JP2010040656A - Semiconductor package, semiconductor device and method of manufacturing the same, and microphone package - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor package that effectively and electromagnetically shields a semiconductor chip stored inside as a premolded type package, and that is effective in cost reduction, wherein package body and cover body are both superior in productivity. <P>SOLUTION: The lead frame 5 has a stage portion 21 disposed below semiconductor chips 2, 3, and a terminal portion connected to the semiconductor chips 2, 3, the stage portion 21 and terminal portion being formed mutually at an interval and at least some of them being an external connection surface exposed on a reverse surface of a bottom plate portion 51. On an upper end surface of a peripheral wall portion 52, a tip of a projection piece 25 connected to the stage portion 21 is exposed. The cover body 8 has a top plate portion 65 and a side plate portion 66, and a lower end of the side plate portion 66 is a portion to be fixed to the upper end surface of the peripheral portion 52 of the package body 7. The height of the peripheral wall portion 52 of the package body 7 is part of a height needed to store the semiconductor chips 2, 3, and the remaining height is secured by the side plate portion 66 of the cover body 8. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、リードフレームの少なくとも一部をモールド樹脂体に埋設してなるパッケージ本体に半導体チップを収納して蓋体により覆って構成される半導体パッケージ、該半導体パッケージを用いた半導体装置、その製造方法、並びに該半導体装置を用いたマイクロフォンパッケージに関する。   The present invention relates to a semiconductor package in which a semiconductor chip is housed in a package body in which at least a part of a lead frame is embedded in a mold resin body and covered with a lid, a semiconductor device using the semiconductor package, and its manufacture The present invention also relates to a method and a microphone package using the semiconductor device.

シリコンマイクや圧力センサ等の半導体装置は、中空のパッケージの中にマイクロフォンチップ等の半導体チップが収納されている。
特許文献１に記載の半導体装置は、フラットの基板の上にマイクロフォンチップ等の半導体チップが搭載され、その上からキャップ状に絞り加工された蓋体が被せられ、その下端が基板の表面に固定されている。この場合、蓋体は金属等の導電性材料によって形成され、その下端が基板上の導体に導電性接着剤によって固定されており、蓋体と基板上の導体とによって半導体チップの電磁シールドがなされるようになっている。 In semiconductor devices such as silicon microphones and pressure sensors, a semiconductor chip such as a microphone chip is housed in a hollow package.
In the semiconductor device described in Patent Document 1, a semiconductor chip such as a microphone chip is mounted on a flat substrate, and a cap body that is drawn into a cap shape is placed thereon, and its lower end is fixed to the surface of the substrate. Has been. In this case, the lid is formed of a conductive material such as metal, and the lower end thereof is fixed to the conductor on the substrate by a conductive adhesive, and the electromagnetic shield of the semiconductor chip is made by the lid and the conductor on the substrate. It has become so.

一方、この種の半導体装置として、リードフレームに樹脂をモールドして一体化したプリモールドタイプのパッケージを用いることにより、材料コストの低減、生産性の向上を図ることができると考えられる。特許文献２から４に記載の半導体装置は、このようなプリモールドタイプのパッケージを用いたものであり、半導体チップに接続されるリードフレームの一部がモールド樹脂に埋設状態とされるとともに、この半導体チップの回りを囲むように周壁部がモールド樹脂に一体に形成され、その周壁部の上にフラットの蓋体が固定されている。
米国特許第６７８１２３１号明細書 特開２０００−３５３７５９号公報 特開２００５−５３５３号公報 特開２００５−２６４２５号公報 On the other hand, as this type of semiconductor device, it is considered that a material cost can be reduced and productivity can be improved by using a pre-mold type package in which a resin is molded and integrated with a lead frame. The semiconductor devices described in Patent Documents 2 to 4 use such a pre-mold type package, and a part of the lead frame connected to the semiconductor chip is embedded in the mold resin. A peripheral wall is formed integrally with the mold resin so as to surround the semiconductor chip, and a flat lid is fixed on the peripheral wall.
US Pat. No. 6,781,231 JP 2000-353759 A JP 2005-5353 A Japanese Patent Laid-Open No. 2005-26425

ところで、このようなプリモールドタイプのパッケージにおいて、特許文献１記載の半導体装置のように半導体チップの回りを電磁シールドした構造とする場合、リードフレームを半導体チップの下方に配置し、その一部に、半導体チップの上方の蓋体を接触させる必要がある。この場合、リードフレームがフラットの状態であると特許文献１記載のように蓋体を絞り加工する必要がある。しかし、蓋体の絞りが深い場合には、歪み等が発生し易く、プリモールドタイプのパッケージとしての生産性を損ない易い。   By the way, in such a pre-mold type package, when the semiconductor device has a structure in which the periphery of the semiconductor chip is electromagnetically shielded as in the semiconductor device described in Patent Document 1, the lead frame is disposed below the semiconductor chip, and a part thereof It is necessary to contact the upper cover of the semiconductor chip. In this case, if the lead frame is in a flat state, the lid needs to be drawn as described in Patent Document 1. However, when the lid is deeply squeezed, distortion or the like is likely to occur, and the productivity as a pre-mold type package is likely to be impaired.

そこで、特許文献２〜４に記載されるような半導体装置において、半導体チップの周囲を囲む周壁部の上端面にリードフレームの一部を露出させることが考えられるが、半導体チップの下方に配置されるリードフレームの一部を切り起こすように屈曲形成することになるため、その切り起こしに要する長さの分、パッケージとしての平面積が小さくなり、半導体チップの収納空間に制約が生じる。逆に言えば、必要な収納空間を確保しようとすると、切り起こし部分の展開長さの分、リードフレームのための金属板としては大きい面積のものが必要になり、ロスが多く歩留まりが悪くなる結果、コスト低減を妨げる要因となる。   Therefore, in a semiconductor device as described in Patent Documents 2 to 4, it may be possible to expose a part of the lead frame on the upper end surface of the peripheral wall portion surrounding the periphery of the semiconductor chip, but it is disposed below the semiconductor chip. Since the lead frame is bent so as to cut out a part of the lead frame, the flat area as a package is reduced by the length required for the cutting and raising, and the storage space of the semiconductor chip is restricted. In other words, to secure the necessary storage space, the metal plate for the lead frame needs to have a large area as much as the developed length of the cut-and-raised part, resulting in a large loss and poor yield. As a result, it becomes a factor that hinders cost reduction.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、プリモールドタイプのパッケージにあって内部に収納される半導体チップを有効に電磁シールドするとともに、パッケージ本体及び蓋体ともに生産性に優れ、コスト低減に有効な半導体パッケージを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and in a pre-mold type package, effectively shields the semiconductor chip housed therein, and is excellent in productivity for both the package body and the lid, An object is to provide a semiconductor package effective for cost reduction.

本発明の半導体パッケージは、半導体チップを搭載する底板部及び該底板部の周縁部から立設した周壁部を備える箱型のモールド樹脂体にリードフレームの少なくとも一部が埋設されてなるパッケージ本体と、該パッケージ本体の前記底板部に搭載される半導体チップの上方を覆った状態として前記周壁部に固定される導電性材料からなる蓋体とを備え、前記リードフレームには、半導体チップの下方に配置されるステージ部と、半導体チップに接続される端子部とが相互に間隔をあけて形成されるとともに、これらステージ部及び端子部の少なくとも一部が前記底板部の裏面に露出する外部接続面とされ、前記周壁部の上端面には、前記ステージ部に接続状態の突出片の先端部が露出され、前記蓋体は、パッケージ本体の底板部に対向する天板部と、該天板部の周縁から天板部を囲むように配置された側板部とを備え、該側板部の下端が前記パッケージ本体の周壁部の上端面への固定部とされ、前記パッケージ本体の周壁部の高さは、前記半導体チップの収納に必要な高さの一部とされ、その残りの高さが前記蓋体の側板部により形成されていることを特徴とする。   A semiconductor package according to the present invention includes a package main body in which at least a part of a lead frame is embedded in a box-shaped mold resin body including a bottom plate portion on which a semiconductor chip is mounted and a peripheral wall portion erected from a peripheral portion of the bottom plate portion. And a lid made of a conductive material fixed to the peripheral wall portion so as to cover an upper portion of the semiconductor chip mounted on the bottom plate portion of the package body, and the lead frame is provided below the semiconductor chip. An external connection surface in which a stage portion to be arranged and a terminal portion connected to the semiconductor chip are formed with a space therebetween, and at least a part of the stage portion and the terminal portion is exposed on the back surface of the bottom plate portion The tip of the protruding piece connected to the stage portion is exposed at the upper end surface of the peripheral wall portion, and the lid body faces the bottom plate portion of the package body. A plate portion and a side plate portion disposed so as to surround the top plate portion from the periphery of the top plate portion, the lower end of the side plate portion is a fixing portion to the upper end surface of the peripheral wall portion of the package body, The height of the peripheral wall portion of the package body is a part of the height necessary for housing the semiconductor chip, and the remaining height is formed by the side plate portion of the lid.

この半導体パッケージは、プリモールドタイプのパッケージ本体と、導電性材料の蓋体とから構成され、そのパッケージ本体のリードフレームと蓋体とが接続状態となることにより、内部に収納される半導体チップの電磁シールドがなされ、その場合に、パッケージ本体の周壁部及び蓋体の側板部のそれぞれの高さは、半導体チップの収納に必要な高さの分が両者に一部ずつ振り分けられるように設定されている。したがって、パッケージ本体においては、周壁部の上端面に露出する突出片の長さを短くすることが可能になり、その分、半導体チップの収納空間を広く確保することができ、リードフレーム全体としての平面積も小さいもので済む。   This semiconductor package is composed of a pre-mold type package body and a lid made of a conductive material. When the lead frame and the lid of the package body are in a connected state, In this case, the height of each of the peripheral wall portion of the package body and the side plate portion of the lid body is set so that a part of the height necessary for housing the semiconductor chip is allocated to each part. ing. Therefore, in the package body, it is possible to shorten the length of the protruding piece exposed at the upper end surface of the peripheral wall portion, and accordingly, it is possible to secure a large storage space for the semiconductor chip, and as a whole lead frame Small plane area is enough.

本発明の半導体パッケージにおいて、前記ステージ部及び端子部は同一平面上に形成され、該平面に対して前記突出片が折り曲げ形成されている構成としてもよい。
リードフレームのプレス加工としては、ステージ部及び端子部に対して突出片のみを折り曲げ形成するだけの加工とすることが可能であり、プレス金型の設計が容易で安価に製作することができる。 In the semiconductor package of the present invention, the stage portion and the terminal portion may be formed on the same plane, and the protruding piece may be bent with respect to the plane.
The lead frame can be pressed by simply bending the protruding piece with respect to the stage portion and the terminal portion, and the press mold can be designed easily and inexpensively.

本発明の半導体パッケージにおいて、前記蓋体は前記天板部及び側板部が金属板の絞り加工によって形成されている構成としてもよい。
側板部の高さが小さいので、これを絞り加工によって形成する場合でも、絞りが浅くなる結果、歪みの発生が抑えられ、寸法精度を高めることができる。 The semiconductor package of this invention WHEREIN: The said cover body is good also as a structure by which the said top-plate part and a side-plate part are formed by the drawing process of a metal plate.
Since the height of the side plate portion is small, even when the side plate portion is formed by drawing, as a result of the drawing becoming shallow, the occurrence of distortion can be suppressed and the dimensional accuracy can be increased.

また、本発明の半導体装置は、前記半導体パッケージの前記底板部上に半導体チップが搭載され、該半導体チップの上方を覆う前記蓋体の側板部が前記半導体パッケージ本体の周壁部に導電性接着剤を介して固着されていることを特徴とする。   Further, in the semiconductor device of the present invention, a semiconductor chip is mounted on the bottom plate portion of the semiconductor package, and the side plate portion of the lid that covers the upper side of the semiconductor chip is a conductive adhesive on the peripheral wall portion of the semiconductor package body. It is characterized by being fixed via.

そして、この半導体装置の製造方法は、リードフレーム用金属板から前記リードフレームを接続フレーム部を介して複数個連結状態に形成する工程と、各リードフレームに樹脂をモールドすることにより該リードフレームに前記モールド樹脂体をそれぞれ一体に形成してなるパッケージ本体を形成する工程と、蓋体用金属板から前記蓋体を接続フレーム部を介して前記リードフレームと同じピッチで複数個連結状態に形成する工程と、各パッケージ本体に半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、該半導体チップの上方から前記蓋体を前記パッケージ本体に導電性接着剤を介して固定する工程と、これらパッケージ本体の接続フレーム部及び蓋体の接続フレーム部を切断して相互に分離した半導体装置を形成する工程とを有することを特徴とする。   The semiconductor device manufacturing method includes a step of forming a plurality of lead frames from a lead frame metal plate via a connection frame portion in a connected state, and molding resin on each lead frame to form the lead frame. A step of forming a package body formed by integrally forming the mold resin bodies, and a plurality of the lid bodies are formed in a connected state at the same pitch as the lead frame through a connection frame portion from a lid metal plate. A step of mounting a semiconductor chip on each package body, a step of fixing the lid to the package body from above the semiconductor chip via a conductive adhesive, a connection frame portion of these package bodies, and And forming a semiconductor device separated from each other by cutting the connection frame portion of the lid. That.

前述したように蓋体の高さが小さくなるので、これを絞り加工する場合でも歪みが小さく、したがって、この蓋体を複数個連結状態で形成しても、そのピッチにばらつきが生じにくい。このため、パッケージ本体のピッチとのずれが少なく、両者を精密に位置決めすることができる。   As described above, since the height of the lid body is small, distortion is small even when the lid body is drawn. Therefore, even if a plurality of lid bodies are formed in a connected state, the pitch hardly varies. For this reason, there is little shift | offset | difference with the pitch of a package main body, and both can be positioned precisely.

また、前記半導体装置を用いて構成したマイクロフォンパッケージとしては、前記半導体チップがマイクロフォンチップであり、前記蓋体又は前記パッケージ本体のいずれかに、内部空間に連通する音響孔が形成されていることを特徴とする。   Further, as a microphone package configured using the semiconductor device, the semiconductor chip is a microphone chip, and an acoustic hole communicating with an internal space is formed in either the lid or the package body. Features.

本発明によれば、パッケージ本体のリードフレームに形成した突出片と蓋体とが電気的接続状態となって、これらリードフレームと蓋体とにより半導体チップの回りを囲った状態とすることができ、内部の半導体チップを有効に電磁シールドすることができる。また、この半導体チップの収納に必要な高さをパッケージ本体と蓋体とにより一部ずつ振り分けるようにしたから、リードフレームの突出片の長さを短くすることができ、その分、半導体チップの収納空間を広く確保することができ、リードフレームとして必要な金属板のロスを少なくすることができる。また、蓋体についても、その加工が容易になって寸法精度を高めることができ、もって、これらパッケージ本体及び蓋体の生産性を向上させて、コスト低減を図ることができる。   According to the present invention, the protruding piece formed on the lead frame of the package body and the lid are in an electrically connected state, and the lead frame and the lid can surround the semiconductor chip. The internal semiconductor chip can be effectively electromagnetically shielded. In addition, since the height necessary for housing the semiconductor chip is distributed part by part between the package body and the lid, the length of the protruding piece of the lead frame can be shortened. A large storage space can be secured, and loss of a metal plate necessary as a lead frame can be reduced. Further, the lid body can be easily processed to increase the dimensional accuracy, and thus the productivity of the package body and the lid body can be improved and the cost can be reduced.

以下、本発明に係る半導体装置の一実施形態を図面を参照しながら説明する。
本実施形態の半導体装置１は、マイクロフォンパッケージであり、図１に全体の断面を示したように、半導体チップとしてマイクロフォンチップ２と制御回路チップ３との二つのチップが収納されている。また、そのパッケージ４は、リードフレーム５に箱型のモールド樹脂体６を一体成形してなるパッケージ本体７と、このパッケージ本体７の上方を閉塞する蓋体８とを備える構成とされている。図２は、蓋体８を省略して、両半導体チップ２，３を収納した状態のパッケージ本体７の平面を示しており、図３は、その裏面を示している。 Hereinafter, an embodiment of a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
The semiconductor device 1 according to the present embodiment is a microphone package, and as shown in FIG. 1, the entire cross section includes two chips of a microphone chip 2 and a control circuit chip 3 as semiconductor chips. The package 4 includes a package body 7 formed by integrally forming a box-shaped mold resin body 6 on a lead frame 5 and a lid body 8 that closes the upper portion of the package body 7. FIG. 2 shows a plan view of the package body 7 in a state in which the lid body 8 is omitted and both the semiconductor chips 2 and 3 are accommodated, and FIG. 3 shows the back surface thereof.

リードフレーム５は、銅材等の導電性材料からなる帯状の金属板を加工することにより、複数個が並べられた状態で形成され、後述のように加工され、半導体装置として組み立てられた後に図１に示すように個々に分離されるものである。
図４はリードフレーム５を一定のピッチで並べて形成した連続成形体１１を示している。この明細書中では、１個単位のものをリードフレームと称しており、以下では図４の上下方向を縦方向、左右方向を横方向というものとする。また、図４中、符号１２，１３は、リードフレーム５と外枠部１４との間、又は隣接するリードフレーム５相互の間を接続状態とする接続フレーム部を示しており、この接続フレーム部１２，１３により複数のリードフレーム５が縦横に整列状態に形成されている。また、符号１５は、後述するように蓋体８を取り付ける際に金型のガイドピンを挿入するためのガイド孔を示しており、外枠部１４の両側部に一定のピッチで並んで配置されている（図には一方の側部におけるガイド孔のみ示している）。 The lead frame 5 is formed in a state in which a plurality of metal plates are arranged by processing a strip-shaped metal plate made of a conductive material such as a copper material, processed as described later, and assembled as a semiconductor device. As shown in FIG.
FIG. 4 shows a continuous molded body 11 formed by arranging lead frames 5 at a constant pitch. In this specification, one unit is referred to as a lead frame, and in the following, the vertical direction in FIG. In FIG. 4, reference numerals 12 and 13 denote connection frame portions that connect the lead frame 5 and the outer frame portion 14 or between the adjacent lead frames 5, and this connection frame portion. 12 and 13 form a plurality of lead frames 5 aligned vertically and horizontally. Reference numeral 15 denotes a guide hole for inserting a guide pin of a mold when the lid body 8 is attached as will be described later, and is arranged side by side at a constant pitch on both sides of the outer frame portion 14. (Only the guide holes on one side are shown in the figure).

このリードフレーム５は、図４に示す例では全体として横長の矩形に形成され、マイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３を並べて搭載できる面積を有する平板状のステージ部２１と、該ステージ部２１の周囲に配置された例えば電源用、出力用、ゲイン用の３個の端子部２２〜２４とが相互に間隔をあけて配置され、そのステージ部２１の３箇所から突出片２５が外方に突出して形成された構成とされている。
ステージ部２１は、矩形の両側部のうち、一方の側部が２箇所、他方の側部が１箇所それぞれ矩形状に切り欠かれた形状とされ、これら切欠部２６内に各端子部２２〜２４が配置されている。
各端子部２２〜２４は、ステージ部２１の各切欠部２６よりも若干小さい矩形状に形成されることにより、該切欠部２６内に、ステージ部２１との間に一定の間隔をあけて配置されている。 In the example shown in FIG. 4, the lead frame 5 is formed in a horizontally long rectangular shape as a whole, and has a plate-like stage portion 21 having an area where the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 can be mounted side by side, and the periphery of the stage portion 21. For example, three terminal portions 22 to 24 for power supply, output, and gain are arranged at intervals from each other, and projecting pieces 25 project outward from three locations of the stage portion 21. It is set as the formed structure.
The stage portion 21 has a rectangular shape in which one side portion is cut out at two locations and the other side portion is cut out in a rectangular shape at each of the two side portions of the rectangular shape. 24 is arranged.
Each of the terminal portions 22 to 24 is formed in a rectangular shape slightly smaller than each notch portion 26 of the stage portion 21, so that the terminal portions 22 to 24 are arranged in the notch portion 26 with a certain distance from the stage portion 21. Has been.

一方、突出片２５は、ステージ部２１の両端部、図４に示す例では横方向の両端部における中央位置と、１箇所の切欠部２６を有する前記他方の側部（図４で上側の側部）における切欠部２６を除いた部分の中央位置とにそれぞれ設けられている。各突出片２５は、ステージ部２１の外方に向かって延びる短尺のアーム部２７の先端に、その長さ方向と直交する方向に延びる短冊状の帯板部２８が一体に形成され、平面視では全体としてＴ字状をなしている。そして、そのアーム部２７の両端部が屈曲されることにより、ステージ部２１に対してアーム部２７が立ち上げられ、図１に示すように先端の帯板部２８がステージ部２１よりも若干高い位置にステージ部２１と平行に配置されている。   On the other hand, the protruding piece 25 is the other side portion (on the upper side in FIG. 4) having the center position at both end portions of the stage portion 21, in the example shown in FIG. And the central position of the portion excluding the notch portion 26. Each projecting piece 25 is integrally formed with a strip-shaped band plate portion 28 extending in a direction orthogonal to the length direction at the tip of a short arm portion 27 extending outward from the stage portion 21 in plan view. Then, it is T-shaped as a whole. Then, by bending both end portions of the arm portion 27, the arm portion 27 is raised with respect to the stage portion 21, and the band plate portion 28 at the tip is slightly higher than the stage portion 21 as shown in FIG. It is arranged in parallel with the stage portion 21 at the position.

また、連続成形体１１において、隣接する各リードフレーム５は、その横方向には、突出片２５の外側位置に配置された２本の接続フレーム部１２により、ステージ部２１の両端部の隅部が相互に接続状態とされ、縦方向には、ステージ部２１の両端部の相互間を縦方向に接続状態とする２本の連結バー３１と、これら連結バー３１どうしを横方向に接続状態とする１本の共通バー３２と、該共通バー３２の途中位置から突出して各端子部２２〜２４及びステージ部２１の側部の中央位置を接続状態とする４本の支持バー３３とから構成された接続フレーム部１３によって接続されている。この場合、各支持バー３３は、共通バー３２の片側（図４では上側）に３本、反対側に１本設けられており、隣接するリードフレーム５において、その一方の対向側部に対しては、該対向側部に配置されている２個の端子部２３，２４との間、及びこれら端子部２３，２４の間に配置されているステージ部２１の中間部分との間をそれぞれ接続状態とし、他方の対向側部に対しては、該対向側部に配置されている１個の端子部２２との間を接続状態としている。なお、外周位置のリードフレーム５と外枠部１４との間では、各接続フレーム部１２，１３が半分までの大きさとされ、縦方向に連結する接続フレーム部１３においては、外枠１４により共通バーは省略される。   Further, in the continuous molded body 11, each of the adjacent lead frames 5 has a corner portion at both end portions of the stage portion 21 by two connecting frame portions 12 arranged at the outer positions of the protruding pieces 25 in the lateral direction. Are connected to each other, and in the vertical direction, the two connecting bars 31 that connect the both ends of the stage portion 21 to each other in the vertical direction, and the connecting bars 31 are connected in the horizontal direction. Each of the common bars 32 and four support bars 33 that protrude from the middle position of the common bar 32 and connect the central positions of the side portions of the terminal portions 22 to 24 and the stage portion 21 to each other. The connection frame unit 13 is connected. In this case, each support bar 33 is provided on one side (upper side in FIG. 4) of the common bar 32 and one on the opposite side. Is connected between the two terminal parts 23 and 24 arranged on the opposite side part and between the intermediate part of the stage part 21 arranged between the terminal parts 23 and 24, respectively. The other opposing side portion is connected to one terminal portion 22 arranged on the opposing side portion. In addition, between the lead frame 5 and the outer frame portion 14 at the outer peripheral position, the connection frame portions 12 and 13 are half the size, and the connection frame portion 13 connected in the vertical direction is common to the outer frame 14. Bars are omitted.

また、このリードフレーム５の裏面においては、図５にハッチングした領域が板厚の半分程度までハーフエッチングされた凹状部３４とされ、この凹状部３４を除く部分が突出した状態とされている。具体的には、外枠部１４、各端子部２２〜２４の中央部分、ステージ部２１上においてこれら３個の端子部２２〜２４に対応する部分、各突出片２５及びそのアーム部２７のステージ部２１における接続部分、ステージ部２１に接続状態とされた支持バー３３のステージ部２１側の接続部分が、それぞれ元板厚の状態とされ、これらを除く接続フレーム部１２，１３、端子部２２〜２４の周縁部分及びステージ部２１の大部分がハーフエッチングされている。
そして、このハーフエッチングされた凹状部３４により突出状態となった端子部２２〜２４の裏面側の中央部分及び該端子部２２〜２４に対応する位置のステージ部２１の裏面側の４箇所が外部接続面３５〜３８とされ、その反対側の表面がそれぞれ内部接続面３９〜４２とされている。また、ステージ部２１おける各突出片２５の接続部分及び支持バー３３の接続部分も、外部接続面３５〜３８と同じ高さの平面に形成され、後述するようにモールド樹脂体６を形成するときに金型に接触する支持面４３とされている。 On the back surface of the lead frame 5, the hatched area in FIG. 5 is a concave portion 34 that is half-etched to about half of the plate thickness, and a portion excluding the concave portion 34 is in a protruding state. Specifically, the outer frame portion 14, the central portion of each terminal portion 22 to 24, the portion corresponding to these three terminal portions 22 to 24 on the stage portion 21, each protruding piece 25 and the stage of its arm portion 27. The connection part in the part 21 and the connection part on the stage part 21 side of the support bar 33 connected to the stage part 21 are in the original plate thickness state, and the connection frame parts 12 and 13 and the terminal part 22 excluding these are provided. ˜24 and most of the stage portion 21 are half-etched.
And the center part by the side of the back surface of the terminal parts 22-24 which became the projection state by this half-etched recessed part 34, and four places on the back surface side of the stage part 21 of the position corresponding to this terminal parts 22-24 are outside. The connection surfaces are 35 to 38, and the opposite surfaces are internal connection surfaces 39 to 42, respectively. Further, the connecting portion of each protruding piece 25 and the connecting portion of the support bar 33 in the stage portion 21 are also formed on a plane having the same height as the external connecting surfaces 35 to 38, and when the mold resin body 6 is formed as will be described later. The support surface 43 is in contact with the mold.

このように加工されたリードフレーム５に対してモールド樹脂体を一体に形成した状態を示すのが図６であり、この状態では、隣接するリードフレーム５に対して接続フレーム部１２，１３も含めて相互に連結された一体構造のモールド樹脂成形体４５が形成される。また、図７及び図８は、そのモールド樹脂成形体４５に半導体チップ２，３を搭載した状態を示しており、このモールド樹脂成形体４５が個々に分割されることにより、各リードフレーム５にモールド樹脂体６を一体化したパッケージ本体７が構成される。   FIG. 6 shows a state in which the molded resin body is integrally formed with the lead frame 5 processed in this way. In this state, the connection frame portions 12 and 13 are also included with respect to the adjacent lead frame 5. Thus, a molded resin molded body 45 having an integral structure connected to each other is formed. 7 and 8 show a state in which the semiconductor chips 2 and 3 are mounted on the mold resin molded body 45, and the mold resin molded body 45 is divided into individual parts so that each lead frame 5 is attached to each of the lead frames 5. A package body 7 in which the mold resin body 6 is integrated is configured.

その１個ずつに分割したパッケージ本体７について構造を説明すると、図１〜図３に示すように、このパッケージ本体７のモールド樹脂体６は、マイクロフォンチップ２と制御回路チップ３とを並べることができる長さの矩形板状に形成された底板部５１と、この底板部５１の周縁部から立設した周壁部５２とを備える構成とされている。
この底板部５１は、その裏面に、リードフレーム５における各端子部２２〜２４及びステージ部２１の外部接続面３５〜３８を露出させた状態で、これら端子部２２〜２４及びステージ部２１の残りの部分を埋設している。また、この底板部５１は、ステージ部２１及び端子部２２〜２４の表面側にも、これらを覆うように形成されているが、各端子部２２〜２４及びステージ部２１の内部接続面３９〜４２をそれぞれ露出させる４個の開口部５３が形成されている。 The structure of the package body 7 divided into one piece will be described. As shown in FIGS. 1 to 3, the mold resin body 6 of the package body 7 may have the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 arranged side by side. A bottom plate portion 51 formed in a rectangular plate shape having a length that can be formed and a peripheral wall portion 52 erected from a peripheral edge portion of the bottom plate portion 51 are provided.
The bottom plate portion 51 has the terminal portions 22 to 24 and the rest of the stage portion 21 remaining on the back surface, with the terminal portions 22 to 24 of the lead frame 5 and the external connection surfaces 35 to 38 of the stage portion 21 exposed. The part of is buried. Further, the bottom plate portion 51 is also formed on the surface side of the stage portion 21 and the terminal portions 22 to 24 so as to cover them, but each terminal portion 22 to 24 and the internal connection surface 39 to the stage portion 21. Four openings 53 are formed to expose 42 respectively.

そして、この底板部５１の上に、マイクロフォンチップ２と制御回路チップ３とがダイボンド材５４によってそれぞれ固定され、モールド樹脂体６の底板部５１の開口部５３に臨ませられている端子部２２〜２４及びステージ部２１の各内部接続面３９〜４２にボンディングワイヤ５５によって接続されている。マイクロフォンチップ２は、音響等の圧力変動に応じて振動するダイヤフラム電極と固定電極とが対向配置され、ダイヤフラム電極の振動に伴う静電容量変化を検出するものである。また、制御回路チップ３は、マイクロフォンチップ２への電源の供給回路、マイクロフォンチップ２からの出力信号の増幅器等を備える構成とされている。
一方、周壁部５２は、全体としては角筒状に形成され、リードフレーム５のステージ部２１を埋設している底板部５１の周縁部から上方に向けて立設されている。そして、周壁部５２の中にリードフレーム５のアーム部２７が埋設されており、このアーム部２７の先端の帯板部２８が周壁部５２の上端面に露出している。 Then, the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 are fixed on the bottom plate portion 51 by the die bonding material 54, respectively, and the terminal portions 22 to 22 facing the opening 53 of the bottom plate portion 51 of the mold resin body 6. 24 and the respective internal connection surfaces 39 to 42 of the stage portion 21 are connected by bonding wires 55. In the microphone chip 2, a diaphragm electrode and a fixed electrode that vibrate in response to pressure fluctuations such as sound are disposed to face each other, and a change in electrostatic capacitance accompanying vibration of the diaphragm electrode is detected. The control circuit chip 3 includes a power supply circuit to the microphone chip 2, an output signal amplifier from the microphone chip 2, and the like.
On the other hand, the peripheral wall portion 52 is formed in a rectangular tube shape as a whole, and is erected upward from the peripheral edge portion of the bottom plate portion 51 in which the stage portion 21 of the lead frame 5 is embedded. The arm portion 27 of the lead frame 5 is embedded in the peripheral wall portion 52, and the band plate portion 28 at the tip of the arm portion 27 is exposed at the upper end surface of the peripheral wall portion 52.

このように構成したパッケージ本体７に被せられる蓋体８も、リードフレーム５と同様に、銅材等の導電性金属材料からなる帯状金属板を加工することにより、複数個並べられた状態で形成され、後述するようにパッケージ本体７に組み合わせた後に、個々に分離されるものである。図９に蓋体８を一定のピッチで並べて形成した連続成形体６１を示している。この連続成形体６１では、各蓋体８は、外枠部６２との間又は隣接する蓋体８相互の間が接続フレーム部６３により接続され、リードフレーム５と同じピッチで縦横に並べられる。また、図４等のリードフレーム５の場合と同様に、ガイドピンが挿入されるガイド孔１５が外枠部６２の両側部にリードフレーム５と同じピッチで配列されている。   Similarly to the lead frame 5, the lid body 8 that covers the package body 7 configured as described above is also formed in a state in which a plurality of the lid bodies 8 are arranged by processing a strip metal plate made of a conductive metal material such as a copper material. As will be described later, after being combined with the package body 7, they are separated individually. FIG. 9 shows a continuous molded body 61 formed by arranging the lid bodies 8 at a constant pitch. In the continuous molded body 61, the lid bodies 8 are connected to the outer frame portion 62 or between the adjacent lid bodies 8 by the connection frame portion 63, and are arranged vertically and horizontally at the same pitch as the lead frame 5. As in the case of the lead frame 5 in FIG. 4 and the like, the guide holes 15 into which the guide pins are inserted are arranged at the same pitch as the lead frame 5 on both sides of the outer frame portion 62.

個々の蓋体８は、絞り加工されて形成されており、図１に示すように、天板部６５の周囲に側板部６６が形成され、該側板部６６の下端に、天板部６５と平行につば部６７がフランジ状に形成されている。また、天板部６５には音響孔６８が貫通状態に形成されている。この場合、つば部６７がパッケージ本体７の周壁部５２の上端面とほぼ同じ大きさに形成されており、この蓋体８をパッケージ本体７に重ねると、つば部６７がパッケージ本体７の周壁部５２の上端面に当接し、パッケージ本体７の底板部５１と蓋体８の天板部６５とが対向し、これら底板部５１及び天板部６５と、パッケージ本体７の周壁部５２及び蓋体８の側板部６６とにより囲まれた内部空間６９が半導体チップ収納空間とされ、その内部空間６９が蓋体８の音響孔６８によって外部に連通させた状態とされる構成である。   Each lid body 8 is formed by drawing, and as shown in FIG. 1, a side plate portion 66 is formed around the top plate portion 65, and a top plate portion 65 and a bottom plate 66 are formed at the lower end of the side plate portion 66. A flange portion 67 is formed in a flange shape in parallel. An acoustic hole 68 is formed in the top plate portion 65 in a penetrating state. In this case, the collar portion 67 is formed to have substantially the same size as the upper end surface of the peripheral wall portion 52 of the package body 7, and when the lid body 8 is overlapped with the package body 7, the collar portion 67 becomes the peripheral wall portion of the package body 7. 52, the bottom plate portion 51 of the package body 7 and the top plate portion 65 of the lid body 8 face each other, and the bottom plate portion 51 and the top plate portion 65, the peripheral wall portion 52 of the package body 7 and the lid body. The internal space 69 surrounded by the eight side plate portions 66 is a semiconductor chip storage space, and the internal space 69 is in communication with the outside through the acoustic hole 68 of the lid 8.

これらパッケージ本体７と蓋体８とは、パッケージ本体７の周壁部５２の上端面に蓋体８のつば部６７下面が導電性接着剤７０によって固着されるようになっており、パッケージ本体７の周壁部５２の上端面に露出しているリードフレーム５の帯板部２８が導電性接着剤７０を介して蓋体８と電気的接続状態とされる。したがって、これらパッケージ本体７に蓋体８を固着してなるパッケージ４は、蓋体８からリードフレーム５のステージ部２１の間が電気的接続状態となって内部空間６９内の半導体チップ２，３を囲った状態とするのである。この場合、半導体チップ２，３が収納される内部空間６９の高さは、パッケージ本体７の周壁部５２の高さと蓋体８の側板部６６の高さとの合計寸法となる。   The package body 7 and the lid body 8 are configured such that the lower surface of the collar portion 67 of the lid body 8 is fixed to the upper end surface of the peripheral wall portion 52 of the package body 7 by the conductive adhesive 70. The band plate portion 28 of the lead frame 5 exposed at the upper end surface of the peripheral wall portion 52 is brought into an electrically connected state with the lid body 8 through the conductive adhesive 70. Therefore, the package 4 formed by fixing the lid 8 to the package body 7 is in an electrically connected state between the lid 8 and the stage portion 21 of the lead frame 5, and the semiconductor chips 2 and 3 in the internal space 69. Is surrounded. In this case, the height of the internal space 69 in which the semiconductor chips 2 and 3 are accommodated is the total dimension of the height of the peripheral wall portion 52 of the package body 7 and the height of the side plate portion 66 of the lid 8.

次に、このように構成される半導体装置１の製造方法について説明する。
まず、リードフレーム５となる帯状金属板の必要な個所にマスキングをしてエッチング処理することにより、図５に示す裏面側のハッチング領域を板厚の半分程度までハーフエッチングする。そして、エッチング加工によって外形を成形し、接続フレーム部１２，１３により外枠部１４に接続状態とされた平フレーム部材を形成する。図４の一部に、突出片２５のアーム部２７を屈曲させる前の状態を二点鎖線で示している。このエッチング加工時に外枠部１４のガイド孔１５も成形しておく。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 configured as described above will be described.
First, a necessary portion of the strip-shaped metal plate to be the lead frame 5 is masked and etched to half-etch the hatched area on the back surface side shown in FIG. 5 to about half the plate thickness. Then, an outer shape is formed by etching, and a flat frame member connected to the outer frame portion 14 by the connection frame portions 12 and 13 is formed. A part of FIG. 4 shows a state before the arm portion 27 of the protruding piece 25 is bent by a two-dot chain line. The guide hole 15 of the outer frame portion 14 is also formed during this etching process.

この後、突出片２５のアーム部２７をプレスによって曲げ変形させることにより、ステージ部２１に対して突出片２５の帯板部２８を持ち上げた状態とする。このプレス加工は、図１０にプレス金型を示したように、連続成形体１１においてリードフレーム５の裏面を上方に向けた状態とし、傾斜面７５ａ，７６ａを有する上型７５と下型７６とによって挟みながら突出片２５の帯板部２８を上方から下方に押し下げることにより、アーム部２７を曲げ変形させることになる。この場合、アーム部２７が金型表面で円滑に変形できるように、上型７５の曲げ部に対応する部分に若干の突出部７７が形成され、これら突出部７７の間の傾斜面７５ａの中間部分ではアーム部２７と上型７５との間に隙間ができるように形成されている。
なお、端子部２２〜２４及びその支持バー３３は、ステージ部２１と同一平面上に配置した状態に維持される。
このようにしてエッチング加工及びプレス加工により外形の成形、曲げ加工等が施された状態が図４及び図５に示す状態であり、リードフレーム５が一定のピッチで縦横に並べられた状態に形成される。 Thereafter, the arm portion 27 of the protruding piece 25 is bent and deformed by pressing, whereby the band plate portion 28 of the protruding piece 25 is lifted with respect to the stage portion 21. In this pressing, as shown in FIG. 10, the upper die 75 and the lower die 76 having inclined surfaces 75a and 76a with the back surface of the lead frame 5 facing upward in the continuous molded body 11 are shown. The arm portion 27 is bent and deformed by pushing the band plate portion 28 of the protruding piece 25 downward from above while sandwiching between the two. In this case, a slight protruding portion 77 is formed at a portion corresponding to the bent portion of the upper mold 75 so that the arm portion 27 can be smoothly deformed on the mold surface, and an intermediate portion of the inclined surface 75a between the protruding portions 77 is formed. In the portion, a gap is formed between the arm portion 27 and the upper die 75.
In addition, the terminal parts 22-24 and its support bar 33 are maintained in the state arrange | positioned on the same plane as the stage part 21. FIG.
The state in which the outer shape is formed and bent by etching and pressing in this way is the state shown in FIGS. 4 and 5, and the lead frames 5 are formed in a state where they are arranged vertically and horizontally at a constant pitch. Is done.

次いで、このように成形したリードフレーム５の連続成形体１１を射出成形金型内に配置し、各リードフレーム５を埋設するように樹脂を射出成形してモールド樹脂体６を成形する。
図１１はプレス成形した後の１個のリードフレーム５を射出成形金型内に配置した状態を示しており、上型８１と下型８２との間にモールド樹脂が注入されるキャビティ８３が形成されている。この場合、前述したように、連続成形体１１における隣接する各リードフレーム５の全体を連結した状態にモールド樹脂成形体４５（図６〜図８参照）が成形されるようになっており、射出成形金型は、その上型８１と下型８２とにより連続成形体１１の外枠部１４を隙間なく挟持し、その内側の各リードフレーム５全体を一括して覆うように広いキャビティ８３が形成される。 Next, the continuous molded body 11 of the lead frame 5 molded in this way is placed in an injection mold, and resin is injection molded so as to embed each lead frame 5 to mold the molded resin body 6.
FIG. 11 shows a state in which one lead frame 5 after press molding is placed in an injection mold, and a cavity 83 into which mold resin is injected is formed between an upper mold 81 and a lower mold 82. Has been. In this case, as described above, the molded resin molded body 45 (see FIGS. 6 to 8) is molded in a state where the adjacent lead frames 5 in the continuous molded body 11 are connected together, and injection is performed. The molding die sandwiches the outer frame portion 14 of the continuous molded body 11 with no gap between the upper die 81 and the lower die 82, and a wide cavity 83 is formed so as to cover the entire inner lead frames 5 collectively. Is done.

また、この射出成形金型内にリードフレーム５を配置して型締めした状態においては、ステージ部２１及び各端子部２２〜２４の４個の外部接続面３５〜３８、ステージ部２１の各支持面４３が下型８２のキャビティ面に接触し、ステージ部２１の表面側の各内部接続面３９〜４２、及び突出片２５の帯板部２８の上面がそれぞれ上型８１のキャビティ面に接触した状態とされる。この場合、ステージ部２１及び各端子部２２〜２４の外部接続面３５〜３８及び内部接続面３９〜４２の両面に金型８１，８２が接触することにより、これらステージ部２１及び端子部２２〜２４が両金型８１，８２の間で挟持された状態に保持され、また、突出片２５においては、その基端部の支持面４３と先端の帯板部２８の上面との間で金型８１，８２に挟持され、アーム部２７がわずかに撓ませられることにより、その弾性力によって支持面４３及び帯板部２８の上面が両金型８１，８２に押圧接触した状態とされる。   Further, in a state where the lead frame 5 is disposed and clamped in the injection mold, the four external connection surfaces 35 to 38 of the stage portion 21 and the terminal portions 22 to 24 and the respective supports of the stage portion 21 are supported. The surface 43 is in contact with the cavity surface of the lower die 82, the internal connection surfaces 39 to 42 on the surface side of the stage portion 21, and the upper surface of the strip plate portion 28 of the protruding piece 25 are in contact with the cavity surface of the upper die 81. State. In this case, when the molds 81 and 82 are in contact with both the external connection surfaces 35 to 38 and the internal connection surfaces 39 to 42 of the stage portion 21 and the terminal portions 22 to 24, the stage portion 21 and the terminal portions 22 to 22 are contacted. 24 is held in a state of being sandwiched between both molds 81 and 82, and in the protruding piece 25, a mold is formed between the support surface 43 at the base end portion and the upper surface of the band plate portion 28 at the distal end. By being sandwiched between 81 and 82 and slightly bending the arm portion 27, the upper surface of the support surface 43 and the band plate portion 28 is brought into press contact with both molds 81 and 82 due to its elastic force.

このようにして各リードフレーム５を射出成形金型内に配置して樹脂をモールドすると、図６に示すように、周壁部５２の部分を連続状態としたモールド樹脂成形体４５が各リードフレーム５に一体に成形された状態となる。その後、図７及び図８に示すように、モールド樹脂成形体４５の底板部５１の上に半導体チップ２，３をダイボンド材５４により固着し、底板部５１の開口部５３に露出している端子部２２〜２４及びステージ部２１の各内部接続面３９〜４２にボンディングワイヤ５５によって接続状態とする。   When each lead frame 5 is thus placed in the injection mold and resin is molded, as shown in FIG. 6, a molded resin molded body 45 with the peripheral wall portion 52 in a continuous state is formed in each lead frame 5. It will be in the state molded in one. After that, as shown in FIGS. 7 and 8, the semiconductor chips 2 and 3 are fixed to the bottom plate portion 51 of the molded resin molded body 45 by the die bonding material 54, and the terminals exposed to the opening 53 of the bottom plate portion 51. Each of the internal connection surfaces 39 to 42 of the parts 22 to 24 and the stage part 21 is connected by a bonding wire 55.

一方、蓋体８についても、帯状金属板にエッチング加工及びプレス加工によって外形の成形、絞り加工等を施すことにより、図９に示すように、外枠部６２の中で接続フレーム部６３により相互に接続状態とされた蓋体８の連続成形体６１を形成しておく。また、このときのエッチング加工によって外枠部６２のガイド孔１５も成形される。このガイド孔１５はリードフレーム５のガイド孔１５と同じ位置に、同じピッチで形成される。
この蓋体８の絞り加工の深さ（側板部６６の高さ）は、パッケージ本体７と組み立てたときの内部空間６９として必要な高さの一部であり、金属板の絞り加工による歪みの影響が実質的に生じない程度とされる。例えば、内部空間６９として必要な高さが０．６〜０．８ｍｍである場合に、蓋体８の絞り加工の深さとしては、蓋体８の板厚が０．０８ｍｍの場合に０．２〜０．３ｍｍとされる。
なお、パッケージ本体７の周壁部５２の高さは、内部空間６９として必要な高さのうち、蓋体８の側板部６６の高さを引いた残りの分とされ、例えば０．４〜０．５ｍｍの高さを負担することになる。 On the other hand, as shown in FIG. 9, the lid body 8 is also formed by forming the outer shape and drawing processing of the belt-shaped metal plate by etching and pressing, so that the connection frame portion 63 can mutually connect. A continuous molded body 61 of the lid body 8 in a connected state is formed in advance. Further, the guide hole 15 of the outer frame portion 62 is also formed by the etching process at this time. The guide holes 15 are formed at the same position as the guide holes 15 of the lead frame 5 at the same pitch.
The depth of drawing of the lid 8 (the height of the side plate portion 66) is a part of the height required for the internal space 69 when assembled with the package body 7, and distortion due to drawing of the metal plate is reduced. It is said that there is substantially no influence. For example, when the required height of the internal space 69 is 0.6 to 0.8 mm, the drawing depth of the lid 8 is set to 0. 0 when the plate thickness of the lid 8 is 0.08 mm. 2 to 0.3 mm.
Note that the height of the peripheral wall portion 52 of the package body 7 is the remaining amount obtained by subtracting the height of the side plate portion 66 of the lid 8 from the height necessary for the internal space 69, for example, 0.4 to 0. It will bear a height of 5 mm.

このようにしてリードフレーム５にモールド樹脂成形体４５を一体化させた連続成形体１１、及び蓋体８の連続成形体６１をそれぞれ製作した後、蓋体８のつば部６７を上方に向けた状態として、このつば部６７に導電性接着剤７０を塗布し、その上からモールド樹脂成形体４５を裏返した状態で載せ、つば部６７の導電性接着剤７０の上にモールド樹脂成形体４５の周壁部５２の上端面を重ねて接着する。このとき、蓋体８及びリードフレーム５の各外枠部１４，６２のガイド孔１５にピンを挿入した状態とすることにより、両者が位置合わせされる。この状態では、各リードフレーム５は、隣接するリードフレームに接続フレーム部１２，１３を介して連結状態とされているとともに、これらを一括してモールド樹脂成形体４５が覆っていることにより、パッケージ本体７としては複数個が縦横に連なった状態となっており、蓋体８もリードフレーム５と同様に接続フレーム部６３によりリードフレーム５と同じピッチで複数個が連結状態とされている。   After producing the continuous molded body 11 in which the mold resin molded body 45 is integrated with the lead frame 5 and the continuous molded body 61 of the lid body 8 in this way, the collar portion 67 of the lid body 8 is directed upward. As a state, the conductive adhesive 70 is applied to the collar portion 67, and the mold resin molded body 45 is placed in an inverted state, and the mold resin molded body 45 is placed on the conductive adhesive 70 of the collar portion 67. The upper end surface of the peripheral wall 52 is overlapped and bonded. At this time, the pins 8 are aligned with each other by inserting the pins into the guide holes 15 of the outer frame portions 14 and 62 of the lid 8 and the lead frame 5. In this state, each lead frame 5 is connected to the adjacent lead frame via the connection frame portions 12 and 13, and these are collectively packaged by the mold resin molded body 45 covering them. A plurality of main bodies 7 are connected vertically and horizontally, and a plurality of lids 8 are connected to each other at the same pitch as the lead frame 5 by the connection frame portion 63 similarly to the lead frame 5.

そこで、これらリードフレーム５、モールド樹脂成形体４５、及び蓋体８を両者の接続フレーム部１２，１３，６３の中央部分から図１２に示すようにダイシング刃８５によって同時に切断しながら、個々に切り離していくと、図１に示す半導体装置１として完成される。このダイシング加工は、リードフレーム５においては、このリードフレーム５で横方向に延びる接続フレーム部１２の中間位置が切断され、縦方向に並ぶリードフレーム５間では、その接続フレーム部１３の共通バー３２の部分でその長さ方向に切断されることになる。また、同時に蓋体８も接続フレーム部６３を分断するように切断される。このダイシング加工により、これらリードフレーム５及び蓋体８の接続フレーム部１２，１３，６３が切断されるとともに、モールド樹脂体６の周壁部５２の外縁が形成される。   Therefore, the lead frame 5, the molded resin molded body 45, and the lid body 8 are individually separated from the central portions of the connection frame portions 12, 13, 63 while being simultaneously cut by a dicing blade 85 as shown in FIG. As a result, the semiconductor device 1 shown in FIG. 1 is completed. In the dicing process, in the lead frame 5, the intermediate position of the connection frame portion 12 extending in the lateral direction is cut by the lead frame 5, and the common bar 32 of the connection frame portion 13 is arranged between the lead frames 5 arranged in the vertical direction. This part is cut in the length direction. At the same time, the lid body 8 is also cut so as to divide the connection frame portion 63. By this dicing process, the lead frame 5 and the connection frame portions 12, 13, and 63 of the lid body 8 are cut, and the outer edge of the peripheral wall portion 52 of the mold resin body 6 is formed.

このようにして製造した半導体装置１は、その裏面に露出している各端子部２２〜２４及びステージ部２１の外部接続面３５〜３８を基板にはんだ付けすることにより実装される。この場合、半導体装置１は、図７に示すように、底板部５１内に埋設されているステージ部２１が半導体チップ２，３の下方に配置され、このステージ部２１の内部接続面４２に半導体チップ２，３が接続され、ステージ部２１と一体の突出片２５の帯板部２８が周壁部５２の上端面で導電性接着剤７０を介して蓋体８に接続され、その蓋体８が半導体チップ２，３の上方を覆った状態としている。したがって、半導体チップ２，３は、その周囲をステージ部２１及び蓋体８によって囲まれた状態となり、このステージ部２１の外部接続面３８が基板を介して接地状態とされることにより、半導体チップ２，３を外部磁界からシールドすることができる。   The semiconductor device 1 manufactured in this way is mounted by soldering the terminal portions 22 to 24 exposed on the back surface and the external connection surfaces 35 to 38 of the stage portion 21 to the substrate. In this case, as shown in FIG. 7, in the semiconductor device 1, the stage portion 21 embedded in the bottom plate portion 51 is disposed below the semiconductor chips 2 and 3, and a semiconductor is formed on the internal connection surface 42 of the stage portion 21. The chips 2 and 3 are connected, and the band plate portion 28 of the protruding piece 25 integral with the stage portion 21 is connected to the lid body 8 via the conductive adhesive 70 at the upper end surface of the peripheral wall portion 52. The upper part of the semiconductor chips 2 and 3 is covered. Accordingly, the semiconductor chips 2 and 3 are surrounded by the stage portion 21 and the lid body 8, and the external connection surface 38 of the stage portion 21 is grounded via the substrate. 2 and 3 can be shielded from an external magnetic field.

この半導体装置１において、前述したように、パッケージ本体７の周壁部５２及び蓋体８の側板部６６の高さは、蓋体８に関しては、その絞り加工時の歪みが蓋体８の寸法に影響を与えない程度の浅い絞りとされ、その絞り深さ（側板部６６の高さ）に対して半導体チップ２，３の収納に必要な高さを確保するための残りの分をパッケージ本体７の周壁部５２が負担するように設定されている。したがって、パッケージ本体７においては、半導体チップ２，３の収納に必要な高さの全部を周壁部５２のみが負担する場合に比べて、ステージ部２１から立ち上げられるアーム部２７の立ち上げ高さを小さくすることができる。言い換えれば、このアーム部２７の長さが小さくなるのである。   In the semiconductor device 1, as described above, the height of the peripheral wall portion 52 of the package body 7 and the side plate portion 66 of the lid body 8 is set so that the distortion at the time of drawing with respect to the lid body 8 is the dimension of the lid body 8. The aperture is shallow enough not to affect the remaining portion of the package body 7 in order to secure the height necessary for housing the semiconductor chips 2 and 3 with respect to the aperture depth (height of the side plate portion 66). The peripheral wall portion 52 is set so as to bear. Therefore, in the package body 7, the rising height of the arm portion 27 raised from the stage portion 21 is higher than the case where only the peripheral wall portion 52 bears the entire height necessary for housing the semiconductor chips 2 and 3. Can be reduced. In other words, the length of the arm portion 27 is reduced.

すなわち、このアーム部２７は、これを立ち上げる前の展開した状態（図３に二点鎖線で示した状態）では、一つのリードフレーム５として必要な平面の端部に配置され、折り曲げ形成されることにより、先端が内側に寄せられた状態となる。したがって、アーム部２７が長いということは、その先端の内側への移動寸法が大きいことになり、その分、ステージ部２１の寸法が小さくなり、このステージ部２１の上に搭載される半導体チップ２，３の収納空間が小さくなってしまう。逆に言うと、この半導体チップ２，３の収納空間を広く確保しようとすると、アーム部２７が長い分、リードフレーム５全体としての平面積も大きいものが必要になり、アーム部２７先端の移動寸法の分、材料に無駄が生じる。
本実施形態の場合、半導体チップ２，３の収納に必要な空間の高さをパッケージ本体７と蓋体８とにより一部ずつ負担するようにしたことにより、リードフレーム５のアーム部２７の長さを短くして、半導体チップ２，３の収納空間を広く確保することができ、リードフレーム５全体としての平面積も小さくて済み、ロスが少なくなるものである。 That is, the arm portion 27 is disposed at the end of a plane necessary as one lead frame 5 in a deployed state (a state indicated by a two-dot chain line in FIG. 3) before the arm 27 is raised, and is bent. As a result, the tip is brought inward. Therefore, the long arm portion 27 means that the moving dimension toward the inside of the tip is large, and accordingly, the size of the stage portion 21 is small, and the semiconductor chip 2 mounted on the stage portion 21 is accordingly reduced. , 3 storage space is reduced. In other words, if it is intended to secure a large storage space for the semiconductor chips 2 and 3, the arm portion 27 is long, so that the lead frame 5 as a whole has a large plane area. Material is wasted for the size.
In the case of the present embodiment, the height of the space required for housing the semiconductor chips 2 and 3 is partially borne by the package body 7 and the lid body 8 so that the length of the arm portion 27 of the lead frame 5 is increased. By shortening the length, it is possible to secure a large storage space for the semiconductor chips 2 and 3, and the plane area of the lead frame 5 as a whole can be reduced, and loss is reduced.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、蓋体を絞り加工によって形成したが、その側板部の高さが小さいので、絞り加工に代えて、その側板部の高さを含む厚肉の金属板を用い、側板部の内側部分をハーフエッチング加工によって除去するようにしてもよい。
また、上記実施形態では半導体装置としてマイクロフォンパッケージに適用した例を示したが、マイクロフォン以外にも、圧力センサ、加速度センサ、磁気センサ、流量センサ、風圧センサ等にも適用することが可能である。この場合、上記実施形態のマイクロフォンにおいては、音響孔のような内部空間と外部とを連通させる連通孔が必要であったが、センサの種類によっては連通孔が不要になる場合や、流量センサのように二つの連通孔が必要になる場合がある。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, in the above embodiment, the lid is formed by drawing, but since the height of the side plate portion is small, instead of drawing, a thick metal plate including the height of the side plate portion is used. The inner part of the part may be removed by half etching.
Moreover, although the example applied to the microphone package as a semiconductor device was shown in the said embodiment, it can be applied also to a pressure sensor, an acceleration sensor, a magnetic sensor, a flow sensor, a wind pressure sensor, etc. besides a microphone. In this case, in the microphone of the above-described embodiment, a communication hole that communicates the internal space such as the acoustic hole and the outside is necessary. However, depending on the type of sensor, the communication hole may be unnecessary, In some cases, two communication holes are required.

また、マイクロフォンパッケージに適用する場合でも、各パッケージとも同じ仕様にして一つずつ分割したが、例えば隣接する４個のパッケージ本体について、内部に収納するマイクロフォンチップの感度を異なるものとし、これら４個を連結状態として一つのユニットとして分割形成することにより、指向性を有するマイクロフォンとすることもできる。
さらに、音響孔等の連通孔を形成する場合、実施形態では蓋体に形成したが、パッケージ本体の底板部に貫通状態に形成するようにしてもよく、その場合、モールド樹脂によって連通孔の周囲を囲むように筒状に壁を設けることにより、ダイボンド材が連通孔に流れ込まないようにするとよい。
また、リードフレームの外形の成形をエッチング加工によって行うようにしているが、プレスによって打ち抜き成形してもよい。また、ステージ部２１の内部接続面を内部に露出させる開口部を図に示すように他の端子部と均等に配置しているが、ステージ部上であれば、図に示す位置でなくてもよい。
また、前記ステージ部及び各端子部の外部接続面は、各実施形態では４端子の構成とし、例えば電源用、出力用、ゲイン用、接地用にそれぞれ供されるようにしたが、少なくとも電源用、出力用、接地用の接続面があればよい。その場合、接地用の接続面を２個設けるようにしてもよい。また、内部に収納される半導体チップによっては端子数が実施形態のものより増えることもある。半導体チップの数も必ずしも２個に限らない。 Even when applied to a microphone package, each package is divided into one with the same specifications. For example, the sensitivity of the microphone chip housed in the four adjacent package bodies is different. Can be divided and formed as one unit in a connected state, whereby a microphone having directivity can be obtained.
Furthermore, in the case where communication holes such as acoustic holes are formed, they are formed in the lid in the embodiment, but may be formed in a penetrating state in the bottom plate portion of the package body. It is preferable to prevent the die bond material from flowing into the communication hole by providing a cylindrical wall so as to surround the.
In addition, the outer shape of the lead frame is formed by etching, but may be punched by a press. In addition, the opening for exposing the internal connection surface of the stage portion 21 to the inside is arranged evenly with the other terminal portions as shown in the figure, but if it is on the stage portion, it may not be at the position shown in the figure. Good.
In addition, the external connection surfaces of the stage unit and each terminal unit have a four-terminal configuration in each embodiment, and are provided for, for example, power supply, output, gain, and ground, but at least for power supply There should be a connection surface for output and ground. In that case, two ground connection surfaces may be provided. Further, depending on the semiconductor chip housed inside, the number of terminals may be larger than that of the embodiment. The number of semiconductor chips is not necessarily limited to two.

本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す縦断面図である。1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention. 図１における蓋体を取り外した状態のパッケージ本体を示す平面図である。It is a top view which shows the package main body of the state which removed the cover body in FIG. 図２のパッケージ本体の裏面図である。FIG. 3 is a rear view of the package body of FIG. 2. 図１の半導体装置に使用されるリードフレームの連続成形体の表面を示す平面図である。It is a top view which shows the surface of the continuous molding of the lead frame used for the semiconductor device of FIG. 図４のリードフレームの連続成形体の裏面図である。FIG. 5 is a rear view of the continuous molded body of the lead frame in FIG. 4. 図４の連続成形体にモールド樹脂を一体成形した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which integrally molded resin to the continuous molded body of FIG. 図６のモールド樹脂成形体に半導体チップを搭載した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which mounted the semiconductor chip in the mold resin molding of FIG. 図７のＡ−Ａ線に沿う矢視断面図である。It is arrow sectional drawing which follows the AA line of FIG. 図１の半導体装置に使用される蓋体の連続成形体を示す平面図である。It is a top view which shows the continuous molding of the cover body used for the semiconductor device of FIG. 図４のリードフレームの連続成形体を曲げ加工するためのプレス金型を示す縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a press die for bending the continuous molded body of the lead frame in FIG. 4. 図４のリードフレームの連続成形体を射出成形金型内に配置した状態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the state which has arrange | positioned the continuous molding of the lead frame of FIG. 4 in the injection mold. 図７に示す成形体に図９に示す蓋体を固着して、図１に示す半導体装置に個々に分割する状態を示す縦断面図である。9 is a longitudinal sectional view showing a state in which the lid shown in FIG. 9 is fixed to the molded body shown in FIG. 7 and is individually divided into the semiconductor device shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１…半導体装置、２…マイクロフォンチップ、３…制御回路チップ、４…パッケージ、５…リードフレーム、６…モールド樹脂体、７…パッケージ本体、８…蓋体、１１…連続成形体、１２，１３…接続フレーム部、１４…外枠部、１５…ガイド孔、２１…ステージ部、２２〜２４…端子部、２５…突出片、２６…切欠部、２７…アーム部、２８…帯板部、３４…凹状部、３５〜３８…外部接続面、３９〜４２…内部接続面、４３…支持面、４５…モールド樹脂成形体、５１…底板部、５２…周壁部、５３…開口部、５４…ダイボンド材、５５…ボンディングワイヤ、６１…連続成形体、６２…外枠部、６３…接続フレーム部、６５…天板部、６６…側板部、６７…つば部、６８…音響孔、６９…内部空間、７０…導電性接着剤 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 2 ... Microphone chip, 3 ... Control circuit chip, 4 ... Package, 5 ... Lead frame, 6 ... Molding resin body, 7 ... Package main body, 8 ... Cover body, 11 ... Continuous molding body, 12, 13 ... Connection frame part, 14 ... Outer frame part, 15 ... Guide hole, 21 ... Stage part, 22-24 ... Terminal part, 25 ... Projection piece, 26 ... Notch part, 27 ... Arm part, 28 ... Band plate part, 34 ... concave part, 35 to 38 ... external connection surface, 39 to 42 ... internal connection surface, 43 ... support surface, 45 ... molded resin molded body, 51 ... bottom plate part, 52 ... peripheral wall part, 53 ... opening, 54 ... die bond Material 55 ... Bonding wire 61 ... Continuous molded body 62 ... Outer frame part 63 ... Connection frame part 65 ... Top plate part 66 ... Side plate part 67 ... Collar part 68 ... Acoustic hole 69 ... Internal space 70: Conductive adhesive

Claims (6)

半導体チップを搭載する底板部及び該底板部の周縁部から立設した周壁部を備える箱型のモールド樹脂体にリードフレームの少なくとも一部が埋設されてなるパッケージ本体と、該パッケージ本体の前記底板部に搭載される半導体チップの上方を覆った状態として前記周壁部に固定される導電性材料からなる蓋体とを備え、
前記リードフレームには、半導体チップの下方に配置されるステージ部と、半導体チップに接続される端子部とが相互に間隔をあけて形成されるとともに、これらステージ部及び端子部の少なくとも一部が前記底板部の裏面に露出する外部接続面とされ、前記周壁部の上端面には、前記ステージ部に接続状態の突出片の先端部が露出され、
前記蓋体は、パッケージ本体の底板部に対向する天板部と、該天板部の周縁から天板部を囲むように配置された側板部とを備え、該側板部の下端が前記パッケージ本体の周壁部の上端面への固定部とされ、
前記パッケージ本体の周壁部の高さは、前記半導体チップの収納に必要な高さの一部とされ、その残りの高さが前記蓋体の側板部により形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。 A package main body in which at least a part of a lead frame is embedded in a box-shaped mold resin body having a bottom plate portion on which a semiconductor chip is mounted and a peripheral wall portion erected from a peripheral portion of the bottom plate portion, and the bottom plate of the package main body A cover made of a conductive material fixed to the peripheral wall as a state of covering the top of the semiconductor chip mounted on the part,
In the lead frame, a stage portion disposed below the semiconductor chip and a terminal portion connected to the semiconductor chip are formed with a space therebetween, and at least a part of the stage portion and the terminal portion is formed. It is an external connection surface exposed on the back surface of the bottom plate portion, the top end surface of the peripheral wall portion is exposed at the tip of the protruding piece connected to the stage portion,
The lid body includes a top plate portion facing the bottom plate portion of the package main body, and a side plate portion arranged so as to surround the top plate portion from a peripheral edge of the top plate portion, and a lower end of the side plate portion is the package main body. It is a fixed part to the upper end surface of the peripheral wall part,
The height of the peripheral wall portion of the package body is a part of the height necessary for housing the semiconductor chip, and the remaining height is formed by the side plate portion of the lid body. package. 前記ステージ部及び端子部は同一平面上に形成され、該平面に対して前記突出片が折り曲げ形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。   2. The semiconductor package according to claim 1, wherein the stage portion and the terminal portion are formed on the same plane, and the protruding piece is bent with respect to the plane. 前記蓋体は前記天板部及び側板部が金属板の絞り加工によって形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体パッケージ。   3. The semiconductor package according to claim 1, wherein the top plate portion and the side plate portion of the lid body are formed by drawing a metal plate. 請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体パッケージの前記底板部上に半導体チップが搭載され、該半導体チップの上方を覆う前記蓋体の側板部が前記半導体パッケージ本体の周壁部に導電性接着剤を介して固着されていることを特徴とする半導体装置。   4. The semiconductor chip is mounted on the bottom plate portion of the semiconductor package according to claim 1, and the side plate portion of the lid that covers the top of the semiconductor chip is electrically connected to the peripheral wall portion of the semiconductor package body. A semiconductor device characterized in that the semiconductor device is fixed through an adhesive. 請求項４に記載の半導体装置を用いて構成したマイクロフォンパッケージであって、前記半導体チップがマイクロフォンチップであり、前記蓋体又は前記パッケージ本体のいずれかに、内部空間に連通する音響孔が形成されていることを特徴とするマイクロフォンパッケージ。   5. A microphone package configured using the semiconductor device according to claim 4, wherein the semiconductor chip is a microphone chip, and an acoustic hole communicating with an internal space is formed in either the lid or the package body. A microphone package characterized by 請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、
リードフレーム用金属板から前記リードフレームを接続フレーム部を介して複数個連結状態に形成する工程と、各リードフレームに樹脂をモールドすることにより該リードフレームに前記モールド樹脂体をそれぞれ一体に形成してなるパッケージ本体を形成する工程と、蓋体用金属板から前記蓋体を接続フレーム部を介して前記リードフレームと同じピッチで複数個連結状態に形成する工程と、各パッケージ本体に半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、該半導体チップの上方から前記蓋体を前記パッケージ本体に導電性接着剤を介して固定する工程と、これらパッケージ本体の接続フレーム部及び蓋体の接続フレーム部を切断して相互に分離した半導体装置を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4,
A step of forming a plurality of lead frames from a metal plate for a lead frame through a connection frame portion, and molding resin on each lead frame to form the molded resin body integrally with the lead frame. Forming a package main body, a step of forming a plurality of the lids in a connected state at the same pitch as the lead frame through a connection frame portion from a metal plate for the lid, and a semiconductor chip on each package body A step of mounting each, a step of fixing the lid body to the package body from above the semiconductor chip via a conductive adhesive, and cutting the connection frame portion of the package body and the connection frame portion of the lid body. Forming a semiconductor device separated from each other.
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CN116325130A (en) * 2020-10-12 2023-06-23 三菱电机株式会社 Semiconductor module

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9255940B2 (en) 2013-01-22 2016-02-09 Seiko Epson Corporation Sensor and method for manufacturing sensor
CN104766831A (en) * 2015-04-16 2015-07-08 歌尔声学股份有限公司 Packaging structure of integrated sensors
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