JP4671215B2 - ナノ・アセンブリの製造方法、ナノ・アセンブリ及びその使用方法 - Google Patents
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Description
サンプルの準備
以下に示す全実験結果は、SIGMA又はDNAラダー(ロッシュ診断用DNA分子ウェイト・マーカXVI、Cat.No.1855638)から提供された子牛の胸線DNA(ctDNA)分子を用いて得た。ctDNAを、258nm波長と1cm経路長とで1.26の光学的密度を得るために、リン酸ナトリウム・バッファ(10mM)に溶解した。DNAラダーは、250〜3000塩基対のサイズ範囲をカバーする、12個の平滑末端(blunt-ended)で、二重螺旋状DNAフラグメントの混合物から成り、10mM、トリス−HCL、1mM EDTA、pH8.0の250μg/ml溶液として与えられている。この溶液を水で薄めて、使用前に0.5μg/mlの濃度とした。
1.2gのポリスチレン(製品番号44,114−7、オールドリッチ・インク(Aldrich Inc.)、平均分子量ca.350.000)が、50mlトルエンに溶融された。
この溶液を用いて、基板に対して4000rpmで40秒間スピン・コーティングを実施し、薄いポリマー・フィルムを形成した。溶媒を除去するためのポストベークは、通常の場合、実施しなかった。
ctDNAの一滴を、ポリマー・フィルムの表面に適用した。この一滴を、約40秒間3000〜4000rpmでスピン・コーティングした。この後、一滴の水を適用し、スピン・コーティングして、表面を洗浄し、全ての緩衝塩を除去した。
(バージョンa):純水中のTHPAuNP
純水におけるTHPAuNPの一滴(合成の詳細は、次の実施例2を参照)をサンプル表面に適用し、少なくとも数秒間から最大1時間まで、好ましくは、5〜10分間そのまま保持した。
(バージョンb):アルコール/水の混合物中のTHPAuNP
1mlのTHPAuNP溶液を、10mlのエタノールで薄め、4°Cで2時間冷却して、粒子を沈殿させた。混合物を、10分間5000rpmで遠心分離器にかけて、表面浮遊物を除去した。沈殿したナノ粒子を0.05〜1.0mlの水に再び溶融し、適量のメタノール又はエタノールを加えて、総量を1.0mlにした。この溶液の一滴を、サンプル表面に適用し、少なくとも数秒間、好ましくは、5〜10分間そのまま保持した。
一滴の市販の無電解メッキ溶液(ゴールドエンハンス−LM(GoldEnhance-LMTM)、カタログ・ナンバー2112、www.nanoprobes.com, Nanoprobles Inc, USA)を、少なくとも数秒間、好ましくは、約5分間、基板表面に適用した。このステップで、最初に結合させていたNPは、より大きなサイズに成長し、連続金属鎖を形成していた。この後、サンプル表面を一滴の水で洗浄し、次に、それを圧縮空気の流れを用いて乾燥した。
ナノ粒子の合成
THPAuNPは、ダフ(Duff)等、J.Chem.Soc., Chem.Commun.(193)96や、ダフ(Duff)等、ラングミュア(Langmuir)9(993)2301や、ダブル・ボーゲル(W.Vogel)、ラングミュア(Langmuir)11(1995)401らの文献に従い合成された。これらの標準的な準備に際し、加水分解されたテトラキス(ハイドロキシメチル)ホスホニウム・クロライド(THPC)の溶液にHAuCl4の溶液を加えるが、ca1.5nmの中間粒子直径をもつTHPAuNPの水性コロイド溶液が得られる。
表面調査
図1は、高分子としてDNAラダーを用いて、上記ステップ1、2、3、4(ステップ5は除外)に基づいて処理された、サンプルの原子力顕微鏡検査(AFM)画像を示す。画像は、NPがDNA分子に結合させられていることを明らかに示している。
全体的な傾向(プロセス・パラメータの調整)
過剰な粒子
NP/水溶液の濃度を下げると、基板表面上の過剰な粒子の密度が低下した。図6に示すように、100倍の希釈で、過剰な粒子の密度が明らかに低下し、同じ時間で、優れたテンプレート特性も観察された。このサンプルは、上記ステップ1、2、3、4a、5に基づいて処理されていた。溶媒は75%メタノール/水の混合物であり、上記ステップ4bの処理時間は20分であり、上記ステップ5の無電解メッキ時間は5分だった。
DNAワイヤの平均直径は、約200〜500nmであったが、この平均直径は、親水性基板上に他の金属処理手法又は本手法を用いて通常は観察した平均直径より非常に大きい。この理由は、DNA分子が、より合わされたので、比較的厚くなったロープ構造を疎水性ポリスチレン上に形成する傾向にあるためである。DNA濃度の低下は、ロープ平均直径を細くすると考えられる。そのうえ、金属処理に起因する最終平均直径は、無電解メッキ・ステップ(図5)の期間を短縮すると更に細くなると考えられる。
DNA分子の完璧な金属処理は、5分未満(無電解メッキ・ステップの時間をプラスして)というDNAの短いNP処理を用いることで達成できる。ほぼ完璧な金属処理とするための正確な時間は、まだ高い精度で決まっていないが、約2分と推定される。
Claims (15)
- 親水性種を疎水性表面上に固定された親水性高分子に結合させることで、疎水性表面と、前記疎水性表面上に固定された親水性高分子と、前記親水性高分子に結合した親水性種とを備えているナノ・アセンブリの製造方法であって、
水の接触角度が60°〜110°の範囲である疎水性表面を設けるステップと、
核酸及び蛋白質を含むグループから選択された前記親水性高分子を前記疎水性表面に適用することによって、前記親水性高分子を前記疎水性表面上に固定するステップと、
前記疎水性表面上に固定された前記親水性高分子をさらし、ナノ粒子を含み、溶液中に含まれており、水溶性金属ナノ粒子、半導体ナノ粒子、誘電体(絶縁体)ナノ粒子、親水性クラスタ及び金属錯体を含むグループから選択された前記親水性種を前記親水性高分子に結合させるステップと
を備え、
2nm〜500nmの範囲内の平均直径をもち、前記ナノ粒子を含む前記親水性種で完全に装飾されている、核酸又は蛋白質ワイヤ或いはその両方であるナノ・アセンブリを製造する
ナノ・アセンブリの製造方法。 - 前記結合した親水性種をより大きなサイズに成長させるステップをさらに備えている請求項1に記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 前記結合した親水性種をより大きなサイズに成長させるステップでは、前記結合した親水性種を無電解メッキ溶液にさらす請求項2に記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 前記親水性高分子を前記疎水性表面に適用するステップは、スピン・コーティング、ディップ・コーティング、ドロップ・キャスティング、スタンピング、分子結合、スプレー噴射技術、インクジェット印刷及びドクター・ブレーディングの中から選択されたプロセスによって行われる請求項1〜3のいずれかに記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 前記親水性種を前記親水性高分子に結合させるために、前記親水性高分子を親水性種にさらすステップは、1秒から120分の間の期間中に行われること請求項1〜4のいずれかに記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 前記親水性高分子を親水性種にさらすステップは、10秒から10分の間の期間中で行われる請求項5に記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 前記溶液は、前記親水性種を水に溶いた溶液、または、前記親水性種を水混和性の有機溶媒/水の混合物に溶いた溶液であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 前記ナノ粒子はコアを備え、該コアに金属又は金属酸化物を有しており、該金属は、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Ag、Pt、Au、これらの組み合わせ、及び、これらの金属の合金を含むグループから選択されている請求項1〜7のいずれかに記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 前記核酸が、DNA、RNA、PNA、CNA、オリゴヌクレオチド、RNAのオリゴヌクレオチド、A−DNA、B−DNA、Z−DNA、DNAのポリヌクレオチド、RNAのポリヌクレオチド、核酸のT−接合、核酸の三重鎖、核酸の四重鎖、非核酸ポリマー核酸ブロック−コポリマーのドメイン、及び、それらの組み合わせを含むグループから選択されている請求項1〜8のいずれかに記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 前記核酸が二重螺旋又は単一螺旋である請求項9に記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 前記親水性種が、トリス(ハイドロキシメチル)ホスフィン−金ナノ粒子(THPAuNP)を含むグループから選択されている請求項1〜10のいずれかに記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 前記無電解メッキ溶液が金塩と還元剤とを含む請求項3〜11のいずれかに記載のナノ・アセンブリの製造方法。
- 水の接触角度が60°〜110°の範囲である疎水性表面と、
核酸及び蛋白質を含むグループから選択された親水性高分子を前記疎水性表面に適用することによって形成された、前記疎水性表面上に固定された親水性高分子と、
ナノ粒子を含み、水溶性金属ナノ粒子、半導体ナノ粒子、誘電体(絶縁体)ナノ粒子、親水性クラスタ及び金属錯体を含むグループから選択され、前記親水性高分子に結合した親水性種と
を備え、
2nm〜500nmの範囲内の平均直径をもち、前記ナノ粒子を含む前記親水性種で完全に装飾されている、核酸又は蛋白質ワイヤ或いはその両方である
ナノ・アセンブリ。 - 装置のナノスケール・エレメントとして請求項13に記載のナノ・アセンブリを使用するナノ・アセンブリの使用方法。
- 前記ナノスケール・エレメントの機能は、インターコネクト、センサ、光学的吸収器、アクチュエータ、変換器、及び、メモリを含むグループから選択されている請求項14に記載のナノ・アセンブリの使用方法。
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