JP4627213B2 - レーザ光源 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る受動Qスイッチング技術を用いた半導体レーザ励起の固体レーザ光源100の概略断面図である。
図2は、本発明の第2実施形態に係る受動Qスイッチング技術を用いた半導体レーザ励起の固体レーザ光源200の要部を示す概略断面図である。
なお、レーザ媒質、可飽和吸収体、第1および第2のコーティング膜について、上記実施形態に示した材質の例は、あくまで一具体例であり、上述のものに限定されるものではない。
20…可飽和吸収体、21…可飽和吸収体の入射面、22…可飽和吸収体の出射面、
30…共振器、40…励起源、
51…第1のコーティング膜、52…第2のコーティング膜、60…空間部、
70…接触部、80…ガイド部材、
L1…励起光、L2…レーザ媒質より放出された光。
Claims (3)
- 励起されることにより光を放出するレーザ媒質(10)と、
前記レーザ媒質(10)より放出された光を入射し、その入射光パワーが大きいほど吸収が小さく、その入射光パワーが吸収飽和閾値を超えているときに透明である可飽和吸収体(20)と、
前記レーザ媒質(10)および前記可飽和吸収体(20)を共振光路上に配置し、前記可飽和吸収体(20)が透明であるときに前記レーザ媒質(10)より放出された光を共振させるとともに、その光の一部を前記可飽和吸収体(20)の出射面(22)より出射する共振器(30)と、
前記レーザ媒質(10)を励起するための励起光を前記レーザ媒質(10)の入射面(11)に入射させるための励起源(40)と、を備えるレーザ光源において、
前記レーザ媒質(10)の出射面(12)および前記可飽和吸収体(20)の入射面(21)の少なくとも一方の面自体に凹部が設けられており、
前記レーザ媒質(10)の出射面(12)と前記可飽和吸収体(20)の入射面(21)とが接触されることで、当該凹部にて構成された空間部(60)が形成されており、
前記レーザ媒質(10)の入射面(11)には、前記励起光は透過し且つ前記レーザ媒質(10)より放出された光は全反射する第1のコーティング膜(51)が形成されており、
前記可飽和吸収体(20)の出射面(22)には、前記レーザ媒質(10)より放出された光の一部が透過し且つ残部が反射する第2のコーティング膜(52)が形成されており、
前記レーザ媒質(10)より放出された光は、前記空間部(60)を通るようになっていることを特徴とするレーザ光源。 - 前記レーザ媒質(10)の出射面(12)と前記可飽和吸収体(20)の入射面(21)とは、その接触部(70)において接着されて固定されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。
- 前記共振器(30)の外側には、前記共振器(30)を支持するガイド部材(80)が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ光源。
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