JP4794048B2 - アドレス指定用双安定ネマチック液晶デバイス - Google Patents
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Description
(発明の属する技術分野)
本発明は双安定ネマチック液晶デバイスのアドレス指定に関する。
【0002】
(発明の背景)
周知の双安定ネマチック液晶デバイスの1つは、WO−97/14990号、PCT/GB96/02463号、GB98/02806.1号、EP96932739.4号に記載されており、ゼニサル双安定デバイス(ZBDTM)として記述されている。このデバイスは、セル壁の間に囲まれたネマチック又は長ピッチコレステリック液晶材料の薄層を備えている。アドレス可能ピクセルがx、yマトリクスに配設された光学的に透明な行と列の電極構造となっているので、層を横切って電界を掛けると、材料に切り替えが起きるようになっている。セル壁の一方又は両方は、ネマチック液晶分子が、各面において同一方位面内の2つのプリチルト角度のうちの何れかを選べるよう表面処理されている。相対する両面は、異なる方位面内のプリチルトを有していてもよい。2つの状態は、暗い(例えば黒)状態と明るい(例えばライトグレー)状態として観察される。セルはこれら2つの状態の間で電気的に切り替えることができ、情報の表示は電力が取り除かれた後も残存するようになっており、即ち、液晶材料は2通りの許容された状態の何れか一方にラッチされ、他方のラッチ状態に電気的に切り替えられるまで一方のラッチ状態のままになっている。
【0003】
別の双安定ネマチックデバイスについて、WO99/34251号、PCT/GB98/03787号に記載されている。これは、WO−97/14990号同様に格子構造を用いて双安定配列を提供するものであるが、負の誘電体異方性材料を使用している。
【0004】
切り替え及びラッチという語には補足説明が必要であるが、単安定ネマチックデバイスでは、電場が適切に与えられると、液晶分子(正確にはディレクタ)は1つの配列条件から別の配列条件、即ち印加電圧がゼロのOFF状態から電圧が印加されたON状態、へと移行する。双安定デバイスでは、電圧の印加は液晶分子にある程度の運動を引き起こすが、液晶分子を異なる(2つの状態のうちの一方の)状態に永久的に移行させるほどではない。本出願では、切り替え及びラッチという語は、結果的に分子が一方の双安定状態から他方の双安定状態に移行させられ、最初の状態に切り替え、又はラッチし戻されるまではその状態に留まることを意味するのに使用する。
【0005】
同一方位面という語は、以下のように説明でき、即ち、セルの両壁をx,y平面に置くと、セル壁に対して直角なのがz軸となる。同一方位面内の2つのプリチルト角とは、同一x,z面内における2つの異なる分子位置を意味する。
【0006】
別の双安定液晶デバイスが、GB−2,286,467号に記載されている。これは、格子配列の表面を使って2つの異なる方位面内の2通りの双安定状態を与える。
【0007】
ごく最近入手可能になった液晶デバイスは、単安定であり、rms.アドレス指定法を使ってアドレス指定される。例えば、ツイストネマチックで位相変化タイプの液晶デバイスは、適切な電圧が印加されることによりON状態に切り替わり、印加電圧が低電圧レベル未満に落ちるとOFF状態に切り替わるようになっている。これらデバイスでは、液晶材料は電界のrms.値に反応する。周知のアドレス指定スキームが各種使用されているが、どれもac rms.電圧値を使用するものである。このことは、印加電圧がdcだと液晶材料が劣化する点を考えると都合が良い。
【0008】
デバイスのもう1つのタイプは強誘電体液晶ディスプレイ(FELCD)であり、これはスメクチック液晶材料を使い、適切なセル壁面整列処理を行えば双安定デバイスにすることができる。このようなデバイスは、面安定強誘電体液晶デバイス(SSFELCD)であり、L.J.ユゥ、H.リー、C.S.バック、M.M.ラベスによるPhys Rev Lett36,7,388(1876年)や、R.B.メイヤーによるMol Cryst Liq Cryst.40,33(1977年)や、N.A.クラーク、S.T.ラガーウォールによるAppl Phys Lett、36,11,899(1980年)に記述されている。これらのデバイスは、適切な電圧振幅と時間の適切な単極(dc)パルスを受信すると切り替わる。例えば、正パルスはON状態に切り替え、負パルスはOFF状態に切り替える。このデバイスの不利な点は、材料がdc電圧下で劣化することである。従って、多くの知られているアドレス指定スキームは、正味ゼロ値dcを保証せねばならない。例えば、周期的にすべての電圧を反転させるなどしてこれを行う。
【0009】
双安定スメクチックデバイス用の周知のアドレス指定スキームには、EP−0,542.804号、PTC/GB91/01263号、EP−0,306,203号、EP−0,197,742号などに記載されているものが含まれる。単パルスストローブパルスを使用するものもあれば、双極ストローブパルスと双極データパルスを組み合わせて使用するものもある。
【0010】
双安定ネマチックデバイスは、上に述べたように、適切な単極(dc)パルスを受信すると2つの双安定状態の間で切り替わるか、又はそれらの状態にラッチされる。これにより、以前は強誘電体双安定デバイスに使用されていた現存のアドレス指定スキームが利用できるようになる。しかしながら、双安定ネマチックデバイスの切り替え特性は、強誘電体双安定デバイスのそれとは異なる。
【0011】
(発明の概要)
本発明は、双安定ネマチックデバイスの異なる切り替え特性を考慮に入れた新しいアドレス指定スキームを提供することにより、双安定ネマチック液晶デバイスの切り替えにかかわる問題に取り組む。
【0012】
本発明によれば、ネマチック又は長ピッチコレステリック液晶材料の層を囲む2つのセル壁により形成され、電極構造体は両壁に保持され、一方の壁上に一連の行電極が、他方の壁上に一連の列電極が形成されて交差領域即ちピクセルのマトリクスを形成しており、壁に表面処理を施して適当な単極電圧パルスが掛けられると分子を2つの異なる安定状態に整列させる分子配列を提供している双安定ネマチックデバイスをアドレス指定するための方法は、
各行にあるシーケンスで行波形を掛けると同時に各列電極に2つのデータ波形のうちの一方を掛け、それにより各ピクセルが2つの双安定状態の間で独立的に切り替わる段階から成り、
行波形は、少なくとも2タイムスロットの期間と、デバイスを第1の状態に切り替えるための少なくとも2つの単極パルスと、デバイスを第2の状態に切り替えるための少なくとも2つの単極パルスとを有し、
両方のデータ波形は、各タイムスロット内に単極パルスを有する少なくとも2つのタイムスロットの期間を有し、少なくとも1つのデータ波形は行波形と結合するように成形されて一方のラッチ状態に切り替えが起きるようにし、
それにより、デバイスに印加されるdc電圧が実質的に正味ゼロの状態で、各ピクセルはアドレス指定され、何れかの安定状態にラッチされ、集合的に希望される表示を提供することができるようになっていることを特徴とする。
【0013】
2つの異なる切り替え特性、即ち、一方のラッチ状態から他方のラッチ状態に切り替えるための低電圧/時間値、を与えるために、セル壁上の整列処理が施されることが望ましい。これは、格子構造体の溝の高さの変動、及び/又は格子の期間の変動、及び/又は格子上の界面活性剤の選択、及び/又は材料弾性定数の選択により実現される。界面活性剤はレシチン又はクロム複合体界面活性剤でよい。
【0014】
デバイスのアドレス指定は2フィールドタイムの間に行われ、その1つは一方の安定状態に切り替えるためのフィールドタイムであり、もう1つは第2の安定状態に切り替えるためのフィールドタイムである。フィールドタイムは長さが同じでも異なっていてもよい。デバイスは、ピクセルを1つのフィールドタイム中に一方の状態に選択的に切り替え、ピクセルを第2のフィールドタイム中に他方の状態に選択的に切り替えることによりアドレス指定される。代わりに、ピクセルの一部又は全部がブランクにされて一方の状態になってから、選択的に他方の状態に切り替えられるようにしてもよい。ブランキングは全ピクセルに対し同時に行うこともできるし、一度に1行ずつ(例えば、選択的アドレス指定前に1行又は数行)行ってもよいし、或いは、各行がアドレス指定される際に、ブランキング及び選択的アドレス指定を組み合わせて行ってももよい。
【0015】
行波形は、ピクセルのブランキングが可能な少なくとも2つの単極パルスであってよいし、ピクセルを選択的に切り替えるためにデータ波形と組み合わせ可能な少なくとも2つの単極アドレス指定パルスであってもよい。ブランキングパルスは、同一又は逆(或いは同極性)振幅でも、異なる(ゼロを含む)振幅であってもよく、同様にアドレス指定パルスは、デバイス全体が実質的に正味ゼロdc電圧を受け取るようにしているのであれば、同一又は逆振幅でも、異なる(ゼロを含む)振幅であってもよい。ブランキングパルスは、アドレス指定パルスと振幅が同じでも異なっていてもよい。2つのブランキングパルス及び2つのアドレス指定パルスは、アドレス指定直後のブランキングを含めて、等間隔又は不同間隔で時間が空けられる。行波形期間が3つ以上のts期間から形成されている場合、少なくとも1つのタイムスロットはゼロ電圧振幅のタイムスロットであってもよい。
【0016】
各データ波形は、通常は、等しくて反対の交替パルスである。しかしながら、アプリケーションの中には、各波長期間の1タイムスロット内でゼロ電圧が印加されることもある。
【0017】
行波形及びデータ波形は、2つ、3つ、4つ又はそれ以上のタイムスロットtsの期間を有していてもよい。ラインアドレスタイムは、2つ、3つ、4つ又はそれ以上のタイムスロットtsの期間を有していてもよい。更には、行波形期間は、EP−0,542,804号、PCT/GB91/01263号のFELCDのアドレス指定と同じ方法で、1ラインアドレスタイムより長い時間に及んでいてもよい。
【0018】
アドレス指定は各行に対して順に行ってもよいし、例えば後に図11で示すように、アドレス指定のインターリービングのように、異なるシーケンスで行ってもよい。
【0019】
液晶材の温度を測定して、電圧Vs、Vdの比Vs/Vd、及び/又はtsの時間長、及び/又は選択的アドレス指定パルスに対するブランキングの相対位置を、温度に関する切り替え特性を補償するために調整してもよい。
【0020】
更なる電圧波形即ち電圧減少波形を行及び列電極に加えてもよい。行電極に加えられる場合は、ピーク即ちrms.レベルで全体的減少を与えるために必要な切り替え電圧を変更することなく、これらの電圧減少波形は列電圧と結合する。
【0021】
電圧減少波形を使用すれば、ドライバ回路に対する電圧要件を低減できる。これは、rms.アドレスツイストネマチックタイプのディスプレイに設計された標準ドライバ回路を、GB2,290,160でのように使えるようにする。
【0022】
本発明によれば、双安定ネマチックデバイスは、
間隔を空けて設けられ、ネマチック又は長ピッチコレステリック液晶材料の層を囲んでいる2つのセル壁と、
集合的に交差領域即ちピクセルのマトリクスを形成する、一方の壁上の第1の一連の電極及び他方の壁上の第2の一連の電極と、
適当な単極電圧パルスが印加されると、分子を2つの異なる安定状態に整列させることのできる分子配列を提供するための壁上の表面処理と、
液晶材料の切り替えられた両状態の間を区別するための手段と、
行波形を生成し、その行波形を第1の一連の電極内の各電極にあるシーケンスで掛けるための手段と、
2つのデータ波形の一方を生成し、その波形を第2の一連の電極内の各電極に掛けるための手段とを備えており、
前記行波形は、少なくとも2タイムスロットの期間と、デバイスを第1の状態に切り替えるための少なくとも2つの単極パルスと、デバイスを第2の状態に切り替えるための少なくとも2つの単極パルスとを有しており、
前記両方のデータ波形は、各タイムスロット内に実質的に正味ゼロdc値を与える1つの単極パルスを有する少なくとも2つのタイムスロットの期間を有し、少なくとも1つのデータ波形は、前記行波形と結合して一方のラッチ状態への切り替えを引き起こすように成形されており、
それにより、デバイスに印加されるdc電圧が実質的に正味ゼロの状態で、各ピクセルは何れかの安定状態に独立的に切り替えられ、集合的に希望される表示を提供することを特徴とする。
【0023】
液晶材料の切り替え状態を区別するための手段は、2つのポラライザーであってもよく、又、液晶材料内の二色染料であってもよく、その場合は1つ又はそれ以上のポラライザーが付いていてもいなくてもよい。ポラライザーは中性でも着色されていてもよい。
【0024】
第1の一連の電極は行又はライン電極に形成され、第2の一連の電極は列電極に形成される。行及び列電極は、集合的に、アドレス可能なピクセルのx,yマトリクスを形成する。通常、電極は200μm幅で20μm離して設けられる。他の電極構成を使用してもよい。例えば、いわゆるr−θ配置が使用できる。また、英数字配列、又は、7又は8バー配列にしてもよい。
【0025】
表面処理は格子面であってもよい。格子は、例えば、M.C.ハートレイによる回折格子(1982年、ロンドン、アカデミックプレス)の95−125頁、及びF.ホーンによる物理学の世界33(1993年3月)にある、フォトリソグラフィー加工により形成されたフォトポリマーの成型層であってもよい。代わりに、格子は、例えば、M.T.ゲール、J.カーン、K.ノップによるJApp.Photo Eng、4、2、41(1978年) 等のエンボス加工、又は、E.G.ローウェンとR.S.ウィリーによるProc SPIE、88(1987年)等のけい引き、又はキャリア層からの転写により形成してもよい。
【0026】
格子輪郭は各ピクセル全体に亘り均一であってもよいし、或いは各ピクセル内で変化してもよいが、その場合はピクセルの別々の領域を切り替えるために異なる電圧レベルが必要となる。このような配列の場合には、3つ以上の異なるデータ波形が使用できる。
【0027】
デバイスは、ドライバ回路、論理アレイ、キーボードのような入力装置、又はデバイスにアドレスするためのコンピュータリンクを含んでいてもよい。代わりに、デバイスは、セル壁、電極、液晶材料、及び面配列処置を備えたセルだけであってもよい。後者の場合、デバイスは、ディスプレイデバイスに変更が行われる際に必要となるので、ドライバなどに接続するための接点を含んでいる。これはデバイスの双安定特性を利用する。例えば、スマートカードは、制御回路などに挿入されると、ドライバ回路、無線、磁性、又はレーザー読出し装置又はアドレス指定装置のような外部手段により変更することのできる情報を表示する。
【0028】
スマートカードとして設計されたセルは、例えばポケットや財布の中に動かし回されると静電気効果を被る場合がある。予想される静電気効果を回避するために、電極の幾つか又は全てが一緒に抵抗リンクと接続される。これは、電極の帯電安定化により、表示に不要な変化が起きないようにする。リンクは、セルがアドレスされたときに非常に高周波の電圧変化を発生させることなく、誘導電荷がゆっくりと等化されるに十分な値をもっている。
【0029】
デバイスはネマチック材料だけを含んでいてもよいし、ネマチックに、少量のコレステリック液晶材料のようなキラル又はコレステリック添加剤を加えたものを含んでいてもよく、更には、目に見える色を強化するための二色染料を一定量含んでいてもよい。
【0030】
(好適な実施例の詳細な説明)
添付の図面を参照しながら、本発明について以下に説明するが、これは例示だけを目的としている。
【0031】
図1及び2の周知のディスプレイは、ガラス壁3及び4の間に挟まれたネマチック又は長ピッチコレステリック液晶材料の層2により形成される液晶セル1を備えている。スペースリング5により、壁は通常1−6μm離して保持される。更に、壁間隔を正確に維持するため、液晶内には多数の直径が同じビーズを分散配置してもよい。行電極6、例えばSnO2又はITO(酸化インジウム錫)のようなストリップが一方の壁3上に形成され、同様の列電極7が他方の壁4上に形成される。m行n列の電極配置にすると、アドレス可能要素即ちピクセルのm×nのマトリクスができる。各ピクセルは、行電極と列電極の交点により形成される。
【0032】
行ドライバ8は、各行電極6に電圧を供給する。同様に列ドライバ9は、各列電極7に電圧を供給する。印加する電圧の制御は制御論理10から来るが、制御論理10は、電圧源11から電力を、クロック12からタイミングを受け取る。
【0033】
セル1の各側はポラライザー13、13’になっており、その偏光軸は互いに対してほぼ十字に交差し、後述するように、隣接壁3、4上で、整列方向Rがある場合には、それに対して大凡45°で交差している。加えて、例えば、伸張ポリマーの光学補償層17をセル壁とポラライザーとの間の液晶層に隣接して加えてもよい。
【0034】
一部反射性のミラー16は、光源15と共にセル1の背後に設けられる。これらによって、表示は、反射によって目に見え、鈍い周囲照明で後ろから照明されるようになっている。透過デバイスの場合ミラー16は省略できる。代わりに、内部反射面を使用してもよい。
【0035】
組み立てに先立ち、セル壁3、4の少なくとも一方には双安定プリチルトを提供するために整列格子が施される。他方の面は、平面(即ち、整列方向とゼロ又は数度のプリチルトをなす)即ち同方性単安定表面、又は縮退平面(即ち、整列方向とゼロ又は数度のプリチルトにない)の何れかの状態に処理してもよい。
【0036】
これらデバイスの格子面は、WO−97/14990号に説明されている各種技術を使って製作することができる。同方性処理は、格子面に対する良好な接着性を有するのであればどんな界面活性剤であってもよい。この処理をすると結果的に非ピン型配列になる。これは即ち、表面にネマチックの堅い方向性のある配列を引き起こすことなく、特定のネマチック方位付けに有利に働く配列である。
【0037】
最後に、セルは、例えば、E7、ZLI2293又はTX2A(Merck)のような正の誘電体異方性ネマチック材料で充填される。代わりに、材料は、ZLI4788、ZLI4415、又はMLC6608(Merck)のような負の誘電体異方性ネマチック材料であってもよい。
【0038】
液晶には、例えば1−5%程度の少量の二色染料を組み込んでもよい。このセルは、色を提供するため、コントラストを改善するため、又は、例えばE63(Merck)の材料D124のようなゲストホスト型デバイスとして作動するために、ポラライザーの有無にかかわらず使用できる。デバイス(染料を伴う場合も伴いわない場合もある)のポラライザーは、デバイスの2つの切り替え状態の間のコントラストを最適化するために回転される。
【0039】
双安定状態の間での切り替えを行うのに適したセル構成の1つを図3に示しているが、これは、双安定格子面25と単安定同方性面26とで正誘電性異方性を持つネマチック液晶材料の層2を囲んで構成されているデバイスの様式化した断面である。後者の面26は、例えば、レシチンがコーティングされた平坦なフォトレジスト面であってもよい。このデバイス内で、液晶分子は2通りの安定状態で存在できる。状態(a)では、両面25、26は同方性であるが、状態(b)では、格子面25はスプレイ型構造につながる低プリチルト状態にある。どちらの状態も、ポラライザーの向き、バルクツイスト角、及びセルジオメトリ(透過性/反射性)によって明るく、又は暗くなる。本出願では、図3aのOFF状態を暗(又は黒)状態、図3bのそれを明(光)状態と定義する。多くのネマチック材料について、スプレイ又は曲げ変形は巨視的なフレキソ電気分極を引き起こすであろうが、これは図3のベクトルFで表している。dcパルスはこの分極と結合し、その符号によって、構成(b)に有利に働くか或いは不利に働くかの何れかとなる。
【0040】
デバイスが状態(a)の場合、正誘電体同方性であっても、正パルスを与えれば同方性構造に変動が生じる。この変動は、2通りの整列状態を分離するエネルギーバリアを超えてシステムを駆動するに十分である。パルスが終わると、フィールドの符号がフレキソ電気分極と有利に結合するので、システムは状態(b)に落ち着く。システムが状態(b)の場合には、負符号のパルスがもう一度システムを混乱させるが、今度は符号がフレキソ電気分極の形成に有利に作用しないので、状態(a)に緩和される。この同方性状態では、双安定面は90°よりわずかに少ない角度(例えば89.5°)でチルトしている。これは、セルが状態(b)に切り替わったときに得られるスプレイの方向を制御するには十分である。
【0041】
あるセルは、双安定格子面と同方性平坦面の間に挟まれたネマチックZLI2293(Merck)の層から構成されていた。セルの厚さは3μmであった。室温(20℃)でdcパルスが印加されている間、セルを通して透過度を測定した。セル1の各側上のポラライザー及びアナライザー13、13’は互いに十字に交わり、格子溝に対してプラスマイナス45°に配向された。このセットアップでは、図3の2つの状態(a)及び(b)は、以下のようにアドレス指定されると、それぞれ暗(黒)と輝(明)になって現れる。
【0042】
図4は、印加された電圧パルス(下の線)及び光学反応(上の線)を時間の関数として示している。各パルスは、ピークの高さが55.0ボルトで、持続期間が3.3msであった。パルス間隔は300msであった。最初の正パルスを与えると、透過性は暗から明に変化し、セルが図4の状態(a)から状態(b)に切り替わったことを示している。2番目の正パルスは、正誘電性異方性との結合のrms.効果により透過性に遷移的変化を起こし、バルク材料を状態(a)に瞬間的に切り替える。しかしながら、この場合、セルは表面でラッチされるわけではないので、状態(b)のままである。次のパルスは符号が負であるので、セルを状態(b)から状態(a)に切り替える。最終的に、第2の負のパルスによりセルは状態(a)に留められる。この実験は、各パルスが正しい符号でなければ、セルは各パルスに合わせて状態を変化させることはないということを示している。そうして、このことは、システムが双安定であり、掛けられたパルスの符号は最終的な状態を確実に選択できることを証明している。
【0043】
図5は典型的な切り替え特性を示している。4本の線を示しているが、上の実線及び上の破線は、暗から明へ切り替わる際の時間/電圧曲線を示しており、破線曲線は切り替えの立ち上がりを、実線曲線は完全な切り替えを示したものである。実線曲線と破線曲線の間の領域は部分切り替わり領域である。下の2本の線は明から暗へ切り替わる場合の同じ特性を示している。実線曲線より上の時間/電圧値では常に切り替えが起こる。図示のように、特定の時間値τについては、負のパルスVs(又は−(Vs−Vd)、又は−(Vs+Vd))は全てのピクセルを暗に切り替えるが、パルス+Vsそれだけでは完全に明に切り替えるには不十分である。そこで、明へ切り替えるためには+(Vs+Vd)が、即ち、ストローブパルスに適当なデータパルスをプラスすることが必要である。
【0044】
部分切り替わり領域は、ピクセルを部分的に切り替えるために利用され、それによりアナログ様式でグレースケールのレベルを生成する。例えば、データ波形振幅Vdは、ストローブパルスにデータパルスを加えた合成値が、制御された方法で暗から明への部分的な切り替わり領域内に落ち着くようなやり方で調節される。ストローブ電圧及びデータ電圧が(Vs−Vd)は切り替え曲線の立ち上がり上にあり、+(Vs+Vd)は完全切り替え曲線上にあるという状態にある場合、データ電圧の振幅をゼロからVdに変化させることにより、合成パルス+(Vs±Vd)に対しては明度のレベルが制御的された部分的切り替え状態となり、合成パルス−(Vs±Vd)に対しては常に暗に切り替わる。
【0045】
これらの曲線は、例えば、切り替え特性曲線が印加電圧の形状によって変化し切り替えの方向によって変化するのではないFELCDと対照をなす。2曲線の離隔距離は、格子表面の高さを変えることにより、及び/又は格子の振幅を変えることにより、及び/又は例えば異なる界面活性剤を用いるなどしてエネルギーを引き留める表面を変えることにより、変更することができる。これは、2つの許容された状態のエネルギーレベルを変えるという効果を持っている。この手段により、2本の曲線はより離隔することも可能で、同一にしたり、更には位置を逆転することもできる。
【0046】
2曲線のこのような離隔に関する1つの考えられる理由として、黒への切り替えは(正誘電性異方性材料の場合)適用されたフィールドに対する両方のフレキソ電気誘電結合を利用するが、一方、白状態への切り替えにはフレキソ電気定数への結合しかないということが挙げられる。これを許容する場合には、2つの状態のエネルギーレベルを僅かに違えるために、又は切り替え電圧間の差異を強調するためにも、格子面の形状が選択される。1つの典型的な例では、格子の高さ値h対期間w、即ちh/wは0.6であったが、通常は0.5から0.7の範囲にある。通常、hは0.1から10μmの範囲で0.5であり、wは0.05から5μmの範囲で1である。WO−97/14990のデバイスでは、h/wは0.6であった。h/wが低い場合には、高プリチルト状態は最低のエネルギーを有するので、ネマチックは図3の高プリチルト状態を優先的に採用することになる。反対に、h/wが大きい場合には、低プリチルト状態が最低のエネルギーを有するので、ネマチックはこの状態を優先的に採用する。h/w=0.52あたりでは、2つの状態は同じエネルギーを有する。h/wをこの条件から外れるようにすると、図5の2つの切り替え曲線は離れる。追加的又は代替的には、表面の界面活性剤は様々であってもよい。
【0047】
図5に示す特性は、適当な電圧パルスを流すことによりテストセル(例えば単ピクセルセル)で得ることができる。例えば図1のような多くのピクセルを備えたマトリクスセルでは、行毎に順に行波形を掛けると同時に2つのデータ波形のうちの1つを各列に掛けることにより電圧が掛けられる。これには、希望の結果が得られるように行波形と列波形の形状をデザインすることが必要になる。数例の異なる形状及び配置が考えられるが、それらを以下に説明する。共通する特性は、実質的に正味ゼロdc電圧を各ピクセルで達成する必要性である。これは、通常は、複数対の等しく反対の単極パルスを有する波形を使って実現されるが、アドレス指定だけを目的とするのであれば、複数の単パルスでも十分である。
【0048】
図6は本発明の第1の実施例を示している。4列8行のマトリクスは特定のパターンにアドレス指定されており、塗りつぶした円はOFF暗状態であり、空白円はON明状態である。
【0049】
全波形は時間スロットtsに時分割されている。各ラインのアドレス指定にかかる時間は2tsであり、これをラインアドレスタイムと呼ぶ。表示全体をアドレス指定するのに要する時間はフレームタイムと呼ばれ(図6の例では)2フィールドタイムから成っている。
【0050】
アドレス指定は、行波形を、各行に順にあるシーケンスで掛けると共に、2つのデータ波形のうちの一方を各列に掛けるというやり方で行われる。行波形は、あるtsの電圧+Vsの第1パルスの直後に第1フィールドの1つのtsで−Vsパルスが続き、その後しばらくして第2フィールドで逆の形で形成される。図6に関連して、振幅Vsの4パルスはストローブパルスと名づけられている。FELCDの技術分野では、ストローブという語は、ピクセル切り替えを有効にするためにデータ(列)パルスと選択的に結合する(行)パルスを意味して使われるが、一方ブランキングパルスという語は、列にデータパルスが掛けられることには無関係に、常にピクセルを切り替える(行)パルスを指して使われる。ブランキングパルスは、しばしば振幅及び/又は時間がストローブパルスよりはるかに大きい。図6の8行ディスプレイでは、フィールドタイムは8×2tsで、従ってフレームタイムは2×8×2tsとなる。
【0051】
2つのデータ波形は同じであるが極性が反対であり、暗状態への切り替え時に一方(データ1と図示)を使い、適当なストローブと結合して明状態に切り替えるときに他方(データ2と図示)を使う。各データ波形は、連続するタイムスロット内の+Vd又は−Vd何れかのパルスからなる。
【0052】
図6上でマークされているのはピクセル、即ち行と列の交点であり、R3/C1、R3/C2、R3/C3、R3/C4はそれぞれA、B、C、Dとマークされている。
【0053】
列C1からC4に掛けられた列波形を示している。C1の全ピクセルはOFF暗状態にあるので、C1に対するデータ波形は、全アドレス指定タイムを通して同じデータ1になっている。列C2では、ピクセルはOFFとONが交互になっているので、C2に掛けられる波形はデータ1とデータ2が交互になっている。C3については、列波形は、2tsの連続ラインアドレスタイムで、データ2、データ1、データ1、データ2、データ2、データ1、データ1、データ2となっている。列C4は、連続ラインアドレスタイムで、データ1、データ1、データ2、データ2、データ1、データ1、データ2、データ2となっている。
【0054】
ピクセルA、B、C、Dに現れる合成波形は図示の通りである。ピクセルAについては、第1のフィールドタイムのストローブはデータ1と共に使用されて暗への切り替えを行い、ts6のストローブパルスの2番目は合成値−(Vs+Vd)を与える。図5を吟味すると、ピクセルは2本の曲線の間の電圧時間積で明から暗に切り替えられることが分かる。−(Vs+Vd)又は−(Vs−Vd)の何れかの組み合わせを、第1のフィールドタイム内に、2本の曲線の間に設けて、暗への切り替えを起こさせるようにすることができる。これは、この第1のフィールドのデータ波形が、データ1又はデータ2の何れであってもよいということを意味する。データ1は、図6のピクセルAの特定の例に使用される。従って、FELCDの専門用語を使えば、最初の2つのストローブパルスは、振幅が真のストローブパルスと同じであってもブランキングパルスである。その後、第2のフィールドタイムのピクセルAについては、合成値+(Vs−Vd)は、図5の2曲線の間にあり従って暗から明への切り替えに必要とされる値より下なので、OFFからONへ切り替えを起こすには十分でない。
【0055】
ピクセルBは、合成値−(Vs−Vd)により第1のフィールドタイムのts6で(暗から明への切り替えには低い振幅が必要なため)暗に切り替わり、第2のフィールドタイムで、ts22の第2のストローブパルスペアの2番目のパルスで合成値+(Vs+Vd)により明に切り替わる。同じように(ピクセルAのように)ピクセルCは第1のフィールドタイム中に暗に切り替わるが、第2のフィールドタイム中も暗のままである。ピクセルDは(ピクセルBのように)第1のタイムフィールド中に暗に切り替わり、第2のタイムフィールド中に明に切り替わる。
【0056】
曲線の離隔は、ストローブパルスをブランキングパルスとして機能できるようにする。ある2フィールドスキームについて不都合な点として挙げられるのは、例えばピクセルB及びDが常に1つのフィールドで暗に切り替わり第2のフィールドで明に切り替わるので、明状態は平均値が小さくなるということである。図5の曲線を一緒にすると、例えば明るいピクセルが第1のフィールドで明るいままとなり平均透過レベルが上がるように電圧レベルを調整できるようになる。
【0057】
図6に示す例は時間長が等しい2つのフィールドタイムを使用しており、第1のフィールドタイムを使ってOFF暗状態に切り替え、第2のフィールドタイムを使ってON明状態に切り替えるようにしている。第1及び第2のフィールドタイムを通じて、データ1又はデータ2が各列に掛けられる。これは、各ピクセルで高いrms.レベルの電圧が維持されるという不都合を伴う。表示のコントラストはrms.レベルが大きくなるにつれ減少する。
【0058】
図7は、図6の合成波形に対するピクセルの反応を示しており、掛けられた波形を上に、光学反応を下に示す。テスト詳細は:Vs=15v、Vd=4v、ラインアドレスタイム=10ms、材料はMerck BL−036で厚さは大凡4μmであった。時間ゼロでは、ピクセルは明状態にあるが、透過度は、明状態のピクセルの列波形により起きるrms.信号のために小さい。大きなdcパルスはピクセルを暗状態に切り替え、透過度を、アドレス暗フレームとして示される時間内に低い値に下げる。ピクセルがそのときゼロ電圧を受ければ、透過度は更に低下するが、これはゼロバイアスフレームの時間として示される。
【0059】
アドレス明フレームとして示される第2のフィールドタイム中に、列波形のためにある量のrms.が受信され、次に明状態パルスへのアドレスが受信され、ピクセルが明状態に切り替わったことを示す透過度の増加が見られる。そのピクセルが次にゼロバイアスフレームとして示されるゼロ電圧を受けると、透過度はより高いレベルまで著しく上昇する。
【0060】
2つの特徴が見られる。第1に、ピクセルは2つの安定状態、即ち暗状態と明状態に切り替わってラッチされる。第2に、ピクセルを横切るrms.電圧の存在が暗状態と明状態の間のコントラストを低下させる。このように、最良の表示は、全ピクセルが必要とされる暗又は明状態にラッチされるとき、及び全電圧がデバイスから取り除かれるときに生じる。表示される情報があまり頻繁に変更されないデバイスに関しては、このようなアドレス指定スキームは適している。例えば、販売取引時にしか表示が変更されないようなクレジットカード型のディスプレイがそうである。
【0061】
図8は、ラインアドレスタイム(l.a.t.)の変化に対して、図6の各ピクセルA、B、C、Dの光透過率をプロットしたものである。図6のアドレス指定スキームでは、Vs=15v、Vd=4vで32個のピクセルがアドレスされている。ラインアドレスタイムが約8又は9m秒のとき、4つのピクセル全てが完全に切り替えられる。このタイムの何れかの側では、部分的に切り替わるピクセルもあり、それはピクセルパターン依存性と呼ばれるものを示している。こうして、図6のスキームに関しては、最大の有効性を得るため、ラインアドレスタイムは、暗及び明ピクセルのどのようなパターンが必要とされるにしろ、明瞭なディスプレイが得られるように調整されねばならない。
【0062】
図9は、第1のフィールドタイムを通して列波形がゼロボルトに保持される点を除いては、図6と同じである。その結果、第1のフィールドタイムの間、ピクセルA、B、C、Dの最大電圧は+Vsと−Vsである。このレベルは、−Vsが受信されたときに全部を暗OFF状態に切り替えるには十分である。第2のフィールドタイムでは、ONへの切り替えが要求される全ピクセルは、パルス+Vs+VdによりONに切り替えられる。ピクセルB及びDに関しては、このことは、ピクセルB及びDが1つのフィールドタイムではOFFに切り替えられ、その後第2のフィールトタイム中にONに切り替えられるので、平均明度が低下するという点で不都合がある。
【0063】
図9の修正例(図示せず)では、第1のフィールドの2つのストローブパルスは各行に同時に掛けられ、それにより第1のフィールドは2tsと同程度に下がるが、より長くすることができる。同時に、ゼロ又はデータ1か修正データの何れかが全列に掛けられる。次に、図9の第2のフィールド相当では、残っているストローブパルスとデータ1又はデータ2の何れかが各行と各列に掛けられ選択的な切り替えを起こす。このようなアドレス指定スキームはブランキングと称され、その後に1つのフィールドの選択切り替えが続くが、これでフレームタイムは短縮される。
【0064】
1つのラインアドレスタイムで全体的なブランキングを行い、そして次に選択的切り替えを行うという変型は、各行を順にブランクにして次に選択的にアドレス指定するというものである。これを図10に示すが、ここでは、各行は選択的アドレス指定に2ラインアドレスタイム分、先行してブランクされる。図10の特定の例では、ブランキングパルスは、振幅がストローブと同じである。例えば行R3では、ブランキング(ts1で+Vsを受信した後)はts2で−Vsであり、これは、どのデータ波形が掛けられたかに関係なく全ピクセルを暗に切り替える。これは、行R3の全ピクセルが最初の2タイムスロットに切り替わる合成波形に示されている。
【0065】
図10の特定の例では、ブランキングは2ラインアドレス指定タイム分、ストローブに先行しているが、他の値も選定可能である。例えば、ブランキングは2つのストローブパルスの直前にあってもよいし、数ラインアドレス指定タイム分だけ前でもよい。
【0066】
こうしてR3では、−Vsの第2ブランキングパルスが掛けられた後、ts3及びts4両方に関してゼロになる。ts5に対して−Vs、ts6に対して+Vsのストローブが、ts5、ts6の期間中の列波形の下に示されるように、適当なデータと組み合わされて掛けられる。前のように、2つのブランキングパルスと2つのストローブパルスとから成るストローブ波形は、R1からR8までの各行に順に掛けられる。総アドレスタイムは8ラインアドレスタイムであり、つまり図6及び7のスキームでの32tsに対して16tsとなる。
結果を吟味して以下のことが分かった。
【0067】
ピクセルAについては、大きなブランキング+(Vs+Vd)そして−(Vs+Vd)次に+Vd、−Vd(ブランキングとストローブアドレス指定の間の時間)があり、その次にts5、ts6で−(Vs−Vd)及び+(Vs−Vd)がある。これらの値Vs−Vdは、Vs−Vdが図5の2曲線の間にあることから、ブランクの暗から明への切り替えを起こすに不十分であるので、材料は明に切り替わらない。
【0068】
ピクセルBについては、+(Vs−Vd)次いで−(Vs−Vd)によるブランキングである。これは、Vs−Vdが図5の曲線の間(即ち、暗への切り替え曲線の上方)にあるので暗に切り替わり、材料は暗に切り替わることになる。その後、ts5、ts6で、合成値−(Vs+Vd)続いて+(Vs+Vd)となり、Vs+Vdが図5の暗から明への切り替え曲線の上方にあるので、明に切り替わる。
【0069】
時間期間ts5、ts6において、ピクセルAとピクセルBの間の差異は、ピクセルAのデータ波形がピクセルBのデータ波形と異なっているということである。これにより、ピクセルの暗から明への選択的切り替えは、ストローブパルスと組み合わせて使用されるデータ波形に依存するようになる。
【0070】
ピクセルC及びDに関しては、状況はピクセルA及びBと同様であって、つまりは、ts1、ts2でのブランキングにより暗に切り替わり、次にts5、ts6で選択的に明に切り替わるのである。
【0071】
図10のスキームでは、デバイス全体が単一のフィールド内でアドレス指定され、フィールドとフレーム時間は同じである。別の実施例では、各行はブランクされ、次にフレームタイム毎に少なくとも2回選択的にアドレス指定される、というのはつまり、各行は、フレーム毎に2つ又はそれ以上のフィールド内で2回又はそれ以上の回数アドレス指定されるということである。同様のスキームがWO−95/27971号に記載されている。
【0072】
図11は、第1及び第2のフィールドがインターリーブされるものと、各ピクセルが黒にブランクされた後選択的に明に切り替えられるものの、2つのスロットアドレス指定スキームを示している。行波形は、隣接するタイムスロットでの+Vs次に−Vsにより形成されたブランキングであり、その後4tsでゼロボルトが続き、次に隣接するタイムスロットで−Vs及び+Vsのアドレス指定ストローブが来る。本例では、ブランキングパルスとアドレス指定ストローブパルスは値が同じであるが、異なっていてもよい。
【0073】
データ波形は、暗切り替えについては−Vdそして+Vd、明切り替えについては+Vdそして−Vdである。特定の行がブランクにされると、データを選択する必要がないのでデータ値は全ての列でゼロになり、ピクセルは−Vsのときのみ暗に切り替わる。
【0074】
R3のアドレス指定は以下の通り、即ち、期間ts5、ts6に対し、ストローブ波形は+Vs次いで−Vsとなり、行波形はC1からC4まで全ての列についてゼロであり、各ピクセルA、B、C、Dでの合成値は+Vsの後−Vsとなって、ts6で暗に切り替わるブランキングレベルを与える。タイムスロットts7とts8で、ピクセルA、B、C、Dの合成値は+Vdの後で−Vdとなっており、これは何れの切り替えレベルよりも下である。タイムスロットts9とts10では、ピクセルA、B、C、Dでの合成値は、行3の波形がゼロ、全列の波形がゼロ、一方行4はブランクされているので、ゼロとなる。タイムスロットts11とts12では、アドレス指定ストローブは−Vs次いで+Vsとなっており、データ波形はC1及びC3では−Vd次いで+Vd、C2及びC4では+Vd次いで−Vdとなっている。ピクセルA及びCの合成値は、−(Vs−Vd)次いで+(Vs−Vd)であり、これは暗から明状態への切り替えを起こすには不十分である。ピクセルB及びDの合成値は−(Vs+Vd)次いで+(Vs+Vd)となり、ts12で明状態への切り替えを起こすには十分である。
【0075】
インターリービングの効果は以下の通り、即ち、R3がブランクされた直後、即ちts7及びts8で、行R2は−Vsそして次に+Vsのストローブパルスにより選択的に明状態にアドレス指定され、一方+/−VdのデータレベルがC1からC4までのそれぞれに掛けられる。これに引き続いて、即ちts9及びts10で、+Vs次いで−VsのブランキングパルスがR4に掛けられ、一方ゼロデータ電圧が列C1からC4に掛けられる。こうしてアドレス指定は以下のように(例えば行R3で開始すると)ブランクR3、選択的アドレス指定R2、ブランクR4、選択的アドレス指定R3、ブランクR5、選択的アドレス指定R4、ブランクR6、選択的アドレス指定R5、ブランクR7、選択的アドレス指定R6、のようになる。インターリービングの効果は、明状態になることを要求されているピクセルに対して暗状態と明状態の間の時間を短くし、ある期間中のゼロ電圧に起因する各ピクセルでのrms.レベルを下げることである。
【0076】
図12は、図11のアドレス指定スキームの場合について、上の線の印加電圧に対してピクセルの光学反応を下の線に示しており、ここに、Vs=15v、Vd=4v、l.a.t.=20ms、アドレス指定のピクセル個数は32である。時間ゼロでは、ピクセルは明状態にあって、小さなrms.電圧をデータ波形から受信する。時間がマークされたアドレス明フレーム内に、ピクセルは、暗状態への切り替えを起こし光学的透過に大きな減少を起こすブランキング−Vsパルスを受信する。時間がマークされたアドレス明フレームの間に、Vs+Vdの大型切り替えパルスが明状態への切り替えと光学的透過の大きな増加を引き起こし、これは時間がマークされたゼロバイアスの間更に増加する。図12を図7と比較すると、特にrms.電圧がピクセルに現れている間、暗状態と明状態の間のコントラストが改善されたことを示している。従って、図11のアドレス指定スキームは、情報を継続的に更新することが必要なディスプレイの場合は、図6のスキームよりも優れているといえる。
【0077】
更に、図13に示すように、ピクセルA、B、C、Dが切り替わるラインアドレスタイムの範囲は、図8の切り替えよりもはるかに優れている。明瞭な切り替えが約12msから約35msで得られる。これは、図11のスキームがピクセルパターンの不規則性に比較的鈍感であることを示している。
【0078】
図6から図11のアドレス指定スキームは2スロットスキームであり、即ち、ストローブ波形とデータ波形の両方が2パルス期間となっている。
【0079】
図14は、ブランキングのある4スロットスキームを示している。このスキームでは、行波形は、ブランキングを与える場合はゼロ、+Vs、−Vs、ゼロであり、ストローブパルスを与える場合はゼロ、−Vs、+Vs、ゼロである。列波形は、暗への選択的切り替えを与える場合には、ゼロ、−Vd、+Vd、ゼロで、明への選択的切り替えを与える場合はゼロ、+Vd、−Vd、ゼロである。図示するように、ブランキング及びストローブパルスは、振幅が同じであるが、異なっていてもよい。ブランキングの終わりとストローブの始めとの間の間隙は4tsタイム期間であるが、それより長くても短くてもよい。
【0080】
ピクセルAについては、合成値は、ts1からts4までの期間中は、ゼロ、+(Vs+Vd)、−(Vs+Vd)、ゼロであり、ts3で暗へのブランキングを与える。ts9からts12の期間中は、電圧は、ゼロ、−(Vs−Vd)、+(Vs−Vd)、ゼロとなり、明への切り替えを起こさず、ピクセルAは要求どおり暗のままである。
【0081】
ピクセルBに関しては、合成値は、ts1からts4では、ゼロ、+(Vs−Vd)、−(Vs−Vd)、ゼロであり、これはts3の期間に暗にブランクするには十分である。ts9からts12の期間中は、電圧は、ゼロ、−(Vs+Vd)、+(Vs+Vd)、ゼロとなり、要求通りts11で明に切り替わる。
【0082】
同じくピクセルC、Dについては、両方ともts3で暗にブランクにされ、ピクセルDはts11で選択的に明に切り替えられる。
【0083】
合成波形を調べると、必要な場合には暗から明へ切り替わる間に短い時間があり、又、幾つかの期間にゼロ電圧があって、それによりrms.レベルが低下するのが分かる。
【0084】
2スロットアドレス指定スキーム及び4スロットアドッシングスキーム両方についてこれまで説明してきた。奇数個のスロットを有することも可能である。これを図15に示すが、このスキームは電圧減少波形は行にしか掛けられないブランク型3スロットスキームである。行波形は、ブランキング電圧を与える3つの連続したts期間ではゼロ、+Vs、−Vsで、適当なデータ波形と組み合わされると明への選択的アドレス指定を与える3つの連続したts期間ではゼロ、−Vs、+Vsである。3つのブランキングパルスの終わりと3つの選択的アドレス指定パルスの開始の間には3tsの期間があるが、それより長くても短くてもよい。ここでも、ブランキングとストローブの振幅レベルは同じであるが、違っていてもよい。ストローブパルスの間には、電圧減少波形がある。これは、−Vd/2、+Vd、及び−Vd/2を各3タイムスロット期間に掛ける。
【0085】
データ波形は、暗状態への切り替えを与える場合は、3つの隣接するタイムスロットにおいて−Vd、+Vd、ゼロとなり、明状態への切り替えを与える場合は、3つの隣接するタイムスロットにおいてゼロ、+Vd、−Vdとなる。
【0086】
行R3では、全てのピクセルAからDが、ts1からts3の期間内に暗にブランクされ、次に、ピクセルBとDはts7からts9の期間内に選択的に明に切り替わる。期間ts4からts6の間は、以前にブランクにされたR2が選択的に明に切り替わる。
【0087】
ピクセルAに関しては、合成電圧は、ts1、ts2、ts3で、−(0−Vd)、+(Vs−Vd)、−(Vs−0)であり、ts3で暗へのブランキングを与える。期間ts7、ts8、ts9では、合成電圧は−(0−Vd)、−(Vs+Vd)、(Vs−0)であり、暗からの切り替えは伴わない。
【0088】
ピクセルBについては、合成電圧は、ts1、ts2、ts3で、0−0、+(Vs−Vd)、−(Vs−Vd)で、ts3で暗へのブランキングを与える。期間ts7、ts8、ts9では、合成電圧は−(0−0)、−(Vs+Vd)、+(Vs+Vd)であり、期間ts9で明への選択的切り替えを与える。
【0089】
同様に、ピクセルCとDは、両方ともts3でブランクして暗になり、ピクセルDはts9で選択的に明に切り替わる。
【0090】
ブランキング及び選択的切り替え期間以外は、行(−Vd/2、Vd、−Vd/2)上に電圧減少波形があるせいで合成波形は縮小し、データ波形値(0、Vd、−Vd)と結合してVd/2、0、Vd/2、又はVd/2、0、−Vd/2という合成値を与える。完成した合成波形ではr.m.s.レベルが減少している。
【0091】
電圧減少波形を使った効果の例を以下に示す。
付録A.
図14の行減少波形を伴う場合、及び伴いない場合の、波形のr.m.s.値の計算。
ディスプレイにはN行あるものとする。
ブランキングパルス合成値は2つの値のうちの一方−
Vd, Vs-Vd, -Vs 又は 0, (Vs-Vd), -(Vs-Vd)
になる。
これらは、N通りのアドレス指定サイクルを通して、
B1=(Vd2/3+(Vs-Vd)2/3+Vs2/3)/N 又は B2=(2(Vs-Vd)2/3)/N
の平均二乗値を与える。
【0092】
同様に、ON及びOFFストローブ合成値は、
0, -(Vs+Vd), (Vs+Vd) 及び Vd, -(Vs+Vd), Vs
となって、N通りのアドレス指定サイクルを通して、
SON=(2(Vs+Vd)2/3)/N 又は SOFF=(Vd2/3+(Vs+Vd)2/3+Vs2/3)/N
の二乗平均値を与える。
【0093】
データ波形の合成値は、
-Vd, Vd, 0 及び 0, Vd, -Vd
となり、
両方の場合につき、N通りのアドレス指定サイクルを通して、
D=(2Vd2/3)(N-2)/N
の二乗平均値を与える。
例えば、N=128、Vs=20、Vd=4であれば、
B1=1.75, B2=1.333, SON=3, SOFF=2.583, D=10.5 となる。
N通りのアドレス指定サイクルを通しての考えられるr.m.s.値は、
ONrms=(B1+SON+D)1/2=3.905 又は ONrms=(B2+SON+D)1/2=3.851
OFFrms=(B1+SOFF+D)1/2=3.851 又は ONrms=(B2+SOFF+D)1/2=3.796
である。
【0094】
r.m.s.減少波形がデータ波形に含まれている場合は、合成値は、
-Vd/2, Vd/2, 0 及び 0, Vd/2, -Vd/2
となり、両方の場合につき、二乗平均値は、
DR=(2(Vd2/4)/3)(N-2)/N
であり、上記の例を使うと、DR=2.625 となる。
【0095】
ブランキング及びストローブ合成値に変化がないので、N通りのアドレス指定サイクルを通してのr.m.s.値は、
ONrms=(B1+SON+DR)1/2=2.715 又は ONrms=(B2+SON+DR)1/2=2.637
OFFrms=(B1+SOFF+DR)1/2=2.637 又は ONrms=(B2+SOFF+DR)1/2=2.557
のようになり、つまり、〜3.8の電圧においてr.m.s.電圧に〜1.2Vの減少があり、〜31%の減少となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】WO−GB96/02463号に説明されている、マトリクス多重化アドレス指定型液晶ディスプレイの平面図である。
【図2】図1のディスプレイの断面図である。
【図3】図3a及び図3bは、WO−97/14990号に説明されている、2つの状態の間での双安定切り替えを備えた様式化されたセル構成の断面を示す図で、両図は双安定面上の高面チルトと低面チルトをそれぞれに示している。
【図4】セルの透過と掛けられた信号を時間の関数として示す図である。
【図5】双安定ネマチックデバイスの、電圧に対する時間の切り替え特性を示す図であり、2つの曲線のセットは、暗から明(上の曲線)への切り替えと明から暗(下の曲線)への切り替えを示し、実線は完全切り替え、破線は切り替えの立ち上がりを示す。
【図6】2つの等しいフィールドアドレス指定タイムにストローブパルスを設け2タイムスロットアドレス指定を使って8行4列をアドレスするための、本発明の波形の第1の例を示す図である。
【図7】図6のアドレス指定スキームにより印加された合成電圧へのピクセルの光学反応を示す図である。
【図8】図6のアドレス指定スキームに依存するピクセルパターンを表示するために幾つかのマークされたピクセルにおいて透過に関するラインアドレス指定タイムを変更した場合の効果を示す図である。
【図9】図6同様のスキームを示す図であるが、第1のフィールドタイム中に全列電極にゼロ電圧レベルが印加されている。
【図10】2つのスロットスキームを示す図であり、各ラインはブランクにされて一方の状態になり、その後選択的に他方の状態に切り替えられる。
【図11】ブランキング及び選択的切り替え状態の2つのスロットスキームを示し、行は図9にあるようにフィールド毎に順にというのではなくて、2つのインターリーブされたフィールドでアドレス指定される。
【図12】図11のアドレス指定スキームにより印加された合成電圧に対するピクセルの光学反応を示す図である。
【図13】図11のアドレス指定スキームに依存するピクセルパターンを表示するために幾つかのマークされたピクセルにおいて透過に関するラインアドレス指定タイムを変更した場合の効果を示す図である。
【図14】ブランキングの後に選択的切り替えが続き、且つストローブ波形及びデータ波形両方にゼロ電圧の期間がある、4スロットアドレス指定スキームを示す図である。
【図15】ブランキングの後に選択的アドレス指定があり、且つrms.減少波形を行に印加して合成rms.電圧値を下げるようにしている、3スロットアドレス指定スキームを示す図である。
Claims (23)
- ネマチック又は長ピッチコレステリック液晶材料の層(2)を囲む2つのセル壁(3、4)により形成され、電極構造体は両壁に保持され、一方の壁(4)上に一連の行電極(6)が、他方の壁(3)上に一連の列電極(7)が形成されて交差領域即ちピクセルのマトリクスを形成している装置であって、少なくとも一方の壁に表面処置を施して適当な単極電圧パルスが掛けられると、壁に接触する又は壁に隣接する分子を第1または第2の異なる安定状態に整列させる分子配列を提供しているデバイスを用いる段階、及び
各行に或るシーケンスでストローブ行波形を掛け、特定の行に前記ストローブ行波形を掛け、同時に各列電極に第1または第2のデータ波形の何れかを掛ける段階であって、或るピクセルにおいて前記ストローブ行波形及び第1のデータ波形が組み合わされることにより、前記液晶材料を第1の安定状態に切り替え、或るピクセルにおいて前記ストローブ行波形と第2のデータ波形が組み合わされることにより、前記ピクセルの切り替えを生じさせない、段階から成り、
前記ストローブ行波形は、少なくとも2つのタイムスロットの期間を有し、且つ一方のタイムスロット内に一方の極性の単極パルスと、他方のタイムスロットに他方の極性の単極パルスとを有し、
各データ波形は、少なくとも2つのタイムスロットの期間を有し、且つ一方のタイムスロット内に一方の極性の単極パルスと、他方のタイムスロットに他方の極性の単極パルスを有する、双安定ネマチックデバイスをアドレス指定するための方法において、
前記方法が、前記ストローブ行波形を加える前に、各行に、液晶材料を前記第2の安定状態に切り替えるための追加の行波形を掛けるステップを含み、前記追加の行波形が少なくとも2つのタイムスロットの期間を有し、且つ一方のスロットにおいて一方の極性の単極パルスと、他方のタイムスロットに他方の極性の単極パルスを有し、
それにより、デバイスに印加されるdc電圧が実質的に正味ゼロの状態で、各ピクセルはアドレス指定され、何れかの安定状態にラッチされ、集合的に希望される表示を提供することを特徴とする方法。 - 前記デバイスのアドレス指定は2つのフィールドタイム中に行われ、前記追加の行波形が、一方のフィールドタイムにおいて印加され、前記ストローブ行波形が他方のフィールドタイムにおいて印加されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記フィールドタイムは長さが同じであることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記フィールドタイムは長さが異なることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記デバイスは、1つのフィールドタイム中に前記第2の安定状態にピクセルを選択的に切り替え、第2のフィールドタイム中に前記第1の安定状態にピクセルを選択的に切り替えることによりアドレス指定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記追加の行波形がブランキング波形であり、前記ストローブ行波形が、切り替え波形であり、前記ピクセルの幾つか又は全部はブランクされて一方の状態になり、次に選択的に他方の状態に切り替えられることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ブランキング波形と前記切り替え波形とは、少なくとも1ラインアドレスタイムの期間分、離されていることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記ブランキング波形を1つの行に掛けている間、列は電圧パルスを受けず、アドレスを指定されていない行は電圧パルスを受けず、ブランクされていないピクセルはゼロ電圧を受けることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記ブランキング波形と前記切り替え波形とは、少なくとも1ラインアドレスタイムの期間分、離されており、その期間中、行電圧は振幅がゼロであることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記行波形及びデータ波形は、2つ、3つ、4つ、又はそれ以上の個数のタイムスロットtsの同じ期間を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ストローブ行波形及びデータ波形は各々3つ又はそれ以上のタイム期間から形成され、前記ストローブ行波形及び/又は前記データ波形の少なくとも1つのタイムスロットはゼロ電圧振幅であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記アドレス指定は、前記追加の行波形を各行に順に与え、次に、前記ストローブ行波形を各行に順に与えることにより行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記アドレス指定は、前記追加の行波形を1つの行に与え、次いで前記ストローブ波形を他の行に与えることにより行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 追加的な電圧減少波形が、前記行電極に与えられて、ピクセルにおけるrms電圧レベルが減少されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 双安定状態の一方への切り替えが他方の双安定状態への切り替えよりも低い電圧で起きるように、表面処理を施す段階を更に含んでいることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 液晶材料の温度が測定され、温度に関する切り替え特性を補正するために電圧が調整されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- ラインアドレスタイムが、ピクセルパターンへの依存性を最小にするように選択されている請求項1記載の方法。
- ピクセルにおけるrms電圧レベルを減少し且つ表示コントラストを改善するように、追加の波形が、行電極に加えられる請求項1記載の方法。
- 双安定ネマチックデバイスにおいて、
間隔を空けて設けられ、ネマチック又は長ピッチコレステリック液晶材料の層(2)を囲んでいる2つのセル壁(3,4)と、
集合的に交差領域即ちピクセルのマトリクスを形成する、一方の壁(4)上の第1の一連の電極(6)及び他方の壁(3)上の第2の一連の電極(7)と、
適当な単極電圧パルスが印加されると、壁に接触する又は壁に隣接する分子を2つの異なる安定状態に整列させることのできる分子配列を提供するための少なくとも一方の壁(3、4)上の表面処理と、
液晶材料の切り替えられた両状態を区別するための手段(13、13’)と、
前記液晶材料を一方の安定状態に切り替えるための第1行波形、次にストローブ行波形を生成して、第1の一連の電極(6)内の各電極に、あるシーケンスで掛けるための手段(8、10)と、
2つのデータ波形の何れかを生成し、その波形を第2の一連の電極(7)内の各電極に掛け、或るピクセルにおいて前記ストローブ行波と一方のデータ波形とを組み合わせることにより、前記液晶材料を他方の安定状態に切り替え、或るピクセルにおいて前記ストローブ行波形と他方のデータ波形とを組み合わせることにより、前記ピクセルの切り替えを生じさせないための手段(9、10)とを備えており、
前記第1及びストローブ行波形の各々は、少なくとも2タイムスロットの期間と、一方のタイムスロットにおける一方の極性の少なくとも一つの単極パルスと、他方のタイムスロットにおける他方の極性の少なくとも一つの単極パルスとを有しており、
前記両方のデータ波形は、少なくとも2つのタイムスロットの期間を有し、一方のタイムスロット内に一方の極性の1つの単極パルスを有し、他方のタイムスロット内に他方の極性の単極パルスを有し、
それにより、デバイスに印加されるdc電圧が実質的に正味ゼロの状態で、各ピクセルは何れかの安定状態に独立的に切り替えられ、集合的に希望される表示を提供することを特徴とするデバイス。 - 壁表面整列処理時の前記2つの安定状態での液晶分子のエネルギーレベルは、前記2つの状態の間で切り替えを行うときに、切り替え特性が同じになるように調整されることを特徴とする請求項19に記載のデバイス。
- 壁表面整列処理時の前記2つの安定状態での液晶分子のエネルギーレベルは、前記2つの状態の間で切り替えを行うときに、切り替え特性が異なるように調整されることを特徴とする請求項19に記載のデバイス。
- 格子壁表面処理の高さ対幅比率は、デバイスが2つの双安定状態に切り替えられるときに、異なる切り替え特性を与えるように決められることを特徴とする請求項19に記載のデバイス。
- 前記ピクセルのrms電圧を減少するための電圧減少波形を発生して、これを第1の一連の電極の各電極に、印加する手段(10、8、9)を更に含む請求項19記載のデバイス。
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