JP4617977B2 - Voltage converter - Google Patents
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Description
この発明は電圧変換器に関し、特に、リアクトルへのエネルギの蓄積および放出を繰返すことによって電圧変換を行なう電圧変換器に関する。 The present invention relates to a voltage converter, and more particularly to a voltage converter that performs voltage conversion by repeatedly storing and releasing energy in a reactor.
特開2003−284328号公報(特許文献1)は車載用のDC/DCコンバータを開示している。このDC/DCコンバータには、常時は導通状態にあり、非常時に回路の切離しを行なう保護用の電界効果トランジスタが設けられている。
図16は、従来のDC/DCコンバータの構成を示す回路図である。 FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional DC / DC converter.
図16を参照して、このDC/DCコンバータは、高圧側の直流電源501と低圧側の直流電源506との間に接続され電源501から電源506への降圧動作と電源506から電源501への昇圧動作が可能なものである。
Referring to FIG. 16, this DC / DC converter is connected between a high-voltage side
DC/DCコンバータは、MOS(metal-oxide-semiconductor)構造を有する電界効果型トランジスタ(以降MOSFETと称する)502,503と、リアクトル504とを含む。
The DC / DC converter includes field effect transistors (hereinafter referred to as MOSFETs) 502 and 503 having a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure, and a
MOSFET502,503は電源501の正電極と接地との間に直列に接続される。リアクトル504はMOSFET502,503の接続点と電源506の正電極との間に接続されている。MOSFET502,503はソースと基板とが接続されているので、ソースからドレインへ向かう方向が順方向となるようにそれぞれボディダイオード507,508を内蔵している。ボディダイオードとは、MOSFET中に寄生的に形成されているダイオードである。
The
一般にDC/DCコンバータは、始動時において電荷が未蓄積の平滑用キャパシタなどへの過大な突入電流から回路を保護するために、ソフトスタート制御が行なわれる。ソフトスタート制御とは、動作開始から一定期間はリアクトル504にエネルギを蓄積する期間を短くし、徐々に昇圧または降圧動作を行なわせるものである。
Generally, in a DC / DC converter, soft start control is performed in order to protect a circuit from an excessive inrush current to a smoothing capacitor or the like in which charge is not accumulated at the time of starting. The soft start control is to gradually increase the voltage or decrease the voltage by shortening the period in which energy is stored in the
図17は、図16に示したDC/DCコンバータの降圧動作を開始させる際のソフトスタート制御を説明するための動作波形図である。 FIG. 17 is an operation waveform diagram for explaining soft start control when the step-down operation of the DC / DC converter shown in FIG. 16 is started.
図16のMOSFET502,503は、昇圧または降圧動作を行なう際に一方が導通状態であれば他方は非導通状態となるような同期制御が行なわれる。これはボディダイオードのみによって転流電流を流すよりは、MOSFETを同時に導通させて転流電流を流す方が、導通抵抗が低いので損失が少ないからである。
The
図16、図17を参照して、まず時刻t1〜t2においてMOSFET502のゲートに与えられるゲート信号G502が活性化され、MOSFET503のゲートに与えられるゲート信号は非活性化されている。このときにリアクトル504に流れる電流ILは増加しコイル電流に相当するエネルギがリアクトル504に蓄積される。
Referring to FIGS. 16 and 17, first, at time t1 to t2, gate signal G502 applied to the gate of
そして時刻t2においてゲート信号G502が非活性化されゲート信号G503が活性化されると電源501、MOSFET502、リアクトル504の順で電源506に流入していた電流が、経路が遮断されるので、今度は時刻t2〜t2AにおいてMOSFET503からリアクトル504を経て電源506に流れる。そしてリアクトル504に蓄積されていたエネルギが時刻t2Aで0になり、リアクトル電流ILは0となる。
When the gate signal G502 is deactivated at time t2 and the gate signal G503 is activated, the current flowing into the
以降同様に時刻t3〜t4,t5〜t6においてはMOSFET502が導通してリアクトル504にエネルギが蓄積され、時刻t4〜t4A,t6〜t7ではリアクトルのエネルギが放出される。
Thereafter, similarly, at time t3 to t4 and t5 to t6, the
図17に示すようにゲート信号G502の活性化期間を次第に長くしていくことによりDC/DCコンバータのソフトスタート制御が行なわれている。 As shown in FIG. 17, the soft start control of the DC / DC converter is performed by gradually increasing the activation period of the gate signal G502.
しかしながら、このソフトスタート制御の際にMOSFET503に同期制御を行なうと、MOSFET503の導通時間がリアクトルからエネルギが放出される期間よりも長くなってしまう。
However, if synchronous control is performed on the
たとえば時刻t2〜t3の間は、MOSFET503は導通した状態となっている。このとき、図17の破線で示したように時刻t2A〜t3の間はリアクトル504に蓄積されたエネルギは放出されてしまった後であるので一旦リアクトル電流ILは0となり、その後は電源506から図16の矢印に示した経路で過電流ILが流れてしまう。
For example, the
するとリアクトル504には逆向きのエネルギが蓄積されてしまうので降圧動作をうまく開始させることができなくなってしまう場合がある。これは特に負荷側にバッテリなどの電源が接続されている構成において問題となる。
Then, the reverse energy is accumulated in the
図18は、DC/DCコンバータの検討例を示した回路図である。 FIG. 18 is a circuit diagram illustrating a study example of a DC / DC converter.
図18に示した回路図は、リアクトル504と電源506との間に電流センサ510が設けられている点が図16に示した構成と異なるが、他の部分については図16と構成は同様であるので説明は繰返さない。
The circuit diagram shown in FIG. 18 differs from the configuration shown in FIG. 16 in that a
図17で説明した問題に対しては、電流センサ510によってリアクトル電流を監視してMOSFET502,503の同期制御を開始させるタイミングを決めることが考えられる。しかし、電流センサ510として、たとえばシャント抵抗のようなものを利用するセンサを配置するのでは、この部分で常に電力損失が生じる。また、大電流、大電力を扱うDC/DCコンバータではこの電流センサはかなり大きな部品となってしまうので、装置の大型化、コスト上昇および効率の低下といった問題点を生じてしまう。
In order to solve the problem described with reference to FIG. 17, it is conceivable that the reactor current is monitored by the
この発明の目的は、小型、高効率でかつ回路保護性能が向上した電圧変換器を提供することである。 An object of the present invention is to provide a voltage converter that is small, highly efficient, and has improved circuit protection performance.
この発明は、要約すると、電圧変換器であって、リアクトルを内蔵し、リアクトルへのエネルギの蓄積およびリアクトルからのエネルギの放出を繰返すことによって電圧変換を行なう、第1、第2の電源間に接続される変換部と、第1の電源からリアクトルを経由して第2の電源に至る経路上に設けられ、経路の導通および遮断を行なう接続部と、変換部および接続部に対する制御を行なう制御部とを備える。制御部は、動作開始時においてリアクトルに蓄積する1サイクルあたりのエネルギ量を次第に大きくするソフトスタート動作を行ない、ソフトスタート動作時においてリアクトルにエネルギの蓄積および放出を行なうサイクルに同期して接続部を制御する。 In summary, the present invention provides a voltage converter, which includes a reactor, and performs voltage conversion by repeatedly storing energy in the reactor and discharging energy from the reactor, between the first and second power supplies. A conversion unit to be connected, a connection unit provided on a path from the first power source to the second power source via the reactor, and a control unit for conducting and blocking the path, and a control for controlling the conversion unit and the connection unit A part. The control unit performs a soft start operation that gradually increases the amount of energy per cycle stored in the reactor at the start of operation, and sets the connection unit in synchronization with the cycle in which energy is stored and released in the reactor during the soft start operation. Control.
好ましくは、変換部は、第1、第2のスイッチング素子をさらに含み、接続部は、第3のスイッチング素子を含む。制御部は、ソフトスタート動作において、第1、第2のスイッチング素子を相補に導通させ、かつ第3のスイッチング素子は出力からの逆電流を防止するように動作させる。 Preferably, the conversion unit further includes first and second switching elements, and the connection unit includes a third switching element. In the soft start operation, the control unit causes the first and second switching elements to conduct complementarily and causes the third switching element to operate so as to prevent reverse current from the output.
好ましくは、変換部は、リアクトルに対するエネルギの蓄積を行なうときに導通する主スイッチング素子をさらに含み、制御部は、主スイッチング素子を非導通状態から導通状態に遷移させる時期に同期させて接続部を導通させる。 Preferably, the conversion unit further includes a main switching element that conducts when energy is stored in the reactor, and the control unit synchronizes the connection unit in synchronism with a time when the main switching element transitions from the non-conduction state to the conduction state. Conduct.
より好ましくは、制御部は、主スイッチング素子を導通状態から非導通状態に遷移させる時期に同期させて接続部を非導通にする。 More preferably, the control unit makes the connection unit non-conductive in synchronization with a time when the main switching element is changed from the conductive state to the non-conductive state.
より好ましくは、制御部は、主スイッチング素子を導通状態から非導通状態に遷移させた後にリアクトルからのエネルギの放出が完了する時期に同期させて接続部を非導通にする。 More preferably, the control unit makes the connection unit non-conductive in synchronization with a time when the release of energy from the reactor is completed after the main switching element is changed from the conductive state to the non-conductive state.
好ましくは、変換部は、リアクトルに対するエネルギの蓄積を行なうときに導通する主スイッチング素子と、リアクトルからのエネルギの放出を行なうときに導通する副スイッチング素子とをさらに含む。制御部は、副スイッチング素子を導通状態から非導通状態に遷移させる時期に同期させて接続部を導通させる。 Preferably, the conversion unit further includes a main switching element that conducts when energy is stored in the reactor, and a sub-switching element that conducts when energy is discharged from the reactor. The control unit causes the connection unit to conduct in synchronization with the timing at which the sub switching element transitions from the conductive state to the non-conductive state.
より好ましくは、制御部は、副スイッチング素子を非導通状態から導通状態に遷移させた後にリアクトルからのエネルギの放出が完了する時期に同期させて接続部を非導通にする。 More preferably, the control unit makes the connection unit non-conductive in synchronization with a time when the release of energy from the reactor is completed after the sub switching element is changed from the non-conductive state to the conductive state.
好ましくは、接続部は、電流検出機能付のスイッチング素子を含む。 Preferably, the connection portion includes a switching element with a current detection function.
本発明によれば、電力変換を行なう変換部を出力側電源または入力側電源に接続する接続部をソフトスタート動作中において、リアクトルのエネルギ蓄積および放出の1サイクルに同期させて制御することにより、通常動作においては低損失な降圧動作が実現でき、ソフトスタート動作中においては出力側電源から変換部に電流が逆流してしまうことが防止される。 According to the present invention, during the soft start operation of the connection unit that connects the conversion unit that performs power conversion to the output-side power source or the input-side power source, by controlling in synchronization with one cycle of reactor energy storage and discharge, In normal operation, low-loss step-down operation can be realized, and current is prevented from flowing back from the output-side power source to the converter during the soft-start operation.
また、異常時(通常時に高い側の電源が地絡した場合など)に電圧変換器の内部回路保護も実現可能である。 It is also possible to protect the internal circuit of the voltage converter in the event of an abnormality (such as when the high-side power supply is grounded during normal times).
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部品には同一の符号を付してそれらについての説明は繰返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
[実施の形態1]
図1は、本発明の実施の形態1に係る電圧変換器20の構成を示した回路図である。
[Embodiment 1]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of
図1を参照して、電圧変換器20は、高圧側電源1と低圧側電源6との間に接続され高圧側電源1から低圧側電源6への降圧動作を行なう。特に限定されるものではないが、たとえばハイブリッド自動車などの車両において車両推進用のモータ駆動用高圧バッテリから補機用の低圧バッテリの充電を行なう際などに用いることができる。
Referring to FIG. 1,
電圧変換器20は、リアクトル4を内蔵し、リアクトル4へのエネルギの蓄積およびリアクトル4からのエネルギの放出を繰返すことによって電圧変換を行なう変換部20Dと直流電源1から変換部20Dのリアクトル4を経由して電源6に至る経路上に設けられ、この経路の導通および遮断を行なう接続用のMOSFET5と、変換部20DおよびMOSFET5の制御を行なう制御部13とを備える。
電圧変換器20は、さらに、変換部20Dから出力される電圧の平滑化を行なう平滑用コンデンサ10と、電源1の正電極の電圧を監視して電圧V信号1を制御部13に出力する電圧センサ11と、電源6の正電極の電圧を監視して電圧信号V6を制御部13に対して出力する電圧センサ12とを含む。
変換部20Dは、電源1の正極と接地ノードとの間に直接に接続されるMOSFET2,3と、MOSFET2,3の接続ノードであるノードN1に一方端が接続されるリアクトル4とを含む。リアクトル4の他方端は変換部20Dの出力ノードN2に接続される。
MOSFET2,3,5はいずれもNチャネルMOSFETである。そしてMOSFET2,3,5はいずれもバックゲート部が一方端の電極に結合されている。このバックゲート部と結合された電極を本明細書では説明の便宜上ソースと呼ぶこととする。このような接続がされているので、後に図6で詳しく説明するようにMOSFET2,3,5はいずれもソースからドレインに向かう方向を順方向とするボディダイオード7,8,9を含むこととなる。
制御部13は、電圧信号V1,V6およびMOSFET5に流れる電流を示す電流信号I5を受けてこれに応じてゲート信号G2,G3およびG5を制御する。ゲート信号G2,G3,G5はそれぞれMOSFET2,3,5のゲートに与えられるゲート信号である。ここで、電流信号I5はMOSFET5から与えられるものである。
The
図2は、図1におけるMOSFET5の詳細な構造を示した回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a detailed structure of
図2を参照して、MOSFET5は、電流センス機能付きMOSFETであり、同一半導体基板50上に形成されるMOSFET51〜54と、抵抗55と、抵抗55の両端電圧を測定する電圧センサ56とを含む。なお、抵抗55と電圧センサ56はMOSFET5の外部に離して設けても良い。
Referring to FIG. 2,
MOSFET5は大電流を流すことができるパワーMOSFETであり、内部には多数の並列接続されたMOSFET51〜53を有する構成となっている。これに加えてドレインおよびゲートがMOSFET51〜53と共通に接続されソースは分離されたMOSFET54が設けられている。
The
ただしMOSFET51〜54は同じ基板上に形成されており、各トランジスタセルの形状も略同一であるので流れる電流値は略等しいと考えることができる。MOSFET54に直列にシャント抵抗55を接続しこの両端電圧を測定することによりMOSFET54に流れる電流を検出することができる。この電流値にトランジスタの個数を掛けたものがMOSFET5のソースとドレインとの間に流れる電流値I5となる。
However, since the
電流が小さいので抵抗55は図18で示した電流センサ510に用いられるシャント抵抗よりも小さくでき、熱損失も小さくすることができる。このようなセンス機能付きMOSFETを用いることにより、装置全体を小型化、高効率化することが可能となる。
Since the current is small, the
図3は、図1に示した電圧変換器20のソフトスタート時の動作を説明するための動作波形図である。
FIG. 3 is an operation waveform diagram for explaining the operation at the time of soft start of the
図1、図3を参照して、ゲート信号G2,G3,G5は、それぞれMOSFET2,3,5のゲートに与えられるゲート信号である。また電流信号I5は、MOSFET5に流れる電流を示す信号である。
Referring to FIGS. 1 and 3, gate signals G2, G3, and G5 are gate signals applied to the gates of
図3には時刻t9まではソフトスタート動作が示されている。すなわち時刻t1〜t2,t3〜t4,t5〜t6,t7〜t8の間はゲート信号G2が活性化されMOSFET2が導通状態となっている。この導通状態となる幅が次第に広くなっているのがわかる。
FIG. 3 shows the soft start operation until time t9. That is, the gate signal G2 is activated and the
MOSFET3はMOSFET2が非導通状態のときに導通するように同期制御がなされている。このときに図1の変換部20Dを電源6に接続するMOSFET5についても、時刻t9まではMOSFET2と同様に導通制御を行なう。
The
このようにすることにより、MOSFET3が導通している期間における、電源6からリアクトル4を経てMOSFET3を経由して接地ノードに流れる過電流を防止することが可能となる。
By doing so, it is possible to prevent an overcurrent flowing from the power source 6 through the
制御部13は時刻t9まではゲート信号G5をゲート信号G2と同様に制御を行なう。そして時刻t9において、MOSFET5に流れる電流を示す電流信号I5が所定のしきい値IT0に到達したことに応じて、ゲート信号G5をHレベルに固定する。これにより時刻t9以降は電源1と電源6との間の電位差に応じたデューティ比でMOSFET2が導通するように制御され、これと相補の状態で導通するようにMOSFET3が同期制御される。
The
つまり、図1に示す構成および図3の波形で示される制御を要約して説明すると、変換部20Dは、リアクトル4を内蔵し、リアクトル4へのエネルギの蓄積およびリアクトル4からのエネルギの放出を繰返すことによって電圧変換を行なう。MOSFET5は、電源1からリアクトル4を経由して電源6に至る経路上に設けられ、経路の導通および遮断を行なう接続部に該当する。制御部13は、変換部20DおよびMOSFET5に対する制御を行なう。
That is, the configuration shown in FIG. 1 and the control shown by the waveform of FIG. 3 will be described in summary.
制御部13は、動作開始時においてリアクトル4に蓄積する1サイクルあたりのエネルギ量を次第に大きくするソフトスタート動作を行なう。制御部13は、ソフトスタート動作時においてリアクトル4にエネルギの蓄積および放出を行なうサイクルに同期してMOSFET5を制御する。
The
ソフトスタート動作中は、変換部20Dは、リアクトル4に対するエネルギの蓄積を行なうときに導通する主スイッチング素子であるMOSFET2を含んでいる。そして、制御部13は、MOSFET2を非導通状態から導通状態に遷移させる時期に同期させてMOSFET5を導通させる。さらに、制御部13は、MOSFET2を導通状態から非導通状態に遷移させる時期に同期させてMOSFET5を非導通にする。
During the soft start operation,
ソフトスタート動作終了後は、MOSFET5は導通状態に固定される。
After the soft start operation is completed, the
このような制御がMOSFET5に行なわれることにより、通常動作においては、同期制御することにより低損失な降圧動作が実現でき、ソフトスタート動作中においては出力側電源から変換部20Dに電流が逆流してしまうことが防止される。
By performing such control on the
図4は、実施の形態1の第1の変形例で用いられる電圧変換器20Aの構成を示した図である。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of
図4において、制御部13,電圧センサ11,12については図1に示した場合と同様であるので図示および説明は繰返さない。図4に示した電圧変換器20Aは図1においてノードN2に接続されていた平滑用コンデンサ10が、MOSFET5と電源6との間の接続ノードに接続されているコンデンサ10Aに置き換わっている点が異なる。他の構成については図1に示した電圧変換器20と図4における電圧変換器20Aは同様であるので説明は繰返さない。
4,
図5は、図4に示した電圧変換器20Aの制御を説明するための動作波形図である。
FIG. 5 is an operation waveform diagram for explaining the control of
図5を参照して、MOSFET2,3,5にそれぞれ与えられるゲート信号G2,G3,G5については図3で説明した場合と同様に制御されるので説明は繰返さない。
Referring to FIG. 5, gate signals G2, G3, and G5 applied to
ここでコンデンサ10Aは電圧変換器20Aの出力側に接続されているので、MOSFET5にはリアクトル4に流れる電流と同じ電流が流れることになる。したがって、電流信号I5はリアクトルに流れるように三角波が観測されることになる。
Here, since the
すなわち時刻t1〜t2でリアクトル4に蓄積されたエネルギは、時刻t2〜t2Aにおいてリアクトル4から放出される。同様に、時刻t3〜t4においてリアクトル4にエネルギが蓄積され、時刻t4〜t4Aにおいてリアクトル4からエネルギが放出される。
That is, the energy accumulated in the
同様に時刻t5〜t6,t7〜t8,t9〜t10,t11〜t12においてリアクトル4にエネルギが蓄積され、時刻t6〜t6A,時刻t8〜t9,t10〜t11においてはリアクトル4からエネルギが放出される。
Similarly, energy is accumulated in
図6は、パワーMOSFETの1セル当たりの構造を示した図である。 FIG. 6 is a diagram showing the structure per cell of the power MOSFET.
図6を参照して、ドレイン端子に接続される濃度の高いn型不純物領域62の上に濃度の低いn型不純物領域64が形成され、そしてn型不純物領域64の上にはp型不純物領域66が形成され、p型不純物領域66の内部に濃度の高いn型不純物領域68が形成されている。
Referring to FIG. 6, low-concentration n-
n型不純物領域64,p型不純物領域66,n型不純物領域68の上部には、ゲート酸化膜70とゲート電極72が形成され、そしてさらにその上に金属層からなるソース電極74が形成される。
A
多数の電流を流すためにこのような単位セルが繰返し設けられている。つまりゲート電極72は、ソースコンタクトを多数設けるために多数の孔が設けられているメッシュ状の形状となっている。そしてソース電極74はソース領域となるn型不純物領域68およびバックゲート領域となるp型不純物領域66にともに接続されている。
Such unit cells are repeatedly provided in order to pass a large number of currents. That is, the
このような構成を有するMOSFETでは、p型不純物領域66とn型不純物領域64との間に図6にダイオード記号で示す部分にボディダイオードが形成されている。
In the MOSFET having such a configuration, a body diode is formed between the p-
図5においてゲート信号G5が活性化されている時刻t1〜t2,t3〜t4,t5〜t6,t7〜t8においては図6に示すように主としてソース電流ISD2がソースSからドレインDに向けて流れる。 5, at time t1 to t2, t3 to t4, t5 to t6, and t7 to t8 when the gate signal G5 is activated, the source current ISD2 mainly flows from the source S to the drain D as shown in FIG. .
リアクトル4のエネルギを放出する期間t2〜t2A,t4〜t4A,t6〜t6A,t8〜t9においては、ゲート信号G5は非活性化されているので図6における電流ISD2は流れずにボディダイオードによる電流ISD1のみが流れる。
In the period t2 to t2A, t4 to t4A, t6 to t6A, and t8 to t9 during which the energy of the
図5において制御部が電流信号I5を観測することにより、ワンサイクル内の電流の最小値Iminが0以上となった時刻t9以降はゲート信号G5を活性レベルに固定する。これにより時刻t9以降は図6の電流ISD1よりも、導通抵抗が低い電流ISD2が主として流れるようになり導通損失が軽減されるとともに、時刻t1〜t9においては図16の矢印で示した電流ILの過電流を防止することができる。 In FIG. 5, the control unit observes the current signal I5, so that the gate signal G5 is fixed at the active level after time t9 when the minimum current value Imin in one cycle becomes 0 or more. As a result, after time t9, the current ISD2 having a lower conduction resistance than the current ISD1 in FIG. 6 mainly flows and the conduction loss is reduced. From time t1 to t9, the current IL indicated by the arrow in FIG. Overcurrent can be prevented.
図7は、実施の形態1の第2の変形例で行なわれる制御を説明するための動作波形図である。 FIG. 7 is an operation waveform diagram for illustrating control performed in the second modification of the first embodiment.
図7においてゲート信号G2,G3および電流I5は図5に示した場合と同様であるので説明は繰返さない。図7の動作波形図はゲート信号G5の波形が図5に示したゲート信号G5と異なる点が特徴である。 In FIG. 7, gate signals G2, G3 and current I5 are similar to those shown in FIG. 5, and therefore description thereof will not be repeated. The operation waveform diagram of FIG. 7 is characterized in that the waveform of the gate signal G5 is different from the gate signal G5 shown in FIG.
つまり制御部は、ソフトスタート期間時刻t8まではゲート信号G2の活性化に同期させてゲート信号G5を活性化させる。そして電流信号I5を監視して電流信号I5が0になったときに同期させてゲート信号G5を非活性化させる。 That is, the control unit activates the gate signal G5 in synchronization with the activation of the gate signal G2 until the soft start period time t8. Then, the current signal I5 is monitored and the gate signal G5 is deactivated in synchronization with the current signal I5 becoming zero.
このような制御を行なうことにより、ソフトスタート時におけるリアクトル4に蓄積されたエネルギを放出する際にもMOSFET5の導通抵抗が低くなる。すなわち、時刻t2〜t2A,t4〜t4A,t6〜t6Aにおいても図6の電流ISD2が流れるようになり、損失が低減される。
By performing such control, the conduction resistance of the
ソフトスタート制御は時刻t8においてしきい値IT1を電流信号I5の最大値が超えたことに応じて終了され、以降はMOSFET5は導通状態に固定される。なお、時刻t8以降も電流信号I5を監視し続けてこれが0を下回らない限りMOSFET5を導通させておくことでも同様な制御が可能である。
The soft start control is ended in response to the maximum value of the current signal I5 exceeding the threshold value IT1 at time t8, and thereafter the
つまり図7では、制御部は、ソフトスタート制御時には、MOSFET2を非導通状態から導通状態に遷移させる時期に同期させてMOSFET5を導通させる。そして、制御部は、MOSFET2を導通状態から非導通状態に遷移させた後にリアクトル4からのエネルギの放出が完了する時期に同期させてMOSFET5を非導通にする。
In other words, in FIG. 7, during the soft start control, the control unit causes the
そして、電圧変換を行なう変換部を電源に接続する制御を行なうときにMOSFET5により電流を検出し、あるしきい値を超えた段階でソフトスタート制御から通常制御へと移行する。通常制御時にはMOSFET5は導通状態に固定される。なお、DC/DCコンバータが動作していないときは、MOSFET5は非導通状態に固定される。
Then, the current is detected by the
このようにMOSFET5を接続部として設け、ソフトスタート制御時において上記の制御を行なうことにより通常時、高い側(昇圧の場合は出力側、降圧の場合は入力側)の電源のリアクトルを介した地絡を防止することができ、また出力電流検出の機能もMOSFET5に含めることができるので、従来よりも小型軽量高効率でかつ保護機能を備えた電圧変換器を実現することができる。
Thus, by providing the
[実施の形態2]
昇圧型のDC/DCコンバータにおいても実施の形態1で説明したような制御を適用することができる。
[Embodiment 2]
The control described in the first embodiment can also be applied to the step-up DC / DC converter.
図8は、実施の形態2の電圧変換器である昇圧コンバータ80の構成を示した回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a
図8を参照して、昇圧コンバータ80は、入力側に接続される低い電圧の電源81と出力側に接続される高い電圧の電源86との間に接続される。昇圧コンバータ80は、変換部80Dと、変換部80Dを出力側の電源86との間で接続経路の導通および遮断を行なう接続部85とを含む。接続部85は、MOSFET85A,85Bを含む。
Referring to FIG. 8, boost
変換部80Dは、リアクトル84およびMOSFET82とMOSFET83とを含む。リアクトル84およびMOSFET82は、入力側の電源81と接地ノードとの間に直列に接続される。MOSFET83は、リアクトル84とMOSFET82との接続ノードと出力側に設けられた接続部85との間に接続される。
なおボディダイオード87,88および89はMOSFET82,83および85においてそれぞれソースとバックゲートとを内部で接続することによってできる寄生ダイオードである。
MOSFET85A、85Bは、ソースとバックゲートが共にノードN3に接続されている。また、MOSFET85A、85BのゲートにはノードN3の電位を基準としてゲート電圧が与えられる。
MOSFET85A、85Bの少なくとも一方は、図2で説明したMOSFET5と同様な構成を有する。構成の詳細については図5で説明しているので説明を繰返さない。
At least one of the
このような構成においてMOSFET82を導通させてリアクトル84にエネルギを蓄積し、その後MOSFET82を非導通状態にしMOSFET83を導通させる。このサイクルに同期して接続部85も導通させる。
In such a configuration, the
言い換えると、変換部80Dは、リアクトル84と、リアクトル84に対するエネルギの蓄積を行なうときに導通する主スイッチング素子であるMOSFET82と、リアクトル84からのエネルギの放出を行なうときに導通する副スイッチング素子であるMOSFET83とを含む。
In other words,
図示しないが、変換部80Dおよび接続部85を制御する制御部は、副スイッチング素子(MOSFET83)を非導通状態から導通状態に遷移させる時期に同期させて接続部85を導通させる。
Although not shown, the control unit that controls the
そして、制御部は、副スイッチング素子(MOSFET83)を非導通状態から導通状態に遷移させた後にリアクトル84からのエネルギの放出が完了する時期に同期させて接続部85を非導通にする。
And a control part makes the
MOSFET83および接続部85の導通をソフトスタート時において同期させて行ない、接続部85の接続経路に流れる電流が所定の条件となったときにはそのソフトスタート制御を終了させて接続部85を導通状態に固定する。このような制御を行なうことで昇圧型のDC/DCコンバータにおいても、小型化および保護機能の強化を図ることができる。
The conduction of the
図9は、実施の形態2の変形例を示した回路図である。 FIG. 9 is a circuit diagram showing a modification of the second embodiment.
図9に示されるDC/DCコンバータ90も入力側の低電圧の電源91と出力側の高電圧の電源96との間に接続される昇圧型のDC/DCコンバータである。図9に示した構成は、変換部90Dが出力側の電源96に直接接続されており、入力側の低電圧電源と変換部90Dとの間には接続部95が設けられている。接続部95は、MOSFET95A,95Bを含む。
The DC /
MOSFET95A、95Bは、ソースとバックゲートが共にノードN4に接続されている。また、MOSFET95A、95BのゲートにはノードN4の電位を基準としてゲート電圧が与えられる。
変換部90Dの構成は図8の変換部80Dの構成と同様である。すなわちリアクトル94とMOSFET92とが直列に接続され、この接続ノードと出力ノードとの間にMOSFET93が接続されている。このように入力側の電源にリアクトル94を接続する経路上に、電源遮断用の接続部95を設ける構成としても本発明を適用することができる。
The configuration of the
ソフトスタート制御中は、制御部は、MOSFET92を非導通状態から導通状態に遷移させる時期に同期させて接続部95を導通させる。そして、制御部は、MOSFET92を導通状態から非導通状態に遷移させた後にリアクトル94からのエネルギの放出が完了する時期に同期させて接続部95を非導通にする。
During the soft start control, the control unit causes the
つまり、ソフトスタート制御中は、MOSFET92と接続部95とを同期して導通させ、接続部95に流れる電流が0になる時に同期させて接続部95を非導通にする。ソフトスタート制御終了後には接続部95を導通状態に固定すればよい。
That is, during the soft start control, the
[実施の形態3]
実施の形態3では昇降圧を双方向に可能なDC/DCコンバータにおいても本発明を適用する。
[Embodiment 3]
In the third embodiment, the present invention is also applied to a DC / DC converter capable of bidirectionally increasing and decreasing the voltage.
図10は、実施の形態3で用いられる双方向に昇降圧が可能なDC/DCコンバータ100の構成を示した回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of DC /
図10を参照して、DC/DCコンバータ100は直流電源101と直流電源106との間に接続される。
Referring to FIG. 10, DC /
直流電源101の電圧はシステムの状態によって直流電源106の電圧よりも高かったり低かったりする場合がある。これに限定されないがたとえば、DC/DCコンバータ100が2電源車両システムなどに搭載されて用いられる場合には、直流電源101,106はバッテリに相当する。
The voltage of the
DC/DCコンバータ100は、直流電源101の正電極と接地ノードとの間に直列に接続されるMOSFET102,103と、直流電源106の正極と接地ノードとの間に直列に接続されるMOSFET105,110と、リアクトル104とを含む。リアクトル104はMOSFET102,103の接続ノードとMOSFET105,110の接続ノードとの間に接続される。
DC /
MOSFET102およびMOSFET105には、図2で説明したような電流検出機能付きのMOSFETを用いる。MOSFET102,103をスイッチングさせて昇降圧を行なう場合にはMOSFET110は非導通状態に固定し、MOSFET105には変換部を電源に接続する接続部としての動作を行なわせる。
As the
逆にMOSFET105,110をスイッチングさせて昇降圧動作を行なわせる際にはMOSFET103は非導通状態に制御し、電圧変換部を電源に接続する接続部としてMOSFET102を機能させる。
Conversely, when the
図11は、電源101から106へ降圧動作を行なう際の制御を説明するための動作波形図である。
FIG. 11 is an operation waveform diagram for explaining the control when the step-down operation is performed from
図10、図11を参照して、ゲート信号G102,G103,G105およびG110はMOSFET102,103,105および110にそれぞれ与えられるゲート信号である。電流信号I105はMOSFET105に流れる電流を示す電流信号である。
Referring to FIGS. 10 and 11, gate signals G102, G103, G105 and G110 are gate signals applied to
電源101から電源106へ降圧動作を行なう場合には、DC/DCコンバータ100の図示しない制御部はゲート信号G110を非活性状態にしたままとし、ソフトスタート時においてMOSFET105をMOSFET102に同期させて制御し、通常動作に移行するとMOSFET105を導通状態に固定する。
When performing step-down operation from the
ゲート信号G102,G103およびG105と電流信号I105の制御についてはそれぞれ図5のゲート信号G2,G3およびG5と電流信号I5に対応する制御が行なわれるので、図5で行なった説明は繰返さない。 Regarding the control of gate signals G102, G103 and G105 and current signal I105, the control corresponding to gate signals G2, G3 and G5 and current signal I5 in FIG. 5 is performed, respectively, and therefore the description made in FIG. 5 will not be repeated.
すなわち、図11の波形で示されるように、ソフトスタート制御中は、制御部は、MOSFET102を非導通状態から導通状態に遷移させる時期に同期させてMOSFET105を導通させる。そして、制御部は、MOSFET102を導通状態から非導通状態に遷移させる時期に同期させてMOSFET105を非導通にする。通常動作に移行するとMOSFET105は導通状態に固定される。
That is, as shown by the waveform in FIG. 11, during the soft start control, the control unit causes the
また、MOSFET102が導通状態から非導通状態に遷移し、リアクトル104に充電されたエネルギの放出が完了した時期に同期させて、MOSFET105を非導通にするという制御も可能である。
Also, it is possible to control the
図12は、電源106から電源101へ降圧動作を行なう場合の動作波形図である。
FIG. 12 is an operation waveform diagram when the step-down operation is performed from the
図10、図12を参照して電源106から電源101へ降圧動作を行なう場合には、MOSFET103は非導通状態に制御され、そしてMOSFET102が電圧変換を行なう変換部と電源との間の導通遮断制御を行なう接続部として動作する。
10 and 12, when the step-down operation is performed from
図12に示した波形においてゲート信号G102,G103に対しては図11におけるゲート信号G105,G110とそれぞれ同様な制御が行なわれ、図12のゲート信号G105,G110に対しては図11のゲート信号G102,G103とそれぞれ同様な制御が行なわれる。またこの場合は図11における電流信号I105に代えてMOSFET102に流れる電流を示す電流信号I102に基づいて制御が行なわれる。各制御の内容については図11と同様であり説明は繰返さない。
In the waveforms shown in FIG. 12, the gate signals G102 and G103 are controlled in the same manner as the gate signals G105 and G110 in FIG. 11, respectively, and the gate signals G105 and G110 in FIG. Controls similar to those in G102 and G103 are performed. In this case, control is performed based on a current signal I102 indicating a current flowing in the
すなわち、図12の波形で示されるように、ソフトスタート制御中は、制御部は、MOSFET105を非導通状態から導通状態に遷移させる時期に同期させてMOSFET102を導通させる。そして、制御部は、MOSFET105を導通状態から非導通状態に遷移させる時期に同期させてMOSFET102を非導通にする。通常動作に移行するとMOSFET102は導通状態に固定される。
That is, as shown in the waveform of FIG. 12, during the soft start control, the control unit causes the
また、MOSFET105が導通状態から非導通状態に遷移し、リアクトル104に充電されたエネルギの放出が完了した時期に同期させて、MOSFET102を非導通にするという制御も可能である。
It is also possible to control the
図13は、電源101から電源106に向けて昇圧動作を行なう際の動作を説明するための動作波形図である。
FIG. 13 is an operation waveform diagram for explaining the operation when the boosting operation is performed from
図10、図13を参照して、電源101から電源106に向けて昇圧動作を行なわせる場合には、MOSFET102が電圧変換部を電源101に接続する接続部として機能する。そしてこの場合にMOSFET103は非導通状態に制御されている。時刻t1〜t2,t3〜t4,t5〜t6,t7〜t8のソフトスタート制御の間はゲート信号G110の活性パルス幅は次第に広くなるように制御される。
Referring to FIGS. 10 and 13, when a boost operation is performed from
そしてその間ゲート信号G105はゲート信号G110の非活性化に応じて活性化され、電流I105が0になったことに応じて非活性化される。そして電流信号I105の最小値Iminが0より大きくなった後には、時刻t9以降ゲート信号G105は非活性化タイミングがゲート信号G110の活性化に同期して行なわれるようになる。 In the meantime, the gate signal G105 is activated in response to the deactivation of the gate signal G110, and deactivated in response to the current I105 becoming zero. After the minimum value Imin of the current signal I105 becomes greater than 0, the gate signal G105 is deactivated in synchronization with the activation of the gate signal G110 after time t9.
図14は、電源106から電源101に向けて昇圧動作を行なう際の動作を説明するための動作波形図である。
FIG. 14 is an operation waveform diagram for explaining an operation when a boosting operation is performed from
図10、図14を参照して、電源106から電源101に向けて昇圧動作を行なわせる場合には、MOSFET105が電圧変換部を電源106に接続する接続部として機能する。そしてこの場合にMOSFET110は非導通状態に制御されている。時刻t1〜t2,t3〜t4,t5〜t6,t7〜t8のソフトスタート制御の間はゲート信号G103の活性パルス幅は次第に広くなるように制御される。
Referring to FIGS. 10 and 14, when a boost operation is performed from
そしてその間ゲート信号G102はゲート信号G110の非活性化に応じて活性化され、電流I102が0になったことに応じて非活性化される。そして電流信号I102の最小値Iminが0より大きくなった後には、時刻t9以降ゲート信号G102は非活性化タイミングがゲート信号G103の活性化に同期して行なわれるようになる。 In the meantime, the gate signal G102 is activated in response to the deactivation of the gate signal G110, and deactivated in response to the current I102 becoming zero. Then, after the minimum value Imin of the current signal I102 becomes greater than 0, the deactivation timing of the gate signal G102 is synchronized with the activation of the gate signal G103 after time t9.
以上説明したように、双方向に昇降圧が可能なDC/DCコンバータにおいても本願発明を適用することが可能である。 As described above, the present invention can also be applied to a DC / DC converter capable of step-up / step-down in both directions.
[実施の形態4]
実施の形態4ではマルチフェーズ型DC/DCコンバータにおいて各フェーズに電源と電圧変換部とを導通遮断接続制御を行なうMOSFETを接続することにより本願発明を適用することが可能である。
[Embodiment 4]
In the fourth embodiment, it is possible to apply the present invention by connecting a power source and a voltage conversion unit to each phase in a multi-phase DC / DC converter with a MOSFET that controls conduction and disconnection.
図15は、マルチフェーズ型DC/DCコンバータの一例を示した図である。 FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a multi-phase DC / DC converter.
図15を参照して、マルチフェーズ型DC/DCコンバータ200は、高圧側の電源201と低圧側の電源206との間に接続される。
Referring to FIG. 15, multi-phase DC /
DC/DCコンバータ200は、電源201と電源206との間に並列接続される変換部200Dおよび210Dを含む。DC/DCコンバータ200は、さらに、変換部200Dを電源206に接続する経路上に設けられるMOSFET205と、変換部210Dを電源206に接続する経路上に設けられるMOSFET215とを含む。
DC /
変換部200Dは、電源201の正極と接地ノードとの間に直列に接続されるMOSFET202,203と、MOSFET202,203の接続ノードに一方端が接続されるリアクトル204とを含む。リアクトル204の他方端はMOSFET205に接続される。
Conversion unit 200D includes
変換部210Dは、電源201の正極と接地ノードとの間に直列に接続されるMOSFET212,213と、MOSFET212,213の接続ノードに一方端が接続されるリアクトル214とを含む。リアクトル214の他方端はMOSFET215に接続される。
ボディダイオード207,208,209は、それぞれMOSFET202,203,205のソースとバックゲートを結合してできる寄生ダイオードである。また、ボディダイオード217,218,219は、それぞれMOSFET212,213,215のソースとバックゲートを結合してできる寄生ダイオードである。
MOSFET205,215は図2で説明したような電流センス機能付きのMOSFETが用いられる。これによりコンパクトな構成を実現することができる。
As the
変換部200DおよびMOSFET205についての制御は、図3,図5,図7のいずれかで説明した制御と同様な制御が行なわれる。そして変換部210DおよびMOSFET210については降圧コンバータ200D,MOSFET205と位相をずらした形で同様な制御が行なわれる。位相をずらすことにより、電源201から電源206に供給する電流のリップルを少なくすることができる。なお、図15においては、フェーズ数が2の場合を説明したがフェーズ数はさらに多くてもかまわない。
Control for conversion unit 200D and
また図15においては、降圧コンバータを複数含むマルチフェーズ型DC/DCコンバータについて説明したが、昇圧コンバータや双方向型の昇降圧コンバータを複数含む形のマルチフェーズ型DC/DCコンバータにおいても本願発明は適用することができる。 In FIG. 15, the multi-phase DC / DC converter including a plurality of step-down converters has been described. However, the present invention also applies to a multi-phase DC / DC converter including a plurality of step-up converters and bidirectional step-up / step-down converters. Can be applied.
以上説明したように、電力変換を行なう変換部を出力側電源または入力側電源に接続する接続部をソフトスタート動作中において、リアクトルのエネルギ蓄積および放出の1サイクルに同期させて制御することにより、通常動作においては低損失な降圧動作が実現でき、ソフトスタート動作中においては出力側電源から変換部に電流が逆流してしまうことが防止される。 As described above, during the soft start operation of the connection unit that connects the conversion unit that performs power conversion to the output-side power source or the input-side power source, by controlling in synchronization with one cycle of reactor energy storage and release, In normal operation, low-loss step-down operation can be realized, and current is prevented from flowing back from the output-side power source to the converter during the soft-start operation.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1,6,81,86,91,96,101,106,201,206 電源、2,3,5,51〜54,82,83,85A,85B,92,93,95A,95B,102,103,105,110,202,203,205,212,213,215 MOSFET、4,84,94,104,204,214 リアクトル、7,8,9,87,88,207,208,209,217,218,219 ボディダイオード、10,10A コンデンサ、11,12,56 電圧センサ、13 制御部、20D,80D,90D,200D,210D 変換部、20,20A 電圧変換器、50 半導体基板、55 抵抗、62,64,68 n型不純物領域、66 p型不純物領域、70 ゲート酸化膜、72 ゲート電極、74 ソース電極、80 昇圧コンバータ、85,95 接続部、90,100,200 DC/DCコンバータ、D ドレイン、S ソース。 1, 6, 81, 86, 91, 96, 101, 106, 201, 206 Power supply, 2, 3, 5, 51-54, 82, 83, 85A, 85B, 92, 93, 95A, 95B, 102, 103 , 105, 110, 202, 203, 205, 212, 213, 215 MOSFET, 4, 84, 94, 104, 204, 214 reactor, 7, 8, 9, 87, 88, 207, 208, 209, 217, 218 , 219 body diode, 10, 10A capacitor, 11, 12, 56 voltage sensor, 13 control unit, 20D, 80D, 90D, 200D, 210D conversion unit, 20, 20A voltage converter, 50 semiconductor substrate, 55 resistor, 62, 64, 68 n-type impurity region, 66 p-type impurity region, 70 gate oxide film, 72 gate electrode, 74 source electrode, 0 boost converter, 85 and 95 connecting portion, 90,100,200 DC / DC converter, D drain, S source.
Claims (8)
前記第1の電源から前記リアクトルを経由して前記第2の電源に至る経路上に設けられ、前記経路の導通および遮断を行なう接続部と、
前記変換部および前記接続部に対する制御を行なう制御部とを備え、
前記制御部は、動作開始時において前記リアクトルに蓄積する1サイクルあたりのエネルギ量を次第に大きくするソフトスタート動作を行ない、前記ソフトスタート動作時において前記リアクトルにエネルギの蓄積および放出を行なうサイクルに同期して前記接続部を制御し、
前記制御部は、前記ソフトスタート動作が完了した後には、前記接続部を導通状態に固定するように制御する、電圧変換器。 A built-in reactor, performing voltage conversion by repeating the release of energy from the storage and the reactor of energy to the reactor, a conversion unit connected between the first and second power supplies,
A connecting portion that is provided on a path from the first power source to the second power source via the reactor, and that conducts and shuts off the path;
A control unit for controlling the conversion unit and the connection unit,
The control unit performs a soft start operation for gradually increasing the amount of energy per cycle stored in the reactor at the start of operation, and synchronizes with a cycle for storing and releasing energy in the reactor during the soft start operation. Control the connection part ,
The control unit is a voltage converter that controls the connection unit to be fixed in a conductive state after the soft start operation is completed .
第1および第2のスイッチング素子をさらに含み、
前記接続部は、
第3のスイッチング素子を含み、
前記制御部は、前記ソフトスタート動作において、前記第1および第2のスイッチング素子を相補に導通させ、かつ、前記第1のスイッチング素子の導通時には前記第3のスイッチング素子を導通させ、前記第1のスイッチング素子が非導通となった後に前記1サイクルにおいて前記第1のスイッチング素子の導通に応じて前記リアクトルに流れる電流がゼロになった以降は少なくとも前記第3のスイッチング素子を非導通に制御する、請求項1に記載の電圧変換器。 The converter is
Further comprising first and second switching elements;
The connecting portion is
Including a third switching element;
In the soft start operation, the control unit causes the first and second switching elements to conduct complementarily, and causes the third switching element to conduct when the first switching element is turned on. After the switching element becomes non-conductive, at least the third switching element is controlled to be non-conductive after the current flowing through the reactor becomes zero according to the conduction of the first switching element in the one cycle after the switching element becomes non-conductive. The voltage converter according to claim 1.
前記リアクトルに対するエネルギの蓄積を行なうときに導通する主スイッチング素子をさらに含み、
前記制御部は、前記主スイッチング素子を非導通状態から導通状態に遷移させる時期に同期させて前記接続部を導通させる、請求項1に記載の電圧変換器。 The converter is
A main switching element that conducts when storing energy in the reactor;
The voltage converter according to claim 1, wherein the control unit conducts the connection unit in synchronization with a time when the main switching element transitions from a non-conduction state to a conduction state.
前記リアクトルに対するエネルギの蓄積を行なうときに導通する主スイッチング素子と、
前記リアクトルからのエネルギの放出を行なうときに導通する副スイッチング素子とをさらに含み、
前記制御部は、前記副スイッチング素子を導通状態から非導通状態に遷移させる時期に同期させて前記接続部を導通させる、請求項1に記載の電圧変換器。 The converter is
A main switching element that conducts when storing energy in the reactor;
And a sub-switching element that conducts when discharging energy from the reactor,
2. The voltage converter according to claim 1, wherein the control unit conducts the connection unit in synchronization with a time at which the sub switching element is transitioned from a conduction state to a non-conduction state.
電流検出機能付のスイッチング素子を含む、請求項1,3〜6のいずれか1項に記載の電圧変換器。 The connecting portion is
The voltage converter according to claim 1, comprising a switching element with a current detection function.
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JP2003070238A (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Toyota Motor Corp | Dc-dc converter |
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