JP4779614B2 - Semiconductor device - Google Patents

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Abstract

A semiconductor device is designed such that a semiconductor sensor chip having a diaphragm for detecting pressure variations based on the displacement thereof is fixed onto the upper surface of a substrate having a rectangular shape, which is covered with a cover member so as to form a hollow space embracing the semiconductor sensor chip between the substrate and the cover member. Herein, the substrate is sealed with a molded resin such that chip connection leads packaging leads are partially exposed externally of the molded resin; the chip connection leads are electrically connected to the semiconductor sensor chip and are disposed in line along one side of the semiconductor sensor chip; and the packaging leads are positioned opposite the chip connection leads by way of the semiconductor sensor chip. Thus, it is possible to downsize the semiconductor device without substantially changing the size of the semiconductor sensor chip.

Description

本発明は、音圧センサチップや圧力センサチップ等の半導体センサチップを備える半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device including a semiconductor sensor chip such as a sound pressure sensor chip or a pressure sensor chip.

従来、シリコン半導体を用いて製造される、例えば圧力センサやシリコンマイクなどの半導体装置には、略矩形板状に形成されその表面から裏面に向けて凹む凹状部を備えた半導体センサチップをプリント基板上に実装して構成したものがある。この半導体装置において、半導体センサチップは、凹状部により薄肉化された部分が例えばブリッジ抵抗回路を備えたダイヤフラム(可動電極)とされ、音圧などの圧力が加わるとダイヤフラムに変位やひずみ(以下、変位という)が生じ、ブリッジ抵抗回路がこの変位を電気抵抗の変化として捉え、変位の大きさに応じた電気抵抗の変化に基づいて圧力を検出することが可能とされている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor device such as a pressure sensor or a silicon microphone manufactured using a silicon semiconductor has a semiconductor sensor chip that is formed in a substantially rectangular plate shape and has a recessed portion that is recessed from the front surface toward the back surface. There is something implemented and configured above. In this semiconductor device, in the semiconductor sensor chip, the thinned portion by the concave portion is a diaphragm (movable electrode) provided with, for example, a bridge resistor circuit, and when a pressure such as sound pressure is applied, the diaphragm is displaced or strained (hereinafter referred to as a diaphragm). It is possible for the bridge resistance circuit to detect this displacement as a change in electrical resistance and detect the pressure based on the change in electrical resistance according to the magnitude of the displacement.

また、この種の半導体装置は、プリント基板の表面(上面)にカバー(蓋体)が設置され、このカバーで画成された空間内に半導体センサチップを収容するように構成されている。このカバーには、空間内と外部とを連通させる開口部が設けられ、開口部を通じて外部で生じた音圧等の変動する圧力を空間内に導き半導体センサチップに到達させることが可能とされている。さらに、カバーには、内面に導電性層が設けられ、開口部以外の部分を通じて空間内に侵入しようとする電磁気的なノイズをこの導電性層の電磁シールドで遮断することが可能とされている。これにより、ノイズが半導体センサチップに到達してダイヤフラムに誤振動が生じることを防止でき、正確に圧力を検出することが可能とされている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
特表2004−537182号公報 米国特許第6781231号明細書
Also, this type of semiconductor device is configured such that a cover (cover) is installed on the surface (upper surface) of a printed circuit board, and a semiconductor sensor chip is accommodated in a space defined by the cover. The cover is provided with an opening that allows communication between the inside and outside of the space, and through the opening, a fluctuating pressure such as a sound pressure generated outside can be guided into the space to reach the semiconductor sensor chip. Yes. Furthermore, the cover is provided with a conductive layer on the inner surface, and electromagnetic noise that attempts to enter the space through a portion other than the opening can be blocked by the electromagnetic shield of this conductive layer. . As a result, it is possible to prevent noise from reaching the semiconductor sensor chip and causing false vibrations in the diaphragm, and to accurately detect the pressure (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
JP-T-2004-537182 US Pat. No. 6,781,231

しかしながら、上記の半導体装置においては、半導体装置を例えば携帯電話機などの回路基板に実装する際に、カバーの導電性層と回路基板とを電気的に接続するための工夫が必要であった。   However, in the above-described semiconductor device, when the semiconductor device is mounted on a circuit board such as a mobile phone, a device for electrically connecting the conductive layer of the cover and the circuit board is required.

また、上記の半導体装置においては、電磁シールドを形成するために、例えばプリント基板の上面に露出した接続端子にカバーの下端に延出された導電性層を一致させながらカバーを設置する必要があり、導電性層とプリント基板の接続端子との電気的な不連続が生じないようカバーの設置に精度を要し、その設置に手間を要するという問題があった。このため、より簡便にカバーを設置することを可能にしつつ、電磁シールドを確実に形成することができ、製造に掛かるコストの低減を図ることが強く望まれていた。   Further, in the above semiconductor device, in order to form an electromagnetic shield, for example, it is necessary to install the cover while matching the conductive layer extended to the lower end of the cover with the connection terminal exposed on the upper surface of the printed circuit board. In addition, there is a problem that installation of the cover requires accuracy so that electrical discontinuity between the conductive layer and the connection terminal of the printed circuit board does not occur, and that installation takes time. For this reason, it has been strongly desired that the electromagnetic shield can be surely formed while the cover can be more easily installed, and the manufacturing cost can be reduced.

本発明は、上記事情を鑑み、電磁シールドを形成する蓋体を簡便に設置することが可能で、かつ半導体装置を回路基板に搭載するとともに簡便に電磁シールドを形成可能な半導体装置を提供することを目的とする。   In view of the above circumstances, the present invention provides a semiconductor device in which a lid for forming an electromagnetic shield can be easily installed, and a semiconductor device can be mounted on a circuit board and an electromagnetic shield can be easily formed. With the goal.

上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。   In order to achieve the above object, the present invention provides the following means.

本発明の半導体装置は、加えられた圧力によって変形し該変形量に応じた前記圧力を検出するダイヤフラムが形成された半導体センサチップを具備する半導体装置であって、上面に開口する開口孔を備え、該開口孔の上方に前記ダイヤフラムを位置させて前記半導体センサチップが設置される樹脂層と、前記半導体センサチップの下方に配されて前記樹脂層に封止される板状のステージと、該ステージに一端が接続され、前記樹脂層の外側に延出された他端側に前記樹脂層から露出する一面を備える外部接続用端子と、前記樹脂層の上面とともに前記半導体センサチップを収容する空間を画成する導電性の蓋体とが具備されており、前記樹脂層には、前記上面の側端側に上方に向けて突出する突部が前記半導体センサチップを収める凹部を画成するように連設されており、前記蓋体は、前記突部の上端に支持されて前記半導体センサチップを収容する前記空間を画成する天板部と、前記樹脂層の側面の外側を通って下方に延出する電磁シールド形成用端子とを備え、前記電磁シールド形成用端子は、下端から上端に向けて延びる切欠き部が設けられて少なくとも前記下端側が二分されており、前記樹脂層の外側に延出した前記外部接続用端子が前記切欠き部に挿入されつつ挟持されて、前記電磁シールド形成用端子と前記外部接続用端子とが接続されていることを特徴とする。 A semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device including a semiconductor sensor chip formed with a diaphragm that is deformed by an applied pressure and detects the pressure according to the amount of deformation. A resin layer on which the diaphragm is positioned above the opening hole and the semiconductor sensor chip is installed; a plate-like stage disposed below the semiconductor sensor chip and sealed on the resin layer; and An external connection terminal having one end connected to the stage and having one surface exposed from the resin layer on the other end extended to the outside of the resin layer, and a space for housing the semiconductor sensor chip together with the upper surface of the resin layer It is provided and the conductive lid defining a said resin layer, picture a recess protrusion protruding upward on the side end of the upper surface accommodating the semiconductor sensor chip The lid is supported by the upper end of the protrusion and passes through the outside of the side surface of the resin layer, and a top plate part that defines the space for housing the semiconductor sensor chip. An electromagnetic shield forming terminal extending downward, and the electromagnetic shield forming terminal is provided with a notch extending from the lower end toward the upper end, and at least the lower end side is bisected, and the resin layer The external connection terminal extending outward is sandwiched and inserted into the notch, and the electromagnetic shield forming terminal and the external connection terminal are connected .

また、本発明の半導体装置は、加えられた圧力によって変形し該変形量に応じた前記圧力を検出するダイヤフラムが形成された半導体センサチップを具備する半導体装置であって、上面に開口する開口孔を備え、該開口孔の上方に前記ダイヤフラムを位置させて前記半導体センサチップが設置される樹脂層と、前記半導体センサチップの下方に配されて前記樹脂層に封止される板状のステージと、該ステージに一端が接続され、前記樹脂層の外側に延出された他端側に前記樹脂層から露出する一面を備える外部接続用端子と、前記樹脂層の上面とともに前記半導体センサチップを収容する空間を画成する導電性の蓋体とが具備されており、前記樹脂層には、前記上面の側端側に上方に向けて突出する突部が前記半導体センサチップを収める凹部を画成するように連設されており、前記蓋体は、前記突部の上端に支持されて前記半導体センサチップを収容する前記空間を画成する天板部と、前記樹脂層の側面の外側を通って下方に延出する電磁シールド形成用端子とを備え、前記電磁シールド形成用端子には、上端から下端に向けて延びる一対の側端のうち一方の側端側に、他方の側端に向けて凹む係合部が設けられ、前記樹脂層の外側に延出した前記外部接続用端子には、前記一端から前記他端に向けて延びる一対の側端のうち一方の側端側に、他方の側端に向けて凹む係合受部が設けられており、前記蓋体を設置した状態で、前記係合部と前記係合受部とが係合して前記電磁シールド形成用端子と前記外部接続用端子とが接続されるとともに、前記電磁シールド形成用端子の外側からの対向視で、該電磁シールド形成用端子と前記外部接続用端子とが交差しつつ重なるように接続されていることを特徴とする。 The semiconductor device of the present invention is a semiconductor device comprising a semiconductor sensor chip formed with a diaphragm that is deformed by an applied pressure and detects the pressure according to the amount of deformation, and has an opening hole that opens on an upper surface. A resin layer in which the diaphragm is positioned above the opening hole and the semiconductor sensor chip is installed; and a plate-like stage disposed below the semiconductor sensor chip and sealed in the resin layer; The semiconductor sensor chip is housed together with an external connection terminal having one end connected to the stage and having one surface exposed from the resin layer on the other end extended to the outside of the resin layer, and an upper surface of the resin layer A conductive lid that defines a space to be formed, and a protrusion projecting upward toward a side end of the upper surface of the resin layer includes a recess for housing the semiconductor sensor chip. The lid body is supported by the upper end of the protrusion, and includes a top plate portion that defines the space for housing the semiconductor sensor chip, and a side surface of the resin layer. An electromagnetic shield forming terminal extending downwardly through the outside, wherein the electromagnetic shield forming terminal includes a pair of side ends extending from the upper end toward the lower end on one side end side and on the other side One of the side end sides of the pair of side ends extending from the one end toward the other end is provided on the external connection terminal provided with an engaging portion that is recessed toward the end and extends to the outside of the resin layer. In addition, an engagement receiving portion that is recessed toward the other side end is provided. With the lid installed, the engagement portion and the engagement receiving portion are engaged to form the electromagnetic shield. A terminal and the external connection terminal are connected, and the outside of the electromagnetic shield forming terminal In the opposite view of al, the with the electromagnetic shield forming terminals and the external connection terminals, characterized in that it is connected so as to overlap with intersection.

さらに、本発明の半導体装置において、前記電磁シールド形成用端子が、前記天板部の側端、もしくは前記天板部の側端側から前記樹脂層の側面を覆うように垂下して形成された前記蓋体の側壁部の下端から、前記樹脂層の側面の外側を通って下方に延出して、前記樹脂層の外側に延出した前記外部接続用端子に接続されていることが望ましい。 Furthermore, in the semiconductor device of the present invention, the electromagnetic shield forming terminal is formed to hang down so as to cover the side surface of the resin layer from the side end of the top plate portion or the side end side of the top plate portion. It is desirable that the lower end of the side wall portion of the lid body is extended downward through the outside of the side surface of the resin layer and connected to the external connection terminal extending outside the resin layer .

また、本発明の半導体装置において、前記樹脂層は、側面に折曲点が設けられ、該折曲点よりも下方に位置する側面が下方に向かうに従い漸次内側に傾斜する傾斜面とされており、前記蓋体には、前記天板部の側端、または前記天板部の側端側から前記樹脂層の側面を覆うように垂下して形成された前記蓋体の側壁部の下端から垂下しつつ前記樹脂層の側面に係合されて該蓋体と前記樹脂層とを保持する係止部が設けられ、前記係止部は、前記外部接続用端子に接続される前記樹脂層の所定の位置に前記蓋体を設置した状態で、前記樹脂層の前記折曲点を境に折れ曲がる前記側面に沿うように形成されていることが望ましい。 Further, in the semiconductor device of the present invention, the resin layer is provided with a bending point on the side surface, and the side surface located below the bending point is an inclined surface that gradually inclines as it goes downward. The lid body is suspended from the lower end of the side wall portion of the lid body that is formed so as to cover the side edge of the top plate portion or the side edge side of the top plate portion so as to cover the side surface of the resin layer. However, a locking portion that is engaged with the side surface of the resin layer to hold the lid and the resin layer is provided, and the locking portion is a predetermined portion of the resin layer that is connected to the external connection terminal. In the state where the lid is installed at the position, it is desirable that the resin layer is formed along the side surface that is bent at the bending point of the resin layer.

さらに、本発明の半導体装置においては、前記ステージが、前記樹脂層の上面側からの平面視で前記半導体センサチップよりも大きく形成されていることがより望ましい。 Furthermore, in the semiconductor device of the present invention, it is more desirable that the stage is formed larger than the semiconductor sensor chip in a plan view from the upper surface side of the resin layer.

また、本発明の半導体装置において、前記蓋体は、略矩形板状に形成された前記天板部の3つの側端、または前記天板部の3つの側端側に垂下して形成された3つ前記側壁部にそれぞれ、前記係止部が設けられており、前記係止部を前記樹脂層の側面に係合させつつ前記樹脂層に対して水平移動させて、前記樹脂層の所定の位置に設置されることが望ましい。 Further, in the semiconductor device of the present invention, the lid is formed to hang down on three side ends of the top plate portion formed in a substantially rectangular plate shape or on the three side end sides of the top plate portion. Each of the three side wall portions is provided with the locking portion, and the locking portion is horizontally moved with respect to the resin layer while being engaged with a side surface of the resin layer. It is desirable to be installed at a position.

本発明の半導体装置によれば、導電性の蓋体が外部接続用端子に電気的に接続されて同電位になるため、例えば携帯電話機などの回路基板に半導体装置を設置すると同時に、外側に突出した外部接続用端子を回路基板の接続端子に当接させて半田付けするという簡便な操作で、確実に電磁シールドを形成することができる。また、蓋体を設置するとともに、その一部が外部接続用端子の任意の部位に接続されれば電磁シールドを形成することができるため、従来の半導体装置のように、蓋体の設置にさほど精度を要することがなく簡便に蓋体を設置して電磁シールドを形成でき、半導体装置の製造に掛かるコストの低減を図ることが可能になる。 According to the semiconductor device of the present invention, since the conductive lid is electrically connected to the external connection terminal and has the same potential , for example, the semiconductor device is installed on a circuit board such as a mobile phone, and at the same time, protrudes outward. The electromagnetic shield can be reliably formed by a simple operation in which the external connection terminal is brought into contact with the connection terminal of the circuit board and soldered. In addition, since an electromagnetic shield can be formed if a lid is installed and a part of the lid is connected to an arbitrary part of the external connection terminal, the lid is installed much like a conventional semiconductor device. Without requiring accuracy, the lid can be simply installed to form the electromagnetic shield, and the cost for manufacturing the semiconductor device can be reduced.

また、本発明の半導体装置においては、蓋体を基板の上面に露出した外部接続用端子に導電性接着剤を介して固着したり、蓋体に電磁シールド形成用端子を備え、この電磁シールド形成用端子を、蓋体を設置するとともに基板の外側に延出した外部接続用端子に接続したりして、蓋体と外部接続用端子とを電気的に接続することが可能とされる。   Further, in the semiconductor device of the present invention, the lid is fixed to the external connection terminal exposed on the upper surface of the substrate via a conductive adhesive, or the electromagnetic shield forming terminal is provided on the lid. It is possible to electrically connect the lid body and the external connection terminal by installing the lid body and connecting the external body terminal to the external connection terminal extending to the outside of the substrate.

また、本発明の半導体装置においては、蓋体が外部接続用端子と電気的に接続されて外部接続用端子及びステージと同電位になることによって、半導体センサチップの下方に配されたステージと、上方に配された蓋体とで、半導体センサチップを包むような電磁シールドを形成することが可能とされる。これにより、簡便に蓋体を設置して製造に掛かるコストの低減を図りつつ、半導体装置で検出した圧力を信頼性の高いものにすることが可能になる。 In the semiconductor device of the present invention, by the lid becomes the external connection terminal is electrically connected to the external connection terminals and stage potential, a stage disposed under the semiconductor sensor chip, It is possible to form an electromagnetic shield that encloses the semiconductor sensor chip with the lid disposed above. As a result, it is possible to make the pressure detected by the semiconductor device highly reliable while reducing the cost of manufacturing by simply installing the lid.

さらに、樹脂層に突部が形成されるとともに、この突部の上端に外部接続用端子の一部が露出されていることによって、導電性接着剤を介して蓋体をこの突部の上端に固着するという簡便な操作で確実に蓋体と外部接続用端子及びステージとを電気的に接続してこれらを同電位にすることができる。これにより、簡便な操作で確実に電磁シールドを形成することができるため、半導体装置の製造に掛かるコストの低減を図ることが可能とされる。   Further, a protrusion is formed on the resin layer, and a part of the external connection terminal is exposed at the upper end of the protrusion, so that the lid is attached to the upper end of the protrusion via a conductive adhesive. The lid, the external connection terminal, and the stage can be reliably connected to each other with the same potential by a simple operation of fixing. As a result, the electromagnetic shield can be reliably formed with a simple operation, and thus the cost for manufacturing the semiconductor device can be reduced.

また、本発明の半導体装置においては、蓋体に、天板部とともに天板部の側端から樹脂層の側面の外側を通って下方に延出する電磁シールド形成用端子が設けられ、この電磁シールド形成用端子が樹脂層の外側に延出した外部接続用端子に接続するように構成されていることによって、天板部を突部の上端に支持させるように設置するとともに、電磁シールド形成用端子を外部接続用端子に接続することが可能とされ、このような簡便な操作で蓋体と外部接続用端子及びステージとによる半導体センサチップを包むような電磁シールドを形成することが可能とされる。   In the semiconductor device of the present invention, the lid body is provided with an electromagnetic shield forming terminal extending downward from the side edge of the top plate portion through the outside of the side surface of the resin layer together with the top plate portion. The shield forming terminal is configured to be connected to the external connection terminal extending to the outside of the resin layer, so that the top plate portion is installed to be supported by the upper end of the protrusion, and the electromagnetic shield forming terminal It is possible to connect the terminal to the external connection terminal, and it is possible to form an electromagnetic shield that encloses the semiconductor sensor chip by the lid, the external connection terminal, and the stage by such a simple operation. The

さらに、天板部の側端側から樹脂層の側面を覆うように垂下した側壁部を蓋体に具備することによって、樹脂層の側面側にも電磁シールドを形成することができ、半導体センサチップをノイズからより確実に保護することが可能になる。   Furthermore, by providing the lid with a side wall portion that hangs from the side end side of the top plate portion so as to cover the side surface of the resin layer, an electromagnetic shield can be formed also on the side surface side of the resin layer. Can be more reliably protected from noise.

また、本発明の半導体装置においては、電磁シールド形成用端子が、その下端から上端に向けて延びる切欠き部で少なくともその下端側が二分されていることによって、蓋体を設置するとともに、この切欠き部に樹脂層の外側に延出した外部接続用端子を挿入しつつ挟み込むことが可能とされる。これにより、蓋体を設置するとともに確実に外部接続用端子と電磁シールド形成用端子とを電気的に接続させることができ、半導体センサチップを包むような電磁シールドを確実に形成することが可能になる。よって、このような簡便な操作で蓋体を設置しつつ確実に電磁シールドを形成できるため、蓋体の設置手間を軽減することができ、ひいては半導体装置の製造に掛かるコストの低減を図ることが可能とされる。   Further, in the semiconductor device of the present invention, the electromagnetic shield forming terminal has at least a lower end side divided by a notch portion extending from the lower end toward the upper end, so that the lid is installed and the notch The external connection terminal extending outside the resin layer can be inserted into the portion while being inserted. As a result, the lid can be installed and the external connection terminal and the electromagnetic shield forming terminal can be reliably electrically connected, and the electromagnetic shield that wraps the semiconductor sensor chip can be reliably formed. Become. Therefore, since the electromagnetic shield can be reliably formed while installing the lid by such a simple operation, the labor for installing the lid can be reduced, and consequently the cost for manufacturing the semiconductor device can be reduced. It is possible.

さらに、本発明の半導体装置においては、電磁シールド形成用端子の一方の側端側に係合部が設けられ、外部接続用端子の一方の側端側に係合受部が設けられていることによって、例えば蓋体の天板部を突部の上端に当接させつつ摺動させて蓋体を設置するとともに係合部と係合受部とを係合させ、外部接続用端子と電磁シールド形成用端子とを交差させつつ重なるようにして接続することが可能とされる。また、このように蓋体を設置して外部接続用端子と電磁シールド形成用端子とを接続した場合には、係合部と係合受部の係合によって樹脂層の突部と蓋体の天板部とが密着した状態で保持されることになるため、蓋体を樹脂層に固着するための接着剤を必要とせず、蓋体の設置手間をさらに低減することができ、さらなる半導体装置の製造に掛かるコストの低減を図ることが可能とされる。   Furthermore, in the semiconductor device of the present invention, an engagement portion is provided on one side end side of the electromagnetic shield forming terminal, and an engagement receiving portion is provided on one side end side of the external connection terminal. Thus, for example, the lid is placed by sliding the top plate portion of the lid in contact with the upper end of the projection, and the engaging portion and the engagement receiving portion are engaged, and the external connection terminal and the electromagnetic shield It is possible to connect the forming terminals so as to overlap each other while intersecting. Further, when the lid is installed and the external connection terminal and the electromagnetic shield forming terminal are connected in this manner, the protrusion of the resin layer and the lid of the lid body are engaged by the engagement of the engagement portion and the engagement receiving portion. Since the top plate is held in close contact with the top plate, no adhesive is required to fix the lid to the resin layer, and the labor for installing the lid can be further reduced. This makes it possible to reduce the cost of manufacturing the product.

また、本発明の半導体装置においては、蓋体に、天板部の側端または側壁部の下端から垂下しつつ樹脂層の側面に係合されて蓋体と樹脂層とを保持する係止部が設けられていることによって、設置した蓋体を確実に保持してずれることを防止でき、電磁シール形成用端子と外部接続用端子の接続状態を確実に保持することが可能とされる。   Further, in the semiconductor device of the present invention, the lid is engaged with the side surface of the resin layer while being suspended from the side end of the top plate portion or the lower end of the side wall portion, and the latching portion that holds the lid and the resin layer. By being provided, it is possible to reliably hold and prevent the installed lid body from being displaced, and it is possible to reliably hold the connection state between the electromagnetic seal forming terminal and the external connection terminal.

また、本発明の半導体装置においては、樹脂層の上面側からの平面視で、ステージが半導体センサチップよりも大きく形成されていることによって、さらに確実に半導体センサチップをノイズから保護することが可能になる。   Further, in the semiconductor device of the present invention, the semiconductor sensor chip can be more reliably protected from noise by forming the stage larger than the semiconductor sensor chip in a plan view from the upper surface side of the resin layer. become.

以下、図1から図8を参照し、本発明の第1実施形態に係る半導体装置について説明する。本実施形態は、外部に発生した音響などの音圧を検出する半導体装置に関し、特にリードフレームを用いて製造されるQFN(Quad Flat Non-leaded package)タイプの半導体装置に関するものである。   The semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The present embodiment relates to a semiconductor device for detecting sound pressure such as sound generated outside, and particularly to a QFN (Quad Flat Non-leaded package) type semiconductor device manufactured using a lead frame.

本実施形態の半導体装置Aは、図1から図5に示すように、略矩形板状を呈するステージ1と、ステージ1と繋がる一端2aから半導体装置Aの外側に向けて他端2b側が延出する外部接続用端子2と、ステージ1側に一端3aを配置するように半導体装置Aの側面側からステージ1に向けて延出する複数のリード3と、ステージ1と外部接続用端子2とリード3とを封止するとともに上面(基板A1の上面)4aから下面4bに向けて延びる開口孔4cを備える樹脂層4と、樹脂層4の上面4aに固着された略矩形板状を呈する半導体センサチップ(音圧センサチップ)5と、同じく樹脂層4の上面4aに固着され半導体センサチップ5が出力した電気信号を増幅する増幅器6と、半導体センサチップ5と増幅器6とリード3を電気的に接続するワイヤー7と、樹脂層4に固着され半導体センサチップ5及び増幅器6の上方に第1の空間(空間)8を画成しつつこれらを被覆する略皿状の蓋体9とが主な構成要素とされている。ここで、本実施形態においては、複数のリード3も外部で接続される端子(外部接続用端子)であるが、後述する蓋体9の電磁シールド形成用端子9dと電気的に接続されて電磁シールドを形成する端子を外部接続用端子2とし、これらを区別して表記している。また、ステージ1と外部接続用端子2とリード3と、これらを封止する樹脂層4とを合わせて本実施形態の基板A1が構成されている。   As shown in FIGS. 1 to 5, the semiconductor device A of the present embodiment has a substantially rectangular plate-like stage 1 and one end 2 a connected to the stage 1 extending from the other end 2 b toward the outside of the semiconductor device A. An external connection terminal 2, a plurality of leads 3 extending from the side surface of the semiconductor device A toward the stage 1 so as to dispose one end 3 a on the stage 1 side, the stage 1, the external connection terminal 2, and the lead 3 and a resin layer 4 having an opening 4c extending from the upper surface (the upper surface of the substrate A1) 4a toward the lower surface 4b, and a semiconductor sensor having a substantially rectangular plate shape fixed to the upper surface 4a of the resin layer 4 A chip (sound pressure sensor chip) 5, an amplifier 6 which is also fixed to the upper surface 4 a of the resin layer 4 and amplifies an electrical signal output from the semiconductor sensor chip 5, and the semiconductor sensor chip 5, the amplifier 6 and the lead 3 are electrically connected. Contact The main structure is a wire 7 that is fixed to the resin layer 4 and a substantially dish-shaped lid 9 that covers the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 while defining a first space (space) 8 above them. It is an element. Here, in the present embodiment, the plurality of leads 3 are also terminals (external connection terminals) that are externally connected, but are electrically connected to an electromagnetic shield forming terminal 9d of the lid 9 to be described later and electromagnetically. The terminal forming the shield is referred to as an external connection terminal 2, and these are shown separately. The stage 1, the external connection terminal 2, the lead 3, and the resin layer 4 that seals these together constitute the substrate A1 of the present embodiment.

ステージ1は、図3及び図5に示すように、樹脂層4の開口孔4cの直下に設けられており、その下面1aが樹脂層4の下面4bと面一とされつつ露出されている。また、ステージ1は、樹脂層4の上面4aに固着された半導体センサチップ5と増幅器6が、上面4a側からの平面視でステージ1上に位置するような大きさをもって形成されている。   As shown in FIGS. 3 and 5, the stage 1 is provided immediately below the opening hole 4 c of the resin layer 4, and the lower surface 1 a is exposed while being flush with the lower surface 4 b of the resin layer 4. The stage 1 is formed with such a size that the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 fixed to the upper surface 4a of the resin layer 4 are positioned on the stage 1 in plan view from the upper surface 4a side.

一方、外部接続用端子2は、図1から図5に示すように、略平板状の帯状に形成され、一端2aがステージ1の側端に繋げられ、ステージ1の上面1b側からの平面視でステージ1の側端に直交しつつ樹脂層4の外側に向けて延設されている。また、外部接続用端子2の他端2b側は、樹脂層4の側面(基板A1の側面)4dから外側に向けて若干突出され、この突出した他端2b側の下面(外部接続用端子2の一面)2cは、樹脂層4の下面4bと略同一水平面上に設けられている。さらに、外部接続用端子2は、図3に示すように、その一端2aと他端2bとの間に、ステージ1の上面1bと平行しつつ上方に位置する上面2dを備えた屈曲部2eが設けられている。そして、この屈曲部2eの上面2dは、後述する樹脂層4の突部4eの上端4fと面一とされつつ露出されている。ここで、本実施形態においては、外部接続用端子2が対向するように一対で設けられているが、一方の外部接続用端子2は、主にステージ1を支持するためのものとされ、屈曲部2eの上面2dが樹脂層4の突部4eの上端4fよりも下方に位置されている。   On the other hand, as shown in FIGS. 1 to 5, the external connection terminal 2 is formed in a substantially flat band shape, one end 2 a is connected to the side end of the stage 1, and the plan view from the upper surface 1 b side of the stage 1. Thus, it extends toward the outside of the resin layer 4 while being orthogonal to the side edge of the stage 1. Further, the other end 2b side of the external connection terminal 2 slightly protrudes outward from the side surface (side surface of the substrate A1) 4d of the resin layer 4, and the lower surface (external connection terminal 2) on the protruding other end 2b side. 1c) 2c is provided on substantially the same horizontal plane as the lower surface 4b of the resin layer 4. Further, as shown in FIG. 3, the external connection terminal 2 has a bent portion 2e having an upper surface 2d positioned between the one end 2a and the other end 2b in parallel with the upper surface 1b of the stage 1. Is provided. The upper surface 2d of the bent portion 2e is exposed while being flush with the upper end 4f of a protrusion 4e of the resin layer 4 described later. Here, in the present embodiment, a pair of external connection terminals 2 are provided so as to face each other, but one of the external connection terminals 2 is mainly for supporting the stage 1 and is bent. The upper surface 2d of the portion 2e is positioned below the upper end 4f of the protrusion 4e of the resin layer 4.

複数のリード3は、図1から図5に示すように、それぞれ、外部接続用端子2と同じく略平板状の帯状に形成されており、本実施形態においては、樹脂層4の対向する一対の側面4d側の半導体センサチップ5側にそれぞれ2条ずつ設けられている。これら2条ずつのリード3は、外部接続用端子2に平行して延設され、外部接続用端子2側(樹脂層4の一方の側面4d側)の2条のリード3は、外部接続用端子2を含めて略等間隔に並設されている。一方、樹脂層4の下面4b側からの平面視で一対の側面4dと直交する一対の側面4dのうち増幅器6側の側面4d側にも、1条のリード3が設けられている。これらのリード3は、他端3b側が外部接続用端子2と同じく樹脂層4の外側に若干突出され、その突出した他端3b側の下面3cが樹脂層4の下面4bや外部接続用端子2の他端2b側の下面(一面)2cと略同一水平面上に位置されて露出されている。他方、リード3には、図3に示すように、他端3bから一端3aに向かう途中に折曲部3dが設けられており、この折曲部3dによって一端3a側の上面3eが、他端3b側の上面3eよりも上方に位置され、樹脂層4の突部4eよりも内側の上面4aと略同一水平面上に配されて露出されている。   As shown in FIGS. 1 to 5, each of the plurality of leads 3 is formed in a substantially flat belt-like shape like the external connection terminals 2, and in the present embodiment, a pair of opposed resin layers 4 are opposed to each other. Two strips are provided on each side of the semiconductor sensor chip 5 on the side surface 4d side. Each of the two leads 3 extends in parallel with the external connection terminal 2, and the two leads 3 on the external connection terminal 2 side (one side surface 4d side of the resin layer 4) are for external connection. The terminals 2 are arranged in parallel at substantially equal intervals. On the other hand, one lead 3 is also provided on the side surface 4d side on the amplifier 6 side of the pair of side surfaces 4d orthogonal to the pair of side surfaces 4d in a plan view from the lower surface 4b side of the resin layer 4. The other ends 3b of these leads 3 are slightly protruded to the outside of the resin layer 4 in the same manner as the external connection terminals 2, and the protruded lower surface 3c on the other end 3b side is the lower surface 4b of the resin layer 4 and the external connection terminals 2 The other end 2b side of the lower surface (one surface) 2c is positioned and exposed on substantially the same horizontal plane. On the other hand, as shown in FIG. 3, the lead 3 is provided with a bent portion 3d on the way from the other end 3b to the one end 3a. The bent portion 3d causes the upper surface 3e on the one end 3a side to be connected to the other end 3b. It is located above the upper surface 3e on the 3b side, and is arranged and exposed on substantially the same horizontal plane as the upper surface 4a inside the protrusion 4e of the resin layer 4.

このように構成されたステージ1と外部接続用端子2とリード3を封止する樹脂層4は、図1から図5に示すように、互いに平行する上面4aと下面4bを備えるとともに、外部接続用端子2の屈曲部2eやリード3の折曲部3dを封止する側面(側端)4d側に、上面4aから上方に突出する突部4eが形成されている。この突部4eは、樹脂層4の側端4dに沿って延びて連設されているとともに、突出方向先端側(上端4f側)に向かうに従いその幅が漸次小となるように形成されている。このように形成された突部4eによって樹脂層4の上面4a側の内側には、凹部4gが画成されている。ここで、樹脂層4の凹部4gに位置する上面4a側に、上面4aから下面4bに向けて凹む前述の開口孔4cが設けられており、この開口孔4cは、上面4a側に開口しつつ下方に位置するステージ1の上面1bに向けて延設されている。   As shown in FIGS. 1 to 5, the resin layer 4 for sealing the stage 1, the external connection terminal 2 and the lead 3 configured as described above has an upper surface 4a and a lower surface 4b which are parallel to each other, and an external connection. On the side surface (side end) 4d side that seals the bent portion 2e of the terminal 2 and the bent portion 3d of the lead 3, a protruding portion 4e protruding upward from the upper surface 4a is formed. The protrusion 4e extends along the side end 4d of the resin layer 4 and is continuously provided, and is formed so that its width gradually decreases toward the front end side (upper end 4f side) in the protruding direction. . A recess 4g is defined on the inner side of the upper surface 4a of the resin layer 4 by the protrusion 4e thus formed. Here, the above-mentioned opening hole 4c that is recessed from the upper surface 4a toward the lower surface 4b is provided on the upper surface 4a side that is located in the recess 4g of the resin layer 4, and this opening hole 4c is opened toward the upper surface 4a side. It extends toward the upper surface 1b of the stage 1 located below.

一方、本実施形態の半導体センサチップ5は、図2から図4に示すように、略矩形板状に形成され、下面側からの平面視で略中央に、下面から上面に向けて凹む凹状部が形成されており、この凹状部により薄肉化された部分がダイヤフラム(可動電極)5aとされている。このダイヤフラム5aは、これに加えられる例えば音響などの音圧の大きさに応じた変形量で変形(振動)可能とされている。また、ダイヤフラム5aの上面側には、図示せぬブリッジ抵抗回路が形成されており、ダイヤフラム5aの変形を電気抵抗の変化として捉え、これを圧力に変換することで音圧を検出し、この音圧の大きさに応じた電気信号を出力することが可能とされている。このように構成される半導体センサチップ5は、樹脂層4の上面4aに、下面を対向させつつ接着剤で固着されている。また、このとき半導体センサチップ5は、ダイヤフラム5aの直下に樹脂層4の開口孔4cが配されてダイヤフラム5aと開口孔4cとが対向するように固着されている。なお、本実施形態においては、半導体センサチップ5が樹脂層4の上面4aに設置されることにより、凹状部と樹脂層4の開口孔4cとで密閉状態の第2の空間10が画成されている。   On the other hand, as shown in FIGS. 2 to 4, the semiconductor sensor chip 5 of the present embodiment is formed in a substantially rectangular plate shape, and is recessed in a substantially central position in a plan view from the lower surface side and recessed from the lower surface to the upper surface. The portion thinned by the concave portion is a diaphragm (movable electrode) 5a. The diaphragm 5a can be deformed (vibrated) with a deformation amount corresponding to the magnitude of sound pressure such as sound applied to the diaphragm 5a. Further, a bridge resistor circuit (not shown) is formed on the upper surface side of the diaphragm 5a. The deformation of the diaphragm 5a is regarded as a change in electric resistance, and the sound pressure is detected by converting this into a pressure. It is possible to output an electrical signal corresponding to the magnitude of the pressure. The semiconductor sensor chip 5 configured as described above is fixed to the upper surface 4a of the resin layer 4 with an adhesive while the lower surface is opposed. At this time, the semiconductor sensor chip 5 is fixed so that the opening 4c of the resin layer 4 is disposed immediately below the diaphragm 5a and the diaphragm 5a and the opening 4c face each other. In the present embodiment, the semiconductor sensor chip 5 is installed on the upper surface 4 a of the resin layer 4, whereby the sealed second space 10 is defined by the concave portion and the opening hole 4 c of the resin layer 4. ing.

また、本実施形態においては、樹脂層4の上面4aに、IC(Integrated Circuit)化された例えばオペアンプなどの増幅器6も接着剤で固着されて設けられており、この増幅器6は、半導体センサチップ5と並設されている。   In the present embodiment, an amplifier 6 such as an operational amplifier, which is an IC (Integrated Circuit), is also fixed to the upper surface 4a of the resin layer 4 with an adhesive. The amplifier 6 is a semiconductor sensor chip. 5 in parallel.

このように設置された半導体センサチップ5及び増幅器6には、複数のボンディングパッドがそれぞれに設けられており、これらボンディングパッドを介して、半導体センサチップ5と増幅器6とを、また半導体センサチップ5及び増幅器6とリード3の樹脂層4の上面4aに露出して第1の空間8に位置された上面3eとを、それぞれワイヤー7で接続し、半導体センサチップ5と増幅器6とリード3とが電気的に接続されている。   The semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 installed in this way are provided with a plurality of bonding pads, respectively, through which the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 and the semiconductor sensor chip 5 are connected. The amplifier 6 and the upper surface 3e exposed to the upper surface 4a of the resin layer 4 of the lead 3 and connected to the upper surface 3e positioned in the first space 8 are respectively connected by wires 7, so that the semiconductor sensor chip 5, the amplifier 6 and the lead 3 are connected. Electrically connected.

蓋体9は、図1から図3に示すように、例えば銅などの導電性材料で形成されており、開口側を下方に向けた略皿状に形成されて、略矩形平板状の天板部9aと、天板部9aの側端と繋がりつつ垂下した側壁部9bとから構成されている。また、天板部9aには、上面から下面(内面)に貫通する貫通孔9eが形成されているとともに、上面から内面側に凹むコイニング部9fが、上面側からの平面視で各側端に沿って延びつつ略矩形状を呈するように連設されている。そして、コイニング部9fに位置する内面は、他の部分よりも下方に突出されている。上記のように形成された蓋体9は、コイニング部9fの内面が樹脂層4の突部4eの上端4fに導電性接着剤12を介して固着されて、天板部9aが樹脂層4の凹部4g、ひいては半導体センサチップ5や増幅器6を覆うように設けられている。また、このとき、側壁部9bが樹脂層4の下面4bに向けて垂れ下がり、樹脂層4の側面4dを覆うように設けられている。ここで、本実施形態においては、蓋体9の天板部9aが、樹脂層4の突部9eの上端9fに露出する外部接続用端子2の上面2dと導電性接着剤12を介して固着されることとなり、これにより、導電性の蓋体9と外部接続用端子2及びステージ1とが電気的に接続されて、それぞれが同電位の状態とされている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the lid 9 is formed of a conductive material such as copper, and is formed in a substantially dish shape with the opening side facing downward, and has a substantially rectangular flat plate shape. It is comprised from the part 9a and the side wall part 9b drooping while connecting with the side edge of the top-plate part 9a. Further, the top plate portion 9a is formed with a through hole 9e penetrating from the upper surface to the lower surface (inner surface), and a coining portion 9f recessed from the upper surface to the inner surface side is formed on each side end in a plan view from the upper surface side. It extends in a row so as to exhibit a substantially rectangular shape. And the inner surface located in the coining part 9f protrudes below rather than the other part. In the lid body 9 formed as described above, the inner surface of the coining portion 9 f is fixed to the upper end 4 f of the protrusion 4 e of the resin layer 4 via the conductive adhesive 12, and the top plate portion 9 a is formed of the resin layer 4. The recess 4g is provided so as to cover the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6. At this time, the side wall 9 b is provided so as to hang down toward the lower surface 4 b of the resin layer 4 and cover the side surface 4 d of the resin layer 4. Here, in the present embodiment, the top plate portion 9 a of the lid body 9 is fixed to the upper surface 2 d of the external connection terminal 2 exposed at the upper end 9 f of the protrusion 9 e of the resin layer 4 via the conductive adhesive 12. As a result, the conductive lid 9, the external connection terminal 2 and the stage 1 are electrically connected to each other and have the same potential.

ついで、上記の構成からなる半導体装置Aの製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device A having the above configuration will be described.

本実施形態の半導体装置Aは、リードフレーム20を用いて製造されるものであり、はじめに、図6及び図7に示すように、外周矩形枠を形成する矩形枠部20aと、この矩形枠部20aの対向する外周辺側から内方に向けて突出する複数のリード3と、同じく矩形枠部20aの前記対向する外周辺側からそれぞれ内方に向けて突出する外部接続用端子2と、この外部接続用端子2と連結されて支持されるステージ1とを備えたリードフレーム20を用意する。このように構成されるリードフレーム20は、金属製薄板を、プレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことによって形成されるものであり、本実施形態においては、リード3の折曲部3dや外部接続用端子2の屈曲部2eがこの段階で形成されている。   The semiconductor device A of the present embodiment is manufactured using the lead frame 20. First, as shown in FIGS. 6 and 7, a rectangular frame portion 20 a that forms an outer peripheral rectangular frame, and the rectangular frame portion. A plurality of leads 3 projecting inward from the opposed outer peripheral side of 20a, and external connection terminals 2 projecting inward from the opposed outer peripheral side of the rectangular frame portion 20a, respectively, A lead frame 20 having a stage 1 connected to and supported by the external connection terminal 2 is prepared. The lead frame 20 configured as described above is formed by subjecting a thin metal plate to press processing, etching processing, or both processing. In the present embodiment, the bent portion of the lead 3 is formed. 3d and the bent portion 2e of the external connection terminal 2 are formed at this stage.

上記のリードフレーム20を用意した段階で、図8に示すように、矩形枠部20a及びリード3と外部接続用端子2の一部を除いた部分を一対の金型E、Fに挟み込んで型締めを行なう。ここで、一対の金型E、Fのうち、リードフレーム20の上面側に配される一方の金型Eには、樹脂層4の凹部4gを形成するための凸部E1や、樹脂層4の突部4e及び樹脂層4の側面4dを画成するための凹溝部E2や、開口孔4cを形成するための突起部E3が設けられている。一方、リードフレーム20の下面側に配される他方の金型Fは、その内面が平坦面とされている。このような一対の金型E、Fは、リードフレーム20の型締めを行なった状態で、他方の金型Fの内面が、ステージ1の下面1aと、リード3の折曲部3dよりも外側に位置する部分の下面3cと、外部接続用端子2の屈曲部2eよりも外側に位置する部分の下面2cに当接される。また、一方の金型Fの凸部E1の内面が、リード3の折曲部3dよりも一端3a側の上面3eに当接され、凹溝部E2の底面が外部接続用端子2の屈曲部2eの上面2dに当接される。さらに、突起部E3の内面がステージ1の上面1bよりもやや上方に位置される。   When the lead frame 20 is prepared, as shown in FIG. 8, the rectangular frame portion 20a and a portion excluding the lead 3 and a part of the external connection terminal 2 are sandwiched between a pair of molds E and F. Tighten. Here, of the pair of molds E and F, one mold E arranged on the upper surface side of the lead frame 20 has a convex part E1 for forming the concave part 4g of the resin layer 4 or the resin layer 4. A recess E2 for defining the protrusion 4e and the side surface 4d of the resin layer 4 and a protrusion E3 for forming the opening hole 4c are provided. On the other hand, the other mold F disposed on the lower surface side of the lead frame 20 has a flat inner surface. In such a pair of molds E and F, the lead frame 20 is clamped, and the inner surface of the other mold F is outside the lower surface 1 a of the stage 1 and the bent portion 3 d of the lead 3. The lower surface 3c of the portion located at the position 2 and the lower surface 2c of the portion located outside the bent portion 2e of the external connection terminal 2 are abutted. Further, the inner surface of the convex portion E1 of one mold F is in contact with the upper surface 3e on the one end 3a side of the bent portion 3d of the lead 3, and the bottom surface of the concave groove portion E2 is the bent portion 2e of the external connection terminal 2. The upper surface 2d is contacted. Furthermore, the inner surface of the protrusion E3 is positioned slightly above the upper surface 1b of the stage 1.

このように一対の金型E、Fを用いて型締めを行なった段階で、キャビティー内に溶融した例えばエポキシ樹脂などの樹脂を射出し、ステージ1と外部接続用端子2とリード3とを樹脂の内部に埋め、樹脂が硬化した段階で金型E、Fを取り外す。これにより、ステージ1の上方に凹部4gと開口孔4cが画成され、突部4eの上端4fに外部接続用端子2の屈曲部2eの上面2dが露出した樹脂層4が形成される。   Thus, at the stage where the mold is clamped using the pair of molds E and F, a molten resin such as epoxy resin is injected into the cavity, and the stage 1, the external connection terminal 2 and the lead 3 are connected. The molds E and F are removed when the resin is filled and the resin is cured. Thereby, the recess 4g and the opening hole 4c are defined above the stage 1, and the resin layer 4 is formed in which the upper surface 2d of the bent portion 2e of the external connection terminal 2 is exposed at the upper end 4f of the protrusion 4e.

本実施形態においては、この段階で、例えば銀や金、パラジウムなどのメッキ液に浸漬させて、リード3の一端3a側の上面3eや他端3b側の下面3cなどに図示せぬメッキ層を形成した後に、樹脂層4から外側に延出したリード3や外部接続用端子2を切断する。ちなみに、このメッキ層は、例えば携帯電話機などの装置が備える回路基板に半導体装置Aを実装する際、リード3と回路基板のパターン(接続端子)との接続や、半導体センサチップ5と増幅器6とリード3とを電気的に接続するワイヤー7の接続に際し、半田付けのぬれ性を向上させるためのものである。なお、外部接続用端子2の一面2cにもメッキ層が形成されている。   In this embodiment, at this stage, for example, a plating layer such as silver, gold, or palladium is immersed in a plating solution (not shown) on the upper surface 3e on the one end 3a side, the lower surface 3c on the other end 3b side, or the like. After the formation, the leads 3 and the external connection terminals 2 extending outward from the resin layer 4 are cut. By the way, this plating layer is used to connect the lead 3 and the circuit board pattern (connection terminal), the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 when the semiconductor device A is mounted on a circuit board provided in a device such as a cellular phone. This is for improving the wettability of soldering when connecting the wire 7 for electrically connecting the lead 3. A plating layer is also formed on one surface 2c of the external connection terminal 2.

ついで、図2から図4に示すように、半導体センサチップ5と増幅器6を、それぞれ接着剤を介しつつ樹脂層4の凹部4gの上面4aに並設させて固着する。このとき、半導体センサチップ5は、その下面と凹部4gの上面4aとを対向させ、且つダイヤフラム5aが開口孔4cの直上に配されてこれに対向するように設置される。さらに、半導体センサチップ5及び増幅器6のボンディングパッドとリード3とのそれぞれにワイヤー7を接合して、半導体センサチップ5と増幅器6とリード3とを電気的に接続する。   Next, as shown in FIGS. 2 to 4, the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 are fixedly provided side by side on the upper surface 4a of the recess 4g of the resin layer 4 with an adhesive interposed therebetween. At this time, the semiconductor sensor chip 5 is installed so that the lower surface thereof faces the upper surface 4a of the recess 4g, and the diaphragm 5a is disposed immediately above the opening hole 4c and faces this. Further, wires 7 are bonded to the bonding pads of the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 and the lead 3 to electrically connect the semiconductor sensor chip 5, the amplifier 6 and the lead 3.

そして、予め天板部9aと側壁部9bが形成された略皿状の蓋体9を設置する。このとき、天板部9aのコイニング部9fの内面を樹脂層4の突部4eの上端4fに、導電性接着剤12を介して固着する。本実施形態において、コイニング部9fを突部4eの上端4fに固着する際には、突部4eの上端4fに露出した外部接続用端子2の上面2dと蓋体9の天板部9a(コイニング部9f)とが導電性接着剤12を介して電気的に接続されればよく、特に導電性接着剤12を介することにより、蓋体9の設置位置はさほど高精度を必要としないものとされている。また、本実施形態においては、蓋体9に側壁部9bが備えられているため、蓋体9を樹脂層4の凹部4gを覆うように被せるとともに、この側壁部9bが樹脂層4の側面4dに沿うように配置され、これにより蓋体9の天板部9a(コイニング部9f)の内面が突部4eの上端4fに露出した外部接続用端子2と電気的に接続されるような位置に導かれて設置されることとなる。このように蓋体9と外部接続用端子2とが電気的に接続されるように、比較的簡便に蓋体9を設置した段階で、本実施形態の半導体装置Aの製造が完了する。   And the substantially dish-shaped lid body 9 in which the top plate portion 9a and the side wall portion 9b are formed in advance is installed. At this time, the inner surface of the coining portion 9 f of the top plate portion 9 a is fixed to the upper end 4 f of the protrusion 4 e of the resin layer 4 via the conductive adhesive 12. In this embodiment, when the coining portion 9f is fixed to the upper end 4f of the protrusion 4e, the upper surface 2d of the external connection terminal 2 exposed at the upper end 4f of the protrusion 4e and the top plate portion 9a of the lid 9 (coining) 9f) is only required to be electrically connected via the conductive adhesive 12, and in particular through the conductive adhesive 12, the installation position of the lid body 9 is not required to be very precise. ing. In the present embodiment, since the lid body 9 is provided with the side wall portion 9b, the lid body 9 is covered so as to cover the concave portion 4g of the resin layer 4, and the side wall portion 9b is covered with the side surface 4d of the resin layer 4. So that the inner surface of the top plate portion 9a (coining portion 9f) of the lid body 9 is electrically connected to the external connection terminal 2 exposed at the upper end 4f of the protrusion 4e. It will be guided and installed. The manufacturing of the semiconductor device A of the present embodiment is completed at a stage where the lid 9 is installed relatively easily so that the lid 9 and the external connection terminal 2 are electrically connected in this way.

ついで、上記のように製造された半導体装置Aの作用及び効果について説明する。   Next, operations and effects of the semiconductor device A manufactured as described above will be described.

本実施形態の半導体装置Aは、例えば携帯電話機などの装置に具備される回路基板に搭載されて使用される。本実施形態の半導体装置Aを回路基板に搭載する際には、予めリード3の下面3cが樹脂層4の下面4bと面一とされつつ露出しているため、回路基板の所定の位置に半導体装置Aを設置するとともに、このリード3の下面3cが回路基板の接続端子に接触することになる。そして、接触したリード3と回路基板の接続端子とを半田付けにより接続する。   The semiconductor device A of this embodiment is used by being mounted on a circuit board provided in a device such as a mobile phone. When mounting the semiconductor device A of this embodiment on a circuit board, the lower surface 3c of the lead 3 is exposed in advance while being flush with the lower surface 4b of the resin layer 4, so that the semiconductor is placed at a predetermined position on the circuit board. While the device A is installed, the lower surface 3c of the lead 3 comes into contact with the connection terminal of the circuit board. Then, the contacted lead 3 and the connection terminal of the circuit board are connected by soldering.

また、本実施形態においては、樹脂層4から露出した外部接続用端子2の一面2cが、リード3の下面3cと略同一水平面上に設けられているため、上記と同様、この外部接続用端子2の一面2cも、半導体装置Aを回路基板に搭載するとともに回路基板の接続端子に接触する。このため、リード3と回路基板とを半田付けで接続する際に、この外部接続用端子2の一面2cと回路基板の接続端子をも同時に半田付けすることで簡便に互いを接続することが可能とされる。よって、蓋体9と外部接続用端子2及びステージ1とが、容易に同電位の状態とされ、蓋体9とステージ1によって半導体センサチップ5や増幅器6を包むような電磁シールドが形成される。   Further, in the present embodiment, since the one surface 2c of the external connection terminal 2 exposed from the resin layer 4 is provided on substantially the same horizontal plane as the lower surface 3c of the lead 3, this external connection terminal is the same as described above. The first surface 2c of 2 also mounts the semiconductor device A on the circuit board and contacts the connection terminals of the circuit board. For this reason, when connecting the lead 3 and the circuit board by soldering, it is possible to easily connect each other by simultaneously soldering the one surface 2c of the external connection terminal 2 and the connection terminal of the circuit board. It is said. Therefore, the lid 9, the external connection terminal 2 and the stage 1 are easily set to the same potential, and an electromagnetic shield is formed by the lid 9 and the stage 1 so as to wrap the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6. .

ここで、このように回路基板に設置された本実施形態の半導体装置Aは、外部に発生した音響等の音圧を、蓋体9の貫通孔9eを通じて第1の空間8に導くものとされ、この音圧が半導体センサチップ5のダイヤフラム5aに到達してダイヤフラム5aをその音圧の大きさに応じた変形量をもって振動させることになる。そして、ダイヤフラム5aの変形によりブリッジ抵抗回路がこの変形量を電気抵抗の変化として捉え、圧力に変換することで音圧が検出される。また、このときダイヤフラム5aから出力された電気信号は、増幅器6に送られて増幅されるため、より正確に音圧を検出することが可能とされている。この一方で、半導体装置Aには、検出対象の音圧以外に外部で発生した電磁気的なノイズも作用する。この種のノイズは、樹脂層4を透過して半導体センサチップ5に到達し、ダイヤフラム5aの誤振動を生じさせるおそれがある。   Here, the semiconductor device A of the present embodiment installed on the circuit board in this way guides sound pressure such as sound generated outside to the first space 8 through the through hole 9e of the lid 9. This sound pressure reaches the diaphragm 5a of the semiconductor sensor chip 5 and vibrates the diaphragm 5a with a deformation amount corresponding to the magnitude of the sound pressure. Then, due to the deformation of the diaphragm 5a, the bridge resistance circuit recognizes the amount of deformation as a change in electric resistance and converts it into a pressure to detect the sound pressure. At this time, since the electric signal output from the diaphragm 5a is sent to the amplifier 6 and amplified, it is possible to detect the sound pressure more accurately. On the other hand, electromagnetic noise generated outside acts on the semiconductor device A in addition to the sound pressure to be detected. This type of noise may pass through the resin layer 4 and reach the semiconductor sensor chip 5 to cause a false vibration of the diaphragm 5a.

しかしながら、本実施形態の半導体装置Aにおいては、第1の空間8内の半導体センサチップ5や増幅器6が、その上方や側方を覆う蓋体9の天板部9aや側壁部9bと、下方を覆うステージ1とで形成された電磁シールドで囲まれている。これにより、樹脂層4を透過したノイズは、この半導体センサチップ5や増幅器6を包む電磁シールドで遮断され半導体センサチップ5に達することがないものとされる。よって、本実施形態の半導体装置Aで検出した圧力は、ノイズの影響を受けず、信頼性の高いものとされる。   However, in the semiconductor device A of the present embodiment, the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 in the first space 8 are arranged so that the top plate portion 9a and the side wall portion 9b of the lid body 9 that covers the upper side and the side portion of the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 Is surrounded by an electromagnetic shield formed by the stage 1 covering the surface. As a result, the noise transmitted through the resin layer 4 is blocked by the electromagnetic shield that encloses the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 and does not reach the semiconductor sensor chip 5. Therefore, the pressure detected by the semiconductor device A of the present embodiment is not affected by noise and is highly reliable.

したがって、上記の半導体装置Aにおいては、蓋体9の側壁部9bを樹脂層4の側面4dに沿わせつつ天板部9aを樹脂層4の突部4eに導電性接着剤12を介して固着するという簡便な操作で、突部4eの上端4fに露出した外部接続用端子2と蓋体9とを電気的に接続することが可能とされる。そして、例えば携帯電話機などの装置の回路基板に半導体装置Aを設置するとともに、外部接続用端子2の一面2cを半田付けする簡便な操作で回路基板の接続端子に接続することができ、これにより、半導体センサチップ5や増幅器6を包むような電磁シールドを形成することができる。このため、従来の半導体装置と比較して蓋体9の設置にさほど精度を要することなく確実に電磁シールドを形成することが可能となり、蓋体9の設置に要する手間を軽減することができる。よって、半導体装置Aの製造に係るコストを低減することが可能になる。   Therefore, in the semiconductor device A described above, the top plate portion 9a is fixed to the protrusion 4e of the resin layer 4 via the conductive adhesive 12 while the side wall portion 9b of the lid 9 is along the side surface 4d of the resin layer 4. It is possible to electrically connect the external connection terminal 2 exposed to the upper end 4f of the protrusion 4e and the lid body 9 by a simple operation. Then, for example, the semiconductor device A can be installed on a circuit board of a device such as a mobile phone and connected to the connection terminal of the circuit board by a simple operation of soldering the one surface 2c of the external connection terminal 2. An electromagnetic shield that encloses the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 can be formed. For this reason, it is possible to reliably form an electromagnetic shield without requiring much accuracy in installing the lid body 9 as compared with the conventional semiconductor device, and the labor required for installing the lid body 9 can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the cost for manufacturing the semiconductor device A.

また、本実施形態の半導体装置Aにおいては、上方が蓋体9の天板部9aで覆われるとともに樹脂層4の側面4dが蓋体9の側壁部9bで覆われ、かつ下方が、半導体センサチップ5よりも大きく形成されたステージ1で覆われて、半導体センサチップ5を囲むような電磁シールドが形成されることにより、確実に半導体センサチップ5をノイズから保護することが可能とされる。これにより、この半導体センサチップ5で検出した音圧を高精度とし、半導体装置Aを信頼性の高いものにすることができる。   Further, in the semiconductor device A of the present embodiment, the upper side is covered with the top plate portion 9a of the lid body 9, the side surface 4d of the resin layer 4 is covered with the side wall portion 9b of the lid body 9, and the lower side is covered with the semiconductor sensor. By covering the semiconductor sensor chip 5 and covering the semiconductor sensor chip 5 with the stage 1 formed larger than the chip 5, it is possible to reliably protect the semiconductor sensor chip 5 from noise. Thereby, the sound pressure detected by the semiconductor sensor chip 5 can be made highly accurate, and the semiconductor device A can be made highly reliable.

なお、本発明は、上記の第1実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、蓋体9が天板部9aと側壁部9bを備えて構成されているものとしたが、必ずしも側壁部9bが具備される必要はなく、天板部9aのみで構成されていてもよいものである。   In addition, this invention is not limited to said 1st Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the present embodiment, the lid body 9 is configured to include the top plate portion 9a and the side wall portion 9b. However, the side wall portion 9b is not necessarily provided, and is configured only by the top plate portion 9a. It may be done.

また、本実施形態においては、蓋体9にコイニング部9fが形成されて、このコイニング部9fの内面を樹脂層4の突部4eの上端4fに導電性接着剤12を介して接続するものとしたが、蓋体9には必ずしもコイニング部9fを設ける必要はなく、天板部9aの内面を平坦面として、この平坦面を突部4eの上端4fに導電性接着剤12を用いて接着固定してもよいものである。さらに、蓋体9の天板部9aに貫通孔9eが設けられ、この貫通孔9eを介して第1の空間8に外部で発生した音圧を導くものとして説明を行なったが、蓋体9の天板部9aに貫通孔9eを設けず、樹脂層4に形成された開口孔4cと連通しつつ外部空間と繋がる孔をステージ1に設け、この開口孔4cと前記孔とを介して外部で発生した音圧をダイヤフラム5aに到達させるように構成してもよいものである。すなわち、第1の空間8を密閉状態とし、第2の空間10を外部と繋がる開放空間として音圧などの圧力を検出する構成としてもよいものである。また、本実施形態では、半導体センサチップ5の下方側を覆うステージ1の下面1aが樹脂層4の下面4bと面一とされつつ露出されているものとしたが、ステージ1は、その下面1aが樹脂層4内に配されるように樹脂層4の上面4a側に設けられていてもよいものである。さらに、樹脂層4の開口孔4cが、ステージ1の上面1bよりも若干上方まで延設されているものとしたが、開口孔4cは、その底部がステージ1の上面1bに達するように形成されていてもよいものである。   In the present embodiment, a coining portion 9f is formed on the lid 9, and the inner surface of the coining portion 9f is connected to the upper end 4f of the protrusion 4e of the resin layer 4 via the conductive adhesive 12. However, it is not always necessary to provide the coining portion 9f on the lid 9, and the inner surface of the top plate portion 9a is used as a flat surface, and this flat surface is bonded and fixed to the upper end 4f of the protrusion 4e using the conductive adhesive 12. You may do it. Furthermore, although the description has been made on the assumption that the through hole 9e is provided in the top plate portion 9a of the lid 9, and the sound pressure generated outside is guided to the first space 8 through the through hole 9e, the lid 9 A through hole 9e is not provided in the top plate portion 9a, and a hole connected to the external space while being in communication with the opening hole 4c formed in the resin layer 4 is provided in the stage 1, and the outside is connected through the opening hole 4c and the hole. The sound pressure generated in step 1 may be configured to reach the diaphragm 5a. That is, it is good also as a structure which detects pressures, such as a sound pressure, by making the 1st space 8 into a sealed state and making the 2nd space 10 into the open space which connects with the exterior. In the present embodiment, the lower surface 1a of the stage 1 covering the lower side of the semiconductor sensor chip 5 is exposed while being flush with the lower surface 4b of the resin layer 4, but the stage 1 is exposed to the lower surface 1a. May be provided on the upper surface 4 a side of the resin layer 4 so as to be disposed in the resin layer 4. Furthermore, although the opening hole 4c of the resin layer 4 is assumed to extend slightly above the upper surface 1b of the stage 1, the opening hole 4c is formed so that the bottom thereof reaches the upper surface 1b of the stage 1. It may be.

また、本実施形態では、半導体装置Aに半導体センサチップ5と増幅器6が具備されているものとしたが、例えば半導体センサチップ5のみを備えるように構成されていてもよく、例えば携帯電話機などの装置の回路基板に別途設けた増幅器で半導体センサチップ5から出力された電気信号を増幅するようにしてもよいものである。   In the present embodiment, the semiconductor device A includes the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6. However, the semiconductor device A may be configured to include only the semiconductor sensor chip 5, for example, a mobile phone or the like. The electric signal output from the semiconductor sensor chip 5 may be amplified by an amplifier provided separately on the circuit board of the apparatus.

さらに、半導体センサチップ5は、樹脂層4の上面4aに、下面を対向させつつ固着されているものとしたが、半導体センサチップ5の上面を樹脂層4の上面4aに対向させて設置してもよいものである。すなわち、ダイヤフラム5aが開口孔4c側に配されていてもよいものである。   Further, although the semiconductor sensor chip 5 is fixed to the upper surface 4a of the resin layer 4 with the lower surface opposed, the semiconductor sensor chip 5 is installed with the upper surface of the semiconductor sensor chip 5 opposed to the upper surface 4a of the resin layer 4. Is also good. That is, the diaphragm 5a may be arranged on the opening hole 4c side.

また、本実施形態では、半導体センサチップ5のダイヤフラム5aの直上に蓋体9の貫通孔9eが設けられているように図示したが、この貫通孔9eは、第1の空間8と外部とを連通させるように形成されれば、その設置位置は限定を必要とするものではない。例えば、ダイヤフラム5aの上方から横方向にずらして貫通孔9eを形成した場合には、圧力の検出精度が低下しないばかりか、逆に貫通孔9eを通じて第1の空間8内に水分などが侵入した際に、この水分などがダイヤフラム5aに直接接触することを防止でき、圧力の検出精度を維持または高めることも可能とされる。   In the present embodiment, the through hole 9e of the lid body 9 is provided just above the diaphragm 5a of the semiconductor sensor chip 5. However, the through hole 9e connects the first space 8 and the outside. If it forms so that it may connect, the installation position does not need limitation. For example, when the through-hole 9e is formed by shifting from the upper side of the diaphragm 5a in the lateral direction, not only does the pressure detection accuracy decrease, but conversely, moisture or the like has entered the first space 8 through the through-hole 9e. At this time, it is possible to prevent the moisture and the like from coming into direct contact with the diaphragm 5a, and it is possible to maintain or increase the pressure detection accuracy.

ついで、図9から図12を参照し、本発明の第2実施形態に係る半導体装置について説明する。本実施形態は、外部に発生した音響などの音圧を検出する半導体装置に関し、特にリードフレームを用いて製造されるQFP(Quad Flat Package)タイプの半導体装置に関するものである。ここで、本実施形態の説明においては、第1実施形態に共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。なお、本実施形態においても第1実施形態と同様に、ステージ1と外部接続用端子2とリード3と、これらを封止する樹脂層4とを合わせて基板B1が構成される。   Next, a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The present embodiment relates to a semiconductor device for detecting sound pressure such as sound generated outside, and particularly to a QFP (Quad Flat Package) type semiconductor device manufactured using a lead frame. Here, in description of this embodiment, the same code | symbol is attached | subjected with respect to the structure which is common in 1st Embodiment, and the description about the detail is abbreviate | omitted. In the present embodiment, similarly to the first embodiment, the substrate B1 is configured by combining the stage 1, the external connection terminals 2, the leads 3, and the resin layer 4 for sealing them.

本実施形態の半導体装置Bにおいては、第1実施形態の半導体装置Aに対し、リード3と外部接続用端子2と樹脂層4と蓋体9の構成が異なるものとされている。本実施形態のリード3は、図9から図11に示すように、樹脂層4に封止されている部分が水平に延設されており、樹脂層4の側面4dよりも外側に延出した部分が、樹脂層4の下面4b側に垂下するように形成されている。本実施形態において、この垂下部分が垂下部3fとされ、この垂下部3fは、その下端側が半導体装置Bの水平方向外側に向けて折れ曲り、下面3cが樹脂層4の下面4bと略同一水平面上に配されるように形成されている。   In the semiconductor device B of the present embodiment, the configuration of the lead 3, the external connection terminal 2, the resin layer 4, and the lid 9 is different from that of the semiconductor device A of the first embodiment. As shown in FIGS. 9 to 11, the lead 3 of the present embodiment has a portion that is sealed by the resin layer 4 extending horizontally, and extends outside the side surface 4 d of the resin layer 4. The portion is formed so as to hang down to the lower surface 4 b side of the resin layer 4. In the present embodiment, the hanging portion is a hanging portion 3 f, and the hanging portion 3 f is bent at the lower end side toward the outside in the horizontal direction of the semiconductor device B, and the lower surface 3 c is substantially the same horizontal plane as the lower surface 4 b of the resin layer 4. It is formed so as to be arranged on the top.

また、外部接続用端子2は、ステージ1と繋がる一端2aから他端2bに向かう途中で、かつ樹脂層4に封止されている部分に折曲部2fが形成されており、この折曲部2fによって上方に位置された上面2dがリード3の一端3a側の上面3eと略同一水平面上に配されている。これにより、本実施形態において、樹脂層4の突部4eの上端4fに外部接続用端子2は露出されず、この外部接続用端子2は、折曲部2fで上方に位置された部分からその水平位置を保ちつつ樹脂層4の外側に若干突出されて延設されている。   In addition, the external connection terminal 2 has a bent portion 2f formed in a portion sealed from the resin layer 4 on the way from the one end 2a connected to the stage 1 to the other end 2b. The upper surface 2d positioned above by 2f is arranged on substantially the same horizontal plane as the upper surface 3e on the one end 3a side of the lead 3. Thereby, in this embodiment, the external connection terminal 2 is not exposed to the upper end 4f of the protrusion 4e of the resin layer 4, and the external connection terminal 2 is moved from the portion positioned above the bent portion 2f to While maintaining the horizontal position, the resin layer 4 is slightly protruded and extended.

本実施形態の樹脂層4は、リード3の一端3a側の上面3e及び外部接続用端子2の他端2b側の上面2dと略同一水平面上に位置する側面2dに折曲点Hが設けられている。この折曲点Hよりも下方に位置する側面4dは、下方に向かうに従い漸次半導体装置Bの内側に向けて傾斜する傾斜面とされている。また、樹脂層4の下面4bは、リード3の下面3c及びステージ1の下面1aと略同一水平面上に位置されている。   In the resin layer 4 of the present embodiment, a bending point H is provided on a side surface 2d located substantially on the same horizontal plane as the upper surface 3e on the one end 3a side of the lead 3 and the upper surface 2d on the other end 2b side of the external connection terminal 2. ing. The side surface 4d located below the bending point H is an inclined surface that gradually inclines toward the inside of the semiconductor device B as it goes downward. Further, the lower surface 4 b of the resin layer 4 is located on substantially the same horizontal plane as the lower surface 3 c of the lead 3 and the lower surface 1 a of the stage 1.

蓋体9は、第1実施形態と同様に、樹脂層4の突部4eの上端4fに固着される天板部9aと、天板部9aの側端から下方に延出されて突部4eの側面4dに沿いつつこれを覆うように形成された側壁部9bとを備えて構成されている。この一方で、本実施形態の蓋体9には、天板部9aの側端から側壁部9bに沿いつつ側壁部9bの下端9cまで延び、側壁部9bの下端9cからさらに下方に延出する電磁シールド形成用端子9d(以下、シールド端子9dという)が設けられている。このシールド端子9dは、その下端から上端が繋がる天板部9aの側端に向けて延設した切欠き部9iによって二分されており、さらに、二分された各シールド端子9dは、側壁部9bの下端9cから天板部9aの側端に達するスリット9lにより側壁部9bとの間に隙間を設けて形成されている。ここで、本実施形態においては、切欠き部9iによって二分されたシールド端子9dを2条のシールド端子9dという。   Similarly to the first embodiment, the lid body 9 is fixed to the upper end 4f of the protrusion 4e of the resin layer 4, and extends downward from the side end of the top plate 9a to protrude the protrusion 4e. And a side wall portion 9b formed so as to cover the side surface 4d. On the other hand, the lid body 9 of the present embodiment extends from the side end of the top plate portion 9a to the lower end 9c of the side wall portion 9b along the side wall portion 9b, and further extends downward from the lower end 9c of the side wall portion 9b. An electromagnetic shield forming terminal 9d (hereinafter referred to as a shield terminal 9d) is provided. The shield terminal 9d is divided into two by a notch 9i extending toward the side edge of the top plate 9a connected from the lower end to the upper end, and each of the divided shield terminals 9d is provided on the side wall 9b. A slit 9l reaching the side edge of the top plate portion 9a from the lower end 9c is formed with a gap between the side wall portion 9b. Here, in the present embodiment, the shield terminal 9d divided into two by the notch 9i is referred to as two shield terminals 9d.

このように形成された蓋体9は、樹脂層4に一体に設置された状態で、2条のシールド端子9dの間の切欠き部9iに、樹脂層4の外側に延出した外部接続用端子2が挿入され、この外部接続用端子2を2条のシールド端子9dで挟み込んで保持されている。これにより、2条のシールド端子9dが外部接続用端子2と接触されて、導電性の蓋体9と外部接続用端子2及びステージ1とが電気的に接続されている。   The lid 9 formed in this way is externally connected to the notch 9i between the two shield terminals 9d and extends to the outside of the resin layer 4 in a state of being integrally installed on the resin layer 4. The terminal 2 is inserted, and the external connection terminal 2 is sandwiched and held between the two shield terminals 9d. Thus, the two shield terminals 9d are brought into contact with the external connection terminals 2, and the conductive lid 9, the external connection terminals 2, and the stage 1 are electrically connected.

ついで、上記構成からなる半導体装置Bの製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device B having the above configuration will be described.

本実施形態の半導体装置Bは、第1実施形態で示した図6のようなリードフレーム20を用いて製造される。但し、本実施形態においては、リードフレーム20を用意した段階で、外部接続用端子2に前述の折曲部2fが形成され、折曲部2fよりも他端2b側の上面2dがステージ1の上面1bよりも上方に位置するように形成されている。なお、樹脂層4の外側に延出されて垂下するように折れ曲るリード3の垂下部3fは、この段階では形成されず、水平方向外側に真っ直ぐに延設されている。   The semiconductor device B of this embodiment is manufactured using the lead frame 20 as shown in FIG. 6 shown in the first embodiment. However, in this embodiment, when the lead frame 20 is prepared, the above-described bent portion 2f is formed in the external connection terminal 2, and the upper surface 2d on the other end 2b side of the bent portion 2f is the upper surface 2d of the stage 1. It is formed so as to be positioned above the upper surface 1b. Note that the hanging portion 3f of the lead 3 that extends to the outside of the resin layer 4 and bends so as to hang down is not formed at this stage, but extends straight outward in the horizontal direction.

このようなリードフレーム20の矩形枠部20aおよびリード3と外部接続用端子2の一部を除いた部分を一対の金型M、Nに挟み込んで型締めを行なう。ここで、本実施形態では、この一対の金型M、Nのうち、リードフレーム20の下面側に配される他方の金型Nに、樹脂層4の折曲点Hよりも下方に位置する側面4dを、下方に向かうに従い漸次内側に傾斜する傾斜面とする凹部N1が設けられている。これに対し、一方の金型Mは、第1実施形態で示した一方の金型Eとほぼ同様に形成されている。このような一対の金型M、Nを用いて型締めを行なった段階で、金型M、Nのキャビティー内に溶融した樹脂を射出し、樹脂が硬化した段階で金型M、Nを取り外し、本実施形態の樹脂層4が形成される。   Such a rectangular frame portion 20a of the lead frame 20 and a portion excluding a part of the lead 3 and the external connection terminal 2 are clamped between a pair of molds M and N. Here, in the present embodiment, of the pair of molds M and N, the other mold N arranged on the lower surface side of the lead frame 20 is positioned below the bending point H of the resin layer 4. A concave portion N1 is provided that has the side surface 4d as an inclined surface that gradually inclines in the downward direction. On the other hand, one mold M is formed in substantially the same manner as one mold E shown in the first embodiment. When the mold is clamped using such a pair of molds M and N, the molten resin is injected into the cavities of the molds M and N, and the molds M and N are fixed when the resin is cured. By removing, the resin layer 4 of the present embodiment is formed.

本実施形態においては、この段階で、樹脂層4から外側に延出したリード3や外部接続用端子2を所定の長さを残して切断するとともに、リード3の樹脂層4から外側に延出した部分を下方に折曲げて垂下部3fを形成する。また、このとき垂下部3fの下面3cが樹脂層4の下面4bと略同一水平面上に配置されるように形成する。そして、第1実施形態と同様に、半導体センサチップ5と増幅器6とを樹脂層4の上面4aに固着しワイヤー7を接続する。   In this embodiment, at this stage, the lead 3 and the external connection terminal 2 extending outward from the resin layer 4 are cut leaving a predetermined length, and the lead 3 extends outward from the resin layer 4. The bent portion is bent downward to form the hanging portion 3f. At this time, the bottom surface 3 c of the hanging portion 3 f is formed so as to be disposed on substantially the same horizontal plane as the bottom surface 4 b of the resin layer 4. As in the first embodiment, the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 are fixed to the upper surface 4a of the resin layer 4 and the wire 7 is connected.

ついで、予め天板部9aと側壁部9bとシールド端子9dを形成した蓋体9を、天板部9aの内面を樹脂層4の突部4eの上端4fに接着剤で固着して設置する。本実施形態においては、このとき2条のシールド端子9dの間の切欠き部9iに、樹脂層4の外側に延出した外部接続用端子2が挿入され、2条のシールド端子9dで外部接続用端子2が挟み込まれる。これにより、2条のシールド端子9dと外部接続用端子2とが接触しつつ保持されて、互いが電気的に接続されることとなる。このように蓋体9を設置した段階で半導体装置Bの製造が完了する。   Next, the lid 9 on which the top plate portion 9a, the side wall portion 9b, and the shield terminal 9d are formed in advance is installed with the inner surface of the top plate portion 9a fixed to the upper end 4f of the protrusion 4e of the resin layer 4 with an adhesive. In this embodiment, the external connection terminal 2 extending to the outside of the resin layer 4 is inserted into the notch 9i between the two shield terminals 9d at this time, and the external connection is made with the two shield terminals 9d. The terminal 2 for use is inserted. As a result, the two shield terminals 9d and the external connection terminals 2 are held in contact with each other and are electrically connected to each other. Thus, the manufacture of the semiconductor device B is completed at the stage where the lid body 9 is installed.

ついで、上記のように製造された半導体装置Bの作用及び効果について説明する。   Next, functions and effects of the semiconductor device B manufactured as described above will be described.

本実施形態の半導体装置Bにおいても、第1実施形態と同様に、例えば携帯電話機などの装置に具備される回路基板の接続端子に、リード3の垂下部3fの下面3cを接触させるように半導体装置Bを設置し、半田付けで回路基板とリード3とを接続するという簡便な操作で半導体装置Bが搭載される。   Also in the semiconductor device B of the present embodiment, as in the first embodiment, the semiconductor device B is such that the lower surface 3c of the hanging portion 3f of the lead 3 is brought into contact with a connection terminal of a circuit board provided in a device such as a mobile phone. The semiconductor device B is mounted by a simple operation of installing the device B and connecting the circuit board and the lead 3 by soldering.

この一方で、本実施形態においては、半導体装置Bを回路基板に設置するとともに、外部接続用端子2の樹脂層4の下面4bと面一とされつつ露出したステージ1の下面1aが、回路基板の接続端子と接触するものとされている。これにより、外部接続用端子2を介して電気的に接続された蓋体9とステージ1が同電位の状態とされ、蓋体9とステージ1によって形成される電磁シールドで半導体センサチップ5が包まれることになる。   On the other hand, in the present embodiment, the semiconductor device B is installed on the circuit board, and the lower surface 1a of the stage 1 exposed while being flush with the lower surface 4b of the resin layer 4 of the external connection terminal 2 is provided on the circuit board. It is supposed to be in contact with the connection terminal. As a result, the lid 9 and the stage 1 electrically connected via the external connection terminal 2 are in the same potential state, and the semiconductor sensor chip 5 is wrapped by the electromagnetic shield formed by the lid 9 and the stage 1. Will be.

したがって、上記の半導体装置Bによれば、蓋体9の側壁部9bを樹脂層4の側面4dに沿わせつつ天板部9aを樹脂層4の突部4eに固着するという簡便な操作で、2条のシールド端子9dの間の切欠き部9iに外部接続用端子2を挿入しつつ、この外部接続用端子2を2条のシールド端子9dで挟み込んで、外部接続用端子2と蓋体9とを電気的に接続することができる。また、例えば携帯電話機などの装置の回路基板に半導体装置Bを設置するとともに、回路基板の接続端子とステージ1を接触させることができ、これにより、ステージ1と蓋体9による半導体センサチップ5を包むような電磁シールドを形成することが可能になる。よって、簡便に蓋体9を設置して確実に電磁シールドを形成することができ、半導体装置Bの製造に掛かるコストの低減を図ることが可能になる。   Therefore, according to the semiconductor device B described above, with the simple operation of fixing the top plate portion 9a to the protrusion 4e of the resin layer 4 while keeping the side wall portion 9b of the lid body 9 along the side surface 4d of the resin layer 4, While inserting the external connection terminal 2 into the notch 9i between the two shield terminals 9d, the external connection terminal 2 is sandwiched between the two shield terminals 9d, and the external connection terminal 2 and the lid body 9 are inserted. Can be electrically connected. Further, for example, the semiconductor device B can be installed on the circuit board of a device such as a mobile phone, and the connection terminals of the circuit board and the stage 1 can be brought into contact with each other. It is possible to form a wrapping electromagnetic shield. Therefore, the lid 9 can be simply installed to reliably form the electromagnetic shield, and the cost for manufacturing the semiconductor device B can be reduced.

また、本実施形態の半導体装置Bにおいては、蓋体9の2条のシールド端子9dで外部接続用端子2を挟み込むようにして蓋体9が設置されることで、蓋体9が強固に保持されることになり、設置後の蓋体9がずれたり、外れたりすることを防止することが可能とされる。   Further, in the semiconductor device B of the present embodiment, the lid body 9 is firmly held by the lid body 9 being installed so as to sandwich the external connection terminal 2 with the two shield terminals 9d of the lid body 9. Thus, it is possible to prevent the lid body 9 after being installed from being displaced or detached.

なお、本発明は、上記の第2実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、2条のシールド端子9dが、その下端から天板部9aの側端に繋がる上端まで延びる切欠き部9iと、側壁部9bの下端9cから天板部9aの側端まで延出されて2条のシールド端子9dと側壁部9bとの間に隙間を形成する2条のスリット9lとによって画成されるものとしたが、切欠き部9iがシールド端子9dの下端から側壁部9bの下端9cよりも下方に位置する部分まで延出され、すなわち、下方に延出したシールド端子9dの下端側のみが切欠き部9iによって2股に分岐され、この分岐した下端側の切欠き部9iで外部接続用端子2を挟み込むように構成してもよいものである。   In addition, this invention is not limited to said 2nd Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in this embodiment, the two shield terminals 9d have a notch portion 9i extending from the lower end to the upper end connected to the side end of the top plate portion 9a, and the side end of the top plate portion 9a from the lower end 9c of the side wall portion 9b. It is assumed that the notch 9i is formed from the lower end of the shield terminal 9d, but is defined by the two slits 9l that extend to the two shield terminals 9d and form a gap between the side wall 9b. The side wall 9b extends to a portion located below the lower end 9c, that is, only the lower end side of the shield terminal 9d extending downward is branched into two forks by the notch 9i. The external connection terminal 2 may be sandwiched between the notches 9i.

さらに、本実施形態では、半導体装置Bを回路基板に設置するとともにステージ1が回路基板の接続端子と接触して、蓋体9と外部接続用端子2及びステージ1とによる電磁シールドが形成されるものとしたが、例えばリード3と同様に、外部接続用端子2の樹脂層4から外側に延出した部分を垂下するように形成して、リード3の下面3cと同一水平面上に位置する一面を備えることにより、半導体装置Bを回路基板に設置するとともに回路基板の接続端子にこの一面を接触させて互いを電気的に接続する構成としてもよい。   Further, in the present embodiment, the semiconductor device B is installed on the circuit board and the stage 1 comes into contact with the connection terminal of the circuit board, and an electromagnetic shield is formed by the lid body 9, the external connection terminal 2, and the stage 1. However, like the lead 3, for example, a portion extending outward from the resin layer 4 of the external connection terminal 2 is formed so as to hang down, and is one surface located on the same horizontal plane as the lower surface 3c of the lead 3. The semiconductor device B may be installed on the circuit board, and the one surface may be brought into contact with the connection terminal of the circuit board to be electrically connected to each other.

また、本実施形態では、蓋体9に側壁部9bが具備されているものとして説明を行なっているが、図13及び図14に示すように、側壁部9bを設けずに半導体装置Bを構成してもよいものである。この場合には、側壁部9bを具備しない分だけ電磁シールド効果が低減するおそれがあるが、その他の効果については、本実施形態の半導体装置Bと同様である。   In the present embodiment, the lid 9 is described as having the side wall 9b. However, as shown in FIGS. 13 and 14, the semiconductor device B is configured without the side wall 9b. You may do it. In this case, the electromagnetic shielding effect may be reduced as much as the side wall portion 9b is not provided, but the other effects are the same as those of the semiconductor device B of the present embodiment.

ついで、図15及び図16を参照し、本発明の第3実施形態に係る半導体装置について説明する。本実施形態は、第2実施形態の半導体装置Bと同様、リードフレームを用いて製造されるQFPタイプの半導体装置に関するものである。ここで、本実施形態の説明においては、第1及び第2実施形態に共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。   Next, a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The present embodiment relates to a QFP type semiconductor device manufactured using a lead frame, like the semiconductor device B of the second embodiment. Here, in description of this embodiment, the same code | symbol is attached | subjected with respect to the structure which is common in 1st and 2nd embodiment, and the description about the detail is abbreviate | omitted.

第2実施形態の半導体装置Bが樹脂層4に蓋体9を上方から被せるように設置しつつシールド端子9dと外部接続用端子2とを接続するものとされていたのに対して、本実施形態の半導体装置Cは、図16に示すように、水平方向(矢印a方向)に蓋体9を移動させながら樹脂層4に設置してシールド端子9dと外部接続用端子2とを接続するものとされている。このような本実施形態の半導体装置Cは、第2実施形態の半導体装置Bに対し、蓋体9及び外部接続用端子2の構成が異なるものとされている。なお、第1及び第2実施形態と同様に、ステージ1と外部接続用端子2とリード3と、これらを封止する樹脂層4とを合わせて本実施形態の基板C1が構成されるとともに、本実施形態においては、半導体装置Cから蓋体9を取り除いた状態のもの(基板C1に半導体センサチップ5や増幅器6を固着して電気的な接続を行ったもの)を装置本体C2と表記する。   Whereas the semiconductor device B of the second embodiment is configured to connect the shield terminal 9d and the external connection terminal 2 while installing the lid 9 on the resin layer 4 from above, the present embodiment As shown in FIG. 16, the semiconductor device C of the embodiment is installed on the resin layer 4 while moving the lid 9 in the horizontal direction (arrow a direction) and connects the shield terminal 9 d and the external connection terminal 2. It is said that. The semiconductor device C of this embodiment is different from the semiconductor device B of the second embodiment in the configuration of the lid 9 and the external connection terminal 2. As in the first and second embodiments, the substrate C1 of the present embodiment is configured by combining the stage 1, the external connection terminal 2, the lead 3, and the resin layer 4 for sealing them, In the present embodiment, a state in which the lid 9 is removed from the semiconductor device C (a case where the semiconductor sensor chip 5 and the amplifier 6 are fixed and electrically connected to the substrate C1) is referred to as a device main body C2. .

本実施形態の蓋体9は、第2実施形態と同様、天板部9aと側壁部9bとシールド端子9dとから構成されている一方、略矩形板状に形成された天板部9aの4つの側端側のうち3つの側端側にのみ側壁部9bが設けられ、残りの1つの側端側には側壁部9bがなく開口部9jが形成されている。   Similarly to the second embodiment, the lid body 9 of the present embodiment is composed of a top plate portion 9a, a side wall portion 9b, and a shield terminal 9d, while four of the top plate portion 9a formed in a substantially rectangular plate shape. Side wall portions 9b are provided only on three side end sides of one side end side, and the side wall portion 9b is not provided on the remaining one side end side, and an opening 9j is formed.

また、蓋体9の3つの側壁部9bには、下端9cから下方に向けて延びる係止部9hがそれぞれに設けられている。この係止部9hは、図15に示すように、蓋体9を樹脂層4と一体とした状態で、樹脂層4の下面4bよりも上方にその下端が位置されるとともに、折曲点Hを境に折れ曲る樹脂層4の側面4dに沿うように形成されて、この側面4dに係合するものとされている。すなわち、係止部4hは、側壁部9bの下端9cと繋がる上端から下端の間に、樹脂層4の折曲点Hと一致する折曲点Tを備えた略くの字形状を呈するように形成され、上端から折曲点Tまでの部分が折曲点Tに向かうに従い漸次蓋体9の外側に向けて延び、折曲点Tから下端までの部分が下端に向かうに従い漸次蓋体9の内側に向かうように形成されている。   Further, the three side wall portions 9b of the lid body 9 are respectively provided with locking portions 9h extending downward from the lower end 9c. As shown in FIG. 15, the locking portion 9 h has a lower end positioned above the lower surface 4 b of the resin layer 4 in a state where the lid 9 is integrated with the resin layer 4, and a bending point H It is formed so as to be along the side surface 4d of the resin layer 4 that is bent at the boundary, and engages with the side surface 4d. That is, the locking part 4h has a substantially U shape with a bending point T that coincides with the bending point H of the resin layer 4 between the upper end and the lower end connected to the lower end 9c of the side wall part 9b. Formed, the portion from the upper end to the bending point T gradually extends toward the outer side of the lid body 9 toward the bending point T, and the portion from the bending point T to the lower end gradually extends to the lower end. It is formed to face inward.

さらに、蓋体9のシールド端子9dは、蓋体9を設置した状態で、外部接続用端子2の略上方に位置する側壁部9bの下端9cに上端が繋げられて下方に延設されている。また、このシールド端子9dは、上端側が側壁部9bに沿って延出され、下端側が下端に向かうに従い蓋体9の内側に向かうように延出されており、折曲点Sを備える略くの字状で形成されている。さらに、シールド端子9dの下端は、蓋体9を設置した状態で樹脂層4の側面4dに向けて折曲げられており、この下端部分に、リード3の下面3cと略同一水平面上に配された一面9gが形成されている。また、シールド端子9dの下端側の部分には、下方に延びる一対の側端9k、9mのうち蓋体9の開口部9j側の一方の側端9k側に、他方の側端9mに向けて凹む係合部9nが設けられている。この係合部9nは、シールド端子9dの外側からの対向視でコ字状を呈するように凹設されている。   Further, the shield terminal 9d of the lid body 9 is extended downward with the upper end connected to the lower end 9c of the side wall portion 9b located substantially above the external connection terminal 2 with the lid body 9 installed. . The shield terminal 9d has an upper end extending along the side wall portion 9b, and a lower end extending toward the inner side of the lid body 9 toward the lower end. It is formed in a letter shape. Further, the lower end of the shield terminal 9d is bent toward the side surface 4d of the resin layer 4 with the lid body 9 installed, and the lower end portion is arranged on substantially the same horizontal plane as the lower surface 3c of the lead 3. Another surface 9g is formed. In addition, the lower end portion of the shield terminal 9d has a pair of side ends 9k and 9m extending downward toward one side end 9k on the opening 9j side of the lid 9 toward the other side end 9m. A recessed engaging portion 9n is provided. The engaging portion 9n is recessed so as to exhibit a U-shape when viewed from the outside of the shield terminal 9d.

一方、外部接続用端子2は、リード3と同様に、樹脂層4から外側に延出した部分が下方に向けて垂下されており、その下端には、リード3の下面3c(蓋体9を設置した状態におけるシールド端子9dの一面9g)と略同一水平面上に位置する一面2cが形成されている。また、外部接続用端子2の樹脂層4の外側に延出して垂下した部分には、下方に延びる一対の側端2g、2hのうち、並設したリード3側の他方の側端2gと反対側の一方の側端2g側に、他方の側端2gに向けて凹む係合受部2iが形成されている。この係合受部2iは、外部接続用端子2の外側からの対向視でコ字状を呈するように凹設されている。   On the other hand, in the same manner as the lead 3, the external connection terminal 2 has a portion extending outward from the resin layer 4 that hangs downward, and a lower surface 3 c of the lead 3 (with a lid 9 attached) at its lower end. A surface 2c is formed which is positioned on substantially the same horizontal plane as the surface 9g) of the shield terminal 9d in the installed state. In addition, the portion of the external connection terminal 2 that extends outward from the resin layer 4 and hangs down is opposite to the other side end 2g on the side of the lead 3 that is juxtaposed between the pair of side ends 2g and 2h that extend downward. On one side end 2g side, an engagement receiving portion 2i that is recessed toward the other side end 2g is formed. The engagement receiving portion 2i is recessed so as to exhibit a U-shape when viewed from the outside of the external connection terminal 2.

ついで、上記の構成からなる半導体装置Cの製造方法について説明する。ここで、本実施形態においては、蓋体9を設置して蓋体9と外部接続用端子2(ステージ1)とを電気的に接続する方法について説明を行う。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device C having the above configuration will be described. Here, in the present embodiment, a method of installing the lid body 9 and electrically connecting the lid body 9 and the external connection terminal 2 (stage 1) will be described.

本実施形態の半導体装置Cにおいて、蓋体9は、開口部9j側から装置本体C2を天板部9aと側壁部9bで囲まれた内部に導くようにして設置される。すなわち、天板部9aの内面と樹脂層4の突部4eの上端4fとの水平位置を略一致させつつ、シールド端子9dが形成されている側壁部9bの延設方向と、外部接続用端子2側の樹脂層4の側面4dの延設方向とを一致させながら蓋体9の開口部9jを装置本体C2に向ける。そして、蓋体9を水平移動して開口部9jから内部に装置本体C2を挿入する。このとき、天板部9aの内面が樹脂層4の突部4eの上端4fに当接しつつ摺接(摺動)されて、蓋体9が装置本体C2の上方を覆うように設置されてゆく。また、蓋体9の移動方向(矢印a方向)に沿う一対の側壁部9bのそれぞれに形成された略くの字状の係止部9hが、その折曲点Tを樹脂層4の折曲点Hと一致させつつ樹脂層4に係合され、かつ樹脂層4側の面(内面)を樹脂層4の側面4dに面接触させながら摺動する。このように係止部9hが係合されつつ摺動することによって、蓋体9は、確実に樹脂層4の折曲点Tに沿って摺動することになる。そして、蓋体9の移動方向後方に位置する側壁部9bの係止部9hが、樹脂層4の側面4dに当接されて係合した段階で、蓋体9が所定の位置に設置される。 In the semiconductor device C of the present embodiment, the lid body 9 is installed so as to guide the device main body C2 from the opening 9j side to the inside surrounded by the top plate portion 9a and the side wall portion 9b. That is, while the horizontal position of the inner surface of the top plate portion 9a and the upper end 4f of the protrusion 4e of the resin layer 4 are substantially matched, the extending direction of the side wall portion 9b where the shield terminal 9d is formed and the external connection terminal The opening 9j of the lid 9 is directed toward the apparatus main body C2 while matching the extending direction of the side surface 4d of the resin layer 4 on the second side. Then, the lid body 9 is moved horizontally to insert the apparatus main body C2 into the opening 9j. At this time, the inner surface of the top plate portion 9a is slidably contacted (slided) while being in contact with the upper end 4f of the protrusion 4e of the resin layer 4, and the lid body 9 is installed so as to cover the upper portion of the apparatus main body C2. . Further, the substantially U-shaped locking portions 9h formed on each of the pair of side wall portions 9b along the moving direction of the lid body 9 (the direction of the arrow a) serve as the bending point T of the resin layer 4 The resin layer 4 is slid while being brought into contact with the side surface 4 d of the resin layer 4 while being engaged with the resin layer 4 while being coincident with the point H and the surface (inner surface) on the resin layer 4 side. Thus, the lid 9 is slid along the bending point T of the resin layer 4 by sliding while the locking portion 9h is engaged. Then, when the engaging portion 9h of the side wall portion 9b located on the rear side in the moving direction of the lid body 9 is brought into contact with and engaged with the side surface 4d of the resin layer 4, the lid body 9 is installed at a predetermined position. .

また、本実施形態においては、蓋体9を上記のように設置してゆくと、シールド端子9dの係合部9nと外部接続用端子2の係合受部2iとにより、シールド端子9dの係合部9nよりも上方に位置する上端側の部分が外部接続用端子2の外側上方に、係合部9nよりも下方に位置する下端側の部分が外部接続用端子2の内面側(樹脂層4側)に配される。すなわち、係合部9nと係合受部2iが形成されていることにより、シールド端子9dと外部接続用端子2とが交差するように合わされて、シールド端子9dの外側からの対向視で、シールド端子9dと外部接続用端子2とが重ねて配されることとなる。このとき、シールド端子9dの係合部9nの一方の側端9k部分と、外部接続用端子2の係合受部2iの一方の側端2g部分とが、交差しつつ接触し、この状態でシールド端子9dと外部接続用端子2とが繋ぎ合わされて接続されることとなる。また、この状態で、シールド端子9dの係合部9nよりも下方に位置する部分の外面が、外部接続用端子2の内面と面接触し、かつシールド端子9dと外部接続用端子2のそれぞれの下端に形成された各一面2c、9gが略同一水平面上に位置されることとなる。これにより、蓋体9を設置するとともに、シールド端子9dと外部接続用端子2とが電気的に接続される。なお、上記のように設置された状態で、シールド端子9dと外部接続用端子2とを例えば半田付けするなどして、互いの電気的な接続をより確実なものとしてもよい。   In the present embodiment, when the lid body 9 is installed as described above, the engagement of the shield terminal 9d by the engagement portion 9n of the shield terminal 9d and the engagement receiving portion 2i of the external connection terminal 2 is established. The upper end portion located above the joint portion 9n is on the outer upper side of the external connection terminal 2, and the lower end portion portion located below the engagement portion 9n is the inner surface side (resin layer) of the external connection terminal 2. 4 side). That is, by forming the engagement portion 9n and the engagement receiving portion 2i, the shield terminal 9d and the external connection terminal 2 are combined so as to intersect with each other, and the shield terminal 9d is viewed from the opposite side. The terminal 9d and the external connection terminal 2 are arranged so as to overlap each other. At this time, one side end 9k portion of the engaging portion 9n of the shield terminal 9d and one side end 2g portion of the engagement receiving portion 2i of the external connection terminal 2 are in contact with each other in this state. The shield terminal 9d and the external connection terminal 2 are connected and connected. In this state, the outer surface of the portion located below the engaging portion 9n of the shield terminal 9d is in surface contact with the inner surface of the external connection terminal 2, and each of the shield terminal 9d and the external connection terminal 2 is in contact with each other. Each surface 2c, 9g formed at the lower end is positioned on substantially the same horizontal plane. Thereby, while installing the cover body 9, the shield terminal 9d and the external connection terminal 2 are electrically connected. In addition, in the state installed as mentioned above, the shield terminal 9d and the external connection terminal 2 may be soldered, for example, and the electrical connection between them may be made more reliable.

また、上記のように装置本体C2に設置された蓋体9は、係止部9hが、その内面を樹脂層4の折曲点Hを境に上下方向の側面4dに面接触させた状態で係合されているため、この係止部9hによって蓋体9が保持され、シールド端子9dと外部接続用端子2との接続状態が保持されることとなる。また、このとき、蓋体9の天板部9aの内面が樹脂層4の突部4eの上端4fに密着されて保持されることとなり、本実施形態の半導体装置Cにおいては、蓋体9を、樹脂層4に接着剤を用いて固着する必要がないものとされる。   In addition, the lid body 9 installed in the apparatus main body C2 as described above is in a state in which the locking portion 9h is in surface contact with the side surface 4d in the vertical direction with the inner surface of the lid portion 9 at the bending point H of the resin layer 4. Since it is engaged, the lid 9 is held by the locking portion 9h, and the connection state between the shield terminal 9d and the external connection terminal 2 is held. At this time, the inner surface of the top plate portion 9a of the lid body 9 is held in close contact with the upper end 4f of the protrusion 4e of the resin layer 4. In the semiconductor device C of this embodiment, the lid body 9 is The resin layer 4 does not need to be fixed using an adhesive.

このように蓋体9が装着された本実施形態の半導体装置Cは、第1及び第2実施形態と同様に、例えば携帯電話機などの装置に具備される回路基板に設置する際、リード3の垂下部3fの下面3cを回路基板の接続端子に接触させて、半田付けにより互いを接続することが可能とされる。   The semiconductor device C of the present embodiment with the lid body 9 mounted in this manner is similar to the first and second embodiments when, for example, the lead 3 is mounted on a circuit board provided in a device such as a mobile phone. The lower surface 3c of the drooping portion 3f is brought into contact with a connection terminal of the circuit board and can be connected to each other by soldering.

また、外部接続用端子2及びシールド端子9dの両一面2c、9gが、回路基板の接続端子と接触することとなり、リード3の半田付けと同時にこれらも半田付けすることによって、外部接続用端子2を介して電気的に接続された蓋体9とステージ1により、半導体センサチップ5を包むような電磁シールドが形成される。   Further, both the surfaces 2c and 9g of the external connection terminal 2 and the shield terminal 9d are in contact with the connection terminals of the circuit board, and by soldering these at the same time as the soldering of the leads 3, the external connection terminals 2 An electromagnetic shield that encloses the semiconductor sensor chip 5 is formed by the lid body 9 and the stage 1 that are electrically connected via each other.

したがって、上記の半導体装置Cによれば、蓋体9の開口部9jから内部に装置本体C2を導くように、蓋体9を水平移動しながら設置するという簡便な操作で、シールド端子9dと外部接続用端子2とを接続することができ、また、回路基板への半導体装置Cの設置とともに、半導体センサチップ5を包むような電磁シールドを形成することができる。これにより、簡便に蓋体9を設置して確実に電磁シールドを形成することができるため、蓋体9の設置手間を軽減することができ、ひいては半導体装置Cの製造に掛かるコストの低減を図ることが可能になる。   Therefore, according to the semiconductor device C described above, the shield terminal 9d and the external device can be connected to the outside by a simple operation of horizontally installing the lid body 9 so as to guide the apparatus body C2 from the opening 9j of the lid body 9 to the inside. The connection terminal 2 can be connected, and an electromagnetic shield that encloses the semiconductor sensor chip 5 can be formed along with the installation of the semiconductor device C on the circuit board. Accordingly, the lid 9 can be simply installed and the electromagnetic shield can be reliably formed, so that the labor for installing the lid 9 can be reduced, and the cost for manufacturing the semiconductor device C can be reduced. It becomes possible.

また、本実施形態の半導体装置Cにおいては、係止部9hで蓋体9が確実に保持され、かつこの蓋体9の天板部9aの内面が樹脂層4の突部4eに密着されて保持されることにより、蓋体9と樹脂層4とを接着剤で固着する必要がないものとされる。よって、この点からも、蓋体9の設置手間を軽減することができ、半導体装置Cの製造に掛かるコストの低減を図ることが可能になる。   Further, in the semiconductor device C of the present embodiment, the lid body 9 is securely held by the locking portion 9h, and the inner surface of the top plate portion 9a of the lid body 9 is in close contact with the protruding portion 4e of the resin layer 4. By being held, it is not necessary to fix the lid 9 and the resin layer 4 with an adhesive. Therefore, also from this point, it is possible to reduce the labor for installing the lid body 9 and to reduce the cost for manufacturing the semiconductor device C.

なお、本発明は、上記の第3実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、シールド端子9dに係合部9nが備えられ、シールド端子9dが、この係合部9nよりも下方に延出された下端に外部接続用端子2の下端の一面2cと略同一水平面上に位置する一面を備えて構成されるものとしたが、シールド端子9dは、蓋体9を設置するとともに外部接続用端子2と電気的に接続されればよく、必ずしも下端に一面9gが形成されていなくてもよい。   In addition, this invention is not limited to said 3rd Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the present embodiment, the shield terminal 9d is provided with an engaging portion 9n, and the shield terminal 9d is connected to the lower surface 1c of the lower end of the external connection terminal 2 at the lower end extending below the engaging portion 9n. The shield terminal 9d has only to be configured to have one surface located on substantially the same horizontal plane, and the shield terminal 9d only needs to be electrically connected to the external connection terminal 2 while being provided with the lid body 9. 9g may not be formed.

本発明の第1実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る半導体装置の分解斜視図である。1 is an exploded perspective view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 図1に示した半導体装置の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 1. 図2のX−X線矢視図である。FIG. 3 is a view taken along line XX in FIG. 2. 図2のY−Y線矢視図である。FIG. 3 is a view taken along line YY in FIG. 2. 本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造に用いられるリードフレームを示す図である。It is a figure which shows the lead frame used for manufacture of the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図6のX−X線矢視図及び図6のY−Y線矢視図である。FIG. 7 is a view taken along line XX in FIG. 6 and a view taken along line YY in FIG. 本発明の第1実施形態における一対の金型を用いて樹脂層を形成した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which formed the resin layer using a pair of metal mold | die in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る半導体装置を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 図9に示した半導体装置の断面図であるFIG. 10 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 9. 本発明の第2実施形態における一対の金型を用いて樹脂層を形成した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which formed the resin layer using a pair of metal mold | die in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る半導体装置の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る半導体装置の変形例を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the modification of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る半導体装置を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the semiconductor device which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・ステージ、2・・・外部接続用端子、2a・・・一端、2b・・・他端、2c・・・一面、2d・・・上面、2g・・・他方の側端、2h・・・一方の側端、2i・・・係合受部、3・・・リード、3c・・・下面、4・・・樹脂層、4a・・・上面、4b・・・下面、4c・・・開口孔、4d・・・側端(側面)、4e・・・突部4e・・・上端、4g・・・凹部、4h・・・係止部、5・・・半導体センサチップ、6・・・増幅器、7・・・ワイヤー、8・・・第1の空間(空間)、9・・・蓋体、9a・・・天板部、9b・・・側壁部、9c・・・下端、9d・・・電磁シールド形成用端子(シールド端子)、9e・・・貫通孔、9f・・・コイニング部、9g・・・一面、9h・・・係止部、9i・・・切欠き部、9j・・・開口部、9k・・・一方の側端、9m・・・他方の側端、9n・・・係合部、10・・・第2の空間、A,B,C・・・半導体装置、A1,B1,C1・・・基板、C2・・・装置本体、H,T,S・・・折曲点

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Stage, 2 ... External connection terminal, 2a ... One end, 2b ... Other end, 2c ... One surface, 2d ... Upper surface, 2g ... Other side end, 2h ... One side end, 2i ... Engagement receiving part, 3 ... Lead, 3c ... Lower surface, 4 ... Resin layer, 4a ... Upper surface, 4b ... Lower surface, 4c ..Opening hole, 4d ... side edge (side surface), 4e ... projection 4e ... upper end, 4g ... concave, 4h ... locking part, 5 ... semiconductor sensor chip, 6 ... Amplifier, 7 ... Wire, 8 ... First space (space), 9 ... Lid, 9a ... Top plate, 9b ... Side wall, 9c ... Lower end , 9d ... Electromagnetic shield forming terminals (shield terminals), 9e ... through-holes, 9f ... coining part, 9g ... one side, 9h ... locking part, 9i ... notch part 9j ... Opening portion, 9k, one side end, 9m, the other side end, 9n, an engaging portion, 10, a second space, A, B, C, a semiconductor device, A1 , B1, C1... Substrate, C2... Device main body, H, T, S.

Claims (6)

加えられた圧力によって変形し該変形量に応じた前記圧力を検出するダイヤフラムが形成された半導体センサチップを具備する半導体装置であって、
上面に開口する開口孔を備え、該開口孔の上方に前記ダイヤフラムを位置させて前記半導体センサチップが設置される樹脂層と、前記半導体センサチップの下方に配されて前記樹脂層に封止される板状のステージと、該ステージに一端が接続され、前記樹脂層の外側に延出された他端側に前記樹脂層から露出する一面を備える外部接続用端子と、前記樹脂層の上面とともに前記半導体センサチップを収容する空間を画成する導電性の蓋体とが具備されており、
前記樹脂層には、前記上面の側端側に上方に向けて突出する突部が前記半導体センサチップを収める凹部を画成するように連設されており、前記蓋体は、前記突部の上端に支持されて前記半導体センサチップを収容する前記空間を画成する天板部と、前記樹脂層の側面の外側を通って下方に延出する電磁シールド形成用端子とを備え、
前記電磁シールド形成用端子は、下端から上端に向けて延びる切欠き部が設けられて少なくとも前記下端側が二分されており、前記樹脂層の外側に延出した前記外部接続用端子が前記切欠き部に挿入されつつ挟持されて、前記電磁シールド形成用端子と前記外部接続用端子とが接続されていることを特徴とする半導体装置。
A semiconductor device comprising a semiconductor sensor chip formed with a diaphragm that is deformed by an applied pressure and detects the pressure according to the deformation amount,
An opening hole is provided on the upper surface, the resin layer on which the diaphragm is positioned above the opening hole and the semiconductor sensor chip is installed; and the resin layer disposed below the semiconductor sensor chip and sealed to the resin layer A plate-shaped stage, one end connected to the stage, an external connection terminal having one surface exposed from the resin layer on the other end side extended to the outside of the resin layer, and an upper surface of the resin layer And a conductive lid that defines a space for housing the semiconductor sensor chip,
In the resin layer, a protrusion projecting upward on the side end side of the upper surface is continuously provided so as to define a recess for housing the semiconductor sensor chip, and the lid is formed of the protrusion. A top plate part that defines the space that is supported by the upper end and accommodates the semiconductor sensor chip, and an electromagnetic shield forming terminal that extends downward through the outside of the side surface of the resin layer,
The electromagnetic shield forming terminal is provided with a notch extending from the lower end toward the upper end, and at least the lower end side is divided into two, and the external connection terminal extending to the outside of the resin layer is the notch The semiconductor device is characterized in that the electromagnetic shield forming terminal and the external connection terminal are connected while being inserted into the semiconductor device.
加えられた圧力によって変形し該変形量に応じた前記圧力を検出するダイヤフラムが形成された半導体センサチップを具備する半導体装置であって、
上面に開口する開口孔を備え、該開口孔の上方に前記ダイヤフラムを位置させて前記半導体センサチップが設置される樹脂層と、前記半導体センサチップの下方に配されて前記樹脂層に封止される板状のステージと、該ステージに一端が接続され、前記樹脂層の外側に延出された他端側に前記樹脂層から露出する一面を備える外部接続用端子と、前記樹脂層の上面とともに前記半導体センサチップを収容する空間を画成する導電性の蓋体とが具備されており、
前記樹脂層には、前記上面の側端側に上方に向けて突出する突部が前記半導体センサチップを収める凹部を画成するように連設されており、前記蓋体は、前記突部の上端に支持されて前記半導体センサチップを収容する前記空間を画成する天板部と、前記樹脂層の側面の外側を通って下方に延出する電磁シールド形成用端子とを備え、
前記電磁シールド形成用端子には、上端から下端に向けて延びる一対の側端のうち一方の側端側に、他方の側端に向けて凹む係合部が設けられ、前記樹脂層の外側に延出した前記外部接続用端子には、前記一端から前記他端に向けて延びる一対の側端のうち一方の側端側に、他方の側端に向けて凹む係合受部が設けられており、前記蓋体を設置した状態で、前記係合部と前記係合受部とが係合して前記電磁シールド形成用端子と前記外部接続用端子とが接続されるとともに、前記電磁シールド形成用端子の外側からの対向視で、該電磁シールド形成用端子と前記外部接続用端子とが交差しつつ重なるように接続されていることを特徴とする半導体装置。
A semiconductor device comprising a semiconductor sensor chip formed with a diaphragm that is deformed by an applied pressure and detects the pressure according to the deformation amount,
An opening hole is provided on the upper surface, the resin layer on which the diaphragm is positioned above the opening hole and the semiconductor sensor chip is installed; and the resin layer disposed below the semiconductor sensor chip and sealed to the resin layer A plate-shaped stage, one end connected to the stage, an external connection terminal having one surface exposed from the resin layer on the other end side extended to the outside of the resin layer, and an upper surface of the resin layer And a conductive lid that defines a space for housing the semiconductor sensor chip,
In the resin layer, a protrusion projecting upward on the side end side of the upper surface is continuously provided so as to define a recess for housing the semiconductor sensor chip, and the lid is formed of the protrusion. A top plate part that defines the space that is supported by the upper end and accommodates the semiconductor sensor chip, and an electromagnetic shield forming terminal that extends downward through the outside of the side surface of the resin layer,
The electromagnetic shield forming terminal is provided with an engaging portion that is recessed toward one side end of the pair of side ends extending from the upper end toward the lower end, and is disposed outside the resin layer. The extended external connection terminal is provided with an engagement receiving portion that is recessed toward the other side end on one side end side of the pair of side ends extending from the one end toward the other end. In the state where the lid is installed, the engagement portion and the engagement receiving portion are engaged to connect the electromagnetic shield forming terminal and the external connection terminal, and to form the electromagnetic shield A semiconductor device , wherein the electromagnetic shield forming terminal and the external connection terminal are connected so as to intersect and overlap each other when viewed from the outside of the terminal for use .
請求項1または請求項2に記載の半導体装置において、
前記電磁シールド形成用端子が、前記天板部の側端、もしくは前記天板部の側端側から前記樹脂層の側面を覆うように垂下して形成された前記蓋体の側壁部の下端から、前記樹脂層の側面の外側を通って下方に延出して、前記樹脂層の外側に延出した前記外部接続用端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 1 or 2 ,
From the lower end of the side wall portion of the lid, the electromagnetic shield forming terminal is formed so as to cover the side surface of the resin layer from the side end of the top plate portion or the side end side of the top plate portion. The semiconductor device is characterized in that it extends downward through the outside of the side surface of the resin layer and is connected to the external connection terminal extending to the outside of the resin layer.
請求項1または請求項2に記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、側面に折曲点が設けられ、該折曲点よりも下方に位置する側面が下方に向かうに従い漸次内側に傾斜する傾斜面とされており、
前記蓋体には、前記天板部の側端、または前記天板部の側端側から前記樹脂層の側面を覆うように垂下して形成された前記蓋体の側壁部の下端から垂下しつつ前記樹脂層の側面に係合されて該蓋体と前記樹脂層とを保持する係止部が設けられ、
前記係止部は、前記外部接続用端子に接続される前記樹脂層の所定の位置に前記蓋体を設置した状態で、前記樹脂層の前記折曲点を境に折れ曲がる前記側面に沿うように形成されていることを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 1 or 2 ,
The resin layer is provided with a bending point on the side surface, and the side surface located below the bending point is an inclined surface that gradually inclines as it goes downward,
The lid body is suspended from the lower end of the side wall portion of the lid body that is formed so as to cover the side edge of the top plate portion or the side edge side of the top plate portion so as to cover the side surface of the resin layer. While being engaged with the side surface of the resin layer, there is provided a locking portion that holds the lid and the resin layer,
The locking portion is along the side surface that is bent at the bending point of the resin layer in a state where the lid is installed at a predetermined position of the resin layer connected to the external connection terminal. A semiconductor device formed.
請求項1または請求項2に記載の半導体装置において、
前記ステージが、前記樹脂層の上面側からの平面視で前記半導体センサチップよりも大きく形成されていることを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 1 or 2 ,
The semiconductor device, wherein the stage is formed larger than the semiconductor sensor chip in a plan view from the upper surface side of the resin layer.
請求項4記載の半導体装置において、
前記蓋体は、略矩形板状に形成された前記天板部の3つの側端、または前記天板部の3つの側端側に垂下して形成された3つ前記側壁部にそれぞれ、前記係止部が設けられており、前記係止部を前記樹脂層の側面に係合させつつ前記樹脂層に対して水平移動させて、前記樹脂層の所定の位置に設置されることを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 4 .
The lid body has three side ends of the top plate portion formed in a substantially rectangular plate shape, or three side wall portions formed by hanging down on the three side end sides of the top plate portion, respectively. A locking portion is provided, and the locking portion is horizontally moved with respect to the resin layer while being engaged with a side surface of the resin layer, and is installed at a predetermined position of the resin layer. Semiconductor device.
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