JP4697153B2 - 光モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、ギガビットクラスのイーサネット(登録商標)信号を伝送する光トランシーバなどに用いられる光モジュールに関する。
近年、インターネットは、通信インフラとして定着し、データ通信・音声・映像など情報の種類を選ばず、様々な業種・サービスを取り込み、その適用範囲は拡大し続けている。それにあわせて回線容量も増加の一途をたどっている。この中においてイーサネット(登録商標)は、低価格と簡便な運用性により家庭内LAN、WANにおいても広く利用されるコア技術として普及している。
この情勢の中、既に10ギガイーサネット(登録商標)の標準化が完了し、各社から10ギガ対応のネットワーク機器が開発されており、これに伴い、光トランシーバにおいても、中距離ネットワークを中心に1ギガから10ギガへのアップグレードが始まっている。
このような光トランシーバとしては、4個の長波長の半導体レーザ(LD)を用いた4波の波長分割多重(WDM)のLX4光トランシーバがある。このLX4光トランシーバは、ベースを備え、このベースには、波長の異なる光信号が入射または出射する複数個の光素子と、これら光素子の光信号を波長多重、あるいは波長分離する複数個の光フィルタとが収納される。
ベースに、LDと、光合波器として用いられる複数個の光フィルタとを収納したものは光送信アセンブリ(TOSA)であり、ベースに、フォトダイオード(PD)と、光分波器として用いられる複数個の光フィルタとを収納したものは光受信アセンブリ(ROSA)である。
このような光トランシーバとして用いられる光モジュールの一例として、図8に示すような光モジュール81がある。この光モジュール81は、金属製の上下2分割ケース82を構成する下ケース82dに回路基板83を収納し、その回路基板83に光送信アセンブリ84を搭載し、これら回路基板83と光送信アセンブリ84を上ケース82uで覆ったものである。
光送信アセンブリ84は、波長が異なる光信号を出射する複数個の光素子として4個のLDを収納しており、これらLDから出射する光信号を波長多重して送信する。
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。
特開2006−126495号公報 特開2005−150610号公報
しかしながら、従来の光モジュール81は、下ケース82dに光送信アセンブリ84を収納するので、光送信アセンブリ84と上ケース82u間の距離xが長く、熱抵抗が大きい。
このため、光モジュール81は、上ケース82uに光送信アセンブリ84で発生した熱が伝わりにくく、放熱性が悪いという問題がある。
光モジュール内の温度の上昇はLDの発光効率の低下を招き、光モジュールの安定した動作に悪影響を与える。このため、光トランシーバなどの光モジュールでは動作補償温度範囲が決められている。
光モジュール81の温度は、上ケース82uの上面付近で測られる。しかし、上ケース82uとLDを備えた光送信アセンブリ84との熱抵抗が大きいと、光送信アセンブリ84の放熱が悪く、上ケース82uの温度と光送信アセンブリ84の温度に差が生じる。つまり、光送信アセンブリ84は上ケース82uより高い温度となっている。
従って、光送信アセンブリ84に用いられるLDは光モジュール81の動作補償温度範囲よりも高い温度での安定性や信頼性を必要とされる。このため、光モジュール81に使用できるLDが限られ、高コストの要因にもなる。
また、光モジュールは、基地局やビルに設置後も、伝送距離、伝送媒体を自由に選べるように、スイッチングハブやメディアコンバータなどのネットワーク機器に簡単に着脱できるプラガブルモジュールとすることが一般的である。このプラガブルモジュールにはMSA(Multi Source Agreement)と呼ばれる業界標準規格がある。
光モジュール81においても、ケース82はMSA規格で定められた小型の外径寸法規格に準拠して形成されるため、回路基板83の実装面積は限られ、電気部品や光部品の実装の自由度が小さいという問題点がある。
また、光モジュール81では、光送信アセンブリ84をケース82内で浮く(ケース82の高さの中央部付近に位置する)構造とし、光送信アセンブリ84とケース82との間の距離xに熱伝導性シートなどを設けて光送信アセンブリ84からの熱を上ケース82uに伝える方法を採っていた。
しかしこの方法では、光送信アセンブリ84と上ケース82u間の距離xが長いので光送信アセンブリ84の放熱性が低く、光送信アセンブリ84と上ケース82uの温度との差が生じる問題や、実装の自由度が小さいという問題を解決できない。
そこで、本発明の目的は、光モジュール内の実装の自由度を大きくし、基板実装面積を増やし、さらに光アセンブリの放熱性を高めた光モジュールを提供することにある。
本発明は前記目的を達成するために創案されたものであり、光信号を入射または出射する光素子を収納した光アセンブリと、前記光アセンブリから所定の距離を隔てて配置された回路基板と、前記光アセンブリと前記回路基板の間を電気的に接続するフレキ基板と、前記光アセンブリ、前記回路基板及び前記フレキ基板を収納するためのケースと、を備え、前記光アセンブリは、前記光アセンブリを前記ケースに押し付け固定するための押し付け固定部が形成された、弾性材からなる蓋を備え、前記ケースは、内壁面から所定の間隔離れた位置に形成された、前記蓋を前記ケースに固定するための蓋固定部を備え、前記蓋の前記押し付け固定部が前記内壁面と対向する面の反対側の面に位置するように前記光アセンブリを配置し、前記光アセンブリと前記内壁面との間に放熱性を有する弾性部材を設け、前記光アセンブリを前記弾性部材を介して前記内壁面に押し付け、前記押し付け固定部と前記蓋固定部の間を固定することにより前記光アセンブリを前記ケースに固定し、前記弾性部材の前記内壁面に対向する面から前記蓋の前記押し付け固定部が位置する面までの間隔が、前記内壁面から前記蓋固定部までの間の前記所定の間隔よりも、所定の隙間分だけ大きくなるように形成されており、前記押し付け固定部と前記蓋固定部の間を固定することにより前記光アセンブリを前記ケースに固定したとき、前記蓋に発生する弾性力により前記光アセンブリが前記ケースの前記内壁面へ押し付けられる、光モジュールである。
本発明によれば、光モジュール内の実装の自由度を大きくし、また光アセンブリの放熱性を高めた光モジュールを実現できる。
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面にしたがって説明する。
図1は、本発明の好適な実施形態である光モジュールの内部構成を示す斜視図、図2は、図1に示した光モジュールの主要部の斜視図、図3は図1に示した光アセンブリの斜視図である。また、図を見やすくするため、図1では後述する回路基板を省略し、図2では後述する蓋を省略している。
図1〜図3に示すように、本実施形態に係る光モジュール1は、複数個の長波長のLD(LDモジュール)を用いた4波WDMのLX4光トランシーバである。光モジュール1は、光アセンブリとして、光送信アセンブリ(TOSA)11と光受信アセンブリ(ROSA)とを備えるが、以下の説明では、光受信アセンブリは光送信アセンブリとは、発光素子に代えて受光素子を用いる点で相違はあるが、他はほぼ同じ構成なので、光送信アセンブリの構成を主に説明する。なお、本発明は4波WDMに限定されるものではない。
回路基板12の後端部(図2の右斜め端部)には、ネットワーク機器と挿抜自在に電気的に接続するためのカードエッジ部12tが形成される。
光送信アセンブリ11は、回路基板12に形成した4つの送信用レーンからの電気信号を互いに波長が異なる光信号に変換する4個の1.3μm帯の分布帰還型(DFB)−LD13a〜13dと、内部搭載部品として各LD13a〜13dの光信号を波長多重する光合波器とを備え、これらをベース14内に収納したものである。
各LD13a〜13dは、光素子としてのLD素子をそれぞれCanパッケージ13pに収納した汎用のCanタイプLDである。
図1に示すように、光送信アセンブリ11の光出力部には、光合波器からの波長多重光信号を伝送する送信用ピッグテイル(ピッグテール)ファイバ15tが、光コネクタを有するレセプタクル部16を介して接続される。
ベース14は、4個のLD13a〜13dを直線状に並列配置すると共に、並列配置したLD13a〜13dに対して光合波器を所定の角度で高精度に位置決めして収納するものである。
ベース14内には、ベース14の一側面に沿って各LD13a〜13d(Canパッケージ13p)を収納するためのCan収納部が4個形成される。すなわち、Can収納部は、各Canパッケージ13pごとに分けて形成される。各Can収納部には、LDの出射面(出射方向)がベース14の開放部方向(Can収納部が形成されたベース14の一側面に対向する他側面方向)になるように各LD13a〜13dがそれぞれ収納されて接合される。
ベース14の開放部には上述した光合波器が搭載される。ベース14は、SUSなどのYAGレーザ溶接性が良好で、かつ線膨張係数が小さい金属を用いて、例えば、金型を用いて金属粉末射出成形(MIM)法で一括して一体に製造される。
光合波器は、各LD13a〜13dからの波長が異なる4つの光信号を波長多重光信号にする。光合波器としては、例えば、誘電体多層膜フィルタ(光フィルタ)を用いる。4波WDMの光トランシーバに用いられる光送信アセンブリ11は、4個の光フィルタを備えており、これら各光フィルタは、所定の波長帯域の光信号を反射し、それ以外の波長帯域の光信号を透過するものである。
光合波器を搭載したベース14の開放部には、光合波器を覆って保護する蓋(カバー)2が取り付けられることで、光送信アセンブリ11が組み立てられる。
ここで、ベース14をより詳細に説明する。
図6に示すように、ベース14は、ベース本体62の一側面62s側に、各LDを収納したCanパッケージを接合するための4個のCan収納部が、ベース本体62の長手方向に沿って形成される。また、ベース14の他側面側は開放形成される。各Can収納部には、LDの出射面がベース14の開放部方向になるようにCanパッケージが収納されて接合される。これら各Can収納部は、各Canパッケージごとに分けて形成されたものである。各Can収納部の一側端となるCan接合面63sは、円環状の突起部の側面である。
ベース14の開放部には、光合波器として用いられる光フィルタを接合する4個のフィルタ接合部64a〜64dが、ベース本体62の長手方向に対して略45度傾斜して形成される。
各フィルタ接合部64a〜64dには、各LDから出射された光を反射させ、各反射光を合波させる光フィルタが張り付けられて設けられる。これにより各LDからの出射光は、各光フィルタで略90度反射されてベース本体62の長手方向(図6左上方向)に伝搬し、各光フィルタで合波されて波長多重光信号となり、レセプタクル部16に光結合する(図3参照)。また、各フィルタ接合部64a〜64dの中央部には、各LDからの出射光、及び各光フィルタからの反射光の光路となる光路用穴65が形成される。
図1および図5に示すように、光モジュール1は、光送信アセンブリ11を固定して収納するためのケース3を備える。ケース3は、上下2分割の上ケース3uと下ケース3dからなり、外形がMSA規格に準じて形成されると共に、SUSやAlなどの放熱性が高い金属で形成される。上ケース3uの上部(外側部)には、放熱部として放熱フィン4が多数個形成される。
図1に示すように、上ケース3uの内側部には、内側面から上ケース3uの中央部に向かって延出され、蓋2を上ケース3uに固定するための蓋固定部5a,5bが形成される。これら蓋固定部5a,5bには、蓋固定用ネジ6と螺合するネジ穴7がそれぞれ形成される。上ケース3uの光入出力側には、SC光アダプタ17を収納するアダプタ収納部18が形成される。
SC光アダプタ17は、2つの挿抜口を有し、これら挿抜口の伝送路側に、伝送路用光ファイバが接続された送受信用SC光プラグを挿入し、モジュール側に送信用簡易SC光コネクタ19と受信用簡易SC光コネクタを挿入して使用される。送信用簡易SC光コネクタ19には、波長多重後の光信号を伝送する送信用ピッグテイルファイバ15tが接続される。
さて、図1および図5に示すように、光モジュール1では、上ケース3uの内上面Uに、放熱性を有する弾性部材8を介して光送信アセンブリ11を押し付け固定する。弾性部材8としては、例えば両面に接着剤層を設けた熱伝導性シートを用いる。熱伝導性シートは、樹脂やゴムにフィラーを混合したものである。
上ケース3uの内上面Uには、図示しないネジ穴を有する基板用支柱20が形成され、上ケース3uのカードエッジ側には、内上面Uから起立した側壁21が形成される。回路基板12は、基板用支柱20と側壁21で支えられ、回路基板12に設けられた図示しないネジ穴と基板用支柱20のネジ穴にネジを螺合することで、上ケース3uに対して位置決めされて固定されると共に、内上面Uからの距離が決定される。これにより、回路基板12から所定の距離となる高さhだけ隔てて(離して)光送信アセンブリ11が後述するフレキ基板9を介して回路基板12と接続される。
高さhは、光送信アセンブリ11よりも発熱量が大きい回路基板12で発生した熱から光送信アセンブリ11を保護するために設けられる。高さhが低すぎると回路基板12で発生した熱から光送信アセンブリ11を保護することができない。また、高さhが高すぎるとケース3内の実装の自由度が小さくなる問題がある。よって高さhは0.5〜5mm、好ましくは1mmにするとよい。
上ケース3uと光送信アセンブリ11間には、弾性部材8を設ける。つまり、高さhは、回路基板12の上ケース3uからの高さと、光送信アセンブリ11の高さと、弾性部材8の厚さとにより決定される。
図1、図2および図5に示すように、光送信アセンブリ11に並列配置した各LD13a〜13dと、回路基板12とは、1枚のフレキ基板9で電気的に接続される。
図2に示すように、フレキ基板9は、回路基板12の一側に形成した図示しない端子に電気的に接続する基板接続部9aと、各LD13a〜13dのリード(光送信アセンブリ11の電気入力部)Rに接続する光素子接続部9bとからなる。
フレキ基板9は、基板接続部9aが回路基板12の下面と略平行に形成され、光素子接続部9bが基板接続部9aから上方向に折り曲げられてベース14の一側面62s(図6参照)と略平行に形成されることで、略L字状に形成される。基板接続部9aには、回路基板12の複数個の端子と接続する図示しない複数個の端子が形成される。光素子接続部9bには、各LD13a〜13dの各リードRが挿通して接続される挿通用スルーホール9cと、各LD13a〜13dを仕切る3個のスリットsとが形成される。
本実施形態では1枚のフレキ基板9を用いて、LD13a〜13dと回路基板12とを接続したが、各LDはそれぞれ独立したフレキ基板により回路基板12に接続されていてもよい。
図1、図3および図4に示すように、蓋2は、ベース14の開放部側を覆って保護すると共に、上ケース3uに弾性部材8を介して光送信アセンブリ11を密着固定するためのものである。この蓋2は、板金加工、プレス加工した金属板、あるいは樹脂などの弾性材を折り曲げたものからなる。
蓋2は、全体が各LD13a〜13dの並び方向(長手方向)に長く、かつ一側部(図1、図3、図4では左斜め下方向)が開放するように形成される。後述するガイド部2gを除く蓋2は、長手方向に直交する断面が略コ字状に形成される。蓋2の下部の両端部には、長手方向に延出され、上ケース3uに光送信アセンブリ11を押し付け固定するための押し付け固定部(押し付け固定用穴)10a,10bが形成される。
これら押し付け固定部10a,10b、蓋固定部5a,5b、蓋固定用ネジ6、ネジ穴7でアセンブリ固定機構を構成する。
図7に示すように、弾性部材8を介して上ケース3uに取り付けられた光送信アセンブリ11は、上述した蓋固定部5a,5bよりも若干高く形成される。このため、ケース3に光送信アセンブリ11を固定する際、押し付け固定部10a,10bは、蓋固定部5a,5bの下面から隙間g分だけ離れている。
隙間gは、光送信アセンブリ11の高さと、弾性部材8の厚さと、蓋固定部5a,5bの高さにより決定される。
これにより、蓋固定用ネジ6を用いて、押し付け固定部10a,10bが蓋固定部5a,5bに押し付けられ固定されるときに、蓋2の押し付け固定部10a,10bのベース14側近傍に発生する弾性力により、光送信アセンブリ11が弾性部材8を介して上ケース3uに弾性的に押し付け固定される。
光送信アセンブリ11の高さと蓋固定部5a,5bとの高さは、押し付け固定部10a,10bの形状により適宜決定される。本実施形態では、押し付け固定部10a,10bを蓋固定部5a,5bの下面から隙間gだけ高く形成する。隙間gは、0.5mm程度にした。
上記した構成により、蓋2に発生する弾性力を用いて光送信アセンブリ11を上ケース3uに固定できる。つまり、ベース14にネジ孔などを設けてベース14をケースに直接取り付ける(締め付ける)構成ではないため、ベース14にかかる応力を小さくでき、ベース14の変形を防ぐことができる。これにより、ベース14の変形による光軸のズレを防止することができる。
図3および図4に示すように、蓋2の下部の中央部には、ベース14の開放部を覆う向きとは反対向きに曲げられて、蓋2の長手方向に直交する断面が略コ字状に形成されたガイド部2gが形成される。ガイド部2gは、送信用ピッグテイルファイバ15t及び/又は図示しない光受信アセンブリに接続した受信用ピッグテイルファイバの余長の一部を収納し、ファイバの広がりを抑えてガイドするものである。
蓋2には、ベース14に形成された凸部31(図3の一点鎖線)と嵌合する蓋用固定穴32が形成される。これら凸部31と蓋用固定穴32が嵌合することで、ベース14に蓋2が位置決めされて固定される。
光受信アセンブリも光送信アセンブリ11とほぼ同じ構成であり、各LD13a〜13dの代わりにPDを4個収納し、光受信アセンブリの光入力部に受信用ピッグテイルファイバを接続して構成される。
次に、光モジュール1の組み立てについて説明する。
光モジュール1の組み立ては、まず、ベース14に光合波器を搭載し、ベース14の各Can収納部に各LD13a〜13dをそれぞれ接合して収納し、ベース14にレセプタクル部16を接続し、レセプタクル部16に送信用ピッグテイルファイバ15tを接続する。ベース14に搭載する光合波器や各LD13a〜13dの組み立て手順は、順不同である。その後、ベース14に、ベース14の開放部側から蓋2を取り付けて光送信アセンブリ11を組み立てると共に、各LD13a〜13dのリードRと、フレキ基板9の光素子接続部9bとを接続する。
上ケース3uの内上面Uのアセンブリ搭載位置に、弾性部材8を貼り付け、その弾性部材8上に、光送信アセンブリ11を載置する。上ケース3uの蓋固定部5a,5bに押し付け固定部10a,10bを位置合わせし、2本の蓋固定用ネジ6を押し付け固定部10a,10bにそれぞれ挿通し、各ネジ穴7に各蓋固定用ネジ6を締め付ける。
このとき、押し付け固定部10a,10bが蓋固定部5a,5bの下面から離れていることにより、蓋2の押し付け固定部10a,10bの近傍に弾性力が発生する。これにより、蓋2が上ケース3uの内上面Uに光送信アセンブリ11を押し付けるため、上ケース3uに光送信アセンブリ11が弾性部材8を介して弾性的に押し付け固定される。
一方、上ケース3uのアダプタ収納部18にSC光アダプタ17を収納し、SC光アダプタ17に、送信用ピッグテイルファイバ15tを接続した送信用簡易SC光コネクタ19を接続する。
さらに、フレキ基板9の基板接続部9aと回路基板12の端子を接続すると、光送信アセンブリ11の光学的接続と電気的接続が終了する。
同様に、受信用のベースに上述した蓋2と同様の蓋を取り付けて光受信アセンブリを組み立てた後、上ケース3uあるいは下ケース3dに設けられた上述した蓋固定部5a,5bと同様の蓋固定部に光受信アセンブリを固定して光受信アセンブリを収納し、光モジュール1内で光受信アセンブリの光学的接続と電気的接続を行う。
蓋2のガイド部2gには、必要に応じて上ケース3uあるいは下ケース3d内でループ状に引き回した送信用ピッグテイルファイバ15tや受信用ピッグテイルファイバの余長の一部を収納する。
最後に、下ケース3dに上ケース3uを取り付けると、図5に示した光モジュール1が得られる。
本実施形態の作用を説明する。
まず、光モジュール1の動作を簡単に説明する。光モジュール1は、ネットワーク機器に装着され、SC光アダプタ17の挿抜口に、伝送路用光ファイバが接続された送受信用SC光プラグを挿入した状態で動作する。
ネットワーク機器から送信された4つの送信用電気信号は、回路基板12を介して各LD13a〜13dに伝送され、各LD13a〜13dで波長が異なる4つの光信号に変換され、これら4つの光信号が光送信アセンブリ11内の光合波器で合波され、波長多重光信号になる。波長多重光信号は、送信用ピッグテイルファイバ15tに入射され、外部の伝送路用光ファイバに伝送される。
逆に、外部の伝送路用光ファイバから伝送される波長多重光信号は、受信用ピッグテイルファイバに入射され、光受信アセンブリの光分波器で波長が異なる4つの光信号に波長分離され、各PDで4つの受信用電気信号に変換され、回路基板12を介してネットワーク機器で受信される。
光モジュール1は、放熱性を有する弾性部材8を介してケース3に光送信アセンブリ11を押し付け固定して収納している。特に、光モジュール1は、上ケース3uに放熱フィン4を形成し、上ケース3uに光送信アセンブリ11を固定している。
一般に光モジュールは、ネットワーク機器に装着された際、上ケースの放熱に比べ、下ケースの放熱が劣る。光モジュール1では、上ケース3uに弾性部材8を介して光送信アセンブリ11を密着させて固定しているため、従来の光モジュールとは異なり、光送信アセンブリ11と上ケース3uの距離が短く、熱抵抗が小さいことから、光送信アセンブリ11で発生した熱を、弾性部材8を通して上ケース3uの放熱フィン4から効率よく放熱できる。
また光モジュール1は、上ケースに光送信アセンブリを直接接触させる場合に比べ、弾性部材8により、光送信アセンブリ11を上ケース3uに押し付ける力(応力)を緩和でき、ベース14の変形を防止して各LD13a〜13dの光軸ズレも防止できる。
光モジュール1は、回路基板12にその回路基板12から高さhだけ離して光送信アセンブリ11を搭載しているため、光送信アセンブリ11よりも発熱量が大きい回路基板12で発生した熱から光送信アセンブリ11を保護できる。
さらに光送信アセンブリ11は、回路基板12に直接載置される構造ではないので、従来の構造と比べ、回路基板12の実装面積を広くできる。
また、光モジュール1はフレキ基板9を用いることで、回路基板に光送信アセンブリを直接搭載する従来の光モジュールとは異なり、周囲温度の変化により生じる回路基板12と各LD13a〜13d間の熱膨張差の問題を解消でき、特に各LDのリードにかかる応力を緩和できる。
光モジュール1は、フレキ基板9の光素子接続部9bに挿通用スルーホール9cを形成しており、各LD13a〜13dのリードRの根元と挿通用スルーホール9cを接続してリード長を短くしているため、インピーダンスラインを最適に保つことができ、劣化しやすいGbit/sクラスの電気信号の劣化を抑えることができる。
光モジュール1は、フレキ基板9の光素子接続部9bに各LD13a〜13d間を仕切るスリットsを形成している。このため、回路基板12とフレキ基板9の寸法ズレによる応力を緩和できる。主に樹脂からなるフレキ基板9がLDとの接続時にはんだ付けの熱により変形しても、フレキ基板9の変形による影響はスリットsにより遮断されるので、他のLDとフレキ基板9との接続に与える影響は小さい。
また、光モジュール1は、フレキ基板9を用いることに加え、光送信アセンブリ11の光出力部に1本の送信用ピッグテイルファイバ15tを接続しているため、光送信アセンブリ11の実装の自由度が大きい。
さらに、光モジュール1は、上ケース3uに光送信アセンブリ11を固定するための弾性材からなる蓋2を備えている。このため、光モジュール1は、上ケース3uに光送信アセンブリ11を押し付け固定する際、押し付ける力が蓋2の弾性力から得られ、上ケース3uに光送信アセンブリ11を弾性的に押し付け固定できる。これに伴い、上ケース3uと弾性部材8同士、弾性部材8と光送信アセンブリ11同士がほぼ全面接触して密着し、より放熱性を高めることができる。
また、光モジュール1は、蓋2にガイド部2gを形成しているため、ケース内にピッグテイルファイバを収納するための特別で複雑な別部品が不要となり、ケース3内に送信用ピッグテイルファイバ15tや受信用ピッグテイルファイバを効率的に収納でき、シンプルな実装が可能となる。
特に、光モジュール1では、光アセンブリと外部装置の光伝送路との光学的接続を、送信用ピッグテイルファイバ15tや受信用ピッグテイルファイバを用いることにより、光信号に損失を与えることなく高次モードを除去する様に送受信用ピッグテイルファイバや受信用ピッグテイルファイバを曲げることもできる。
本実施形態では、上ケース3uに光送信アセンブリ11を押し付け固定した例を用いて説明したが、光モジュールや光アセンブリの構成によっては、これに限定されるものではなく、下ケースに光送信アセンブリを押し付け固定する構造でもよい。
上記実施形態の光アセンブリでは、光素子としてのLDを複数個使用した例で説明したが、LDまたはPDを1個用いたものでもよい。
本発明の好適な実施形態である光モジュールの内部構成を示す斜視図である。 図1に示した光モジュールの主要部の斜視図である。 図1に示した光アセンブリの斜視図である。 図1示した蓋の斜視図である。 図1に示した光モジュールの部分側断面図である。 図1に示したベースの斜視図である。 図1に示したケースに光送信アセンブリを固定するときの状態を示す側断面図である。 従来の光モジュールの部分側断面図である。
符号の説明
1 光モジュール
2 蓋
3u 上ケース
8 放熱部材
11 光送信アセンブリ(光アセンブリ)
13a〜13d LD(光素子)

Claims (5)

  1. 光信号を入射または出射する光素子を収納した光アセンブリと、
    前記光アセンブリから所定の距離を隔てて配置された回路基板と
    前記光アセンブリと前記回路基板の間を電気的に接続するフレキ基板と、
    前記光アセンブリ、前記回路基板及び前記フレキ基板を収納するためのケースと、
    を備え
    前記光アセンブリは、前記光アセンブリを前記ケースに押し付け固定するための押し付け固定部が形成された、弾性材からなる蓋を備え、
    前記ケースは、内壁面から所定の間隔離れた位置に形成された、前記蓋を前記ケースに固定するための蓋固定部を備え、
    前記蓋の前記押し付け固定部が前記内壁面と対向する面の反対側の面に位置するように前記光アセンブリを配置し、前記光アセンブリと前記内壁面との間に放熱性を有する弾性部材を設け、前記光アセンブリを前記弾性部材を介して前記内壁面に押し付け、前記押し付け固定部と前記蓋固定部の間を固定することにより前記光アセンブリを前記ケースに固定し、
    前記弾性部材の前記内壁面に対向する面から前記蓋の前記押し付け固定部が位置する面までの間隔が、前記内壁面から前記蓋固定部までの間の前記所定の間隔よりも、所定の隙間分だけ大きくなるように形成されており、前記押し付け固定部と前記蓋固定部の間を固定することにより前記光アセンブリを前記ケースに固定したとき、前記蓋に発生する弾性力により前記光アセンブリが前記ケースの前記内壁面へ押し付けられる、
    光モジュール。
  2. 前記光アセンブリは、波長が異なる光信号を入射または出射する複数個の光素子を収納し、前記光信号を波長多重して送信、または波長多重光信号を前記光信号に波長分離して受信する光アセンブリである、
    請求項1記載の光モジュール。
  3. 前記ケースは、上下2分割の上ケースと下ケースからなり、前記上ケースに前記弾性部材を介して前記光アセンブリを密着させて固定した請求項1又は2記載の光モジュール。
  4. 記フレキ基板には前記各光素子間を仕切るスリットが形成された請求項記載の光モジュール。
  5. 前記光アセンブリの光入力部または光出力部に、波長多重後あるいは波長分離前の光信号を伝送するピッグテイルファイバを接続し、前記蓋に、前記ピッグテイルファイバをガイドするガイド部を形成した請求項2記載の光モジュール
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