JP4780424B2 - 微細パターン形成方法 - Google Patents
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Description
これに対し、近年、ナノメートルサイズの微細パターンを簡易な装置で製造する方法として、ナノインプリント法が注目を浴びている。ナノインプリント法は、原版となる型の形状を、加熱と加圧を用いて樹脂などに転写する手法である。ナノインプリント法は、微細な形状を単一工程で作製出来るという利点を有し、低コストでのナノ構造の製造が可能である(特許文献1〜3、非特許文献1、2参照)。
一方、配線パターンのような膜材料のパターンを形成するには、ナノインプリント法により樹脂を成形した後で、フォトリソグラフィーと同様にエッチング等の複数のプロセスが必要である。そのためナノインプリント法では、膜パターンの形成は成形に比べ複雑でコストのかかるプロセスとなっている。これに対し、同様に型を利用して、微細な膜材料のパターンを形成する手法として、ナノ転写法が知られている(特許文献3、非特許文献1、2参照)。ナノ転写法では、図2(a)〜(d)に示すように型1の表面に膜材料10を形成し、これと基板2を加熱(ヒータ3参照)下で機械的に加圧することにより、金型凸部の膜材料を基板上に接合する。その後金型から膜材料を剥離することにより、基板2上に微細な膜パターン20を形成する。
また、従来のナノ転写法のプロセスでは加圧力が膜パターンと基板との接合強度、ひいては転写の均一性に大きく影響するため、接合部の荷重分布には非常に高い均一性が必要となる。転写時に必要な荷重は転写面積に比例するため、大面積転写では全体の荷重が膨大なものとなり、また上記の均一性に関する高い要求と相まって、大面積転写の実現は困難であった。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、上記ガラス基板はアルカリ金属を含むガラス材料であることを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、上記膜材料は2層以上の材料からなる多層膜であることを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、上記多層膜の最下層は金であることを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、上記多層膜の最上層はアルミニウム又はシリコンであることを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、上記型は導電性材料で作製されていることを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、上記型はシリコン製であることを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、上記シリコン製の型の表面に、シリコンの酸化膜が形成されていることを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、印加される電圧は、型を正、ガラス基板を負とする直流電圧であることを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、印加される電圧は、時間に対して正負の極性が変化することを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、印加される電圧の極性を時間平均したとき、型を正とする時間が、型を負とする時間より長いことを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、型を正とするときの印加電圧が、型を負とする時の印加電圧よりより高いことを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、上記加熱下で電圧を印加する工程は、真空中または窒素ガス雰囲気もしくはアルゴンガス雰囲気にて行われることを特徴としている。
また、本発明の微細パターン形成方法は、さらに、上記膜材料のうち少なくとも1つは、真空蒸着法により形成されることを特徴としている。
基板をガラス材料とし加熱下で電圧を印加することで、図3に示すようにガラス基板30中の陽イオン31が移動し、ガラス表面に負電荷32が蓄積する。この負電荷に対する鏡像力により、型または膜材料の表面には正電荷33が蓄積されるので、これらの正負の電荷の間に働く静電引力により型とガラス基板30は密着する。このとき静電引力は非常に大きく、且つ接触面内で均一に働くため、基板30と膜パターンは非常に強固に接合される。
本発明の微細パターン形成方法によれば、ガラスの軟化温度よりも低い温度でガラス基板表面に膜パターンを強固に接合することが可能となるため、基板はほとんど変形しない。また、樹脂などの中間材を利用せずにガラスと膜材料を直接結合出来るため、耐熱性や化学的安定性に優れた製品を作製できる。
さらに、本発明の微細パターン形成方法によれば、電圧の印加により型とガラス基板の間に静電気力による大きな力を均一に付加することが出来る。これにより、外部から荷重を付加する必要がなくなるため、製造装置を簡易化することが出来る。また、機械的な荷重は基板面積に比例して増大するが、電圧印加による静電気力は面積に関わりなく電圧のみに比例するため、同じ電圧で大面積の膜パターン形成が可能である。さらに、静電気力は型とガラス基板の接触面全面にわたり均一に作用するため、大面積であっても均一な膜パターン形成が可能である。
さらに、本発明の微細パターン形成方法によれば、形成できるパターンサイズは型のパターンのみに依存するため、原理的にパターンサイズに制限はなく、ナノメートルスケールの非常に微細な膜パターンの作成が可能である。また、膜を転写したあとの型は、酸などにより洗浄することで簡単に再利用が可能である。このことから、光の波長によりパターンサイズが制限されていた従来のフォトリソグラフィー法などに比べ、微細パターンの成形に非常に有利であるといえる。
図1の(a)〜(d)は、本発明の微細パターン形成方法を示した工程図である。本発明では図1(a)に示すような表面に凹凸を有する型1を用い、型1の表面に膜材料10を形成する(図1(b)参照)。このとき膜材料10は、図1(b)に示すように、凸部と凹部に形成され、凹凸の立ち上がり部分にはほとんど形成されない。次に、型1とガラス基板30を接触させ加熱下で電源40よりガラス基板側電極41を介して型1と基板ガラス30間に電圧を印加し、型の凸部に形成された膜材料を膜パターン20としてガラス基板に接合させる(図1(c)参照)。なお、図1(c)ではヒータ3を加熱手段として用いているが、加熱媒体など他の加熱手段を用いることもできる。
基板をガラス材料とし加熱下で電圧を印加することで、図3に示すようにガラス中の陽イオン(M+)31が移動し、ガラス基板表面に負電荷(−)32が蓄積する。この負電荷(−)32に対する鏡像力により、型または膜材料の表面には正電荷(+)33が蓄積されるので、これらの正負の電荷の間に働く静電引力により型1とガラス基板30は密着する。このとき静電引力は非常に大きく、且つ接触面内で均一に働くため、ガラス基板30と膜パターン20は非常に強固に接合される。
電圧の印加終了後、型1とガラス基板30を剥離してガラス基板上に前記膜パターン20を転写する(図1(d)参照)。
上記多層膜の最下層は金であることが望ましい。金は非常に反応性が低い金属であるため酸化物や有機物で覆われた型表面への付着力が小さく、接合後に膜パターンを剥離することが容易となる。
さらに、上記多層膜の最上層はアルミニウム又はシリコンであることが望ましい。アルミニウムおよびシリコンは、加熱下での電圧の印加によりガラス基板に強固に接合するため、膜パターンの基板への接合強度を向上させることが出来る。
また、上記膜材料を形成する各層のうち少なくとも1つは、真空蒸着法により形成されることが望ましい。真空蒸着法では、他の製膜法に比べて下地材料との反応が少ないため、接合後の型と膜材料の剥離が容易となる。
上記の型を構成する導電性材料はシリコン製であることが望ましい。シリコンは型の作製に必要な微細加工法が数多く開発されており、他の材料に比べ微細なパターンの形成が容易であり、低コストでの型作製が可能である。
上記シリコン製の型の表面に、シリコンの酸化膜が形成されていることが望ましい。シリコンの酸化膜は化学的に安定であり、加熱下での電圧印加に伴う型の形状劣化を抑制することが出来る。また、膜材料とシリコンとの反応を抑制し、ガラス基板への接合後に容易に膜パターンを型から剥離することが可能となる。
これらの微細パターン形成方法において、型とガラス基板のあいだに印加される電圧は、時間に対して正負の極性が変化することが望ましい。極性を時間的に切り替えることで、ガラス内での陽イオンの偏りを押さえることが出来るため、ガラス基板へのダメージを低減することが出来る。
上記において、印加される電圧の極性を時間平均したとき、型を正とする時間が、型を負とする時間より長いことが望ましい。このようにすることで、型とガラス基板の接触部に蓄積される電荷と静電引力が増大し、ガラス基板へのダメージを抑えながら、膜パターンの接合強度が向上する。
型とガラス基板のあいだに印加される電圧が、時間に対して正負の極性が変化する場合において、型を正とするときの印加電圧が、型を負とする時の印加電圧よりより高いことが望ましい。このようにすることで、型とガラス基板の接触部に蓄積される電荷と静電引力が増大し、ガラス基板へのダメージを抑えながら、膜パターンの接合強度が向上する。
図5は本発明の第1の実施例を示している。シリコン製型5は、直径100mmのシリコンウェハ表面に、フォトリソグラフィー法により高さ1μmの微細パターンを形成している。シリコン製型5の表面には、厚さ0.1μmのシリコン酸化膜を熱酸化法により形成した。このシリコン製型の表面に、真空蒸着法により厚さ0.1μmの金膜15を製膜し、続いて厚さ0.1〜0.2μmの最上層膜13を製膜した。
次に、シリコンウェハ電極42とガラス基板30の上に、金膜および最上層膜を形成したシリコン製型5を重ね合わせ、1 N程度の荷重を付加して固定した。シリコン製型5に正極、シリコンウェハ電極42に負極を接続し、窒素ガス雰囲気中の加熱下にて直流電圧を印加した(図5(a)参照)。電圧の印加終了後、型とガラス基板を剥離することで、ガラス基板上に多層膜パターン21を形成した(図5(b)参照)。
ガラス基板30としてパイレックスガラス(旭テクノガラス社製)、多層膜の最上層の膜13にアルミニウムを使用した場合、印加電圧600V、印加時間120秒の条件で、加熱温度280℃以上450℃以下において膜の転写が可能であった。加熱温度260℃以下では、膜の一部が転写されず、膜の付着強度も不十分であった。図6は、膜パターン転写前後のガラス基板としての4インチパイレックスガラスウェハ35の写真(転写前(a)、転写後(b))であり、本発明により4インチパイレックスガラスウェハ35の全面で、金とアルミニウムの二層膜パターン22の転写が可能であった。図7は、転写された金とアルミニウムの二層膜パターン22を走査型電子顕微鏡により観察したもので、0.5μm以下の微細パターンが転写されている。
シリコン製型5は、剥離後に超音波洗浄および硫酸と過酸化水素水の混合液により洗浄した。これにより、凹部に残留している多層膜は除去され型として繰り返し使用することが可能であった。
上記実施例1のシリコン製型5と同じパターンを表面に形成したシリコンウェハから、20×20mm2の大きさに切り出したシリコン製型6と、同じくパイレックスガラスウェハから切り出した25×25mm2のパイレックスガラス片36を用いて、従来の機械的加圧による膜パターンの転写を行った。型6の表面には実施例1と同様に、金膜およびアルミニウムの最上層膜を形成した。これらを図2に示す従来のナノ転写法により機械的加圧による膜パターンの転写を行った。転写時の荷重400N、保持時間300秒の条件では、膜パターンの転写には400℃以上が必要であった。図8は、400℃で転写を行った後の型6(図8(a)参照)とパイレックスガラス片36(図8(b)参照)の写真である。図8(a)において、符号16は多層膜が膜パターンとしてパイレックスガラス片側へ正常に転写された後の部分、符号17は多層膜が膜パターンとしてパイレックスガラス片側に正常に転写できずに型6に残った部分であり、図8(b)における符号23が、パイレックスガラス片36上に膜パターンとして正常に転写された金とアルミニウムの二層膜パターンの部分である。
このように、直径100mmのシリコンウェハをそのまま型5とした実施例1に比べて、比較例1では、直径100mmのシリコンウェハから20×20mm2の小さな面積を切り出して型6としたにもかかわらず、機械的加圧による転写時の荷重の不均一により転写できていない部分が生じている。実施例1と比較例1を比べれば明らかなように、本発明を用いることにより、従来のナノ転写法と比べて低い温度で、ガラス上に膜パターンの形成が可能である。さらに、従来法に比べ、低温、低荷重の条件で大面積に欠陥なく膜パターンを形成することが可能である。
本発明の第2の実施例では、ガラス基板30としてクラウンガラス(Schott社製 B270)を使用し、型表面に最下層膜として金、最上層膜としてアルミニウムを形成して、実施例1と同様に膜パターンの転写をおこなった。クラウンガラスでは、240℃以上400℃以下において、膜の転写が可能であった。
本発明の第3の実施例では、ガラス基板30としてパイレックスガラスを使用し、型表面に最下層膜として金を真空蒸着法により形成し、最上層膜としてシリコンをスパッタリング法により形成した。これを実施例1と同様に膜パターンの転写を行った。最上層がシリコンの場合には、加熱温度320℃以上450℃以下において膜の転写が可能であった。
2 基板
3 ヒータ
5 シリコン製型
6 ウェハから切り出した20×20mm2のシリコン製型
10 膜材料
11 多層膜
12 多層膜の最下層
13 多層膜の最上層
15 金膜
16 多層膜がガラスへ転写された部分
17 転写されなかった多層膜
20 膜パターン
21 転写された多層膜パターン
22 パイレックスガラスウェハに転写された金とアルミニウムの二層膜パターン
23 パイレックスガラス片に転写された金とアルミニウムの二層膜パターン
30 ガラス基板
31 陽イオン
32 負電荷
33 正電荷
35 パイレックスガラスウェハ
36 パイレックスガラス片
40 電源
41 電極
42 シリコンウェハ電極
Claims (12)
- 表面に凹凸を有する型の表面に膜材料を形成する工程と、
前記膜材料が形成された型とガラス基板を接触させ加熱下で電圧を印加することにより、型表面とガラス基板表面間に均一な静電引力を発生させ、型の凸部に形成された膜材料をガラス基板上に膜パターンとして接合させる工程と、
電圧の印加終了後、型とガラス基板を剥離してガラス基板上に前記膜パターンを転写する工程と、
を有する微細パターン形成方法において、前記膜材料は2層以上の材料からなる多層膜であって、かつ、多層膜の最上層はアルミニウム又はシリコンであることを特徴とする微細パターン形成方法。 - 上記ガラス基板はアルカリ金属を含むガラス材料であることを特徴とする、請求項1記載の微細パターン形成方法。
- 上記多層膜の最下層は金であることを特徴とする、請求項1又は2記載の微細パターン形成方法。
- 上記型は導電性材料で作製されていることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項記載の微細パターン形成方法。
- 上記型はシリコン製であることを特徴とする、請求項4記載の微細パターン形成方法。
- 上記シリコン製の型の表面に、シリコンの酸化膜が形成されていることを特徴とする、請求項5記載の微細パターン形成方法。
- 印加される電圧は、型を正、ガラス基板を負とする直流電圧であることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項記載の微細パターン形成方法。
- 印加される電圧は、時間に対して正負の極性が変化することを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項記載の微細パターン形成方法。
- 印加される電圧の極性を時間平均したとき、型を正とする時間が、型を負とする時間より長いことを特徴とする、請求項8記載の微細パターン形成方法。
- 型を正とするときの印加電圧が、型を負とする時の印加電圧より高いことを特徴とする、請求項8記載の微細パターン形成方法。
- 上記加熱下で電圧を印加する工程は、真空中または窒素ガス雰囲気もしくはアルゴンガス雰囲気にて行われることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1項記載の微細パターン形成方法。
- 上記膜材料のうち少なくとも1つは、真空蒸着法により形成されることを特徴とする、請求項1乃至11のいずれか1項記載の微細パターン形成方法。
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