JP4720704B2 - Power supply switching circuit - Google Patents
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Description
本発明は、主電源とバックアップ電源とを切り換えて負荷に供給する電源切換回路に関する。 The present invention relates to a power supply switching circuit that switches between a main power supply and a backup power supply and supplies them to a load.
近年普及している携帯電話機に代表される携帯機器は、通常、主電源によって動作するが、主電源の電圧が低下した場合においても、時計やカレンダーの計時機能を有するリアルタイムクロックや、データをバックアップするためのバックアップ用メモリ等は、動作を維持する必要がある。そのために、携帯機器には、主電源の他に、2次電池やコンデンサ等によるバックアップ電源が搭載されていて、主電源の電圧が低下して携帯機器が主機能を発揮できなくなった場合でも、リアルタイムクロック等は、バックアップ電源によって動作を継続することができる。 Mobile devices such as mobile phones, which have become popular in recent years, normally operate with the main power supply, but even when the main power supply voltage drops, the real-time clock with clock and calendar clocking functions and data backup Therefore, it is necessary to maintain the operation of the backup memory or the like. Therefore, in addition to the main power supply, the mobile device is equipped with a backup power supply such as a secondary battery or a capacitor, and even if the voltage of the main power supply drops and the mobile device cannot perform its main function, The real-time clock or the like can continue to operate with a backup power source.
携帯電話機におけるバックアップ電源としては、例えば、リチウムイオン電池に代表される2次電池が用いられる。また、そのような2次電池を充電するために、定電圧回路が携帯電話機に内蔵されている。2次電池においては、その寿命が長いことと、定電圧回路によって適切に充電が行われることが求められる。 As a backup power source in a cellular phone, for example, a secondary battery represented by a lithium ion battery is used. In addition, in order to charge such a secondary battery, a constant voltage circuit is built in the mobile phone. A secondary battery is required to have a long life and be appropriately charged by a constant voltage circuit.
一般に、主電源の電圧は常時監視されていて、例えば、主電源の電圧が所定の値より低下した場合に、リアルタイムクロック等を駆動するための電源が、主電源からバックアップ電源に切り換えられる。そのような電源の監視機能及び切換機能は、リアルタイムクロックの機能を内蔵したリアルタイムクロックモジュールに含まれている場合もある。 In general, the voltage of the main power supply is constantly monitored. For example, when the voltage of the main power supply drops below a predetermined value, the power supply for driving the real-time clock or the like is switched from the main power supply to the backup power supply. Such a power supply monitoring function and switching function may be included in a real-time clock module incorporating a real-time clock function.
上記のような電源の監視機能及び切換機能を実現するために、例えば、図5に示すような電源切換回路が考えられる。この電源切換回路は、主電源の電圧VCCと参照電圧VDETとを比較するコンパレータ703と、コンパレータ703の出力信号を反転するインバータ704と、主電源の電圧VCCが参照電圧VDETよりも大きいときに主電源の電圧VCCをリアルタイムクロック等の負荷に供給するPチャネルMOSトランジスタ701と、主電源の電圧VCCが参照電圧VDETよりも小さいときにバックアップ電源の電圧VBKを負荷に供給するPチャネルMOSトランジスタ702とを有している。負荷に供給される電圧は、VOUTとして示されている。
In order to realize the power supply monitoring function and the switching function as described above, for example, a power supply switching circuit as shown in FIG. 5 can be considered. The power switching circuit includes a
図6は、図5に示す電源切換回路における各電圧の変化を示す波形図である。図6に示すように、主電源の電圧VCCが参照電圧VDETよりも大きくなると、主電源の電圧VCCが負荷に供給され、主電源の電圧VCCが参照電圧VDETよりも小さくなると、バックアップ電源の電圧VBKが負荷に供給される。 FIG. 6 is a waveform diagram showing changes in voltages in the power supply switching circuit shown in FIG. As shown in FIG. 6, when the voltage V CC of the main power supply becomes larger than the reference voltage V DET , the voltage V CC of the main power supply is supplied to the load, and when the voltage V CC of the main power supply becomes smaller than the reference voltage V DET. The voltage V BK of the backup power supply is supplied to the load.
しかしながら、主電源の電圧VCCが参照電圧VDETより大きくても、バックアップ電源の電圧VBKが主電源の電圧VCCよりも高く、その差がトランジスタ702のしきい電圧を超える場合には、トランジスタ702がオフしなくなり、バックアップ電源から負荷に電流が流れて電池の電力を消耗してしまう。
However, even if the main power supply voltage V CC is greater than the reference voltage V DET , if the backup power supply voltage V BK is higher than the main power supply voltage V CC and the difference exceeds the threshold voltage of the
関連する技術として、下記の特許文献1には、メイン電源を負荷に供給するためのPチャネルMOSトランジスタを有し、メイン電源がオンとなったときに第1の制御信号に基づいて前記トランジスタをオンさせることによりメイン電源を負荷に供給し、メイン電源がオフとなったときに第1の制御信号に基づいて前記トランジスタをオフさせることによりサブ電源を負荷に供給する電源切換回路が開示されている。 As a related technique, the following Patent Document 1 has a P-channel MOS transistor for supplying main power to a load, and the transistor is controlled based on a first control signal when the main power is turned on. Disclosed is a power supply switching circuit for supplying a main power source to a load by turning on the power source and supplying a sub power source to the load by turning off the transistor based on a first control signal when the main power source is turned off. Yes.
この電源切換回路は、第1の制御信号に基づいて高電圧電源又は低電圧電源のレベルの第2の制御信号を出力することにより前記トランジスタをオン/オフさせる制御回路と、メイン電源の電圧とサブ電源の電圧とのレベル比較を行う比較回路と、比較回路の出力信号に基づいてメイン電源とサブ電源との内で電圧の高い方を高電圧電源として選択して制御回路に供給する選択回路とを含んでいる。この電源切換回路によれば、メイン電源を負荷に供給するためのPチャネルMOSトランジスタの誤動作を防止することができ、メイン電源とサブ電源とを確実に切り換えることができると記載されている。 The power supply switching circuit outputs a second control signal at a high voltage power supply level or a low voltage power supply level based on a first control signal to turn on / off the transistor, a voltage of the main power supply, A comparison circuit that performs level comparison with the voltage of the sub power supply, and a selection circuit that selects the higher voltage of the main power supply and the sub power supply as a high voltage power supply based on the output signal of the comparison circuit, and supplies the high voltage power supply to the control circuit Including. According to this power supply switching circuit, it is described that malfunction of a P-channel MOS transistor for supplying main power to a load can be prevented, and switching between main power and sub power can be performed reliably.
また、下記の特許文献2には、2つの入力端子に供給される2つの異なる電圧の内の一方を選択して負荷に供給する2つのMOSトランジスタの基板とそれぞれの入力端子との間にダイオードを形成し、かつ、該基板からコンパレータ等の制御回路に電源を供給するようにしたスイッチ回路が開示されている。このスイッチ回路によれば、外部からの信号に応じて2つのスイッチトランジスタを共にオフさせ、出力端子をフローティングにできると記載されている。 Patent Document 2 below discloses a diode between two MOS transistor substrates that select one of two different voltages supplied to two input terminals and supply the load to the load, and the respective input terminals. And a switch circuit in which power is supplied from the substrate to a control circuit such as a comparator. According to this switch circuit, it is described that both of the two switch transistors can be turned off in accordance with an external signal, and the output terminal can be floated.
しかしながら、特許文献1及び特許文献2のいずれにも、主電源の電圧と参照電圧との比較結果に基づいて主電源とバックアップ電源との内の一方を選択して負荷に接続する電源切換回路において、主電源の電圧がバックアップ電源の電圧よりも低下したときに、主電源を選択してもバックアップ電源から負荷に電流が流れてしまうという問題を解決することについては、特に記載されていない。
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、主電源の電圧と参照電圧との比較結果に基づいて主電源とバックアップ電源との内の一方を選択して負荷に接続する電源切換回路において、主電源の電圧がバックアップ電源の電圧よりも低下したときに、主電源を選択してもバックアップ電源から負荷に電流が流れないようにすることを目的とする。 Accordingly, in view of the above points, the present invention provides a mains switching circuit that selects one of a main power source and a backup power source based on a comparison result between a voltage of a main power source and a reference voltage and connects the load to a load. An object is to prevent a current from flowing from a backup power source to a load even when a main power source is selected when the voltage of the power source drops below the voltage of the backup power source.
上記課題を解決するため、本発明の1つの観点に係る電源切換回路は、主電源から供給される第1の電源電圧とバックアップ電源から供給される第2の電源電圧とを比較して、比較結果を表す論理信号を出力する第1の比較回路と、第1の比較回路から出力される論理信号のレベルを変換する第1のレベル変換回路と、第1の電源電圧と参照電圧とを比較して、比較結果を表す論理信号を出力する第2の比較回路と、第2の比較回路から出力される論理信号のレベルを変換する第2のレベル変換回路と、第1のレベル変換回路から出力される論理信号に基づいて、第1の電源電圧と第2の電源電圧との内の高い方を選択して、少なくとも第1及び第2のレベル変換回路に供給する選択回路と、第2のレベル変換回路から出力される論理信号に基づいて、第1の電源電圧と第2の電源電圧との内の一方を選択して出力すると共に、少なくとも第1及び第2の比較回路に供給する切換回路とを具備し、第1及び第2のレベル変換回路が、第1及び第2の比較回路から出力される論理信号のハイレベルの電位を、切換回路によって選択された電源電圧によって規定される値から選択回路によって選択された電源電圧によって規定される値にそれぞれ変換する。 In order to solve the above-described problem, a power supply switching circuit according to one aspect of the present invention compares a first power supply voltage supplied from a main power supply with a second power supply voltage supplied from a backup power supply, and compares them. A first comparison circuit that outputs a logic signal representing a result, a first level conversion circuit that converts the level of the logic signal output from the first comparison circuit, and a first power supply voltage and a reference voltage are compared. From the second comparison circuit that outputs a logic signal representing the comparison result, the second level conversion circuit that converts the level of the logic signal output from the second comparison circuit, and the first level conversion circuit A selection circuit that selects a higher one of the first power supply voltage and the second power supply voltage based on the output logic signal and supplies the selected one to at least the first and second level conversion circuits; the logic signal output from the level conversion circuit of Zui it, as well as one selected by the output of a first power source voltage and a second power supply voltage, comprising a switching circuit for supplying at least first and second comparator circuits, first and second The power supply voltage selected by the selection circuit from the value defined by the power supply voltage selected by the switching circuit by the level conversion circuit of the second level by the level conversion circuit of the logic signal output from the first and second comparison circuits Respectively converted to the values specified by .
ここで、選択回路が、該選択回路によって選択された電源電圧が供給されて動作し、第1のレベル変換回路から出力される論理信号を反転するインバータと、第1の電源電圧が供給されるソースと、選択回路の出力端子に接続されたドレイン及びバックゲートと、インバータと第1のレベル変換回路との内の一方から出力される論理信号が供給されるゲートとを有する第1のPチャネルMOSトランジスタと、第1のPチャネルMOSトランジスタのソースに接続されたアノードと、第1のPチャネルMOSトランジスタのバックゲートに接続されたカソードとを有する第1のダイオードと、第2の電源電圧が供給されるソースと、選択回路の出力端子に接続されたドレイン及びバックゲートと、インバータと第1のレベル変換回路との内の他方から出力される論理信号が供給されるゲートとを有する第2のPチャネルMOSトランジスタと、第2のPチャネルMOSトランジスタのソースに接続されたアノードと、第2のPチャネルMOSトランジスタのバックゲートに接続されたカソードとを有する第2のダイオードとを含むようにしても良い。 Here, the selection circuit operates by being supplied with the power supply voltage selected by the selection circuit, and is supplied with an inverter for inverting the logic signal output from the first level conversion circuit, and the first power supply voltage. A first P-channel having a source, a drain and a back gate connected to the output terminal of the selection circuit, and a gate to which a logic signal output from one of the inverter and the first level conversion circuit is supplied A first diode having a MOS transistor, an anode connected to the source of the first P-channel MOS transistor, a cathode connected to the back gate of the first P-channel MOS transistor, and a second power supply voltage a source supplied, a drain and a back gate connected to the output terminal of the selection circuit, an inverter and of the first level converting circuit A second P-channel MOS transistor having a gate to which a logic signal output from one side is supplied, an anode connected to a source of the second P-channel MOS transistor, and a back gate of the second P-channel MOS transistor And a second diode having a cathode connected to the terminal.
あるいは、切換回路が、選択回路によって選択された電源電圧が供給されて動作し、第2のレベル変換回路から出力される論理信号を反転するインバータと、第1の電源電圧が供給されるソースと、切換回路の出力端子に接続されたドレイン及びバックゲートと、インバータと第2のレベル変換回路との内の一方から出力される論理信号が供給されるゲートとを有する第1のPチャネルMOSトランジスタと、第1のPチャネルMOSトランジスタのソースに接続されたアノードと、第1のPチャネルMOSトランジスタのバックゲートに接続されたカソードとを有する第1のダイオードと、第2の電源電圧が供給されるソースと、インバータと第2のレベル変換回路との内の他方から出力される論理信号が供給されるゲートとを有する第2のPチャネルMOSトランジスタと、第2のPチャネルMOSトランジスタのドレインに接続されたアノードと、第2のPチャネルMOSトランジスタのバックゲートに接続されたカソードとを有する第2のダイオードと、第2のPチャネルMOSトランジスタのドレインに接続されたソースと、切換回路の出力端子に接続されたドレイン及びバックゲートと、インバータと第2のレベル変換回路との内の他方から出力される論理信号が供給されるゲートとを有する第3のPチャネルMOSトランジスタと、第3のPチャネルMOSトランジスタのソースに接続されたアノードと、第3のPチャネルMOSトランジスタのバックゲートに接続されたカソードとを有する第3のダイオードとを含むようにしても良い。 Alternatively, the switching circuit operates by being supplied with the power supply voltage selected by the selection circuit, and an inverter that inverts the logic signal output from the second level conversion circuit, and a source to which the first power supply voltage is supplied. A first P-channel MOS transistor having a drain and a back gate connected to the output terminal of the switching circuit, and a gate to which a logic signal output from one of the inverter and the second level conversion circuit is supplied A first diode having an anode connected to the source of the first P-channel MOS transistor, a cathode connected to the back gate of the first P-channel MOS transistor, and a second power supply voltage. and a source that, second and a gate of the logic signals outputted from the other of the inverter and the second level converter is supplied A second diode having a P-channel MOS transistor, an anode connected to the drain of the second P-channel MOS transistor, and a cathode connected to the back gate of the second P-channel MOS transistor; A logic signal output from the other one of the source connected to the drain of the channel MOS transistor, the drain and back gate connected to the output terminal of the switching circuit, and the inverter and the second level conversion circuit is supplied. A third P-channel MOS transistor having a gate; an anode connected to a source of the third P-channel MOS transistor; and a cathode connected to a back gate of the third P-channel MOS transistor. A diode may be included.
以上において、電源切換回路が、第2の電源電圧を生成するバックアップ用の充電池を充電するための定電圧回路であって、定電圧回路の出力電圧を分圧して帰還電圧を生成する分圧回路と、選択回路によって選択された電源電圧が供給されて動作し、第2の参照電圧と帰還電圧とに基づいて差動増幅を行うことにより出力電圧を生成する差動増幅回路とを含む定電圧回路をさらに具備するようにしても良い。 In the above, the power supply switching circuit is a constant voltage circuit for charging the backup rechargeable battery that generates the second power supply voltage, and divides the output voltage of the constant voltage circuit to generate the feedback voltage. And a differential amplifier circuit that operates by being supplied with the power supply voltage selected by the selection circuit and generates an output voltage by performing differential amplification based on the second reference voltage and the feedback voltage. A voltage circuit may be further provided.
本発明によれば、選択回路が、第1の検出回路から出力される論理信号に基づいて第1の電源電圧と第2の電源電圧との内の高い方を選択して少なくとも第1及び第2の検出回路に供給し、切換回路が、第2の検出回路から出力される論理信号に基づいて、第1の電源電圧と第2の電源電圧との内の一方を選択するようにしたので、主電源の電圧がバックアップ電源の電圧よりも低下したときに、主電源を選択してもバックアップ電源から負荷に電流が流れないようにすることができる。 According to the present invention, the selection circuit selects the higher one of the first power supply voltage and the second power supply voltage based on the logic signal output from the first detection circuit, and at least the first and second power supply voltages are selected. Since the switching circuit selects one of the first power supply voltage and the second power supply voltage based on the logic signal output from the second detection circuit. When the main power supply voltage drops below the backup power supply voltage, current can be prevented from flowing from the backup power supply to the load even if the main power supply is selected.
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係る電源切換回路を含む携帯電話機の構成を示すブロック図である。図1に示すように、携帯電話機10は、無線通信を行うための主機能回路100と、リアルタイムクロックとして動作するリアルタイムクロック回路200と、バックアップ用メモリ300と、電源切換回路400と、CPU500と、電源回路600とを含んでいる。また、携帯電話機10において用いられる電源として、主電源の他に、バックアップ電源が内蔵される。
The best mode for carrying out the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. The same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a mobile phone including a power supply switching circuit according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the
主機能回路100は、例えば、携帯電話機10の使用者がボタン操作等を行うために使用する入力回路と、ディスプレイ等の表示回路と、無線送受信を行う送受信回路と、データを格納するメモリとを含んでいる。
The
リアルタイムクロック回路200は、時刻又はカレンダー等の計時機能を備えていて、その計時機能に必要なクロック信号を生成するための水晶振動子を内蔵している。また、リアルタイムクロック回路200と電源切換回路400とを内蔵する半導体集積回路が作製され、汎用的なリアルタイムクロックモジュール200aとして用いられる場合もある。
The real-
バックアップ用メモリ300は、携帯電話機10がバックアップ動作を行うときに、データを格納するメモリであり、例えば、SRAM(Static Random Access Memory:スタティック・ランダム・アクセス・メモリ)で構成される。
The
電源切換回路400は、主電源から供給される電源電圧VCCを常時監視しており、電源電圧VCCが参照電圧VDETよりも低下したことを検出すると、リアルタイムクロック回路200及びバックアップ用メモリ300に供給される電源を、主電源からバックアップ電源(電源電圧VBK)に切り換える。図1においては、電源切換回路400から出力される電源電圧をVOUTとして示している。
The power
これにより、電源スイッチがオフされたり主電源の電圧VCCが低下したりして主機能回路100及びCPU500が動作しない場合であっても、リアルタイムクロック回路200及びバックアップ用メモリ300はバックアップ電源によって動作するので、計時機能やデータバックアップ機能が維持される。また、電源切換回路400は、バックアップ電源として用いられる2次電池を充電するために、定電圧VBATを出力する。
Accordingly, even when the
CPU500は、主機能回路100と、リアルタイムクロック回路200と、バックアップ用メモリ300と、定電圧回路440とを制御する。電源回路600は、例えば、シリーズレギュレータ等の安定化電源回路で構成され、主電源から供給される電源電圧VCCに基づいて、主機能回路100及びCPU500に必要な電源電圧を供給する。
The
電源切換回路400において、検出回路410は、主電源の電圧VCCとバックアップ電源の電圧VBKとを比較して、比較結果を表す第1の論理信号を出力すると共に、主電源の電圧VCCと参照電圧VDETとを比較して、比較結果を表す第2の論理信号を出力する。第1及び第2の論理信号において、ハイレベルの電位は、主電源の電圧VCCとバックアップ電源の電圧VBKとの内の高い方によって規定される。
In the power
選択回路420は、第1の論理信号に基づいて、主電源の電圧VCCとバックアップ電源の電圧VBKとの内の高い方を選択し、選択された電圧を電源電圧VCHとして出力する。電源電圧VCHは、検出回路410と、切換回路430と、定電圧回路440とに供給される。切換回路430は、第2の論理信号に基づいて、主電源の電圧VCCとバックアップ電源の電圧VBKとの内の一方を選択し、選択された電圧を電源電圧VOUTとして出力する。電源電圧VOUTは、リアルタイムクロック回路200及びバックアップ用メモリ300に供給される。
The
図2は、図1に示す電源切換回路の詳細な構成を示す回路図である。比較回路411とレベル変換回路412とによって第1の検出回路が構成され、比較回路413とレベル変換回路414とによって第2の検出回路が構成される。なお、図2においては、定電圧回路440は省略されている。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the power supply switching circuit shown in FIG. The
比較回路411及び413は、例えば、コンパレータで構成され、切換回路430から電源電圧VOUTが供給されて動作する。本実施形態においては、電源電位VSSが接地電位(0V)であるものとする。
The
比較回路411は、主電源の電圧VCCとバックアップ電源の電圧VBKとを比較して、比較結果を表す論理信号を出力する。また、比較回路413は、主電源の電圧VCCと参照電圧VDETとを比較して、比較結果を表す論理信号を出力する。参照電圧VDETは、外部回路において生成されても良いが、電源切換回路400の内部において、例えば、抵抗とツェナーダイオードを用いて生成されても良い。
The
レベル変換回路412及び414は、一般的なレベルシフタによって構成され、切換回路430から電源電圧VOUTが供給されると共に、選択回路420から電源電圧VCHが供給されて動作する。レベル変換回路412は、比較回路411から出力される論理信号のハイレベルの電位を、電源電圧VOUTによって規定される値から、電源電圧VCHによって規定される値に変換する。同様に、レベル変換回路414は、比較回路413から出力される論理信号のハイレベルの電位を、電源電圧VOUTによって規定される値から、電源電圧VCHによって規定される値に変換する。なお、比較回路411及び413に、選択回路420から出力される電源電圧VCHを供給しても良く、その場合には、レベル変換回路412及び414を省略できる。
選択回路420は、PチャネルMOSトランジスタ421及び422と、インバータ423とを含んでいる。主電源の電圧VCCが、トランジスタ422のソースに供給され、バックアップ電源の電圧VBKが、トランジスタ421のソースに供給される。また、レベル変換回路412から出力される論理信号が、トランジスタ421のゲートに供給され、インバータ423から出力される論理信号が、トランジスタ422のゲートに供給される。トランジスタ421のドレインとトランジスタ422のドレインは、ノードN1に共通接続されており、ノードN1から電源電圧VCHが取り出される。電源電圧VCHは、インバータ回路423と、レベル変換回路412及び414と、切換回路430におけるインバータ434と、定電圧回路440とに供給される。
また、トランジスタ421のバックゲート(例えば、Nウエルに相当する)がドレインに接続されており、トランジスタ421のソースをアノードとし、バックゲートをカソードとする寄生ダイオード424が形成されている。同様に、トランジスタ422のバックゲートがドレインに接続されており、トランジスタ422のソースをアノードとし、バックゲートをカソードとする寄生ダイオード425が形成されている。
In addition, a back gate (for example, corresponding to an N well) of the
切換回路430は、PチャネルMOSトランジスタ431〜433と、インバータ434とを含んでいる。主電源の電圧VCCが、トランジスタ433のソースに供給され、バックアップ電源の電圧VBKが、トランジスタ431のソースに供給される。また、レベル変換回路414から出力される論理信号が、トランジスタ431及び432のゲートに供給され、インバータ434から出力される論理信号が、トランジスタ433のゲートに供給される。トランジスタ431のドレインが、トランジスタ432のソースに接続され、さらに、トランジスタ432のドレインとトランジスタ433のドレインとが、ノードN2に共通接続されており、ノードN2から電源電圧VOUTが取り出される。電源電圧VOUTは、比較回路411及び413と、レベル変換回路412及び414と、外部のリアルタイムクロック回路200及びバックアップ用メモリ300とに供給される。
また、トランジスタ431のバックゲートがソースに接続されており、トランジスタ431のドレインをアノードとし、バックゲートをカソードとする寄生ダイオード435が形成されている。同様に、トランジスタ432のバックゲートがドレインに接続されており、トランジスタ432のソースをアノードとし、バックゲートをカソードとする寄生ダイオード436が形成されている。さらに、トランジスタ433のバックゲートがドレインに接続されており、トランジスタ433のソースをアノードとし、バックゲートをカソードとする寄生ダイオード437が形成されている。
A back gate of the
次に、図3を参照しながら、図2に示す電源切換回路400の動作について説明する。図3は、図2に示す電源切換回路における各電圧の変化を示す波形図である。図3においては、主電源の電圧VCCと、バックアップ電源の電圧VBKと、選択回路420において選択される電源電圧VCHと、切換回路430において選択される電源電圧VOUTとが示されている。
Next, the operation of the power
まず、期間T1において、電源スイッチがオンになって1次電池が電源切換回路400に接続され、主電源の電圧VCCが立ち上がると、ダイオード425及び437に電流が流れ、電源電圧VCH及びVOUTが立ち上がる。その結果、比較回路411及び413と、レベル変換回路412及び414と、インバータ423及び434とが、動作を開始する。
First, in period T1, when the power switch is turned on and the primary battery is connected to the power
比較回路411は、主電源の電圧VCCがバックアップ電源の電圧VBKよりも大きいので、ハイレベルの論理信号を出力する。さらに、レベル変換回路412が、ハイレベルの論理信号を選択回路420に供給する。選択回路420において、ハイレベルの論理信号がトランジスタ421のゲートに印加されて、トランジスタ421がオフとなり、インバータ423によってローレベルに反転された論理信号がトランジスタ422のゲートに印加されて、トランジスタ422がオンとなる。従って、電源電圧VCHが、主電源の電圧VCCと等しくなる。これにより、ダイオード425がカットオフする。
The
比較回路413は、主電源の電圧VCCが参照電圧VDETよりも大きいので、ハイレベルの論理信号を出力する。さらに、レベル変換回路414が、ハイレベルの論理信号を切換回路430に供給する。切換回路430において、ハイレベルの論理信号がトランジスタ431及び432のゲートに印加されて、トランジスタ431及び432がオフとなり、インバータ434によってローレベルに反転された論理信号がトランジスタ433のゲートに印加されて、トランジスタ433がオンとなる。従って、電源電圧VOUTが、主電源の電圧VCCと等しくなる。これにより、ダイオード437がカットオフする。
The
期間T2において、主電源の電圧VCCが電圧VCC1に達し、電源電圧VCH及びVOUTも電圧VCC1に達する。また、電源電圧VCHが定電圧回路440にも供給されるので、定電圧回路440が動作を開始し、バックアップ電源としての2次電池を充電する。その結果、バックアップ電源の電圧VBKが、0Vから電圧VBK1まで立ち上がる。本実施形態においては、主電源及びバックアップ電源が正常に立ち上がると、VCC1>VBK1となる。
In the period T2, the voltage V CC of the main power supply reaches the voltage V CC 1 and the power supply voltages V CH and V OUT also reach the voltage V CC 1. Further, since the power supply voltage V CH is also supplied to the
期間T2の経過後、主電源の電圧VCCが低下して、バックアップ電源の電圧VBKよりも小さくなる。これにより、比較回路411が、ローレベルの論理信号を出力し、レベル変換回路412が、ローレベルの論理信号を選択回路420に供給する。選択回路420において、ローレベルの論理信号がトランジスタ421のゲートに印加されて、トランジスタ421がオンとなり、インバータ423によってハイレベルに反転された論理信号がトランジスタ422のゲートに印加されて、トランジスタ422がオフとなる。従って、電源電圧VCHが、電圧VBK1と等しくなる。
After the elapse of the period T2, the voltage V CC of the main power supply decreases and becomes lower than the voltage V BK of the backup power supply. Accordingly, the
主電源の電圧VCCが参照電圧VDETよりも大きいときに、比較回路413は、依然としてハイレベル(VCC)の論理信号を出力し、さらに、レベル変換回路414が、論理信号のレベルをVCCからVBK1にシフトして、切換回路430に供給する。切換回路430において、ハイレベル(VBK1)の論理信号がトランジスタ431及び432のゲートに印加されて、トランジスタ431及び432がオフとなり、インバータ434によってローレベルに反転された論理信号がトランジスタ433のゲートに印加されて、トランジスタ433がオンとなる。従って、電源電圧VOUTは、電圧VCCのままである。
When the voltage V CC of the main power supply is larger than the reference voltage V DET , the
ここで、切換回路430のトランジスタ431は、ゲートに印加される電圧VBK1がソースに印加される電圧VBK1と等しいので、オフ条件を十分に満たすことができる。また、トランジスタ431とトランジスタ432とが直列に接続され、寄生ダイオード435と寄生ダイオード436とが逆向きに接続されているので、寄生ダイオードを介してバックアップ電源と出力端子(ノードN2)との間に流れる電流をも防止することができる。
Here, the
期間T3において、主電源の電圧VCCが参照電圧VDETよりも小さくなり、電圧VCC2まで低下する。比較回路413が、ローレベルの論理信号を出力し、レベル変換回路414が、ローレベルの論理信号を切換回路430に供給する。切換回路430において、ローレベルの論理信号がトランジスタ431及び432のゲートに印加されて、トランジスタ431及び432がオンとなり、インバータ434によってハイレベルに反転された論理信号がトランジスタ433のゲートに印加されて、トランジスタ433がオフとなる。従って、電源電圧VOUTは、電圧VBK1と等しくなる。
In the period T3, the voltage V CC of the main power supply becomes smaller than the reference voltage V DET and decreases to the voltage V CC 2. The
期間T4において、主電源の電圧VCCは再び上昇して電圧VCC1となっているが、バックアップ電源の電圧VBKが電圧VBK2まで低下する。比較回路411は、VCC1>VBK2であるので、ハイレベルの論理信号を出力する。これにより、選択回路420において、電源電圧VCHとして電圧VCC1が選択される。比較回路413は、VCC1>VDETであるので、ハイレベル信号を出力する。これにより、切換回路430において、電源電圧VOUTとして電圧VCC1が選択される。
In the period T4, the voltage V CC of the main power supply increases again to the voltage V CC 1, but the voltage V BK of the backup power supply decreases to the voltage V BK 2. The
期間T5において、主電源の電圧VCCが電圧VCC3まで低下し、電圧VBK2及び参照電圧VDETよりも小さくなる。比較回路411は、VCC3<VBK2であるので、ローレベルの論理信号を出力する。従って、選択回路420において、電源電圧VCHとして電圧VBK2が選択される。比較回路413は、VCC3<VDETであるので、ローレベルの論理信号を出力する。従って、切換回路430において、電源電圧VOUTとして電圧VBK2が選択される。
In the period T5, the voltage V CC of the main power source is lowered to a voltage V CC 3, it becomes smaller than the voltage V BK 2 and the reference voltage V DET. The
図4は、図1に示す定電圧回路の構成を示す回路図である。定電圧回路440は、PチャネルMOSトランジスタ441、442、447、及び、448と、NチャネルMOSトランジスタ443〜446及び449と、抵抗451〜453と、コンデンサ454とを含んでいる。ここで、トランジスタ448のバックゲートがソースに接続されており、ドレインをアノードとし、バックゲートをカソードとする寄生ダイオード450が形成されている。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of the constant voltage circuit shown in FIG.
トランジスタ441及び442はカレントミラー回路を構成し、トランジスタ443及び444は差動対を構成し、トランジスタ445は定電流源を構成して、それら全体として差動増幅回路を構成している。即ち、外部回路又は内部回路からトランジスタ443のゲートに供給される参照電圧VREFと、トランジスタ444のゲートに供給される帰還電圧との差が増幅され、トランジスタ441のドレインとトランジスタ443のドレインとの接続点における電圧が、トランジスタ448のゲートに出力される。
The
トランジスタ448のドレインから出力される電圧は、電流制限用の抵抗451を介して、定電圧VBATとして2次電池に供給される。また、トランジスタ448のドレインは、抵抗452の一端に接続され、抵抗452の他端が、抵抗453の一端に接続されている。抵抗452と抵抗453との接続点から取り出された帰還電圧が、トランジスタ444のゲートに印加される。また、位相補償用のコンデンサ454が、トランジスタ448のドレインとゲートとの間に挿入されている。
The voltage output from the drain of the
さらに、スイッチ用として、トランジスタ446がトランジスタ445と電源電位VSSとの間に接続され、トランジスタ449が抵抗453と電源電位VSSとの間に接続され、トランジスタ447がトランジスタ448のソースとゲートとの間に接続されている。これらのトランジスタは、外部から供給される制御信号CTLに従って、定電圧回路440の動作をオン/オフさせる。即ち、制御信号CTLがハイレベルに活性化されると、トランジスタ446及び449がオンとなり、トランジスタ447がオフとなって、定電圧回路440が動作し、一方、制御信号CTLがローレベルに非活性化されると、定電圧回路440の動作が停止する。
Furthermore, as the switch, the
ここで、選択回路420から出力される電源電圧VCHが、2次電池を充電するための定電圧回路440の電源電圧として用いられる。もし、図2に示す主電源の電圧VCCが定電圧回路440の電源電圧として用いられるならば、主電源の電圧VCCがバックアップ電源の電圧VBKよりも低下した場合に、バックアップ電源(2次電池)から寄生ダイオード450を介して主電源に電流が流れてしまい、2次電池が不必要な電力を消費してしまう。しかしながら、本実施形態によれば、定電圧回路440の電源電圧として、バックアップ電源の電圧VBKよりも低下することがない電源電圧VCHが用いられるので、2次電池から寄生ダイオード450を介する電流は流れない。従って、2次電池の不必要な電力消費を防止することができる。
Here, the power supply voltage V CH outputted from the
10 携帯電話機、 100 主機能回路、 200 リアルタイムクロック回路、 200a リアルタイムクロックモジュール、 300 バックアップ用メモリ、 400 電源切換回路、 410 検出回路、 411、413 比較回路、 412、414 レベル変換回路、 420 選択回路、 421、422、431〜433 PチャネルMOSトランジスタ、 423、434 インバータ、 424、425、435〜437、450 ダイオード、 430 切換回路、 440 定電圧回路、 441、442、447、448 PチャネルMOSトランジスタ、 443〜446、449 NチャネルMOSトランジスタ、 451〜453 抵抗、 454 コンデンサ、 500 CPU、 600 電源回路 10 mobile phone, 100 main function circuit, 200 real time clock circuit, 200a real time clock module, 300 backup memory, 400 power supply switching circuit, 410 detection circuit, 411, 413 comparison circuit, 412, 414 level conversion circuit, 420 selection circuit, 421, 422, 431-433 P channel MOS transistor, 423, 434 inverter, 424, 425, 435-437, 450 diode, 430 switching circuit, 440 constant voltage circuit, 441, 442, 447, 448 P channel MOS transistor, 443 446, 449 N channel MOS transistor, 451-453 resistance, 454 capacitor, 500 CPU, 600 power supply circuit
Claims (4)
前記第1の比較回路から出力される論理信号のレベルを変換する第1のレベル変換回路と、
第1の電源電圧と参照電圧とを比較して、比較結果を表す論理信号を出力する第2の比較回路と、
前記第2の比較回路から出力される論理信号のレベルを変換する第2のレベル変換回路と、
前記第1のレベル変換回路から出力される論理信号に基づいて、第1の電源電圧と第2の電源電圧との内の高い方を選択して、少なくとも前記第1及び第2のレベル変換回路に供給する選択回路と、
前記第2のレベル変換回路から出力される論理信号に基づいて、第1の電源電圧と第2の電源電圧との内の一方を選択して出力すると共に、少なくとも前記第1及び第2の比較回路に供給する切換回路と、
を具備し、前記第1及び第2のレベル変換回路が、前記第1及び第2の比較回路から出力される論理信号のハイレベルの電位を、前記切換回路によって選択された電源電圧によって規定される値から前記選択回路によって選択された電源電圧によって規定される値にそれぞれ変換する、電源切換回路。 A first comparison circuit for comparing a first power supply voltage supplied from a main power supply with a second power supply voltage supplied from a backup power supply and outputting a logic signal representing a comparison result;
A first level conversion circuit for converting the level of a logic signal output from the first comparison circuit;
A second comparison circuit that compares the first power supply voltage with the reference voltage and outputs a logic signal representing a comparison result;
A second level conversion circuit for converting the level of the logic signal output from the second comparison circuit;
Based on the logic signal output from the first level conversion circuit, the higher one of the first power supply voltage and the second power supply voltage is selected, and at least the first and second level conversion circuits are selected. A selection circuit to supply to,
Based on the logic signal output from the second level conversion circuit, one of the first power supply voltage and the second power supply voltage is selected and output , and at least the first and second comparisons are performed. A switching circuit for supplying to the circuit;
And the first and second level conversion circuits define a high level potential of the logic signal output from the first and second comparison circuits by a power supply voltage selected by the switching circuit. A power supply switching circuit for converting each value into a value defined by a power supply voltage selected by the selection circuit.
前記選択回路によって選択された電源電圧が供給されて動作し、前記第1のレベル変換回路から出力される論理信号を反転するインバータと、
第1の電源電圧が供給されるソースと、前記選択回路の出力端子に接続されたドレイン及びバックゲートと、前記インバータと前記第1のレベル変換回路との内の一方から出力される論理信号が供給されるゲートとを有する第1のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第1のPチャネルMOSトランジスタのソースに接続されたアノードと、前記第1のPチャネルMOSトランジスタのバックゲートに接続されたカソードとを有する第1のダイオードと、
第2の電源電圧が供給されるソースと、前記選択回路の出力端子に接続されたドレイン及びバックゲートと、前記インバータと前記第1のレベル変換回路との内の他方から出力される論理信号が供給されるゲートとを有する第2のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第2のPチャネルMOSトランジスタのソースに接続されたアノードと、前記第2のPチャネルMOSトランジスタのバックゲートに接続されたカソードとを有する第2のダイオードと、
を含む、請求項1記載の電源切換回路。 The selection circuit comprises:
An inverter that operates by being supplied with a power supply voltage selected by the selection circuit and inverts a logic signal output from the first level conversion circuit;
A logic signal output from one of a source to which a first power supply voltage is supplied, a drain and a back gate connected to the output terminal of the selection circuit, the inverter and the first level conversion circuit A first P-channel MOS transistor having a gate supplied thereto;
A first diode having an anode connected to a source of the first P-channel MOS transistor and a cathode connected to a back gate of the first P-channel MOS transistor;
A logic signal output from the other of the source to which the second power supply voltage is supplied, the drain and back gate connected to the output terminal of the selection circuit, the inverter and the first level conversion circuit is provided. A second P-channel MOS transistor having a gate supplied thereto;
A second diode having an anode connected to a source of the second P-channel MOS transistor and a cathode connected to a back gate of the second P-channel MOS transistor;
Including, power supply switching circuit according to claim 1 Symbol placement.
前記選択回路によって選択された電源電圧が供給されて動作し、前記第2のレベル変換回路から出力される論理信号を反転するインバータと、
第1の電源電圧が供給されるソースと、前記切換回路の出力端子に接続されたドレイン及びバックゲートと、前記インバータと前記第2のレベル変換回路との内の一方から出力される論理信号が供給されるゲートとを有する第1のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第1のPチャネルMOSトランジスタのソースに接続されたアノードと、前記第1のPチャネルMOSトランジスタのバックゲートに接続されたカソードとを有する第1のダイオードと、
第2の電源電圧が供給されるソースと、前記インバータと前記第2のレベル変換回路との内の他方から出力される論理信号が供給されるゲートとを有する第2のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第2のPチャネルMOSトランジスタのドレインに接続されたアノードと、前記第2のPチャネルMOSトランジスタのバックゲートに接続されたカソードとを有する第2のダイオードと、
前記第2のPチャネルMOSトランジスタのドレインに接続されたソースと、前記切換回路の出力端子に接続されたドレイン及びバックゲートと、前記インバータと前記第2のレベル変換回路との内の他方から出力される論理信号が供給されるゲートとを有する第3のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第3のPチャネルMOSトランジスタのソースに接続されたアノードと、前記第3のPチャネルMOSトランジスタのバックゲートに接続されたカソードとを有する第3のダイオードと、
を含む、請求項1又は2記載の電源切換回路。 The switching circuit is
An inverter that operates by being supplied with a power supply voltage selected by the selection circuit and inverts a logic signal output from the second level conversion circuit;
A logic signal output from one of a source to which a first power supply voltage is supplied, a drain and a back gate connected to the output terminal of the switching circuit, the inverter and the second level conversion circuit is provided. A first P-channel MOS transistor having a gate supplied thereto;
A first diode having an anode connected to a source of the first P-channel MOS transistor and a cathode connected to a back gate of the first P-channel MOS transistor;
A second P-channel MOS transistor having a source to which a second power supply voltage is supplied, and a gate to which a logic signal output from the other of the inverter and the second level conversion circuit is supplied;
A second diode having an anode connected to the drain of the second P-channel MOS transistor and a cathode connected to the back gate of the second P-channel MOS transistor;
Output from the other of the source connected to the drain of the second P-channel MOS transistor, the drain and back gate connected to the output terminal of the switching circuit, the inverter and the second level conversion circuit A third P-channel MOS transistor having a gate to which a logic signal to be supplied is supplied;
A third diode having an anode connected to a source of the third P-channel MOS transistor and a cathode connected to a back gate of the third P-channel MOS transistor;
The power supply switching circuit according to claim 1, comprising:
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