JP4745757B2 - 加熱装置の設定方法 - Google Patents
加熱装置の設定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4745757B2 JP4745757B2 JP2005245313A JP2005245313A JP4745757B2 JP 4745757 B2 JP4745757 B2 JP 4745757B2 JP 2005245313 A JP2005245313 A JP 2005245313A JP 2005245313 A JP2005245313 A JP 2005245313A JP 4745757 B2 JP4745757 B2 JP 4745757B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conditions
- setting
- heat generation
- distribution
- temperature distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- General Induction Heating (AREA)
Description
(2)請求項2記載の発明は、前記工程4で求めた発熱密度分布を1つの条件として流動解析を行ない、被加熱体の内表面の温度分布を求める工程6と、該工程6で求めた温度分布と、前記工程1で設定した温度分布とを比較し、これら温度分布が満足すべきものであった場合には、誘導加熱の条件を決定する工程7と、該工程7における比較結果が満足できないものであった場合には、誘導加熱のコイルレイアウトとメッシュ分割を利用して解析モデルを作成し、作成した解析モデルを元に、材料物性の設定、電圧設定を行なう境界条件の設定、回路条件の設定、及び前記工程6で求めた温度分布等の材料・境界条件を設定し、これらの条件下で電磁場解析を行ない、発熱密度分布を算出する工程8と、前記工程6において、前記工程8で求めた発熱密度分布を少なくとも1つの条件とし、流動解析を行ない、被加熱体の内表面の温度分布を再度求め、この求めた温度分布と、前記工程1で設定した温度分布とを比較し、双方の温度分布の値が近いかどうかを判断し、判断結果に応じて工程8のコイルレイアウト、及び電圧設定の条件を変更し、誘導加熱の条件を決定する工程9と、を含んで構成されることを特徴とする。
(2)請求項2記載の発明によれば、前記発熱密度分布を採用することで、流動解析−電磁場解析の連成回数を最小にしながら、実測値に非常に近い温度分布を達成することができ、その結果に基づき、加熱装置を設計してやれば、より理想に近い発熱密度分布となる加熱装置を設計することができる。また、本発明によれば、加熱装置を運転するに際し、最適な電圧条件を決定して運転することができる。
本発明は誘導加熱により中空状の被加熱体を加熱し、該被加熱体の中空内に流体が存在する加熱装置を設定する技術に関するものである。なお、本発明において、加熱装置を設定する方法とは、加熱装置を設計する方法及び加熱装置の最適運転条件を決定する方法とを含むものである。
(a)工程1
目標とする内表面の温度分布設定は、マニュアルで行なう。工程1で設定された温度分布は、工程2に与えられる。
(b)工程2
工程2は入力された温度分布を1つの条件として流動解析を行ない、熱流束分布を算出するものである。先ず、解析モデルを作成する(S1)。解析モデルは、形状作成とメッシュ分割を利用して、例えば有限要素法等を用いて作成される。次に、作成された解析モデルを元に材料・境界条件設定を行なう(S2)。設定される条件は、物理モデル設定、材料物性設定、境界条件設定及び内表面の温度設定である。ここで、内表面とは図3に示した被加熱体1の内表面を示す。ここで、設定される条件の内、内表面の温度設定では、工程1で設定された温度設定が使用される。
(c)工程3
工程3は熱流束分布のプロファイルを発熱密度分布のプロファイルに変換する工程である。流動解析工程2から出力された熱流束分布は、工程3により発熱密度分布に変換される(S4)。流動解析工程2から出力された熱流束分布を発熱密度分布に変換する方法を例示すると、以下の通りである。例えば、先ず被加熱体の体積を内表面面積で除した値を求める。次いで、流動解析工程2から出力された熱流束分布を前記値で除することにより、発熱密度分布に変換することができる。このようにして求めた発熱密度分布を(a)とする。
(d)工程4
工程4は、電磁場解析により発熱密度分布を算出する工程である。ここでは、先ず解析モデルを作成する(S5)。解析モデルは、形状作成(コイルレイアウト)とメッシュ分割を利用して工程2に示した要領で作成される。次に、材料・境界条件を設定する(S6)。材料・境界条件の設定としては、材料物性設定と、境界条件の設定(電圧設定)と、回路条件設定等が考えられる。このようにして条件が設定されたら、これら条件を使用して電磁場解析を実行する(S7)。この電磁場解析により、発熱密度分布(b)が得られる(S8)。
(e)工程5
工程5では、工程3で得られた発熱密度分布(a)と、工程4で得られた発熱密度分布(b)との比較が行われる。具体的には、発熱密度分布(a)と発熱密度分布(b)の値が近いかどうかが判断される(S9)。この判断は、発熱密度分布(a)と、発熱密度分布(b)の値の絶対値のみを評価するのでなく、プロファイルのフィット状態で判断するものである。
(f)工程5
発熱密度分布(a)と(b)が求まると、(a),(b)の値の比較を行なう(S9)。この場合には、(a)と(b)の値(プロファイル)をより近付けることを前提にしているので、工程6に進むことになる。
(g)工程6
工程6は入力された発熱密度分布を1つの条件として流動解析を行ない、温度分布を算出するものである。先ず、解析モデルを作成する(S10)。解析モデルは、形状作成とメッシュ分割を利用して作成される。次に、作成された解析モデルを元に材料・境界条件設定を行なう(S11)。設定される条件は、物理モデル設定、材料物性設定、境界条件設定及び発熱密度設定(b)である。この発熱密度設定(b)は、工程4で得られた値である。これら条件設定を元に流動解析を実行する(S12)。流動解析を実行することにより、温度分布の結果(B)が得られる。
(h)工程7
工程7では、工程1で設定した温度分布(A)と、工程6で得られた温度分布(B)が比較される(S14)。比較の結果が満足できるものであった場合には、誘導加熱の条件決定(電圧設定)等を行なう(S15)。ステップS15では、この他にコイルレイアウトの決定を行なう。1回目の決定は、工程4の条件を元に決定し、2回目の決定は工程8の条件を元に決定する。ステップS15で得られた結果を用いて加熱装置の設計を行なうことになる。ステップS14において、(A)と(B)との値の比較が満足できないものであった場合には、工程8に進む。
(i)工程8
工程8では電磁場解析を行なう。工程8は、電磁場解析により発熱密度分布を算出する工程である。ここでは、先ず解析モデルを作成する(S16)。解析モデルは、形状作成(コイルレイアウト)とメッシュ分割を利用して作成される。次に、材料・境界条件を設定する(S17)。材料・境界条件の設定としては、材料物性設定と、境界条件の設定(電圧設定)と、回路条件設定と、ステップS14で得られた温度依存材料物性の設定(温度分布の結果(B))等が考えられる。このようにして条件が設定されたら、これら条件を使用して電磁場解析を実行する(S19)。この電磁場解析により、発熱密度分布(c)が得られる(S20)。
2 被加熱体の内表面
3 流体
4 コイル
Claims (2)
- 誘導加熱により中空状の被加熱体を加熱し、該被加熱体の中空内に流体が存在する加熱装置を設計するに際し、被加熱体の内表面の目標となる温度分布を設定する工程1と、
前記温度分布を1つの条件として流動解析を行ない、熱流速分布を算出する工程2と、
前記熱流速分布のプロファイルを発熱密度分布のプロファイルに変換する工程3と、
誘導加熱のコイルレイアウトとメッシュ分割を利用して解析モデルを作成し、作成した解析モデルを元に、材料物性の設定、電圧設定を行なう境界条件の設定、及び回路条件の設定等の材料・境界条件を設定し、これらの条件下で電磁場解析を行ない、発熱密度分布を算出する工程4と、
前記工程3で求めた発熱密度分布と前記工程4で算出した発熱密度分布とを比較し、双方の発熱密度分布の値が近いかどうかを判断し、判断結果に応じて前記工程4のコイルレイアウト、及び電圧設定の条件を変更し、誘導加熱の条件設定を行なう工程5と、
を含んで構成されることを特徴とする加熱装置の設定方法。 - 前記工程4で求めた発熱密度分布を1つの条件として流動解析を行ない、被加熱体の内表面の温度分布を求める工程6と、
該工程6で求めた温度分布と、前記工程1で設定した温度分布とを比較し、これら温度分布が満足すべきものであった場合には、誘導加熱の条件を決定する工程7と、
該工程7における比較結果が満足できないものであった場合には、誘導加熱のコイルレイアウトとメッシュ分割を利用して解析モデルを作成し、作成した解析モデルを元に、材料物性の設定、電圧設定を行なう境界条件の設定、回路条件の設定、及び前記工程6で求めた温度分布等の材料・境界条件を設定し、これらの条件下で電磁場解析を行ない、発熱密度分布を算出する工程8と、
前記工程6において、前記工程8で求めた発熱密度分布を少なくとも1つの条件とし、流動解析を行ない、被加熱体の内表面の温度分布を再度求め、この求めた温度分布と、前記工程1で設定した温度分布とを比較し、双方の温度分布の値が近いかどうかを判断し、判断結果に応じて工程8のコイルレイアウト、及び電圧設定の条件を変更し、誘導加熱の条件を決定する工程9と、
を含んで構成されることを特徴とする請求項1記載の加熱装置の設定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005245313A JP4745757B2 (ja) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | 加熱装置の設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005245313A JP4745757B2 (ja) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | 加熱装置の設定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059292A JP2007059292A (ja) | 2007-03-08 |
JP4745757B2 true JP4745757B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=37922584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005245313A Expired - Fee Related JP4745757B2 (ja) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | 加熱装置の設定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4745757B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5233054B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-07-10 | 高周波熱錬株式会社 | 誘導加熱コイルの設計方法 |
JP5897847B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2016-04-06 | 高周波熱錬株式会社 | 誘導加熱コイルの設計支援用シミュレーション方法および設計支援用シミュレーション装置 |
CN115950916B (zh) * | 2023-03-14 | 2023-05-26 | 中国空气动力研究与发展中心计算空气动力研究所 | 一种物体表面热流密度检测方法、装置以及设备 |
CN118637810A (zh) * | 2024-08-13 | 2024-09-13 | 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 | 一种微晶玻璃铂金料道的电加热系统 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19529481A1 (de) * | 1995-08-10 | 1997-02-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen |
EP1199387B1 (en) * | 2000-02-22 | 2011-09-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for growing single crystal of semiconductor |
JP4308465B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2009-08-05 | 富士通株式会社 | 連成解析方法、その解析条件設定方法、その記憶媒体及びそのプログラム |
JP2005104751A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Kyocera Corp | 単結晶育成装置 |
-
2005
- 2005-08-26 JP JP2005245313A patent/JP4745757B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007059292A (ja) | 2007-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4745757B2 (ja) | 加熱装置の設定方法 | |
CN106574797B (zh) | 空调系统的控制装置以及空调系统的控制方法 | |
CN105020843A (zh) | 空调器的控制方法和空调器的控制装置以及空调器 | |
JP6197359B2 (ja) | シミュレーション方法、シミュレーションプログラム、シミュレーション装置、および、システム | |
Honda | Simulation technique of free-boundary equilibrium evolution in plasma ramp-up phase | |
US20080099569A1 (en) | Thermal Analysis of Apparatus having Multiple Thermal Control Zones | |
CN105045966A (zh) | 一种变压器内部温度场的混合计算方法 | |
CN103154834A (zh) | 确定用于调整加热、通风和空气调节系统的参数的方法 | |
WO2008075611A1 (ja) | 回路シミュレータ、回路シミュレーション方法およびプログラム | |
Barkanov et al. | ANSYS-based algorithms for a simulation of pultrusion processes | |
EP2690372B1 (en) | Operation of a thermal comfort system | |
CN104298282B (zh) | 一种用于全自动生化分析仪温度精准控制的方法 | |
Silva et al. | Design optimization of conformal cooling channels for injection molds: 3D transient heat transfer analysis | |
Dancholvichit et al. | Temperature regulation for thermoplastic micro-forming of bulk metallic glass: Robust control design using buck converter | |
JP2009157691A (ja) | オートチューニング方法、温度調節器および熱処理装置 | |
CN102779216A (zh) | 基于有限元模型的电磁感应加热过程系统辨识方法 | |
Dinca et al. | Design of a PID controller for a PCR micro reactor | |
JP4745771B2 (ja) | 被加熱体の温度制御方法 | |
JP5897847B2 (ja) | 誘導加熱コイルの設計支援用シミュレーション方法および設計支援用シミュレーション装置 | |
Rust | Spatial Wire Cutting: Integrated Design, Simulation and Force-adaptive Fabrication of Double Curved Formwork Components | |
US20230127364A1 (en) | Cooling simulation method, cooling simulation program, cooling simulation device, and method of cooling workpiece | |
Ding et al. | Modelling of thermal response of oil-heated tools due to different flow rates for the manufacture of composite structures | |
Chávez-Campos et al. | An Ohmic heating model based on the thermal circuit method: case of study for parameter determination | |
Grozdanov et al. | Synthesis of Induction Brazing System Control Based on Artificial Intelligence. Electronics 2021, 10, 1190 | |
Tigrek | Nonlinear adaptive optimal control of HVAC systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100209 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100407 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110121 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110204 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110303 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110512 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4745757 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |