JP4706081B2 - Etching agent and etching method for copper or copper alloy - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅または銅合金(以下、単に銅という)の表面を平滑にエッチングしうるエッチング剤ならびにエッチング法に関する。
【0002】
【従来の技術】
平滑な銅表面を形成しうるエッチング剤として、例えば特公平58−21028号公報には、シュウ酸塩、過酸化水素、アミン類およびベンゾトリアゾールを含有する酸性水溶液が開示されている。また、米国特許第5630950号明細書には、硫酸、過酸化水素および過酸化水素安定剤を含有する酸性水溶液が開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特公平58−21028号公報のエッチング剤には、処理を50℃程度の高温で行なわなければならない、難溶性の銅錯体が析出しやすいなどの問題がある。また米国特許第5630950号のエッチング剤には、硫酸濃度や過酸化水素濃度を狭い範囲で管理しなければならない、過酸化水素濃度が高いために突沸しやすいなどの問題がある。
【0004】
したがって、本発明は、従来技術の欠点を克服し、穏和な条件で銅表面を平滑にするためのエッチング剤及び前記表面を平滑にするエッチング法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題を解決するべく鋭意検討を重ねた結果、銅表面を、モノエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、2−(2−ヒドロキシ)エトキシエタノールアミン、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−ブチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ヒドロキシエチルピペラジンおよびアンモニア水溶液からなる群より選ばれた少なくとも1種、酸化剤、アンモニウム塩およびアゾール化合物を混合した水溶液と接触させると、銅表面を平滑にできることを見出した。
【0006】
即ち、本発明は下記の構成により達成される。
(1)モノエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、2−(2−ヒドロキシ)エトキシエタノールアミン、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−ブチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ヒドロキシエチルピペラジンおよびアンモニア水溶液からなる群より選ばれた少なくとも1種を1〜40重量%、塩素酸、塩素酸塩、亜塩素酸、亜塩素酸塩、次亜塩素酸および次亜塩素酸塩からなる群より選ばれた少なくとも1種の酸化剤を1〜15重量%、アンモニウム塩を1〜10重量%ならびにアゾール化合物を0.1〜2重量%の濃度で混合した水溶液からなる銅または銅合金の表面を平滑にするためのエッチング剤、ならびに
(2)銅または銅合金の表面に、モノエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、2−(2−ヒドロキシ)エトキシエタノールアミン、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−ブチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ヒドロキシエチルピペラジンおよびアンモニア水溶液からなる群より選ばれた少なくとも1種を1〜40重量%、塩素酸、塩素酸塩、亜塩素酸、亜塩素酸塩、次亜塩素酸および次亜塩素酸塩からなる群より選ばれた少なくとも1種の酸化剤を1〜15重量%、アンモニウム塩を1〜10重量%ならびにアゾール化合物を0.1〜2重量%の濃度で混合した水溶液を接触させ、前記表面を平滑にするエッチング法
に関する。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明について詳細に記載する。本発明では、液をアルカリ性に保って酸化剤の分解を抑制し、また液中で銅を保持するための成分が用いられており、その具体例としては、例えばモノエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、2−(2−ヒドロキシ)エトキシエタノールアミン、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−ブチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ヒドロキシエチルピペラジン、アンモニア水溶液があげられる。前記成分のうちでは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどの炭素原子数8以下のアルカノールアミンやアンモニア水溶液などが、銅を保持する能力が高く、また入手しやすく安価なので好ましい。前記成分は2種以上を併用してもよい。
【0008】
エッチング剤中の前記成分の濃度は1〜40%(重量%、以下同様)が好ましく、5〜30%がさらに好ましい。前記濃度が1〜40%の場合、エッチング液が溶解しうる銅の量が多く、また酸化剤が分解にくく、更にコスト面から見ても良好である。
【0009】
本発明に用いられる酸化剤は、銅を酸化して液中への溶解を促進するための成分であり、その具体例としては、例えば塩素酸、塩素酸塩(ナトリウム塩、カリウム塩など)、亜塩素酸、亜塩素酸塩(ナトリウム塩、カリウム塩など)、次亜塩素酸、次亜塩素酸塩(ナトリウム塩、カリウム塩など)があげられる。前記酸化剤のうちでは、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩などの塩類が液中での安定性が高いという点から好ましい。前記酸化剤は2種以上を併用してもよい。
【0010】
エッチング剤中の酸化剤の濃度は1〜15%が好ましく、5〜10%がさらに好ましい。
前記濃度が1〜15%の場合、エッチング速度が速く、また、酸化剤自体が分解しにくく、更にコスト面から見ても良好である。
【0011】
本発明に用いられるアンモニウム塩は、液中にアンモニウムイオンを供給することにより銅の溶解を促進する成分であり、その具体例としては、例えば、塩化アンモニウム、シュウ化アンモニウム、硫酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、スルファミン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、リン酸1アンモニウム、リン酸2アンモニウム、リン酸3アンモニウム、クエン酸アンモニウム、クエン酸2アンモニウム、アジピン酸アンモニウム、乳酸アンモニウムなどがあげられる。
前記アンモニウム塩のうちでは、塩化アンモニウム、シュウ化アンモニウム、硫酸アンモニウム、リン酸1アンモニウム、リン酸2アンモニウム、リン酸3アンモニウム、クエン酸アンモニウムなどが、酸化剤との反応性が低く、液の安全性が高くなるという点から好ましい。前記アンモニウム塩は2種以上を併用してもよい。
【0012】
エッチング剤中のアンモニウム塩の濃度は1〜10%が好ましく、2〜6%がさらに好ましい。前記濃度が1〜10%の場合、エッチング速度が速すぎず、遅すぎず適切となり、そのためむらが生じにくく、平滑な銅表面が得られやすくなる。
【0013】
本発明に用いられるアゾール化合物は、垂直方向の銅の溶解を抑制し、水平方向の銅の溶解を促進する成分であり、その具体例としては、例えばイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、1−ビニルイミダゾール、ベンゾイミダゾール、2−ブチルベンゾイミダゾール、2−フェニルエチルベンゾイミダゾール、2−アミノベンゾイミダゾール、2−メルカプトベンゾイミダゾールなどのイミダゾール類、1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾールなどのトリアゾール類、テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾールなどのテトラゾール類、ピラゾール、ベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールなどがあげられる。
前記アゾール化合物のうちでは、イミダゾール、1−ビニルイミダゾール、1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾールなどの芳香族置換基を有しないアゾール化合物が、液中に溶解させやすく、銅表面を平滑にする効果が優れているので好ましい。
前記アゾール化合物は2種以上を併用してもよい。
【0014】
エッチング剤中のアゾール化合物の濃度は0.1〜2%が好ましく、0.4〜1.2%がさらに好ましい。前記濃度が0.1〜2%の場合、平滑な銅表面が得られやすくなる。
【0015】
本発明のエッチング剤はアルカリ性であり、pHは通常10〜12の範囲である。
本発明のエッチング剤には、さらに種々の添加剤を配合してもよく、例えばより均一なエッチングを行なうために界面活性剤を配合してもよい。
【0016】
本発明のエッチング剤は、前記の各成分を水に溶解させることにより容易に調整することができる。前記水としては、イオン交換水などのイオン性物質や不純物を除去した水が好ましい。
【0017】
本発明のエッチング剤によって処理される銅表面には特に限定はなく、例えば銅箔、無電解銅めっき膜、電解銅めっき膜、銅スパッタリング膜などの表面であってもよい。前記銅表面は、水酸化ナトリウム水溶液などによるアルカリ洗浄、または硫酸や塩酸による酸洗浄を行った清浄な表面であることが好ましい。
【0018】
本発明のエッチング剤を銅表面に接触させる方法としては、例えばスプレー法、シャワー法、浸漬法などが用いられ、その後、水洗、乾燥させればよい。
エッチング剤と銅表面とを接触させる際の条件にとくに限定はないが、通常エッチング剤の温度は20〜30℃が好ましく、接触時間は30〜120秒間が好ましい。
【0019】
また、エッチング量(エッチング深さ)の好ましい範囲は、銅表面の表面状態や目的の平滑度によって異なるが、通常1〜4μmである。
本発明のエッチング剤により銅表面をエッチングすると、エッチングの進行に伴って銅表面の平滑度が高まる。したがって、被処理面の凹凸が大きい場合や平滑度の高い表面を得たい場合には、エッチング量(エッチング深さ)を大きくとればよい。
【0020】
以上のように、銅表面を本発明のエッチング剤でエッチングすることにより銅表面が平滑にエッチングされる。本発明のエッチング剤は、例えばニッケルめっき、金めっき、銀めっき、スズめっきなどの金属めっきの前処理などに有用であり、金属めっきの平滑性を高めることができる。また、プリント配線板の銅回路パターンなどをフォトエッチング法で形成する際のフォトレジスト貼付の前処理などにも有用である。
【0021】
【実施例】
実施例1〜6および比較例1〜2
表1に示す成分を混合してエッチング剤を調製した。
次に、プリント配線板用銅張り積層板を5%の塩酸水溶液に15秒間浸漬したのち、水洗、乾燥し、銅表面を清浄にした。次に表1に示されるエッチング剤を25℃で30秒間スプレーして2μmエッチングし、水洗、乾燥させた。なお、エッチング量は、溶解した銅の重量と表面積と比重とから算出した値である。
処理後の銅表面の平滑性を光沢度により評価した。
光沢度は、JIS Z 8741に従い、日本電色工業(株)製のハンディー光沢度計PG−1Mを用いて20度鏡面光沢を測定した。結果を表1に示す。
【0022】
比較例1
実施例1と同様にエッング剤を調製してエッチングしたが、銅表面はほとんどエッチングされなかった。えられた表面の光沢度を表1に示す。
【0023】
比較例2
実施例1と同様にエッング剤を調製して銅表面をエッチングした。えられた表面の光沢度を表1に示す。
【0024】
【表1】
【0025】
表1に示されるように、本発明のエッチング剤を用いることにより、銅表面を76.6以上の光沢度を有する平滑な表面にエッチングすることができた。
【0026】
【発明の効果】
本発明により、穏和な条件で銅表面を平滑にするためのエッチング剤及び前記表面を平滑にするエッチング法を提供することができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an etching agent and an etching method capable of smoothly etching the surface of copper or a copper alloy (hereinafter simply referred to as copper).
[0002]
[Prior art]
As an etchant that can form a smooth copper surface, for example, Japanese Patent Publication No. 58-21028 discloses an acidic aqueous solution containing oxalate, hydrogen peroxide, amines, and benzotriazole. US Pat. No. 5,630,950 discloses an acidic aqueous solution containing sulfuric acid, hydrogen peroxide and a hydrogen peroxide stabilizer.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, the etching agent disclosed in Japanese Examined Patent Publication No. 58-21028 has a problem that the treatment must be performed at a high temperature of about 50 ° C. and a hardly soluble copper complex is likely to be deposited. In addition, the etching agent of US Pat. No. 5,630,950 has problems that the sulfuric acid concentration and the hydrogen peroxide concentration must be controlled in a narrow range, and that the hydrogen peroxide concentration is high, so that it is easily bumped.
[0004]
Accordingly, an object of the present invention is to overcome the drawbacks of the prior art and provide an etching agent for smoothing the copper surface under mild conditions and an etching method for smoothing the surface.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have determined that the copper surface is monoethanolamine, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N-butylethanolamine, N, N-dimethyl. Ethanolamine, N, N-diethylethanolamine, 2- (2-hydroxy) ethoxyethanolamine, diethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-butyldiethanolamine, triethanolamine, propanolamine, isopropanolamine, hydroxyethylpiperazine and aqueous ammonia It has been found that the copper surface can be smoothed when brought into contact with an aqueous solution in which at least one selected from the group consisting of oxidant, ammonium salt and azole compound is mixed .
[0006]
That is, the present invention is achieved by the following configuration.
(1) Monoethanolamine, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N-butylethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, 2- (2-hydroxy) ethoxyethanol 1 to 40% by weight of at least one selected from the group consisting of amine, diethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-butyldiethanolamine, triethanolamine, propanolamine, isopropanolamine, hydroxyethylpiperazine and aqueous ammonia, chloric acid, chlorate, chlorite, chlorite, at least one oxidizing agent selected from the group consisting of hypochlorite Contact and hypochlorite 1-15 wt%, ammonium salt 10 % By weight and 0.1% azole compound Etching agent for the smoothing surface of the copper or copper alloy comprising an aqueous solution of a mixture at a concentration of 2 wt%, and (2) on the surface of copper or a copper alloy, monoethanolamine, N- methylethanolamine, N- Ethylethanolamine, N-butylethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, 2- (2-hydroxy) ethoxyethanolamine, diethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-butyldiethanolamine, tri 1 to 40% by weight of at least one selected from the group consisting of ethanolamine, propanolamine, isopropanolamine, hydroxyethylpiperazine, and aqueous ammonia, chloric acid, chlorate, chlorous acid, chlorite, hypochlorous acid chlorate you and hypochlorous acid Contacting at least one oxidizing agent selected from the group consisting of 1 to 15% by weight, an ammonium salt in an amount of 1 to 10% by weight and an azole compound in a concentration of 0.1 to 2% by weight, The present invention relates to an etching method for smoothing the surface.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention is described in detail below. In this onset bright, liquid kept alkaline suppress decomposition of the oxidizing agent, also Ri Contact with components used to hold the copper in the liquid, Specific examples thereof include monoethanolamine, N- methylethanolamine, N- ethyl ethanolamine, N- butyl ethanolamine, N, N- dimethylethanolamine, N, N- diethylethanolamine, 2- (2-hydroxy) ethoxy ethanol Amin, diethanolamine, N- methyldiethanolamine , N- butyl diethanolamine down, triethanolamine, propanolamine, isopropanolamine, hydroxyethyl piperazino emissions, aqueous ammonia and the like. Among the above components , alkanolamines having 8 or less carbon atoms such as monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine, and aqueous ammonia are preferable because they have a high ability to retain copper and are easily available and inexpensive. Two or more of these components may be used in combination.
[0008]
The concentration of the component in the etching agent is preferably 1 to 40% (% by weight, the same applies hereinafter), more preferably 5 to 30%. When the concentration is from 1 to 40%, the amount of copper in which the etching solution can be dissolved is large, the oxidizing agent is difficult to decompose, and it is favorable from the viewpoint of cost.
[0009]
The oxidizing agent used in the present invention is a component for oxidizing copper to promote dissolution in the liquid. Specific examples thereof include chloric acid, chlorate (sodium salt, potassium salt, etc.), Examples include chlorous acid, chlorite (sodium salt, potassium salt, etc.), hypochlorous acid, hypochlorite (sodium salt, potassium salt, etc.). Among the oxidizing agents, salts such as chlorate, chlorite, and hypochlorite are preferable because of their high stability in the liquid. Two or more oxidizing agents may be used in combination.
[0010]
The concentration of the oxidizing agent in the etching agent is preferably 1 to 15%, more preferably 5 to 10%.
When the concentration is 1 to 15%, the etching rate is high, the oxidant itself is not easily decomposed, and the cost is good.
[0011]
The ammonium salt used in the present invention is a component that promotes the dissolution of copper by supplying ammonium ions into the liquid. Specific examples thereof include ammonium chloride, ammonium oxalate, ammonium sulfate, ammonium persulfate, and sulfamine. Examples thereof include ammonium oxalate, ammonium oxalate, monoammonium phosphate, diammonium phosphate, triammonium phosphate, ammonium citrate, diammonium citrate, ammonium adipate, and ammonium lactate.
Among the ammonium salts, ammonium chloride, ammonium oxalate, ammonium sulfate, 1 ammonium phosphate, 2 ammonium phosphate, 3 ammonium phosphate, ammonium citrate, etc. are low in reactivity with oxidizing agents, and the safety of the liquid. Is preferable from the viewpoint of increasing. Two or more ammonium salts may be used in combination.
[0012]
The concentration of the ammonium salt in the etching agent is preferably 1 to 10%, more preferably 2 to 6%. When the concentration is 1 to 10%, the etching rate is not too fast and not too slow, so that unevenness hardly occurs and a smooth copper surface is easily obtained.
[0013]
The azole compound used in the present invention is a component that suppresses dissolution of copper in the vertical direction and promotes dissolution of copper in the horizontal direction. Specific examples thereof include imidazole, 2-phenylimidazole, and 1-vinylimidazole. , Benzimidazole, 2-butylbenzimidazole, 2-phenylethylbenzimidazole, 2-aminobenzimidazole, 2-mercaptobenzimidazole and other imidazoles, 1,2,4-triazole, 3-amino-1,2,4 -Triazoles such as triazole, 1,2,3-benzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, carboxybenzotriazole, tetrazole, 5-phenyl-1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, 5-amino-1H- Teto such as tetrazole Tetrazole, pyrazoles, benzothiazole, 2-mercaptobenzothiazole and the like.
Among the azole compounds, imidazole, 1-vinylimidazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1,2,4-triazole, 1-hydroxybenzotriazole, tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, An azole compound having no aromatic substituent such as 5-amino-1H-tetrazole is preferable because it is easily dissolved in the liquid and has an excellent effect of smoothing the copper surface.
Two or more of the azole compounds may be used in combination.
[0014]
The concentration of the azole compound in the etching agent is preferably 0.1 to 2%, and more preferably 0.4 to 1.2%. When the concentration is 0.1 to 2%, a smooth copper surface is easily obtained.
[0015]
The etching agent of the present invention is alkaline, and the pH is usually in the range of 10-12.
Various additives may be further added to the etching agent of the present invention. For example, a surfactant may be added to perform more uniform etching.
[0016]
The etching agent of the present invention can be easily adjusted by dissolving each of the above components in water. The water is preferably water from which ionic substances such as ion exchange water and impurities have been removed.
[0017]
The copper surface treated with the etching agent of the present invention is not particularly limited, and may be the surface of a copper foil, an electroless copper plating film, an electrolytic copper plating film, a copper sputtering film, or the like. The copper surface is preferably a clean surface that has been subjected to alkali cleaning with an aqueous sodium hydroxide solution or acid cleaning with sulfuric acid or hydrochloric acid.
[0018]
As a method of bringing the etching agent of the present invention into contact with the copper surface, for example, a spray method, a shower method, a dipping method or the like is used, and then it may be washed with water and dried.
Although there is no limitation in particular in the conditions at the time of making an etching agent and a copper surface contact, the temperature of an etching agent has preferable 20-30 degreeC, and the contact time has preferable 30-120 second.
[0019]
Moreover, although the preferable range of etching amount (etching depth) changes with surface states of a copper surface and the target smoothness, it is 1-4 micrometers normally.
When the copper surface is etched with the etching agent of the present invention, the smoothness of the copper surface increases as the etching progresses. Therefore, when the unevenness of the surface to be processed is large or when it is desired to obtain a surface with high smoothness, the etching amount (etching depth) may be increased.
[0020]
As described above, the copper surface is etched smoothly by etching the copper surface with the etching agent of the present invention. The etching agent of the present invention is useful for pretreatment of metal plating such as nickel plating, gold plating, silver plating and tin plating, and can improve the smoothness of metal plating. Further, it is also useful for pretreatment for attaching a photoresist when a copper circuit pattern of a printed wiring board is formed by a photoetching method.
[0021]
【Example】
Examples 1-6 and Comparative Examples 1-2
The components shown in Table 1 were mixed to prepare an etching agent.
Next, the copper-clad laminate for printed wiring board was immersed in a 5% hydrochloric acid aqueous solution for 15 seconds, then washed with water and dried to clean the copper surface. Next, the etching agent shown in Table 1 was sprayed at 25 ° C. for 30 seconds to etch 2 μm, washed with water, and dried. The etching amount is a value calculated from the weight, surface area, and specific gravity of the dissolved copper.
The smoothness of the copper surface after the treatment was evaluated by the glossiness.
Glossiness measured 20 degree specular glossiness using the handy gloss meter PG-1M by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. according to JISZ8741. The results are shown in Table 1.
[0022]
Comparative Example 1
An etching agent was prepared and etched in the same manner as in Example 1, but the copper surface was hardly etched. Table 1 shows the glossiness of the obtained surface.
[0023]
Comparative Example 2
An etching agent was prepared in the same manner as in Example 1 to etch the copper surface. Table 1 shows the glossiness of the obtained surface.
[0024]
[Table 1]
[0025]
As shown in Table 1, by using the etching agent of the present invention, the copper surface could be etched to a smooth surface having a glossiness of 76.6 or more.
[0026]
【The invention's effect】
According to the present invention, an etching agent for smoothing the copper surface under mild conditions and an etching method for smoothing the surface can be provided.
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