JP4626656B2 - パルスラッチ回路 - Google Patents

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Description

本発明は、ラッチ回路、特にパルスラッチ回路に関する。
半導体集積回路(LSI)における対象回路の劣化を検出するために、遅延の異なる2つのフリップフロップ(FF)回路を対象回路の出力バスに並列に挿入することが行われている。この手法は、対象回路の劣化の程度が小さいときには、2つのFF回路のいずれも対象回路の出力データをラッチすることができるが、対象回路の劣化の程度が大きくなったときに、遅延の大きいほうのFF回路では、対象回路の出力データをラッチできなくなることを利用したものである。
また、近年、LSIにおいて、パルス状のクロック信号に同期して動作するパルスラッチ回路でFF回路を置き換えることにより高速化を図ることが行われており、パルスラッチ回路についても、様々な視点から改良技術が提案されている。
例えば、特許文献1において、パルスラッチ回路の消費電力を軽減する技術が開示されている。図12を参照してこの技術を説明する。
図12は、特許文献の図2であり、特許文献1の技術を適用したパルスラッチ回路1を示す。パルスラッチ回路1は、ラッチ回路10、ラッチ回路11、セレクタ12、ラッチ制御回路13を有する。セレクタ12は、スキャンイネーブル信号SEの論理に応じて、入力データDとスキャンシフトのためのスキャン入力データSIを選択的に後段のラッチ回路10に伝達する。セレクタ12の後段に設けられたラッチ回路10は、パルス状のクロック信号(以下パルスクロック信号という)PCLKに同期してセレクタ12の出力をラッチする。ラッチ回路11は、ラッチ回路10の後段に配置され、パルスクロック信号PCLKがLowである期間にスルーとなる。ラッチ回路11の動作は、ラッチ制御回路13により制御される。具体的には、スキャンイネーブル信号SEがHiにアサートされた期間にパルスクロック信号PCLKがラッチ回路11に供給されることによってラッチ回路11が動作し、スキャンイネーブル信号SEがLowにネゲートされた期間にパルスクロック信号PCLKがラッチ回路11に供給されないため、ラッチ回路11が動作を停止する。
すなわち、パルスラッチ回路1では、スキャンイネーブル信号SEがHiであり、テストパターンのスキャンシフトが行われる動作モードのときに、ラッチ回路10がスキャン入力データSIをラッチして得たラッチデータは、ラッチ回路11をスルーし、スキャン出力データSOとしてラッチ回路11から出力される。
一方、スキャンイネーブル信号SEがLowであり、スキャンシフトが行われない通常動作モードのときに、ラッチ回路10により入力データDがラッチされ、ラッチ回路10から出力データQが出力される。ラッチ回路11は、パルスクロック信号PCLKの供給が停止され、動作しない。
パルスラッチ回路1のこのような構成によって、通常動作モードのときにラッチ回路11の動作が停止されるため、電力消費を抑制することができる。
パルスラッチ回路1をLSIにおける対象回路の劣化の検出に適用する際に、例えば、2つのパルスラッチ回路1を対象回路の出力バスに並列に挿入し、該2つのパルスラッチ回路1に入力するパルスクロック信号PCLKに位相差を持たせることによって、対象回路の劣化を検出する。
特開2006−339948号公報
ここで、図12に示すパルスラッチ回路1を対象回路の劣化検出に適用した場合の回路規模を考える。図12に示すように、パルスラッチ回路1は、8つのインバータ、4つのクロックドインバータ、1つのNORゲート、2つのトランスミッションゲートを有するため、必要なトランジスタの数が40である。
対象回路の劣化検出をするために2つのパルスラッチ回路1が用いられるため、必要なトランジスタの数が80となる。また、さらに、2つのパルスラッチ回路1に供するパルスクロック信号PCLKに位相差を持たせる必要があるため、そのための素子が増え、トランジスタの数はさらに増える。
近年、携帯電話機などの電子製品の小型化が進み、電子製品に搭載するLSIを開発する企業は、回路規模の抑制にしのぎを削っている。このような背景において、パルスラッチ回路を対象回路の劣化検出に適用した場合の回路規模の抑制も要求されている。
本発明の一つの態様は、パルスラッチ回路である。このパルスラッチ回路は、第1のセレクタと、第1のラッチ回路と、第2のセレクタと、第2のラッチ回路と、制御回路を備える。
第1のセレクタは、第1の入力データと、スキャンシフトのためのテストパターンが入力され、第1の動作モード時にテストパターンを出力し、第2の動作モード時に第1の入力データを出力する。
第1のラッチ回路は、第1のパルスクロックに同期して第1のセレクタの出力をラッチする。
第2のセレクタは、第2の入力データと、第1のラッチ回路の出力とを選択的に出力する。
第2のラッチ回路は、第2のパルスクロック信号に同期して第2のセレクタの出力をラッチ可能である。
制御回路は、第1の動作モード時に、第2のセレクタに第1のラッチ回路の出力を選択させて、当該第1のラッチ回路の出力に対して第2のラッチ回路をスルー状態に維持させ、第2の動作モード時に、第2のセレクタに第2の入力データを選択させて、第2のラッチ回路に第2のパルスクロック信号に同期して該第2の入力データをラッチさせる。
なお、上記パルスラッチ回路を装置や方法などに置き換えて表現したものも、本発明の態様としては有効である。
本発明にかかる技術によれば、LSIにおける対象回路の劣化検出にパルスラッチ回路を適用する際に、回路規模を抑制することができる。
本発明の具体的な実施の形態を説明する前に、まず、本発明にかかる技術の原理を説明する。
図1は、本発明にかかる技術を適用したパルスラッチ回路100の模式図である。パルスラッチ回路100は、第1のセレクタ110、第1のラッチ回路120、第2のセレクタ130、第2のラッチ回路140、制御回路150を備える。パルスラッチ回路100は、第1の動作モード、第2の動作モード、および第3の動作モードの少なくとも3つの動作モードに対応する。第1の動作モードを、以下スキャンシフトモードと呼ぶ。スキャンシフトモードは、テストパターンのスキャンシフトが行われるモードであり、第2の動作モードと第3の動作モードについては後述する。
第1のセレクタ110は、第1の入力データD1と、スキャンシフトのためのテストパターンSINとを選択的に出力する。具体的には、スキャンシフトモード時には、テストパターンSINを出力し、第2の動作モードと第3の動作モードのときには、第1の入力データD1を出力する。
第1のラッチ回路120は、第1のパルスクロックCLK1が供給され、該第1のパルスクロックCLK1に同期して第1のセレクタ110の出力をラッチしてラッチデータQを得る。この第1のパルスクロックCLK1は、例えば制御回路150から供されるが、これに限られることがない。
第2のセレクタ130は、第1のラッチ回路120に接続され、第1のラッチ回路120のラッチデータQが入力される。また、第2のセレクタ130は、図示しないデータ入力端子を有し、該データ入力端子からデータが入力される。第1のセレクタ110に入力される第1の入力データD1と区別するために、第2のセレクタ130の図示しないデータ入力端子から入力されるデータを第2の入力データ「D2」と表記する。第2のセレクタ130は、第2の入力データD2と、第1のラッチ回路120のラッチデータQとを選択的に第2のラッチ回路140に出力可能である。
第2のラッチ回路140は、ラッチ状態とスルー状態の2つの状態を有する。ラッチ状態においては、第2のパルスクロックCLK2が供給され、第2のパルスクロックCLK2に同期して第2のセレクタ130の出力をラッチしてラッチデータQ2を得る。なお、スルー状態とは、第2のラッチ回路140が、入力されたデータをラッチせずにそのまま出力する状態をいう。
第2のセレクタ130と第2のラッチ回路140は、制御回路150により制御される。第2のセレクタ130は第1の制御信号ctr1により制御され、第2のラッチ回路140は、第2の制御信号ctr2により制御される。
制御回路150は、3つの動作モードのうちのいずれであるかを示す動作モード信号MODEが入力され、動作モード信号MODEが示す動作モードに応じて下記のように制御を行う。
1.MODE:第1の動作モード(スキャンシフトモード)
この動作モードにおいて、制御回路150は、第1のラッチ回路120のラッチデータQを選択させる第1の制御信号ctr1を第2のセレクタ130に出力する。また、第2のラッチ回路140をスルー状態にする第2の制御信号ctr2を第2のラッチ回路140に出力する。これにより、ラッチデータQは、第2のラッチ回路140からスキャン出力データSOUTとして出力される。
2.MODE:第2の動作モード
この動作モードにおいて、制御回路150は、第2の入力データD2を選択させる第1の制御信号ctr1を第2のセレクタ130に出力する。また、第2のラッチ回路140に対して、ラッチ状態にする第2の制御信号ctr2を出力すると共に、第1のパルスクロックCLK1を遅延させて得た第2のパルスクロックCLK2を供する。
3.MODE:第3の動作モード
この動作モードにおいて、制御回路150は、第2のラッチ回路140をスルー状態にする第2の制御信号ctr2を第2のラッチ回路140に出力する。このモードにおいて、制御回路150から第1のセレクタ130に出力する第1の制御信号ctr1については後述する。
図2を参照して、各動作モードにおいて、パルスラッチ回路100を流れる各データをより具体的に説明する。
図2に示すように、第3の動作モードのとき、第1のセレクタ110から第1の入力データD1が出力される。この第1の入力データD1は、第1のラッチ回路120により第1のパルスクロックCLK1に同期してラッチされ、第1のラッチ回路120からラッチデータQが出力される。
第2のセレクタ130の動作は、制御回路150からの第1の制御信号ctr1により制御されるが、下記の3つのパターンが考えられる。但し、第3の動作モードにおいて、セレクタ130の出力および第2のラッチ回路140の出力は、下記の3つのパターンのいずれであってもよい。従って、図2において、第3の動作モードについて、セレクタ130の出力および第2のラッチ回路140の出力は、明示していない。
1.ラッチ回路120のラッチデータQを出力する。
この場合、第2のセレクタ130から第2のラッチ回路140に出力されるラッチデータQは、スキャン出力データSOUTとして第2のラッチ回路140から出力される。
2.第2のセレクタ130のデータ入力端子から入力される第2の入力データD2を出力する。
この場合、第2のセレクタ130から第2のラッチ回路140に出力される第2の入力データD2も、スキャン出力データSOUTとして第2のラッチ回路140から出力される。
3.出力を停止する。
この場合、第2のセレクタ130から第2のラッチ回路140への入力が無く、第2のラッチ回路140は、無効にされる。
このモードにおいて、セレクタ130が上記3つの動作パターンのうちの「出力を停止する」パターンで動作するように制御することが好ましい。
この動作モードのとき、第1のセレクタ110に入力される第1の入力データD1は、第1のラッチ回路120によりラッチされる。これは、パルスラッチ回路の通常動作モードの動作を実現している。従って、第1の動作モードをパルスラッチ回路100の通常動作モードとすると、第2のラッチ回路の出力が意味を成さないことになる。そのため、第2のセレクタが上記3つの動作パターンのうちの「出力を停止する」パターンで動作すると、第2のラッチ回路は無効にされるため、消費電力を節約できる。
なお、図2において、たとえば、第3の動作モードのときの第1のラッチ回路120のラッチデータQが、第1の入力データD1に対応するものであることを表すために、ラッチデータQに「(D1)」をつけている。他のデータについても同様である。
第1の動作モードすなわちスキャンシフトモードのとき、第1のセレクタ110からテストパターンSINが出力される。このテストパターンSINは、第1のラッチ回路120により第1のパルスクロックCLK1に同期してラッチされ、第1のラッチ回路120からラッチデータQが出力される。また、第2のセレクタ130からラッチデータQが出力され、このラッチデータQは、第2のラッチ回路140をスルーして、スキャン出力データSOUTとして第2のラッチ回路140から出力される。つまり、スキャンシフトモードにおいて、第2のラッチ回路140は、スルー状態を維持する。
このように、スキャンシフトモードのとき、第1のセレクタ110に入力されるテストパターンSINは、第1のラッチ回路120によりラッチされ、第1のラッチ回路120のラッチデータQは、スルー状態に維持された第2のラッチ回路140をスルーしてスキャン出力データSOUTとして出力される。これにより、パルスラッチ回路のスキャンシフトが実現されている。
第2の動作モードのとき、第1のセレクタ110から第1の入力データD1が出力される。この第1の入力データD1は、第1のラッチ回路120により第1のパルスクロックCLK1に同期してラッチされ、第1のラッチ回路120からラッチデータQが出力される。ところで、第2のセレクタ130の出力は、スキャンシフトモード時と異なり、第2のセレクタ130のデータ入力端子から入力される第2の入力データD2となる。第2のセレクタ130から出力された第2の入力データD2は、第2のラッチ回路140により、制御回路150から供される第2のパルスクロックCLK2に同期してラッチされ、第2のラッチ回路140からラッチデータQ2が出力される。なお、前述したように、第2のパルスクロックCLK2は、制御回路150により第1のパルスクロックCLK1を遅延させて得たものである。
ここで第2の動作モードの意義を説明する。
第2の動作モードにおいて、第1のラッチ回路120は、第1のパルスクロックCLK1に同期して第1の入力データD1をラッチしてラッチデータQを得、第2のラッチ回路140は、第2のパルスクロックCLK2に同期して第2の入力データD2をラッチしてラッチデータQ2を得る。もし、第1の入力データD1と第2の入力データD2が同時に入力された同一のものであれば、ラッチデータQとラッチデータQ2は、遅延が異なる2つのラッチ回路により同一の入力データをそれぞれラッチして得たものとなる。
すなわち、LSIにおける対象回路の出力を第1のセレクタ110と第2のセレクタ130に同時に入力するように対象回路とパルスラッチ回路100を接続すると共に、パルスラッチ回路100の動作モードを第2の動作モードにすれば、第1のラッチ回路120と第2のラッチ回路140は、遅延差をもって対象回路の出力をラッチする。これは、対象回路の劣化検出を実現する動作である。なお、第1のラッチ回路120と第2のラッチ回路140の遅延差は、第1のパルスクロックCLK1と第2のパルスクロックCLK2の位相差に相当する。
こうすることにより、1つのパルスラッチ回路により、通常動作、スキャンシフト、対象回路の劣化検出を行うことができる。以下、第2の動作モード、第3の動作モードをそれぞれ劣化検出モードと、通常動作モードともいう。
次に、上述した模式を具現化した実施の形態を説明する。
<第1の実施の形態>
図3は、本発明の第1の実施の形態にかかるパルスラッチ回路200を示す。パルスラッチ回路200は、第1のセレクタ210と、1のラッチ回路220と、第2のセレクタ230と、第2のラッチ回路240と、制御回路250を備える。これらの機能ブロックは、図1に示す模式図における相対応のものとは、同様の機能を有する。
まず、制御回路250を説明する。制御回路250は、インバータ251、インバータ252、NANDゲート254、インバータ255、ANDゲート256、インバータ257を有する。
インバータ251は、パルスクロックCLKを反転してパルスクロックCKB1を生成する。インバータ252は、パルスクロックCKB1を反転してパルスクロックCKT1を生成する。パルスクロックCKT1は、NANDゲート254に入力される。
ANDゲート256は、第1のモード選択信号SMODEと第2のモード選択信号DMODEが入力され、それらの論理積をNANDゲート254に出力する。
NANDゲート254は、パルスクロックCKT1と、ANDゲート256の出力からパルスクロックCKB2を生成する。インバータ255は、パルスクロックCKB2を反転してパルスクロックCKT2を生成する。なお、CKB2とCKT2は、第1のモード選択信号SMODEと第2のモード選択信号DMODEの両方ともHiであるときにのみパルスクロック信号であり、第1のモード選択信号SMODEと第2のモード選択信号DMODEのいずれか一方がLowであるときにはHiのままで変化しないが、説明上の便宜のため、いずれの場合においてもパルスクロックと呼ぶ。
また、インバータ257は、第1のモード選択信号SMODEを反転して反転信号SMBを得る。詳細については後述するが、この反転信号SMBは、スキャンイネーブル信号として機能するので、以下スキャンイネーブル信号という。
制御回路250に入力されるパルスクロックCLK、第1のモード選択信号SMODE、第2のモード選択信号DMODE、およびこれらの信号から制御回路250が生成した各信号は、図1の模式図に示す動作モード信号MODE、第1の制御信号ctr1、第2の制御信号ctr2、第1のパルスクロックCLK1、第2のパルスクロックCLK2の機能を果たす。
図4に示すように、第1のモード選択信号SMODE、第2のモード選択信号DMODE、スキャンイネーブル信号SMBは、それらの組合せにより動作モード信号MODEの機能を成す。図5に示すように、パルスクロックCKT1は、第1のパルスクロックCLK1の機能を為し、パルスクロックCKT2は、第2のパルスクロックCLK2の機能を成す。また、第1のモード選択信号SMODE、スキャンイネーブル信号SMB、第2のモード選択信号DMODEの組合せは、第2のセレクタ230の制御信号(第1の制御信号ctr1)としても機能し、パルスクロックCKB2とCKT2の組合せは、第2のラッチ回路240の制御信号(第2の制御信号ctr2)としても機能する。
第1のセレクタ210は、2つのトランスミッションゲート212と214からなり、スキャンイネーブル信号SMBに応じて第1の入力データD1とテストパターンSINを選択的に出力する。具体的には、スキャンイネーブル信号SMBがHiのときに、すなわちスキャンシフトモード時にテストパターンSINを出力し、スキャンイネーブル信号SMBがLowのとき、すなわち通常動作モード時または劣化検出モード時に第1の入力データD1を出力する。
第1のラッチ回路220は、インバータ221、トランスミッションゲート222、インバータ223、インバータ224、トランスミッションゲート225、インバータ226を有し、制御回路250からパルスクロックCKB1とパルスクロックCKT1が供給される。
インバータ221は、第1のセレクタ210の出力を反転してトランスミッションゲート222に出力する。
トランスミッションゲート222は、パルスクロックCKT1がLowのときにオンし、第1のセレクタ210の出力を後段に伝達する。また、パルスクロックCKT1がHiのときにオフする。
インバータ223と、インバータ224およびトランスミッションゲート225は、ループ接続されることにより記憶部を形成する。インバータ223は、トランスミッションゲート222の出力を反転し、インバータ224は、インバータ223の出力をさらに反転する。トランスミッションゲート225は、パルスクロックCKB1とパルスクロックCKT1が入力され、トランスミッションゲート222がオンするときにオフし、トランスミッションゲート222がオフするときにオンする。これにより、トランスミッションゲート222から伝達されたデータをパルスクロックCKT1に同期してラッチする動作を実現する。
インバータ223が第2のセレクタ230に接続されることにより、第1のラッチ回路220のラッチデータQは第2のセレクタ230に入力される。また、インバータ226は、ラッチデータQを外部に出力する。
第2のセレクタ230は、トランスミッションゲート231と、インバータ234と、トランスミッションゲート236と、第2のデータ入力端子232を有する。
トランスミッションゲート231は、第1のラッチ回路220に接続され、ラッチデータQが入力される。トランスミッションゲート231は、第1のモード選択信号SMODEとスキャンイネーブル信号SMBが入力され、スキャンイネーブル信号SMBがHiのときにオンし、スキャンイネーブル信号SMBがLowのときにオフする。すなわち、トランスミッションゲート231は、スキャンシフトモード時にのみラッチデータQを出力し、他の動作モード時には、出力を停止する。
トランスミッションゲート236には、第2のモード選択信号DMODEと、インバータ234により反転した第2のモード選択信号DMODEが入力され、第2のモード選択信号DMODEがHiのときに第2の入力データD2を出力し第2のモード選択信号DMODEがLowのときに出力を停止する。すなわち、トランスミッションゲート236は、劣化検出モード時にのみ第2の入力データD2を第2のラッチ回路240に伝達し、他の動作モードのときには出力を停止する。
このように、第2のセレクタ230は、第1のモード選択信号SMODE、スキャンイネーブル信号SMB、第2のモード選択信号DMODEにより制御され、通常動作モード時に第2のラッチ回路240への出力を停止し、スキャンモード時に第1のラッチ回路220のラッチデータQを第2のラッチ回路240に出力し、劣化検出モード時に第2の入力データD2を第2のラッチ回路240に出力する。
第2のラッチ回路240は、インバータ241と、トランスミッションゲート242と、インバータ243と、インバータ244と、トランスミッションゲート245と、インバータ246を備える。劣化検出モードにおいて、トランスミッションゲート242とトランスミッションゲート245は、パルスクロックCKB2とCKT2により制御され、相補的にオン/オフする。
通常動作モードのとき、第2のモード選択信号DMODEがLowであり、パルスクロックCKB2とCKT2がHiのままであるため、トランスミッションゲート242とトランスミッションゲート245はオンのままである。このとき、第2のラッチ回路240はスルー状態である。しかし、このとき、第2のセレクタ230からのデータの入力が遮断されているため、第2のラッチ回路240は無効にされる。
スキャンシフトモードのときも、第2のラッチ回路240はスルー状態に維持される。このとき、第2のセレクタ230、具体的にはトランスミッションゲート231からラッチデータQが出力されるため、第2のラッチ回路240のインバータ246からスキャン出力データSOUT(=ラッチデータQの反転信号)が出力される。
劣化検出モードのとき、第1のモード選択信号SMODEと第2のモード選択信号DMODEが共にHiであるため、CKT2とCKB2は互いに反転するパルスクロックとなる。パルスクロックCKT2がHiのときにトランスミッションゲート242がオンし、パルスクロックCKT2がLowのときにトランスミッションゲート242がオフする。
このとき、第2のセレクタ230から第2の入力データD2がインバータ241に出力される。また、トランスミッションゲート245は、トランスミッションゲート242と相補的にオン/オフするため、第2のラッチ回路240は、第2の入力データD2をラッチし、第2のラッチ回路240からラッチデータQ2が出力される。
図6は、各動作モードにおいて、パルスラッチ回路200を流れる各データを示している。図示のように、通常動作モードのとき、第1のセレクタ210から第1の入力データD1が出力される。この第1の入力データD1は、第1のラッチ回路220により第1のパルスクロックCLK1に同期してラッチされ、第1のラッチ回路220からラッチデータQが出力される。また、第2のセレクタ230は、出力を停止しており、第2のラッチ回路240は無効にされている。
スキャンシフトモードのとき、第1のセレクタ210からテストパターンSINが出力される。このテストパターンSINは、第1のラッチ回路220によりパルスクロックCKT1に同期してラッチされ、第1のラッチ回路220からラッチデータQが出力される。また、第2のセレクタ230からラッチデータQが出力され、このラッチデータQは、スルー状態に維持された第2のラッチ回路240から、インバータ246により反転されてスキャン出力データSOUTとして第2のラッチ回路240から出力される。
劣化検出モードのとき、第1のセレクタ210から第1の入力データD1が出力される。この第1の入力データD1は、第1のラッチ回路220により第1のパルスクロックCLK1に同期してラッチされ、第1のラッチ回路220からラッチデータQが出力される。また、第2のセレクタ230から第2の入力データD2が出力される。この第2の入力データD2は、第2のラッチ回路240により、パルスクロックCKT2に同期してラッチされ、第2のラッチ回路240からラッチデータQ2が出力される。
図7は、パルスラッチ回路200を対象回路の劣化検出に適用したときの接続例を示す。図示のように、パルスクロックCLKは、ラッチ回路291とパルスラッチ回路200に入力される。
ラッチ回路291は、パルスクロックCLKに同期して図示しない入力データをラッチしてラッチデータD0をディレイ・ゲート292に出力する。ディレイ・ゲート292は、ラッチデータD0を所定遅延量で遅延させて対象回路293に伝達する。対象回路293は、ディレイ・ゲート292から伝達されてきたデータを処理してデータDを出力する。
対象回路293から出力されたデータDは、パルスラッチ回路200の第1のデータ入力端子202と第2のデータ入力端子232に入力される。この場合、パルスラッチ回路200は、劣化検出モードに設定されるため、データDは、第1のラッチ回路220と第2のラッチ回路240により遅延差をもってラッチされる。
図9に示すように、パルスラッチ回路200の第1のセレクタ210から、データDが第1のラッチ回路220に出力され、第1のラッチ回路220からラッチデータQが出力される。また、第2のセレクタ230からもデータDが出力され、第2のラッチ回路240からラッチデータQ2が出力される。
ラッチデータQとラッチデータQ2は、XORゲート294に入力され、XORゲート294の出力は、検出結果Rとなる。なお、詳細については後述するが、XORゲート294は、ラッチデータQとラッチデータQ2とが同一であるかを比較する比較回路として機能する。パルスラッチ回路200とXORゲート295は、劣化検出回路295を構成する。
ディレイ・ゲート292は、パルスラッチ回路200の第1のラッチ回路220と第2のラッチ回路240の両方にラッチできるように、遅延量が予め調整されている。
対象回路293の劣化が小さい間は、その遅延も少ないため、第1のラッチ回路220と第2のラッチ回路240の両方ともデータDをラッチすることができ、検出結果Rは「0」である。
対象回路293の劣化の進行につれ、その遅延も大きくなる。劣化により遅延量が大きくなると、第1のラッチ回路220と第2のラッチ回路240が、異なる値をラッチする。つまり、ラッチデータQとラッチデータQ2が異なる値になる。これを、図8を参照して説明する。第1のラッチ回路220に供給されるパルスクロックCKT1と第2のラッチ回路240に供給されるパルスクロックCKT2は、互いに位相差がある。ディレイ・ゲート292は、対象回路293の設計時に、第1のラッチ回路220と第2のラッチ回路240で同じ値がラッチされるように調整されている。よって、対象回路293が劣化する前のデータDを、第1のラッチ回路220と第2のラッチ回路240でそれぞれラッチした結果であるQ及びQ2は、互いに同じ値となる。従って、XORゲート294から出力される比較結果Rは「0」となる。対象回路293が劣化し、データD遅延が増加すると、ある時点で、QとQ2が互いに異なる値となる。従って、XORゲート294から出力される比較結果Rは「1」となる。比較結果Rが「1」となることにより、対象回路293の劣化が検出される。
なお、本実施の形態において、第1のラッチ回路220と第2のラッチ回路240の遅延差は、パルスクロックCKT2とパルスクロックCKT1の位相差に相当し、NANDゲート1個分とインバータ1個分の遅延量の和である。
このように、本実施の形態のパルスラッチ回路200は、通常動作、スキャンシフトを行うことができると共に、第1のデータ入力端子202と第2のデータ入力端子232に同一のデータを同時入力することにより、劣化検出にも対応できる。
本実施の形態のパルスラッチ回路200は、13個のインバータ、8個のトランスミッションゲート、1個のNANDゲート、および1個のANDゲートから構成されるため、必要なトランジスタの数は46である。
前述したように、図12に示すパルスラッチ回路1を劣化検出に用いる場合、2つのパルスラッチ回路1が必要であり、トランジスタの数は80以上になる。それに対して、本実施の形態のパルスラッチ回路200は、1つにより劣化検出ができ、劣化検出に適用した場合に必要なトランジスタの数が46であり、回路規模の抑制効果が顕著である。
<第2の実施の形態>
図10は、本発明の第2の実施の形態にかかるパルスラッチ回路300を示す。パルスラッチ回路300も、通常動作モード、スキャンシフトモード、劣化検出モードの3つの動作モードに対応する。また、第2のセレクタ330が図1に示すパルスラッチ回路200の第2のセレクタ230と異なる点以外、他の各構成要素は、パルスラッチ回路200のものと同じであるので、図10において、これらの構成要素について、パルスラッチ回路200のものと同一の符号を付与し、それらについての詳細な説明を省略する。
パルスラッチ回路300における第2のセレクタ330は、トランスミッションゲート231と第1のラッチ回路220の間にインバータ331が設けられた点を除く、第1のラッチ回路220と同様の構成を有する。
図11は、パルスラッチ回路300における第1のセレクタ210の出力、第1のラッチ回路220の出力、第2のセレクタ330の出力、第2のラッチ回路240の出力を動作モード別に示している。
通常動作モード時には、パルスラッチ回路300は、パルスラッチ回路200と同様の動作をする。
スキャンシフトモード時には、第1のセレクタ210と第1のラッチ回路220は、パルスラッチ回路200における第1のセレクタ210と第1のラッチ回路220と同様の動作をする。第2のセレクタ330から、ラッチデータQの反転されたデータが出力される。このデータは、第2のラッチ回路240をスルーする際に、インバータ246により反転されて、スキャン出力データSOUTとして出力される。こうすることによって、スキャン出力データSOUTは、ラッチデータQと位相が一致するようになる。
劣化検出モード時には、パルスラッチ回路300は、パルスラッチ回路200と同様の動作をする。
この構成のパルスラッチ回路300も、パルスラッチ回路200と同様に3つの動作モードに対応する。また、必要なトランジスタの数が、インバータ(インバータ331)1個に相当する2つ分が増えて48になるものの、劣化検出時の回路規模を抑制する効果を発揮している。
以上、実施の形態をもとに本発明を説明した。実施の形態は例示であり、本発明の主旨から逸脱しない限り、さまざまな変更、増減を加えてもよい。これらの変更、増減が加えられた変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
本発明の原理を説明するためのパルスラッチ回路の模式図である。 図1に示すパルスラッチ回路における各構成要素の出力を動作モード別に示す図である。 本発明の第1の実施の形態にかかるパルスラッチ回路を示す図である。 図3に示すパルスラッチ回路におけるモード選択信号の組合せと動作モードの関係を示す図である。 図3に示すパルスラッチ回路の第1のラッチ回路と第2のラッチ回路に出力される制御信号とパルスクロックを説明するための図である。 図3に示すパルスラッチ回路における各構成要素の出力を動作モード別に示す図である。 図3に示すパルスラッチ回路を劣化検出に適用した場合の接続例を示す図である。 図7に示す接続例の説明図である。 図3に示すパルスラッチ回路が図7に示す接続例のときに各構成要素の出力を示す図である。 本発明の第2の実施の形態にかかるパルスラッチ回路を示す図である。 図10に示すパルスラッチ回路の各構成要素の出力を動作モード別に示す図である。 従来のパルスラッチ回路を示す図である。
符号の説明
100 パルスラッチ回路 110 第1のセレクタ
120 第1のラッチ回路 130 第2のセレクタ
140 第2のラッチ回路 150 制御回路
200 パルスラッチ回路 202 第1のデータ入力端子
204 テストパターン入力端子 210 第1のセレクタ
220 第1のラッチ回路 230 第2のセレクタ
232 第2のデータ入力端子 240 第2のラッチ回路
250 制御回路 291 ラッチ回路
292 ディレイ・ゲート 293 対象回路
294 XORゲート 295 劣化検出回路
300 パルスラッチ回路 330 第2のセレクタ

Claims (8)

  1. 対象回路が出力した入力データと、スキャンシフトのためのテストパターンが入力され、第1の動作モード時に前記テストパターンを出力し、第2の動作モード時に前記入力データを出力する第1のセレクタと、
    第1のパルスクロックに同期して前記第1のセレクタの出力をラッチする第1のラッチ回路と、
    前記対象回路が出力した前記入力データと、前記第1のラッチ回路の出力とを選択的に出力する第2のセレクタと、
    前記第1のパルスクロック信号を遅延させた第2のパルスクロック信号に同期して前記第2のセレクタの出力をラッチ可能な第2のラッチ回路と、
    前記第1の動作モード時に、前記第2のセレクタに前記第1のラッチ回路の出力を選択させて、当該第1のラッチ回路の出力に対して前記第2のラッチ回路をスルー状態に維持させ、前記第2の動作モード時に、前記第2のセレクタに前記入力データを選択させて、前記第2のラッチ回路に前記第2のパルスクロック信号に同期して該入力データをラッチさせる制御回路とを備え、
    前記第2のパルスクロック信号の前記第1のパルスクロック信号に対する遅延量は、前記第2の動作モード時に、前記対象回路による前記入力データの出力タイミングが予め設定された所定のタイミング範囲内である場合に、前記第1のラッチ回路と前記第2のラッチ回路が同じデータをラッチするように定められていることを特徴とするパルスラッチ回路。
  2. 前記第2の動作モードは、劣化により前記入力データの出力タイミングが遅れる前記対象回路の劣化の程度を検出するための劣化検出モードであることを特徴とする請求項1に記載のパルスラッチ回路。
  3. 前記第2の動作モード時に、前記第1のラッチ回路の出力と前記第2のラッチ回路の出力とが同一であるかを比較する比較回路をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載のパルスラッチ回路。
  4. 第3の動作モードをさらに有し、
    前記制御部は、前記第3の動作モード時に、前記第2のセレクタが出力を停止するように制御を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパルスラッチ回路。
  5. 前記第2のセレクタは、前記第1のラッチ回路の出力を反転するインバータを有し、前記第1のラッチ回路の出力を反転して前記第2のラッチ回路に出力することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のパルスラッチ回路。
  6. 前記制御部は、前記第2の動作モード時に、前記第1のパルスクロックを遅延させて前記第2のパルスクロックを得、該第2のパルスクロックを前記第2のラッチ回路に供することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のパルスラッチ回路。
  7. 前記制御部は、前記第1のラッチ回路への前記第1のパルスクロックの供給も行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパルスラッチ回路。
  8. 前記制御部は、前記第1のセレクタの制御も行うことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のパルスラッチ回路。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8788896B2 (en) 2012-01-11 2014-07-22 Lsi Corporation Scan chain lockup latch with data input control responsive to scan enable signal
US8829965B2 (en) * 2012-08-01 2014-09-09 Qualcomm Incorporated System and method to perform scan testing using a pulse latch with a blocking gate
US8635578B1 (en) * 2013-03-14 2014-01-21 Atrenta, Inc. System and method for strengthening of a circuit element to reduce an integrated circuit's power consumption
US9130549B2 (en) * 2013-08-30 2015-09-08 Cavium, Inc. Multiplexer flop
US9264023B2 (en) 2013-08-30 2016-02-16 Cavium, Inc. Scannable flop with a single storage element
US11451217B2 (en) * 2019-10-28 2022-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Match-slave latch with skewed clock
US11050423B1 (en) * 2020-01-16 2021-06-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Flip-flop device and method of operating flip-flop device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001141791A (ja) * 1999-09-03 2001-05-25 Sony Corp スキャンパス回路を有する半導体回路
JP2003043114A (ja) * 2001-08-01 2003-02-13 Nec Microsystems Ltd スキャン用フリップフロップおよびスキャンテスト回路
JP2004280926A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置
JP2005003556A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Sony Corp スキャンフリップフロップ回路、およびレジスタファイル
JP2006339948A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Renesas Technology Corp パルスラッチ回路及び半導体集積回路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032783A (en) * 1985-10-23 1991-07-16 Texas Instruments Incorporated Test circuit and scan tested logic device with isolated data lines during testing
US5130568A (en) * 1990-11-05 1992-07-14 Vertex Semiconductor Corporation Scannable latch system and method
US5390190A (en) * 1992-05-29 1995-02-14 Sun Microsystems, Inc. Inter-domain latch for scan based design
DE4318422A1 (de) * 1993-06-03 1994-12-08 Philips Patentverwaltung Integrierte Schaltung mit Registerstufen
JPH10267994A (ja) * 1997-03-24 1998-10-09 Oki Electric Ind Co Ltd 集積回路
US6289477B1 (en) * 1998-04-28 2001-09-11 Adaptec, Inc. Fast-scan-flop and integrated circuit device incorporating the same
US6606720B1 (en) * 2000-02-22 2003-08-12 Hewlett-Packard Development Company Scan structure for CMOS storage elements

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001141791A (ja) * 1999-09-03 2001-05-25 Sony Corp スキャンパス回路を有する半導体回路
JP2003043114A (ja) * 2001-08-01 2003-02-13 Nec Microsystems Ltd スキャン用フリップフロップおよびスキャンテスト回路
JP2004280926A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置
JP2005003556A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Sony Corp スキャンフリップフロップ回路、およびレジスタファイル
JP2006339948A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Renesas Technology Corp パルスラッチ回路及び半導体集積回路

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