JP4737784B2 - 磁気記憶装置の検査装置、磁気記憶装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスクを備えた磁気記憶装置に対する検査装置、その検査機能を内部に備えた磁気記憶装置、および、磁気記憶装置の製造方法に関する。

ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、コンピュータ用の記憶装置などとして広く普及している。ＨＤＤにおいて磁気ディスクの記録密度を高めるためには、磁気ディスク面からのヘッド素子の浮上量を小さくすることが重要である。近年、ヘッド素子の浮上量をより小さくするために、ＤＦＨ（Dynamic Flying Height）と呼ばれる技術が注目されている。ＤＦＨ技術の特徴は、磁気ヘッドに浮上量の補正機能を設けた点にある。具体的には、磁気ヘッドの磁気ギャップ付近にヒータを組み込んでおく。このヒータに電力を投入すると、ヒータが発熱し、磁気ギャップ付近が熱膨張を起こす。この熱膨張により、磁気ギャップが磁気ディスク面側に突き出し、結果的に浮上量が小さくなる。

このようなＤＦＨ機能を備えたＨＤＤとしては、ヒータの抵抗値をモニタすることで、ヒータ抵抗の経年劣化を検出するようにしたものがあった（例えば、特許文献１参照）。
また、ＨＤＤの出荷前には、ＤＦＨ機能によるヘッド素子の浮上量を最適化するための調整工程が行われる。この調整工程では、まず、ヒータに供給する電力を高めて、ヘッド素子を磁気ディスク面に接触させる。この動作はヘッド素子の“タッチダウン”と呼ばれる。そして、この状態から、ヒータへの供給電力を低下させてヘッド素子を徐々に浮上させ、所望の浮上量に達したときのヒータへの供給電力を検出して、通常動作時におけるヒータの制御量として利用する。
特開２００７−２９４００７号公報

ところで、ＤＦＨ機能を備えた磁気ヘッドでは、ヒータに対して過度な電力を供給すると、ヘッド素子周辺の塑性変形が生じ、供給電力を低下させてもヘッド素子が元の位置に戻らなくなることがあった。例えば、前述の調整工程においてヘッド素子をタッチダウンさせるためには、ヒータに比較的高い電力が供給される。また、ＤＦＨによる浮上量の可変範囲を広くするためには、ヒータに供給する最大電力を高くする必要がある。しかし、このような場合にヒータに過度な電力が供給され、ヘッド素子周辺に塑性変形が生じると、ヘッド素子を正常に浮上させることができなくなり、この磁気ヘッドを使用できなくなってしまう。また、このような事態を回避するためには、ヘッド素子周辺の塑性変形を検出できることが望ましいが、ＨＤＤの製造・部品コストを上げることなく塑性変形を検出可能にする手段は考えられていなかった。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、ヒータの加熱によるヘッド素子周辺の塑性変形を低コストで検出可能な磁気記憶装置の検査装置、磁気記憶装置、および、磁気記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、磁気記憶装置の検査装置が提供される。この検査装置は、磁気記憶装置が備える磁気ヘッド内のヒータに対して電力値０以上の初期電力が供給された第１のタイミングと、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力より高くされて、前記ヒータの熱により前記磁気ヘッド内のヘッド素子の周辺部が膨張し、前記磁気記憶装置が備える磁気ディスク側に前記ヘッド素子が突出した後、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻された第２のタイミングのそれぞれにおいて、前記磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を前記磁気記憶装置から取得する信号レベル取得部と、前記第１のタイミングおよび前記第２のタイミングでそれぞれ取得された前記検出値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定する判定部と、を有する。

ここで、信号レベル取得部は、まず、磁気ヘッド内のヒータに対して電力値０以上の初期電力が供給されたタイミングにおいて、磁気ディスクから磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を磁気記憶装置から取得する。さらに、信号レベル取得部は、ヒータへの供給電力が初期電力より高くされて、ヒータの熱により磁気ヘッド内のヘッド素子の周辺部が膨張し、磁気ディスク側にヘッド素子が突出した後、ヒータへの供給電力が初期電力に戻されたタイミングにおいて、磁気ディスクから磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を磁気記憶装置から再度取得する。そして、判定部は、各タイミングでそれぞれ取得された検出値の差分を基に、ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定する。

また、上記目的を達成するために、磁気ヘッド内のヒータに対して電力値０以上の初期電力が供給された第１のタイミングと、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力より高くされて、前記ヒータの熱により前記磁気ヘッド内のヘッド素子の周辺部が膨張し、前記ヘッド素子が磁気ディスク側に突出した後、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻された第２のタイミングのそれぞれにおいて、前記磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を取得する信号レベル取得部と、前記第１のタイミングおよび前記第２のタイミングでそれぞれ取得された前記検出値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定する判定部と、を有する磁気記憶装置が提供される。

ここで、信号レベル取得部は、まず、磁気ヘッド内のヒータに対して電力値０以上の初期電力が供給されたタイミングにおいて、磁気ディスクから磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を取得する。さらに、信号レベル取得部は、ヒータへの供給電力が初期電力より高くされて、ヒータの熱により磁気ヘッド内のヘッド素子の周辺部が膨張し、磁気ディスク側にヘッド素子が突出した後、ヒータへの供給電力が初期電力に戻されたタイミングにおいて、磁気ディスクから磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を再度取得する。そして、判定部は、各タイミングでそれぞれ取得された検出値の差分を基に、ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定する。

さらに、上記目的を達成するために、上記と同様の処理を行う磁気記憶装置の製造方法が提供される。

上記の磁気記憶装置の検査装置、および、上記の磁気記憶装置では、ヒータの加熱によるヘッド素子周辺の塑性変形を、磁気記憶装置の各装置コストを高めることなく検出することができる。

以下、実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
〔第１の実施の形態〕
図１は、第１の実施の形態に係るＨＤＤ検査システムの構成例を示す図である。

図１に示す検査装置１０は、ＨＤＤ２０に接続して、このＨＤＤ２０の検査を行う機能を備えた装置である。この検査装置１０は、例えば、ＨＤＤ２０の製造工程においてＨＤＤ２０の各種部品の組み立て工程後に使用される装置である。この場合、検査装置１０は、ＨＤＤ２０の検査のための専用装置として実現されてもよい。あるいは、後述する第２の実施の形態のように、ＨＤＤ２０の内部の調整などを行う装置として実現されて、この装置にＨＤＤ２０の検査機能が付加されていてもよい。また、検査装置１０は、ＨＤＤ２０の製品出荷後の通常使用時において、このＨＤＤ２０のホスト機器として動作するＰＣ（パーソナルコンピュータ）などの情報処理装置として実現されてもよい。この場合、ＨＤＤ２０は検査装置１０の内部に搭載されていてもよい。

ＨＤＤ２０は、磁気ディスク２１に対する信号の書き込み、および、磁気ディスク２１からの信号の読み取りを行う磁気記憶装置である。このＨＤＤ２０には、いわゆるＤＦＨ機能が搭載されている。すなわち、ＨＤＤ２０が備える磁気ヘッド２２には、ヒータ２３が搭載されており、ＨＤＤ２０には、ヒータ２３に電力を供給するヒータ制御部２４が設けられている。ヒータ制御部２４からヒータ２３に対して電力が供給されると、ヒータ２３が加熱されて磁気ヘッド２２のヘッド素子の周辺部が膨張し、ヘッド素子が磁気ディスク２１側に突出する。従って、ヒータ２３への電力供給量を制御することで、磁気ディスク２１からのヘッド素子の浮上量を微調整できるようになっている。

磁気ヘッド２２では、ヒータ２３に過度の電力が供給された場合に、ヘッド素子の周辺部に塑性変形を起こすことがあり得る。検査装置１０は、磁気ヘッド２２において、このような塑性変形が発生したか否かを検査することが可能になっている。検査装置１０は、このような検査を実現するための機能として、信号レベル取得部１１および判定部１２を備えている。一方、ＨＤＤ２０は、信号レベル検出部２５を備えている。

ＨＤＤ２０の信号レベル検出部２５は、磁気ヘッド２２を通じて磁気ディスク２１から読み出された信号のレベルに応じた検出値を出力する。この信号レベル検出部２５は、磁気ヘッド２２により読み出された信号のレベル自体を検出して、その検出値を出力してもよい。あるいは、読み出された信号のレベルに応じて変化する値であって、読み出された信号のレベル変化を実質的に推定可能な値であってもよい。後者の例としては、磁気ヘッド２２から読み出された信号を一定の値に保持するＶＧＡ（Variable Gain Amp）のゲインを適用可能である。この場合、磁気ヘッド２２により読み出された信号のレベルが高いほど、ＶＧＡのゲインは低くなる。

なお、信号レベル検出部２５は、例えば、磁気ディスク２１から読み出されたサーボ信号のレベルに応じた検出値を出力する。あるいは、サーボ信号に基づいて磁気ディスク２１に記録された記録データが磁気ヘッド２２により読み出され、信号レベル検出部２５は、このときの読み出し信号のレベルに応じた検出値を出力してもよい。

検査装置１０の信号レベル取得部１１は、ＨＤＤ２０の信号レベル検出部２５から出力された検出値を取得する。ここで、信号レベル検出部２５でのレベル検出は、少なくとも次の２つのタイミングで実行され、信号レベル取得部１１は、これらのそれぞれのタイミングにおいて信号レベル検出部２５から検出値を取得する。

第１のタイミングは、ヒータ２３に対して初期電力が供給されたタイミングである。この初期電力は、ヒータ制御部２４からヒータ２３に対して供給される電力の初期値であり、電力値“０”あるいはそれ以上の所定の値であればよい。また、この初期電力がヒータ２３に供給されたとき、ヘッド素子の周囲は膨張していない状態であってよい。第２のタイミングは、第１のタイミングから、ヒータ２３への供給電力が高くされて、ヘッド素子が磁気ディスク２１側に突出した状態になった後、さらにヒータ２３への供給電力が初期電力に戻されたタイミングである。

ここで、第１のタイミングおよび第２のタイミングは、それぞれ、ヒータ２３に対して比較的大きな電力が供給され得る動作の前後のタイミングとされることが望ましい。また、第１のタイミングおよび第２のタイミングは、それぞれこのような動作の直前および直後とされることが望ましい。

例えば、第１のタイミングと第２のタイミングとの間において、ヒータ２３への供給電力が、ＨＤＤ２０の通常使用状態での供給電力よりも高くなるような動作が行われるようにする。このような動作の例としては、ＤＦＨキャリブレーションと呼ばれる動作がある。ＤＦＨキャリブレーションでは、まず、ヒータ２３に比較的高い電力が供給されることにより、磁気ヘッド２２のヘッド素子が磁気ディスク２１に接触するタッチダウン動作が行われる。さらに、ヘッド素子がタッチダウンした状態から、磁気ディスク２１からのヘッド素子の浮上量が目標の量となるまで、ヒータ２３への供給電力が低下される。これにより、ＨＤＤ２０の通常使用時のヒータ２３への供給電力が正しく調整される。

なお、本実施の形態では、少なくとも第１のタイミングから第２のタイミングまでの期間にヒータ２３に対する供給電力を制御するヘッド突出制御部１３が、検査装置１０に設けられている。ヘッド突出制御部１３は、ヒータ制御部２４に対して制御信号を送信することにより、ヒータ制御部２４からヒータ２３への供給電力を制御する。ただし、このヘッド突出制御部１３のようなヒータ２３に対する電力供給の制御機能は、検査装置１０でなく、ＨＤＤ２０に設けられていてもよい。

検査装置１０の判定部１２は、上記の第１のタイミングおよび第２のタイミングにおいて信号レベル取得部１１によりそれぞれ取得された検出値の差分を基に、ＨＤＤ２０のヘッド素子の周辺部において塑性変形が発生したか否かを判定する。例えば、判定部１２は、各タイミングで取得された検出値の差分の絶対値を所定のしきい値と比較し、差分の絶対値がしきい値を超えた場合に、塑性変形が発生したと判定する。

ヘッド素子の周辺部において塑性変形が発生した場合には、例えば、ヘッド素子と磁気ディスク２１との間の距離が変化する場合がある。また、塑性変形の発生によりヘッド素子自体が劣化する場合もある。このため、ヒータ２３に同一の初期電力が供給された状態であれば、ヘッド素子の周辺部において塑性変形が発生する前と後では、磁気ディスク２１から読み出される信号のレベルが大きく変化する。判定部１２は、このようなレベル変化を検出することにより、塑性変形の発生の有無を判定することが可能である。

このような検査装置１０によれば、磁気ディスク２１から読み出した信号を用いた簡単な判定処理によって、ヘッド素子周辺の塑性変形を検出することが可能になる。このため、品質が劣化したＨＤＤ２０を容易に発見することができる。また、塑性変形の検出のために、検査装置１０やＨＤＤ２０自体の構成を大きく変える必要がないので、ＨＤＤ２０の製造コストを低減できる。例えば、上記の判定処理がＨＤＤ２０の製品出荷前に行われた場合には、高品質なＨＤＤ２０を低コストで製造できるようになる。また、出荷後のＨＤＤ２０に対して上記の判定処理が行われた場合には、塑性変形によるＨＤＤ２０の故障を検知できるようになる。

なお、以上の第１の実施の形態において、検査装置１０の信号レベル取得部１１、判定部１２およびヘッド突出制御部１３の各機能は、例えば、検査装置１０が備えるＣＰＵ（Central Processing Unit）が所定のプログラムを実行することによって実現される。

〔第２の実施の形態〕
次に、ＨＤＤにおいてＤＦＨキャリブレーションを行う際に、ヘッド素子周辺の塑性変形の検出も可能にした場合の例について、より具体的に説明する。

図２は、第２の実施の形態に係るＨＤＤ調整システムの構成例を示す図である。
図２に示すＨＤＤ調整システムは、複数台のＨＤＤ１００＿１，１００＿２，……に対して、ＤＦＨキャリブレーションを含む各種調整動作を実行可能なシステムである。このＨＤＤ調整システムは、調整制御装置２００、ＨＤＤ接続装置３００およびサーバ４００を備えており、これらは例えば通信ケーブルによって互いに接続されている。

調整制御装置２００は、調整対象のＨＤＤ１００＿１，１００＿２，……を動作させるホスト装置として機能する。調整制御装置２００は、ＨＤＤ接続装置３００を通じてＨＤＤ１００＿１，１００＿２，……に対して制御信号を送信することにより、ＨＤＤ１００＿１，１００＿２，……での各種調整動作を制御する。また、調整動作の結果を評価する機能も備える。

ＨＤＤ接続装置３００には、調整対象のＨＤＤ１００＿１，１００＿２，……が接続される。ＨＤＤ接続装置３００は、例えば、チャンバの中にこれらのＨＤＤ１００＿１，１００＿２，……を収容する。ＨＤＤ接続装置３００は、調整制御装置２００から出力された制御信号を、その宛先のＨＤＤに転送し、また、その制御信号に対する応答を調整制御装置２００に出力する。

サーバ４００は、このＨＤＤ調整システムを統括的に制御する端末であり、例えば、調整対象のＨＤＤの管理機能、システム全体の時刻管理機能、各種調整動作で利用されるパラメータの提供機能などを備える。

図３は、ＨＤＤのハードウェア構成例を示す図である。なお、調整対象とするＨＤＤ１００＿１，１００＿２，……はそれぞれ同じハードウェア構成を有するものとし、以下の説明では、これらを代表して“ＨＤＤ１００”と表記する。

図３に示すＨＤＤ１００は、磁気ディスク１０１、磁気ヘッド１０２、キャリッジアーム１０３、ボイスコイルモータ１０４、スピンドルモータ１０５、ＶＧＡ１１１、Ｒ／Ｗ（Read/Write）チャネル１１２、ハードディスク制御部１１３、不揮発性メモリ１１３ａ、通信Ｉ／Ｆ（Interface）１１４、メインＣＰＵ１１５、不揮発性メモリ１１５ａ、サーボ制御部１１６、モータ駆動部１１７ａ，１１７ｂ、浮上制御部１１８および電力供給部１１９を備えている。なお、例えば、これらのハードウェアブロックのうちの複数が、１つの基板上に搭載された構成であってもよい。

磁気ディスク１０１は、スピンドルモータ１０５により回転される。磁気ヘッド１０２は、キャリッジアーム１０３により支持される。キャリッジアーム１０３は、ボイスコイルモータ１０４により移動され、これにより磁気ヘッド１０２が磁気ディスク１０１の上に位置決めされる。また、磁気ヘッド１０２は、磁気ディスク１０１の回転に伴って磁気ディスク１０１から浮上し、磁気ディスク１０１に対する信号の書き込み、および磁気ディスク１０１からの信号の読み取りを行う。

さらに、磁気ヘッド１０２にはヒータ１０２ａが搭載されている。前述の第１の実施の形態と同様に、ヒータ１０２ａに電力が供給されると、ヒータ１０２ａが加熱されて、磁気ヘッド１０２のヘッド素子の周辺部が膨張する。これにより、ヘッド素子が磁気ディスク１０１側に突出し、磁気ヘッド１０２の浮上量が微調整される。

ＶＧＡ１１１は、Ｒ／Ｗチャネル１１２から出力されるゲイン制御信号に応じて、磁気ヘッド１０２により磁気ディスク１０１から読み出された信号のレベルを調整して、Ｒ／Ｗチャネル１１２に出力する。

Ｒ／Ｗチャネル１１２は、磁気ヘッド１０２によって磁気ディスク１０１から読み取られた信号をＶＧＡ１１１を通じて受信し、この信号を復調して再生データにし、誤り訂正を行った後、その再生データをハードディスク制御部１１３に出力する。また、このような再生動作の際には、Ｒ／Ｗチャネル１１２は、ＶＧＡ１１１からの出力信号のレベルに応じて、ＶＧＡ１１１にゲイン制御信号を出力し、ＶＧＡ１１１からの出力信号を一定に保持するように制御する。また、Ｒ／Ｗチャネル１１２は、ハードディスク制御部１１３から受信した記録データを変調して記録データ信号を生成し、ＶＧＡ１１１を介して磁気ヘッド１０２に出力する。

ハードディスク制御部１１３は、通信Ｉ／Ｆ１１４を通じて、外部装置から、磁気ディスク１０１に記録するための記録データの供給を受け、エラー訂正コードを付与してＲ／Ｗチャネル１１２に出力する。また、磁気ディスク１０１から読み取られた再生データをＲ／Ｗチャネル１１２から受信し、通信Ｉ／Ｆ１１４を通じて外部装置へ出力する。さらに、ハードディスク制御部１１３は、外部装置から通信Ｉ／Ｆ１１４を通じて受信された制御コマンドをメインＣＰＵ１１５に受け渡す機能、および、この制御コマンドに対する応答情報をメインＣＰＵ１１５から受け付けて、通信Ｉ／Ｆ１１４を通じて外部装置に送信させる機能も備えている。

通信Ｉ／Ｆ１１４は、図示しないコネクタを介して外部装置と接続し、外部装置との間でデータの送受信を行う。本実施の形態では、ＨＤＤ接続装置３００と接続し、このＨＤＤ接続装置３００を介して調整制御装置２００およびサーバ４００との間でデータを送受信することが可能になっている。

メインＣＰＵ１１５は、ＨＤＤ１００全体を統括的に制御する。そして、通信Ｉ／Ｆ１１４およびハードディスク制御部１１３を通じて外部装置から制御コマンドを受信すると、不揮発性メモリ１１５ａから制御コマンドに応じたファームウェアを読み出して実行する。このファームウェアの実行により、ＨＤＤ１００内の各部の動作を制御する。

不揮発性メモリ１１５ａには、メインＣＰＵ１１５により実行されるファームウェアや、各種のデータが記憶される。この不揮発性メモリ１１５ａとしては、例えばフラッシュメモリを利用することができる。また、不揮発性メモリ１１５ａは、メインＣＰＵ１１５の内部に搭載されていてもよい。

サーボ制御部１１６は、メインＣＰＵ１１５の制御の下で、モータ駆動部１１７ａ，１１７ｂに対して制御信号を出力し、キャリッジアーム１０３の移動やスピンドルモータ１０５の回転のための指示を与える。モータ駆動部１１７ａ，１１７ｂは、サーボ制御部１１６からの指示に従って、ボイスコイルモータ１０４およびスピンドルモータ１０５をそれぞれ駆動する。

浮上制御部１１８は、メインＣＰＵ１１５の制御の下で、電力供給部１１９に対して制御信号を出力し、ヒータ１０２ａへの供給電力を制御する。磁気ディスク１０１の回転に応じて磁気ヘッド１０２が磁気ディスク１０１から浮上すると、浮上制御部１１８は、メインＣＰＵ１１５から制御値を受信して、電力供給部１１９に出力する。なお、この制御値は、後述するＤＦＨキャリブレーションにより不揮発性メモリ１１５ａに記憶されたものである。電力供給部１１９は、浮上制御部１１８からの制御値に応じた電力をヒータ１０２ａに供給する。これにより、磁気ヘッドの浮上量が目標の位置に微調整されて、磁気ディスク１０１への信号の書き込み、および、磁気ディスク１０１からの信号の読み取りが実行される。

図４は、磁気ヘッドのヘッド素子周辺の断面図である。なお、図４中の左図は、磁気ヘッドが突出していない状態を示し、右図は、ヒータ１０２ａの加熱により磁気ヘッドが突出した状態を示している。

磁気ヘッド１０２は、ヘッド素子部１０２ｂと、このヘッド素子部１０２ｂを支持するスライダ１０２ｃとを備えている。スライダ１０２ｃは、例えばアルチック（AlTic）基板として形成され、ヘッド素子部１０２ｂは、このスライダ１０２ｃに対して薄膜形成プロセスを用いて形成される。

ヘッド素子部１０２ｂは、前述したヒータ１０２ａと、磁気ディスク１０１から信号を読み取るためのリード素子１０２ｄと、磁気ディスク１０１に信号を書き込むためのライト素子１０２ｅとを備えている。リード素子１０２ｄは、例えば、磁気抵抗効果型の素子であり、磁気シールド層１０２ｆに挟まれている。ライト素子１０２ｅは、例えば、コイル１０２ｇを流れる電流により磁界を発生し、磁気データを磁気ディスク１０１に書き込むインダクティブ素子である。ライト素子１０２ｅには、磁気シールド層１０２ｈ，１０２ｉが形成されている。また、ヒータ１０２ａは、銅などにより形成され、本実施の形態では、コイル１０２ｇと磁気シールド層１０２ｈとの間に形成されている。そして、ヘッド素子部１０２ｂの残りの空間は、アルミナなどの絶縁層によって覆われている。

図４の右側に示すように、電力供給部１１９から電力が供給されることによりヒータ１０２ａが加熱すると、ヘッド素子部１０２ｂが膨張する。これにより、ヘッド素子、すなわちリード素子１０２ｄおよびライト素子１０２ｅが、磁気ディスク１０１の方向に突出する。その結果、磁気ディスク１０１からのヘッド素子の浮上量が微調整される。

図５は、調整制御装置のハードウェア構成例を示す図である。
調整制御装置２００は、例えば、図５に示すようなコンピュータとして実現することができる。この場合、調整制御装置２００は、ＣＰＵ２０１、ＲＡＭ２０２、ＨＤＤ２０３、グラフィック処理部２０４、入力Ｉ／Ｆ２０５および通信Ｉ／Ｆ２０６を備えており、これらの各部はバス２０７によって相互に接続されている。

ＣＰＵ２０１は、ＨＤＤ２０２に記憶された各種プログラムを実行することにより、この調整制御装置２００全体を統括的に制御する。ＲＡＭ２０２は、ＣＰＵ２０１に実行させるプログラムの少なくとも一部や、このプログラムによる処理に必要な各種データを一時的に記憶する。ＨＤＤ２０３は、ＣＰＵ２０１により実行されるプログラムやその実行に必要な各種のデータなどを記憶する。

グラフィック処理部２０４には、モニタ２０４ａが接続されている。このグラフィック処理部２０４は、ＣＰＵ２０１からの命令に従って、モニタ２０４ａの画面上に画像を表示させる。入力Ｉ／Ｆ２０５には、キーボード２０５ａやマウス２０５ｂが接続されている。この入力Ｉ／Ｆ２０５は、キーボード２０５ａやマウス２０５ｂからの信号を、バス２０７を介してＣＰＵ２０１に送信する。通信Ｉ／Ｆ２０６は、図示しないコネクタを介して外部装置と接続し、外部装置との間でデータの送受信を行う。

次に、図６は、ＨＤＤの製造工程を概略的にフローチャートである。
本実施の形態のＨＤＤ調整システムには、ＨＤＤ組み立て工程（ステップＳ１１）において各種部品を用いて組み立てられた状態のＨＤＤ１００が投入される。ＨＤＤ調整システムでは、調整制御装置２００から調整対象のＨＤＤ１００に対して順次制御コマンドが出力されることにより、ＨＤＤ１００の調整工程が実行される。この調整動作には、サーボ系調整工程（ステップＳ１３）と、ＤＦＨ調整工程（ステップＳ１２，Ｓ１４に対応）とが含まれる。

サーボ系調整工程（ステップＳ１３）では、ＨＤＤ１００におけるサーボ制御系の調整が行われる。例えば、磁気ヘッド１０２のシーク調整、ＶＧＡ１１１におけるゲイン調整などが行われる。磁気ヘッド１０２のシーク調整では、磁気ヘッド１０２が目標とする位置に正しく位置決めされるように、モータ駆動部１１７ａに入力される制御信号とボイスコイルモータ１０４へ出力される駆動信号とを合わせる処理が行われる。また、ＶＧＡ１１１におけるゲイン調整では、磁気ディスク１０１から磁気ヘッド１０２にサーボ信号や記録データの読み出しを実行させる。そして、ＶＧＡ１１１からの出力信号レベルが一定に調整されるように、Ｒ／Ｗチャネル１１２からＶＧＡ１１１へのゲイン制御信号と、ＶＧＡ１１１において入力信号に印加されるゲインとを合わせる処理が行われる。

ＤＦＨ調整工程では、主として、ヘッド素子の浮上量を調整するためのヒータ１０２ａに対する制御値を決定するＤＦＨキャリブレーションが実行される。このＤＦＨ調整工程は、サーボ系調整工程の実行前と実行後に、それぞれ仮ＤＦＨ調整工程（ステップＳ１２）および本ＤＦＨ調整工程（ステップＳ１４）として行われる。

仮ＤＦＨ調整工程（ステップＳ１２）では、サーボ系調整工程（ステップＳ１３）ができるだけ高精度に実行されるように、ヘッド素子の浮上量調整のための制御値が粗い精度で決定される。一方、本ＤＦＨ調整工程（ステップＳ１４）では、ＨＤＤ１００の実際の使用時において用いられる制御値がより正確に決定される。例えば、仮ＤＦＨ調整工程では、磁気ディスク１０１からのヘッド素子の浮上量が５ｎｍとなるように調整されるのに対し、本ＤＦＨ調整工程では、浮上量が３．８ｎｍとなるように調整される。そして、本実施の形態では、仮ＤＦＨ調整工程と本ＤＦＨ調整工程の両方において、ＤＦＨキャリブレーションだけでなく、磁気ヘッド１０２の塑性変形の検出処理も実行される。

図７は、ＨＤＤに対する各種調整動作を実行するための機能を示すブロック図である。
調整制御装置２００は、上記の各種調整動作を実行するための機能として、工程制御部２１０、ＤＦＨ調整制御部２２０およびサーボ調整制御部２３０を備えている。なお、これらの機能は、例えば、調整制御装置２００のＣＰＵ２０１が所定のプログラムを実行することによって実現される。

工程制御部２１０は、ＤＦＨ調整制御部２２０およびサーボ調整制御部２３０により実行される各種調整動作の実行順を制御する機能である。ＤＦＨ調整制御部２２０は、ＤＦＨ調整工程（図６のステップＳ１２，Ｓ１４に対応）を実行するための機能である。サーボ調整制御部２３０は、サーボ系調整工程（図６のステップＳ１３に対応）を実行するための機能である。ＤＦＨ調整制御部２２０およびサーボ調整制御部２３０は、それぞれ、ＨＤＤ１００に対して制御コマンドを送信することで、ＨＤＤ１００に所定の動作を実行させることで、各種調整動作を制御する。ＨＤＤ１００では、調整制御装置２００からの制御コマンドをメインＣＰＵ１１５が解釈し、例えば浮上制御部１１８やサーボ制御部１１６などに対して、制御コマンドに応じた動作を実行させる。

ＤＦＨ調整制御部２２０は、ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１、ＶＧＡゲイン取得部２２２および変形判定部２２３を備えている。
ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＨＤＤ１００に対して制御コマンドを送信することで、サーボ制御部１１６にボイスコイルモータ１０４やスピンドルモータ１０５を動作させる。これにより、ＤＦＨ調整工程において必要な磁気ディスク１０１の回転や磁気ヘッド１０２による信号の読み取りなどの動作が、ＨＤＤ１００において実行される。

ＶＧＡゲイン取得部２２２は、ＨＤＤ１００に対して制御コマンドを送信することで、ＨＤＤ１００のＲ／Ｗチャネル１１２から、ＶＧＡ１１１のゲインの値を通信Ｉ／Ｆ１１４を通じて送信させて、これを取得する。後述するように、ＶＧＡゲイン取得部２２２でのゲインの取得動作は、ＶＧＡキャリブレーションの実行の前後において行われる他、ＤＦＨキャリブレーションの実行中にも行われる。また、ＶＧＡゲイン取得部２２２は、ヘッド素子周辺における塑性変形の有無の判定に必要な演算処理も実行する。

変形判定部２２３は、ＶＧＡゲイン取得部２２２から、ＶＧＡキャリブレーションの実行前後において取得されたゲインの値を受け取り、それらの値を基に、ヘッド素子周辺における塑性変形の有無を判定する。

図８は、ＤＦＨ調整工程の全体の処理手順を示すフローチャートである。なお、図８に示す処理手順は、基本的に、図６のステップＳ１２，Ｓ１４の両方で共通に適用されるものである。ただし、この工程の実行の際には、各ステップにおいて異なるパラメータが用いられてもよい。

［ステップＳ２１］ＤＦＨキャリブレーションの前処理としてのＶＧＡゲイン測定処理が実行される。この処理では、まず、ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＨＤＤ１００に対して、ヒータ１０２ａへの供給電力を初期値に設定するとともに、磁気ディスク１０１から信号を読み取るように要求する。ヒータ供給電力の初期値は、基本的に、磁気ヘッド１０２の膨張が発生しないような値とされる。一方、読み取りを要求する信号としては、例えば、サーボ信号、記録データなどを適用可能である。また、この処理では、信号の読み取り位置として、シリンダ数Ｃｙｌ１が指定される。なお、シリンダ数Ｃｙｌ１の初期値は、例えば、磁気ディスク１０１の外周側に位置する所定のシリンダを示す値とされる。

ＨＤＤ１００では、磁気ディスク１０１内のシリンダ数Ｃｙｌ１に対応する位置からの信号が読み取られ、その読み取り信号に対してＶＧＡ１１１においてゲインが印加される。ＶＧＡゲイン取得部２２２は、ＶＧＡ１１１におけるゲインの値を、ＨＤＤ１００から取得する。

［ステップＳ２２］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ステップＳ２１でのＶＧＡゲイン測定処理が成功したか否かを判定する。例えば、信号読み取りの要求から一定時間以内にゲインを取得できなかった場合に、測定が失敗したと判定される。測定が成功した場合には、ステップＳ２５の処理が実行され、測定が失敗した場合には、ステップＳ２３の処理が実行される。

［ステップＳ２３］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ステップＳ２１のＶＧＡゲイン測定処理のリトライ回数Ｒｅｔ１に“１”を加算するとともに、シリンダ数Ｃｙｌ１に一定値（ここでは“１０”とする）を加算する。なお、リトライ回数Ｒｅｔ１の初期値は“０”である。

［ステップＳ２４］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、加算後のリトライ回数Ｒｅｔ１がＮ１（ただし、Ｎ１は１以上の整数）を超えたか否かを判定する。リトライ回数Ｒｅｔ１がＮ１を超えた場合には、ステップＳ３７の処理が実行される。一方、リトライ回数Ｒｅｔ１がＮ１以下であった場合には、ステップＳ２３での加算後のリトライ回数Ｒｅｔ１を用いて、ステップＳ２１の処理が再度実行される。

［ステップＳ２５］ＤＦＨキャリブレーションが実行される。この処理では、ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＨＤＤ１００に対して、磁気ディスク１０１が回転し、磁気ヘッド１０２が磁気ディスク１０１から浮上した状態で、ヒータ１０２ａへの供給電力を上昇させる。さらに、磁気ヘッド１０２を磁気ディスク１０１にタッチダウンさせた後、ヘッド素子の浮上量が目標の量に達するまで、ヒータ１０２ａへの供給電力を低下させる。そして、ヘッド素子の浮上量が目標の量となったときのヒータ１０２ａへの供給電力に対応する制御値を、ＨＤＤ１００内部に記憶させる。

なお、ヘッド素子の目標浮上量は、仮ＤＦＨ調整工程（図６のステップＳ１２）においてステップＳ２５の処理が実行される場合より、本ＤＦＨ調整工程（図６のステップＳ１４）においてステップＳ２５の処理が実行される場合の方が、小さい値に設定される。

ここで、図９は、ＤＦＨキャリブレーションの処理手順を示すフローチャートである。
［ステップＳ５１］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＨＤＤ１００に対して、ヒータ１０２ａへの供給電力を、初期値から徐々に上昇させるように要求する。ＨＤＤ１００のメインＣＰＵ１１５は、この要求に応じて、浮上制御部１１８を制御し、ヒータ１０２ａへの供給電力を上昇させる。

［ステップＳ５２］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＨＤＤ１００に対して、磁気ディスク１０１からの信号読み取りを要求するとともに、ＶＧＡ１１１のゲインの送信を要求する。読み取りを要求する信号としては、例えば、サーボ信号、記録データなどである。また、この処理では、信号の読み取り位置として、シリンダ数Ｃｙｌ２が指定される。なお、シリンダ数Ｃｙｌ２の初期値は、例えば、磁気ディスク１０１の外周側に位置する所定のシリンダを示す値とされる。

ＨＤＤ１００のメインＣＰＵ１１５は、信号読み取りの要求に応じてサーボ制御部１１６を制御し、磁気ヘッド１０２をシリンダ数Ｃｙｌ２に対応する位置に位置決めさせる。これにより、磁気ヘッド１０２を通じて信号が読み取られ、Ｒ／Ｗチャネル１１２は、磁気ヘッド１０２からＶＧＡ１１１に入力された信号のレベルに応じて、ＶＧＡ１１１のゲインを制御する。これとともに、ＶＧＡ１１１のゲインはメインＣＰＵ１１５に対しても通知され、メインＣＰＵ１１５は、通知されたゲインを、ハードディスク制御部１１３および通信Ｉ／Ｆ１１４を介して調整制御装置２００に転送する。調整制御装置２００において、ＶＧＡゲイン取得部２２２は、転送されたゲインを取得して、ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１に通知する。

［ステップＳ５３］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＶＧＡゲイン取得部２２２において取得されたゲインに基づき、磁気ヘッド１０２が磁気ディスク１０１に対してタッチダウンしたか否かを判定する。通常、ヒータ１０２ａへの供給電力が上昇すると、ヘッド素子が突出して磁気ディスク１０１に近づくことから、読み取られる信号のレベルが上昇し、ＶＧＡ１１１のゲインが低下する。ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ゲインが最小になったタイミングを検出し、このタイミングでタッチダウンが行われたと判定する。

磁気ヘッド１０２がタッチダウンした場合には、ステップＳ５４の処理が実行される。一方、磁気ヘッド１０２がタッチダウンしていない場合には、ステップＳ５１の処理が再度実行され、ヒータ１０２ａへの供給電力がさらに上昇する。

［ステップＳ５４］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、磁気ディスク１０１からのヘッド素子の浮上量が目標の量となるときの、ＶＧＡ１１１の目標ゲイン量を決定する。なお、この目標ゲイン量の決定処理については、後の図１０においてあらためて説明する。

［ステップＳ５５］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＨＤＤ１００に対して、ヒータ１０２ａへの供給電力を低下させるように要求する。
［ステップＳ５６］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ステップＳ５２と同様の手順で、ＨＤＤ１００に対して、磁気ディスク１０１からの信号読み取りを要求するとともに、ＶＧＡ１１１のゲインの送信を要求する。ＨＤＤ１００からは、この要求に応じてゲインが送信され、ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＶＧＡゲイン取得部２２２を介してゲインを取得する。

［ステップＳ５７］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ステップＳ５６で取得したゲインが、ステップＳ５４で算出した目標ゲインに到達したか否かを判定する。目標ゲインに到達した場合には、ステップＳ５８の処理が実行される。一方、目標ゲインに到達していない場合には、ステップＳ５５の処理が再度実行され、ヒータ１０２ａへの供給電力がさらに低下される。

［ステップＳ５８］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ヒータ１０２ａへの供給電力を制御するための現在の電力制御値を記録するように要求する。ＨＤＤ１００のメインＣＰＵ１１５は、この要求に応じて、浮上制御部１１８から電力供給部１１９に対する現在の電力制御値を、不揮発性メモリ１１５ａに記録する。なお、この電力制御値は、その後に磁気ディスク１０１からの信号読み取りや磁気ディスク１０１への信号書き込みが行われる際に、浮上制御部１１８に対して出力され、電力供給部１１９に出力される。

図１０は、ヒータへの供給電力とＶＧＡのゲインとの関係を示すグラフの例である。
図１０において、ヒータ１０２ａへの供給電力が電力値Ｐｔｃｈであるとき、磁気ヘッド１０２が磁気ディスク１０１に対してタッチダウンしている。このときのＶＧＡ１１１のゲインは、最小値Ｇｍｉｎをとる。ＤＦＨキャリブレーションでは、この状態から、ヘッド素子の浮上量が目標の量になるまで、ヒータ１０２ａへの供給電力が徐々に低下される。ここで、ヘッド素子の浮上に応じてＶＧＡ１１１のゲインが高くなる特性を利用すると、ゲインが目標値Ｇｔｇｔまで上昇したときに、ヘッド素子の浮上量が目標の量になったと判定することができる。

図９のステップＳ５４の処理では、例えば、タッチダウン時のＶＧＡ１１１のゲインと、そのゲインに対応するゲイン目標値との対応テーブルが用意される。そして、タッチダウン時に検出されたゲイン（上記の最小値Ｇｍｉｎ）に対応するゲイン目標値が、対応テーブルから読み出される。

ゲインの目標値Ｇｔｇｔが決定されると、ヒータ１０２ａへの供給電力が徐々に低下される。図１０に示すように、ヒータ１０２ａへの供給電力が低下すると、磁気ディスク１０１から読み取られる信号のレベルは徐々に低下し、ＶＧＡ１１１のゲインは徐々に上昇する。そして、ＶＧＡ１１１のゲインが目標値Ｇｔｇｔに達したとき、ヘッド素子の浮上量が目標の量となる。メインＣＰＵ１１５は、調整制御装置２００からの要求に応じて、この時点でのヒータ１０２ａに対する供給電力Ｐｔｇｔを発生させるために電力供給部１１９に出力している電力制御値を、不揮発性メモリ１１８ａに記録する。

以下、図８に戻って説明する。
［ステップＳ２６］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ステップＳ２５でのＤＦＨキャリブレーションが正常に完了したか否かを判定する。ここでは、例えば、ＤＦＨキャリブレーションの処理中において、ＨＤＤ１００からＶＧＡ１１１のゲインを取得できなかった場合に、ＤＦＨキャリブレーションが完了しなかったと判定される。

［ステップＳ２７］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ステップＳ２５のＤＦＨキャリブレーションのリトライ回数Ｒｅｔ２に“１”を加算するとともに、シリンダ数Ｃｙｌ２に一定値（ここでは“１０”とする）を加算する。なお、リトライ回数Ｒｅｔ２の初期値は“０”である。

［ステップＳ２８］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、加算後のリトライ回数Ｒｅｔ２がＮ２（ただし、Ｎ２は１以上の整数）を超えたか否かを判定する。リトライ回数Ｒｅｔ２がＮ２を超えた場合には、ステップＳ３７の処理が実行される。一方、リトライ回数Ｒｅｔ２がＮ２以下であった場合には、ステップＳ２７での加算後のリトライ回数Ｒｅｔ２を用いて、ステップＳ２５の処理が再度実行される。

［ステップＳ２９］ＤＦＨキャリブレーションの後処理としてのＶＧＡゲイン測定処理が実行される。この処理は、基本的にステップＳ２１の処理と同様である。すなわち、ヒータ１０２ａへの供給電力が初期値に設定されるとともに、ステップＳ２１の場合と同じ種類の信号が磁気ディスク１０１から読み取られる。そして、読み取られた信号のレベルに応じたＶＧＡ１１１のゲインが、ＶＧＡゲイン取得部２２２に供給される。なお、信号の読み取り位置としては、シリンダ数Ｃｙｌ３が指定される。シリンダ数Ｃｙｌ３の初期値は、例えば、磁気ディスク１０１の外周側に位置する所定のシリンダを示す値とされる。

［ステップＳ３０］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ステップＳ２９でのＶＧＡゲイン測定処理が成功したか否かを判定する。例えば、ステップＳ２２の場合と同様に、信号読み取りの要求から一定時間以内にゲインを取得できなかった場合に、測定が失敗したと判定される。測定が成功した場合には、ステップＳ３３の処理が実行され、測定が失敗した場合には、ステップＳ３１の処理が実行される。

［ステップＳ３１］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ステップＳ２９のＶＧＡゲイン測定処理のリトライ回数Ｒｅｔ３に“１”を加算するとともに、シリンダ数Ｃｙｌ３に一定値（ここでは“１０”とする）を加算する。なお、リトライ回数Ｒｅｔ３の初期値は“０”である。

［ステップＳ３２］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、加算後のリトライ回数Ｒｅｔ３がＮ３（ただし、Ｎ３は１以上の整数）を超えたか否かを判定する。リトライ回数Ｒｅｔ３がＮ３を超えた場合には、ステップＳ３７の処理が実行される。一方、リトライ回数Ｒｅｔ３がＮ３以下であった場合には、ステップＳ３１での加算後のリトライ回数Ｒｅｔ３を用いて、ステップＳ２９の処理が再度実行される。

［ステップＳ３３］変形判定部２２３は、ステップＳ２１，Ｓ２９においてそれぞれＶＧＡゲイン取得部２２２が取得したゲインの差分絶対値Ｇｄｉｆを算出する。
［ステップＳ３４］変形判定部２２３は、算出された差分絶対値Ｇｄｉｆと、所定のゲインしきい値Ｇｔｈ（ただし、Ｇｔｈ＞０）とを比較する。差分絶対値Ｇｄｉｆがゲインしきい値Ｇｔｈ以下である場合には、ステップＳ３５が実行される。一方、差分絶対値Ｇｄｉｆがゲインしきい値Ｇｔｈを超えていた場合には、ステップＳ３６の処理が実行される。

［ステップＳ３５］変形判定部２２３は、ＤＦＨ調整処理が正常に終了したと判定して、この旨を工程制御部２１０に通知する。
［ステップＳ３６］変形判定部２２３は、磁気ヘッド１０２において熱による塑性変形が発生したと判定して、ＤＦＨ調整処理を強制的に終了するとともに、塑性変形が発生したことを工程制御部２１０に通知する。

［ステップＳ３７］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＤＦＨ調整処理が正常に実行されなかったと判定して、ＤＦＨ調整処理を強制的に終了するとともに、異常終了したことを工程制御部２１０に通知する。

なお、例えば、調整対象のＨＤＤが複数の磁気ヘッドを備える場合、上記のＤＦＨ調整工程は磁気ヘッドごとに行われる。このような場合、上記のステップＳ３６，Ｓ３７では、例えば、調整の対象とした磁気ヘッドを使用させないようにＨＤＤに設定するようにしてもよい。

以上の図８の処理では、ＤＦＨキャリブレーションの前後におけるＶＧＡ１１１のゲインの差分を基に、磁気ヘッド１０２の塑性変形の有無を簡単に判定することができる。特に、ＤＦＨキャリブレーションの直前および直後にＶＧＡ１１１のゲインを取得することにより、信号読み取り動作などのパラメータの変化や、環境の変化による影響を受けずに、ゲインの違いを正確に判別することが可能になる。また、ＶＧＡ１１１のゲインを取得するために磁気ディスク１０１から読み取る信号としては、サーボ信号や記録データなど、既存の信号を利用することができる。

ここで、次の表１に、磁気ヘッド１０２に塑性変形が発生した際の、ヘッド素子の浮上量、および、ＶＧＡ１１１のゲインの測定値の例を示す。

上記の表１において、Ｓｇａｉｎは、サーボ信号を読み取ったときのＶＧＡ１１１のゲインであり、Ｄｇａｉｎは、記録データを読み取ったときのＶＧＡ１１１のゲインである。また、“ＤＦＨキャリブレーション前”“ＤＦＨキャリブレーション後”は、それぞれ図８のステップＳ２１，Ｓ２９のタイミングに対応する。ただし、測定時の温度はすべて同じ２５℃となっている。

上記の表１に示すように、ＤＦＨキャリブレーションの実行により磁気ヘッド１０２に塑性変形が発生すると、ヘッド素子周辺が元の大きさまで収縮しなくなり、磁気ディスク１０１からのヘッド素子の浮上量が大きくなる。このとき、サーボ信号読み取り時のゲインＳｇａｉｎ、記録データ読み取り時のゲインＤｇａｉｎの両方とも、ＤＦＨキャリブレーションの実行前の値と比較して明らかに異なる値となっている。

また、図１１は、ＨＤＤが複数の磁気ヘッドを備える場合のＶＧＡのゲインの測定結果を示すグラフである。
図１１では、調整対象のＨＤＤがＨｅａｄ０〜Ｈｅａｄ７の８個の磁気ヘッドを備えていた場合に、これらの各磁気ヘッドによりサーボ信号を読み取ったときのゲインＳｇａｉｎの測定値を示している。また、グラフＧＲＰ１は、ＤＦＨキャリブレーションの直前においてゲインＳｇａｉｎを測定して得られたものであり、グラフＧＲＰ２は、ＤＦＨキャリブレーションの直後においてゲインＳｇａｉｎを測定して得られたものである。なお、図１１の横軸は、ＨＤＤにおける信号読み取り対象のゾーンを示している。

この図１１において、８個の磁気ヘッドのうちＨｅａｄ２で示される磁気ヘッドのみが、ＤＦＨキャリブレーションの実行により塑性変形を起こしている。このとき、グラフＧＲＰ１とグラフＧＲＰ２とを比較すると、塑性変形が発生していない磁気ヘッドに対応するゲインＳｇａｉｎは、ＤＦＨキャリブレーションの前後でほとんど変化していない。これに対して、塑性変形が発生した磁気ヘッドに対応するゲインＳｇａｉｎは、ＤＦＨキャリブレーションの前後で大きく異なっていることがわかる。

上記の表１や図１１に示したように、加熱によって磁気ヘッド１０２に塑性変形が発生した場合、その発生の前後でＶＧＡ１１１のゲインに明らかな差が生じる。従って、この差分を利用することで、塑性変形の発生を確実に検出することができる。また、このような検出方法により、塑性変形の検出のためにＨＤＤの構成を大きく変化させる必要がなくなり、ＨＤＤの製造コストが抑制される。

なお、磁気ヘッド１０２に塑性変形が発生した場合、その磁気ヘッド１０２により信号を読み取ったときのＶＧＡ１１１のゲインは、塑性変形の前と比較して低くなる場合も、あるいは高くなる場合もある。例えば、塑性変形が生じたもののヘッド素子の劣化は生じなかった場合には、塑性変形によりヘッド素子の浮上量が小さくなることから、ＶＧＡ１１１のゲインは低くなる。しかし、塑性変形によってヘッド素子が劣化した場合には、磁気ディスク１０１からの信号読み取りが正常にできなくなるため、読み取られた信号のレベルが低下して、ＶＧＡ１１１のゲインは高くなる。上記の表１および図１１は、後者の場合の測定結果を示している。

このため、ＤＦＨキャリブレーションの前後に測定されたＶＧＡ１１１のゲインの差分を基に、塑性変形の発生の有無を判定する場合には、差分値がプラスの上限しきい値とマイナスの下限しきい値との間に含まれるか否かを判定することが望ましい。ただし、図８のステップＳ３３のように、各ゲインの差分絶対値Ｇｄｉｆを算出することで、ステップＳ３４のように、比較対象として１つのしきい値Ｇｔｈを用いて、塑性変形の発生の有無を判定することもできる。

また、上記の図８の処理では、ＶＧＡ１１１のゲインを測定する際に、磁気ディスク１０１から読み出した信号に基づくゲインが取得できなかった場合には、所定回数だけリトライするようにしている。さらに、ゲイン測定をリトライする際には、シリンダ数Ｃｙｌ１〜Ｃｙｌ３を変化させて、信号の読み取り位置を変化させるようにしている。

ＨＤＤ１００の磁気ディスク１０１では、例えば、その表面にゴミなどが一時的に付着している場合がある。このような場合、信号を読み出すシリンダを変えることで、信号を正常に読み出し、ＶＧＡ１１１のゲインを取得できることがある。従って、このようなリトライ動作を実行することにより、ＶＧＡ１１１のゲインをより確実に測定できるようになる。なお、このようなリトライ動作により、ステップＳ２１，Ｓ２９のそれぞれにおいて、互いに異なるシリンダから読み出された信号に基づくゲインが測定されることがあるが、その場合でも特に問題はない。

次に、図１２は、ＶＧＡゲイン測定処理におけるより具体的な処理手順を示すフローチャートである。なお、この図１２の処理手順は、基本的に、図８のステップＳ２１，Ｓ２９の両方で適用可能である。

［ステップＳ７１］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＨＤＤ１００に対して、ヒータ１０２ａへの供給電力を初期値に設定するように要求する。
［ステップＳ７２］ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１は、ＨＤＤ１００に対して、磁気ディスク１０１からの信号の読み取りを要求する。そして、ＶＧＡゲイン取得部２２２は、ＨＤＤ１００から、信号が読み取られた際のＶＧＡ１１１のゲインを取得する。

ここで、ＤＦＨキャリブレーション制御部２２１からＨＤＤ１００に対しては、信号の読み取りを要求するパラメータとして、測定周回数Ｃｎｔと、分割数Ｄｉｖとが指定される。測定周回数Ｃｎｔは、指定したシリンダから信号を読み取る回数を示す。分割数Ｄｉｖは、指定したシリンダの１周を複数の領域に分割した個数を示す。

ＨＤＤ１００では、分割数Ｄｉｖの分だけシリンダを分割した領域のそれぞれから信号が読み出され、各領域での信号読み出しのたびに、ＶＧＡ１１１のゲインが調整制御装置２００に送信される。さらに、このような動作が、測定周回数Ｃｎｔの分だけ繰り返される。従って、ＶＧＡゲイン取得部２２２は、“Ｄｉｖ×Ｃｎｔ”の数だけのゲインをＨＤＤ１００から取得する。

［ステップＳ７３］ＶＧＡゲイン取得部２２２は、ステップＳ７２で取得したゲインの平均値を算出し、ＲＡＭ２０２などに一時的に記録する。このとき記録されたゲイン値が、図８のステップＳ３３において利用されることになる。

ここで、図１３は、信号読み取り要求時のパラメータが異なる場合のゲイン測定結果の例を示すグラフである。
図１３のグラフは、Ｈｅａｄ０，Ｈｅａｄ１の２つの磁気ヘッドにより磁気ディスクから信号を読み取った場合に、上記のステップＳ７３で算出されたゲインの平均値を示したものである。この例では、Ｈｅａｄ０に対応する磁気ヘッドと比較して、Ｈｅａｄ１に対応する磁気ヘッドの方が特性が悪く、読み取った信号のレベルが低くなっている。また、図中のＣａｓｅ１〜Ｃａｓｅ４は、それぞれ前述の測定周回数Ｃｎｔおよび分割数Ｄｉｖの組み合わせが異なっている場合の測定結果を示している。

この図１３によれば、測定周回数Ｃｎｔおよび分割数Ｄｉｖの値を大きくするほど、それぞれの磁気ヘッドによる読み取り信号に基づくゲインの差が小さくなっている。このことは、シリンダを分割した各領域から信号を読み取るたびに測定されるゲインのばらつきが、測定周回数Ｃｎｔおよび分割数Ｄｉｖを大きくすることで均一化されることを示している。従って、図１２のステップＳ７２において、測定周回数Ｃｎｔおよび分割数Ｄｉｖを大きくすることで、ゲインの測定精度が向上し、結果的に磁気ヘッド１０２の塑性変形の検出精度が高くなる。

なお、以上の第２の実施の形態では、図８のステップＳ２５に対応するＤＦＨキャリブレーションの制御機能を、調整制御装置２００のＤＦＨ調整制御部２２０が備えるものとした。しかし、この制御機能をＨＤＤ１００自身が備えるようにしてもよい。この場合、ＨＤＤ１００では、例えば、メインＣＰＵ１１５が所定のファームウェアを実行することにより、ＨＤＤ１００の内部でＤＦＨキャリブレーションが自動的に実行される。また、調整制御装置２００は、ＤＦＨキャリブレーションの直前および直後において、ヒータ１０２ａへの供給電力を初期電力として信号を読み取った場合のＶＧＡ１１１のゲインをＨＤＤ１００から受信する。そして、受信した各ゲインを基に、変形判定部２２３での判定処理が行われる。なお、ＶＧＡ１１１のゲインを受信するための信号読み取りの動作は、調整制御装置２００からの要求に応じてＨＤＤ１００で実行されてもよい。

〔第３の実施の形態〕
上記の第２の実施の形態では、ＨＤＤの外部に接続された調整制御装置からの制御により、ＨＤＤでの各種調整動作が実行されていた。これに対して、以下で説明する第３の実施の形態では、上記の調整制御装置が備える調整動作の制御機能を、ＨＤＤ自体が備えるものとする。

図１４は、第３の実施の形態に係るＨＤＤの機能を示すブロック図である。なお、本実施の形態のＨＤＤは、図３に示した第２の実施の形態のＨＤＤと同様のハードウェア構成を有する。従って、図１４では、図３に対応する構成要素については同じ符号を付して示している。

図１４に示すＨＤＤ１００ａは、図６に示した調整工程を実行するための制御機能として、工程制御部１５０、ＤＦＨ調整制御部１６０およびサーボ調整制御部１７０を備えている。また、ＤＦＨ調整制御部１６０は、ＤＦＨキャリブレーション制御部１６１、ＶＧＡゲイン取得部１６２および変形判定部１６３を備えている。これらの各機能は、例えば、メインＣＰＵ１１５が、不揮発性メモリ１１５ａに記憶されたファームウェアを実行することにより実現される。

このＨＤＤ１００ａが備える工程制御部１５０、ＤＦＨ調整制御部１６０およびサーボ調整制御部１７０は、基本的に、図７に示した調整制御装置２００が備える工程制御部２１０、ＤＦＨ調整制御部２２０およびサーボ調整制御部２３０とそれぞれ同じ処理を実行する。また、ＤＦＨ調整制御部１６０が備えるＤＦＨキャリブレーション制御部１６１、ＶＧＡゲイン取得部１６２および変形判定部１６３も、基本的に、図７に示した調整制御装置２００が備えるＤＦＨキャリブレーション制御部２２１、ＶＧＡゲイン取得部２２２および変形判定部２２３とそれぞれ同じ処理を実行する。ただし、図７の場合と異なる点は、ＤＦＨ調整制御部１６０およびサーボ調整制御部１７０が、ＨＤＤ１００ａ内の各部、例えば、Ｒ／Ｗチャネル１１２、浮上制御部１１８、サーボ制御部１１６などを、直接的に制御する点である。

ＨＤＤ１００ａでは、上記の各制御機能により、第２の実施の形態の調整制御装置２００により実行されるものと同様な調整工程、すなわち、仮ＤＦＨ調整工程（図６のステップＳ１２に対応）、サーボ系調整工程（ステップＳ１３に対応）および本ＤＦＨ調整工程（ステップＳ１４に対応）が実行される。これにより、ＨＤＤ１００ａの内部構成を大きく変えることなく、磁気ヘッド１０２の塑性変形の有無を確実に判定することができる。

なお、図１４に示した機能のうち、例えば、工程制御部１５０による調整工程の実行順の制御機能は、ＨＤＤ１００ａの外部に接続された調整制御装置（例えば、ホスト装置）が備えていてもよい。この場合、例えば、上記の仮ＤＦＨ調整工程、サーボ系調整工程および本ＤＦＨ調整工程のそれぞれの実行が、調整制御装置からＨＤＤ１００ａのメインＣＰＵ１１５に対して要求される。また、それぞれの工程自体は、ＨＤＤ１００ａの内部の処理によって実現される。そして、工程が完了すると、調整制御装置に対して完了通知が送信され、完了通知を受信した調整制御装置は、次の工程の実行をＨＤＤ１００ａに対して要求する。

以上の各実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１） 磁気記憶装置が備える磁気ヘッド内のヒータに対して電力値０以上の初期電力が供給された第１のタイミングと、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力より高くされて、前記ヒータの熱により前記磁気ヘッド内のヘッド素子の周辺部が膨張し、前記磁気記憶装置が備える磁気ディスク側に前記ヘッド素子が突出した後、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻された第２のタイミングのそれぞれにおいて、前記磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を前記磁気記憶装置から取得する信号レベル取得部と、
前記第１のタイミングおよび前記第２のタイミングでそれぞれ取得された前記検出値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定する判定部と、
を有することを特徴とする磁気記憶装置の検査装置。

（付記２） 前記ヒータへの供給電力を前記初期電力より高くして、前記ヘッド素子を前記磁気ディスク面に接触させるヘッド接触動作を実行するように前記磁気記憶装置に要求するヘッド突出制御部をさらに有し、
前記信号レベル取得部は、前記第１のタイミングとして、前記ヘッド接触動作の開始前に前記ヒータに対して前記初期電力が供給されたタイミングに、前記検出値を前記磁気記憶装置から取得し、前記第２のタイミングとして、前記ヘッド接触動作の終了後に前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻されたタイミングに、前記検出値を前記磁気記憶装置から取得することを特徴とする付記１記載の磁気記憶装置の検査装置。

（付記３） 前記ヘッド突出制御部は、前記ヘッド素子を前記磁気ディスク面に接触させた状態から、前記ヒータへの供給電力を低下させて、通常の信号読み取り時に前記ヒータへ供給する一定電力値を検出する電力校正動作を前記磁気記憶装置に実行させ、
前記信号レベル取得部は、前記第２のタイミングとして、前記電力校正動作の終了後に前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻されたタイミングに、前記検出値を前記磁気記憶装置から取得することを特徴とする付記２記載の磁気記憶装置の検査装置。

（付記４） 前記磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルを一定に保持するように制御する信号レベル制御部をさらに有し、
前記検出値は、前記磁気ディスクから信号を読み出したときの当該信号に対する前記信号レベル制御部での増幅率を示す値であることを特徴とする付記１〜３のいずれか１つに記載の磁気記憶装置の検査装置。

（付記５） 前記検出値は、前記磁気ディスクから読み出したサーボ信号のレベルに応じた値であることを特徴とする付記１〜４のいずれか１つに記載の磁気記憶装置の検査装置。

（付記６） 前記検出値は、前記磁気ディスクに記録された、サーボ信号を除く記録データを読み出した際の信号レベルに応じた値であることを特徴とする付記１〜４のいずれか１つに記載の磁気記憶装置の検査装置。

（付記７） 前記信号レベル取得部は、前記第１のタイミングまたは前記第２のタイミングの少なくとも一方において、前記検出値を前記磁気記憶装置から正しく取得できなかった場合には、前記磁気ヘッドによる前記磁気ディスクからの信号読み出し位置を変化させて、前記検出値を前記磁気記憶装置から再度取得することを特徴とする付記１〜６のいずれか１つに記載の磁気記憶装置の検査装置。

（付記８） 前記信号レベル取得部は、前記磁気ディスクにおける同一シリンダ上の異なる位置から磁気ヘッドにより信号を読み出すように前記磁気記憶装置に要求し、前記異なる位置のそれぞれから読み出された信号に応じた前記検出値を取得して、取得した前記各検出値の平均値を算出し、
前記判定部は、前記第１のタイミングおよび前記第２のタイミングでそれぞれ算出された前記平均値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定することを特徴とする付記１〜７のいずれか１つに記載の磁気記憶装置の検査装置。

（付記９） 前記信号レベル取得部は、前記磁気ディスクにおける同一シリンダから前記磁気ヘッドにより複数周回分だけ信号を読み出すように前記磁気記憶装置に要求し、前記各周回においてそれぞれ読み出された信号に応じた前記検出値を取得して、取得した前記各検出値の平均値を算出し、
前記判定部は、前記第１のタイミングおよび前記第２のタイミングでそれぞれ算出された前記平均値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定することを特徴とする付記１〜８のいずれか１つに記載の磁気記憶装置の検査装置。

（付記１０） 磁気ヘッド内のヒータに対して電力値０以上の初期電力が供給された第１のタイミングと、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力より高くされて、前記ヒータの熱により前記磁気ヘッド内のヘッド素子の周辺部が膨張し、前記ヘッド素子が磁気ディスク側に突出した後、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻された第２のタイミングのそれぞれにおいて、前記磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を取得する信号レベル取得部と、
前記第１のタイミングおよび前記第２のタイミングでそれぞれ取得された前記検出値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定する判定部と、
を有することを特徴とする磁気記憶装置。

（付記１１） 前記ヒータへの供給電力を前記初期電力より高くして、前記ヘッド素子を前記磁気ディスク面に接触させるヘッド接触動作を制御するヘッド突出制御部をさらに有し、
前記第１のタイミングは、前記ヘッド接触動作の開始前に前記ヒータに対して前記初期電力が供給されたタイミングであり、
前記第２のタイミングは、前記ヘッド接触動作の終了後に前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻されたタイミングであることを特徴とする付記１０記載の磁気記憶装置。

（付記１２） 前記ヘッド突出制御部は、前記ヘッド素子を前記磁気ディスク面に接触させた状態から、前記ヒータへの供給電力を低下させて、通常の信号読み取り時に前記ヒータへ供給する一定電力値を検出する電力校正動作を制御し、
前記第２のタイミングは、前記電力校正動作の終了後に前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻されたタイミングであることを特徴とする付記１１記載の磁気記憶装置。

（付記１３） 前記磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルを一定に保持するように制御する信号レベル制御部をさらに有し、
前記検出値は、前記磁気ディスクから信号を読み出したときの当該信号に対する前記信号レベル制御部での増幅率を示す値であることを特徴とする付記１０〜１２のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（付記１４） 前記検出値は、前記磁気ディスクから読み出したサーボ信号のレベルに応じた値であることを特徴とする付記１０〜１３のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。
（付記１５） 前記検出値は、前記磁気ディスクに記録された、サーボ信号を除く記録データを読み出した際の信号レベルに応じた値であることを特徴とする付記１０〜１３のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（付記１６） 前記信号レベル取得部は、前記第１のタイミングまたは前記第２のタイミングの少なくとも一方において、前記検出値を正しく取得できなかった場合には、前記磁気ヘッドによる前記磁気ディスクからの信号読み出し位置を変化させて、前記検出値を再度取得することを特徴とする付記１０〜１５のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（付記１７） 前記信号レベル取得部は、前記磁気ディスクにおける同一シリンダ上の異なる位置から磁気ヘッドに信号を読み出させ、前記異なる位置のそれぞれから読み出された信号に応じた前記検出値を取得して、取得した前記各検出値の平均値を算出し、
前記判定部は、前記第１のタイミングおよび前記第２のタイミングでそれぞれ算出された前記平均値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定することを特徴とする付記１０〜１６のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（付記１８） 前記信号レベル取得部は、前記磁気ディスクにおける同一シリンダから前記磁気ヘッドに複数周回分だけ信号を読み出させ、前記各周回においてそれぞれ読み出された信号に応じた前記検出値を取得して、取得した前記各検出値の平均値を算出し、
前記判定部は、前記第１のタイミングおよび前記第２のタイミングでそれぞれ算出された前記平均値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定することを特徴とする付記１０〜１７のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（付記１９） 磁気記憶装置の組み立て工程と、
組み立てられた前記磁気記憶装置を検査する検査工程と、
を含み、
前記検査工程は、
前記磁気記憶装置が備える磁気ヘッド内のヒータに対して電力値０以上の初期電力が供給されたタイミングにおいて、信号レベル取得部が、前記磁気記憶装置が備える磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を取得する第１の工程と、
前記ヒータへの供給電力が前記初期電力より高くされて、前記ヒータの熱により前記磁気ヘッド内のヘッド素子の周辺部が膨張し、前記ヘッド素子が前記磁気ディスク側に突出した後、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻されたタイミングにおいて、前記信号レベル取得部が前記検出値を取得する第２の工程と、
判定部が、前記第１の工程および前記第２の工程でそれぞれ取得された前記検出値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定する第３の工程と、
を含むことを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。

第１の実施の形態に係るＨＤＤ検査システムの構成例を示す図である。 第２の実施の形態に係るＨＤＤ調整システムの構成例を示す図である。 ＨＤＤのハードウェア構成例を示す図である。 磁気ヘッドのヘッド素子周辺の断面図である。 調整制御装置のハードウェア構成例を示す図である。 ＨＤＤの製造工程を概略的に示すフローチャートである。 ＨＤＤに対する各種調整動作を実行するための機能を示すブロック図である。 ＤＦＨ調整工程の全体の処理手順を示すフローチャートである。 ＤＦＨキャリブレーションの処理手順を示すフローチャートである。 ヒータへの供給電力とＶＧＡのゲインとの関係を示すグラフの例である。 ＨＤＤが複数の磁気ヘッドを備える場合のＶＧＡのゲインの測定結果を示すグラフである。 ＶＧＡゲイン測定処理におけるより具体的な処理手順を示すフローチャートである。 信号読み取り要求時のパラメータが異なる場合のゲイン測定結果の例を示すグラフである。 第３の実施の形態に係るＨＤＤの機能を示すブロック図である。

符号の説明

１０ 検査装置
１１ 信号レベル取得部
１２ 判定部
１３ ヘッド突出制御部
２０ ＨＤＤ
２１ 磁気ディスク
２２ 磁気ヘッド
２３ ヒータ
２４ ヒータ制御部
２５ 信号レベル検出部

Claims (7)

1. 磁気記憶装置が備える磁気ヘッド内のヒータに対して電力値０以上の初期電力が供給された第１のタイミングと、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力より高くされて、前記ヒータの熱により前記磁気ヘッド内のヘッド素子の周辺部が膨張し、前記磁気記憶装置が備える磁気ディスク側に前記ヘッド素子が突出した後、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻された第２のタイミングのそれぞれにおいて、前記磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を前記磁気記憶装置から取得する信号レベル取得部と、
   前記第１のタイミングおよび前記第２のタイミングでそれぞれ取得された前記検出値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定する判定部と、
   を有することを特徴とする磁気記憶装置の検査装置。
2. 前記ヒータへの供給電力を前記初期電力より高くして、前記ヘッド素子を前記磁気ディスク面に接触させるヘッド接触動作を実行するように前記磁気記憶装置に要求するヘッド突出制御部をさらに有し、
   前記信号レベル取得部は、前記第１のタイミングとして、前記ヘッド接触動作の開始前に前記ヒータに対して前記初期電力が供給されたタイミングに、前記検出値を前記磁気記憶装置から取得し、前記第２のタイミングとして、前記ヘッド接触動作の終了後に前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻されたタイミングに、前記検出値を前記磁気記憶装置から取得することを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置の検査装置。
3. 前記ヘッド突出制御部は、前記ヘッド素子を前記磁気ディスク面に接触させた状態から、前記ヒータへの供給電力を低下させて、通常の信号読み取り時に前記ヒータへ供給する一定電力値を検出する電力校正動作を前記磁気記憶装置に実行させ、
   前記信号レベル取得部は、前記第２のタイミングとして、前記電力校正動作の終了後に前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻されたタイミングに、前記検出値を前記磁気記憶装置から取得することを特徴とする請求項２記載の磁気記憶装置の検査装置。
4. 前記磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルを一定に保持するように制御する信号レベル制御部をさらに有し、
   前記検出値は、前記磁気ディスクから信号を読み出したときの当該信号に対する前記信号レベル制御部での増幅率を示す値であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記憶装置の検査装置。
5. 前記信号レベル取得部は、前記第１のタイミングまたは前記第２のタイミングの少なくとも一方において、前記検出値を前記磁気記憶装置から正しく取得できなかった場合には、前記磁気ヘッドによる前記磁気ディスクからの信号読み出し位置を変化させて、前記検出値を前記磁気記憶装置から再度取得することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記憶装置の検査装置。
6. 磁気ヘッド内のヒータに対して電力値０以上の初期電力が供給された第１のタイミングと、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力より高くされて、前記ヒータの熱により前記磁気ヘッド内のヘッド素子の周辺部が膨張し、前記ヘッド素子が磁気ディスク側に突出した後、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻された第２のタイミングのそれぞれにおいて、前記磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を取得する信号レベル取得部と、
   前記第１のタイミングおよび前記第２のタイミングでそれぞれ取得された前記検出値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定する判定部と、
   を有することを特徴とする磁気記憶装置。
7. 磁気記憶装置の組み立て工程と、
   組み立てられた前記磁気記憶装置を検査する検査工程と、
   を含み、
   前記検査工程は、
   前記磁気記憶装置が備える磁気ヘッド内のヒータに対して電力値０以上の初期電力が供給されたタイミングにおいて、信号レベル取得部が、前記磁気記憶装置が備える磁気ディスクから前記磁気ヘッドを通じて読み出された信号のレベルに応じた検出値を取得する第１の工程と、
   前記ヒータへの供給電力が前記初期電力より高くされて、前記ヒータの熱により前記磁気ヘッド内のヘッド素子の周辺部が膨張し、前記ヘッド素子が前記磁気ディスク側に突出した後、前記ヒータへの供給電力が前記初期電力に戻されたタイミングにおいて、前記信号レベル取得部が前記検出値を取得する第２の工程と、
   判定部が、前記第１の工程および前記第２の工程でそれぞれ取得された前記検出値の差分を基に、前記ヘッド素子の周辺部に塑性変形が発生したか否かを判定する第３の工程と、
   を含むことを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。

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