JP4774903B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents

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Description

本発明は、擬似共振制御方式のスイッチング電源装置に関し、特に、電力変換効率の向上とスイッチングノイズの低減を実現することができるスイッチング電源装置に関する。
従来、スイッチング電源装置の制御方式の一つとして、擬似共振制御方式が知られている。これは、スイッチング素子のオフ期間にドレインに発生する自由振動の電圧が降下してボトム電圧になったことを検出し、このタイミングでスイッチング素子をオンさせることにより、ターンオン時のスイッチング損失とノイズを低減させるという方式であり、特許文献1に記載されたものが知られている。
このスイッチング電源装置は、トランスの1次巻線に接続された1次側回路と、トランスの2次巻線に接続された2次側回路と、トランスの3次巻線に接続されフライバック期間後の自由振動のボトム電圧を検出してスイッチング素子を制御する制御回路から構成されている。
特許第3022246号公報
ところで、このようなスイッチング電源装置を生産する場合、一般に、回路の一部を半導体集積回路に置き換え、小型パッケージに搭載することで量産化効率を向上するようにしている。
しかしながら、従来のスイッチング電源装置にあっては、1次側回路や制御回路を半導体集積回路に集約して構成する場合、トランスの3次巻線に直接接続するための専用端子が半導体集積回路上に必要になる。
このため、端子数の少ない小型パッケージへの搭載が困難であった。また、トランスの3次巻線に発生する電圧を検出するには、3次巻線にダイオードなどの整流素子を接続する必要があるため、低コスト化の妨げになるといった問題があった。
また、従来のスイッチング電源装置にあっては、外付け部品の定数に依存して、スイッチング素子をターンオンさせるタイミングが変動するが、スイッチング素子のオフ期間にドレインに発生する自由振動の電圧がボトム電圧となるタイミングを正確に予測できないため、電源変換効率が低下したり、スイッチングノイズの低減が困難となっていた。
そこで、スイッチング素子のオフ期間にドレインに発生する自由振動のボトムタイミングを半導休集積回路において正確に予測したいという要望があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的としては、小型パッケージ化が可能であり、スイッチング損失とノイズを低減させる擬似共振制御方式の回路を構成することができ、装置構成の簡略化に寄与することができるスイッチング電源装置を提供することにある。
また、スイッチング素子のオフ期間にドレインに発生する自由振動の電圧がボトム電圧となるタイミングを正確に予測することができるスイッチング電源装置を提供することにある。
請求項記載の発明は、上記課題を解決するため、直流電源にトランスの1次巻線を介して直列に接続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子の各端子間に寄生する容量及び又は任意に追加した容量により当該素子のゲートに発生するフライバック期間後の電圧自由振動から周期に同期したタイミングを検出してトリガー信号を出力する電圧検出回路と、前記電圧検出回路から出力されるトリガー信号に基づいて、次回以降に前記電圧自由振動がボトム電圧付近になるボトムタイミングを予測してオン起動信号を出力するタイミング補正回路と、前記タイミング補正回路から出力されるオン起動信号に応じて、前記スイッチング素子をオンさせるオン制御信号を出力する制御回路と、前記制御回路から出力されるオン制御信号に応じて前記スイッチング素子を駆動する駆動信号を前記スイッチング素子のゲートに出力する駆動回路とを備えたことを要旨とする。
請求項記載の発明は、上記課題を解決するため、前記タイミング補正回路は、前記電圧検出回路から出力される少なくとも1回目のトリガー信号に基づいて、少なくとも2回目にボトム電圧付近になるボトムタイミングを予測し、このボトムタイミングに同期したオン起動信号を出力することを要旨とする。
請求項記載の発明は、上記課題を解決するため、前記タイミング補正回路は、前記電圧検出回路から出力される少なくとも1回目のトリガー信号が有効な期間に定電流源から第1のコンデンサに充電された第1の充電電圧を保持する電圧保持回路と、前記電圧検出回路から出力される少なくとも2回目のトリガー信号が有効になった時点から第2のコンデンサに充電される第2の電圧を検出する電圧検出回路と、前記電圧保持回路に保持される第1の充電電圧よりも前記電圧検出回路により検出された第2の電圧の方が高くなったときを少なくとも2回目にボトム電圧付近になるボトムタイミングとして予測する電圧比較回路とを備えたことを要旨とする。
請求項記載の発明は、上記課題を解決するため、直流電源にトランスの1次巻線を介して直列に接続されるスイッチング素子と、前記トランス1次側の第2の巻線と、前記トランス1次側の第2の巻線に発生するフライバック期間後の電圧自由振動から、周期に同期したタイミングを検出してトリガー信号を出力する電圧検出回路と、前記電圧検出回路から出力されるトリガー信号に基づいて、次回以降に前記電圧自由振動がボトム電圧付近になるボトムタイミングを自動的に予測してオン起動信号を出力するタイミング補正回路と、前記タイミング補正回路から出力されるオン起動信号に応じて、前記スイッチング素子をオンさせるオン制御信号を出力する制御回路と、前記制御回路から出力されるオン制御信号に応じて前記スイッチング素子を駆動する駆動信号を前記スイッチング素子のゲートに出力する駆動回路とを備えたことを要旨とする。
本発明のスイッチング電源装置によれば、スイッチング素子のドレインに発生する自由振動の電圧がボトム電圧となるタイミングを、半導体集積回路の内部で正確に予測するので、トランスや共振用コンデンサの設定に依存することなく、常に、最適なタイミングでスイッチング素子をターン・オンするように制御することができるため、電源設計工数の削減と、電源変換効率の向上と、スイッチングノイズの低減に寄与することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は本発明の一実施の形態に係るスイッチング電源装置10の構成を示す図である。このスイッチング電源装置10は、トランスTの1次巻線N1に接続された1次側回路と、トランスTの2次巻線N2に接続された2次側回路とから構成されており、1次側回路の要部は半導体集積回路20の内部に含まれている。トランスTは、1次側回路の電気エネルギーを巻線N1,N2により2次側回路に伝達する。
1次側回路では、トランスTの1次巻線N1の一方の端子には、図示しない直流電源から直流電圧Vinが供給されており、この1次巻線N1の他方の端子には、1次巻線N1を駆動するためのN型MOSFETからなるスイッチング素子Q1のドレインが直列に接続されている。このトランスTの1次巻線N1とスイッチング素子Q1のドレインとの接続点は、コンデンサC5を介してGNDに接地されている。なお、このコンデンサC5は、トランジスタQ1の各端子間の容量やトランスTの浮遊容量等を含む容量値を表すこととする。
このスイッチング素子Q1には、ゲートとドレイン間に寄生容量C1、ゲートとソース間に寄生容量C2が寄生しており、ゲートとドレインとソース端子間が半導体基板上で容量結合されている。また、スイッチング素子Q1のゲートには、駆動回路30内のP型MOSFETからなる駆動素子Q3のドレインと、N型MOSFETからなる駆動素子Q4のドレインと直列に接続されたツェナーダイオードZD2のアノードが共通接続されている。
さらに、スイッチング素子Q1のゲートは、電圧検出回路40の比較器CP1の正入力端子に接続されている。
比較器CP1の正入力端子には、スイッチング素子Q1がオフ時にドレインに発生する自由振動の電圧を、寄生容量C1,C2により分圧した交流信号V4が入力されており、比較器CP1の負入力の基準電圧V5よりも交流信号V4が低くなる時に、比較器CP1の出力端子からローレベルとなるトリガー信号V6がローパスフィルタLPF45に出力される。
ローパスフィルタLPF45の入力端子には、スイッチング素子Q1がオフした直後にドレインに発生する周波数の高いリンギングなどのノイズ成分を含むトリガー信号V6が入力されており、ローパスフィルタLPF45を通過してノイズ成分が除去されたトリガー信号V10がタイミング補正回路50に出力され、誤動作を防止している。
ローパスフィルタLPF45の出力端子には、タイミング補正回路50に設けられたAND1の一方の入力端子と、NOR1の一方の入力端子と、N型MOSFETからなるスイッチング素子Q6のゲートが共通接続されている。
タイミング補正回路50は、電圧検出回路40から出力される1回目のトリガー信号に基づいて、2回目にボトム電圧付近になるボトムタイミングを予測し、このボトムタイミングに同期したオン起動信号を制御回路60に出力する。
電圧検出回路40から出力されるトリガー信号V10がハイレベルからローレベルに切り替わると、スイッチング素子Q6がオフされ、定電流源52から定電流I4がダイオードD2を介してコンデンサC7に流れ充電する。
一方、電圧検出回路40から出力されるトリガー信号V10がローレベルからハイレベルに切り替わると、スイッチング素子Q6がオンし、定電流I4よりも大きい定電流I5(I5=2×I4)が、コンデンサC7に充電された電荷を放電する。
比較器CP2の反転入力端子には、定電流源52とダイオードD2のアノードが接続されており、ダイオードD2のカソードは、スイッチング素子Q5のドレイン、定電流源I5の一端、コンデンサC7の一端、トランジスタQ7のベースとに共通接続されている。
比較器CP2の非反転入力端子には、スイッチング素子Q9のドレイン、電圧レベルV12を保持するためのコンデンサC8の一端、スイッチング素子Q10のドレインが接続されている。
コンデンサC7の端子間電圧よりもダイオードの順方向降下電圧VFだけ高い電圧信号V11が、比較器CP2の反転入力端子に入力されている。
一方、コンデンサC7の端子間電圧は、PNP型のトランジスタQ7とNPN型のトランジスタQ8からなるボルテージフォロア回路によりインピーダンス変換された電圧となり、トランジスタQ8のエミッタ電圧が抵抗R3,R4により分圧され、N型MOSFETからなるスイッチング素子Q9のソースとドレインを介してコンデンサC8に加えられ、このコンデンサC8の端子間電圧V12が比較器CP2の非反転入力端子に入力される。
AND1の一方の入力端子は、タイミング補正回路50の入力端子へ接続され、比較器CP2の出力信号V14が、インバータINV2により反転されAND1の他方の入力端子に入力され、AND1の出力端子は、SRフリップフロップFF2のセット端子へ接続される。
NOR1の一方の入力端子は、タイミング補正回路50の入力端子へ接続され、NOR1の他方の入力端子は、比較器CP2の出力端子(電圧V14)が直接に接続され、NOR1の出力端子は、SRフリップフロップFF2のリセット端子に接続される。
SRフリップフロップFF2の出力(Q)端子は、インバータINV3を介して、コンデンサC8の電荷を充電保持制御するためのN型MOSFETからなるスイッチング素子Q9のゲートヘ接続される。
N型MOSFETからなるスイッチング素子Q5は、制御回路60のRSフリップフロップFF1から出力されるオンオフ制御信号V17がハイレベルの時に、コンデンサC7に充電されていた電荷を放電する。N型MOSFETからなるスイッチング素子Q10は、制御回路60のRSフリップフロップFF1から出力されるオンオフ制御信号V17がハイレベルの時に、コンデンサC8に充電されていた電荷を放電する。
ワンショット回路54は、比較器CP2の出力信号V14がハイレベルからローレベルに切り替った時、一定時間幅(t5〜t6)のオン起動信号V9を制御回路60内のSRフリップフロップFF1のセット端子に出力する。
SRフリップフロップFF1のリセット端子は、比較器CP3の出力端子が接続されている。この比較器CP3では、フィードバック電圧V2(FB電圧)よりも鋸波状の電圧信号V15が大きくなった場合にHIGHレベルレベルのパルス信号(リセット信号)を出力する。
SRフリップフロップFF1の出力端子は、駆動回路30のインバータINV1の入力端子に接続されている。駆動回路30において、インバータINV1の出力端子がP型MOSFETからなる駆動素子Q3とN型MOSFETからなる駆動素子Q4のそれぞれのゲートに共通接続されている。この駆動回路30によりスイッチング素子Q1のオン・オフ制御が行われる。
一方、2次側回路には、トランスTの2次巻線N2にダイオードD1のアノードが接続されそのカソードがコンデンサC6の一端に接続された整流平滑回路80が接続されており、トランスTの2次巻線N2に発生するパルス状の電圧が整流平滑される。この整流平滑回路80の出力側には、出力電圧検出回路90及び負荷95が接続されている。
出力電圧検出回路90には、抵抗R2とツェナダイオードZD1とが直列接続され、抵抗R2にフォトダイオードPDが並列接続されており、ツェナダイオードZD1のカソードに加わる電圧がこのツェナ電圧を超えると誤差電圧がフォトダイオードPDのアノードに加わり誤差電圧に比例した強さの光信号がフォトダイオードPDと光学的に接続されているフォトカプラPCに出力される。
次に、図2に示すタイミングチャートを参照しながらスイッチング電源装置の具体的な動作を説明する。
(フライバック期間T1)
図2に示すタイミングt1〜t2において、スイッチング素子Q1がオフした直後は、オン時にトランスTに蓄えられたエネルギーの放出が終了するまでのフライバック期間T1の間、スイッチング素子Q1のドレインには、直流電圧Vinに対して、フライバック電圧VFを重畳した電圧が発生する。
ここで、Voを出力電圧、N1をトランス1次巻線のターン数、N2を2次巻線のターン数とすると、フライバック電圧VFは、ほぼ、
VF=Vo×NI/N2
となる。
この時、電圧検出回路40に入力されている電圧信号V4は基準電圧V5よりも高いので、タイミング補正回路50には、電圧検出回路40からハイレベルのトリガー信号V10が入力されている。このため、スイッチング素子Q6がオンしているのでコンデンサC7は充電されない。また、スイッチング素子Q9がオフしているのでコンデンサC8は充電されない。
また、比較器CP2からの出力信号V14はローレベルであり、SRフリップフロップFF2のセット端子にハイレベルの信号が入力されるため、スイッチング素子Q9はオフとなっている。
(サンプル期間T2)
タイミングt2〜t3において、フライバック期間T1が終了すると、スイッチング素子Q1のドレインには、トランスTの1次巻線N1のインダクタンス成分と共振コンデンサC5の容量値により、直流電圧Vinを中心とした自由振動の電圧波形が発生する。
この自由振動の交流成分は、スイッチング素子Q1の寄生容量C1,C2により分圧され、更に、ツェナーダイオードZD2によりクランプ電圧−V2(V5>−V2)でクランプされた矩形波状の電圧信号V4となり、電圧検出回路40の非反転入力端子に入力される。
電圧検出回路40の比較器CP1の反転入力端子へは、負の基準電圧V5(例えば−0.5V)が入力されており、非反転入力端子電圧V4が、基準電圧V5を下回った時に、比較器CP1のトリガー信号V6がハイレベルからローレベルヘ切り替ることで、トリガー信号V6が有効な電圧になったことを示す。ローパスフィルタ45は、比較器CP1の出力電圧に含まれるノイズ成分を除去し、タイミング補正回路50の入力端子にトリガー信号V10を供給する。
スイッチング素子Q1のドレインに発生している自由振動の電圧V1が下り傾斜となった時、タイミング補正回路50には1回目のローレベルのトリガー信号V10が入力される。
この時、スイッチング素子Q6はこの1回目のローレベルのトリガー信号V10に応じてオフするため、定電流源52から定電流I4がダイオードD2を介してコンデンサC7に流れて充電を開始するので、比較器CP2の反転入力端子の入力電圧V11が上昇を開始する。
―方、比較器CP2から出力される出力信号V14はローレベルであるため、NOR1の出力はハイレベルとなり、SRフリップフロップFF2をリセットする。これにより、スイッチング素子Q9はオンするために、コンデンサC8の電位V12は、コンデンサC7の電位を、抵抗R3,R4により分圧した電圧を保った状態で上昇する。
(ホールド期間T3)
タイミングt3〜t4において、スイッチング素子Q1のドレインに発生する自由振動の電圧が、振動の中心電圧よりも上昇すると、電圧検出回路40からタイミング補正回路50に入力されるトリガー信号V10はハイレベルとなる。
この時、比較器CP2の出力信号V14はローレベルであるため、SRフリップフロップFF2の出力はハイレベルとなり、INV3から出力される出力信号V13はローレベルである。この出力信号V13がスイッチング素子Q9のゲートに入力され、スイッチング素子Q9はオフし、タイミングt3時点にコンデンサC8に充電された電荷が維持され電圧レベルV12を保持する。
この時、電圧検出回路40から入力されるトリガー信号V10がハイレベルとなっているので、スイッチング素子Q6はオンし、コンデンサC7に蓄積された電荷は定電流I5により放電され、比較器CP2の反転入力端子の電圧V11は低下する。
比較器CP2の反転入力端子の電圧V11が、非反転入力端子に接続されているコンデンサC8の電圧レベルV12よりも低下すると、比較器CP2の出力V14はローレベルからハイレベルヘと切り替る(タイミングt4)。
(ホールド期間T4)
タイミングt4〜t6において、スイッチング素子Q1のドレインに発生している自由振動の電圧が下り傾斜に切り変わる。さらに、スイッチング素子Q1のドレインに発生している自由振動の電圧が中心電圧よりも低下すると、電圧検出回路40からタイミング補正回路50に入力されるトリガー信号V10はハイレベルからローレベルに立ち下がる(t5)。
一方、比較器CP2の出力信号V14はハイレベルのため、SRフリップフロップFF2の出力はハイレベル状態を保持しており、スイッチング素子Q9はオフ状態を継続しているため、比較器CP2の非反転入力端子の電圧は、コンデンサC8から供給される一定の電圧レベルV12を保持している。
ここで、タイミングt5〜t6では、スイッチング素子Q6は2回目のローレベルのトリガー信号V10に応じてオフするため、定電流源52から定電流I4がダイオードD2を介してコンデンサC7に流れて充電が開始され、再び、比較器CP2の反転入力端子の電圧V11が上昇を開始する。
比較器CP2の反転入力端子の電圧V11が上昇して、非反転入力端子の電圧V12よりも高くなると、比較器CP2の出力信号V14はハイレベルからローレベルヘと切り替る(t6)。
すなわち、トリガー信号V10が1回目にローレベルとなったときにコンデンサC8に保持した電圧V12に対して、2回目にトリガー信号V10がハイレベルからローレベルに立ち下がった時点t5からコンデンサC7の充電電圧の上昇に平行移動して上昇する電圧V11を比較器CP2で比較することで、電圧V12よりも電圧V11の方が高くなるタイミングt6を、2回目にボトム電圧付近になるボトムタイミングとして予測することができる。
(オン期間T5)
タイミングt6において、ワンショット回路54は、比較器CP2の出力信号V14がハイレベルからローレベルヘと切り替ることを検出して、スイッチング素子Q1をオンさせるための、ハイパルス信号(t6〜t7)からなるオン起動信号V9を制御回路60に設けられたSRフリップフロップFF1のセット端子に対して出力する。
制御回路60のSRフリップフロップFF1から出力されるオンオフ制御信号V17がローレベルからハイレベルに切り替わると(t6)、スイッチング素子Q1はオン動作する。この時、スイッチング素子Q5はオンするため、コンデンサC7に充電されている電荷が放電される。また、スイッチング素子Q10もオンするため、コンデンサC8に充電されている電荷も放電される。
(次のフライバック期間T1)
タイミングt8において、フィードバック電圧V2が比較器CP3の反転入力端子に入力され、一方で、比較器CP3の非反転入力端子には鋸波状のドレイン電流I3が抵抗R1に流れて電圧変換されローパスフィルタLPF70を通過した電圧変換整流波形の電圧V15が入力され、フィードバック電圧V2よりも電圧変換整流波形の電圧V15の方が大きくなった時に、比較器CP3からSRフリップフロップFF1のセット端子に入力される出力信号V16がハイレベルとなるため、スイッチング素子Q1をオンからオフヘ切り替る(t8)。
以上説明したように、本発明のスイッチング電源装置は、スイッチング素子Q1のドレインに発生する自由振動の電圧がボトム電圧となるタイミングを、半導体集積回路の内部で正確に予測するので、トランスや共振用コンデンサの設定に依存することなく、常に、最適なタイミングでスイッチング素子をターン・オンするように制御することができるため、電源設計工数の削減と、電源変換効率の向上と、スイッチングノイズの低減に寄与することができる。
また、半導体集積回路の小型パッケージ化が可能であり、スイッチング損失とノイズを低減させる擬似共振制御方式の回路を構成することができ、装置構成の簡略化に寄与することができる。
なお、本実施の形態においては、電圧検出回路40から出力されるトリガー信号V10をタイミング補正回路50に入力するように構成しているが、本発明はこのような場合にのみ限定されるものではなく、例えば、タイミング補正回路50に設けられたワンショット回路54から出力されるオン起動信号V9に代わって、電圧検出回路40から出力されるトリガー信号を制御回路60に設けられたSRフリップフロップFF1のセット端子に入力するように構成してもよく、上述した効果を得ることができる。
本発明の一実施の形態に係るスイッチング電源装置の回路構成例を示す図である。 本発明の一実施の形態に係るスイッチング電源装置の動作を示すためのタイムチャートである。
符号の説明
20 半導体集積回路
30 駆動回路
40 電圧検出回路
42 基準電圧
45,70 ローパスフィルタ
50 タイミング補正回路
51,52,53,65 定電流源
54 ワンショット回路
60 制御回路
80 整流平滑回路
90 出力電圧検出回路
95 負荷
AND1 アンド回路
C1,C2 寄生容量
C5 共振コンデンサ
C4,C6,C7,C8 コンデンサ
CP1,CP2,CP3 比較器
D1,D2 ダイオード
FF1,FF2 SRフリップフロップ
INV1,INV2,INV3 インバータ
N1 トランスの1次巻線
N2 トランスの2次巻線
NOR1 ノア回路
PC フォトカプラ
PD フォトダイオード
Q1 スイッチング素子
Q3,Q9 P型MOSFET
Q4,Q5,Q6,Q10 N型MOSFET
Q7,Q8 トランジスタ
R1 検出抵抗
R2,R3,R4 抵抗
T トランス
ZD1,ZD2 ツェナーダイオード

Claims (4)

  1. 直流電源にトランスの1次巻線を介して直列に接続されるスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子の各端子間に寄生する容量及び又は任意に追加した容量により当該素子のゲートに発生するフライバック期間後の電圧自由振動から自由振動の周期に同期したタイミングを検出しトリガー信号を出力する電圧検出回路と、
    前記電圧検出回路から出力されるトリガー信号に基づいて、次回以降に前記電圧自由振動がボトム電圧付近になるボトムタイミングを予測してオン起動信号を出力するタイミング補正回路と、
    前記タイミング補正回路から出力されるオン起動信号に応じて、前記スイッチング素子をオンさせるオン制御信号を出力する制御回路と、
    前記制御回路から出力されるオン制御信号に応じて前記スイッチング素子を駆動する駆動信号を前記スイッチング素子のゲートに出力する駆動回路とを備えたことを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 前記タイミング補正回路は、
    前記電圧検出回路から出力される少なくとも1回目のトリガー信号に基づいて、少なくとも2回目にボトム電圧付近になるボトムタイミングを予測し、このボトムタイミングに同期したオン起動信号を出力することを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源装置。
  3. 前記タイミング補正回路は、
    前記電圧検出回路から出力される少なくとも1回目のトリガー信号が有効な期間に定電流源から第1のコンデンサに充電された第1の充電電圧を保持する電圧保持回路と、
    前記電圧検出回路から出力される少なくとも2回目のトリガー信号が有効になった時点から第2のコンデンサに充電される第2の電圧と、
    前記電圧保持回路に保持される第1の充電電圧よりも第2の電圧の方が高くなったときを少なくとも2回目にボトム電圧付近になるボトムタイミングとして予測する電圧比較回路とを備えたことを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源装置。
  4. 直流電源にトランスの1次巻線を介して直列に接続されるスイッチング素子と、
    前記トランス1次側の第2の巻線と、
    前記トランス1次側の第2の巻線に発生するフライバック期間後の電圧自由振動から、周期に同期したタイミングを検出してトリガー信号を出力する電圧検出回路と、
    前記電圧検出回路から出力されるトリガー信号に基づいて、次回以降に前記電圧自由振動がボトム電圧付近になるボトムタイミングを自動的に予測してオン起動信号を出力するタイミング補正回路と、
    前記タイミング補正回路から出力されるオン起動信号に応じて、前記スイッチング素子をオンさせるオン制御信号を出力する制御回路と、
    前記制御回路から出力されるオン制御信号に応じて前記スイッチング素子を駆動する駆動信号を前記スイッチング素子のゲートに出力する駆動回路とを備えたことを特徴とするスイッチング電源装置。
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