JP4694637B2 - Vapor growth equipment - Google Patents

Vapor growth equipment Download PDF

Info

Publication number
JP4694637B2
JP4694637B2 JP2009138563A JP2009138563A JP4694637B2 JP 4694637 B2 JP4694637 B2 JP 4694637B2 JP 2009138563 A JP2009138563 A JP 2009138563A JP 2009138563 A JP2009138563 A JP 2009138563A JP 4694637 B2 JP4694637 B2 JP 4694637B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
arm
chamber
suction nozzle
vapor phase
phase growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009138563A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010287631A (en
Inventor
正明 児玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2009138563A priority Critical patent/JP4694637B2/en
Priority to PCT/JP2010/059114 priority patent/WO2010143544A1/en
Priority to TW99118461A priority patent/TWI422695B/en
Publication of JP2010287631A publication Critical patent/JP2010287631A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4694637B2 publication Critical patent/JP4694637B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Description

本発明は、本体と蓋とから構成されたチャンバーを備えた気相成長装置に関する。   The present invention relates to a vapor phase growth apparatus provided with a chamber composed of a main body and a lid.

気相成長装置内の塵埃を除去する掃除方法として、生産ロットの切り替え時の空き時間等を利用して、装置に付着した塵埃を除去する掃除方法がある。このような掃除方法を採用したタイプの気相成長装置は、例えば特許文献１に記載されている。特許文献１に記載の気相成長装置は、デイスパーションヘッドを備え、被成膜対象である基板を搬送ベルトなどにより装置内へ連続送りする仕様になっている。そして、基板がデイスパーションヘッド下を通過したときに原料ガスを吹きつけて薄膜形成を行うようになっている。特許文献１に記載の気相成長装置は、掃除機とデイスパージョンヘッドの排気管とを、コントロールバルブ付きの分岐管で接続し、イン・プロセス方式のダスト除去機構を構成している。そして、この構成により、非成膜時にデイスパーションヘッドに付着した塵埃を吸引除去するようになっている。   As a cleaning method for removing dust in the vapor phase growth apparatus, there is a cleaning method for removing dust adhering to the apparatus by using a free time at the time of switching production lots. A vapor phase growth apparatus of a type that employs such a cleaning method is described in Patent Document 1, for example. The vapor phase growth apparatus described in Patent Document 1 includes a dispersion head, and is configured to continuously feed a substrate, which is a film formation target, into the apparatus using a transport belt or the like. When the substrate passes under the dispersion head, a raw material gas is blown to form a thin film. In the vapor phase growth apparatus described in Patent Document 1, an in-process dust removing mechanism is configured by connecting a vacuum cleaner and an exhaust pipe of a dispersion head with a branch pipe with a control valve. With this configuration, dust adhering to the dispersion head during non-film formation is removed by suction.

また、特許文献２には、磁気ディスククリーニング装置が開示されている。   Patent Document 2 discloses a magnetic disk cleaning device.

実開昭６３−９２１４号公報（１９８８年 １月２１日公開）Japanese Utility Model Publication No. 63-9214 (published January 21, 1988) 特開平２−４２６９６号公報（１９９０年 ２月１３日公開）Japanese Patent Laid-Open No. 2-42696 (published February 13, 1990)

しかしながら、上述の特許文献１に開示された従来技術は、反応炉として、本体と蓋とから構成されるチャンバーを備えた気相成長装置に適用することができないという問題がある。   However, the conventional technique disclosed in Patent Document 1 described above has a problem that it cannot be applied as a reaction furnace to a vapor phase growth apparatus including a chamber composed of a main body and a lid.

すなわち、特許文献１に記載の気相成長装置のタイプは、原料ガス噴射口であるデイスパーションヘッドに付着した塵埃除去を主目的としている。このため、デイスパーションヘッドと掃除機とが分岐管で接続され、一体構造になっている。   That is, the type of the vapor phase growth apparatus described in Patent Document 1 is mainly intended to remove dust adhering to a dispersion head that is a raw material gas injection port. For this reason, the dispersion head and the vacuum cleaner are connected by a branch pipe to form an integral structure.

一方、本体と蓋とから構成されるチャンバーを備え、該チャンバー内で成膜を行う気相成長装置（以下、蓋付気相成長装置と記す）では、基板および基板トレイ（被成膜物）を交換するときに、以下の動作を行う必要がある。すなわち、作業員の手または自動搬送ロボットのハンドを、チャンバー内部に入れる動作が必要になる。そして、この動作のために、チャンバーの蓋を大きく上昇させる。   On the other hand, in a vapor phase growth apparatus (hereinafter referred to as a vapor phase growth apparatus with a lid) that includes a chamber composed of a main body and a lid and performs film formation in the chamber, a substrate and a substrate tray (film formation object) When replacing, the following operations must be performed. That is, it is necessary to move the worker's hand or the hand of the automatic transfer robot into the chamber. And for this operation, the lid of the chamber is greatly raised.

それゆえ、蓋付気相成長装置のチャンバー内における被成膜物載置台上の塵埃除去に、特許文献１に開示された技術を適用した場合、掃除機は、チャンバーの蓋とともに上昇する構成になる。このような構成では、チャンバー内の基板トレイ載置台上の塵埃を除去することができない。   Therefore, when the technique disclosed in Patent Document 1 is applied to the dust removal on the deposition object placing table in the chamber of the vapor deposition apparatus with a lid, the cleaner is configured to rise with the lid of the chamber. Become. With such a configuration, dust on the substrate tray mounting table in the chamber cannot be removed.

また、特許文献１に記載の気相成長装置は、上述のように、掃除機とチャンバーとが一体構造になっている。このため、掃除機をメンテナンスするに際し、チャンバーを分解しなければならず、装置稼働率が著しく低下する。   In the vapor phase growth apparatus described in Patent Document 1, the vacuum cleaner and the chamber are integrated as described above. For this reason, when the vacuum cleaner is maintained, the chamber must be disassembled, and the apparatus operating rate is significantly reduced.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、蓋付気相成長装置においてチャンバーの開閉に伴うチャンバー蓋の上下動に影響されることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去することができるとともに、チャンバー内の成膜作業を中断させることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去する除去手段のメンテナンスを行うことができる気相成長装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and the object of the present invention is to mount a film-forming object without being affected by the vertical movement of the chamber lid accompanying opening and closing of the chamber in the vapor phase growth apparatus with lid. A vapor phase growth apparatus capable of removing dust on a mounting table and performing maintenance of a removing means for removing dust on a deposition object mounting table without interrupting film forming work in a chamber. It is to provide.

本発明の気相成長装置は、上記の課題を解決するために、本体と蓋とから構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配置された被成膜物載置台と、上記被成膜物載置台上の塵埃を除去する除去手段とを備えた気相成長装置であって、上記除去手段は、上記被成膜物載置台へ延びたアームと、上記アームの一方の端部に設けられた吸引ノズルと、上記チャンバーの中心軸と平行な第１の方向に延びた第１の軸部を上記チャンバー外部に有し、該第１の軸部を回転軸として上記アームを回転させることにより、上記吸引ノズルを、上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構とを備えたことを特徴としている。   In order to solve the above problems, a vapor phase growth apparatus according to the present invention includes a chamber composed of a main body and a lid, a film mounting table placed in the chamber, and the film mounting board. A vapor phase growth apparatus provided with a removing means for removing dust on the mounting table, wherein the removing means is provided at an arm extending to the film mounting table and at one end of the arm By having a suction nozzle and a first shaft portion extending in a first direction parallel to the central axis of the chamber outside the chamber, and rotating the arm with the first shaft portion as a rotation axis, And a moving mechanism for moving the suction nozzle from the outside to the inside of the chamber and from the outside to the inside.

本発明の気相成長装置は、本体と蓋とから構成されたチャンバーを備えた蓋付気相成長装置である。上記の構成によれば、被成膜物載置台上の塵埃を除去する除去手段は、上記被成膜物載置台へ延びたアームと、上記アームの一方の端部に設けられた吸引ノズルと、上記チャンバーの中心軸と平行な第１の方向に延びた第１の軸部を上記チャンバー外部に有し、該第１の軸部を回転軸として上記アームを回転させることにより、上記吸引ノズルを、上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構とを備えた構成になっており、上記チャンバーと別ユニットになっている。   The vapor phase growth apparatus of the present invention is a vapor phase growth apparatus with a lid provided with a chamber composed of a main body and a lid. According to said structure, the removal means which removes the dust on a to-be-film-formed object mounting base has the arm extended to the said to-be-film-formed object mounting base, and the suction nozzle provided in one edge part of the said arm. The suction nozzle has a first shaft portion extending in a first direction parallel to the central axis of the chamber outside the chamber, and the arm is rotated using the first shaft portion as a rotation axis. And a moving mechanism that moves the chamber from the outside to the inside of the chamber and from the outside to the inside, and is a separate unit from the chamber.

したがって、上記の構成によれば、チャンバーの開閉に伴う上記蓋の上下動に影響されることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去することが可能になる。さらに、除去手段のメンテナンスに際し、このメンテナンス作業が成膜物の生産タクトに影響を与えることがない。すなわち、除去手段のメンテナンスのために、チャンバー内で行われる成膜作業を中断させる必要がないので、メンテナンスによる装置稼働率の低下を防止することができる。   Therefore, according to said structure, it becomes possible to remove the dust on the to-be-film-formed object mounting stand, without being influenced by the vertical motion of the said lid accompanying opening and closing of a chamber. Further, when the removing means is maintained, this maintenance work does not affect the production tact of the film formation. That is, since it is not necessary to interrupt the film forming operation performed in the chamber for the maintenance of the removing means, it is possible to prevent the apparatus operating rate from being lowered due to the maintenance.

本発明の気相成長装置では、上記チャンバーの中心軸を回転軸として、上記被成膜物載置台を回転させる回転機構を備えたことが好ましい。このように、上記チャンバーの中心軸を回転軸として、上記被成膜物載置台を回転させることにより、上記除去手段は、回転してくる被成膜物載置台について、順次塵埃を除去することになる。それゆえ、上記の構成によれば、より効率的に、被成膜物載置台上の塵埃を除去することが可能になる。   In the vapor phase growth apparatus according to the present invention, it is preferable that the vapor deposition apparatus includes a rotation mechanism that rotates the deposition object mounting table with the central axis of the chamber as a rotation axis. In this way, by rotating the film mounting table with the central axis of the chamber as the rotation axis, the removing means sequentially removes dust from the rotating film mounting table. become. Therefore, according to the above configuration, it is possible to more efficiently remove dust on the film formation object mounting table.

本発明の気相成長装置では、上記アームの長手方向において、上記吸引ノズルの幅は、上記被成膜物載置台の幅以上になっていることが好ましい。   In the vapor phase growth apparatus of the present invention, it is preferable that a width of the suction nozzle is not less than a width of the deposition object mounting table in the longitudinal direction of the arm.

これにより、上記被成膜物載置台がチャンバーの中心軸を回転軸として一周回転したときに、全ての被成膜物載置台上の塵埃を除去することができ、塵埃除去を効率的に行うことができる。   As a result, when the film deposition table is rotated around the central axis of the chamber as a rotation axis, dust on all the film deposition platforms can be removed, and dust removal is performed efficiently. be able to.

本発明の気相成長装置では、上記移動機構は、上記第１の方向、および上記アームの長手方向に対し垂直な第２の方向に延びた第２の軸部と、上記第１の軸部を回転軸として上記アームが回転したときに、第１の方向において、上記吸引ノズルを上下動させるカム機構とを備えたことが好ましい。   In the vapor phase growth apparatus according to the present invention, the moving mechanism includes a second shaft portion extending in the first direction and a second direction perpendicular to the longitudinal direction of the arm, and the first shaft portion. And a cam mechanism for moving the suction nozzle up and down in the first direction when the arm rotates about the rotation axis.

上記の構成によれば、上記移動機構は、上記第１の方向、および上記アームの長手方向に対し垂直な第２の方向に延びた第２の軸部を備えているので、上記第２の軸部を回転軸としてアームが回転可能になる。そして、これにより、アームの一方の端部に設けられた吸引ノズルが、第２の軸部に垂直な第１の方向に移動可能になる。上記の構成によれば、移動機構は、さらに、上記第１の軸部を回転軸として上記アームが回転したときに、第１の方向において、上記吸引ノズルを上下動させるカム機構を備えており、このカム機構が吸引ノズルの第１の方向の移動を決定している。   According to the above configuration, the moving mechanism includes the second shaft portion extending in the first direction and the second direction perpendicular to the longitudinal direction of the arm. The arm can be rotated with the shaft portion as the rotation axis. Thus, the suction nozzle provided at one end of the arm can be moved in the first direction perpendicular to the second shaft portion. According to the above configuration, the moving mechanism further includes a cam mechanism that moves the suction nozzle up and down in the first direction when the arm rotates with the first shaft portion as a rotation axis. The cam mechanism determines the movement of the suction nozzle in the first direction.

このため、第１の軸部と被成膜物載置台との間に、被成膜物載置台よりも高くなるように、第１の方向（上記中心軸の方向）に立設した段差部が配された場合であっても、上記の構成によれば、移動機構が、上記吸引ノズルを第１の方向に上下動させ、段差部を乗り越えて、被成膜物載置台上の適切な位置に吸引ノズルを移動させることができる。   For this reason, the level | step-difference part erected in the 1st direction (the direction of the said central axis) between the 1st axial part and the to-be-film-formed object mounting stand so that it may become higher than a to-be-film-formed object mounting base. Even when the moving mechanism is arranged, the moving mechanism moves the suction nozzle up and down in the first direction, climbs over the stepped portion, and appropriately moves on the deposition object mounting table. The suction nozzle can be moved to a position.

なお、上記第２の軸部は、上記第１の軸部と上記アームとの接続部分に設けられた第２の軸本体と、上記第２の軸本体の軸受とを備えたことが好ましい。これにより、上記第２の軸部を回転軸としたアーム回転の中心と、上記第１の軸部を回転軸としたアーム回転の中心が、ともに上記第１の軸部と上記アームとの接続部分になり、より効率的にアームを回転させることができる。   The second shaft portion preferably includes a second shaft body provided at a connection portion between the first shaft portion and the arm, and a bearing of the second shaft body. As a result, the center of the arm rotation with the second shaft portion as the rotation axis and the center of the arm rotation with the first shaft portion as the rotation axis are both connected to the first shaft portion and the arm. This makes it possible to rotate the arm more efficiently.

本発明の気相成長装置では、上記アームは、上記第１の方向において、鉛直下向きに延びたストッパーを備えたことが好ましい。   In the vapor phase growth apparatus of the present invention, the arm preferably includes a stopper extending vertically downward in the first direction.

上記の構成によれば、上記アームは、上記第１の方向において、鉛直下向きに延びたストッパーを備えているので、吸引ノズルが被成膜物載置台へ移動したとき、上記ストッパーがチャンバーの上記本体の上面に接触することになる。すなわち、上記の構成によれば、鉛直下向きに延びた上記ストッパーは、被成膜物載置台と吸引ノズルとの距離を保つ役割を果たす。したがって、上記の構成によれば、アームや吸引ノズルの自重、および吸引ノズルによる吸引力によるアームのたわみに影響されず、被成膜物載置台と吸引ノズルとのとの距離を常に一定に保つことができ、塵埃除去を効率的に行うことができる。   According to the above configuration, the arm includes a stopper that extends vertically downward in the first direction. Therefore, when the suction nozzle moves to the deposition object mounting table, the stopper is moved to the chamber. It will contact the upper surface of the main body. That is, according to said structure, the said stopper extended perpendicularly downward plays the role which maintains the distance of the to-be-film-formed object mounting base and suction nozzle. Therefore, according to the above-described configuration, the distance between the deposition object mounting table and the suction nozzle is always kept constant regardless of the weight of the arm and the suction nozzle and the deflection of the arm due to the suction force of the suction nozzle. And dust removal can be performed efficiently.

本発明の気相成長装置では、上記第１の軸部は、上記アームにおける吸引ノズルと反対側の端部に接続した第１の軸本体と、上記第１の軸本体を回転させる動力源とを備えたことが好ましい。これにより、効率的にアームを回転させることができる。   In the vapor phase growth apparatus of the present invention, the first shaft portion includes a first shaft body connected to an end portion of the arm opposite to the suction nozzle, and a power source for rotating the first shaft body. It is preferable to have provided. Thereby, an arm can be rotated efficiently.

本発明の気相成長装置は、以上のように、上記除去手段は、上記被成膜物載置台へ延びるアームと、上記アームの一方の端部に設けられた吸引ノズルと、上記中心軸と平行な第１の方向に延びた第１の軸部を上記チャンバー外部に有し、該第１の軸部を回転軸として上記アームを回転させることにより、上記吸引ノズルを、上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構とを備えた構成である。   In the vapor phase growth apparatus according to the present invention, as described above, the removing unit includes an arm extending to the film mounting table, a suction nozzle provided at one end of the arm, and the central axis. A first shaft portion extending in a parallel first direction is provided outside the chamber, and the arm is rotated about the first shaft portion as a rotation axis, whereby the suction nozzle is moved from the outside of the chamber. It is the structure provided with the moving mechanism to which it moves to the inside and the inside from the exterior.

それゆえ、チャンバーの開閉に伴う蓋の上下動に影響されることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去することが可能になる。さらに、除去手段のメンテナンスのために、チャンバー内で行われる成膜作業を中断させる必要がないので、メンテナンスによる装置稼働率の低下を防止することができる。   Therefore, it is possible to remove dust on the deposition object mounting table without being affected by the vertical movement of the lid accompanying opening and closing of the chamber. Furthermore, since it is not necessary to interrupt the film forming operation performed in the chamber for the maintenance of the removing means, it is possible to prevent the apparatus operating rate from being lowered due to the maintenance.

本発明の実施の一形態の気相成長装置の概略構成を示す側面図である。1 is a side view showing a schematic configuration of a vapor phase growth apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の一形態の気相成長装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the vapor phase growth apparatus of one Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施の一形態について、図１及び図２を参照して、詳細に説明する。図１は、本実施形態の気相成長装置の概略構成を示す側面図である。図２は、本実施形態の気相成長装置の概略構成を示す平面図である。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of the vapor phase growth apparatus of the present embodiment. FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the vapor phase growth apparatus of the present embodiment.

本実施形態の気相成長装置（以下、本気相成長装置と記す）は、反応炉としてのチャンバー１と、掃除手段（除去手段）２と、グローブボックス３とを備えている。グローブボックス３の内部には、チャンバー１及び掃除手段２が配されている。また、グローブボックス３の内部は、気密性が保たれている。   The vapor phase growth apparatus of the present embodiment (hereinafter referred to as the present vapor phase growth apparatus) includes a chamber 1 as a reaction furnace, a cleaning means (removal means) 2, and a glove box 3. Inside the glove box 3, a chamber 1 and a cleaning means 2 are arranged. Moreover, the inside of the glove box 3 is kept airtight.

チャンバー１は、円筒形状のチャンバー本体４と、チャンバー本体４を閉塞する円筒形状のチャンバー蓋６とから構成されている。また、チャンバー蓋６は、上下動機構５によって上昇または下降され、チャンバー１の開閉が自在になっている。   The chamber 1 includes a cylindrical chamber body 4 and a cylindrical chamber lid 6 that closes the chamber body 4. The chamber lid 6 is raised or lowered by the vertical movement mechanism 5 so that the chamber 1 can be opened and closed freely.

また、本気相成長装置は、チャンバー本体４の内部に収容されたサセプタ１０と、サセプタ１０を回転させる回転機構１１とを備えている。回転機構１１は、チャンバー１の中心軸Ｏを回転軸として、サセプタ１０を回転させている。また、サセプタ１０におけるチャンバー蓋６との対向面には、基板トレイ載置台（被成膜物載置台）９が複数設けられている。図２に示されるように、基板トレイ載置台９は、平面視において中心軸Ｏを避けて配置されており、回転機構１１によりサセプタ１０とともに回転するようになっている。   In addition, the vapor phase growth apparatus includes a susceptor 10 housed in the chamber body 4 and a rotation mechanism 11 that rotates the susceptor 10. The rotation mechanism 11 rotates the susceptor 10 about the central axis O of the chamber 1 as a rotation axis. In addition, a plurality of substrate tray mounting tables (film formation substrate mounting tables) 9 are provided on the surface of the susceptor 10 facing the chamber lid 6. As shown in FIG. 2, the substrate tray mounting table 9 is arranged so as to avoid the central axis O in a plan view, and is rotated together with the susceptor 10 by the rotation mechanism 11.

本気相成長装置の成膜対象である基板（被成膜物）７は、基板トレイ８に載せられた状態で、チャンバー１内部で成膜される。それゆえ、本気相成長装置を用いて基板７に成膜処理を施すためには、まず、上下動機構５によりチャンバー蓋６を上昇させてチャンバー本体４を開放させる。そして、基板７及び基板トレイ８を基板トレイ載置台９に載置した後、上下動機構５によりチャンバー蓋６を下降させて、チャンバー本体４を閉塞する。   A substrate (film formation target) 7 to be formed by the vapor phase growth apparatus is formed inside the chamber 1 while being placed on a substrate tray 8. Therefore, in order to perform the film forming process on the substrate 7 using this vapor phase growth apparatus, first, the chamber lid 6 is raised by the vertical movement mechanism 5 to open the chamber body 4. Then, after placing the substrate 7 and the substrate tray 8 on the substrate tray mounting table 9, the chamber lid 6 is lowered by the vertical movement mechanism 5 to close the chamber body 4.

基板７に成膜処理を施しているとき、チャンバー１内部は、外部と完全に遮断されている。成膜処理中、チャンバー１内部は、図示しないヒータにより、高温環境になる。そして、この高温環境下で、基板７に対し原料ガスを噴射することにより、基板７への薄膜形成が行われる。また、成膜処理中、基板７及び基板トレイ８は、基板トレイ載置台９に載置されており、回転機構１１により中心軸Ｏの回りを回転している。   When the film formation process is performed on the substrate 7, the inside of the chamber 1 is completely blocked from the outside. During the film forming process, the inside of the chamber 1 becomes a high temperature environment by a heater (not shown). A thin film is formed on the substrate 7 by injecting a raw material gas onto the substrate 7 in this high temperature environment. Further, during the film forming process, the substrate 7 and the substrate tray 8 are mounted on the substrate tray mounting table 9 and rotated around the central axis O by the rotation mechanism 11.

基板７に成膜処理を施さないとき（または基板７の成膜処理が完了したとき）、上下動機構５により、チャンバー蓋６を上昇させ、チャンバー本体４を開放する。そして、基板７は、基板トレイ８とともに、図示しない自動搬送ロボットにより、チャンバー１外部へ回収され、新しいものと交換される。   When the film formation process is not performed on the substrate 7 (or when the film formation process on the substrate 7 is completed), the chamber lid 6 is raised by the vertical movement mechanism 5 to open the chamber body 4. Then, the substrate 7 together with the substrate tray 8 is collected outside the chamber 1 by an automatic transfer robot (not shown) and replaced with a new one.

掃除手段２は、上記自動搬送ロボットが基板７及び基板トレイ８を回収及び交換する動作と並行して、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去する。このように、掃除手段２は、基板７及び基板トレイ８の交換時間を利用して、基板トレイ載置台９上の塵埃を吸引除去することができるので、基板７の生産タクトに影響を与えることがない。また、掃除手段２は、チャンバー１の開閉を制御する上下動機構５と別の機構で、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去する。そのため、本気相成長装置においては、チャンバー１の開閉に伴うチャンバー蓋６の上下動に影響されることなく基板トレイ載置台９上の塵埃を除去することが可能になる。また、掃除手段２のメンテナンスのために、チャンバー１内で行われている成膜作業を中断させる必要がないので、メンテナンスによる装置稼働率の低下を防止することができる。以下、掃除手段２の構成について、詳述する。   The cleaning unit 2 removes dust on the substrate tray mounting table 9 in parallel with the operation of the automatic transfer robot collecting and replacing the substrate 7 and the substrate tray 8. Thus, since the cleaning means 2 can suck and remove dust on the substrate tray mounting table 9 by using the replacement time of the substrate 7 and the substrate tray 8, it affects the production tact of the substrate 7. There is no. Further, the cleaning unit 2 removes dust on the substrate tray mounting table 9 by a mechanism different from the vertical movement mechanism 5 that controls the opening and closing of the chamber 1. Therefore, in this vapor phase growth apparatus, dust on the substrate tray mounting table 9 can be removed without being affected by the vertical movement of the chamber lid 6 that accompanies opening and closing of the chamber 1. Moreover, since it is not necessary to interrupt the film forming operation performed in the chamber 1 for the maintenance of the cleaning means 2, it is possible to prevent a reduction in the apparatus operating rate due to the maintenance. Hereinafter, the configuration of the cleaning means 2 will be described in detail.

図１に示されるように、掃除手段２は、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去するための吸引ノズル２１と、一端に吸引ノズル２１が連結されたアーム２２と、アーム２２を介して吸引ノズル２１を、チャンバー１の内部から外部へ、及び外部から内部へ移動させる（チャンバー１における外部と内部との間を往復させる）移動機構２３とを備えている。移動機構２３は、チャンバー１の外部に設けられており、かつ、上下動機構５と独立した機構で、吸引ノズル２１を移動するようになっている。   As shown in FIG. 1, the cleaning means 2 includes a suction nozzle 21 for removing dust on the substrate tray mounting table 9, an arm 22 having the suction nozzle 21 connected to one end, and suction through the arm 22. The nozzle 21 is provided with a moving mechanism 23 that moves the inside of the chamber 1 to the outside and from the outside to the inside (reciprocates between the outside and the inside of the chamber 1). The moving mechanism 23 is provided outside the chamber 1, and moves the suction nozzle 21 by a mechanism independent of the vertical movement mechanism 5.

吸引ノズル２１は、移動機構２３により、チャンバー１内部の基板トレイ載置台９の真上に移動される。そして、吸引ノズル２１は、基板トレイ載置台９に対し、基板トレイ載置台９に対し非接触に配置される。また、吸引ノズル２１には、吸引した塵埃をグローブボックス３外部へ排出するための配管チューブ２４が接続している。この配管チューブ２４は、図示していないダストフィルタおよび真空ポンプへと繋がれている。   The suction nozzle 21 is moved directly above the substrate tray mounting table 9 inside the chamber 1 by the moving mechanism 23. The suction nozzle 21 is arranged in a non-contact manner with respect to the substrate tray mounting table 9 with respect to the substrate tray mounting table 9. Further, a piping tube 24 for discharging the sucked dust to the outside of the glove box 3 is connected to the suction nozzle 21. The piping tube 24 is connected to a dust filter and a vacuum pump (not shown).

また、アーム２２は、一方の端部に吸引ノズル２１が接続され、他方の端部に移動機構２３が接続されている。以下、説明の便宜上、チャンバー１の中心軸Ｏの方向から見て（すなわち、図２において）、アーム２２の軸が延びる方向（長手方向）をｘ軸方向する。また、チャンバー１の高さ方向をｚ軸方向（第１の方向）とする。そして、ｘ軸及びｚ軸の両軸に対し垂直な方向をｙ軸方向（第２の方向）とする。なお、ｚ軸方向は、被成膜対象としての基板７の法線方向、あるいは中心軸Ｏの方向であるともいえる。   The arm 22 has a suction nozzle 21 connected to one end and a moving mechanism 23 connected to the other end. Hereinafter, for convenience of description, when viewed from the direction of the central axis O of the chamber 1 (that is, in FIG. 2), the direction (longitudinal direction) in which the axis of the arm 22 extends is the x-axis direction. The height direction of the chamber 1 is defined as the z-axis direction (first direction). A direction perpendicular to both the x-axis and the z-axis is defined as a y-axis direction (second direction). Note that the z-axis direction can be said to be the normal direction of the substrate 7 as the deposition target or the direction of the central axis O.

移動機構２３は、アーム２２に、ｙ軸回転、及びｚ軸回転という２つの回転動作をさせることにより、吸引ノズル２１を移動させている。以下、移動機構２３について、さらに詳述する。   The moving mechanism 23 moves the suction nozzle 21 by causing the arm 22 to perform two rotation operations, ie, a y-axis rotation and a z-axis rotation. Hereinafter, the moving mechanism 23 will be described in detail.

図１及び図２に示されるように、移動機構２３は、ｚ軸方向に延びた第１の回転軸シャフト部（第１の軸部）２５と、ｙ軸方向に延びた第２の回転軸シャフト部（第２の軸部）２６と、カム機構２７とを備えている。第１の回転軸シャフト部２５は、アーム２２における吸引ノズル２１と反対側の端部に接続されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the moving mechanism 23 includes a first rotation shaft shaft portion (first shaft portion) 25 extending in the z-axis direction and a second rotation shaft extending in the y-axis direction. A shaft portion (second shaft portion) 26 and a cam mechanism 27 are provided. The first rotating shaft shaft portion 25 is connected to the end portion of the arm 22 opposite to the suction nozzle 21.

アーム２２は、第１の回転軸シャフト部２５を回転軸としてｚ軸回転可能になっているとともに、第２の回転軸シャフト部２６を回転軸としてｙ軸回転可能になっている。そして、アーム２２がｚ軸回転することにより、吸引ノズル２１が移動する。また、アーム２２がｙ軸回転することにより、吸引ノズル２１がｚ軸方向において上下動する。以下、アーム２２のｚ軸回転により、吸引ノズル２１を移動させる動作を動作Ａとし、アーム２２のｙ軸回転により、吸引ノズル２１を、ｚ軸方向において上下動させる動作を動作Ｂとする。以下、移動機構２３による動作Ａ及び動作Ｂについて、以下に詳述する。   The arm 22 can rotate in the z-axis with the first rotation shaft shaft portion 25 as the rotation axis, and can rotate in the y-axis with the second rotation shaft shaft portion 26 as the rotation axis. Then, when the arm 22 rotates in the z-axis, the suction nozzle 21 moves. Further, as the arm 22 rotates in the y-axis, the suction nozzle 21 moves up and down in the z-axis direction. Hereinafter, an operation of moving the suction nozzle 21 by the z-axis rotation of the arm 22 is referred to as an operation A, and an operation of moving the suction nozzle 21 up and down in the z-axis direction by the y-axis rotation of the arm 22 is referred to as an operation B. Hereinafter, the operation A and the operation B performed by the moving mechanism 23 will be described in detail below.

まず、第１の回転軸シャフト部２５は、シャフト本体（第１の軸本体）２５ａと、ステッピングモータ（動力源）２５ｂと、磁性流体シール２５ｃとを備えている。ステッピングモータ２５ｂは、グローブボックス３の外部に設置されており、シャフト本体２５ａをｚ軸回転させる動力源である。また、アーム２２に接続しているシャフト本体２５ａは、磁性流体シール２５ｃにより支持されている。磁性流体シール２５ｃは、シャフト本体２５ａと気密性を保持したまま、シャフト本体２５ａに回転力のみを伝達するようになっている。移動機構２３は、ステッピングモータ２５ｂを動力源として、シャフト本体２５ａをｚ軸回転させている。そして、シャフト本体２５ａの回転によりアーム２２をｚ軸回転させることで、動作Ａが行われる。   First, the first rotating shaft shaft portion 25 includes a shaft main body (first shaft main body) 25a, a stepping motor (power source) 25b, and a magnetic fluid seal 25c. The stepping motor 25b is installed outside the glove box 3, and is a power source that rotates the shaft body 25a in the z axis. The shaft body 25a connected to the arm 22 is supported by a magnetic fluid seal 25c. The magnetic fluid seal 25c transmits only the rotational force to the shaft body 25a while maintaining airtightness with the shaft body 25a. The moving mechanism 23 rotates the shaft body 25a by the z-axis using the stepping motor 25b as a power source. Then, the operation A is performed by rotating the arm 22 in the z-axis by the rotation of the shaft body 25a.

第２の回転軸シャフト部２６は、シャフト本体（第２の軸本体）２６ａと、シャフト本体２６ａの軸受としての２つのベアリング２６ｂとから構成されている。シャフト本体２６ａは、アーム２２における吸引ノズル２１と反対側の端部に一体的に形成されている。また、２つのベアリング２６ｂは、第１の回転軸シャフト部２５におけるｚ軸方向の上部（アーム２２側の端部）に固定されている。第１の回転軸シャフト２５とアーム２２との接続部は、シャフト本体２６ａが２つのベアリング２６ａに挿入されることで構成される。   The 2nd rotating shaft shaft part 26 is comprised from the shaft main body (2nd shaft main body) 26a and the two bearings 26b as a bearing of the shaft main body 26a. The shaft body 26 a is integrally formed at the end of the arm 22 on the side opposite to the suction nozzle 21. Further, the two bearings 26b are fixed to the upper portion (the end portion on the arm 22 side) of the first rotating shaft shaft portion 25 in the z-axis direction. The connecting portion between the first rotary shaft 25 and the arm 22 is configured by inserting the shaft body 26a into the two bearings 26a.

また、カム機構２７は、アーム２２のｚ軸回転時の、吸引ノズル２１のｚ軸方向の変位を決定する機構であり、カムフォロア２７ａと、カムフォロア２７ａと接触するカム面２７ｂを有するカム部とを備えている。カムフォロア２７ａは、アーム２２の下面に設けられており、上述のアーム２２のｚ軸回転に合わせて変位するようになっている。上記カム面２７ｂを有するカム部は、図２に示されるように、カムフォロア２７ａの変位によって描かれる軌道上に設置されている。これにより、カムフォロア２７ａは、アーム２２がｚ軸回転している間、常にカム面２７ｂに接触し回転するようになる。このカム面２７ｂは、ｘｙ平面に対し傾斜した傾斜面と、ｘｙ平面に平行な平坦面とから構成されている。それゆえ、アーム２２がｚ軸回転しているとき、カムフォロア２７ａは、カム面２７ｂにおける平坦面及び傾斜面を連続的に回転移動する。そして、このカムフォロア２７ａの回転移動に合わせて、アーム２２はｙ軸回転する。そして、アーム２２のｙ軸回転により、吸引ノズル２１がｚ軸方向において上下動する動作Ｂが行われる。   The cam mechanism 27 is a mechanism that determines the displacement of the suction nozzle 21 in the z-axis direction when the arm 22 rotates in the z-axis. The cam mechanism 27 includes a cam follower 27a and a cam portion having a cam surface 27b that contacts the cam follower 27a. I have. The cam follower 27a is provided on the lower surface of the arm 22 and is displaced in accordance with the z-axis rotation of the arm 22 described above. As shown in FIG. 2, the cam portion having the cam surface 27b is installed on a track drawn by the displacement of the cam follower 27a. As a result, the cam follower 27a always contacts the cam surface 27b and rotates while the arm 22 rotates in the z-axis direction. The cam surface 27b includes an inclined surface inclined with respect to the xy plane and a flat surface parallel to the xy plane. Therefore, when the arm 22 rotates in the z-axis, the cam follower 27a continuously rotates and moves on the flat surface and the inclined surface of the cam surface 27b. The arm 22 rotates in the y axis in accordance with the rotational movement of the cam follower 27a. Then, by the y-axis rotation of the arm 22, an operation B in which the suction nozzle 21 moves up and down in the z-axis direction is performed.

本気相成長装置においては、移動機構２３により吸引ノズル２１が基板トレイ載置台９上に移動したとき、吸引ノズル２１のｚ軸方向の底面２１ｂが、チャンバー本体４のｚ軸方向の上面４ａよりも低い位置に配される。このような構成において、移動機構２３が吸引ノズル２１に対し動作Ａのみを行う場合、吸引ノズル２１がチャンバー本体４の側面に当接してしまう。このため、吸引ノズル２１を、チャンバー１の内部から外部へ、及び外部から内部へ移動させることができなくなる。移動機構２３による動作Ｂは、吸引ノズル２１を上下動させることで、吸引ノズル２１の底面２１ａを、チャンバー本体４の上面４ａよりも高い位置に変位させる動作である。言い換えれば、本気相成長装置によれば、動作Ｂにより、吸引ノズル２１は、チャンバー１の内部から外部へ、もしくは外部から内部へ移動する（すなわち、動作Ａによる移動）に際し、サセプタ１０の収容空間を形成する段差部（上面４ａ）を乗り越えるようになる。   In this vapor phase growth apparatus, when the suction nozzle 21 is moved onto the substrate tray mounting table 9 by the moving mechanism 23, the bottom surface 21 b in the z-axis direction of the suction nozzle 21 is higher than the top surface 4 a in the z-axis direction of the chamber body 4. Located in a low position. In such a configuration, when the moving mechanism 23 performs only the operation A on the suction nozzle 21, the suction nozzle 21 comes into contact with the side surface of the chamber body 4. For this reason, the suction nozzle 21 cannot be moved from the inside of the chamber 1 to the outside and from the outside to the inside. Operation B by the moving mechanism 23 is an operation of moving the suction nozzle 21 up and down to displace the bottom surface 21 a of the suction nozzle 21 to a position higher than the top surface 4 a of the chamber body 4. In other words, according to the present vapor phase growth apparatus, when the suction nozzle 21 moves from the inside of the chamber 1 to the outside or from the outside to the inside by the operation B (that is, movement by the operation A), the accommodation space of the susceptor 10 The stepped portion (the upper surface 4a) that forms the surface is overcome.

動作Ｂにおいて、吸引ノズル２１のｚ軸方向の上下動変位は、カム面２７ｂにおける傾斜面及び平坦面の位置により決定される。すなわち、アーム２２のｚ軸回転時にカムフォロア２７ａが平坦面を回転移動する場合、吸引ノズル２１は上下動することなく、ｚ軸方向の変位はない。一方、カムフォロア２７ａが、傾斜面として例えば上記平坦面から隆起した隆起面を回転移動する場合、吸引ノズル２１は、ｚ軸方向において、上側（チャンバー蓋６側）に変位する。   In the operation B, the vertical displacement of the suction nozzle 21 in the z-axis direction is determined by the positions of the inclined surface and the flat surface on the cam surface 27b. That is, when the cam follower 27a rotates on the flat surface when the arm 22 rotates in the z-axis, the suction nozzle 21 does not move up and down and there is no displacement in the z-axis direction. On the other hand, when the cam follower 27a rotates and moves, for example, a raised surface raised from the flat surface as an inclined surface, the suction nozzle 21 is displaced upward (in the chamber lid 6 side) in the z-axis direction.

なお、本気相成長装置において、吸引ノズル２１が、掃除対象である基板トレイ載置台９上に移動したとき、基板トレイ載置台９と吸引ノズル２１との距離は、カムフォロア２７ａとカム面２７ｂとの関係により決定されるのではない。アーム２２における吸引ノズル２１側の端部には、鉛直（ｚ軸方向）下向きにストッパー２８が固定されている。基板トレイ載置台９と吸引ノズル２１との距離は、吸引ノズル２１が基板トレイ載置台９上に移動したとき、最終的にストッパー２８がチャンバー本体４の上面４ａに接触することにより、常に一定に保たれる。   In this vapor phase growth apparatus, when the suction nozzle 21 is moved onto the substrate tray mounting table 9 to be cleaned, the distance between the substrate tray mounting table 9 and the suction nozzle 21 is the distance between the cam follower 27a and the cam surface 27b. It is not determined by relationships. A stopper 28 is fixed vertically (z-axis direction) downward at the end of the arm 22 on the suction nozzle 21 side. The distance between the substrate tray mounting table 9 and the suction nozzle 21 is always constant because the stopper 28 finally comes into contact with the upper surface 4a of the chamber body 4 when the suction nozzle 21 moves onto the substrate tray mounting table 9. Kept.

本気相成長装置が備えるチャンバー１は、チャンバー本体４とチャンバー蓋６とを密着させるためのシール部と、全ての基板７に等分布で反応ガスを供給するための基板回転部と、シール部及び基板回転部以外の固定部とから構成されている。基板回転部は、基板トレイ載置台９と、サセプタ１０とを備えている。また、固定部は、サセプタ１０の収容空間を形成する段差部（上面４ａ）を備えている。一般的に、基板回転部に反応ガスを供給したとき、反応ガス流は、固定部に当たる。このため、チャンバー１における固定部には、成膜に直接関係しない構造物を配置することができない。また、掃除対象である基板トレイ載置台９は、中心軸Ｏを回転軸として回転している。このため、チャンバー１のサイズが大きく、アーム２２が長く設計されている場合、アーム２２の端部（吸引ノズル２１側の端部）で発生する吸引力により、アーム２２が共振振動するおそれがある。   The chamber 1 provided in the vapor phase growth apparatus includes a seal part for bringing the chamber body 4 and the chamber lid 6 into close contact, a substrate rotating part for supplying reaction gas to all the substrates 7 with equal distribution, a seal part, It is comprised from fixed parts other than a board | substrate rotation part. The substrate rotating unit includes a substrate tray mounting table 9 and a susceptor 10. Further, the fixed portion includes a step portion (upper surface 4 a) that forms a housing space for the susceptor 10. Generally, when a reaction gas is supplied to the substrate rotating part, the reaction gas flow hits the fixed part. For this reason, a structure that is not directly related to film formation cannot be arranged in the fixed portion of the chamber 1. Further, the substrate tray mounting table 9 to be cleaned rotates around the central axis O as a rotation axis. For this reason, when the size of the chamber 1 is large and the arm 22 is designed to be long, the arm 22 may resonate and vibrate due to the suction force generated at the end of the arm 22 (end on the suction nozzle 21 side). .

本気相成長装置では、上述のように、アーム２２における吸引ノズル２１近傍に鉛直下向きに延びたストッパー２８が設けられている。それゆえ、ストッパー２８が上面４ａに当接したとき、アーム２２におけるストッパー２８設置点が支点となって、吸引力によるアーム２２の回転モーメントを小さくすることができる。その結果、アーム２２の共振振動を抑制することができる。   In this vapor phase growth apparatus, as described above, the stopper 28 extending vertically downward is provided in the vicinity of the suction nozzle 21 in the arm 22. Therefore, when the stopper 28 comes into contact with the upper surface 4a, the installation point of the stopper 28 in the arm 22 becomes a fulcrum, and the rotational moment of the arm 22 due to the suction force can be reduced. As a result, the resonance vibration of the arm 22 can be suppressed.

また、吸引ノズル２１及びアーム２２の自重や吸引力によるアーム２２のたわみに影響されず、基板トレイ載置台９と吸引ノズル２１との距離を一定に保つことができる。   In addition, the distance between the substrate tray mounting table 9 and the suction nozzle 21 can be kept constant without being affected by the weight of the suction nozzle 21 and the arm 22 and the deflection of the arm 22 due to the suction force.

次に、本気相成長装置における掃除手段２の運用方法について、図２を用いて、詳述する。   Next, the operation method of the cleaning means 2 in this vapor phase growth apparatus will be described in detail with reference to FIG.

まず、図示していない自動搬送ロボットにより、基板トレイ載置台９に載置された基板７及び基板トレイ８をチャンバー１外へ搬送・回収する。そして、最後の基板７及び基板トレイ８をチャンバー１外へ搬送・回収した直後に、ステッピングモータ２５ｂを作動させる。これにより、アーム２２をｚ軸回転させるとともに、吸引ノズル２１を上下動させ、チャンバー本体４の上面４ａを乗り越えるようにする。そして、吸引ノズル２１を基板トレイ載置台９上まで移動したとき、ステッピングモータ２５ｂの作動を停止する。   First, the substrate 7 and the substrate tray 8 mounted on the substrate tray mounting table 9 are transferred and collected out of the chamber 1 by an automatic transfer robot (not shown). Then, immediately after the last substrate 7 and substrate tray 8 are transported and collected out of the chamber 1, the stepping motor 25b is operated. As a result, the arm 22 is rotated in the z-axis direction, and the suction nozzle 21 is moved up and down to get over the upper surface 4a of the chamber body 4. Then, when the suction nozzle 21 is moved onto the substrate tray mounting table 9, the operation of the stepping motor 25b is stopped.

次に、吸引ノズル２１を静止させたまま、図示しない真空ポンプを作動させ、基板トレイ載置台９上の塵埃除去を開始する。このとき、基板トレイ載置台９は、サセプタ１０とともに、回転機構１１により、一定の角速度でチャンバー１の中心軸Ｏ回りを回転している。ここで、ｘ軸方向において、吸引ノズル２１の幅が、基板トレイ載置台９の幅以上であることが好ましい。これにより、基板トレイ載置台９及びサセプタ１０がチャンバー１の中心軸Ｏ回りを一周回転したときに、全ての基板トレイ載置台９上の塵埃を除去することができ、効率的な塵埃除去を実現することができる。   Next, a vacuum pump (not shown) is operated while the suction nozzle 21 is stationary, and dust removal on the substrate tray mounting table 9 is started. At this time, the substrate tray mounting table 9 is rotated around the central axis O of the chamber 1 at a constant angular velocity by the rotating mechanism 11 together with the susceptor 10. Here, in the x-axis direction, the width of the suction nozzle 21 is preferably equal to or larger than the width of the substrate tray mounting table 9. Thereby, when the substrate tray mounting table 9 and the susceptor 10 rotate around the central axis O of the chamber 1, dust on all the substrate tray mounting tables 9 can be removed, and efficient dust removal is realized. can do.

全ての基板トレイ載置台９上の塵埃を除去した後、図示していない真空ポンプによる吸引を終了する。そして、ステッピングモータ２５ｂを作動させて、アーム２２をｚ軸回転させる。そして、アーム２２がチャンバー１外部へ移動したら、ステッピングモータ２５ｂを停止させる。   After all the dust on the substrate tray mounting table 9 is removed, the suction by a vacuum pump (not shown) is terminated. Then, the stepping motor 25b is operated to rotate the arm 22 in the z axis. When the arm 22 moves to the outside of the chamber 1, the stepping motor 25b is stopped.

本気相成長装置においては、図示しない自動搬送ロボットが新しい基板７および基板トレイ８を基板トレイ載置台９に設置するまでに、上述の一連の動作が完了するように掃除手段２を運用する。   In this vapor phase growth apparatus, the cleaning means 2 is operated so that the above-described series of operations are completed before an automatic transfer robot (not shown) installs the new substrate 7 and the substrate tray 8 on the substrate tray mounting table 9.

本発明を以下のように表現することもできる。   The present invention can also be expressed as follows.

（第１の構成）
本体と蓋から構成されたチャンバーと、前記チャンバー内に、被成膜物載置台と、前記被成膜物載置台をチャンバー中心軸回りに回転させる機構と、前記被成膜物載置台上の塵埃を除去する手段とを備えた気相成長装置において、前記塵埃除去手段は、前記チャンバー外に回転軸を有するアームを備え、前記アーム端に前記被成膜物載置台に対して非接触な吸引ノズルを有し、前記アーム回転によって前記吸引ノズルを前記チャンバーの内から外、および外から内へ移動できることを特徴とする気相成長装置。 (First configuration)
A chamber composed of a main body and a lid; a deposition object placing table; a mechanism for rotating the deposition object placing table around a central axis of the chamber; and the film deposition object placing table on the deposition object placing table. In the vapor phase growth apparatus provided with a means for removing dust, the dust removing means includes an arm having a rotating shaft outside the chamber, and is not in contact with the deposition object mounting table at the end of the arm. A vapor phase growth apparatus having a suction nozzle and capable of moving the suction nozzle from the inside of the chamber and from the outside to the inside by rotating the arm.

（第２の構成）
前記吸引ノズル幅が被成膜物載置台幅と同じ、またはそれ以上であることを特徴とする第１の構成の気相成長装置。 (Second configuration)
The vapor phase growth apparatus of the first configuration, wherein the suction nozzle width is equal to or greater than the film-formation object mounting table width.

（第３の構成）
前記アーム回転軸は、回転時にアームを上下動させるカム機構を備えていることを特徴とする第１または第２の構成の気相成長装置。 (Third configuration)
The vapor phase growth apparatus having the first or second configuration, wherein the arm rotation shaft includes a cam mechanism that moves the arm up and down during rotation.

（第４の構成）
前記アームは、鉛直下向きに延びているストッパーを備えていることを特徴とする第１〜第３の何れかの構成の気相成長装置。 (Fourth configuration)
The arm includes a stopper extending vertically downward, and the vapor phase growth apparatus having any one of the first to third configurations.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims. That is, embodiments obtained by combining technical means appropriately modified within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.

本発明の気相成長装置は、チャンバーの開閉に伴う蓋の上下動に影響されることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去することが可能になるので、気相成長による成膜が必要な半導体基板製造分野などに利用することができる。   The vapor phase growth apparatus of the present invention can remove dust on the deposition object mounting table without being affected by the vertical movement of the lid accompanying opening and closing of the chamber. Can be used in the field of semiconductor substrate manufacturing that requires

１ チャンバー
２ 掃除手段（除去手段）
３ グローブボックス
４ チャンバー本体
５ 上下動機構
６ チャンバー蓋
７ 基板（被成膜物）
８ 基板トレイ
９ 基板トレイ載置台（被成膜物載置台）
１０ サセプタ
１１ 回転機構
２１ 吸引ノズル
２２ アーム
２３ 移動機構
２４ 配管チューブ
２５ 第１の回転軸シャフト部（第１の軸部）
２５ａ シャフト本体（第１の軸本体）
２５ｂ ステッピングモータ（動力源）
２５ｃ 磁性流体シール
２６ 第２の回転軸シャフト部（第２の軸部）
２６ａ シャフト本体（第２の軸本体）
２６ｂ ベアリング（軸受）
２７ カム機構
２７ａ カムフォロア
２７ｂ カム面
２８ ストッパー 1 Chamber 2 Cleaning means (removal means)
3 Glove box 4 Chamber body 5 Vertical movement mechanism 6 Chamber lid 7 Substrate (film formation)
8 Substrate tray 9 Substrate tray mounting table (film deposition table)
10 Susceptor 11 Rotating Mechanism 21 Suction Nozzle 22 Arm 23 Moving Mechanism 24 Piping Tube 25 First Rotating Shaft Shaft (First Shaft)
25a Shaft body (first shaft body)
25b Stepping motor (power source)
25c Magnetic fluid seal 26 Second shaft shaft portion (second shaft portion)
26a Shaft body (second shaft body)
26b Bearing
27 Cam mechanism 27a Cam follower 27b Cam surface 28 Stopper

Claims (6)

本体と蓋とから構成されたチャンバーと、
上記チャンバー内に配置された被成膜物載置台と、
上記被成膜物載置台上の塵埃を除去する除去手段とを備えた気相成長装置であって、
上記除去手段は、
上記被成膜物載置台へ延びたアームと、
上記アームの端部に設けられた吸引ノズルと、
上記チャンバーの中心軸と平行な第１の方向に延びた第１の軸部を上記チャンバー外部に有し、該第１の軸部を回転軸として上記アームを回転させることにより、上記吸引ノズルを、上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構とを備え、
上記移動機構は、
上記第１の方向および上記アームの長手方向に対し垂直な、第２の方向に延びた第２の軸部と、
さらに、上記第１の軸部を回転軸とした上記アームの回転に伴い、上記アームを上記第２の軸部を回転軸として回転させることにより、上記吸引ノズルを、第１の方向において上下動させるカム機構とを備えたことを特徴とする気相成長装置。 A chamber composed of a main body and a lid;
A deposition object mounting table disposed in the chamber;
A vapor phase growth apparatus provided with a removing means for removing dust on the film mounting table,
The removing means is
An arm extending to the deposition object mounting table;
A suction nozzle provided at an end of the arm;
A first shaft portion extending in a first direction parallel to the central axis of the chamber is provided outside the chamber, and the arm is rotated about the first shaft portion as a rotation axis, whereby the suction nozzle is A moving mechanism for moving the chamber from the outside to the inside and from the outside to the inside ,
The moving mechanism is
A second shaft portion extending in a second direction perpendicular to the first direction and the longitudinal direction of the arm;
Furthermore, the suction nozzle is moved up and down in the first direction by rotating the arm with the second shaft portion as a rotation axis as the arm rotates with the first shaft portion as a rotation axis. vapor deposition apparatus characterized by comprising a cam mechanism for. 上記チャンバーの中心軸を回転軸として、上記被成膜物載置台を回転させる回転機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。   The vapor phase growth apparatus according to claim 1, further comprising a rotation mechanism that rotates the deposition object mounting table with the central axis of the chamber as a rotation axis. 上記アームの長手方向において、上記吸引ノズルの幅は、上記被成膜物載置台の幅以上になっていることを特徴とする請求項１また２に記載の気相成長装置。   3. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein in the longitudinal direction of the arm, the width of the suction nozzle is equal to or larger than the width of the deposition object mounting table. 上記第２の軸部は、上記第１の軸部と上記アームとの接続部分に設けられた第２の軸本体と、上記第２の軸本体の軸受とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。The second shaft portion includes a second shaft body provided at a connection portion between the first shaft portion and the arm, and a bearing of the second shaft body. Item 2. The vapor phase growth apparatus according to Item 1. 上記アームは、上記第１の方向において、鉛直下向きに延びたストッパーを備えたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の気相成長装置。5. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein the arm includes a stopper that extends vertically downward in the first direction. 6. 上記第１の軸部は、The first shaft portion is
上記アームにおける吸引ノズルと反対側の端部に接続した第１の軸本体と、A first shaft body connected to the end of the arm opposite to the suction nozzle;
上記第１の軸本体を回転させる動力源とを備えたことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の気相成長装置。The vapor phase growth apparatus according to any one of claims 1 to 5, further comprising a power source for rotating the first shaft main body.
JP2009138563A 2009-06-09 2009-06-09 Vapor growth equipment Expired - Fee Related JP4694637B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009138563A JP4694637B2 (en) 2009-06-09 2009-06-09 Vapor growth equipment
PCT/JP2010/059114 WO2010143544A1 (en) 2009-06-09 2010-05-28 Vapor deposition apparatus
TW99118461A TWI422695B (en) 2009-06-09 2010-06-07 Vapor deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009138563A JP4694637B2 (en) 2009-06-09 2009-06-09 Vapor growth equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010287631A JP2010287631A (en) 2010-12-24
JP4694637B2 true JP4694637B2 (en) 2011-06-08

Family

ID=43308799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009138563A Expired - Fee Related JP4694637B2 (en) 2009-06-09 2009-06-09 Vapor growth equipment

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4694637B2 (en)
TW (1) TWI422695B (en)
WO (1) WO2010143544A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023223991A1 (en) * 2022-05-19 2023-11-23 株式会社ニューフレアテクノロジー Maintenance method for semiconductor manufacturing apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766108A (en) * 1993-08-31 1995-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Treating liquid coater
JPH1022204A (en) * 1996-07-05 1998-01-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
JP2001341054A (en) * 2000-06-02 2001-12-11 Mitsubishi Motors Corp Work detaching device of plane lapping machine
JP2002080122A (en) * 2000-09-04 2002-03-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Transferring device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58210162A (en) * 1982-06-02 1983-12-07 Toshiba Corp Method and device for cleaning vapor deposition device
JPH04176867A (en) * 1990-11-13 1992-06-24 Kawasaki Steel Corp Dust-proof device of multistage type vacuum differential pressure chamber
JP4521056B2 (en) * 2006-05-15 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766108A (en) * 1993-08-31 1995-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Treating liquid coater
JPH1022204A (en) * 1996-07-05 1998-01-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
JP2001341054A (en) * 2000-06-02 2001-12-11 Mitsubishi Motors Corp Work detaching device of plane lapping machine
JP2002080122A (en) * 2000-09-04 2002-03-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Transferring device

Also Published As

Publication number Publication date
TWI422695B (en) 2014-01-11
JP2010287631A (en) 2010-12-24
WO2010143544A1 (en) 2010-12-16
TW201103993A (en) 2011-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI508152B (en) Liquid treatment device
KR102024386B1 (en) Substrate holding apparatus and substrate holding method
KR102009917B1 (en) Substrate liquid processing apparatus
JP6480009B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
KR102518220B1 (en) Magnetically levitated and rotated chucks for handling microelectronic substrates in process chambers
US20080006299A1 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP6268469B2 (en) Substrate processing apparatus, control method for substrate processing apparatus, and recording medium
JP2015115517A (en) Wafer transport device and efem
US8794896B2 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
KR20060131912A (en) Single workpiece processing chamber
JP4694637B2 (en) Vapor growth equipment
JP6320945B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5561980B2 (en) Component mounting device
WO2012002125A1 (en) Metal-film forming device
CN111755367A (en) Substrate processing apparatus
JP4445087B2 (en) Cleaning method for image recognition device
JP2011159834A (en) Substrate carrier device with gas replacement device, substrate carrier system, and replacement method
JP5238331B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing system
JP5726636B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP7316102B2 (en) Wafer transfer device
CN217797790U (en) Wafer cleaning unit and wafer processing device
JP7444639B2 (en) Substrate processing equipment
CN103118524B (en) The maintaining method of element fixing apparatus
JP5878720B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20080063942A (en) Reticle transfer apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100921

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110201

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110223

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees