JP4615730B2 - 処理チャンバ内でプラズマを点火するための方法及びプラズマ処理リアクタ - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 74
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 8
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 7
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路(IC)の製造に関する。本発明は特に、プラズマ処理リアクタ内でプラズマを点火するための改良方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、フラットパネルディスプレイもしくは集積回路などの半導体製品の製造では、複合的な蒸着および/またはエッチング工程を用いることができる。蒸着工程では、(ガラスパネルもしくはウエハの表面などの)基板表面に物質が蒸着される。逆に、エッチング工程は、基板表面の所定部分から物質を選択的に除去するために用いられる。
【0003】
基板表面をエッチングするには多くの方法を用いることができるが、その方法の1つとしてプラズマエッチングがある。プラズマエッチングでは、プロセスガスのイオン化と解離からプラズマが生成される。次いで、正イオンが基板に向けて加速され、そこでエッチング反応を促進する。
【0004】
プラズマエッチングのひとつの方法では、誘導源を用いてプラズマを発生させる。プラズマを生成するために、プラズマリアクタチャンバ内にプロセスガスが送り込まれる。次いで、RF電源により誘導コイルに電力を供給し、チャンバ内に強い電界を発生させる。電界は、チャンバ内にある少数の電子を加速させ、ガス分子と衝突させる。これらの衝突の結果、イオン化が起こり、放電もしくはプラズマが生じる。プロセスガスの中性ガス分子は、これらの強い電界にさらされると電子を放出し、正イオンになる。それらの電子は、誘導コイルによって生成された電界で加速され、他の中性分子と衝突し、更に電子を放出させる。これにより、プラズマの分解が生じ、プラズマが点火する。
【0005】
議論を容易にするため、図1aに従来技術の誘導プラズマ処理リアクタ100を示す。典型的な誘導プラズマ処理リアクタは、誘電体窓112の上にアンテナもしくは誘導コイル110が配置されたチャンバ102を備えている。基板114は、チャック116の上に配置される。チャック116はチャンバ102の底部に配置されている。誘導コイル110にRF電力が供給されると、振動磁界118が発生する。この振動磁界118は、チャンバ内部の誘電体窓112下方にプラズマを伴う電流120を誘導する。電流120は、誘導コイルの電流と逆方向に流れる。誘導コイル110と電流120のX印とドットは、電流の方向を表す。
【0006】
通例、誘導コイル110にRF電力が供給されると、誘電体窓112と真空チャンバの容積を横切って電気的な接地面までの電圧降下が起こる。この電圧により、プラズマの分解が起こる。一般に、循環電流120によって自由電子が高エネルギに加速される。電子は、交互の方向に加速される(電源のRFに依存する)。加速された電子は、他の中性分子と衝突し、更なる電子と正イオンを生じる。自由電子の発生率が消失率を上回るとすぐに、プラズマが点火する。
【0007】
当業者に周知の通り、誘導プラズマ処理リアクタには多くの異なる種類の構成があるが、概念上は同じように動作する。例えば、図1bは、他の誘導プラズマ処理リアクタの図であり、コイルがチャンバの壁の周囲に配置されている。誘導プラズマ処理リアクタ200は、チャンバ202の周囲にアンテナもしくは誘導コイル210が配置されたチャンバ202からなる。基板214は、チャック216の上に配置される。チャック216はチャンバ202の底部に配置されている。図1aの説明で述べたように、誘導コイル210にRF電力が供給されると、振動磁界218が発生する。この振動磁界218は、チャンバ202内部のプラズマ内に電流220を誘導する。電流220は、誘導コイルの電流と逆方向に流れる。誘導コイル210と電流220のX印とドットは、電流の方向を表す。
【0008】
通例、チャンバ内の圧力が低い場合、プラズマは点火しにくい。この条件下では、プラズマ内の電子の平均自由行程が長いため、電子が十分な分子と衝突できずにチャンバの壁に衝突して失われてしまう。そのため、プラズマの点火が非常に困難になる。電子の平均自由行程が短くなると衝突回数が増加するので、プラズマを維持する連鎖反応が起こる。電子の平均自由行程は、チャンバ内の圧力を高めることにより短くすることができる。
【0009】
圧力を変えることには欠点がある。例えば、エッチングに最適な条件は低圧力である。それ故、プラズマを点火するために圧力が高められると、エッチングの最適条件に合わなくなる。二段階工程を用いて、高圧力下でのプラズマ点火後に圧力を下げることによって、この問題を解決することができる。この工程は、高圧力から低圧力に変化させるのにある程度の時間が掛かることを除けば、うまく機能すると思われる。プラズマの環境が変化する間にも基板がチャンバ内にあるために、好ましくないエッチング結果や予測できない結果を生じることがある。
【0010】
また、誘導コイルの電圧があまりに低い場合、プラズマは点火しにくい。この条件下では、イオン化が起こるのに十分な高エネルギまで電子が加速されない。電圧を上げると電子のエネルギが高くなり、その結果、チャンバ内でより多くイオン化が起こる。
【0011】
誘導コイルの電圧を上げるためのRF電力の増大には限界がある。RF電力を増大させると、整合回路網の電気的および機械的要素に損傷や不当な磨耗を与える可能性がある。もちろん、RF電力供給システムの他の要素にも更なる電気的ストレスを与えうる。また、エッチング工程に必要な低圧力の範囲に圧力が保たれている場合には、プラズマの点火に十分な高電圧を得られないことがある。高い電力レベルを用いてプラズマを点火し、電力を下げてエッチングを行う二段階工程にも前述の問題がある。すなわち、プラズマの環境が変化する間にも基板がチャンバ内にあるという問題である。上述のように、この条件変化によって、好ましくないエッチング結果や予測できない結果を生じることがある。
【0012】
以上からわかるように、圧力や電力などの好ましい動作条件を変更せずにプラズマ処理リアクタ内でプラズマを点火するための改良方法および装置が望まれている。
【0013】
【発明の概要】
1つの実施形態において、本発明は、基板を処理するためのプラズマ処理リアクタに関する。プラズマ処理リアクタは、処理チャンバを備える。更に、プラズマ処理リアクタは、RF周波数を有するRF電源に結合されるように構成された誘導コイルを備え、誘導コイルは、処理チャンバの誘電体窓を通過する振動磁界により処理チャンバ内部に電界を発生させる。また、プラズマ処理リアクタは、誘導コイルの隣接したリング同士の間に配置され、処理チャンバ内の電界の所定の領域に集中した局所的な磁界を発生させるように構成された磁界発生装置を備える。
【0014】
他の実施形態において、本発明は、処理チャンバ内で基板を処理するためのプラズマ処理リアクタに関する。また、プラズマ処理リアクタは、プラズマ処理リアクタの処理チャンバ内に電界を発生させる手段を備える。更に、プラズマ処理リアクタは、処理チャンバ内部で電界に近接した磁界を発生させる手段を処理チャンバの外部に備える。加えて、プラズマ処理リアクタは、磁界の活性化を制御するための活性化手段を備え、活性化手段は磁界を発生させるための手段に結合されている。
【0015】
更に別の実施形態において、本発明は、プラズマ処理リアクタの処理チャンバ内でプラズマを点火する方法に関する。その方法は、誘導コイルを備える方法を含む。更に、その方法は、RF電力を誘導コイルに供給することによって処理チャンバ内に電界を発生できるように誘導コイルにRF電源を結合する方法を含む。加えて、その方法は、磁界発生プラズマ処理リアクタを処理チャンバの外部に設ける方法を含む。磁界発生プラズマ処理リアクタは、電界に近接して処理チャンバ内に磁界を発生させるように構成されている。また、その方法は、処理チャンバ内でプラズマの点火を促進するために、磁界発生プラズマ処理リアクタにより磁界を発生させる方法を含む。
【0016】
本発明のこれらの利点およびその他の利点は、以下の詳細な説明および種々の図面から明らかになる。
【0017】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面に例示された幾つかの好ましい実施形態に関連して、本発明の詳しい説明を行う。以下の説明では、本発明の徹底的な理解を促すために、多くの項目を特定している。しかしながら、当業者には明らかなように、本発明は、これらの項目の一部または全てを特定しなくても実施できる。そのほか、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の工程動作の説明は省略した。
【0018】
本発明の1つの態様に従って、処理チャンバ内部に磁界を発生させることにより、低圧力の誘導プラズマ処理リアクタ内でのプラズマ点火を改善する。通例、低圧力ではプラズマは点火しにくい。先に述べたように、低圧力では、電子の平均自由行程が長くなるため、分子と衝突する可能性が低くなる。通例、分子と衝突しない電子が、チャンバの壁に衝突し、再結合するため、プラズマの点火が困難になる。処理チャンバ内部に磁界を発生させることにより、電子が一時的にローレンツ力に捕えられ、磁界の磁力線の周りをらせん状に動く。電子がらせんを描くことにより、チャンバ内での滞留時間が長くなるため、中性ガス分子との衝突の可能性が高くなり、プラズマを点火する連鎖反応が起こる。
【0019】
他の実施形態では、プラズマの点火の促進手段として磁界のみを用いる。プラズマの安定性を保つため、プラズマが点火したらすぐに磁界を消失させ、エッチング工程に悪影響を与えないようにするのが好ましい。
【0020】
他の実施形態によると、磁界の位置は、誘導コイルによって発生された電界に近接していることが好ましい。処理チャンバ内の遊離電子のほとんどは、電界領域に存在する。それ故、磁界を戦略的にこの領域に配置することにより、より多くの電子が影響を受けるようにすることができる。
【0021】
本発明の特徴と利点に関する議論を容易にするために、本発明で付加したソレノイドなどの磁界発生装置を備える誘導プラズマ処理リアクタを図2aに示す。誘導プラズマ処理リアクタ300は、誘電体窓312の上にアンテナもしくは誘導コイル310が配置されたチャンバ302からなる。基板314は、チャック316の上に配置される。チャック316はチャンバ302の底部に配置されている。誘導コイル310にRF電力が供給されると、振動磁界318が発生する。この振動磁場318は、チャンバ内部の誘電体窓312下方に電流320を誘導する。図1aおよび図1bと同様に、電流320は、誘導コイルの電流と逆方向に流れる。誘導コイル310と電流320のX印とドットは、電流の方向を表す。
【0022】
誘導コイル310にRF電力が供給されると、誘電体窓312と真空チャンバの容積を横切って電気的な接地面までの電圧降下が起こる。この電圧により、プラズマの分解が起こる。一般に、循環電流320によって自由電子が高エネルギに加速される。電子は、交互の方向に加速される(電源のRFに依存する)。加速された電子は、他の中性分子と衝突し、更なる電子と正イオンを生じる。自由電子の発生率が消失率を上回るとすぐに、プラズマが点火する。
【0023】
ソレノイド324は、チャンバ302の外部に配置されている。ソレノイド324は、誘導コイル310の高電圧点の近くに配置するのが好ましい。ソレノイドは、DC電源330によりDC磁界328を誘導する。1つの実施形態では、DC電源330が、プラズマ点火を促進するのに適した磁界を発生させるDC電圧、例えば約200ボルトのDC電力を供給する。図に示すように、DC磁界328は、チャンバ302内部の局所的な領域332に集中して存在し、一時的に電子334を捕え、DC磁界328の磁力線336に沿ってらせんを描かせる。領域332での電子334の滞留時間が長くなるため、チャンバの壁に衝突して再結合する前に中性分子と衝突する可能性が高くなる。これにより、低圧力および/または低誘導電力でのプラズマ点火の可能性が大いに高くなる。
【0024】
通例、加速された電子は、中性分子と衝突して、更なる電子と正イオンを生じ、放電を起こす。領域332のDC磁界328は、その時点ではもはや必要ない。プラズマの分解が起こり、プラズマが点火する。
【0025】
当業者に周知の通り、誘導プラズマ処理リアクタには多くの異なる種類の構成があるが、自由電子が最初に生成される場所に近接して磁界発生装置を設けることによりプラズマの点火を容易にすることが可能である。例えば、図2bは、図1bに示したように他の誘導プラズマ処理リアクタの図であり、リアクタは、本発明で付加したソレノイドなどの磁界発生装置を備えている。
【0026】
図2bでは、ソレノイド424は、チャンバ402の外部に配置されている。ソレノイド424は、誘導コイル410の高電圧点に配置するのが好ましい。もちろん、この高電圧点は、誘導コイルの設計によって異なるが、当業者には、経験や計算によって容易に求めることができる。ソレノイドは、DC電源430によりDC磁界428を誘導する。この実施形態では、DC電源430が、プラズマの点火を促進する磁界を発生させるのに適した電圧、例えば約200ボルトを印加する。DC磁界428は、チャンバ402内部の局所的な領域432に集中して存在する。DC磁界428は、一時的に電子434を捕え、軌道436の周りにらせんを描かせることで、電子の滞留時間を増加させ、プラズマの点火を引き起こす連鎖反応の開始を促進する。
【0027】
好ましい実施形態では、ソレノイドによってチャンバ内部に磁界が誘導される。ソレノイドは、約200ボルトのDCで通電され、約25〜500ガウスの磁束を生じるのが好ましい。しかしながら、磁束は、プラズマの点火に十分な磁束を維持できる範囲でなるべく低く保つのが好ましい。また、必要に応じて、DC電圧の的確な電圧レベルは、プラズマの点火に十分な強さの磁束を生じるのに有効な電圧レベルに変更できることに注意すべきである。工程への影響が最小限に抑えられるため、低電力の磁束が好ましい。更に、本発明における磁界発生については、ソレノイドに限定されず、与えられたプラズマ処理リアクタ内でのプラズマの点火に有効な磁界を発生可能ないかなる手段を用いてもよい(例えば、プラズマの点火の際に物理的に動かすことのできる永久磁石)。
【0028】
上述のように、DC磁界の位置は、誘導コイルの高電圧により電子が最初に加速されるプラズマ処理チャンバ内の領域に近接するのが好ましい。(ソレノイドなどの)磁界発生装置は、誘導コイルによって発生された電界に磁界が近接するように配置するのが更に好ましい。何故なら、最初に発せられた電子のほとんどが、この電界領域に集中する傾向があるためである。磁界発生装置は、それによって発生された磁界を、電力線密度の最も高いプラズマ処理チャンバ内の領域と一致させるような位置に配置するのが更に好ましい。
【0029】
例えば、磁界発生装置が通電された際に十分な数の電子が磁界にさらされるように、磁界発生装置を誘導コイルの隣接したコイル同士の間に配置してもよい。しかしながら、磁界発生装置は、コイルの最上部もしくはコイルに近接した位置など他の位置に配置することもできる。
【0030】
図3は、本発明の1つの実施形態にしたがって、図2aで説明したプラズマ処理リアクタの誘導コイル310に対するソレノイド324の大まかな位置を示した上面図である。誘導コイル310は平らである必要がなく、平らでない他の形状であってもよいことに注意すべきである。図2bのプラズマ処理チャンバについても、プラズマの点火を促進するように磁界発生装置を誘導コイルに対して同じように配置することができる(例えば、隣接するコイル同士の間もしくはコイルの上部)。
【0031】
上述のように、磁界発生装置によって発生された磁界は、プラズマ点火後には消滅させ、処理工程への磁界の影響を最小限に抑えるのが好ましい。一般に、磁界発生装置を停止する目的でのプラズマの点火の検出は、例えば、光学的な放出検出法や整合回路網の反射能を検出する方法など従来の方法を用いて行うことができる。
【0032】
好ましい実施形態は、チャンバ内の圧力と上部電極への電力のいずれも上げることなしにプラズマの点火を促進するのに十分な強さを持つ磁界を発生させることを意図したものであるが、チャンバ内の圧力および/または上部電極への電力を上げる必要を排除するのではなく減少させるために、本発明の点火技術を用いることができることに注意すべきである。例えば、チャンバ圧力および/または上部電圧をほんの少し上昇させればよいように、磁界の存在によって電子の滞留時間と衝突の確率を増加させることができる。
【0033】
以上では、本発明をいくつかの好ましい実施形態の形で説明したが、本発明の範囲内で、種々の代替、置き換え、および等価物が可能である。また、本発明による方法および装置を実現する代替の方法が数多く存在することにも注意が必要である。したがって、添付した特許請求の範囲は、このような代替、置き換え、および等価物の全てを、本発明の真の趣旨および範囲内に含むものとして解釈される。
【図面の簡単な説明】
【図1a】 従来技術の誘導プラズマ処理リアクタの概略図である。
【図1b】 誘導コイルの配置が異なる従来技術の誘導プラズマ処理リアクタの概略図である。
【図2a】 処理チャンバ内にDC磁界を発生させるソレノイドを備えた誘導プラズマ処理リアクタの概略図である。
【図2b】 誘導コイルの配置が異なり、処理チャンバ内でDC磁界を発生させるソレノイドが付加されている誘導プラズマ処理リアクタの概略図である。
【図3】 好ましい位置に配置されたソレノイドを含めた図2aの誘導プラズマ処理リアクタの上面図である。
【符号の説明】
100 従来技術の誘導プラズマ処理リアクタ
102 チャンバ
110 誘導コイル
112 誘電体窓
114 基板
116 チャック
118 振動磁界
120 電流
200 誘導プラズマ処理リアクタ
202 チャンバ
210 誘導コイル
214 基板
216 チャック
218 振動磁界
220 電流
300 誘導プラズマ処理リアクタ
302 チャンバ
310 誘導コイル
312 誘電体窓
314 基板
316 チャック
318 振動磁界
320 電流
324 ソレノイド
328 DC磁界
330 DC電源
332 領域
334 電子
336 磁力線
402 チャンバ
410 誘導コイル
424 ソレノイド
428 DC磁界
430 DC電源
432 領域
434 電子
436 軌道
Claims (33)
- 基板を処理するためのプラズマ処理リアクタであって、
プラズマの点火が行われるとともに前記処理のためにプラズマが維持される処理チャンバと、
RF周波数を有するRF電源と、
前記RF電源に結合され、前記処理チャンバの誘電体窓を通過する振動磁界により前記処理チャンバ内部に電界を発生させるように構成された誘導コイルと、
前記誘導コイルの隣接したリング同士の間に配置され、前記処理チャンバ内の前記電界の所定の領域に集中した局所的な磁界を発生させるように構成された磁界発生装置と、
を備え、
前記局所的な磁界は、前記処理チャンバ内での前記プラズマの点火を促進するのに有効であり、
前記局所的な磁界は、前記プラズマを点火するために活性化され、前記処理チャンバ内で前記プラズマが点火した後に非活性化される、プラズマ処理リアクタ。 - 請求項1記載のプラズマ処理リアクタであって、前記磁界発生装置はソレノイドであり、前記ソレノイドは200ボルトのDC電力により通電される、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1又は2に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記局所的な磁界は25〜500ガウスの範囲の磁束を有する、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記磁界発生装置は、前記処理チャンバ内でのプラズマの点火に十分な長さの時間のみ前記局所的な磁界を活性化させる、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記磁界発生装置は前記誘導コイルの隣接したリングの間に配置されたソレノイドである、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記磁界発生装置は前記誘導コイルの隣接したリング同士の間に配置される、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記磁界発生装置を作動させる際に、前記RF電源が前記処理に適する電圧レベルに設定される、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記磁界発生装置を作動させる際に、前記プラズマ処理リアクタ内のチャンバ圧力が前記処理に適するレベルに設定される、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記磁界発生装置は前記誘導コイルの隣接したリングの間に伸びるソレノイドである、プラズマ処理リアクタ。
- 処理チャンバ内で基板を処理するためのプラズマ処理リアクタであって、
前記処理チャンバの誘電体窓を通過する振動磁界により前記プラズマ処理リアクタの前記処理チャンバ内に電界を発生させる誘導コイルと、
前記処理チャンバの外部において前記誘導コイルの隣接したリング同士の間に配置され、前記処理チャンバ内の前記電界の所定の領域に集中した局所的な磁界を発生させるためのソレノイドと、
前記ソレノイドに結合され、前記局所的な磁界の活性化を制御するための活性化手段と、
を備えるプラズマ処理リアクタ。 - 請求項10記載のプラズマ処理リアクタであって、前記誘導コイルはRF電源に結合されており、前記局所的な磁界はDC磁界である、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項10又は11記載のプラズマ処理リアクタであって、前記ソレノイドはDC電源に結合されている、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項10〜12のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記局所的な磁界は前記処理チャンバ内でのプラズマの点火中において25〜500ガウスの範囲の磁束を有する、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項10〜13のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記活性化手段は前記チャンバ内でのプラズマ点火に十分な長さの時間のみ前記局所的な磁界を発生させる、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項10〜14のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記処理チャンバ内でプラズマが点火されると、前記活性化手段が前記局所的な磁界を消滅させる、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項10〜15のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記ソレノイドは前記誘導コイルに近接して配置されている、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項10〜16のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記誘導コイルは、前記局所的な磁界が存在して前記処理チャンバ内でのプラズマの点火を促進する際に前記処理に適するレベルに設定されている、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項10〜17のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記局所的な磁界は前記処理チャンバ内でのプラズマの点火を促進するのに有効な強さを有する、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項10〜18のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記局所的な磁界が存在して前記処理チャンバ内でのプラズマの点火を促進する際に、前記処理チャンバ内のチャンバ圧力が前記処理に適するレベルに設定されている、プラズマ処理リアクタ。
- プラズマ処理リアクタにおいて処理チャンバ内でプラズマを点火する方法であって、
誘導コイルを準備する工程と、
前記誘導コイルにRF電力を供給することによって、前記処理チャンバの誘電体窓を通過する振動磁界により前記処理チャンバ内に電界を発生できるように、前記誘導コイルにRF電源を結合する工程と、
前記処理チャンバ内の前記電界の所定の領域に集中した局所的な磁界を発生させるように構成された磁界発生装置を前記処理チャンバの外部の前記誘導コイルの隣接したリング同士の間に配置されるように設ける工程と、
前記処理チャンバ内でのプラズマの点火を促進するために、前記磁界発生装置により前記局所的な磁界を発生させる工程と、
を含み、
前記磁界発生装置は、前記処理チャンバ内で前記プラズマを点火するのに十分な期間のみ作動される、方法。 - 請求項20記載の方法であって、前記磁界発生装置はDC電源に結合されたソレノイドであり、前記局所的な磁界はDC磁界である、方法。
- 請求項20又は21に記載の方法であって、前記局所的な磁界は25〜500ガウスの範囲の磁束を有する、方法。
- 請求項20〜22のいずれか一項に記載の方法であって、前記処理チャンバ内での前記プラズマの維持に前記局所的な磁界が必要でないときに前記局所的な磁界が停止される、方法。
- 請求項20〜23のいずれか一項に記載の方法であって、前記磁界発生装置は前記誘導コイルの隣接したリング同士の間に配置される、方法。
- 請求項20〜24のいずれか一項に記載の方法であって、前記磁界発生装置が作動しており、前記局所的な磁界が前記処理チャンバ内に存在して前記処理チャンバ内での前記プラズマの点火を促進する際に、前記RF電源が前記処理に適するレベルに設定される、方法。
- 請求項20〜25のいずれか一項に記載の方法であって、前記磁界発生装置が作動しており、前記局所的な磁界が前記処理チャンバ内に存在して前記処理チャンバ内での前記プラズマの点火を促進する際に、前記プラズマ処理リアクタ内のチャンバ圧力が前記処理に適するレベルに設定される、方法。
- 請求項20〜26のいずれか一項に記載の方法であって、前記局所的な磁界は前記プラズマ処理リアクタ内での前記プラズマの点火を促進するのに有効な磁界の強さを有する、方法。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記局所的な磁界は前記基板の処理中は活性化されない、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜9,28のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記局所的な磁界はDC磁界である、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜9,28〜29のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記所定の領域は、前記電界の電子が前記誘導コイルによって最初に加速される領域である、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜9,28〜30のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記所定の領域は、前記処理チャンバの内側で前記電界の電界線密度が最も高い位置である、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜9,28〜31のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記磁界発生装置は、前記誘導コイルの高電圧点近傍に配置されている、プラズマ処理リアクタ。
- 請求項1〜9,28〜32のいずれか一項に記載のプラズマ処理リアクタであって、前記局所的な磁界は、前記処理チャンバ内で非対称に形成される、プラズマ処理リアクタ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/223,692 | 1998-12-30 | ||
US09/223,692 US6028286A (en) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Method for igniting a plasma inside a plasma processing reactor |
PCT/US1999/031076 WO2000039838A2 (en) | 1998-12-30 | 1999-12-28 | Method for igniting a plasma inside a plasma processing reactor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002533950A JP2002533950A (ja) | 2002-10-08 |
JP2002533950A5 JP2002533950A5 (ja) | 2007-02-22 |
JP4615730B2 true JP4615730B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=22837613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000591651A Expired - Fee Related JP4615730B2 (ja) | 1998-12-30 | 1999-12-28 | 処理チャンバ内でプラズマを点火するための方法及びプラズマ処理リアクタ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6028286A (ja) |
JP (1) | JP4615730B2 (ja) |
KR (1) | KR100694634B1 (ja) |
IL (2) | IL144022A0 (ja) |
TW (1) | TW480900B (ja) |
WO (1) | WO2000039838A2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000331993A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
US7591957B2 (en) * | 2001-01-30 | 2009-09-22 | Rapt Industries, Inc. | Method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification |
US7510664B2 (en) | 2001-01-30 | 2009-03-31 | Rapt Industries, Inc. | Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces |
US6673199B1 (en) | 2001-03-07 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity |
US6660177B2 (en) * | 2001-11-07 | 2003-12-09 | Rapt Industries Inc. | Apparatus and method for reactive atom plasma processing for material deposition |
US20080190558A1 (en) * | 2002-04-26 | 2008-08-14 | Accretech Usa, Inc. | Wafer processing apparatus and method |
US20080011332A1 (en) * | 2002-04-26 | 2008-01-17 | Accretech Usa, Inc. | Method and apparatus for cleaning a wafer substrate |
US20080017316A1 (en) * | 2002-04-26 | 2008-01-24 | Accretech Usa, Inc. | Clean ignition system for wafer substrate processing |
US7371992B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-05-13 | Rapt Industries, Inc. | Method for non-contact cleaning of a surface |
US7297892B2 (en) * | 2003-08-14 | 2007-11-20 | Rapt Industries, Inc. | Systems and methods for laser-assisted plasma processing |
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JP4896861B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2012-03-14 | 株式会社東芝 | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
US20090284421A1 (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Yuri Glukhoy | RF antenna assembly having an antenna with transversal magnetic field for generation of inductively coupled plasma |
US8222822B2 (en) * | 2009-10-27 | 2012-07-17 | Tyco Healthcare Group Lp | Inductively-coupled plasma device |
US10388493B2 (en) * | 2011-09-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields |
US20230274911A1 (en) * | 2020-07-09 | 2023-08-31 | Lam Research Corporation | Adjustable geometry trim coil |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06105597B2 (ja) * | 1982-08-30 | 1994-12-21 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ源 |
US4500408A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for and method of controlling sputter coating |
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GB8905075D0 (en) * | 1989-03-06 | 1989-04-19 | Nordiko Ltd | Electrode assembly and apparatus |
DE69128345T2 (de) * | 1990-01-04 | 1998-03-26 | Mattson Tech Inc | Induktiver plasmareaktor im unteren hochfrequenzbereich |
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US5512150A (en) * | 1995-03-09 | 1996-04-30 | Hmt Technology Corporation | Target assembly having inner and outer targets |
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JPH10149897A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-02 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理方法 |
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US5902563A (en) * | 1997-10-30 | 1999-05-11 | Pl-Limited | RF/VHF plasma diamond growth method and apparatus and materials produced therein |
-
1998
- 1998-12-30 US US09/223,692 patent/US6028286A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-11-17 TW TW088120076A patent/TW480900B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-28 KR KR1020017008250A patent/KR100694634B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-12-28 JP JP2000591651A patent/JP4615730B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-28 WO PCT/US1999/031076 patent/WO2000039838A2/en active IP Right Grant
- 1999-12-28 IL IL14402299A patent/IL144022A0/xx active IP Right Grant
-
2001
- 2001-06-27 IL IL144022A patent/IL144022A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW480900B (en) | 2002-03-21 |
WO2000039838A2 (en) | 2000-07-06 |
IL144022A (en) | 2006-07-05 |
KR20010099991A (ko) | 2001-11-09 |
WO2000039838A3 (en) | 2000-11-16 |
US6028286A (en) | 2000-02-22 |
KR100694634B1 (ko) | 2007-03-13 |
JP2002533950A (ja) | 2002-10-08 |
IL144022A0 (en) | 2002-04-21 |
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