JP4776328B2 - 発光表示パネル，発光表示装置および発光表示装置の駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は，発光表示装置に関し，特に有機物質の電界発光（以下，“有機ＥＬ”という）を利用した有機ＥＬ表示装置に関する。

一般に，有機ＥＬ表示装置は，行列状に配置されたＮ×Ｍ個の有機発光セルを電圧駆動，または電流駆動して映像を表示する。

このような有機発光セルは，ダイオード特性を有して有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ；Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）とも呼ばれて，アノード電極（ＩＴＯ膜；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ膜；インジウムスズ酸化物膜），有機薄膜，カソード電極（金属）の薄膜積層構造を有する。

有機薄膜は，電子と正孔の均衡を良くして，発光効率を向上させるため，発光層（ＥＭＬ；Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ），電子輸送層（ＥＴＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）および正孔輸送層（ＨＴＬ；Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）を含んだ多層構造で構成される。また，別途の電子注入層（ＥＩＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）と正孔注入層（ＨＩＬ；Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）を含む。このような有機発光セルが，Ｎ×Ｍ個のマトリックス行列形状に配置されて，発光表示装置の主要部である発光表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）を形成する。

以下，一般的な能動駆動型有機ＥＬ表示装置の画素について説明する。図１は，画素の等価回路図であって，Ｎ×Ｍ個の画素の中の一つ，つまり，第１行と第１列に位置する画素を等価的に示した図である。

図１に示したように，一つの画素１０は，三個の副画素１０ｒ，副画素１０ｇ，副画素１０ｂを基本色発光体として備え，副画素１０ｒ，副画素１０ｇ，副画素１０ｂには，各々赤色Ｒ，緑色Ｇおよび青色Ｂの光を発光する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤｒ，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤｇ，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤｂが使用されている。

そして副画素が，ストライプ形状または直線状に配置された構造では，副画素１０ｒ，副画素１０ｇ，副画素１０ｂは，各々別個のデータ線Ｄ１ｒ，データ線Ｄ１ｇ，データ線Ｄ１ｂと共通の走査線Ｓ１に接続されている。

これら副画素１０ｒ，副画素１０ｇ，副画素１０ｂの動作は，全て同一であるため，以下，一つの副画素１０ｒを例として説明する。

電源線（ＶＤＤ）と有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤｒ）のアノードの間に駆動トランジスタ（Ｍ１ｒ）が接続されて，発光のための電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤｒ）に伝達する。有機ＥＬ素子（ＯＥＬＤｒ）のカソード電極は，電源線（ＶＤＤ）の電圧より低い電圧の電源帰線（Ｖｓｓ）に接続される。なお，図１のように，電源帰線（Ｖｓｓ）の電圧は，接地電圧であってよい。

各々の部品の状態をみると，駆動トランジスタ（Ｍ１ｒ）の電流量は，スイッチトランジスタ（Ｍ２ｒ）を通して印加されるデータ電圧によって制御される。この時，キャパシタ（Ｃ１ｒ）が駆動トランジスタ（Ｍ１ｒ）のソースとゲートの間に接続されて印加された電圧を一定期間，維持する。

スイッチトランジスタ（Ｍ２ｒ）のゲートには，オン／オフ形状の選択信号を伝達する走査線（Ｓ１）が接続されており，ソース側には，赤色副画素１０ｒの階調を決定するデータ電圧を流すデータ線（Ｄ１ｒ）が接続されている。

走査線（Ｓ１）からゲートに印加される選択信号に応答して，スイッチトランジスタ（Ｍ２ｒ）が導通すると，データ線（Ｄ１ｒ）からのデータ電圧（Ｖ_ＤＡＴＡ）が，駆動トランジスタ（Ｍ１ｒ）のゲートに印加される。それにより，駆動トランジスタ（Ｍ１ｒ）のゲートとソースの間に接続されるキャパシタ（Ｃ１ｒ）によって充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）に対応して，駆動トランジスタ（Ｍ１ｒ）に電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が流れ，この電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）に対応した輝度で有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤｒ）が発光する。この時，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤｒ）に流れる電流値（Ｉ_ＯＬＥＤ）は，数式１で表される。

上記数式１で，βは，定数値で，Ｖ_ＧＳは，キャパシタ（Ｃ１ｒ）に充電される電圧であり，Ｖ_ＴＨは，駆動トランジスタ（Ｍ１ｒ）のしきい電圧である。Ｖ_ＤＤは，電源線（ＶＤＤ）から印加される電圧であり，Ｖ_ＤＡＴＡは，データ線（Ｄ１ｒ）から伝達されるデータ電圧である。

図１に示す画素１０では，データ電圧に対応する電流が有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤｒ）に供給され，供給された電流に対応する輝度で有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤｒ）が発光する。この時，印加されるデータ電圧は，所定の明暗階調を表示するため，一定範囲内で多段階の値を有する。

しかし，従来の有機ＥＬ表示装置は，一つの画素が三個の副画素で構成され，副画素別に有機ＥＬ素子を駆動するための駆動トランジスタ，スイッチトランジスタおよびキャパシタが形成される。また，副画素別にデータ信号を伝達するためのデータ線および電源線電圧を伝達するための電源線（ＶＤＤ）が形成される。このように画素を駆動するために多くの配線が必要になって，画素領域内に全配線の配置が難しく，画素領域の全面積に占める発光領域面積比に相当する開口率も減少する問題点がある。従って，画素を駆動するための配線および素子等の個数や占有面積を減少することができる画素の開発が要求される。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，配線および素子の個数を減少させて画素領域の全面積に占める発光領域面積比に相当する開口率と収率を増加させ，設計時のパネル空間の活用が容易で，発光素子の寿命を向上することができる発光表示パネル，発光表示装置および発光表示装置の駆動方法を提供することにある。

上記課題を達成するために，本発明の第１の観点によれば，一方向に長く配置されて，第１信号を伝送するための複数の第１信号線と；上記第１信号線に平行に配置され，第２信号を伝送する複数の第２信号線と；上記第１信号線に平行に配置され，第３信号を伝送する複数の第３信号線と；上記第１信号線，上記第２信号線および上記第３信号線と交差して配置され，第４信号を伝送する複数の第４信号線と；および上記第１信号線，上記第２信号線，上記第３信号線，および上記第４信号線が交差する領域に各々対応する複数の画素とを含み，上記画素は，上記第１信号に応答して，上記第４信号に対応する第１電流を出力する画素駆動部と；上記第２信号に応答して，上記画素駆動部から出力される上記第１電流に対応する光を発光する第１発光素子と；上記第３信号に応答して，上記画素駆動部から出力される上記第１電流に対応する光を発光する第２発光素子と；上記第２信号に応答して，上記画素駆動部から出力される上記第１電流を選択的に上記第１発光素子に流す第１スイッチと；上記第３信号に応答して，上記画素駆動部から出力される上記第１電流を上記第２発光素子に選択的に流す第２スイッチと；上記第２信号に応答して，上記第１発光素子から出力される第２電流を上記第３信号線に流す第３スイッチと；上記第３信号に応答して，上記第２発光素子から出力される第２電流を上記第２信号線に流す第４スイッチと；を含む発光表示パネルが提供される。

本発明によれば，一つの走査線，一つのデータ線，一つの画素駆動部に対応して複数の有機ＥＬ素子を含むことができるので，従来の発光表示パネルに比べて，配線および素子の個数を減少することができるので，発光表示パネルの開口率および収率を増加することができ，有機ＥＬ素子などの配置も簡単に行える。また，別途の追加電源線および電源を用いないで，有機ＥＬ素子に所定時間，逆バイアスを印加できるので，有機層の正孔輸送層（ＨＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間，または電子輸送層（ＥＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間に貯蔵される空間電荷を十分に放電することができるので，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）の寿命を向上することができ，さらに発光表示パネルの開口率も向上することができる。

上記第１発光素子の第１電極は，上記第１スイッチおよび上記第３スイッチに電気的に接続され，上記第１発光素子の第２電極は，第１基準電圧を印加する電源帰線に電気的に接続され，上記第２発光素子の第１電極は，上記第２スイッチおよび上記第４スイッチに電気的に接続され，上記第２発光素子の第２電極は，上記第１基準電圧を印加する上記電源帰線に電気的に接続されることができる。上記第２信号は，上記第１スイッチをオンさせるための第１レベルの信号と，上記第３スイッチをオンさせるための第２レベルの信号とを有することができ，上記第３信号は，上記第２スイッチをオンさせるための第１レベルの信号と，上記第４スイッチをオンさせるための第２レベルの信号とを有することができる。上記第２信号および上記第３信号の上記第１レベルの信号に相当する電圧は，上記第１基準電圧より低くてよい。

上記第２信号および上記第３信号の上記第１レベルの信号に相当する電圧は，上記第２信号および上記第３信号の上記第２レベルの信号に相当する電圧より低くてよい。

上記課題を解決するために，本発明の第２の観点によれば，一方向に長く配置されて，走査信号（第１信号）を伝送する複数の走査線（第１信号線）と；上記走査線に平行に配置され，第１発光制御信号（第２信号）を伝送する複数の第１発光制御線（第２信号線）と；上記走査線に平行に配置され，第２発光制御信号（第３信号）を伝送する複数の第２発光制御線（第３信号線）と；上記走査線，上記第１発光制御線および上記第２発光制御線と交差して配置され，データ信号（第４信号）を伝送する複数のデータ線（第４信号線）と；上記走査線，上記第１発光制御線，上記第２発光制御線，および上記データ線が交差する領域に各々対応する複数の画素と；上記走査線に上記走査信号を伝達する走査駆動部（第１駆動部）と；上記第１発光制御線および上記第２発光制御線に各々上記第１発光制御信号および上記第２発光制御信号を伝達する発光制御信号駆動部（第２駆動部）と；上記データ線に上記データ信号を伝達するデータ駆動部（第３駆動部）とを含み，上記画素は，上記走査信号に応答して，上記データ信号に対応する第１電流を出力する画素駆動部と；上記第１発光制御信号に応答して，上記画素駆動部から出力される上記第１電流に対応する光を発光する第１発光素子と；上記第２発光制御信号に応答して，上記画素駆動部から出力される上記第１電流に対応する光を発光する第２発光素子と；上記第１発光制御信号に応答して，上記画素駆動部から出力される上記第１電流を選択的に上記第１発光素子に流す第１スイッチと；上記第２発光制御信号に応答して，上記画素駆動部から出力される上記第１電流を選択的に上記第２発光素子に流す第２スイッチと；上記第１発光制御信号に応答して，上記第１発光素子から出力される第２電流を上記第２発光制御線に流す第３スイッチと；上記第２発光制御信号に応答して，上記第２発光素子から出力される第２電流を上記第１発光制御線に流す第４スイッチとを含む発光表示装置が提供される。

上記第１発光素子の第１電極は，上記第１スイッチおよび上記第３スイッチに電気的に接続されて，上記第１発光素子の第２電極は，第１基準電圧を印加する電源帰線に電気的に接続され，上記第２発光素子の第１電極は，上記第２スイッチおよび上記第４スイッチに電気的に接続されて，上記第２発光素子の第２電極は，上記第１基準電圧を印加する上記電源帰線に電気的に接続されることができる。上記第１発光制御信号は，上記第１スイッチをオンさせるための第１レベルの信号と，上記第３スイッチをオンさせるための第２レベルの信号とを有することができ，上記第２発光制御信号は，上記第２スイッチをオンさせるための第１レベルの信号と，上記第４スイッチをオンさせるための第２レベルの信号とを有することができる。上記第１発光制御信号および上記第２発光制御信号の上記第１レベルの信号に相当する電圧は，上記第１基準電圧より低くてよい。

上記第１発光制御信号および上記第２発光制御信号の上記第１レベルの信号に相当する電圧は，上記第１発光制御信号および上記第２発光制御信号の上記第２レベルの信号に相当する電圧より低くてよい。

上記第１スイッチは，ゲートが上記第１発光制御線に電気的に接続され，ソースが上記画素駆動部に電気的に接続される第１トランジスタであってよく，上記第２スイッチは，ゲートが上記第２発光制御線に電気的に接続され，ソースが上記画素駆動部に電気的に接続される第２トランジスタであってよい。上記第３スイッチは，ゲートが上記第１発光制御線に電気的に接続され，ドレインが上記第２発光制御線に電気的に接続される第３トランジスタであってよく，上記第４スイッチは，ゲートが上記第２発光制御線に電気的に接続され，ドレインが上記第１発光制御線に電気的に接続される第４トランジスタであってよい。

上記第１トランジスタおよび上記第２トランジスタは，Ｐ型トランジスタであってよく，上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタは，Ｎ型トランジスタであってよい。

上記課題を解決するために，本発明の第３の観点によれば，一方向に長く配置され，走査信号を伝送する複数の走査線と；上記走査線に平行に配置され，第１発光制御信号を伝送する複数の第１発光制御線と；上記走査線に平行に配置され，第２発光制御信号を伝送する複数の第２発光制御線と；上記走査線，上記第１発光制御線および上記第２発光制御線と交差して配置されて，データ信号を伝送する複数のデータ線と；上記走査線，上記第１発光制御線，上記第２発光制御線，および上記データ線が交差する領域に各々対応する複数の画素と；上記走査線に上記走査信号を伝達する走査駆動部と；上記第１発光制御線および上記第２発光制御線に各々上記第１発光制御信号および上記第２発光制御信号を伝達する発光制御信号駆動部と；上記データ線に上記データ信号を伝達するデータ駆動部とを含み，上記画素は，ゲートが上記走査線に電気的に接続されて，ソースが上記データ線に電気的に接続されるスイッチトランジスタと；一電極に電源電圧が印加されて，他電極は，上記スイッチトランジスタのドレインに電気的に接続される第１キャパシタと；ゲートが上記第１キャパシタの他電極に電気的に接続されて，ソースに上記電源電圧が印加され，ドレインが第１発光素子および第２発光素子に電気的に接続される駆動トランジスタと；ゲートが上記第１発光制御線に電気的に接続されて，ソースが上記駆動トランジスタのドレインに電気的に接続され，ドレインが上記第１発光素子に電気的に接続される第１トランジスタと；ゲートが上記第２発光制御線に電気的に接続されて，ソースが上記駆動トランジスタのドレインに電気的に接続され，ドレインが上記第２発光素子に電気的に接続される第２トランジスタと；ゲートが上記第１発光制御線に電気的に接続され，ドレインが上記第２発光制御線に電気的に接続され，ソースが上記第１発光素子に電気的に接続される第３トランジスタと；ゲートが上記第２発光制御線に電気的に接続され，ドレインが上記第１発光制御線に電気的に接続され，ソースが上記第２発光素子に電気的に接続される第４トランジスタとを含む発光表示パネルが提供される。

上記第１トランジスタがオンになり，上記第３トランジスタがオフになる時，上記画素駆動部から上記第１発光素子に上記第１電流が流れることができ，上記第３トランジスタがオンになり，上記第１トランジスタがオフになる時，上記第１発光素子から上記第２発光制御線に第２電流が流れることができる。

上記第２トランジスタがオンになり，上記第４トランジスタがオフになる時，上記画素駆動部から上記第２発光素子に上記第１電流が流れることができ，上記第４トランジスタがオンになり，上記第２トランジスタがオフになる時，上記第２発光素子から上記第１発光制御線に第２電流が流れることができる。

上記第１トランジスタおよび上記第３トランジスタがともにオンになる区間がなくてよく，上記第２トランジスタおよび上記第４トランジスタがともにオンになる区間がなくてよい。

上記第１トランジスタおよび上記第２トランジスタは，Ｐ型トランジスタであってよく，上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタは，Ｎ型トランジスタであってよい。

上記課題を解決するために，本発明の第４の観点によれば，発光表示装置は，一方向に長く配置されて，第１信号を伝送する複数の第１信号線と；第１信号線に平行に配置されて，第２信号を伝送する複数の第２信号線と；第１信号線に平行に配置されて，第３信号を伝送する複数の第３信号線と；上記第１信号線，上記第２信号線および上記第３信号線と交差して配置されて，第４信号を伝送する複数の第４信号線と；上記第１信号線，上記第２信号線，上記第３信号線，および上記第４信号線が交差する領域に各々対応して，各々第１発光素子および第２発光素子を含む複数の画素とを含み，上記発光表示装置の駆動方法は，（ａ）上記第２信号に応答して，上記第４信号に対応する第１電流を上記第１発光素子に印加する段階と；（ｂ）上記第３信号に応答して，第２電流を上記第２発光素子から上記第２信号線に流す段階と；（ｃ）上記第３信号に応答して，上記第４信号に対応する第１電流を上記第２発光素子に印加する段階と；（ｄ）上記第２信号に応答して，第２電流を上記第１発光素子から上記第３信号線に流す段階と；を含む発光表示装置の駆動方法が提供される。

上記第１信号，上記第２信号および上記第３信号が印加される一水平期間は，第１期間および第２期間に区分され，上記（ａ）段階および上記（ｂ）段階は，上記第１期間に行われ，上記（ｃ）段階および上記（ｄ）段階は，上記第２期間に行われてよい。

以上説明したように本発明によれば，複数の副画素が走査線および画素駆動部を共有することによって，各々の副画素の素子配置を簡単にできて，開口率を増加させることができる。また，所定時間有機ＥＬ素子に逆バイアスを印加することで，有機層の正孔輸送層（ＨＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）の間，または電子輸送層（ＥＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）の間に貯蔵される空間電荷を十分に放電することができるので，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）の寿命を向上することができ，逆バイアスによって発光素子での確実な電流遮断を可能にしてコントラスト比を増進させることができる。また，逆バイアスを印加するための別途の追加電源および電源線を要しないため，発光表示パネルの開口率をさらに増大させることができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。本発明の実施形態では，有機物質の電界発光（以下，“有機ＥＬ”という）を利用した有機ＥＬ表示装置を用いて説明する。

（第１実施形態）
図２は，本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。図２に示したように，本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は，表示パネル１００，走査駆動部４００および発光制御信号駆動部５００およびデータ駆動部６００を含む。

表示パネル１００は，行方向に延びて形成される複数の走査線（Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］），複数の発光制御線（Ｃ１［１］〜Ｃ１［ｎ］，Ｃ２［１］〜Ｃ２［ｎ］），列方向に延びて形成される複数のデータ線（Ｄ［１］〜Ｄ［ｍ］），複数の電源線（ＶＤＤ）および複数の画素１１０を含む。ここで，発光制御線（Ｃ１［１］〜Ｃ１［ｎ］，Ｃ２［１］〜Ｃ２［ｎ］）は，第１発光制御線（Ｃ１［１］〜Ｃ１［ｎ］）と第２発光制御線（Ｃ２［１］〜Ｃ２［ｎ］）に区分される。

本発明の第１実施形態で，画素１１０は，赤色（Ｒ）有機ＥＬ素子，緑色（Ｇ）有機ＥＬ素子，および青色（Ｂ）有機ＥＬ素子の中で，いずれか２つの有機ＥＬ素子を含む。画素１１０は，走査線（Ｓ［ｉ］），第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）およびデータ線（Ｄ［ｊ］）から伝えられる信号によって，一つのデータ線（Ｄ［ｊ］）から印加されたデータ信号に基づいて，２つの有機ＥＬ素子が時分割的に発光するように駆動される。ここで，‘ｉ’は，１からｎまでの任意の自然数であり，‘ｊ’は，１からｍまでの任意の自然数である。

特に，本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は，一つの画素１１０で２つの有機ＥＬ素子を時分割的に発光させるため，２つの発光制御線である第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）を備え，第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）の発光制御信号は，一つの画素に含まれる２つの有機ＥＬ素子が選択的に発光するように制御する。

走査駆動部４００は，当該ラインの画素にデータ信号が印加できるように，当該ラインを選択する走査信号を形成して，順次走査線（Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］）に伝達する。発光制御信号駆動部５００は，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）の発光を制御する発光制御信号を生成して，順次第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に伝達する。そしてデータ駆動部６００は，走査信号が印加される度に，走査信号が印加されたラインの画素に対応するデータ信号をデータ線（Ｄ［１］〜Ｄ［ｍ］）に印加する。

そして走査駆動部４００，発光制御信号駆動部５００とデータ駆動部６００は，各々表示パネル１００が形成される基板に電気的に接続される。これとは異なって，走査駆動部４００，発光制御信号駆動部５００および／またはデータ駆動部６００を表示パネル１００のガラス基板上に直接装着することもできて，表示パネル１００の基板に走査線，発光制御線，データ線およびトランジスタと同一層で形成される駆動回路に代替される事も可能である。

または走査駆動部４００，発光制御信号駆動部５００および／またはデータ駆動部６００を表示パネル１００の基板に接着させて，電気的に接続されたＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ），ＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）またはＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）にチップなどの形状で装着することもできる。

そして，本発明の第１実施形態では，一つの画素に含まれる２つの有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）を各々時分割的に駆動するために，フレーム期間が二つのフィールド期間に時分割されて駆動される。二つのフィールドでは，各々赤色，緑色および青色のデータの中で，いずれか二つのデータが記入されて発光する。このために，走査駆動部４００は，フィールド毎に走査信号を順次走査線（Ｓ［ｉ］）に伝達して，発光制御信号駆動部５００は，一つの画素に含まれる２つの有機ＥＬ素子が当該フィールド期間で発光するように，発光制御信号を第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に順次印加する。そして，データ駆動部６００は，フィールド毎にＲデータ信号，Ｇデータ信号，Ｂデータ信号を当該データ線（Ｄ［ｊ］）に印加する。

以下，図３を参照して本発明の第１実施形態に係る画素について詳細に説明する。図３は，本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素１１０を示す等価回路図である。説明の便宜上，ｉ番目行の走査線（Ｓ［ｉ］）とｊ番目列のデータ線（Ｄ［ｊ］）に形成される画素領域の画素を代表例として示す。以下の説明では，説明の便宜上，第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に印加される発光制御信号の符号も発光制御線と同一に“Ｃ１［ｉ］，Ｃ２［ｉ］”で表示して，走査線（Ｓ［ｉ］）に印加される走査信号の符号も同一に“Ｓ［ｉ］”で表示する。画素１１０の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）および有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）は，赤色（Ｒ）有機ＥＬ素子，緑色（Ｇ）有機ＥＬ素子および青色（Ｂ）有機ＥＬ素子の中で，いずれか２つで形成される。画素１１０に使用される駆動トランジスタ（ＤＭ），スイッチトランジスタ（ＳＭ），第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２）の全てをＰ型トランジスタで示す。

図３のように，画素１１０は，画素駆動部１１１，２つの有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）および２つの有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）が各々選択的に発光するように制御する第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２）を含む。

画素駆動部１１１は，走査線（Ｓ［ｉ］）およびデータ線（Ｄ［ｊ］）に接続されて，データ線（Ｄ［ｊ］）を通して伝えられるデータ信号に対応して，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）に印加される電流を生成する。本発明の第１実施形態に係る画素駆動部１１１は，２個のトランジスタおよび一つのキャパシタ，つまり，スイッチトランジスタ（ＳＭ），駆動トランジスタ（ＤＭ）およびキャパシタ（Ｃ）を含む。具体的に，スイッチトランジスタ（ＳＭ）は，ソースがデータ線（Ｄ［ｊ］）に接続されて，ゲートが走査線（Ｓ［ｉ］）に接続される。駆動トランジスタ（ＤＭ）は，電源線（ＶＤＤ）にソースが接続されて，ゲートは，スイッチトランジスタ（ＳＭ）のドレインに接続されて，駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲートとソースとの間にキャパシタ（Ｃ）が接続される。

第１トランジスタ（ＣＭ１）は，ソースが駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインに接続され，ドレインが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに接続され，ゲートが第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）に接続される。第１トランジスタ（ＣＭ１）が第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）に応答して導通すると，駆動トランジスタ（ＤＭ）から出力される電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに伝達する。同様に，第２トランジスタ（ＣＭ２）は，ソースが駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインに接続され，ドレインが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに接続され，ゲートが第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に接続される。第２トランジスタ（ＣＭ２）が第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）に応答して導通すると，駆動トランジスタ（ＤＭ）から出力される電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに伝達する。

有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）は，アノードが第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２）のドレインに各々接続されて，カソードは，電源線（ＶＤＤ）の電圧より低い基準電圧を印加する電源帰線（Ｖｓｓ）に接続される。このような電源帰線（Ｖｓｓ）の電圧としては，負の電圧または接地電圧を用いることができる。

以下，図４を参照して本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法について詳細に説明する。図４は，本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の信号タイミング図である。

図４に示したように，本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は，１フレーム期間（一水平期間）が二つのフィールド期間（１Ｆ，２Ｆ）に分割されて駆動され，各フィールド（１Ｆ，２Ｆ）で走査信号（Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］）が順次に印加される。一つの画素駆動部１１１に接続される二つの有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）は，各々一つのフィールドに相当する期間に発光する。そしてフィールド（１Ｆ，２Ｆ）は，行別に独立的に定義されて，図４では，第１行目の走査線（Ｓ［１］）を基準として，二つのフィールド（１Ｆ，２Ｆ）を示し，第１行目の走査線（Ｓ［１］）を中心に動作を説明する。

まず，第１フィールド（１Ｆ）で，第１行目の走査線（Ｓ［１］）にローレベルの走査信号が印加される間，スイッチトランジスタ（ＳＭ）が導通してデータ線（Ｄ［ｊ］）から印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）が，駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲート，つまり，キャパシタ（Ｃ）の一端に印加される。本実施形態で，データ線から印加されるデータ電圧は，データ信号に対応する電圧である。従って，キャパシタ（Ｃ）は，電源線（ＶＤＤ）の電圧とデータ電圧（Ｖｄａｔａ）の差に対応する電圧，つまり，駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲートとソースとの間に充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）が充電されて，駆動トランジスタ（ＤＭ）は，充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）に対応する電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）をドレインに流すことになる。

その次に，第１発光制御線（Ｃ１［１］）から印加される第１発光制御信号（Ｃ１［１］）がローレベルになると，第１トランジスタ（ＣＭ１）が導通して駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインを通って流れる電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに伝えられて，この電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）に対応して有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）が発光する。この時，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）に流れる電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）は，上記の数式１と同一である。

一方，第１フィールド（１Ｆ）で第１発光制御信号（Ｃ１［１］）がローレベルになって，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）が発光する間には，第２発光制御信号（Ｃ２［１］）は，ハイレベルが維持されて，第２トランジスタ（ＣＭ２）は，遮断されて有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）には，電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が伝えられない。

第２フィールド（２Ｆ）で，第１行目の走査線（Ｓ［１］）にローレベルの走査信号が印加される間，第１フィールド（１Ｆ）のように，スイッチトランジスタ（ＳＭ）が導通して，データ線（Ｄ［ｊ］）から印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）が駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲート，つまり，キャパシタ（Ｃ）の一端に印加される。従って，キャパシタ（Ｃ）は，電源線（ＶＤＤ）の電圧とデータ電圧（Ｖｄａｔａ）との差に対応する電圧，つまり，駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲートとソースとの間に充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）が充電されて，駆動トランジスタ（ＤＭ）は，充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）に対応する電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）をドレインに流すことになる。

その次に，第２発光制御線（Ｃ２［１］）から印加される第２発光制御信号（Ｃ２［１］）がローレベルになると，第２トランジスタ（ＣＭ２）が導通して駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインを通って流れる電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに伝えられて，この電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）に対応して有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）が発光する。一方，第２フィールド（２Ｆ）で第２発光制御信号（Ｃ２［１］）がローレベルになって，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）に電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が伝えられる間には，第１発光制御信号（Ｃ１［１］）は，ハイレベルが維持されて，第１トランジスタ（ＣＭ１）は，遮断され，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）には，電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が伝えられない。本発明の第１実施形態では，このように第１フィールド（１Ｆ）および第２フィールド（２Ｆ）において，各々の走査線，第１発光制御線，第２発光制御線に各々の信号が順次印加され，各々相当する画素で上記のような駆動が行われる。本発明の第１実施形態では，複数の有機ＥＬ素子が走査線および画素駆動部を共有することによって，各々の有機ＥＬ素子の素子配置を簡単にできて，開口率を増加させることができる。

しかし，第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）においてアノードからカソードの方向のみに電流が流れて，有機層の正孔輸送層（ＨＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間，または電子輸送層（ＥＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間に空間電荷が貯蔵される。このような空間電荷の累積により，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）の寿命が短縮される可能性もある。

以下，上記の空間電荷が有機ＥＬ素子に貯蔵されることを防止できる本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置およびその駆動方法について詳しく説明する。図５は，本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は，各々の画素にバイアス電圧を印加するためのバイアス電源線（Ｖｂｉａｓ）が追加されることが第１実施形態と異なっている。

図５に示したように，本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は，表示パネル２００，走査駆動部４００および発光制御信号駆動部５００およびデータ駆動部６００を含む。ここで，走査駆動部４００および発光制御信号駆動部５００およびデータ駆動部６００は，第１実施形態と同じ動作を行うため，同一図面符号で表示し，その説明は省略する。

表示パネル２００は，行方向に延びて形成される複数の走査線（Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］），複数の第１発光制御線（Ｃ１［１］〜Ｃ１［ｎ］），複数の第２発光制御線（Ｃ２［１］〜Ｃ２［ｎ］），列方向に延びて形成される複数のデータ線（Ｄ［１］〜Ｄ［ｍ］），複数の電源線（ＶＤＤ），複数のバイアス電源線（Ｖｂｉａｓ）および複数の画素２１０を含む。

画素２１０は，走査線（Ｓ［ｉ］），第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）およびデータ線（Ｄ［ｊ］）から伝えられる信号によって，一つのデータ線（Ｄ［ｊ］）から印加されたデータ信号に基づいて，２つの有機ＥＬ素子が時分割的に発光するように駆動される。ここで，バイアス電源線（Ｖｂｉａｓ）の電圧は，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）のカソードに印加される電源帰線（Ｖｓｓ）の電圧より低い電圧で，一般的にマイナス（−）のバイアス電圧である。

図６は，本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素２１０を示す等価回路図である。図６のように，画素２１０は，画素駆動部２１１，２つの有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２），２つの有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）が各々選択的に発光するように制御する第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２）および２つの有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）が，各々選択的に逆バイアスされるように制御する第３トランジスタ（ＢＭ１），第４トランジスタ（ＢＭ２）を含む。図６で，スイッチトランジスタ（ＳＭ），駆動トランジスタ（ＤＭ），第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２），第３トランジスタ（ＢＭ１），第４トランジスタ（ＢＭ２）は，全てＰ型トランジスタで示す。画素駆動部２１１は，本発明の第１実施形態の画素駆動部１１１と同一構成を有する。

第１トランジスタ（ＣＭ１）は，ソースが駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインに接続され，ドレインが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに接続され，ゲートが第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）に接続される。第１トランジスタ（ＣＭ１）は，第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）を通して伝えられる第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）に応答して導通し，駆動トランジスタ（ＤＭ）から出力される電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに伝達する。同様に，第２トランジスタ（ＣＭ２）は，ソースが駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインに接続され，ドレインが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに接続され，ゲートが第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に接続されて，第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）に応答して導通し，駆動トランジスタ（ＤＭ）から出力される電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに伝達する。

有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）は，アノードが第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２）のドレインに各々接続されて，カソードは，電源線（ＶＤＤ）の電圧より低い基準電圧を印加する電源帰線（Ｖｓｓ）に接続される。

第３トランジスタ（ＢＭ１）は，ドレインがバイアス電圧を印加するバイアス電源線（Ｖｂｉａｓ）に接続され，ソースが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに接続され，ゲートが第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に接続される。第３トランジスタ（ＢＭ１）は，第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）を通して伝えられる第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）に応答して導通し，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに印加される漏れ電流をバイアス電源線（Ｖｂｉａｓ）に流すことができる。また同様に，第４トランジスタ（ＢＭ２）は，ドレインがバイアス電圧を印加するバイアス電源線（Ｖｂｉａｓ）に接続され，ソースが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに接続され，ゲートが第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）に接続されて，第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）に応答して導通し，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに印加される漏れ電流をバイアス電源線（Ｖｂｉａｓ）に流すことができる。

以下，図７を参照して本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法について詳細に説明する。図７は，本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の信号タイミング図である。第２実施形態の画素２１０に印加される走査信号（Ｓ［ｉ］），第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）は，図４に示した第１実施形態による画素１１０に印加される信号と基本的には同一であるが，走査信号（Ｓ［ｉ］）がローレベルからハイレベルに変換された後，所定時間（ｔｄ）が経過した後に，第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）がローレベルになることによって，信号遅延による影響を除去することができることが異なる。図７に示すように，本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は，１フレーム期間（一水平期間）が二つのフィールド期間（１Ｆ，２Ｆ）に分割されて駆動される。図７では，第１行目の走査線（Ｓ［１］）を基準として，二つのフィールド（１Ｆ，２Ｆ）を示し，第１行目の走査線（Ｓ［１］）を中心に動作を説明する。

まず，第１フィールド（１Ｆ）で，走査線（Ｓ［１］）にローレベルの走査信号が印加される間，スイッチトランジスタ（ＳＭ）が導通してデータ線（Ｄ［ｊ］）から印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）が駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲート，つまり，キャパシタ（Ｃ）の一端に印加される。本実施形態で，データ線から印加されるデータ電圧は，データ信号に相当する電圧である。

従って，キャパシタ（Ｃ）は，電源線（ＶＤＤ）の電圧とデータ電圧（Ｖｄａｔａ）の差に対応する電圧，つまり，駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲートとソースとの間に充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）が充電されて，駆動トランジスタ（ＤＭ）は，充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）に対応する電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）をドレインに流す。ローレベルの走査信号（Ｓ［１］）が印加されて所定の時間（ｔｄ）が経過した後，第１発光制御信号（Ｃ１［１］）がローレベルになると，第１トランジスタ（ＣＭ１）が導通して，駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインを通って流れる電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに伝えられて，この電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）に対応して有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）が発光する。この時，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）に流れる電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）は，上記の数式１によって求められる。一方，第１フィールド（１Ｆ）で第１発光制御信号（Ｃ１［１］）がローレベルになって有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）が発光する間，第２発光制御信号（Ｃ２［１］）は，ハイレベルが維持されて，第２トランジスタ（ＣＭ２）は，遮断されて有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）には，電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が伝えられない。

また，第１フィールド（１Ｆ）期間に，第１発光制御信号（Ｃ１［１］）がローレベルである間，第４トランジスタ（ＢＭ２）は，導通する。従って，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードにカソードより低いレベルの電圧が印加されて，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）には，逆バイアスがかかるようになる。従って，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）に逆方向の電流が流れるようになって，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）の正孔輸送層（ＨＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間，または電子輸送層（ＥＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間に貯蔵された空間電荷が放電されて，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）の寿命が向上することができる。

その次に，第２フィールド（２Ｆ）で，走査線（Ｓ［１］）にローレベルの走査信号が印加される間，第１フィールド（１Ｆ）と同じようにスイッチトランジスタ（ＳＭ）が導通して，データ線（Ｄ［ｊ］）から印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）が，駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲート，つまり，キャパシタ（Ｃ）の一端に印加される。従って，キャパシタ（Ｃ）は，電源線（ＶＤＤ）の電圧とデータ電圧（Ｖｄａｔａ）の差に対応する電圧，つまり，駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲートとソースとの間に充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）が充電され，駆動トランジスタ（ＤＭ）は，充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）に対応する電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）をドレインに流す。ローレベルの走査信号（Ｓ［１］）が印加されてから所定の時間（ｔｄ）が経過した後，第２発光制御信号（Ｃ２［１］）がローレベルになると，第２トランジスタ（ＣＭ２）が導通して駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインを通って流れる電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに伝えられて，この電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）に対応して有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）が発光する。一方，第２フィールド（２Ｆ）で第２発光制御信号（Ｃ２［１］）がローレベルになって，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）に電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が伝えられる間，第１発光制御信号（Ｃ１［１］）は，ハイレベルに維持されて，第１トランジスタ（ＣＭ１）は遮断されて有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）には，電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が伝えられない。

また，第２フィールド（２Ｆ）期間に，第２発光制御信号（Ｃ２［１］）がローレベルである間，第３トランジスタ（ＢＭ１）は，導通する。従って，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードにカソードより低いレベルの電圧が印加されて，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）には，逆バイアスがかかるようになる。従って，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）に逆方向の電流が流れるようになって，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）の正孔輸送層（ＨＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間，または電子輸送層（ＥＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間に貯蔵された空間電荷が放電されて，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）の寿命が向上することができる。本発明の第２実施形態では，このように第１フィールド（１Ｆ）および第２フィールド（２Ｆ）において，各々の走査線，第１発光制御線，第２発光制御線に各々の信号が順次印加され，各々相当する画素で上記のような駆動が行われる。本発明の第２実施形態では，複数の有機ＥＬ素子が走査線および画素駆動部を共有することによって，各々の有機ＥＬ素子の素子配置を簡単にできて，開口率を増加させることができ，さらに各々の有機ＥＬ素子に逆バイアスを印加するトランジスタ，バイアス電源線（Ｖｂｉａｓ）により，有機ＥＬ素子の漏れ電流を防止できるので，各々の画素の有機ＥＬ素子の寿命を向上することができる。

しかし，本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法は，有機ＥＬ表示装置に別途のバイアス電源およびバイアス電源線を要するため，有機ＥＬ表示装置の構成が複雑になり，開口率の減少が予想される。

以下，図８を参照して，別途のバイアス電源および電源線を要しないで，有機ＥＬ素子に逆バイアスを加えることができる本発明の第３実施形態の有機ＥＬ表示装置について説明する。図８は，本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。

（第３実施形態）
図８に示したように，本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は，表示パネル３００，走査駆動部４００および発光制御信号駆動部５００およびデータ駆動部６００を含む。ここで，走査駆動部４００および発光制御信号駆動部５００およびデータ駆動部６００は，第１実施形態と同様の動作を行うため，同一図面符号で表示し，その説明は省略する。

表示パネル３００は，行方向に延長されて形成される複数の走査線（Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］），複数の第１発光制御線（Ｃ１［１］〜Ｃ１［ｎ］），複数の第２発光制御線（Ｃ２［１］〜Ｃ２［ｎ］），列方向に延長されている複数のデータ線（Ｄ［１］〜Ｄ［ｍ］），複数の電源線（ＶＤＤ）および複数の画素３１０を含む。画素３１０は，走査線（Ｓ［ｉ］），第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）およびデータ線（Ｄ［ｊ］）から伝えられる信号によって，一つのデータ線（Ｄ［ｊ］）から印加されたデータ信号に基づいて，２つの有機ＥＬ素子が時分割的に発光するように駆動される。本発明の第３実施形態において，走査信号を伝送する複数の走査線は，第１信号を伝送する複数の第１信号線であり，第１発光制御信号（Ｃ１［ｎ］）を伝送する複数の第１発光制御線（Ｃ１［ｎ］）は，第２信号を伝送する複数の第２信号線であり，第２発光制御信号（Ｃ２［ｎ］）を伝送する複数の第２発光制御線（Ｃ２［ｎ］）は，第３信号を伝送する複数の第３信号線である。第１信号線，第２信号線，第３信号線と交差するように配置されるのが，第４信号を伝送する複数の第４信号線であり，第４信号線は，データ信号を伝送するデータ線である。

図９は，本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素３１０を示す等価回路図である。説明の便宜上，一つの画素駆動部が２個の発光素子を含む等価回路図を示したが，２個以上の発光素子に接続されることできる。

図９のように，画素３１０は，画素駆動部３１１，２個の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）および２個の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）が各々選択的に発光するように制御する第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２），２個の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）が各々選択的に逆バイアスされるように制御する第３トランジスタ（ＢＭ３），第４トランジスタ（ＢＭ４）を含む。本発明の第３実施形態において，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）は，それぞれ第１発光素子（ＯＬＥＤ１），第２発光素子（ＯＬＥＤ２）であり，第１トランジスタ（ＣＭ１）および第２トランジスタ（ＣＭ２），第３トランジスタ（ＢＭ３）および第４トランジスタ（ＢＭ４）は，第１スイッチ（ＣＭ１）および第２スイッチ（ＣＭ２），第３スイッチ（ＢＭ３）および第４スイッチ（ＢＭ４）であってよい。

本発明の第３実施形態で用いることができる画素駆動部３１１は，走査線（Ｓ［ｉ］）およびデータ線（Ｄ［ｊ］）に接続されて，データ線（Ｄ［ｊ］）を通して伝えられるデータ信号に対応して，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）に印加される電流を生成できるものであれば特に制限がなく，本発明の第３実施形態では，本発明の第１実施形態の画素駆動部１１１と同一構成を有する画素駆動部３１１を用いる。つまり，画素駆動部３１１は，２個のトランジスタおよび１個のキャパシタ，つまり，スイッチトランジスタ（ＳＭ），駆動トランジスタ（ＤＭ）およびキャパシタ（Ｃ）を含む。

第１トランジスタ（ＣＭ１）は，ソースが駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインに接続され，ドレインが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに接続され，ゲートが第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）に接続される。第１トランジスタ（ＣＭ１）は，第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）を通して伝えられる第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）に応答して導通し，駆動トランジスタ（ＤＭ）から出力される電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに伝達する。有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）の発光を制御する第２トランジスタ（ＣＭ２）は，ソースが駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインに接続され，ドレインが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに接続されてゲートが第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に接続される。第２トランジスタ（ＣＭ２）は，第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）に応答して導通し，駆動トランジスタ（ＤＭ）から出力される電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに伝達する。ここで，駆動トランジスタ（ＤＭ）から出力される電流は，データ線より伝達されるデータ信号に対応する第１電流である。

有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）は，アノードが第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２）のドレインに各々接続されて，カソードは，電源線（ＶＤＤ）の電圧より低い基準電圧を印加する電源帰線（Ｖｓｓ）に接続される。ここで，基準電圧は，第１基準電圧である。本発明の第３実施形態で，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）のアノードは，第１電極であり，カソードは，第２電極である。

一方，第３トランジスタ（ＢＭ３）は，ドレインが第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に接続され，ゲートが第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）に接続され，ソースが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに接続される。第３トランジスタ（ＢＭ３）は，第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）を通して伝えられる第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）に応答して導通し，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）に流れる漏れ電流を第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に流すことができる。

同様に，第４トランジスタ（ＢＭ４）は，ドレインが第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）に接続され，ゲートが第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に接続され，ソースが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに接続される。第４トランジスタ（ＢＭ４）は，第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）を通して伝えられる第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）に応答して導通して，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）に流れる漏れ電流を第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）に流すことができる。本発明の第３実施形態で，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１），有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）に流れる漏れ電流とは，第２電流である。

有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）の有機層の正孔輸送層（ＨＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間，または電子輸送層（ＥＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間に貯蔵された空間電荷を除去するため，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）に有機ＥＬ素子が発光する時に流れる電流と反対方向の電流が流れるべきであり，このために有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２）のアノードに基準電圧より低い電圧が印加されるのである。このために，第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）のローレベル電圧を利用する。従って，第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］），第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）のローレベル電圧は，基準電圧より低い電圧を利用する。

図９に示された有機ＥＬ表示装置の画素は，一つの画素駆動部が２個の発光素子を駆動する発光表示装置を説明しているが，本発明の実施形態の発光表示装置は，一つの画素駆動部に２以上の発光素子を駆動する発光表示装置を含むことができる。例えば，一つの画素駆動部に４個の発光素子を駆動することができて，この場合，１フレーム期間は４個のフィールド期間に分割されて時分割的に駆動される。

従って，本発明の第３実施形態に開示された発明は，２つ以上の発光素子を駆動する発光表示装置に適用されるが，説明の便宜上，本発明の明細書では，一つの画素駆動部３１１が２個の発光素子と連結されて駆動するものに制限して説明する。しかし，このような実施形態として本発明の保護（請求）範囲が制限されるものではない。

以下，図１０を参照して，本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法について詳細に説明する。図１０は，本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の信号タイミング図である。図１０に示すように，本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は，１フレーム期間（一水平期間）が二つのフィールド期間（１Ｆ，２Ｆ）に分割されて駆動される。図１０では，第１行目の走査線（Ｓ［１］）を基準として，二つのフィールド（１Ｆ，２Ｆ）を示し，第１行目の走査線（Ｓ［１］）を中心に動作を説明する。

まず，第１フィールド（１Ｆ）で，走査線（Ｓ［１］）にローレベルの走査信号が印加される間，スイッチトランジスタ（ＳＭ）が導通してデータ線（Ｄ［ｊ］）から印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）が駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲート，およびキャパシタ（Ｃ）の一端に印加される。従って，キャパシタ（Ｃ）は，電源線（ＶＤＤ）の電圧とデータ電圧（Ｖｄａｔａ）の差に対応する電圧，つまり，駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲートとソースの間に充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）が充電されて，駆動トランジスタ（ＤＭ）から充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）に対応する電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）がドレインに流れる。本発明の第３実施形態で，データ線から印加されるデータ電圧は，データ信号に相当する電圧である。また，駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインに流れ，キャパシタ（Ｃ）において充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）に対応する電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）は，第１電流である。

第１発光制御線（Ｃ１［１］）から印加される第１発光制御信号（Ｃ１［１］）がローレベルになると，第１トランジスタ（ＣＭ１）が導通して駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインを通って流れる電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに伝えられて，この電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）に対応して有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）が発光する。この時，第１発光制御信号（Ｃ１［１］）がローレベルであるため，第３トランジスタ（ＢＭ３）は，遮断の状態を維持する。

一方，第２発光制御線（Ｃ２［１］）から印加される第２発光制御信号（Ｃ２［１］）は，ハイレベルであるため，第４トランジスタ（ＢＭ４）は導通して，ローレベルの第１発光制御線（Ｃ１［１］）が有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）に接続されて，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）の漏れ電流は，第１発光制御線（Ｃ１［１］）に流れることができる。ここで，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）の漏れ電流は，第２電流である。

その次に，第２フィールド（２Ｆ）で，走査線（Ｓ［１］）にローレベルの走査信号が印加される間，第１フィールド（１Ｆ）のように，スイッチトランジスタ（ＳＭ）が導通してデータ線（Ｄ［ｊ］）から印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）が駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲート，つまり，キャパシタ（Ｃ）の一端に印加される。従って，キャパシタ（Ｃ）は，電源線（ＶＤＤ）の電圧とデータ電圧（Ｖｄａｔａ）の差に対応する電圧，つまり，駆動トランジスタ（ＤＭ）のゲートとソースとの間に充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）が充電されて，駆動トランジスタ（ＤＭ）は，充電された電圧（Ｖ_ＧＳ）に対応する電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）をドレインに流す。

第２発光制御信号（Ｃ２［１］）がローレベルになると，第２トランジスタ（ＣＭ２）が導通して駆動トランジスタ（ＤＭ）のドレインを通って流れる電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに伝えられて，この電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）に対応して有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）が発光する。この時，第２発光制御信号（Ｃ２［１］）がローレベルであるため，第４トランジスタ（ＢＭ４）は，遮断の状態を維持する。

一方，第１発光制御信号（Ｃ１［１］）は，ハイレベルであるため，第３トランジスタ（ＢＭ３）は導通して，ローレベルの第２発光制御線（Ｃ２［１］）が有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）に接続されて，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）の漏れ電流は，第２発光制御線（Ｃ２［１］）に流れる。ここで，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）の漏れ電流は，第２電流である。本発明の第３実施形態で，第１発光制御信号（Ｃ１［ｎ］），第２発光制御信号（Ｃ２［ｎ］）のローレベルは，第１レベルであり，ハイレベルは，第２レベルである。また，第１フィールド（１Ｆ）は，一水平期間における第１期間であり，第２フィールド（２Ｆ）は，一水平期間における第２期間である。また，発光制御信号のローレベルに相当する電圧は，ハイレベルに相当する電圧より低い。本発明の第３実施形態では，このように第１フィールド（１Ｆ）および第２フィールド（２Ｆ）において，各々の走査線，第１発光制御線，第２発光制御線に各々の信号が順次印加され，各々相当する画素で上記のような駆動が行われる。

第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）の観点から見ると，第１フィールド（１Ｆ）で，第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）がローレベルである時，第１トランジスタ（ＣＭ１）は，ローレベルの第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）に応答して，導通して駆動トランジスタ（ＤＭ）から出力される電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに伝達する。この時，第３トランジスタ（ＢＭ３）は，ローレベルの第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）に対して遮断の状態を維持する。

第２フィールド（２Ｆ）で，第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）がハイレベルになると，第１トランジスタ（ＣＭ１）が第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）に応答して遮断され，第３トランジスタ（ＢＭ３）は，導通して第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）のアノードに接続する。その後，第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）の電圧がローレベル電圧になると，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）から，発光時と反対方向の電流が第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）に流れるようになる。

第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）の観点から見ると，第１フィールド（１Ｆ）で，第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）がハイレベルである時，第２トランジスタ（ＣＭ２）は，ハイレベルの第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）に応答して遮断されて，第４トランジスタ（ＢＭ４）は，ハイレベルの第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）に応答して導通して，第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに接続する。その後，第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）の電圧がローレベルの電圧になると，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）から，発光時と反対方向の電流が第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）に流れる。

第２フィールド（２Ｆ）で，第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）がローレベルになると，第４トランジスタ（ＢＭ４）は遮断されて，第２トランジスタ（ＣＭ２）が第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）に応答して導通し，駆動トランジスタ（ＤＭ）から出力される電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）のアノードに伝達する。

換言すると，第１発光制御信号（Ｃ１［ｉ］）は，第１トランジスタ（ＣＭ１）を導通させる時，第３トランジスタ（ＢＭ３）を遮断させ，第１トランジスタ（ＣＭ１）を遮断させる時，第３トランジスタ（ＢＭ３）を導通させる。同様に，第２発光制御信号（Ｃ２［ｉ］）は，第２トランジスタ（ＣＭ２）を導通させる時，第４トランジスタ（ＢＭ４）を遮断させ，第２トランジスタ（ＣＭ２）を遮断させる時，第４トランジスタ（ＢＭ４）を導通させる。

このように同一信号に対して，第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２），第３トランジスタ（ＢＭ３），第４トランジスタ（ＢＭ４）の異なる駆動を達成するために，第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２）と第３トランジスタ（ＢＭ３），第４トランジスタ（ＢＭ４）に互いに異なるトランジスタタイプを利用することができる。

具体的には，第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２）としてＰ型トランジスタを利用し，第３トランジスタ（ＢＭ３），第４トランジスタ（ＢＭ４）としてＮ型トランジスタを利用する。

このように，第３実施形態の有機ＥＬ表示装置では，複数の有機ＥＬ素子が走査線および画素駆動部を共有することによって，各々の有機ＥＬ素子の素子配置を簡単にできて，開口率を増加させることができる。また，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）が発光する時に，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）に逆バイアスを加え，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）が発光する時に，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）に逆バイアスを加えることによって，有機ＥＬ素子の有機層の正孔輸送層（ＨＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間，または電子輸送層（ＥＴＬ）と発光層（ＥＭＬ）との間に貯蔵される空間電荷を逆バイアスを用いて放電させて除去することによって，有機ＥＬ素子の寿命を向上させることができる。

また，第３実施形態の有機ＥＬ表示装置では，発光素子が発光しない時，発光素子に逆バイアスを加えることによって，確実な電流遮断が可能になって，発光素子の発光可能性を遮断するため，コントラスト比を増加させることができる。

また，第３実施形態の有機ＥＬ表示装置では，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ１）に対する逆バイアス電源として第２発光制御線（Ｃ２［ｉ］）のローレベルの電圧を利用し，有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２）に対する逆バイアス電源として，第１発光制御線（Ｃ１［ｉ］）のローレベルの電圧を利用することによって，逆バイアスのための別途の追加電源および電源線が不要になるため，発光表示パネルの開口率をさらに増加させることができる。

本発明の第３実施形態の有機ＥＬ表示装置に印加される信号波形において，走査信号がローレベルからハイレベルに変換される際，所定時間（ｔｄ）が経過した後，発光制御信号がローレベルになることができるので，信号遅延による影響を除去する信号波形が利用できる。

本発明の実施形態では，電圧記入方式の有機発光表示装置を例として説明したが，本発明は，電流記入方式の有機発光表示装置にも適用できる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明の第１実施形態〜第３実施形態で，スイッチトランジスタ（ＳＭ）をＰ型トランジスタとしたが，Ｎ型であってよく，この場合，スイッチトランジスタ（ＳＭ）に印加される走査信号は，ハイレベルの信号となる。また，本発明の第１実施形態，第２実施形態で，第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２），第３トランジスタ（ＢＭ１），第４トランジスタ（ＢＭ２）をＰ型トランジスタとしたが，Ｎ型トランジスタであってよく，この場合，各々トランジスタに印加される信号は，図４，図７の信号と反対となる。本発明の第３実施形態で，第１トランジスタ（ＣＭ１），第２トランジスタ（ＣＭ２）をＰ型トランジスタ，第３トランジスタ（ＢＭ３），第４トランジスタ（ＢＭ４）をＮ型トランジスタとしたが，それぞれ反対の型のトランジスタであってよく，この場合，各々トランジスタに印加される信号は，図１０の信号と反対となる。

従来の発光表示パネルの画素の等価回路を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。 本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素１１０の等価回路図である。 本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の信号タイミング図である。 本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。 本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素２１０の等価回路図である。 本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の信号タイミング図である。 本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。 本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素３１０の等価回路図である。 本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の信号タイミング図である。

符号の説明

１００，２００，３００ 表示パネル
１１０，２１０，３１０ 画素
４００ 走査駆動部
５００ 発光制御信号駆動部
６００ データ駆動部
Ｓ［１］〜Ｓ［ｎ］ 走査線
Ｃ１［１］〜Ｃ１［ｎ］ 第１発光制御線
Ｃ２［１］〜Ｃ２［ｎ］ 第２発光制御線
Ｄ［１］〜Ｄ［ｍ］ データ線
ＶＤＤ 電源線
ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２ 有機ＥＬ素子
ＳＭ スイッチトランジスタ
ＢＭ１，ＢＭ３ 第３トランジスタ
ＢＭ２，ＢＭ４ 第４トランジスタ
ＣＭ１ 第１トランジスタ
ＣＭ２ 第２トランジスタ
ＤＭ 駆動トランジスタ
Ｃ，Ｃｓｔ キャパシタ
Ｖｓｓ 電源帰線
Ｆ フィールド
Ｉ_ＯＬＥＤ 発光素子電流
ＨＴＬ 正孔輸送層
ＥＭＬ 発光層
ＥＴＬ 電子輸送層

Claims (11)

1. 走査信号を伝送するための複数の走査線と；
   第１発光制御信号を伝送するための複数の第１発光制御線と；
   第２発光制御信号を伝送するための複数の第２発光制御線と；
   前記走査線，前記第１発光制御線および前記第２発光制御線と交差して配置されて，データ信号を伝送するための複数のデータ線と；
   前記走査線，前記第１発光制御線，前記第２発光制御線，および前記データ線が交差する領域に各々対応する複数の画素と；
   前記走査線に前記走査信号を伝達する走査駆動部と；
   前記第１発光制御線および前記第２発光制御線に各々前記第１発光制御信号および前記第２発光制御信号を伝達する発光制御信号駆動部と；
   前記データ線に前記データ信号を伝達するデータ駆動部と；
   を含み，
   前記画素は，
   前記走査信号に応答して，前記データ信号に対応する第１電流を出力する画素駆動部と；
   前記第１発光制御信号に応答して，前記画素駆動部から出力される前記第１電流に対応する光を発光する第１発光素子と；
   前記第２発光制御信号に応答して，前記画素駆動部から出力される前記第１電流に対応する光を発光する第２発光素子と；
   前記第１発光制御信号に応答して，前記画素駆動部から出力される前記第１電流を選択的に前記第１発光素子に流す第１スイッチと；
   前記第２発光制御信号に応答して，前記画素駆動部から出力される前記第１電流を選択的に前記第２発光素子に流す第２スイッチと；
   前記第１発光素子のアノードに接続され，前記第１発光制御信号に応答して，前記第１発光素子から出力される第２電流を前記第２発光制御線に流す第３スイッチと；
   前記第２発光素子のアノードに接続され，前記第２発光制御信号に応答して，前記第２発光素子から出力される第２電流を前記第１発光制御線に流す第４スイッチと；
   を含み，
   前記発光制御信号駆動部は，前記第１スイッチおよび前記第２スイッチが同じタイミングでオンとなることのないように前記第１発光制御信号および前記第２発光制御信号を伝達し，
   前記第１スイッチと前記第３スイッチとは極性の異なる信号レベルによりオンされるスイッチであり，前記第２スイッチと前記第４スイッチとは極性の異なる信号レベルによりオンされるスイッチであることを特徴とする，発光表示装置。
2. 前記第１発光素子の第１電極は，前記第１スイッチおよび前記第３スイッチに電気的に接続されて，前記第１発光素子の第２電極は，第１基準電圧を印加する電源帰線に電気的に接続され，
   前記第２発光素子の第１電極は，前記第２スイッチおよび前記第４スイッチに電気的に接続されて，前記第２発光素子の第２電極は，前記第１基準電圧を印加する前記電源帰線に電気的に接続され，
   前記第１発光制御信号は，前記第１スイッチをオンさせるための第１レベルの信号と，前記第３スイッチをオンさせるための第２レベルの信号とを有し，
   前記第２発光制御信号は，前記第２スイッチをオンさせるための第１レベルの信号と，前記第４スイッチをオンさせるための第２レベルの信号とを有し，
   前記第１発光制御信号および前記第２発光制御信号の前記第１レベルの信号に相当する電圧は，前記第１基準電圧より低いことを特徴とする，請求項１に記載の発光表示装置。
3. 前記第１発光制御信号および前記第２発光制御信号の前記第１レベルの信号に相当する電圧は，前記第１発光制御信号および前記第２発光制御信号の前記第２レベルの信号に相当する電圧より低いことを特徴とする，請求項２に記載の発光表示装置。
4. 前記第１スイッチは，ゲートが前記第１発光制御線に電気的に接続され，ソースが前記画素駆動部に電気的に接続される第１トランジスタであり，
   前記第２スイッチは，ゲートが前記第２発光制御線に電気的に接続され，ソースが前記画素駆動部に電気的に接続される第２トランジスタであり，
   前記第３スイッチは，ゲートが前記第１発光制御線に電気的に接続され，ドレインが前記第２発光制御線に電気的に接続される第３トランジスタであり，
   前記第４スイッチは，ゲートが前記第２発光制御線に電気的に接続され，ドレインが前記第１発光制御線に電気的に接続される第４トランジスタであることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の発光表示装置。
5. 前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは，Ｐ型トランジスタであり，前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタは，Ｎ型トランジスタであることを特徴とする，請求項４に記載の発光表示装置。
6. 走査信号を伝送するための複数の走査線と；
   第１発光制御信号を伝送するための複数の第１発光制御線と；
   第２発光制御信号を伝送するための複数の第２発光制御線と；
   前記走査線，前記第１発光制御線および前記第２発光制御線と交差して配置されて，データ信号を伝送するための複数のデータ線と；
   前記走査線，前記第１発光制御線，前記第２発光制御線，および前記データ線が交差する領域に各々対応する複数の画素を含み，
   前記画素は，
   前記走査信号に応答して，前記データ信号に対応する第１電流を出力する画素駆動部と；
   前記第１発光制御信号に応答して，前記画素駆動部から出力される前記第１電流に対応する光を発光する第１発光素子と；
   前記第２発光制御信号に応答して，前記画素駆動部から出力される前記第１電流に対応する光を発光する第２発光素子と；
   ゲートが前記第１発光制御線に電気的に接続され，ソースが前記画素駆動部に電気的に接続され，ドレインが前記第１発光素子に電気的に接続される第１トランジスタと；
   ゲートが前記第２発光制御線に電気的に接続され，ソースが前記画素駆動部に電気的に接続され，ドレインが前記第２発光素子に電気的に接続される第２トランジスタと；
   ゲートが前記第１発光制御線に電気的に接続され，ドレインが前記第２発光制御線に電気的に接続され，ソースが前記第１発光素子のアノードに電気的に接続される第３トランジスタと；
   ゲートが前記第２発光制御線に電気的に接続され，ドレインが前記第１発光制御線に電気的に接続され，ソースが前記第２発光素子のアノードに電気的に接続される第４トランジスタと；
   を含み，
   前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタが共にオンとなる区間がなく，
   前記第１トランジスタと前記第３トランジスタとは極性の異なるトランジスタであり，前記第２トランジスタと前記第４トランジスタとは極性の異なるトランジスタであることを特徴とする，発光表示パネル。
7. 前記第１トランジスタがオンになり，前記第３トランジスタがオフになる時，前記画素駆動部から前記第１発光素子に前記第１電流が流れて，
   前記第３トランジスタがオンになり，前記第１トランジスタがオフになる時，前記第１発光素子から前記第２発光制御線に第２電流が流れることを特徴とする，請求項６に記載の発光表示パネル。
8. 前記第２トランジスタがオンになり，前記第４トランジスタがオフになる時，前記画素駆動部から前記第２発光素子に前記第１電流が流れて，
   前記第４トランジスタがオンになり，前記第２トランジスタがオフになる時，前記第２発光素子から前記第１発光制御線に第２電流が流れることを特徴とする，請求項６または７に記載の発光表示パネル。
9. 前記第１トランジスタおよび前記第３トランジスタがともにオンになる区間がなく，
   前記第２トランジスタおよび前記第４トランジスタがともにオンになる区間がないことを特徴とする，請求項６〜８のいずれかに記載の発光表示パネル。
10. 前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは，Ｐ型トランジスタであり，前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタは，Ｎ型トランジスタであることを特徴とする，請求項６〜９のいずれかに記載の発光表示パネル。
11. 走査信号を伝送するための複数の走査線と；
    第１発光制御信号を伝送するための複数の第１発光制御線と；
    第２発光制御信号を伝送するための複数の第２発光制御線と；
    前記走査線，前記第１発光制御線および前記第２発光制御線と交差して配置されて，データ信号を伝送するための複数のデータ線と；
    前記走査線，前記第１発光制御線，前記第２発光制御線，および前記データ線が交差する領域に各々対応して，各々第１発光素子および第２発光素子を含む複数の画素と；
    を含む発光表示装置の駆動方法であって，
    （ａ）前記第１発光制御信号に応答して，前記データ信号に対応する第１電流を前記第１発光素子に流す段階と；
    （ｂ）前記第２発光制御信号に応答して，前記第２発光素子のアノードからの漏れ電流を前記第１発光制御線に流す段階と；
    （ｃ）前記第２発光制御信号に応答して，前記データ信号に対応する前記第１電流を前記第２発光素子に流す段階と；
    （ｄ）前記第１発光制御信号に応答して，前記第１発光素子のアノードからの漏れ電流を前記第２発光制御線に流す段階と；
    を含み，
    前記走査信号，前記第１発光制御信号および前記第２発光制御信号が印加される一水平期間は，第１期間および第２期間に区分され，
    前記（ａ）段階および前記（ｂ）段階は，前記第１期間に行われ，
    前記（ｃ）段階および前記（ｄ）段階は，前記第２期間に行われる
    ことを特徴とする，発光表示装置の駆動方法。
    

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