する検査信号生成装置を備えている。   A semiconductor inspection apparatus gives an inspection signal (test pattern) to an object to be inspected (hereinafter referred to as a DUT (Device Under Test)) such as an IC or LSI, and a signal output from the DUT matches a predetermined expected value. It is judged whether the quality is good or not. There are several formats (waveform formats) in the test pattern given to the DUT by the semiconductor inspection apparatus. Typical examples of this format include RZ (Return to Zero), NRZ (Non Return to Zero), etc. There is. The semiconductor inspection apparatus includes an inspection signal generation apparatus that generates a test pattern of such a format.

図7は、従来の検査信号生成装置の構成を示すブロック図である。図7に示す通り、従来の検査信号生成装置100は、フォーマットデータ生成回路101、バッファ102、及び検査信号生成回路103を備えており、入力されるレート信号S101及びタイミング信号S102によってテストパターンとしての検査信号S103を出力する。ここで、レート信号S101は検査信号の周波数を規定する信号であり、タイミング信号S102はレート信号S101の周波数とほぼ同一の周波数の信号であって検査信号S103の出力タイミングを規定する信号である。   FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a conventional inspection signal generation apparatus. As shown in FIG. 7, the conventional inspection signal generation apparatus 100 includes a format data generation circuit 101, a buffer 102, and an inspection signal generation circuit 103. A test pattern is generated by the input rate signal S101 and timing signal S102. An inspection signal S103 is output. Here, the rate signal S101 is a signal that defines the frequency of the inspection signal, and the timing signal S102 is a signal that has substantially the same frequency as the frequency of the rate signal S101 and that defines the output timing of the inspection signal S103.

フォーマットデータ生成回路101は、入力されるレート信号S101に同期して、波形フォーマットの生成に必要なパターンデータD101を生成する。尚、図7では図示を省略しているが、フォーマットデータ生成回路101及び検査信号生成回路103には制御信号が入力されており、この制御信号によって検査信号S103の波形フォーマットが設定される。バッファ102は、フォーマットデータ生成回路101から出力されるパターンデータD101を一時的に記憶する。このバッファ102は、FIFO(First-In First-Out:先入れ先出し)メモリであり、パターンデータD101の書き込みタイミングはレート信号S101によって制御され、その読み出しタイミングはタイミング信号S102によって制御される。検査信号生成回路103は、バッファ102から読み出された読み出しパターンデータD102及びタイミング信号S102から検査信号S103を生成する。   The format data generation circuit 101 generates pattern data D101 necessary for generating a waveform format in synchronization with the input rate signal S101. Although not shown in FIG. 7, a control signal is input to the format data generation circuit 101 and the inspection signal generation circuit 103, and the waveform format of the inspection signal S103 is set by this control signal. The buffer 102 temporarily stores the pattern data D101 output from the format data generation circuit 101. The buffer 102 is a first-in first-out (FIFO) memory. The write timing of the pattern data D101 is controlled by the rate signal S101, and the read timing is controlled by the timing signal S102. The inspection signal generation circuit 103 generates an inspection signal S103 from the read pattern data D102 read from the buffer 102 and the timing signal S102.

上記構成において、DUTの検査を行う場合には、まず半導体検査装置に設けられた検査用プログラム等(図示省略)から検査信号生成回路103に制御信号が出力されて検査信号S103の波形フォーマットが設定される。次に、検査用プログラム等からフォーマットデータ生成回路101に制御信号が出力され、これにより波形フォーマット生成に必要なパターンデータD101が生成されて出力される。フォーマットデータ生成回路101からのパターンデータD101は、レート信号S101に同期して順次バッファ102に記憶される。次いで、タイミング信号S102が入力されると、バッファ102に一時的に記憶されたパターンデータD101がタイミング信号S102に同期して読み出されて読み出しパターンデータD102として検査信号生成回路103に出力される。   In the above configuration, when DUT inspection is performed, first, a control signal is output to the inspection signal generation circuit 103 from an inspection program (not shown) provided in the semiconductor inspection apparatus, and the waveform format of the inspection signal S103 is set. Is done. Next, a control signal is output from the inspection program or the like to the format data generation circuit 101, whereby pattern data D101 necessary for waveform format generation is generated and output. The pattern data D101 from the format data generation circuit 101 is sequentially stored in the buffer 102 in synchronization with the rate signal S101. Next, when the timing signal S102 is input, the pattern data D101 temporarily stored in the buffer 102 is read in synchronization with the timing signal S102 and output to the inspection signal generation circuit 103 as read pattern data D102.

検査信号生成回路130は、入力される読み出しパターンデータD102とタイミング信号S102とから検査信号S103を生成して出力する。以下、フォーマットデータ生成回路101からのパターンデータD101に基づいて検査信号S103が順次生成される。尚、従来の半導体検査装置の詳細については、例えば以下の特許文献1〜3を参照されたい。
特表2003−505697号公報 特開2002−131393号公報 特開平5−196689号公報
The inspection signal generation circuit 130 generates and outputs an inspection signal S103 from the input read pattern data D102 and the timing signal S102. Thereafter, the inspection signal S103 is sequentially generated based on the pattern data D101 from the format data generation circuit 101. For details of the conventional semiconductor inspection apparatus, see, for example, Patent Documents 1 to 3 below.
Japanese translation of PCT publication No. 2003-505697 JP 2002-131393 A Japanese Patent Laid-Open No. 5-196689

ところで、図7に示す従来の検査信号生成装置100においては、パターンデータD101はレート信号S101が入力される度にフォーマットデータ生成回路101で生成され、このパターンデータD101とタイミング信号S102とを用いて検査信号S103が生成される。よって、連続的に検査信号S103を生成するためには、検査信号S103の出力タイミングを規定するタイミング信号S102の周波数と、パターンデータD101を生成するタイミングを規定するレート信号S101の周波数とが同等である必要がある。   By the way, in the conventional inspection signal generation apparatus 100 shown in FIG. 7, the pattern data D101 is generated by the format data generation circuit 101 every time the rate signal S101 is input, and the pattern data D101 and the timing signal S102 are used. An inspection signal S103 is generated. Therefore, in order to continuously generate the inspection signal S103, the frequency of the timing signal S102 that defines the output timing of the inspection signal S103 is equal to the frequency of the rate signal S101 that defines the timing of generating the pattern data D101. There must be.

ここで、レート信号S101及びタイミング信号S102の周波数は全く同一である必要はないが、その差はバッファ102で吸収することができる範囲内である必要がある。このため、例えばタイミング信号S102の最高周波数が100MHzである場合には、レート信号S101の最高周波数も100MHz前後にする必要がある。   Here, the frequency of the rate signal S101 and the timing signal S102 need not be exactly the same, but the difference needs to be within a range that can be absorbed by the buffer 102. For this reason, for example, when the maximum frequency of the timing signal S102 is 100 MHz, the maximum frequency of the rate signal S101 needs to be around 100 MHz.

ところで、近年においては、DUTの動作周波数が向上しているため、DUTに与える検査信号S103の最高周波数を高める必要性が生じている。図7に示す検査信号生成装置100において、例えば検査信号S103の最高周波数を200MHzにするために、タイミング信号S102の最高周波数を200MHzに変更すると、レート信号S101の最高周波数も200MHz前後に変更し、更に検査信号生成装置100の内部回路が最高周波数200MHzで動作するよう再設計する必要がある。このように、図7に示す従来の検査信号生成装置100は、内部回路の全てが最高周波数で動作するように設計する必要があり、動作周波数が高くなると多大な設計工数を要するという問題があった。   Incidentally, in recent years, since the operating frequency of the DUT has been improved, there is a need to increase the maximum frequency of the inspection signal S103 given to the DUT. In the inspection signal generation device 100 shown in FIG. 7, for example, when the maximum frequency of the timing signal S102 is changed to 200 MHz in order to set the maximum frequency of the inspection signal S103 to 200 MHz, the maximum frequency of the rate signal S101 is also changed to around 200 MHz. Furthermore, it is necessary to redesign the internal circuit of the test signal generation apparatus 100 so that it operates at a maximum frequency of 200 MHz. As described above, the conventional test signal generation apparatus 100 shown in FIG. 7 needs to be designed so that all of the internal circuits operate at the maximum frequency, and requires a great amount of design man-hours when the operating frequency increases. It was.

この問題を解決するために、フォーマットデータ生成回路を並列に2系統設けて動作周波数の上昇を抑える構成とすることが考えられる。図8は、従来の検査信号生成装置100の変形例を示す図である。図8に示す検査信号生成装置110は、図7に示すフォーマットデータ生成回路101に代えて、並列に設けられたフォーマットデータ生成回路111a,111bを備えるとともに、図7に示すバッファ102に代えてフォーマットデータ生成回路111a,111bの出力を入力とするバッファ112を備えている。また、図7に示す検査信号生成回路103に代えて、より高速動作可能な検査信号生成回路113を備えている。   In order to solve this problem, it is conceivable that two systems of format data generation circuits are provided in parallel to suppress an increase in operating frequency. FIG. 8 is a diagram illustrating a modification of the conventional inspection signal generation device 100. 8 includes format data generation circuits 111a and 111b provided in parallel in place of the format data generation circuit 101 shown in FIG. 7, and a format in place of the buffer 102 shown in FIG. A buffer 112 that receives the outputs of the data generation circuits 111a and 111b is provided. Further, in place of the inspection signal generation circuit 103 shown in FIG. 7, an inspection signal generation circuit 113 capable of higher speed operation is provided.

ここで、図8に示す検査信号生成装置110では、フォーマットデータ生成回路111a,111bを並列に設けているため、フォーマットデータ生成回路111a,111bの最高動作周波数を従来と同じ(例えば100MHz)にしても、実質的に2倍の周波数でパターンデータが得られることになる。しかしながら、レート信号S101が入力される度に、バッファ112には2つのパターンデータD111a,D111bが記憶されるため、バッファ112の出力側の最高動作周波数をフォーマットデータ生成回路111a,111bの最高動作周波数の2倍(例えば、200MHz)にする必要があり、設計工数の上昇を招く要因になると考えられる。   Here, in the test signal generation device 110 shown in FIG. 8, since the format data generation circuits 111a and 111b are provided in parallel, the maximum operating frequency of the format data generation circuits 111a and 111b is set to the same as the conventional one (for example, 100 MHz). However, pattern data can be obtained at substantially twice the frequency. However, each time the rate signal S101 is input, two pattern data D111a and D111b are stored in the buffer 112. Therefore, the maximum operating frequency on the output side of the buffer 112 is set to the maximum operating frequency of the format data generating circuits 111a and 111b. 2 times (for example, 200 MHz), which is considered to cause a rise in design man-hours.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、設計が平易であり、高周波数で動作可能な検査信号生成装置、及び当該検査信号生成装置を備える半導体検査装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an inspection signal generation device that is easy to design and can operate at a high frequency, and a semiconductor inspection device including the inspection signal generation device. .

上記課題を解決するために、本発明の検査信号生成装置は、被検査対象に与える検査信号(S13)の周波数を規定する第1制御信号(S11)と、前記検査信号の出力タイミングを規定する第2制御信号(S12)とを用いて前記検査信号を生成する検査信号生成装置(10、20、30)において、前記第1制御信号に同期して前記検査信号の波形を規定するパターンデータを生成する複数の生成回路(11a、11b、21a〜21d)と、前記生成回路に対応してそれぞれ設けられ、対応する前記生成回路で生成された前記パターンデータを前記第1制御信号に同期して一時的に記憶する複数のバッファ(12a、12b、22a〜22d)と、前記複数のバッファの出力端に接続されたセレクタ(13、23、33a〜33c)と、前記第2制御信号に同期して前記複数のバッファの内の1つを前記セレクタに順次選択させるとともに、前記セレクタで選択されるバッファを前記第1制御信号と同等の周波数で動作させて前記パターンデータの読み出しを行う選択制御装置(14、24、34)とを有する選択読出手段(13、14、23、24、33a〜33c、34)と、前記選択読出手段で読み出された前記パターンデータと前記第2制御信号とから前記検査信号を生成する検査信号生成回路(15)とを備えることを特徴としている。
この発明によると、生成回路の各々で生成されたパターンデータは第1制御信号に同期して対応するバッファに一時的に記憶される。そして、第2制御信号に同期して複数のバッファの内の1つがセレクタに順次選択され、第1制御信号と同等の周波数で動作するバッファからパターンデータが読み出されて検査信号生成回路に入力されて検査信号が生成される。
また、本発明の検査信号生成装置は、前記第1制御信号の周波数が、前記被検査対象に与える前記検査信号の周波数を前記生成回路の数で除算して得られる周波数に設定されていることを特徴としている
更に、本発明の検査信号生成装置は、前記セレクタが、前記複数のバッファに接続された複数の第1セレクタ(33a、33b)と、前記第1セレクタの出力端と前記検査信号生成回路の入力端とに接続された第2セレクタ(33c)と備えることを特徴としている。
本発明の半導体検査装置は、被検査対象の検査を行う半導体検査装置において、上記の何れかに記載の検査信号生成装置を備え、前記検査信号生成装置で生成された前記検査信号を前記被検査対象に与えて得られる信号を用いて前記被検査対象の検査を行うことを特徴としている。
In order to solve the above-described problem, the inspection signal generation device of the present invention specifies a first control signal (S11) that defines the frequency of the inspection signal (S13) to be given to the object to be inspected and the output timing of the inspection signal In the inspection signal generator (10, 20, 30) that generates the inspection signal using the second control signal (S12), pattern data that defines the waveform of the inspection signal in synchronization with the first control signal A plurality of generation circuits (11a, 11b, 21a to 21d) to be generated and the pattern data generated by the generation circuit corresponding to the generation circuits are synchronized with the first control signal. a plurality of buffers for temporarily storing (12a, 12b, 22a to 22d) and the plurality of connected selector to the output terminal of the buffer and (13,23,33a~33c) The pattern is generated by causing the selector to sequentially select one of the plurality of buffers in synchronization with the second control signal and operating the buffer selected by the selector at a frequency equivalent to that of the first control signal. Selection reading means (13, 14, 23, 24, 33a to 33c, 34) having a selection control device (14, 24, 34) for reading data, and the pattern data read by the selection reading means And a test signal generation circuit (15) for generating the test signal from the second control signal.
According to the present invention, the pattern data generated by each of the generation circuits is temporarily stored in the corresponding buffer in synchronization with the first control signal. Then, one of the plurality of buffers is sequentially selected by the selector in synchronization with the second control signal, and pattern data is read from the buffer operating at the same frequency as the first control signal and input to the inspection signal generation circuit. Thus, an inspection signal is generated.
In the inspection signal generation device of the present invention, the frequency of the first control signal is set to a frequency obtained by dividing the frequency of the inspection signal given to the inspection target by the number of the generation circuits. It is characterized by .
Furthermore , in the inspection signal generation device of the present invention, the selector includes a plurality of first selectors (33a, 33b) connected to the plurality of buffers, an output terminal of the first selector, and an input of the inspection signal generation circuit. A second selector (33c) connected to the end is provided.
A semiconductor inspection apparatus according to the present invention is a semiconductor inspection apparatus that inspects an object to be inspected, including the inspection signal generation apparatus according to any one of the above, and the inspection signal generated by the inspection signal generation apparatus The inspection object is inspected using a signal obtained by giving the object.

本発明によれば、選択読出手段によるバッファの選択が第2制御信号に同期して行われる一方で、選択されるバッファは第1制御信号と同等の周波数で動作するため、個々のバッファの動作周波数を第2制御信号の周波数よりも低い周波数(第1制御信号と同等の周波数)にすることができ、これによって検査信号生成装置の設計が平易になるという効果がある。
また、本発明によれば生成回路及びバッファの並列数を増加させるだけで検査信号の周波数を高めた高周波数での動作が可能であるという効果がある。
更に、本発明によれば、セレクタの段数を増加させれば、バッファに接続されるセレクタ(第1セレクタ)の動作周波数を低減することができるという効果がある。
According to the present invention, while the selection of the buffer by the selective reading means is performed in synchronization with the second control signal , the selected buffer operates at the same frequency as the first control signal. the frequency than the frequency of the second control signal can be lower frequencies (first control signal equivalent to the frequency), whereby there is an effect that design is simplicity of the test signal generator.
In addition, according to the present invention, there is an effect that it is possible to operate at a high frequency in which the frequency of the inspection signal is increased only by increasing the number of parallel generation circuits and buffers.
Furthermore, according to the present invention, if the number of selector stages is increased, there is an effect that the operating frequency of the selector (first selector) connected to the buffer can be reduced.

以下、図面を参照して本発明の実施形態による検査信号生成装置及び半導体検査装置について詳細に説明する。   Hereinafter, an inspection signal generation device and a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態による検査信号生成装置の構成を示すブロック図である。図1に示す通り、本発明の第1実施形態による検査信号生成装置10は、フォーマットデータ生成回路11a,11b、バッファ12a,12b、バッファセレクタ13、バッファ選択制御回路14、及び検査信号生成回路15を含んで構成される。ここで、検査信号生成装置10にはレート信号S11とタイミング信号S12とが入力されており、検査信号生成装置10はこれらの信号に同期して動作して検査信号S13を出力する。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an inspection signal generation apparatus according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the test signal generation apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention includes format data generation circuits 11a and 11b, buffers 12a and 12b, a buffer selector 13, a buffer selection control circuit 14, and a test signal generation circuit 15. It is comprised including. Here, the rate signal S11 and the timing signal S12 are input to the inspection signal generation device 10, and the inspection signal generation device 10 operates in synchronization with these signals and outputs the inspection signal S13.

ここで、レート信号S11は検査信号S13の周波数を規定する信号であり、タイミング信号S12は検査信号S13の出力タイミングを規定する信号である。尚、本実施形態では、検査信号S13の最高周波数は200MHzに設定されているものとする。また、レート信号S11の周波数は検査信号S13の半分の周波数である100MHzに設定され、タイミング信号S12の周波数は検査信号S13とほぼ同一の周波数(200MHz)に設定されているものとする。   Here, the rate signal S11 is a signal that defines the frequency of the inspection signal S13, and the timing signal S12 is a signal that defines the output timing of the inspection signal S13. In the present embodiment, it is assumed that the maximum frequency of the inspection signal S13 is set to 200 MHz. Further, it is assumed that the frequency of the rate signal S11 is set to 100 MHz, which is a half frequency of the inspection signal S13, and the frequency of the timing signal S12 is set to substantially the same frequency (200 MHz) as the inspection signal S13.

ここで、レート信号S11の周波数は、検査信号S13の周波数を、フォーマットデータ生成回路(フォーマットデータ生成回路11a,11b)の数で除算して得られる周波数(分周した周波数)に設定される。また、タイミング信号S12は、検査信号S13の出力タイミングを規定する信号であり、レート信号S11の1周期内での時間的位置が変化して周波数が一定ではないことがあるため、本明細書では「ほぼ同一の周波数」という表現を用いている。   Here, the frequency of the rate signal S11 is set to a frequency (frequency-divided frequency) obtained by dividing the frequency of the inspection signal S13 by the number of format data generation circuits (format data generation circuits 11a and 11b). In addition, the timing signal S12 is a signal that defines the output timing of the inspection signal S13, and the time position within one cycle of the rate signal S11 may change and the frequency may not be constant. The expression “almost the same frequency” is used.

フォーマットデータ生成回路11a,11bは、入力されるレート信号S11に同期して、波形フォーマットの生成に必要なパターンデータD11a,D11bをそれぞれ生成する。尚、図1では図示を省略しているが、フォーマットデータ生成回路11及び検査信号生成回路15には制御信号が入力されており、この制御信号によって検査信号S13の波形フォーマットが設定される。   The format data generation circuits 11a and 11b generate pattern data D11a and D11b necessary for generating the waveform format in synchronization with the input rate signal S11. Although not shown in FIG. 1, a control signal is input to the format data generation circuit 11 and the inspection signal generation circuit 15, and the waveform format of the inspection signal S13 is set by this control signal.

バッファ12a,12bは、フォーマットデータ生成回路11a,11bに対応して設けられ、各々から出力されるパターンデータD11a,D11bをそれぞれ一時的に記憶する。このバッファ12a,12bは、FIFO(First-In First-Out:先入れ先出し)メモリであり、パターンデータD11a,D11bの書き込みタイミングはレート信号S11によって制御され、その読み出しタイミングはバッファ選択制御回路14からのバッファ切り替え信号SLによって制御される。   The buffers 12a and 12b are provided corresponding to the format data generation circuits 11a and 11b, and temporarily store pattern data D11a and D11b output from each. The buffers 12a and 12b are FIFO (First-In First-Out) memories, the write timing of the pattern data D11a and D11b is controlled by the rate signal S11, and the read timing is the buffer from the buffer selection control circuit 14. Controlled by a switching signal SL.

バッファセレクタ13は、バッファ12a,12bの出力端の各々と検査信号生成回路15の入力端とに接続され、バッファ選択制御回路14から出力されるバッファ切り替え信号SLに基づいてバッファ12a,12bの出力端から出力されるパターンデータの何れか一方を選択して検査信号生成回路15に出力する。バッファ選択制御回路14は、タイミング信号S12に同期して動作し、バッファ12a,12bの何れか一方を選択するバッファ切り替え信号SLをバッファ12a,12b出力する。   The buffer selector 13 is connected to each of the output ends of the buffers 12a and 12b and the input end of the inspection signal generation circuit 15, and based on the buffer switching signal SL output from the buffer selection control circuit 14, the output of the buffers 12a and 12b. One of the pattern data output from the end is selected and output to the inspection signal generation circuit 15. The buffer selection control circuit 14 operates in synchronization with the timing signal S12, and outputs a buffer switching signal SL for selecting one of the buffers 12a and 12b.

ここで、バッファ切り替え信号SLはバッファ12a,12bの両方に出力されるが、図1に示す通り、バッファ12bにおけるバッファ切り替え信号SLの入力端が反転入力となっているため、バッファ切り替え信号SLによってバッファ12a,12bは交互に選択される。尚、バッファセレクタ13は、バッファ12a,12bの内の選択されたバッファの出力端から出力されるパターンデータが検査信号生成回路15の入力端に入力されるようバッファ切り替え信号SLによって制御される。   Here, the buffer switching signal SL is output to both of the buffers 12a and 12b. However, as shown in FIG. 1, the input terminal of the buffer switching signal SL in the buffer 12b is an inverting input. The buffers 12a and 12b are alternately selected. The buffer selector 13 is controlled by the buffer switching signal SL so that the pattern data output from the output terminal of the selected buffer of the buffers 12a and 12b is input to the input terminal of the inspection signal generation circuit 15.

図2は、バッファ選択制御回路14の回路構成の一例を示す図である。図2に示す通り、バッファ選択制御回路14は、Dフリップフロップ16を備えており、タイミング信号S12をクロック入力端の入力とし、反転出力端とD入力端とを接続し、出力端からの出力をバッファ切り替え信号SLとした構成である。これにより、トグル・フリップフロップが構成されており、タイミング信号S12が入力される度にバッファ切り替え信号SLのレベルが「H(ハイ)」、「L(ロー)」,「H」、「L」、…と順に変化する。図1に戻り、検査信号生成回路15は、バッファ12a,12bから読み出された読み出しパターンデータD12a,12bの内のバッファセレクタ13で選択されたセレクトデータD13とタイミング信号S12とから検査信号S13を生成する。   FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a circuit configuration of the buffer selection control circuit 14. As shown in FIG. 2, the buffer selection control circuit 14 includes a D flip-flop 16. The timing signal S 12 is input to the clock input terminal, the inverted output terminal is connected to the D input terminal, and the output from the output terminal is connected. Is a buffer switching signal SL. Thus, a toggle flip-flop is configured, and the level of the buffer switching signal SL is “H (high)”, “L (low)”, “H”, “L” each time the timing signal S12 is input. Change in order. Returning to FIG. 1, the inspection signal generation circuit 15 generates the inspection signal S13 from the selection data D13 selected by the buffer selector 13 and the timing signal S12 among the read pattern data D12a and 12b read from the buffers 12a and 12b. Generate.

上記構成において、DUTの検査を行う場合には、まず半導体検査装置に設けられた検査用プログラム等(図示省略)から検査信号生成回路15に制御信号が出力されて検査信号S13の波形フォーマットが設定される。次に、検査用プログラム等からフォーマットデータ生成回路11a,11bに制御信号が出力され、これにより波形フォーマット生成に必要なパターンデータD11a,D11bがそれぞれ生成されて出力される。フォーマットデータ生成回路11a,11bからのパターンデータD11a,D11bは、レート信号S11に同期して順次バッファ12a,12bにそれぞれ記憶される。   In the above configuration, when performing a DUT inspection, first, a control signal is output to the inspection signal generation circuit 15 from an inspection program (not shown) provided in the semiconductor inspection apparatus, and the waveform format of the inspection signal S13 is set. Is done. Next, a control signal is output from the inspection program or the like to the format data generation circuits 11a and 11b, thereby generating and outputting pattern data D11a and D11b necessary for waveform format generation, respectively. The pattern data D11a and D11b from the format data generation circuits 11a and 11b are sequentially stored in the buffers 12a and 12b in synchronization with the rate signal S11.

図3は、バッファ12a,12bの各々に記憶されるパターンデータを説明するための図である。フォーマットデータ生成回路11a,11bで生成されるパターンデータD11a,D11bが(A),(B),(C),(D),(E),(F),(G),(H),…の順で連続するものであるとすると、これらは図3に示す通り、バッファ12a,12bに交互に記憶されることにより、バッファ12aには(A),(C),(E),(G),…の順でパターンデータが記憶され、バッファ12bには(B),(D),(F),(H),…の順でパターンデータが記憶される。   FIG. 3 is a diagram for explaining pattern data stored in each of the buffers 12a and 12b. The pattern data D11a, D11b generated by the format data generation circuits 11a, 11b are (A), (B), (C), (D), (E), (F), (G), (H),. As shown in FIG. 3, these are alternately stored in the buffers 12a and 12b, so that (A), (C), (E), (G ),... Are stored in the order, and the buffer 12b stores the pattern data in the order of (B), (D), (F), (H),.

次に、バッファ12a,12bの各々に記憶されたパターンデータの読み出し動作について説明する。図4は、バッファ12a,12bからのパターンデータの読み出し動作を説明するためのタイミングチャートである。いま、バッファ選択制御回路14から出力されるバッファ切り替え信号SLのレベルが「L」であるとする。また、図3に示す通り、バッファ12aに記憶されているパターンデータの内の最も古いものが「(A)」であり、バッファ12bに記憶されているパターンデータの内の最も古いものが「(B)」であるとする。この状態では、バッファ切り替え信号SLのレベルが「L」であるため、バッファ12aが選択される。よって、セレクトデータD13はバッファ12aに記憶されている最も古いパターンデータ「(A)」となる。   Next, the reading operation of the pattern data stored in each of the buffers 12a and 12b will be described. FIG. 4 is a timing chart for explaining an operation of reading pattern data from the buffers 12a and 12b. Assume that the level of the buffer switching signal SL output from the buffer selection control circuit 14 is “L”. Further, as shown in FIG. 3, the oldest pattern data stored in the buffer 12a is “(A)”, and the oldest pattern data stored in the buffer 12b is “( B) ". In this state, since the level of the buffer switching signal SL is “L”, the buffer 12a is selected. Therefore, the select data D13 is the oldest pattern data “(A)” stored in the buffer 12a.

この状態でタイミング信号S12がバッファ選択制御回路14に入力されると、バッファ切り替え信号SLが立ち上がってレベルが「H」になる。このバッファ切り替え信号SLがバッファ12a,12bに入力されると、バッファ12aから読み出される読み出しパターンデータD12aが2番目のパターンデータ「(C)」に変化する。一方、バッファ12bから読み出される読み出しパターンデータD12bは変化せず、パターンデータ「(B)」のままである。また、上記のバッファ切り替え信号SLがバッファセレクタ13に入力されると、セレクトデータD13はバッファ12bに記憶されている最も古いパターンデータ「(B)」となる(時刻t11)。   When the timing signal S12 is input to the buffer selection control circuit 14 in this state, the buffer switching signal SL rises and the level becomes “H”. When the buffer switching signal SL is input to the buffers 12a and 12b, the read pattern data D12a read from the buffer 12a changes to the second pattern data “(C)”. On the other hand, the read pattern data D12b read from the buffer 12b does not change and remains the pattern data “(B)”. When the buffer switching signal SL is input to the buffer selector 13, the select data D13 becomes the oldest pattern data “(B)” stored in the buffer 12b (time t11).

次のタイミング信号S12がバッファ選択制御回路14に入力されると、バッファ切り替え信号SLが立ち下がってレベルが「L」になる。このバッファ切り替え信号SLがバッファ12a,12bに入力されると、バッファ12bから読み出される読み出しパターンデータD12bが2番目のパターンデータ「(D)」に変化する。一方、バッファ12aから読み出される読み出しパターンデータD12aは変化せず、パターンデータ「(C)」のままである。また、上記のバッファ切り替え信号SLがバッファセレクタ13に入力されると、セレクトデータD13はバッファ12aからのパターンデータ「(C)」となる(時刻t12)。   When the next timing signal S12 is input to the buffer selection control circuit 14, the buffer switching signal SL falls and the level becomes "L". When the buffer switching signal SL is input to the buffers 12a and 12b, the read pattern data D12b read from the buffer 12b changes to the second pattern data “(D)”. On the other hand, the read pattern data D12a read from the buffer 12a does not change and remains the pattern data “(C)”. When the buffer switching signal SL is input to the buffer selector 13, the select data D13 becomes the pattern data “(C)” from the buffer 12a (time t12).

更に、次のタイミング信号S12がバッファ選択制御回路14に入力されると、バッファ切り替え信号SLが立ち上がってレベルが「H」になる。このバッファ切り替え信号SLがバッファ12a,12bに入力されると、バッファ12aから読み出される読み出しパターンデータD12aが3番目のパターンデータ「(E)」に変化する。一方、バッファ12bから読み出される読み出しパターンデータD12bは変化せず、パターンデータ「(D)」のままである。また、上記のバッファ切り替え信号SLがバッファセレクタ13に入力されると、セレクトデータD13はバッファ12bからのパターンデータ「(D)」となる(時刻t13)。   Further, when the next timing signal S12 is input to the buffer selection control circuit 14, the buffer switching signal SL rises and the level becomes “H”. When the buffer switching signal SL is input to the buffers 12a and 12b, the read pattern data D12a read from the buffer 12a changes to the third pattern data “(E)”. On the other hand, the read pattern data D12b read from the buffer 12b does not change and remains the pattern data “(D)”. When the buffer switching signal SL is input to the buffer selector 13, the select data D13 becomes the pattern data “(D)” from the buffer 12b (time t13).

以下同様の動作を繰り返して、バッファ12a,12bから順にパターンデータが読み出される。そして、バッファ12a,12bの各々から読み出された読み出しパターンデータD12a,D12bはバッファセレクタ12を介してセレクトデータD13として検査信号生成回路15に入力される。検査信号生成回路15には、セレクトデータD13とタイミング信号S12が入力されているため、これらを用いて検査信号S13を生成して出力する。   Thereafter, the same operation is repeated, and the pattern data is sequentially read from the buffers 12a and 12b. The read pattern data D12a and D12b read from each of the buffers 12a and 12b are input to the inspection signal generation circuit 15 as select data D13 via the buffer selector 12. Since the selection data D13 and the timing signal S12 are input to the inspection signal generation circuit 15, the inspection signal S13 is generated and output using them.

以上説明した本実施形態の検査信号生成装置10では、バッファセレクタ13、バッファ選択制御回路14、検査信号生成回路15は、タイミング信号S12の周波数と同等の周波数で動作させる必要がある。しかしながら、図4を参照すると、バッファ12a,12bに入力されるバッファ切り替え信号SLの周波数は、タイミング信号S12の半分になっており、このタイミング信号S12に従ってバッファ12a,12bが交互に選択されるため、バッファ12a,12bの動作周波数(出力側の動作周波数)をレート信号S11と同等の周波数にすることができる。尚、バッファセレクタ13は、例えば2対1の多重化回路で実現でき、バッファ選択制御回路14は、図2に示す通り、トグル・フリップフロップで実現できる。以上から、本実施形態の検査信号生成装置10は設計が平易であり、且つ高周波数の動作が可能である。   In the inspection signal generation device 10 of the present embodiment described above, the buffer selector 13, the buffer selection control circuit 14, and the inspection signal generation circuit 15 need to be operated at a frequency equivalent to the frequency of the timing signal S12. However, referring to FIG. 4, the frequency of the buffer switching signal SL input to the buffers 12a and 12b is half that of the timing signal S12, and the buffers 12a and 12b are alternately selected according to the timing signal S12. The operating frequencies (output-side operating frequencies) of the buffers 12a and 12b can be set to the same frequency as the rate signal S11. The buffer selector 13 can be realized by, for example, a two-to-one multiplexing circuit, and the buffer selection control circuit 14 can be realized by a toggle flip-flop as shown in FIG. From the above, the test signal generation device 10 of the present embodiment is easy to design and can operate at a high frequency.

〔第2実施形態〕
図5は、本発明の第2実施形態による検査信号生成装置の構成を示すブロック図である。本実施形態の検査信号生成装置20は、主としてフォーマットデータ生成回路及びバッファの並列数が、図1に示す検査信号生成装置10と相違する。図5に示す通り、本実施形態の検査信号生成装置20は、フォーマットデータ生成回路21a〜21d、バッファ22a〜22d、バッファセレクタ23、バッファ選択制御回路24、及び検査信号生成回路15を含んで構成され、フォーマットデータ生成回路21a〜21d及びバッファ22a〜22dの並列数が「4」となっている。尚、検査信号生成回路15は、図1に示すものと同様のものである。
[Second Embodiment]
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of the inspection signal generation apparatus according to the second embodiment of the present invention. The inspection signal generation device 20 of the present embodiment is mainly different from the inspection signal generation device 10 shown in FIG. 1 in the number of parallel format data generation circuits and buffers. As shown in FIG. 5, the inspection signal generation device 20 of the present embodiment includes format data generation circuits 21a to 21d, buffers 22a to 22d, a buffer selector 23, a buffer selection control circuit 24, and an inspection signal generation circuit 15. Thus, the parallel number of the format data generation circuits 21a to 21d and the buffers 22a to 22d is “4”. The inspection signal generation circuit 15 is the same as that shown in FIG.

本実施形態においても、検査信号S13の最高周波数は200MHzに設定されているものとする。本実施形態では、4つのフォーマットデータ生成回路21a〜21d及び4つのバッファ22a〜22dを備えているため、レート信号S11の周波数は検査信号S13の4分の1の周波数である50MHzに設定され、タイミング信号S12の周波数は検査信号S13とほぼ同一の周波数(200MHz)に設定される。ここで、フォーマットデータ生成回路21a〜21dの動作周波数を規定するレート信号S11の周波数を第1実施形態と同様の100MHzにすると、検査信号S13の最高周波数及びタイミング信号S12の周波数を400MHzにすることができ、より高速な動作が可能となる。   Also in this embodiment, it is assumed that the maximum frequency of the inspection signal S13 is set to 200 MHz. In the present embodiment, since the four format data generation circuits 21a to 21d and the four buffers 22a to 22d are provided, the frequency of the rate signal S11 is set to 50 MHz that is a quarter of the frequency of the inspection signal S13. The frequency of the timing signal S12 is set to substantially the same frequency (200 MHz) as the inspection signal S13. Here, when the frequency of the rate signal S11 that defines the operating frequency of the format data generation circuits 21a to 21d is set to 100 MHz as in the first embodiment, the highest frequency of the inspection signal S13 and the frequency of the timing signal S12 are set to 400 MHz. And higher speed operation is possible.

バッファ22a〜22dは、その入力端がフォーマットデータ生成回路21a〜21dの出力端にそれぞれ接続されており、その出力端がバッファセレクタ23に接続されている。バッファ選択制御回路24は、バッファ22a〜22dに対してはバッファ選択信号BSを供給し、バッファセレクタ23に対してはバッファ切り替え信号SLを供給している。バッファ選択信号BSは、バッファ22a〜22dの何れかに出力され、バッファ22a〜22dの何れかを選択するとともに、選択したバッファに記憶されたパターンデータを読み出すために用いられる。   The buffers 22 a to 22 d have their input ends connected to the output ends of the format data generation circuits 21 a to 21 d, respectively, and their output ends connected to the buffer selector 23. The buffer selection control circuit 24 supplies a buffer selection signal BS to the buffers 22 a to 22 d and supplies a buffer switching signal SL to the buffer selector 23. The buffer selection signal BS is output to any one of the buffers 22a to 22d, and is used to select any one of the buffers 22a to 22d and read the pattern data stored in the selected buffer.

ここで、図1に示す検査信号生成装置20は、バッファの並列数が「2」であったため、バッファ切り替え信号SLをバッファの各々に入力することで、この信号をバッファを選択してパターンデータを読み出すための信号(バッファ選択信号)と共用することができた。しかしながら、本実施形態ではバッファ切り替え信号SLを共用することができないため、バッファ選択制御回路24からバッファ22a〜22dの各々にバッファ選択信号BSを供給している。   Here, since the number of parallel buffers is “2”, the test signal generator 20 shown in FIG. 1 inputs the buffer switching signal SL to each of the buffers, thereby selecting this buffer as the pattern data. Can be shared with the signal for reading out (buffer selection signal). However, since the buffer switching signal SL cannot be shared in the present embodiment, the buffer selection signal BS is supplied from the buffer selection control circuit 24 to each of the buffers 22a to 22d.

上記構成において、フォーマットデータ生成回路21a〜21dで生成されたパターンデータは、第1実施形態と同様に、バッファ22a〜22dにそれぞれ記憶される。そして、バッファ選択制御回路24がバッファ22a、バッファ22b、バッファ22c、バッファ22d、バッファ22a、…の順にバッファ選択信号BSを順次供給してバッファ22a〜22dから何れか1つを選択して記憶されているパターンデータを読み出す。また、バッファ選択信号BSの供給に合わせてバッファセレクタ23に対してバッファ切り替え信号SLを供給して選択したバッファから読み出したパターンデータをセレクトデータD23として検査信号生成回路15に出力させる。検査信号生成回路15は、入力されるセレクトデータD23とタイミング信号S12を用いて検査信号S13を生成して出力する。   In the above configuration, the pattern data generated by the format data generation circuits 21a to 21d is stored in the buffers 22a to 22d, respectively, as in the first embodiment. Then, the buffer selection control circuit 24 sequentially supplies the buffer selection signal BS in the order of the buffer 22a, buffer 22b, buffer 22c, buffer 22d, buffer 22a,... And selects one of the buffers 22a to 22d and stores it. Read pattern data. In addition, in response to the supply of the buffer selection signal BS, the buffer switch signal SL is supplied to the buffer selector 23 to cause the inspection signal generation circuit 15 to output the pattern data read from the selected buffer as the select data D23. The inspection signal generation circuit 15 generates and outputs an inspection signal S13 using the input select data D23 and the timing signal S12.

本実施形態の検査信号生成装置20によれば、フォーマットデータ生成回路21a〜21d及びバッファ22a〜22dの動作周波数をより低下させることができる。或いは、フォーマットデータ生成回路21a〜21d及びバッファ22a〜22dの動作周波数を第1実施形態と同様にして、検査信号S13の周波数をより高くすることができる。尚、図5に示す例では、フォーマットデータ生成回路及びバッファの並列数が「4」である構成を図示しているが、その並列数は任意である。   According to the inspection signal generation device 20 of the present embodiment, the operating frequencies of the format data generation circuits 21a to 21d and the buffers 22a to 22d can be further reduced. Alternatively, the operation frequency of the format data generation circuits 21a to 21d and the buffers 22a to 22d can be made the same as in the first embodiment, and the frequency of the inspection signal S13 can be made higher. In the example shown in FIG. 5, the configuration in which the parallel number of the format data generation circuit and the buffer is “4” is illustrated, but the parallel number is arbitrary.

〔第3実施形態〕
図6は、本発明の第3実施形態による検査信号生成装置の構成を示すブロック図である。本実施形態の検査信号生成装置30は、バッファセレクタ及びバッファ選択制御回路の構成が図5に示す検査信号生成装置20と異なる。図6に示す通り、本実施形態の検査信号生成装置30は、フォーマットデータ生成回路21a〜21d、バッファ22a〜22d、バッファセレクタ33a〜33c、バッファ選択制御回路34、及び検査信号生成回路15を含んで構成される。尚、ファオーマットデータ生成回路21a〜21d、バッファ22a〜22d、及び検査信号生成回路15は、図6に示すものと同様のものである。
[Third Embodiment]
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of the inspection signal generation apparatus according to the third embodiment of the present invention. The inspection signal generation device 30 of the present embodiment is different from the inspection signal generation device 20 shown in FIG. 5 in the configuration of the buffer selector and the buffer selection control circuit. As shown in FIG. 6, the inspection signal generation device 30 of this embodiment includes format data generation circuits 21 a to 21 d, buffers 22 a to 22 d, buffer selectors 33 a to 33 c, a buffer selection control circuit 34, and an inspection signal generation circuit 15. Consists of. The format data generation circuits 21a to 21d, the buffers 22a to 22d, and the inspection signal generation circuit 15 are the same as those shown in FIG.

本実施形態においては、図6に示す第2実施形態と同様に、検査信号S13の最高周波数は200MHzに設定されているものとする。また、本実施形態においても、4つのフォーマットデータ生成回路21a〜21d及び4つのバッファ22a〜22dを備えているため、レート信号S11の周波数は検査信号S13の4分の1の周波数である50MHzに設定され、タイミング信号S12の周波数は検査信号S13とほぼ同一の周波数(200MHz)に設定される。更に、第2実施形態と同様に、フォーマットデータ生成回路21a〜21dの動作周波数を規定するレート信号S11の周波数を第1実施形態と同様の100MHzにすると、検査信号S13の最高周波数及びタイミング信号S12の周波数を400MHzにすることができ、より高速な動作が可能となる。   In the present embodiment, it is assumed that the highest frequency of the inspection signal S13 is set to 200 MHz as in the second embodiment shown in FIG. Also in this embodiment, since the four format data generation circuits 21a to 21d and the four buffers 22a to 22d are provided, the frequency of the rate signal S11 is 50 MHz that is a quarter of the frequency of the inspection signal S13. The frequency of the timing signal S12 is set to substantially the same frequency (200 MHz) as the inspection signal S13. Further, as in the second embodiment, when the frequency of the rate signal S11 that defines the operating frequency of the format data generation circuits 21a to 21d is set to 100 MHz as in the first embodiment, the highest frequency of the inspection signal S13 and the timing signal S12. Can be set to 400 MHz, and higher speed operation is possible.

バッファセレクタ33aの入力端はバッファ22a,22bの出力端に接続され、バッファセレクタ33bの入力端はバッファ22c,22dの出力端に接続されている。また、バッファセレクタ33cは、その入力端がバッファセレクタ33a,33bの出力端に接続されており、その出力端が検査信号生成回路15の入力端に接続されている。このように、本実施形態では、バッファセレクタを多段構成にしている。かかる構成にするのは、バッファセレクタの動作周波数を低減するためである。図6に示す構成では、バッファセレクタ33cの動作周波数は検査信号S13の周波数と同一の200MHzであるが、バッファセレクタ33a,33bの動作周波数はその半部の100MHzである。   The input end of the buffer selector 33a is connected to the output ends of the buffers 22a and 22b, and the input end of the buffer selector 33b is connected to the output ends of the buffers 22c and 22d. The buffer selector 33c has its input terminal connected to the output terminals of the buffer selectors 33a and 33b, and its output terminal connected to the input terminal of the inspection signal generation circuit 15. Thus, in this embodiment, the buffer selector has a multistage configuration. The reason for this configuration is to reduce the operating frequency of the buffer selector. In the configuration shown in FIG. 6, the operating frequency of the buffer selector 33c is 200 MHz, which is the same as the frequency of the test signal S13, but the operating frequencies of the buffer selectors 33a and 33b are 100 MHz, which is a half of the operating frequency.

バッファ選択制御回路34は、バッファセレクタ33a〜33cの各々に対してバッファ切り替え信号SL11〜SL13をそれぞれ供給し、バッファ選択信号BSの供給によって選択されたバッファから読み出されたパターンデータが検査信号生成回路15に入力されるよう制御する。   The buffer selection control circuit 34 supplies buffer switching signals SL11 to SL13 to the buffer selectors 33a to 33c, respectively, and the pattern data read from the buffer selected by the supply of the buffer selection signal BS generates the test signal. Control to input to the circuit 15.

本実施形態の検査信号生成装置30によれば、第2実施形態の検査信号生成装置20と同様に、フォーマットデータ生成回路21a〜21d及びバッファ22a〜22dの動作周波数をより低下させることができる。或いは、フォーマットデータ生成回路21a〜21d及びバッファ22a〜22dの動作周波数を第1実施形態と同様にして、検査信号S13の周波数をより高くすることができる。尚、図6に示す例では、バッファセレクタの段数が2段(バッファセレクタ33a,33bが第1段目であり、バッファセレクタ33cが第2段目)である構成を図示している。しかしながら、その段数は任意であり、バッファの並列数に応じて適宜設定するのが望ましい。   According to the test signal generation device 30 of the present embodiment, the operating frequencies of the format data generation circuits 21a to 21d and the buffers 22a to 22d can be further reduced, as with the test signal generation device 20 of the second embodiment. Alternatively, the operation frequency of the format data generation circuits 21a to 21d and the buffers 22a to 22d can be made the same as in the first embodiment, and the frequency of the inspection signal S13 can be made higher. In the example shown in FIG. 6, a configuration in which the number of stages of the buffer selector is two (the buffer selectors 33a and 33b are the first stage and the buffer selector 33c is the second stage) is illustrated. However, the number of stages is arbitrary, and it is desirable to set appropriately according to the parallel number of buffers.

以上本発明の実施形態による検査信号生成装置について説明したが、本実施形態の半導体検査装置は、以上の検査信号生成装置を備えている。そして、検査信号生成装置で生成された検査信号をDUTに印加するとともに、その検査信号をDUTに印加したときにDUTから出力される信号の期待値を求め、この期待値と実際にDUTから出力される信号とを比較し、DUTの良否を判定する。   Although the inspection signal generation apparatus according to the embodiment of the present invention has been described above, the semiconductor inspection apparatus of this embodiment includes the above inspection signal generation apparatus. Then, the inspection signal generated by the inspection signal generator is applied to the DUT, the expected value of the signal output from the DUT when the inspection signal is applied to the DUT is obtained, and the expected value and the actual output from the DUT are obtained. Is compared with the received signal to determine whether the DUT is good or bad.

本発明の第1実施形態による検査信号生成装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the test | inspection signal production | generation apparatus by 1st Embodiment of this invention. バッファ選択制御回路14の回路構成の一例を示す図である。3 is a diagram illustrating an example of a circuit configuration of a buffer selection control circuit 14. FIG. バッファ12a,12bの各々に記憶されるパターンデータを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the pattern data memorize | stored in each of the buffer 12a, 12b. バッファ12a,12bからのパターンデータの読み出し動作を説明するためのタイミングチャートである。6 is a timing chart for explaining an operation of reading pattern data from buffers 12a and 12b. 本発明の第2実施形態による検査信号生成装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the test | inspection signal production | generation apparatus by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態による検査信号生成装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the test | inspection signal generation apparatus by 3rd Embodiment of this invention. 従来の検査信号生成装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the conventional test | inspection signal production | generation apparatus. 従来の検査信号生成装置100の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the conventional test | inspection signal production | generation apparatus 100. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10 検査信号生成装置
11a,11b フォーマットデータ生成回路(生成回路)
12a,12b バッファ
13 バッファセレクタ(選択読出手段、セレクタ)
14 バッファ選択制御回路(選択読出手段、選択制御装置)
15 検査信号生成回路
20 検査信号生成装置
21a〜21d フォーマットデータ生成回路(生成回路)
22a〜22d バッファ
23 バッファセレクタ(選択読出手段、セレクタ)
24 バッファ選択制御回路(選択読出手段、選択制御装置)
30 検査信号生成装置
33a,33b バッファセレクタ(選択読出手段、セレクタ、第1セレクタ)
33c バッファセレクタ(選択読出手段、セレクタ、第2セレクタ)
S11 レート信号(第1制御信号)
S12 タイミング信号(第2制御信号)
S13 検査信号
10 Inspection Signal Generation Device 11a, 11b Format data generation circuit (generation circuit)
12a, 12b Buffer 13 Buffer selector (selective reading means, selector)
14 Buffer selection control circuit (selection reading means, selection control device)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Inspection signal generation circuit 20 Inspection signal generation apparatus 21a-21d Format data generation circuit (generation circuit)
22a to 22d buffer 23 buffer selector (selection reading means, selector)
24 Buffer selection control circuit (selection reading means, selection control device)
30 Inspection signal generator 33a, 33b Buffer selector (selection reading means, selector, first selector)
33c Buffer selector (selection reading means, selector, second selector)
S11 Rate signal (first control signal)
S12 Timing signal (second control signal)
S13 Inspection signal

Claims (4)

被検査対象に与える検査信号の周波数を規定する第1制御信号と、前記検査信号の出力タイミングを規定する第2制御信号とを用いて前記検査信号を生成する検査信号生成装置において、
前記第1制御信号に同期して前記検査信号の波形を規定するパターンデータを生成する複数の生成回路と、
前記生成回路に対応してそれぞれ設けられ、対応する前記生成回路で生成された前記パターンデータを前記第1制御信号に同期して一時的に記憶する複数のバッファと、
前記複数のバッファの出力端に接続されたセレクタと、前記第2制御信号に同期して前記複数のバッファの内の1つを前記セレクタに順次選択させるとともに、前記セレクタで選択されるバッファを前記第1制御信号と同等の周波数で動作させて前記パターンデータの読み出しを行う選択制御装置とを有する選択読出手段と、
前記選択読出手段で読み出された前記パターンデータと前記第2制御信号とから前記検査信号を生成する検査信号生成回路と
を備えることを特徴とする検査信号生成装置。
In an inspection signal generation device that generates the inspection signal using a first control signal that defines a frequency of an inspection signal to be given to an object to be inspected and a second control signal that defines an output timing of the inspection signal,
A plurality of generation circuits for generating pattern data defining a waveform of the inspection signal in synchronization with the first control signal;
A plurality of buffers provided corresponding to the generation circuits, and temporarily storing the pattern data generated by the corresponding generation circuit in synchronization with the first control signal;
The selector connected to the output terminals of the plurality of buffers, and the selector sequentially selects one of the plurality of buffers in synchronization with the second control signal, and the buffer selected by the selector A selective reading means having a selective control device for reading the pattern data by operating at a frequency equivalent to the first control signal ;
An inspection signal generation device comprising: an inspection signal generation circuit that generates the inspection signal from the pattern data read by the selective reading means and the second control signal.
前記第1制御信号の周波数は、前記被検査対象に与える前記検査信号の周波数を前記生成回路の数で除算して得られる周波数に設定されていることを特徴とする請求項1記載の検査信号生成装置。   2. The inspection signal according to claim 1, wherein the frequency of the first control signal is set to a frequency obtained by dividing the frequency of the inspection signal given to the inspection target by the number of the generation circuits. Generator. 前記セレクタは、前記複数のバッファに接続された複数の第1セレクタと、The selector includes a plurality of first selectors connected to the plurality of buffers;
前記第1セレクタの出力端と前記検査信号生成回路の入力端とに接続された第2セレクタと  A second selector connected to an output terminal of the first selector and an input terminal of the inspection signal generation circuit;
備えることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の検査信号生成装置。  The inspection signal generation device according to claim 1, further comprising:
被検査対象の検査を行う半導体検査装置において、In semiconductor inspection equipment that inspects the inspection target,
請求項1から請求項3の何れか一項に記載の検査信号生成装置を備え、前記検査信号生成装置で生成された前記検査信号を前記被検査対象に与えて得られる信号を用いて前記被検査対象の検査を行うことを特徴とする半導体検査装置。  A test signal generating device according to any one of claims 1 to 3, comprising the test signal generated by applying the test signal generated by the test signal generating device to the test target. A semiconductor inspection apparatus for inspecting an inspection object.
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