JP4633088B2 - 干渉性変調器および表示装置 - Google Patents
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Description
等への応用の点で好ましくない。また、表示色毎に異なる構造の画素を作製する必要もある。さらに、このiMoDTM方式では明・暗の二値表示であるため、中間調表示はパルス幅変調による空間的ディザリング(面積階調方式)を用いるほかなく、大きな負荷となる。
板上に設けられた光学薄膜(複素屈折率:N1=n1−i・k1)と、前記光学薄膜に対向
し、前記光学薄膜とのギャップの距離が可変に配置された吸収体層(複素屈折率:Ns=
ns−i・ks)とを有し、n1>n0、k1≒0、かつ、ns>n0の関係を満足する。n1>2.0であることが好ましい。
対して、n1 2−ns 2−ks 2>0の場合、下記式(2):
n1 2−ns 2−ks 2<0の場合、下記式(3):
である。
板上に設けられた積層膜と、前記積層膜に対向し、前記積層膜とのギャップの距離が可変に配置された吸収体層(複素屈折率:ηs=ns−i・ks)とを有し、
前記積層膜は3つ以上の透明薄膜層を有し、且つ、隣接する2つの透明薄膜層の複素屈折率は互いに異なり、前記透明基板に近い側からj層目の前記薄膜層の複素屈折率をηj
=nj−i・kjおよび位相膜厚をδj、BおよびCが下記式(5):
kj≒0であり、かつ、可視光波長領域(380nm<λ<780nm)において、下
記式(6):
広帯域の可視光波長領域(380nm<λ<780nm)において、下記式(8):
なわち広帯域で、反射防止効果および/または反射増大効果が得られる積層膜を用いるこにある。いずれの場合でも、例えば、吸収体層と接触したときに反射防止膜となるように構成された光学薄膜または積層膜は、吸収体層との間に所定の距離のギャップ(例えば空気層)を形成すると反射増大膜として作用する。従って、本発明の干渉性変調器においては、ファブリペロー干渉を利用する従来のiMoDTM方式の干渉性変調器よりも高い反射率および高いコントラスト比を得ることができる。また、本発明の干渉性変調器を用いることによって、高輝度および高コントラスト比を有する反射型表示装置が得られる。
光学薄膜(複素屈折率:N1=n1−i・k1)と、光学薄膜に対向し、光学薄膜とのギャ
ップの距離が可変に配置された吸収体層(複素屈折率:Ns=ns−i・ks)とを有し、
n1>n0、k1≒0、かつ、ns>n0の関係を満足する。この光学薄膜は、吸収体層との
ギャップの距離に応じて反射を低減(防止)または増大するように作用する。例えば、光学薄膜と吸収体層とが接触したときに反射防止膜として作用し、吸収体層との間に所定の距離の空気層が形成されたときに反射増大膜として作用する。
屈折率Ns=ns‐i・ksの吸収体からなる基板4に垂直入射した時の外光の反射率(入
射光2と反射光3との強度比率)R0は、下記の式(1−1)で表される。
率R1は、下記の式(1−2)で表される。
て変化し、波長λ=551nmに対し特定の屈折率n1及び位相膜厚δ1において、完全な反射防止がなされる。透明な基板に対して透明な薄膜を用いて反射防止膜を形成した場合には反射率+透過率=1が成立するので透過率の上昇を意味するが、金属等の吸収体に対して透明な薄膜を用いて反射防止膜を形成した場合には、吸収体による光吸収率の増大を意味する。
で表される。
よび位相膜厚δ2に依存して変化する。なお、図2(b)は第1透明体薄膜5が上記反射
防止条件(式(1−2))を満足する場合を示している。第2透明体薄膜6の屈性率n2
が第1透明体薄膜5の屈性率n1より小さく、かつ第2透明体薄膜6の位相膜厚δ2が特定範囲内にあるとき、吸収体基板4だけがあるとき(図1の(a))よりも反射率が増大する(R2>R0)。
ましい。また、図2(b)から、第2透明体薄膜6の位相膜厚δ2を変化させることによ
って、反射率(すなわち反射光の強度)の変調が可能であることがわかる。
域(380nm<λ<780nm)において、反射防止効果および/または反射増大効果を有するように構成された積層膜を用いる。
図3に、本発明の第1の局面による実施形態の反射型表示装置10の構成を模式的に示す。反射型表示装置10はマトリクス状に配列された複数の干渉性変調器を有し、例えば、それぞれの干渉性変調器が画素を構成する。図3は反射型表示装置の2つの画素、すなわち2つの干渉性変調器を示しており、左側の干渉性変調器は黒表示状態(反射率が最小の状態)にあり、右側の干渉性変調器は白表示状態(反射率が最大の状態)にある。
する場合、画素を保持するためのアクティブ素子が必要となり、アクティブマトリックス構造を用いることが好ましい。
ことが好ましい。
の屈折率n0の値と等しい。従って、吸収体層14の屈折率nsがns>n0の条件を満足しないと、有効に反射防止が出来ないことがわかる。また、光学薄膜13の屈折率n1が大
きい程、円の直径大きいことから、光学薄膜13の屈折率n1が大きい程、反射防止効果
が得られる条件を満足しやすい、すなわち、吸収体層14の材料の選択の幅が広いおよび/または波長分散の影響を受け難い、ということがわかる。光学薄膜13の屈折率n1も
n1>n0の条件を満足しないと有効な反射防止が出来ず、n1>2.0であることが好ま
しく、n1>2.5であることがさらに好ましい。また、図4は透明基板12がガラス(
n0=1.52)の場合を示しているが、透明基板12の屈折率n0がより小さい程、上記半円の直径が大きくなり、上述の利点が得られる範囲が広がる。従って、透明基板12として、ガラスよりも屈折率が低い、例えばプラスチック基板等を用いることがさらに好ましい。
gは、ns>n0の条件を満足し得ないので、吸収体層14の材料として使えない。これ
は上述したiMoDTM方式の干渉性変調器の反射器としてAlやAgが好適に用いられることと対照的である。このことからも、本発明による干渉性変調器における干渉がファブリペロー干渉と異なっていることが理解される。
料を選択すればよい。RhやNiは、光学薄膜との組み合わせから、これらを吸収体として使用することは現実的でない。
n1 2−ns 2−ks 2>0の場合、下記式(2):
n1 2−ns 2−ks 2<0の場合、下記式(3):
nm以上780nm以下)において、0<d1<λ/2n1の関係を満足することが好ましい。
(上記式(1−3)におけるn2)が光学薄膜13の屈折率n1よりも低く、かつ、白表示時における吸収体層14と光学薄膜13との乖離距離をdvすると、反射防止波長λに対
して、下記の式(4):
などの屈折率が低い液体を用いてもよい。
渉が生じることはなく、両者の境界でインコヒーレントな多重反射が生じる。この状態で白表示を行うことができる。このような構成を採用すると、白表示のためのギャップ距離の制御が容易になるという利点が得られる。なお、ギャップ距離が一般的な画素サイズの一辺より長くなると観測者が視差を感じてしまうため、ギャップ距離の最大値は500μm以下に設定することが好ましい。
3として、膜厚33nmのTiO2薄膜(波長λ=550nmで屈折率n1=2.50、k1=0)を用いる。TiO2薄膜は、ガラス基板12上に例えばスパッタ法を用いて形成される。
かつ、このd1は反射率が極小値をとる最小の値でありファーストミニマム条件を満足し
ている。
を用いた。
nO、PT、PZT、PLZT、LiNbO3、LiTaO3等の単結晶セラミック材料を用いることができる。また、有機圧電材料であるポリフッ化ビニリデン(PVDF)やPVDFと三フッ化エチレン(TFE)もしくはフッ化ビニル(FV)等の共重合体、PVDFやフッ素ゴム、エポキシ樹脂にBaTiO3やPZT等の無機強誘電材料を混合した
複合材料を用いることもできる。
図7に、本発明の第1の局面による他の実施形態の反射型表示装置30の構成を模式的に示す。
ペーサ壁37によって約15μmに規定されている。
外線用透明材料として使用される光学材料であるが、可視光領域で屈折率nが3.6〜5.5と高く、消衰係数kは0.2〜0.6と比較的低吸収であるため、本発明による実施形態の干渉性変調器の光学薄膜に好適に使用できる材料の1つである。また、SiO2薄
膜はSi薄膜の自然酸化膜を利用することができる。
かるように、反射防止波長である550nmにおいては、本実施形態の反射型表示装置30の方が、黒表示時の反射率が低く、また、白表示時の反射率も高い。このように多層等価膜を用いることによって、より良好な反射防止効果を得ることができる。
とした場合(セカンドミニマム条件)の分光反射率特性を示している。図8(b)と図8(a)との比較から明らかなように、光学薄膜(多層等価膜)33の等価膜厚が上記式(2)(または式(3))を満足する最小の値に設定した場合(図8(a))に比べて、図8(b)では反射率の波長分散が大きい。従って、反射率の波長分散を抑制するためには、光学薄膜33の厚さを上記式(2)(または式(3))を満足する最小の値(ファーストミニマム条件)に設定することが好ましい。
図9に、本発明の第2の局面による実施形態の反射型表示装置50の構成を模式的に示す。
反射を求めることになる。従って、両者の光学アドミッタンスが一致している場合には反射防止効果が得られるが、大きく異なる場合に反射増大効果が得られる。
かつ、ギャップの位相距離をδvとし、DおよびEが下記式(7):
広帯域の可視光波長領域(380nm<λ<780nm)において、下記式(8):
0との間隔は、スペーサ壁57によって約15μmに規定されている。
、138.88nmのTa2O5、35.53nmのSiO2、33.44nmのTa2O5
、27.09nmのSiO2、89.09nmのTa2O5、25.7nmのSiO2、13.52nmのTa2O5、106.2nmのSiO2、および6.93nmのTa2O5から
なる交互積層膜を用いる。交互積層膜の吸収体層54側に設けられる第3透明薄膜層53cには、厚さ31.24nmのTiO2膜を用いる。Ta2O5薄膜およびSiO2薄膜は、例えば、真空蒸着法により形成され、TiO2薄膜はスパッタ法により形成される。
0(b)と図10(a)との比較から明らかなように、積層膜53の第3透明薄膜層53cのの厚さを最小の値に設定した場合(図10(a))に比べて、図10(b)では反射率の波長分散が大きい。従って、反射率の波長分散を抑制するためには、第3透明薄膜層53cの厚さを最小の値(ファーストミニマム条件)に設定することが好ましい。
とが好ましい。透明基板の厚さについては、光干渉の起らない厚膜であることを要する以外に制限はなく、使用目的に応じて適宜選択することが可能である。
、Ta2O5、Nb2O5、In2O3、Nd2O3、Sb2O3、CeO2、ZnSe、CdS、
Sb2S3、Si、Ge、PbTe等、中間屈折率のものにAl2O3、CeF3、MgO、
LaF3、CeF3、ThO2、La2O3、SiO等、低屈折率のものにMgF2、SiO2
、CaF2、NaF、Na3AlF6、LiF等が、透明導電膜としてはITO、ZnO(
Al、In、Si)、CdO−SnO2(CTO;CdSnO4)、ZnO−SnO2(Z
n2SnO4)、CdIn2O4等が目的の光学特性に応じて利用できる。
上記の実施形態1から3では、光学薄膜または積層膜と吸収体層とのギャップを制御して(干渉を利用して)白表示を行う構成を例示したが、ここでは、非干渉で白表示を行う構成を説明する。ここでは、実施形態3の改変例を例示するが、実施形態1および2についても同様に改変できる。
2 入射光
3 反射光
4 吸収体
5 第1透明体薄膜
6 第2透明体薄膜
10 反射型表示装置
11 入射光
12 透明基板(ガラス)
13 光学薄膜(TiO2)
14 吸収体層(Ta)
15 圧電素子(電場応答ゲル)
16 反射光
17 スペーサ壁
18 電極
19 間隙
20 透明基板(ガラス)
30 反射型表示装置
31 入射光
32 透明基板(ガラス)
33 多層等価膜
34 吸収体層(Cr)
35 圧電素子(電場応答ゲル)
36 反射光
37 スペーサ壁
38 電極
39 間隙
40 透明基板(ガラス)
50 反射型表示装置
51 入射光
52 透明基板(ガラス)
53 積層膜
53a 第1透明薄膜層
53b 第2透明薄膜層
53c 第3透明薄膜層
54 吸収体層(W)
55 圧電素子(電場応答ゲル)
56 反射光
57 スペーサ壁
58 電極
60 透明基板(ガラス)
70 反射型表示装置
71 入射光
72 透明基板(ガラス)
73 積層膜
74 吸収体層(Wの粉末)
75 正孔輸送層
76 ITO電極
77 反射光
78 スペーサ壁
79 間隙
80 透明基板(ガラス)
Claims (13)
- 光入射側に配置された透明な第1基板(屈折率:η0)と、
前記第1基板上に設けられた積層膜と、
前記第1基板と所定の間隔をあけて配置された第2基板と、
前記積層膜と前記第2基板との間に設けられた吸収体層(複素屈折率:ηs=ns−i・ks)と、
前記吸収体層よりも前記第1基板側に配置された第1電極と、
前記吸収体層よりも前記第2基板側に配置された第2電極と
を有し、
前記積層膜は3つ以上の透明薄膜層を有し、且つ、隣接する2つの透明薄膜層の複素屈折率は互いに異なり、前記透明基板に近い側からj層目の前記薄膜層の複素屈折率をηj=nj−i・kjおよび位相膜厚をδj、BおよびCが下記式(A):
kj≒0であり、かつ、可視光波長領域(380nm<λ<780nm)において、下
記式(B):
前記第1電極と前記第2電極に印加される電圧に応じて、前記吸収体層が前記第2基板と前記積層膜との間を移動し、前記吸収体層が前記積層膜に接触した第1状態と、前記吸収体層が前記積層膜と光の干渉が起こらない距離に乖離した第2状態との間でスイッチングされ、前記第1状態で黒を表示し、前記第2状態で白を表示する、干渉性変調器。 - 前記積層膜は少なくとも1つの透明導電層を含み、前記少なくとも1つの透明導電層は前記第1電極を含む、請求項1に記載干渉性変調器。
- 前記第1電極は、前記積層膜の最も吸収体層側に形成されている、請求項1または2に記載の干渉性変調器。
- 前記第1電極は、前記積層膜の観察者側に設けられている、請求項1に記載の干渉性変調器。
- 光入射側に配置された透明な第1基板(屈折率:n0)と、
前記第1基板上に設けられた光学薄膜(複素屈折率:N1=n1−i・k1)と、
前記第1基板と所定の間隔をあけて配置された第2基板と、
前記光学薄膜と第2基板との間に設けられた吸収体層(複素屈折率:Ns=ns−i・ks)と、
前記吸収体層よりも前記第1基板側に配置された第1電極と、
前記吸収体層よりも前記第2基板側に配置された第2電極と
を有し、
n1>n0、k1≒0、かつ、ns>n0の関係を満足し、
前記第1電極と前記第2電極に印加される電圧に応じて、前記吸収体層が前記第2基板と前記光学薄膜との間を移動し、前記吸収体層が前記光学薄膜に接触した第1状態と、前記吸収体層が前記光学薄膜と光の干渉が起こらない距離に乖離した第2状態との間でスイッチングされ、前記第1状態で黒を表示し、前記第2状態で白を表示する、干渉性変調器。 - d1は、上記式(D)または式(E)を満足する最も小さい値である、請求項7に記載の干渉性変調器。
- 前記光学薄膜は、多層等価膜で構成されている、請求項5から8のいずれかに記載の干渉性変調器。
- 前記吸収体層は、唯一の吸収体層であり、且つ、前記吸収体層はTa、CrおよびWからなる群から選択された材料で形成されている、請求項1から9のいずれかに記載の干渉性変調器。
- 前記第1基板の観察者側に、カラーフィルタまたは光散乱層をさらに有する、請求項1から10のいずれかに記載の干渉性変調器。
- 複数の画素を有する表示装置であって、前記複数の画素のそれぞれが、請求項1から11のいずれかに記載の干渉性変調器を備える、表示装置。
- 請求項12に記載の表示装置を備える電子機器。
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