JP4685693B2 - 逆起電力値を使用する乱数発生 - Google Patents
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ここに、Vはコイル140およびセンス抵抗158の両端間で測定できる電圧であり、IMは注入電流の大きさであり、RMはコイル140の抵抗であり、RSはセンス抵抗158のの抵抗であり、BEMFはコイルの動きにより誘起される逆起電力電圧であり、αは係数である。係数αが下記の値に設定されると、
よって、
となる。
このようにして、VCM制御回路142はパス160および164両端間で感知された実際の電圧を決定しかつ方程式2で求められたα係数を適用することにより、任意の定められた時間におけるBEMF値を決定することができる。前記したように、このようにして得られたBEMF値は、好ましくは、ノイズ、オフセットおよび他のランダム効果により支配される。
ここに、IM2は新しい電流値であり、IM1は前に印加された電流値であり、BEMF1は最も最近決定されたBEMF値であり、βはスケーリングファクタである。方程式(4)におけるIM2にはIM1とは反対方向の極性が与えられることに注目願いたい。このようにして、IM2を印加するとIM1により前に誘起された方向(たとえば、図4参照)とは反対方向にコイル140およびトランスデューサ112の動きが誘起される。これは好ましいことではあるが、必ずしも必要なことではない。
102 ハウジング
104 ベースデッキ
106 トップカバー
108 スピンドルモータ
110 記憶媒体
112 データトランスデューサ
114 ヘッドスタックアセンブリ
116 フレクシブルサスペンション
118 アクチュエータアーム
120 カートリッジベアリングアセンブリ
122 ボイスコイルモータ
124 ランプ構造
126 フレックス回路アセンブリ
128 印刷回路板
130 プログラマブルコントローラ
132 インターフェイスブロック
134 リード/ライトチャネル
136 前置増幅器/ドライバ回路
138 サーボ回路
140 コイル
142 VCM制御回路
144 h-ブリッジドライバ回路
146,148,150,152 スイッチング装置
154 VC電圧源
156 基準線路
158 電流センス抵抗
160,162,164 信号線路
166 乱数発生器ブロック
168 セキュリティプロトコル
Claims (24)
- 逆起電力(BEMF)値に関連して乱数を発生するステップを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、さらに、回路に電流を印加するステップを含み、発生ステップのBEMF値は前記電流の印加から得られる方法。
- 請求項2に記載の方法であって、印加ステップの回路はトランスデューサを回転可能媒体に隣接位置決めするように構成されたコイルを含み、印加ステップの電流は媒体が非回転状態である間にコイルに印加される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、さらに、コイル両端間の電圧を測定し前記電圧に関連してBEMF値を決定するステップを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、発生ステップはBEMF値が偶数か奇数かに関連して前記乱数の1ビットを発生するステップを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、発生ステップの乱数はnビットを含み、前記乱数の各ビットは回路に電流パルスを印加するステップ、関連するBEMF値を測定するステップ、およびBEMF値を評価して前記各ビットを設定するステップにより別々に発生される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、さらに、
第1の大きさの電流をコイルに印加するステップと、
続いて、第1の大きさの電流およびBEMF値に関連して決定される第2の大きさの電流をコイルに印加するステップと、を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、装置へのアクセス制御を行うセキュリティプロトコルに乱数を提供するステップを含む方法。
- 逆起電力(BEMF)値に関連して設定された大きさの乱数を発生するように構成された回路を含む装置。
- 請求項9に記載の装置であって、さらに、回路に電流を印加するように構成された制御回路を含み、BEMF値は前記電流の印加に応答して得られる装置。
- 請求項9に記載の装置であって、前記回路はプロセッサを含み、該プロセッサは、さらに、コイル両端間の電圧を識別し前記電圧に関連してBEMF値を決定するように構成される装置。
- 請求項9に記載の装置であって、前記回路はBEMF値が偶数か奇数かに関連して前記乱数の1ビットを発生するように構成される装置。
- 請求項9に記載の装置であって、乱数はnビットを含み、前記乱数の各ビットは回路への電流パルスの印加および得られるBEMF値の測定、および得られるBEMF値を評価して各ビットを設定する前記回路の動作により別々に発生される装置。
- 請求項9に記載の装置であって、さらに、第1の大きさの電流をコイルに印加し、関連するBEMF値を測定し、続いて、第1の大きさの電流およびBEMF値に関連して第2の大きさの電流をコイルに印加するように構成された制御回路を含む装置。
- 請求項14に記載の装置であって、コイルはボイスコイルモータ(VCM)のコイルを含む装置。
- 請求項14に記載の装置であって、コイルはトランスデューサを回転可能媒体に隣接位置決めするように構成され、電流は媒体が非回転状態である間に制御回路によりコイルに印加される装置。
- 請求項14に記載の装置であって、さらに、コイルに直列接続された電流センス抵抗を含み、制御回路はコイルおよびセンス抵抗両端間の合成電圧降下を感知する装置。
- 請求項14に記載の装置であって、さらに、制御回路に応答して前記電流をコイルに供給するように構成されたh−ブリッジドライバ回路を含む装置。
- 請求項14に記載の装置であって、さらに、コイルに接続されたトランスデューサおよびトランスデューサを接触支持するように構成されたランプ構造を含み、制御回路によりコイルに印加される電流はランプ構造上でトランスデューサの双方向スライド動作を誘起する装置。
- 請求項9に記載の装置であって、前記回路は乱数を発生する関連するプログラミングを有するプログラマブルプロセッサを含む装置。
- コイルと、
前記コイルにより発生される逆起電力(BEMF)に関連して乱数を発生する第1の手段と、
を含む装置。 - 請求項21に記載の装置であって、第1の手段はプロセッサを含む装置。
- 請求項21に記載の装置であって、前記コイルと前記第1の手段はデータ記憶装置に組み込まれている装置。
- 請求項1に記載の方法であって、発生した乱数をデータへのアクセスの許可あるいは禁止のためのセキュリティプロトコルにおいて使用するステップをさらに含む方法。
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---|---|---|---|---|
JP2003005994A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Hitachi Ltd | プログラム開発方法 |
JP2005011356A (ja) * | 2003-06-21 | 2005-01-13 | Samsung Electronics Co Ltd | ディスクドライブにおける乱数発生方法及びそのシステム |
US20060066981A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Agere Systems Inc. | Velocity controlled disk drive head retraction with reduced audible noise |
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