JP4712091B2 - 誘導加熱により材料を変形させる装置 - Google Patents
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Description
本発明は、工具類の費用削減も目的とする。
−相互に対して移動可能であり、導電性材料から作成され、それぞれが変形される材料と接触するように設計された成形ゾーンを含む2つの金型ケーシングと、
−金型のケーシングを囲む周波数Fの磁界を生成する誘導手段と、を備え
−2つの金型ケーシングの少なくとも一方の面が、成形ゾーンを除いて誘導手段に面するように配置され、磁界が金型ケーシングに透過するのを防止する非磁気材料で作成された遮蔽層で被覆され、
金型ケーシングが、成形段階中に相互から電気的に絶縁され、したがって2つの金型ケーシングの面が、各金型ケーシングの成形ゾーンの表面に電流を誘導する磁界が流れるエアギャップを仕切り、したがって成形ゾーンと変形される材料との境界面で加熱を局所化する装置に関する。
1つの実施形態によると、遮蔽層の厚さeは少なくとも
e=50*(ρ/F)1/2
に等しく、
ρは非磁気材料の抵抗率、Fは磁界の周波数である。
装置が効率的に作業できるために、遮蔽層は磁界の透過深さ(スキン層の厚さ)より厚くなければならない。したがって、磁界が金型ケーシングに到達して、成形ゾーン以外の場所でそれを加熱することが防止される。
e=50*(ρ/F.μr)1/2
ここでρは磁界以外の抵抗率であり、μrは材料の比誘磁率、Fは誘導電流の周波数である。非磁気材料の場合はμr=1となり、式はe=50*(ρ/F)1/2となる。磁気遮蔽が効果的であるために、非磁気材料の層の厚さは、上述した周波数が25KHzから100KHzの範囲である状態で、スキン層の厚さより大きくなければならず、スキン層の厚さは1ミリメートル未満である。
したがって、このように実現される製造方法は、主に次の4つの段階を含む。
−処理される部品の1つまたは複数の材料を、装置の下部金型ケーシングに配置する。
−2つの成形ゾーンを加熱し、2つの成形ゾーン間の材料に所与の期間だけ加圧する。
−部品を冷却するために、金型ケーシングの冷却を実行する。
−上部金型ケーシングを上昇させ、部品を排出/除去する。
Claims (15)
- 特に熱可塑性基質複合材料または熱硬化性材料を、特に成形によって加熱変形させる装置であって、
相互に対して移動可能であり、導電性材料から作成され、変形される材料と接触するように設計された成形ゾーン(12、22)を含む2つの金型ケーシング(10、20)と、
前記金型の前記ケーシングを囲む周波数Fの磁界を生成する誘導手段(30)と、を備え
前記2つの金型ケーシング(10、20)の少なくとも一方の面が、前記成形ゾーンを除いて誘導手段に面するように配置され、前記磁界が前記金型ケーシング(10、20)に透過するのを防止する非磁気材料で作成された遮蔽層(14、24)で被覆され、
前記金型ケーシングが、前記成形段階中に相互から電気的に絶縁され、したがって前記2つの金型ケーシングの前記面が、各金型ケーシング(10、20)の前記成形ゾーン(12、22)の表面に電流を誘導する前記磁界が流れるエアギャップ(42)を仕切り、したがって前記成形ゾーンと前記変形される材料との境界面で前記加熱を局所化する装置。 - 前記2つの金型ケーシング(10、20)が遮蔽層(14、24)で被覆される、請求項1に記載の装置。
- 前記金型ケーシング(10、20)が、好ましくは高い比誘磁率および抵抗率を有する磁気化合物、例えばニッケル鋼、クロム鋼および/またはチタン鋼を備える、請求項2に記載の装置。
- 一方の金型ケーシング(72)のみが遮蔽層で被覆され、他方の金型ケーシング(70)は、好ましくは抵抗率が低い非磁気材料、例えばアルミニウムを備える、請求項1に記載の装置。
- 遮蔽層で被覆された前記金型ケーシングが、好ましくは高い比誘磁率および抵抗率を有する磁気化合物、例えばニッケル鋼、クロム鋼および/またはチタン鋼を備える、請求項4に記載の装置。
- 前記遮蔽層(14、24)は、前記2つの金型ケーシングの前記2つの相互に対面する面の少なくとも一方の、成形ゾーンを構成しない部分とも重なる、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記遮蔽ゾーンは、前記磁気金型ケーシングに取り付けられた薄板金も備え、この薄板金が例えばはんだ付けまたはねじ込まれる、請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記遮蔽層(14、24)は材料の析出物、特に電解析出物を備える、請求項1から7のいずれか一項に記載の装置。
- 前記遮蔽層の厚さeが少なくとも
e=50*(ρ/F)1/2
に等しく、
ρが非磁気材料の抵抗率、Fが磁界の周波数である、前記請求項1から8のいずれか一項に記載の装置。 - 前記周波数Fが少なくとも25KHzに等しく、好ましくはせいぜい100KHzに等しい、前記請求項1から9に記載の装置。
- 前記遮蔽層(14、24)は電気抵抗が低い非磁気材料、例えば銅またはアルミニウムを備える、前記請求項1から10のいずれか一項に記載の装置。
- 電気絶縁層が少なくとも1つの金型ケーシングの前記成形ゾーンに適用されて、特に前記変形される材料が導電性の場合に、前記金型ケーシング間の電気絶縁を改善する、前記請求項1から11のいずれか一項に記載の装置。
- 前記誘導手段(30)が2つの部品(32、34)を備え、それぞれ1つが前記金型ケーシングの一方と固定状態で接合し、前記個々の金型ケーシングとともにシフト可能である、前記請求項1から12のいずれか一項に記載の装置。
- 前記変形段階中に一方の金型ケーシング(10、20)が他方に対して相対的にシフトする間に、接触の維持を可能にする少なくとも1つの電気接触器(36)によって、前記誘導手段の前記2つの部品(32、34)が電気的に接続される、請求項13に記載の装置。
- 前記請求項1から14のいずれか一項に記載の装置を使用して、特に大きいバッチで部品を製造する方法であって、
処理される前記部品の1つまたは複数の前記材料を前記装置の下方金型ケーシング(10)に配置するステップと、
前記2つの成形ゾーン(12、22)を加熱するステップと、前記2つの成形ゾーン間で所与の期間だけ前記材料(40)に加圧するステップとを含む方法。
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