JP4791291B2 - CMP pad - Google Patents

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Description

本発明は、プラテンで回転自在に軸支されてスラリーが供給される盤面で処理対象を研磨するＣＭＰパッドに関し、特に、研磨性の上層とスラリーの浸透を遮断する中間層とクッション性を有する下層とが接着剤で接合されているＣＭＰパッドに関する。   The present invention relates to a CMP pad for polishing a processing target on a disk surface that is rotatably supported by a platen and to which slurry is supplied, and in particular, an abrasive upper layer, an intermediate layer that blocks the penetration of slurry, and a cushioning lower layer. The present invention relates to a CMP pad that is bonded with an adhesive.

現在、半導体装置の製造にＣＭＰ装置が利用されている。ＣＭＰ装置は、ＣＭＰパッドが装着される交換自在に装着されるプラテンを有する。このプラテンとともに回転駆動されるＣＭＰパッドの盤面に、製造過程の半導体装置が形成されている半導体ウェハが処理対象として圧接される。   Currently, a CMP apparatus is used for manufacturing a semiconductor device. The CMP apparatus has a replaceable platen on which a CMP pad is mounted. A semiconductor wafer on which a semiconductor device in a manufacturing process is formed is pressed against a surface of a CMP pad that is rotationally driven together with the platen as a processing target.

その場合、半導体ウェハはＣＭＰパッドの直径方向に往復移動される。また、ＣＭＰパッドの盤面にはスラリーが供給される。さらに、ＣＭＰパッドの盤面は、やはり直径方向に往復移動されるドレッサでドレッシングされる。   In that case, the semiconductor wafer is reciprocated in the diameter direction of the CMP pad. Further, slurry is supplied to the surface of the CMP pad. Further, the surface of the CMP pad is dressed with a dresser that is also reciprocated in the diametrical direction.

一般的なＣＭＰパッドは、研磨性の上層とスラリーの浸透を遮断する中間層とクッション性を有する下層とを接着剤で接合した構造に形成されている。現在、このようなＣＭＰパッドとして各種の提案がある(例えば、特許文献１〜６参照)。
特開２００５−３１７８０８号公報 特開２００５−０５４０７２号公報 特開２００５−１５９３４０号公報 特開２００５−１３８２７７号公報 特開２００３−１６３１９１号公報 特開２０００−３０６８７０号公報 A general CMP pad is formed in a structure in which an abrasive upper layer, an intermediate layer that blocks permeation of slurry, and a lower layer having cushioning properties are joined with an adhesive. Currently, there are various proposals for such a CMP pad (see, for example, Patent Documents 1 to 6).
JP-A-2005-317808 JP-A-2005-054072 JP 2005-159340 A JP 2005-138277 A JP 2003-163191 A JP 2000-306870 A

上述のようなＣＭＰパッドは、回転する盤面が直径方向に往復移動する処理対象とドレッサとで擦過される。従って、処理対象とドレッサからＣＭＰパッドの盤面に直径方向に応力が作用する。   The CMP pad as described above is rubbed by the processing object and the dresser in which the rotating disk surface reciprocates in the diameter direction. Therefore, stress acts in the diametrical direction on the surface of the CMP pad from the processing object and the dresser.

特に、このドレッサは一般的に小径である。このため、ＣＭＰパッドは直径方向に移動するストロークが大きい。従って、ドレッサからＣＭＰパッドに作用する応力は大きい。   In particular, the dresser is generally small in diameter. For this reason, the CMP pad has a large stroke that moves in the diameter direction. Accordingly, the stress acting on the CMP pad from the dresser is large.

ＣＭＰパッドは、上述の応力のため、接着剤で接合されている上層と中間層とが、その中央領域で剥離することがある。この剥離が発生すると、中間層から遊離した上層の中央領域に、破損が発生することがある。   In the CMP pad, the upper layer and the intermediate layer bonded with an adhesive may peel at the central region due to the stress described above. When this peeling occurs, damage may occur in the central region of the upper layer released from the intermediate layer.

特許文献４，５には、下面中央に凹穴が形成されているＣＭＰパッドが開示されている。しかし、特許文献４には、ＣＭＰパッドの層構造が開示されていないため、実施困難である。   Patent Documents 4 and 5 disclose a CMP pad in which a concave hole is formed in the center of the lower surface. However, since Patent Document 4 does not disclose the layer structure of the CMP pad, it is difficult to implement.

また、特許文献５には、ＣＭＰパッドの中央領域を上面から下面まで透光性とするため、下層と上層との中央領域に貫通孔を形成し、上層の貫通孔を透光材で充填した構造が開示されている。   Further, in Patent Document 5, in order to make the central region of the CMP pad translucent from the upper surface to the lower surface, a through hole is formed in the central region of the lower layer and the upper layer, and the through hole of the upper layer is filled with a translucent material. A structure is disclosed.

しかし、これでは上層の機械強度が不足する。このため、上述のような構造のＣＭＰパッドでは、処理対象やドレッサで上層が擦過されると、その上層が中央領域の貫通孔の位置から破断しやすい。   However, this lacks the mechanical strength of the upper layer. For this reason, in the CMP pad having the above-described structure, when the upper layer is rubbed with a processing object or a dresser, the upper layer is easily broken from the position of the through hole in the central region.

本発明のＣＭＰパッドは、プラテンで回転自在に軸支されてスラリーが供給される盤面で処理対象を研磨するＣＭＰパッドであって、研磨性の材料で均一な一層として形成されている上層と、上層が上面に接着剤で接合されていてスラリーの浸透を遮断する中間層と、中間層が上面に接着剤で接合されていてクッション性を有する下層と、を有し、中間層と下層とが外周領域では固定されていて中央領域では固定されておらず、中間層と下層とを接合する接着剤が中央領域のみ排除されている。

The CMP pad of the present invention is a CMP pad that is rotatably supported by a platen and polishes an object to be processed on a surface to which slurry is supplied, and an upper layer formed as a uniform layer of an abrasive material; The upper layer has an intermediate layer that is bonded to the upper surface with an adhesive to block the penetration of the slurry, and the intermediate layer is bonded to the upper surface with an adhesive and has a cushioning lower layer. It is fixed in the outer peripheral region and not fixed in the central region, and the adhesive that joins the intermediate layer and the lower layer is excluded only in the central region .

従って、本発明のＣＭＰパッドでは、直径方向に往復移動する処理対象やドレッサから上層に応力が作用しても、その応力により上層の中央領域が中間層から剥離することが防止される。   Therefore, in the CMP pad of the present invention, even if stress acts on the upper layer from the processing object or dresser that reciprocates in the diametrical direction, the central region of the upper layer is prevented from peeling from the intermediate layer due to the stress.

本発明のＣＭＰパッドでは、中間層と下層とが外周領域では固定されていて中央領域では固定されていない。このため、直径方向に往復移動する処理対象やドレッサから上層に応力が作用しても、その応力により上層の中央領域が中間層から剥離することを防止できる。従って、中間層からの剥離に起因した上層の破損を防止することができる。   In the CMP pad of the present invention, the intermediate layer and the lower layer are fixed in the outer peripheral region and are not fixed in the central region. For this reason, even if a stress acts on the upper layer from the processing object or dresser that reciprocates in the diametrical direction, the central region of the upper layer can be prevented from peeling from the intermediate layer due to the stress. Therefore, damage to the upper layer due to peeling from the intermediate layer can be prevented.

本発明の実施の第一の形態を図１および図２を参照して以下に説明する。本実施の形態のＣＭＰパッド１００は、図１に示すように、研磨性の材料で均一な一層として形成されている上層１１０と、上層１１０が上面に接着剤１２０で接合されていてスラリーＳの浸透を遮断する中間層１３０と、中間層１３０が上面に接着剤１４０で接合されていてクッション性を有する下層１５０と、を有する。   A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the CMP pad 100 of the present embodiment includes an upper layer 110 formed as a uniform layer of an abrasive material, and the upper layer 110 is bonded to the upper surface with an adhesive 120 so that the slurry S An intermediate layer 130 that blocks permeation, and a lower layer 150 that has a cushioning property as the intermediate layer 130 is bonded to the upper surface with an adhesive 140.

そして、本実施の形態のＣＭＰパッド１００では、中間層１３０と下層１５０とを接合する接着剤１４０が中央領域Ｃのみ排除されている。このため、中間層１３０と下層１５０とが外周領域Ｏでは固定されていて中央領域Ｃでは固定されていない。   In the CMP pad 100 of the present embodiment, only the central region C is removed from the adhesive 140 that joins the intermediate layer 130 and the lower layer 150. For this reason, the intermediate layer 130 and the lower layer 150 are fixed in the outer peripheral region O and are not fixed in the central region C.

なお、上層１１０は上述のように均一な一層として形成されているので、その中央領域には凹部や貫通孔などの空隙は形成されていない。下層１５０も均一な一層として形成されているので、その中央領域には凹部や貫通孔などの空隙は形成されていない。   Since the upper layer 110 is formed as a uniform layer as described above, no voids such as recesses and through holes are formed in the central region. Since the lower layer 150 is also formed as a uniform layer, no voids such as recesses and through holes are formed in the central region.

本実施の形態のＣＭＰ装置２００は、図２に示すように、ＣＭＰパッド１００が交換自在に装着されるプラテン２１０を有する。このプラテン２１０とともに回転駆動されるＣＭＰパッド１００の盤面に、製造過程の半導体装置が形成されている半導体ウェハが処理対象として圧接される(図示せず)。   As shown in FIG. 2, the CMP apparatus 200 of the present embodiment includes a platen 210 to which the CMP pad 100 is attached in a replaceable manner. A semiconductor wafer on which a semiconductor device in the manufacturing process is formed is pressed against the surface of the CMP pad 100 that is rotationally driven together with the platen 210 (not shown).

より具体的には、半導体ウェハはホルダユニット２２０により保持される。このホルダユニット２２０は、半導体ウェハを回転させながらＣＭＰパッド１００の直径方向に往復移動させる。   More specifically, the semiconductor wafer is held by the holder unit 220. The holder unit 220 reciprocates in the diameter direction of the CMP pad 100 while rotating the semiconductor wafer.

また、プラテン２１０とともに回転駆動されるＣＭＰパッド１００の盤面には、ドレッサ２３０も圧接される。このドレッサ２３０も、回転駆動されながらＣＭＰパッド１００の直径方向に往復移動される。   A dresser 230 is also pressed against the surface of the CMP pad 100 that is rotationally driven together with the platen 210. The dresser 230 is also reciprocated in the diameter direction of the CMP pad 100 while being rotationally driven.

プラテン２１０により支持されたＣＭＰパッド１００の盤面の上方には滴下装置２４０が配置されている。この滴下装置２４０は、ＣＭＰパッド１００の盤面にスラリーＳを供給する。   A dropping device 240 is disposed above the surface of the CMP pad 100 supported by the platen 210. The dropping device 240 supplies the slurry S to the surface of the CMP pad 100.

なお、ドレッサ２３０はホルダユニット２２０より小径に形成されている。例えば、ドレッサ２３０はＣＭＰパッド１００の半径の二分の一より小径であり、ホルダユニット２２０はＣＭＰパッド１００の半径の二分の一より大径である。このため、ＣＭＰパッド１００の直径方向の往復移動の距離は、ホルダユニット２２０では小さくドレッサ２３０では大きい。   The dresser 230 has a smaller diameter than the holder unit 220. For example, the dresser 230 has a smaller diameter than one half of the radius of the CMP pad 100, and the holder unit 220 has a larger diameter than one half of the radius of the CMP pad 100. For this reason, the distance of the reciprocating movement of the CMP pad 100 in the diameter direction is small in the holder unit 220 and large in the dresser 230.

そして、本実施の形態のＣＭＰパッド１００では、中間層１３０と下層１５０とが固定されていない中央領域Ｃが、半導体ウェハを研磨する上層１１０の外周領域より内側、かつ、ドレッサ２３０で擦過される上層１１０の外周領域より内側、に位置している。   In the CMP pad 100 of the present embodiment, the central region C where the intermediate layer 130 and the lower layer 150 are not fixed is rubbed by the dresser 230 inside the outer peripheral region of the upper layer 110 for polishing the semiconductor wafer. It is located inside the outer peripheral region of the upper layer 110.

なお、本実施の形態のＣＭＰパッド１００では、例えば、上層１１０は、Shore-D硬度５２〜６２の熱硬化型弾性ポリウレタン樹脂により、層厚１．１７〜１．３７mmに形成されている。接着剤１２０は、アクリル系粘着材により、層厚４５μmに形成されている。   In the CMP pad 100 of the present embodiment, for example, the upper layer 110 is formed with a layer thickness of 1.17 to 1.37 mm by a thermosetting elastic polyurethane resin having a Shore-D hardness of 52 to 62. The adhesive 120 is formed of an acrylic pressure-sensitive adhesive material with a layer thickness of 45 μm.

中間層１３０は、ＰＥＴ(Polyethylene Terephthalate)により、層厚３０μmに形成されている。接着剤１４０は、アクリル系粘着材により、層厚４５μmに形成されている。下層１５０は、Asker-C硬度６２〜７０のポリウレタン樹脂を含浸したポリエステル不織布により、層厚１．２０〜１．３４mmに形成されている。   The intermediate layer 130 is formed of PET (Polyethylene Terephthalate) to a layer thickness of 30 μm. The adhesive 140 is made of an acrylic pressure-sensitive adhesive material and has a layer thickness of 45 μm. The lower layer 150 is made of a polyester nonwoven fabric impregnated with a polyurethane resin having an Asker-C hardness of 62 to 70, and has a layer thickness of 1.20 to 1.34 mm.

また、ＣＭＰパッド１００は、例えば、直径５０８mmに形成されている。また、半導体ウェハを研磨しない範囲の直径は、例えば、５０mmである。そして、中間層１３０と下層１５０とが固定されていない中央領域Ｃの直径は、例えば、２０mmである。なお、ドレッサ２３０は、ＣＭＰパッド１００の中心から外縁まで往復して盤面の全体を擦過する。   The CMP pad 100 is formed with a diameter of 508 mm, for example. Moreover, the diameter of the range which does not grind | polish a semiconductor wafer is 50 mm, for example. The diameter of the central region C where the intermediate layer 130 and the lower layer 150 are not fixed is, for example, 20 mm. The dresser 230 reciprocates from the center of the CMP pad 100 to the outer edge and rubs the entire board surface.

上述のような構成において、本実施の形態のＣＭＰ装置２００では、プラテン２１０の盤面にＣＭＰパッド１００が交換自在に装着される。そこで、半導体ウェハをＣＭＰ処理するときは、その半導体ウェハがホルダユニット２２０に装填される。   In the above-described configuration, in the CMP apparatus 200 according to the present embodiment, the CMP pad 100 is replaceably mounted on the surface of the platen 210. Therefore, when the semiconductor wafer is subjected to the CMP process, the semiconductor wafer is loaded into the holder unit 220.

そして、このホルダユニット２２０に保持された半導体ウェハが、プラテン２１０とともに回転駆動されるＣＭＰパッド１００の盤面に圧接される。このとき、半導体ウェハも回転駆動されながらＣＭＰパッド１００の直径方向に往復移動される。   The semiconductor wafer held by the holder unit 220 is pressed against the surface of the CMP pad 100 that is rotationally driven together with the platen 210. At this time, the semiconductor wafer is also reciprocated in the diameter direction of the CMP pad 100 while being rotationally driven.

さらに、このＣＭＰパッド１００の盤面にはスラリーＳも供給される。これで半導体ウェハの表面がＣＭＰパッド１００によりＣＭＰ処理される。このとき、ＣＭＰパッド１００の盤面にはコンタミが付着する。   Further, the slurry S is also supplied to the surface of the CMP pad 100. Thus, the CMP process is performed on the surface of the semiconductor wafer by the CMP pad 100. At this time, contamination adheres to the surface of the CMP pad 100.

しかし、上述のように半導体ウェハを研磨しているＣＭＰパッド１００の盤面は、同時にドレッサ２３０によりドレッシングされている。このため、ＣＭＰパッド１００の盤面の研磨性は常時良好に維持される。   However, the surface of the CMP pad 100 polishing the semiconductor wafer as described above is simultaneously dressed by the dresser 230. For this reason, the polishability of the surface of the CMP pad 100 is always kept good.

上述のドレッサ２３０も回転駆動されながらＣＭＰパッド１００の直径方向に往復移動される。このため、小径のドレッサ２３０でも大径のＣＭＰパッド１００の盤面が良好にドレッシングされる。   The above-described dresser 230 is also reciprocated in the diameter direction of the CMP pad 100 while being rotationally driven. For this reason, even the small-diameter dresser 230 can satisfactorily dress the surface of the large-diameter CMP pad 100.

ただし、前述のようにＣＭＰパッド１００の直径方向に往復移動するドレッサ２３０のストロークは大きい。このため、ＣＭＰパッド１００の上層１１０にドレッサ２３０から直径方向に無視できない応力が作用する。   However, as described above, the stroke of the dresser 230 that reciprocates in the diameter direction of the CMP pad 100 is large. For this reason, stress that cannot be ignored in the diameter direction acts on the upper layer 110 of the CMP pad 100 from the dresser 230.

しかし、本実施の形態のＣＭＰパッド１００では、中間層１３０と下層１５０とが外周領域Ｏでは固定されていて中央領域Ｃでは固定されていない。このため、上述のようにドレッサ２３０から直径方向に応力が作用しても、接着剤１２０で接合されている上層１１０と中間層１３０とが中央領域Ｃで剥離することがない。   However, in the CMP pad 100 of the present embodiment, the intermediate layer 130 and the lower layer 150 are fixed in the outer peripheral region O and are not fixed in the central region C. For this reason, even if stress acts in the diametrical direction from the dresser 230 as described above, the upper layer 110 and the intermediate layer 130 joined by the adhesive 120 do not peel in the central region C.

このことは以下のように考察される。ドレッサ２３０がＣＭＰパッド１００の直径方向に往復移動するとき、その直径方向に上層１１０に応力が作用する。このとき、上層１１０は応力が作用する直径方向に微少に変形して変位する。   This is considered as follows. When the dresser 230 reciprocates in the diameter direction of the CMP pad 100, stress acts on the upper layer 110 in the diameter direction. At this time, the upper layer 110 is slightly deformed and displaced in the diameter direction where the stress acts.

このとき、上層１１０に発生した変形および変位に中間層１３０が良好に追従しないと剥離が発生する。しかし、この中間層１３０が下層１５０に中央領域Ｃでは固定されていない。このため、中間層１３０の中央領域Ｃが上層１１０の変形および変位に良好に追従することができ、そこに剥離が発生することを防止できる。   At this time, if the intermediate layer 130 does not follow the deformation and displacement generated in the upper layer 110 well, peeling occurs. However, the intermediate layer 130 is not fixed to the lower layer 150 in the central region C. For this reason, the center region C of the intermediate layer 130 can follow the deformation and displacement of the upper layer 110 satisfactorily, and it can be prevented that peeling occurs there.

なお、ＣＭＰパッド１００は外周面が開放されている。このため、中間層１３０は、外周領域Ｏで下層１５０に固定されていても、上層１１０の変形および変位に良好に追従することができる。従って、そこに剥離が発生することもない。   Note that the outer peripheral surface of the CMP pad 100 is open. For this reason, even if the intermediate layer 130 is fixed to the lower layer 150 in the outer peripheral region O, it can follow the deformation and displacement of the upper layer 110 satisfactorily. Therefore, peeling does not occur there.

なお、本発明者は、上層と中間層と下層とが接着剤で固定されている従来の構造のＣＭＰパッドと、上述のように中間層と下層とが中央領域で固定されていないＣＭＰパッドと、を試作して実験した(図示せず)。   In addition, the inventor has a CMP pad having a conventional structure in which an upper layer, an intermediate layer, and a lower layer are fixed with an adhesive, and a CMP pad in which the intermediate layer and the lower layer are not fixed in a central region as described above. , And made an experiment (not shown).

すると、従来の構造のＣＭＰパッドでは、上層と中間層とが中央領域で剥離した。しかし、中間層と下層とが中央領域で固定されていないＣＭＰパッドでは、その上層と中間層とが剥離しないことが確認された。   Then, in the CMP pad having the conventional structure, the upper layer and the intermediate layer were separated in the central region. However, it was confirmed that the upper layer and the intermediate layer do not peel in the CMP pad in which the intermediate layer and the lower layer are not fixed in the central region.

本実施の形態のＣＭＰパッド１００は、上述のように中間層１３０と下層１５０とが外周領域Ｏでは固定されていて中央領域Ｃでは固定されていない。このため、直径方向に移動されるドレッサ２３０で盤面が擦過されても、上層１１０と中間層１３０とが中央領域Ｃで剥離することを防止できる。   In the CMP pad 100 of the present embodiment, the intermediate layer 130 and the lower layer 150 are fixed in the outer peripheral region O and not fixed in the central region C as described above. For this reason, it is possible to prevent the upper layer 110 and the intermediate layer 130 from separating in the central region C even if the disk surface is rubbed by the dresser 230 moved in the diameter direction.

しかも、中間層１３０と下層１５０とを外周領域Ｏでは固定して中央領域Ｃでは固定しない構造を、中間層１３０と下層１５０とを接合する接着剤１４０を中央領域Ｃのみ排除することで実現している。   In addition, a structure in which the intermediate layer 130 and the lower layer 150 are fixed in the outer peripheral region O and not fixed in the central region C is realized by removing only the central region C from the adhesive 140 that joins the intermediate layer 130 and the lower layer 150. ing.

このため、中間層１３０や下層１５０に特別な加工が必要ない。従って、ＣＭＰパッド１００として、構造が簡単で生産性が良好な構造を提供することができる。さらに、中間層１３０に貫通孔などを形成する必要がない。このため、スラリーＳが中間層１３０より下方まで浸透することを有効に防止できる。   For this reason, no special processing is required for the intermediate layer 130 or the lower layer 150. Therefore, a structure having a simple structure and good productivity can be provided as the CMP pad 100. Further, it is not necessary to form a through hole or the like in the intermediate layer 130. For this reason, it is possible to effectively prevent the slurry S from penetrating below the intermediate layer 130.

さらに、中間層１３０と下層１５０とが固定されていない中央領域Ｃが、半導体ウェハを研磨する上層１１０の外周領域より内側に位置している。このため、下層１５０に中間層１３０の中央領域Ｃが支持されていないことにより、上層１１０に半導体ウェハが良好に圧接されないことが発生しない。   Further, the central region C where the intermediate layer 130 and the lower layer 150 are not fixed is located inside the outer peripheral region of the upper layer 110 that polishes the semiconductor wafer. For this reason, the central region C of the intermediate layer 130 is not supported by the lower layer 150, so that the semiconductor wafer does not press well against the upper layer 110.

本実施の形態のＣＭＰパッド１００は、上層１１０が研磨性の材料で均一な一層として形成されている。このため、上層１１０の強度が良好であり、ドレッサ２３０から直径方向に作用する応力のために上層１１０に破断が発生するようなことを防止できる。   In the CMP pad 100 of the present embodiment, the upper layer 110 is formed as a uniform layer of an abrasive material. Therefore, the strength of the upper layer 110 is good, and it is possible to prevent the upper layer 110 from being broken due to the stress acting in the diametrical direction from the dresser 230.

なお、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、上記形態では各部の材料および寸法を具体的に例示した。しかし、その材料および寸法は必要な機能を満足する範囲で各種に変形することができる。   The present invention is not limited to the present embodiment, and various modifications are allowed without departing from the scope of the present invention. For example, in the above embodiment, the material and dimensions of each part are specifically exemplified. However, the material and dimensions can be variously modified within a range that satisfies the required functions.

つぎに、本発明の実施の第二の形態を図３を参照して以下に説明する。なお、これより以下の説明において、上述した実施の第一の形態と同一の部分は、同一の名称および符号を使用して詳細な説明は省略する。   Next, a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In the following description, the same parts as those in the first embodiment described above are denoted by the same names and reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態のＣＭＰパッド３００も、上層１１０、接着剤１２０、中間層１３０、接着剤１４０、下層３１０、からなる。さらに、本実施の形態のＣＭＰパッド３００では、中間層１３０と下層３１０とを接合する接着剤１４０が中央領域Ｃのみ排除されているのみならず、下層３１０の上面の中央領域Ｃに凹部３１１が形成されている。このため、中間層１３０と下層３１０とが外周領域Ｏでは固定されていて中央領域Ｃでは固定されていない。   The CMP pad 300 of this embodiment also includes an upper layer 110, an adhesive 120, an intermediate layer 130, an adhesive 140, and a lower layer 310. Furthermore, in the CMP pad 300 of the present embodiment, not only the central region C is removed from the adhesive 140 that joins the intermediate layer 130 and the lower layer 310, but also the recess 311 is formed in the central region C on the upper surface of the lower layer 310. Is formed. For this reason, the intermediate layer 130 and the lower layer 310 are fixed in the outer peripheral region O and are not fixed in the central region C.

上述のような構成において、本実施の形態のＣＭＰパッド３００も、前述したＣＭＰパッド１００と同様に、中間層１３０と下層３１０とが外周領域Ｏでは固定されていて中央領域Ｃでは固定されていない。このため、直径方向に移動されるドレッサ２３０で盤面が擦過されても、上層１１０と中間層１３０とが中央領域Ｃで剥離することを防止できる。   In the configuration as described above, the CMP pad 300 of the present embodiment also has the intermediate layer 130 and the lower layer 310 fixed in the outer peripheral region O and not fixed in the central region C, like the CMP pad 100 described above. . For this reason, it is possible to prevent the upper layer 110 and the intermediate layer 130 from separating in the central region C even if the disk surface is rubbed by the dresser 230 moved in the diameter direction.

なお、上記形態では中間層１３０と下層３１０とを接合する接着剤１４０が中央領域Ｃのみ排除されているとともに、下層３１０の上面の中央領域Ｃに凹部３１１が形成されていることにより、中間層１３０と下層３１０とが中央領域Ｃでは固定されていないことを例示した。   In the above embodiment, only the central region C is removed from the adhesive 140 that joins the intermediate layer 130 and the lower layer 310, and the recess 311 is formed in the central region C on the upper surface of the lower layer 310. It is illustrated that 130 and the lower layer 310 are not fixed in the central region C.

しかし、図４に例示するＣＭＰパッド３２０のように、中間層１３０の下面全域に接着剤３２１が形成されており、下層３１０の上面の中央領域Ｃに凹部３１１が形成されていてもよい。この場合も、中間層１３０と下層３１０とが中央領域Ｃでは固定されていないので、上層１１０と中間層１３０とが中央領域Ｃで剥離することを防止できる。   However, like the CMP pad 320 illustrated in FIG. 4, the adhesive 321 may be formed on the entire lower surface of the intermediate layer 130, and the recess 311 may be formed on the central region C on the upper surface of the lower layer 310. Also in this case, since the intermediate layer 130 and the lower layer 310 are not fixed in the central region C, it is possible to prevent the upper layer 110 and the intermediate layer 130 from being separated in the central region C.

つぎに、本発明の実施の第三の形態を図５を参照して以下に説明する。本実施の形態のＣＭＰパッド４００も、上層１１０、接着剤１２０、中間層１３０、接着剤１４０、下層４１０、からなる。   Next, a third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The CMP pad 400 of this embodiment also includes an upper layer 110, an adhesive 120, an intermediate layer 130, an adhesive 140, and a lower layer 410.

そして、本実施の形態のＣＭＰパッド４００では、中間層１３０と下層４１０とを接合する接着剤１４０が中央領域Ｃのみ排除されているのみならず、下層４１０の上面の中央領域Ｃに貫通孔４１１が形成されている。このため、中間層１３０と下層４１０とが外周領域Ｏでは固定されていて中央領域Ｃでは固定されていない。   In the CMP pad 400 of the present embodiment, not only the central region C is removed from the adhesive 140 that joins the intermediate layer 130 and the lower layer 410 but also the through hole 411 in the central region C on the upper surface of the lower layer 410. Is formed. For this reason, the intermediate layer 130 and the lower layer 410 are fixed in the outer peripheral region O and not fixed in the central region C.

上述のような構成において、本実施の形態のＣＭＰパッド４００も、前述したＣＭＰパッド１００，３００と同様に、中間層１３０と下層４１０とが外周領域Ｏでは固定されていて中央領域Ｃでは固定されていない。このため、直径方向に移動されるドレッサ２３０で盤面が擦過されても、上層１１０と中間層１３０とが中央領域Ｃで剥離することを防止できる。   In the configuration as described above, the CMP pad 400 of the present embodiment also has the intermediate layer 130 and the lower layer 410 fixed in the outer peripheral region O and fixed in the central region C, like the CMP pads 100 and 300 described above. Not. For this reason, it is possible to prevent the upper layer 110 and the intermediate layer 130 from separating in the central region C even if the disk surface is rubbed by the dresser 230 moved in the diameter direction.

なお、上記形態では中間層１３０と下層４１０とを接合する接着剤１４０が中央領域Ｃのみ排除されているとともに、下層４１０の上面の中央領域Ｃに貫通孔４１１が形成されていることにより、中間層１３０と下層４１０とが中央領域Ｃでは固定されていないことを例示した。   In the above embodiment, only the central region C is removed from the adhesive 140 that joins the intermediate layer 130 and the lower layer 410, and the through hole 411 is formed in the central region C on the upper surface of the lower layer 410. It is illustrated that the layer 130 and the lower layer 410 are not fixed in the central region C.

しかし、図６に例示するＣＭＰパッド４２０のように、中間層１３０の下面全域に接着剤３２１が形成されており、下層４１０の上面の中央領域Ｃに貫通孔４１１が形成されていてもよい。この場合も、中間層１３０と下層４１０とが中央領域Ｃでは固定されていないので、上層１１０と中間層１３０とが中央領域Ｃで剥離することを防止できる。   However, like the CMP pad 420 illustrated in FIG. 6, the adhesive 321 may be formed over the entire lower surface of the intermediate layer 130, and the through hole 411 may be formed in the central region C of the upper surface of the lower layer 410. Also in this case, since the intermediate layer 130 and the lower layer 410 are not fixed in the central region C, it is possible to prevent the upper layer 110 and the intermediate layer 130 from being separated in the central region C.

本発明の実施の第一の形態のＣＭＰパッドの積層構造を示す模式的な側面図である。It is a typical side view which shows the laminated structure of the CMP pad of 1st Embodiment of this invention. ＣＭＰ装置に装着したＣＭＰパッドで処理対象である半導体ウェハをＣＭＰ処理する状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state which CMP-processes the semiconductor wafer which is a process target with the CMP pad with which the CMP apparatus was mounted | worn. 実施の第二の形態のＣＭＰパッドの積層構造を示す模式的な側面図である。It is a typical side view which shows the laminated structure of the CMP pad of 2nd Embodiment. その変形例を示す模式的な側面図である。It is a typical side view which shows the modification. 実施の第三の形態のＣＭＰパッドの積層構造を示す模式的な側面図である。It is a typical side view which shows the laminated structure of the CMP pad of 3rd Embodiment. その変形例を示す模式的な側面図である。It is a typical side view which shows the modification.

符号の説明Explanation of symbols

１００ ＣＭＰパッド
１１０ 上層
１２０ 接着剤
１３０ 中間層
１４０ 接着剤
１５０ 下層
２００ ＣＭＰ装置
２１０ プラテン
２２０ ホルダユニット
２３０ ドレッサ
２４０ 滴下装置
３００ ＣＭＰパッド
３１０ 下層
３１１ 凹部
３２０ ＣＭＰパッド
３２１ 接着剤
４００ ＣＭＰパッド
４１０ 下層
４１１ 貫通孔
４２０ ＣＭＰパッド
Ｃ 中央領域
Ｏ 外周領域
Ｓ スラリー DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 CMP pad 110 Upper layer 120 Adhesive 130 Intermediate layer 140 Adhesive 150 Lower layer 200 CMP apparatus 210 Platen 220 Holder unit 230 Dresser 240 Dropping device 300 CMP pad 310 Lower layer 311 Recess 320 CMP pad 321 Adhesive 400 CMP pad 410 Lower layer 411 Through-hole 420 CMP pad C Central region O Outer peripheral region S Slurry

Claims (8)

プラテンで回転自在に軸支されてスラリーが供給される盤面で処理対象を研磨するＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)パッドであって、
研磨性の材料で均一な一層として形成されている上層と、前記上層が上面に接着剤で接合されていて前記スラリーの浸透を遮断する中間層と、前記中間層が上面に接着剤で接合されていてクッション性を有する下層と、を有し、
前記中間層と前記下層とが外周領域では固定されていて中央領域では固定されておらず、前記中間層と前記下層とを接合する前記接着剤が前記中央領域のみ排除されているＣＭＰパッド。 A CMP (Chemical Mechanical Polishing) pad that polishes an object to be processed on a disk surface that is rotatably supported by a platen and supplied with slurry,
An upper layer formed as a uniform single layer of an abrasive material, an intermediate layer that is bonded to the upper surface with an adhesive and blocks the penetration of the slurry, and the intermediate layer is bonded to the upper surface with an adhesive And a lower layer having cushioning properties,
A CMP pad in which the intermediate layer and the lower layer are fixed in an outer peripheral region but not fixed in a central region, and the adhesive that joins the intermediate layer and the lower layer is excluded only in the central region . 前記処理対象を研磨する前記上層の外周領域より内側の前記中央領域で前記中間層と前記下層とが固定されていない請求項１に記載のＣＭＰパッド。   The CMP pad according to claim 1, wherein the intermediate layer and the lower layer are not fixed in the central region inside the outer peripheral region of the upper layer for polishing the processing target. ドレッサで擦過される前記上層の外周領域より内側の前記中央領域で前記中間層と前記下層とが固定されていない請求項１に記載のＣＭＰパッド。   The CMP pad according to claim 1, wherein the intermediate layer and the lower layer are not fixed in the central region inside the outer peripheral region of the upper layer that is abraded by a dresser. 前記下層が均一な一層として形成されている請求項１に記載のＣＭＰパッド。 The CMP pad according to claim 1 , wherein the lower layer is formed as a uniform layer. 前記下層の前記中央領域に空隙が形成されていない請求項１に記載のＣＭＰパッド。 The CMP pad according to claim 1 , wherein no gap is formed in the central region of the lower layer. 前記下層の上面の前記中央領域に凹部が形成されている請求項１ないし３の何れか一項に記載のＣＭＰパッド。 The CMP pad according to any one of claims 1 to 3 , wherein a recess is formed in the central region of the upper surface of the lower layer. 前記下層の前記中央領域に上面から下面まで貫通孔が形成されている請求項１ないし３の何れか一項に記載のＣＭＰパッド。 The CMP pad according to any one of claims 1 to 3 , wherein a through hole is formed in the central region of the lower layer from the upper surface to the lower surface. 前記上層の中央領域に空隙が形成されていない請求項１ないし７の何れか一項に記載のＣＭＰパッド。 CMP pad according to any one of claims 1 to 7 no gap is formed in the center region of the upper layer.
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