JP4752785B2 - Manufacturing method of power module substrate with heat sink - Google Patents
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Description
この発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法に関するものである。
The present invention relates to a method of manufacturing a power module substrate with a heat sink used in a semiconductor device that controls a large current and a high voltage.
この種のパワーモジュールは、一般に、セラミックスよりなる絶縁基板の一方の面に回路層が形成され、他方の面に金属層が形成されたパワーモジュール用基板と、回路層の表面にはんだ接合された半導体チップ(電子部品)と、金属層の表面に接合されたヒートシンクを備えたものが提案されている。
ここで、ヒートシンクは、例えば特許文献1に記載されているように、一方向に向けて延びる貫通孔を備えた筒状部の内部に、複数の放熱フィンが立設された構造とされている。この貫通孔に冷却媒体を流通することで、ヒートシンク上に載置されたパワーモジュール用基板及び半導体チップ(電子部品)を効率良く冷却するものである。
Here, as described in Patent Document 1, for example, the heat sink has a structure in which a plurality of radiating fins are erected inside a cylindrical portion having a through hole extending in one direction. . By circulating a cooling medium through this through hole, the power module substrate and the semiconductor chip (electronic component) placed on the heat sink are efficiently cooled.
ところで、従来のヒートシンクにおいては、前述のように一方向に延びる貫通孔を備えた筒状部の内部に、この貫通孔に沿って延びる複数の放熱フィンが立設された構成とされているので、このヒートシンクは、曲げ稜線が放熱フィンの延在方向に交差する方向の曲げに対する剛性が高く、曲げ稜線が前記延在方向に沿う方向の曲げに対する剛性が低くなっている。つまり、このヒートシンクは異方性を有しているのである。このヒートシンクに熱応力が負荷された場合には、曲げ剛性が高い方向には全く変形せず、曲げ剛性が低い方向で大きく変形してしまうことになる。すると、ヒートシンク又は金属層に放熱フィンの延在方向に沿った亀裂が発生してしまい、ヒートシンクと金属層との接合面、あるいは、金属層と絶縁基板との接合面で剥離が生じてしまうおそれがあった。 By the way, in the conventional heat sink, since the inside of the cylindrical part provided with the through-hole extended in one direction as mentioned above, it is set as the structure by which the several radiation fin extended along this through-hole was standingly arranged. The heat sink has high rigidity with respect to bending in a direction in which the bending ridge line intersects the extending direction of the radiation fin, and low rigidity with respect to bending in the direction in which the bending ridge line extends along the extending direction. That is, this heat sink has anisotropy. When a thermal stress is applied to the heat sink, it does not deform at all in the direction where the bending rigidity is high, and greatly deforms in the direction where the bending rigidity is low. Then, a crack along the extending direction of the radiating fin occurs in the heat sink or the metal layer, and peeling may occur on the bonding surface between the heat sink and the metal layer or the bonding surface between the metal layer and the insulating substrate. was there.
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、熱サイクルによる熱応力が負荷されても亀裂が発生することなく、金属層とヒートシンク及び金属層と絶縁基板を強固に接合でき、熱サイクル信頼性が高いヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供することを目的とする。
This invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and even when thermal stress due to thermal cycling is applied, cracks do not occur, and the metal layer and the heat sink and the metal layer and the insulating substrate can be firmly bonded, An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a power module substrate with a heat sink having high thermal cycle reliability.
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法は、絶縁基板の一方の面に回路層が形成されるとともに、他方の面に金属層が形成され、前記金属層の表面にヒートシンクが接合されたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、前記金属層の厚さが、前記回路層の厚さよりも厚くされるとともに、前記ヒートシンクは、一方向に向けて延びる貫通孔を備えた筒状部と、この貫通孔内に収容された複数の放熱フィンと、を有し、前記筒状部は、天板部と、底板及びこの底板から起立する側板を備えた本体部とによって形成され、該放熱フィンは、前記貫通孔に沿って延びるように、かつ、互いに平行に並列されるとともに、前記放熱フィンの延在方向に対して交差する方向にずれるオフセット部を備えており、前記金属層と前記天板部とのろう付けと、内部に前記放熱フィンを配置した本体部と前記天板部とのろう付けと、を同時に行うことを特徴としている。
In order to solve the above problems and achieve the above object, a method for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to the present invention includes a circuit layer formed on one surface of an insulating substrate and the other surface. A method of manufacturing a power module substrate with a heat sink in which a metal layer is formed and a heat sink is bonded to the surface of the metal layer, wherein the thickness of the metal layer is larger than the thickness of the circuit layer, and The heat sink includes a cylindrical portion having a through hole extending in one direction, and a plurality of heat radiation fins accommodated in the through hole. The cylindrical portion includes a top plate portion, a bottom plate, the bottom plate is formed by a main body portion having a side plate rising from, heat radiating fins so as to extend along the through-hole, and, while being in parallel in parallel to each other, against the extending direction of the heat radiating fins Includes an offset portion displaced in the direction intersecting Te, and the metal layer and the brazing of said top plate, and the brazing between the top plate portion and the body portion is arranged the radiation fins therein, simultaneously It is characterized by doing.
本発明に係るヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法においては、ヒートシンクは、一方向に向けて延びる貫通孔を備えた筒状部と、この貫通孔内に前記貫通孔に沿って延びるように、かつ、互いに並列された複数の放熱フィンとを有し、該放熱フィンは、その延在方向に対して交差する方向にずれるオフセット部を備えているので、オフセット部の両端面が放熱フィンの延在方向に交差する方向に延びるように配置されることになり、ヒートシンクは、オフセット部の両端面を起点として、曲げ稜線が放熱フィンの延在方向に交差する方向に曲げ変形可能となる。つまり、曲げ稜線が放熱フィンの延在方向に対して交差する方向の曲げ剛性が低くなるのである。よって、ヒートシンクに熱応力が負荷された際に、曲げ変形が一方向に集中することがなくなる。
In the method for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to the present invention, the heat sink has a cylindrical portion having a through hole extending in one direction, and extends along the through hole in the through hole. And a plurality of heat dissipating fins arranged in parallel to each other, and the heat dissipating fins are provided with offset portions that are shifted in a direction intersecting the extending direction, so that both end surfaces of the offset portions are extended by the heat dissipating fins. The heat sink can be bent and deformed in the direction in which the bending ridge line intersects the extending direction of the radiating fins, starting from both end faces of the offset portion. That is, the bending rigidity in the direction in which the bending ridge line intersects the extending direction of the heat radiating fins is lowered. Therefore, when thermal stress is applied to the heat sink, bending deformation does not concentrate in one direction.
さらに、ヒートシンクと絶縁基板との間に位置する前記金属層の厚さが、前記回路層の厚さよりも厚くされているので、ヒートシンクが熱応力によって変形する場合でも延性を備えた金属層が塑性変形することにより、絶縁基板とヒートシンクとの剥離を確実に防止することができる。
よって、ヒートシンクと金属層との接合面、又は、金属層と絶縁基板との接合面での剥離を確実に防止でき、このヒートシンク付パワーモジュール基板を用いたパワーモジュールの熱サイクル信頼性を飛躍的に向上させることができる。
In addition, since the thickness of the metal layer located between the heat sink and the insulating substrate is thicker than the thickness of the circuit layer, the metal layer having ductility is plastic even when the heat sink is deformed by thermal stress. By deforming, peeling between the insulating substrate and the heat sink can be reliably prevented.
Therefore, peeling at the joint surface between the heat sink and the metal layer or the joint surface between the metal layer and the insulating substrate can be reliably prevented, and the thermal cycle reliability of the power module using this power module substrate with a heat sink has been dramatically improved. Can be improved.
ここで、前記オフセット部を、前記放熱フィンの延在方向に対して直交する方向にずれるように構成することが好ましい。
この場合、オフセット部の両端面が放熱フィンの延在方向に対して直交する方向に配置されるので、このヒートシンクは、曲げ稜線が放熱フィンの延在方向に直交する曲げに対する剛性と曲げ稜線が前記延在方向に沿う曲げに対する剛性との差が小さくなり、熱応力によるヒートシンクの変形を分散させることが容易となる。
Here, it is preferable that the offset portion is configured to be shifted in a direction orthogonal to the extending direction of the heat dissipating fins.
In this case, since both end surfaces of the offset portion are arranged in a direction perpendicular to the extending direction of the heat radiating fin, this heat sink has rigidity and bending ridge line for bending in which the bending ridge line is orthogonal to the extending direction of the radiating fin. The difference with the rigidity with respect to the bending along the extending direction becomes small, and it becomes easy to disperse the deformation of the heat sink due to thermal stress.
さらに、前記放熱フィンは複数の前記オフセット部を有し、これら複数のオフセット部を前記放熱フィンの延在方向において等間隔に配設してもよい。
この場合、オフセット部の両端面が前記延在方向に複数配置されることになり、放熱フィンの延在方向に交差する方向の曲げ変形がさらに容易となり、熱応力による変形を確実に分散させることができる。
Furthermore, the radiation fin may have a plurality of the offset portions, and the plurality of offset portions may be arranged at equal intervals in the extending direction of the radiation fins.
In this case, a plurality of both end faces of the offset portion are arranged in the extending direction, and the bending deformation in the direction intersecting the extending direction of the radiating fin is further facilitated, and the deformation due to the thermal stress is reliably dispersed. Can do.
また、前記オフセット部のずれ量を、並列された複数の前記放熱フィンのピッチの1/2に設定してもよい。
この場合、オフセット部が、並列された放熱フィンのピッチの中央部に位置することになり、ヒートシンクの内部に放熱フィンが均一に配置される。これにより、このヒートシンクの変形が一箇所に集中することがなくなる。
Moreover, you may set the deviation | shift amount of the said offset part to 1/2 of the pitch of the said several radiation fin arranged in parallel.
In this case, an offset part will be located in the center part of the pitch of the parallel radiation fin, and a radiation fin will be uniformly arrange | positioned inside a heat sink. Thereby, the deformation of the heat sink is not concentrated in one place.
本発明によれば、熱サイクルによる熱応力が負荷されても亀裂が発生することなく、金属層とヒートシンク及び金属層と絶縁基板を強固に接合でき、熱サイクル信頼性が高いヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, a metal layer and a heat sink and a metal layer and an insulating substrate can be firmly bonded without cracking even when a thermal stress due to a thermal cycle is applied, and for a power module with a heat sink with high thermal cycle reliability. A method for manufacturing a substrate can be provided.
以下に、本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。図1に本発明の実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを示す。図2にヒートシンクを、図3にヒートシンクに備えられた放熱フィンを示す。
このパワーモジュール1は、セラミックスによって構成された絶縁基板11の一方の面11Aに回路層12がろう付けされるとともに他方の面11Bに金属層13がろう付けされ、この金属層13の表面にヒートシンク20がろう付けされたヒートシンク付パワーモジュール用基板10と、回路層12の表面にはんだ層14を介して接合された半導体チップ15と、を備えている。なお、金属層13は一度に形成することはなく、例えば2段階で形成され、金属層13の内部に境界が形成されていてもよい。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a power module using a power module substrate with a heat sink according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a heat sink, and FIG. 3 shows heat radiation fins provided on the heat sink.
In the power module 1, a
ヒートシンク付パワーモジュール用基板10に備えられた絶縁基板11は、例えばAlN、Al2O3、Si3N4若しくはSiC等で構成されている。
回路層12及び金属層13はそれぞれ、例えば純Al若しくはAl合金で構成されている。ここで、金属層13は、変形抵抗が小さく熱伝導性に優れた純Al(純度99.99%)で構成することが特に好ましい。
金属層13の厚さTmは、回路層12の厚さTcよりも厚くされており、これらの厚さの比Tm/Tcは、1.16<Tm/Tc<14の範囲内に設定され、本実施形態では、Tm/Tc=2.0とされている。
また、はんだ層14は、例えばSn−Ag系、Sn−In系、若しくはSn−Ag−Cu系のはんだ材とされている。さらに、ヒートシンク20と金属層13とは、例えばAl−Si系のろう材でろう付けされている。
The
Each of the
The thickness Tm of the metal layer 13 is larger than the thickness Tc of the
The solder layer 14 is made of, for example, a Sn—Ag, Sn—In, or Sn—Ag—Cu solder material. Further, the
ヒートシンク20は、純Al、Al合金で構成されており、一方向に向けて延びる貫通孔22を備えた筒状部21と、貫通孔22内に収容されるフィン部材23とを有している。
筒状部21は、図2に示すように、底板とこの底板から起立する側板とを備えた本体部21Aと、この本体部21Aの側板に連設される天板部21Bとからなり、これら天板部21Bと本体部21Aとがろう材によって結合されることで、断面矩形状をなす前記貫通孔22が画成されている。なお、本体部21Aの側板の厚さは天板部21Bとの接合面積を確保するために厚くされている。一方、天板部21Bの厚さは伝熱効率を考慮して薄くされている。
The
As shown in FIG. 2, the
この貫通孔22に収容されるフィン部材23は、図3に示すように、下側に向けて開口する断面コの字状をなす複数の放熱フィン24が互いに平行に並列され、隣接する放熱フィン24同士が放熱フィン24の下端で連結された構成とされており、全体として概略板状をなしている。なお、本実施形態では、図3に示すように、6つの放熱フィン24が並列されている。
As shown in FIG. 3, the
この放熱フィン24は、一方向に向けて延在するように設けられるとともに、この放熱フィン24の延在方向に対して交差する方向にずれるオフセット部25を有している。ここで、オフセット部25のずれ方向と放熱フィン24の延在方向とがなす角度は、80°〜100°の範囲内に設定され、本実施形態では90°に設定されている。つまり、オフセット部25は、放熱フィン24の延在方向に対して直交する方向にずれているのである。
The
オフセット部25は、放熱フィン24の延在方向において複数(本実施形態では8つ)形成されており、これら複数のオフセット部25が放熱フィン24の延在方向において等間隔に配置されている。ここで、本実施形態においては、オフセット部25の前記延在方向長さL1とオフセット部25同士の間の前記延在方向距離L2とが同一となるように構成されている。また、オフセット部25のずれ量は、隣接する放熱フィン24同士の距離、いわゆる、放熱フィン24のピッチPの1/2に設定されている。
The
次に、前述のパワーモジュール1の製造方法について説明する。
まず、Al板を打ち抜いて回路層12及び金属層13を形成する。このうち抜きの際に、回路層12には配線パターンが形成されている。
次に、絶縁基板11の一方の面11Aに回路層12をろう付けにて接合し、セラミックス板11の他方の面11Bに金属層13をろう付けにて接合する。ここで、セラミックス板11と回路層12及び金属層13とは、例えば厚さが2〜70μmのAl系のろう材箔を用いてろう付けされている。このようにしてパワーモジュール用基板が成形される。
Next, a method for manufacturing the power module 1 will be described.
First, the Al layer is punched to form the
Next, the
次に、このパワーモジュール用基板の金属層13と筒状部21の天板部21Bとをろう付けするとともに、内部にフィン部材23を配置した本体部21Aと天板部21bとをろう付けする。つまり、このろう付け工程において、ヒートシンク20の成形と、ヒートシンク20とパワーモジュール用基板との接合を同時に行っているのである。
Next, the metal layer 13 of the power module substrate and the top plate portion 21B of the
そして、回路層12の表面に、例えばSn−Ag系、Sn−In系、若しくはSn−Ag−Cu系のはんだ材を用いて、半導体チップ15がはんだ付けされる。
以上のようにして、ヒートシンク20を備えたパワーモジュール1が製作される。
Then, the
As described above, the power module 1 including the
このような構成とされた本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板10においては、ヒートシンク20が一方向に向けて延びる貫通孔22を備えた筒状部21と、貫通孔22内に収容されるフィン部材23とを有し、フィン部材23が貫通孔22に沿って延びる複数の放熱フィン24を備えており、この放熱フィン24がその延在方向に対して交差する方向にずれるオフセット部25を備えているので、オフセット部25の両端面が放熱フィン24の延在方向に交差する方向に延びるように配置されることになる。
よって、このヒートシンク20は、オフセット部25の両端面を起点として、曲げ稜線が放熱フィン24の延在方向に交差する方向の曲げ(図2及び図3においてY−Y方向の曲げ)に対する剛性が低くなって曲げ変形可能となる。ヒートシンク20に熱応力が負荷された場合には、ヒートシンク20には、曲げ稜線が放熱フィン24の延在方向に沿う方向の曲げ変形(図2及び図3においてX−X方向の曲げ変形)と、曲げ稜線が放熱フィン24の延在方向に交差する方向の曲げ変形(図2及び図3においてY−Y方向の曲げ変形)とが発生し、熱応力による変形が分散されることになる。これにより、絶縁基板11と金属層13との界面の破断や亀裂、絶縁基板11のクラックの発生を防止することが可能となる。
In the
Therefore, the
また、ヒートシンク20と絶縁基板11との間に位置する金属層13の厚さTmが、回路層12の厚さTcよりも厚くされているので、ヒートシンク20が熱応力によって変形する場合でも延性を備えた金属層13が塑性変形することになり、金属層13と絶縁基板11との接合面に亀裂が発生することを防止できる。
よって、ヒートシンク20と金属層13、及び、金属層13と絶縁基板11との剥離を防止でき、このヒートシンク付パワーモジュール基板10を用いたパワーモジュール1の熱サイクル信頼性を飛躍的に向上させることができる。
なお、本実施形態では、金属層13の厚さTmと回路層12の厚さTcとの比Tm/Tcが1.16<Tm/Tc<14の範囲内に設定されているので、金属層13の厚さが確保されてヒートシンク20と絶縁基板11との間に発生する熱応力を確実に吸収して亀裂の発生を防止できるとともに、金属層13の厚さTmと回路層12の厚さTcの差が過度に大きくならずに熱抵抗を小さく抑えることができる。
In addition, since the thickness Tm of the metal layer 13 positioned between the
Therefore, peeling between the
In the present embodiment, the ratio Tm / Tc between the thickness Tm of the metal layer 13 and the thickness Tc of the
また、オフセット部25が放熱フィン24の延在方向に対して直交する方向にずれるように構成されているので、オフセット部25の両端面が放熱フィン24の延在方向に対して直交する方向に配置されることになり、このヒートシンク20においては、曲げ稜線が放熱フィン24の延在方向に直交する方向の曲げに対する剛性と曲げ稜線が放熱フィン24の延在方向に沿う方向の曲げに対する剛性との差を小さくすることができる。これにより、熱応力によるヒートシンク20の変形を確実に分散させることが容易となる。
Further, since the offset
さらに、オフセット部25が放熱フィン24の延在方向において複数形成され、これら複数のオフセット部25が放熱フィン24の延在方向において等間隔に配設されているので、曲げ稜線が放熱フィン24の延在方向に直交する方向の曲げの起点となるオフセット部の両端面が前記延在方向に複数配置されることになり、曲げ稜線が放熱フィン24の延在方向に直交する方向の曲げ変形がさらに容易となり、熱応力によるヒートシンク20の変形を確実に分散させることができ、亀裂の発生を防止できる。
In addition, a plurality of offset
また、オフセット部25のずれ量が並列された複数の放熱フィン24のピッチPの1/2に設定されているので、オフセット部25が、並列された放熱フィン24のピッチPの中央部に位置することになり、ヒートシンク20の内部に放熱フィン24が均一に配置される。これにより、このヒートシンク20の変形が一箇所に集中することがなくなる。
Moreover, since the deviation | shift amount of the offset
さらに、フィン部材23において、オフセット部25のずれ方向と放熱フィン24の延在方向とがなす角度が、80°〜100°の範囲内に設定されているので、このフィン部材23は曲げ稜線が放熱フィン24の延在方向に沿った方向、及び、曲げ稜線が前記延在方向に交差する方向で曲げ変形することになる。よって、一方向での曲げ変形量が小さくなり、亀裂の発生を確実に防止することができる。
Furthermore, in the
また、ろう付け工程において、ヒートシンク20の成形と、パワーモジュール用基板とヒートシンク20との接合とが同時に行うことができるので、このヒートシンク付パワーモジュール用基板10の製造コストを大幅に低減することが可能となる。
Further, in the brazing process, the
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、筒状部21を本体部21Aと天板部21Bとに分割してこれらの間にフィン部材23を配置した状態で本体部21Aと天板部21Bとをろう付けすることでヒートシンク20を成形するものとして説明したが、これに限定されることはなく、予め筒状に形成された筒状部20に前述のフィン部材23を挿入することでヒートシンク20を成形してもよい。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, It can change suitably in the range which does not deviate from the technical idea of the invention.
For example, the
また、放熱フィン24を下側を向く断面コの字状をなす形状としたものとして説明したが、これに限定されることはなく、放熱フィン24の断面形状は任意に設定することができる。
さらに、オフセット部25のずれ方向、ずれ量、前記延在方向長さL1、前記延在方向におけるオフセット部24同士の間の距離L2は、本実施形態に限定されることはなく、使用状態等を考慮して適宜設定することができる。ただし、本実施形態のように構成することにより、ヒートシンク20の異方性を大幅に改善することが可能となる。
Moreover, although the
Furthermore, the shift direction, the shift amount of the offset
また、Al板を打ち抜くことで配線パターンを有する回路層12を形成したが、これに限定されることはなく、回路層12の表面にレジスト膜を形成してエッチング処理を行うことで配線パターンを形成してもよい。
さらに、ヒートシンク20、絶縁基板11、回路層12、金属層13等は、実施形態の材質に限定されることはなく、他の材質で構成されていてもよい。
Further, the
Furthermore, the
1 パワーモジュール
11 絶縁基板
12 回路層
13 金属層
15 半導体チップ(電子部品)
20 ヒートシンク
1
20 Heat sink
Claims (4)
前記金属層の厚さが、前記回路層の厚さよりも厚くされるとともに、
前記ヒートシンクは、一方向に向けて延びる貫通孔を備えた筒状部と、この貫通孔内に収容された複数の放熱フィンと、を有し、
前記筒状部は、天板部と、底板及びこの底板から起立する側板を備えた本体部とによって形成され、
該放熱フィンは、前記貫通孔に沿って延びるように、かつ、互いに平行に並列されるとともに、前記放熱フィンの延在方向に対して交差する方向にずれるオフセット部を備えており、
前記金属層と前記天板部とのろう付けと、内部に前記放熱フィンを配置した本体部と前記天板部とのろう付けと、を同時に行うことを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 A method for producing a power module substrate with a heat sink, wherein a circuit layer is formed on one surface of an insulating substrate, a metal layer is formed on the other surface, and a heat sink is bonded to the surface of the metal layer,
The metal layer is made thicker than the circuit layer;
The heat sink includes a cylindrical portion having a through hole extending in one direction, and a plurality of radiating fins accommodated in the through hole.
The cylindrical portion is formed by a top plate portion and a main body portion including a bottom plate and a side plate standing from the bottom plate,
The heat dissipating fins are provided so as to extend along the through holes and in parallel with each other, and include offset portions that are shifted in a direction intersecting the extending direction of the heat dissipating fins ,
A power module substrate with a heat sink, characterized by simultaneously performing brazing between the metal layer and the top plate portion and brazing between a main body portion and the top plate portion in which the radiation fins are disposed . Production method.
前記オフセット部は、前記放熱フィンの延在方向に対して直交する方向にずれていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 A method for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to claim 1,
The method of manufacturing a power module substrate with a heat sink, wherein the offset portion is shifted in a direction orthogonal to the extending direction of the heat dissipating fins.
前記放熱フィンは複数の前記オフセット部を有し、これら複数のオフセット部が、前記放熱フィンの延在方向において等間隔に配設されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 A method for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to claim 1 or 2,
The radiating fins has a plurality of said offset portion, the plurality of offset portions, method of manufacturing a substrate for a power module with a heat sink, characterized in that are arranged at equal intervals in the extending direction of the heat radiating fins .
前記オフセット部のずれ量が、並列された複数の放熱フィンのピッチの1/2に設定されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 A method for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to any one of claims 1 to 3,
The method of manufacturing a power module substrate with a heat sink, wherein a deviation amount of the offset portion is set to ½ of a pitch of a plurality of heat radiating fins arranged in parallel.
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---|---|---|---|
JP2007034585A JP4752785B2 (en) | 2007-02-15 | 2007-02-15 | Manufacturing method of power module substrate with heat sink |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007034585A JP4752785B2 (en) | 2007-02-15 | 2007-02-15 | Manufacturing method of power module substrate with heat sink |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008198908A JP2008198908A (en) | 2008-08-28 |
JP4752785B2 true JP4752785B2 (en) | 2011-08-17 |
Family
ID=39757567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007034585A Active JP4752785B2 (en) | 2007-02-15 | 2007-02-15 | Manufacturing method of power module substrate with heat sink |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4752785B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5274426B2 (en) * | 2009-10-27 | 2013-08-28 | 昭和電工株式会社 | Liquid cooling system |
JP5625794B2 (en) * | 2010-11-18 | 2014-11-19 | 三菱マテリアル株式会社 | Power module substrate manufacturing method |
JP5786569B2 (en) * | 2011-09-05 | 2015-09-30 | 三菱マテリアル株式会社 | Power module substrate manufacturing method |
JP5966512B2 (en) * | 2012-03-29 | 2016-08-10 | 三菱マテリアル株式会社 | Manufacturing method of power module substrate with heat sink |
JP2018032823A (en) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 有限会社和氣製作所 | Radiation fin and manufacturing method therefor |
CN110572977B (en) * | 2018-06-05 | 2024-04-09 | 东莞市诚光实业有限公司 | Radiating fin |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3158983B2 (en) * | 1994-10-03 | 2001-04-23 | 住友精密工業株式会社 | Corrugated radiator fin for cooling LSI package |
JP2003258167A (en) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Structure |
JP4333587B2 (en) * | 2005-01-14 | 2009-09-16 | 三菱電機株式会社 | Heat sink and cooling unit |
JP4621531B2 (en) * | 2005-04-06 | 2011-01-26 | 株式会社豊田自動織機 | Heat dissipation device |
-
2007
- 2007-02-15 JP JP2007034585A patent/JP4752785B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008198908A (en) | 2008-08-28 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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