JP4674353B2 - フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ及びその製造方法 - Google Patents
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上記構成において、好ましくは、フッ素原子は、窒素を置換して窒化ホウ素ナノチューブに導入されており、フッ素が導電性の不純物となっている。この窒化ホウ素ナノチューブの組成は、好ましくは、BN1-x Fx (0.02≦x≦0.08)である。
上記構成によれば、フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブを提供することができる。この窒化ホウ素ナノチューブは、フッ素が導入されることで高ドープされた半導体となる。
上記構成において、加熱温度を、好ましくは、880〜950℃の範囲とする。
上記構成によれば、基材として塩化マグネシウムを使用し、アンモニアガス及び三フッ化ホウ素ガスの気流中で加熱することにより、880〜950℃の反応温度範囲において、フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブを製造することができる。このような条件で製造することにより、その長さが数μmであり、その直径が数十nmであるフッ素原子が不純物として添加された窒化ホウ素ナノチューブが得られる。
最初に、フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブを製造する方法を説明する。反応管内の窒化ホウ素などからなる円筒管に、基材となる塩化マグネシウム片を収容し、窒素ガスを流しながら、抵抗加熱炉により880〜950℃まで温度を上げる。この温度に到達したとき、窒素ガスを流すことを止める。
引き続き、反応管内へアンモニアガスと三フッ化ホウ素ガスからなる反応性ガスを流して、この温度で1時間加熱することにより、塩化マグネシウム片の表面に無色のウール状の層が堆積する。
ネシウム、塩化マグネシウム、フッ化マグネシウム、ナノメートルサイズの鉄、コバルト及びそれらの酸化物を基材として用いた場合、塩化マグネシウムを用いたときだけ、フッ素原子が窒化ホウ素ナノチューブ中に化学的に導入され、他の基材を用いた場合は、フッ素原子は化学的に導入されない。
最初に、窒化ホウ素製の円筒管に、基材となる塩化マグネシウム片(和光純薬工業(株)製、純度99.9%)30mgを入れた。この円筒管を、横型抵抗加熱炉に挿入された石英管からなる反応管の内側に配設した。
反応管に流量800sccm(standard cubic cm per minute)の窒素ガスを流しながら、30分かけて925℃まで温度を上げた。
次に、窒素ガスを停止して、別々のガス導入管から流量1000sccmのアンモニガスと流量100sccmの三フッ化ホウ素ガスとを流しながら、引き続き、925℃で1時間加熱した。その結果、塩化マグネシウムの表面に無色のウール状の層が約10mg堆積した。
通常のフッ素原子の導入されていない窒化ホウ素ナノチューブを比較例とした。
図1は、実施例で得られたウール状堆積物の走査型電子顕微鏡像を示す図である。図1から、実施例で得られたウール状堆積物の寸法は、長さが数マイクロメートル(μm)であり、直径が数十ナノメートル(nm)の一次元ナノ構造物であることが分かった。
図3(A)から、実施例で得られたナノチューブは窒素とホウ素との原子比が1に近く、化学量論的組成に近い窒化ホウ素からなるナノチューブであることが分かった。
さらに、図3(B)から明らかなように、実施例で得られた窒化ホウ素ナノチューブには、フッ素が導入され、窒素に対するフッ素の濃度は約4at%であることが判明した。これから、フッ素は窒素を置換して窒化ホウ素ナノチューブに導入されることが判明した。
図4から、黒丸印で示す実施例のフッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブの電流電圧曲線(図4の●参照)は、フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブと電極間とのショットキー障壁のために非直線性を示すことが分かった。そして、このときの抵抗率は0.2〜0.6Ω・cmであり、フッ素が導電性の不純物となっている。つまり、実施例のフッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブは、フッ素が導入されることで、典型的な高ドープした半導体の性質を示すことが判明した。
一方、図4中、黒四角印で示す比較例のフッ素原子が導入されていない通常の窒化ホウ素ナノチューブの電流電圧特性(図4の■参照)は、ナノチューブと電極間とのオーミックコンタクトのために直線性を示し、その抵抗率は約300Ω・cmであり、実施例のフッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブと比べて、抵抗率が3桁(1000倍)以上の開きがあり、抵抗率が高いことが分かった。
Claims (4)
- フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ。
- 前記フッ素原子は、窒素を置換して前記窒化ホウ素ナノチューブに導入されており、前記フッ素が導電性の不純物となっていることを特徴とする、請求項1に記載のフッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ。
- 基材となる塩化マグネシウムを、アンモニアガス及び三フッ化ホウ素ガスの気流中で880℃以上で加熱し、フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブを合成することを特徴とする、フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブの製造方法。
- 前記加熱温度を、880〜950℃の範囲とすることを特徴とする、請求項3記載のフッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005294659A JP4674353B2 (ja) | 2005-10-07 | 2005-10-07 | フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005294659A JP4674353B2 (ja) | 2005-10-07 | 2005-10-07 | フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007099588A JP2007099588A (ja) | 2007-04-19 |
JP4674353B2 true JP4674353B2 (ja) | 2011-04-20 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005294659A Expired - Fee Related JP4674353B2 (ja) | 2005-10-07 | 2005-10-07 | フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4674353B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5448067B2 (ja) * | 2009-12-09 | 2014-03-19 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 窒化ホウ素ナノチューブの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH04228572A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質窒化ホウ素合成法 |
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JP2001270707A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-02 | National Institute For Materials Science | Sp3結合をもつ窒化ホウ素ナノチューブとその製造方法 |
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JP2004189547A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | National Institute For Materials Science | 水素吸蔵用材料としての窒化ホウ素(bn)ナノチューブとその製造方法 |
JP2004231455A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | National Institute For Materials Science | 窒化ホウ素ナノチューブの製造方法 |
-
2005
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004175618A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | National Institute For Materials Science | 水素吸蔵用窒化ホウ素ナノチューブの製造方法 |
JP2004189547A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | National Institute For Materials Science | 水素吸蔵用材料としての窒化ホウ素(bn)ナノチューブとその製造方法 |
JP2004231455A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | National Institute For Materials Science | 窒化ホウ素ナノチューブの製造方法 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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